МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к курсовому проектированию по дисциплине
“ПРИЕМ И ОБРАБОТКА СИГНАЛОВ”
для студентов дневной и заочной форм обучения
направления 6.050901 — “Радиотехника”
Севастополь
2007
2
Преселектор
АРУ
ВЦ УРЧ См УПЧ АД УНЧ
Г УПТ ФНЧ
Настройка
ВЦ ― входная цепь; УРЧ ― усилитель радиочастоты; См ― смеситель;
УПЧ — усилитель промежуточной частоты; АД ― амплитудный детектор;
Г ― гетеродин; УНЧ — усилитель низкой частоты; ФНЧ — фильтр
нижних частот; УПТ — усилитель постоянного тока.
Рис. 3.1 ― Структурная схема аналогового вещательного приёмника
БУ И
СЧ
Ux(t)
ВЦ УРЧ См УПЧ АЦП ЦСП ЦАП УНЧ
Nx
Π з = 2 ∆f с2 + ∆f г2 + ∆f н2 + ∆f УПЧ
2
, (3.2)
∆f н = δ н f г max , (3.4)
2 ∆f д + Π з
Π ≈ Πс + , (3.7)
K АПЧ
2
EА
− Eп2 hд2 П ш
γ вых p
Nд = , (3.9)
4kT0 П ш RА
1 N −1 N См − 1 N УПЧ − 1
,(3.12)
N≈ N ВЦ + УРЧ + +
K p ф K p ВЦ K p ВЦ K p УРЧ K p ВЦ K p УРЧ K p См
1 f зк max f c max
ξ зк = − , (3.13)
d э f с max f зк max
1) ВЦ Se(ξ ), дБ k
К ПЧ 4; 5
90
2) ВЦ 6 d
80
К К ПЧ 3
70
b c
3) ВЦ УРЧ
60
К ОЭ К ПЧ 2
50
4) ВЦ УРЧ
К К ОЭ К ПЧ 40
1
30
5) ВЦ УРЧ
К ОЭ К К ПЧ 20
6) ВЦ УРЧ 10
К К ОЭ К К ПЧ а e
0 10 20 30 ξ, дБ
а) б)
К — колебательный LC-контур; ПЧ — преобразователь частоты;
ОЭ — усилительный каскад с общим эмиттером
Рис. 3.5 — Типовые структурные схема преселекторов (а) и их
нормированные частотные характеристики избирательности (б)
1 f пр f c min
ξ пк = − . (3.14)
d э f с min f пр
K зU вых
K ЛТ = , (3.17)
PА RА
lgK УРЧ
n = 1 + Int , (3.22)
lgK к
где оператор Int означает взятие целой части числа, например, Int 2,85 = 2 .
3.6.4. Выбор активного прибора смесителя
Смеситель может быть выполнен на транзисторах или интегральных схе-
мах. В транзисторном смесителе используют, как правило, транзисторы того
же типа, что и в УРЧ. Используя формулы, приведенные в приложении И,
рассчитывают модули передаточных проводимостей Y12пр1 , Y21пр1 транзи-
стора в режиме преобразования частоты и определяют устойчивый коэффи-
циент усиления K уст транзистора, используемого в смесителе. Выбирают ко-
24
эффициент передачи смесителя из условия K См < K уст .
Смесители могут быть также реализованы на ИС аналоговых перемно-
жителей сигналов: AD633, AD831, AD8343 (Analog Devices), SA602A, SA612A,
TCA240 (Philips), U5010A (Burr Braun), К174ПС1, К174ПС4 и др.
3.6.5. Расчет коэффициента усиления и выбор типа транзисторов УПЧ
Требуемый резонансный коэффициент усиления УПЧ определяют по
формуле
К ЛТ
К УПЧ = . (3.23)
К ВЦ К УРЧ К См
Пример 3.2.
Исходные данные для расчета
Приемник принимает радиоизлучение R3E (однополосная амплитудная
телефония с частично подавленной несущей) в диапазоне частот от
f с min = 20 МГц до f с max = 30 МГц и имеет реальную чувствительность
EА = 4 мкВ .
В результате предварительного расчета структурной схемы приемника
25
найдено следующее:
линейный тракт приемника выполнен по схеме инфрадина (рис. 3.6) с
двойным преобразование частоты с промежуточными частотами
f пр1 = 35 МГц и f пр2 = 128 кГц ;
преселектор приемника состоит их двухконтурной входной цепи и
одноконтурного каскада УРЧ, выполненного по схеме с общим эмиттером;
контура преселектора имеют эквивалентное затухание d э = 0,01 ;
в трактах промежуточной частоты использованы пьезоэлектрические
фильтры с коэффициентами передачи в полосе пропускания K ФСИ1 = 0,3 и
K ФСИ2 = 0,2 соответственно.
Требуется найти коэффициент усиления линейного тракта связного при-
ёмника и распределить его по каскадам тракта.
СЧ КГ
Решение
Из таблицы 3.3 выбираем допустимое входное напряжение синхронного
детектора U вх = 14 мВ .
Используя формулу (3.16) и полагая K з = 2 , находим коэффициент уси-
ления линейного тракта
K зU вх 2 ⋅ 14 ⋅ 10 − 3
K ЛТ = = = 7 ⋅ 103 .
−6
EА 4 ⋅ 10
U см1 30 ⋅ 10 - 6
K УРЧ = = = 50 .
К ВЦ EA 0,15 ⋅ 4 ⋅ 10 - 6
τ к ξ 7 ⋅ 10 −12 ⋅ 3
rб = = = 17,5 Ом ; (3.25)
Ск 1,2 ⋅ 10 −12
f гр 1100 ⋅ 10 6
h21э = = ≈ 37 ; (3.26)
f с max 30 ⋅ 10 6
ϕT rб 25 ⋅ 10 − 3 17,5
h11б ≈ + = + ≈ 13 Ом ; (3.27)
−3
I э0 h21э 2 ⋅ 10 37
f гр h11б 1100 ⋅ 10 6 ⋅ 13
fs = = ≈ 817 МГц . (3.28)
rб 17,5
≈ 77 ⋅ 10 − 3 См ; (3.29)
Y12 э = 2 π f c max Ск = 2 ⋅ 3,14 ⋅ 30 ⋅ 106 ⋅ 1,2 ⋅ 10 −12 = 0,23 ⋅ 10 − 3 См . (3.30)
Y21э 77 ⋅ 10 − 3
K уст1 = 0,2 = 0,2 ≈ 8,2 . (3.31)
Y12э 0,23 ⋅ 10 −3
Y21пр1 19 ⋅ 10 −3
K уст2 ≈ 0,2 = 0,2 ≈ 4,4 . (3.32)
−3
Y12пр1 0,2 ⋅ 10
28
U См2 вх 200 ⋅ 10 - 6
K УПЧ1 = = ≈ 7 ,4 . (3.33)
U ФСИ1 27 ⋅ 10 -6
0,25 ⋅ 37 ⋅ 817 ⋅ 10 6
= ≈ 19 ⋅ 10 − 3 См .
13(1 + 37) (817 ⋅ 10 6 ) 2 + (35 ⋅ 10 6 ) 2
Y21пр2 19 ⋅ 10 − 3
K уст3 ≈ 0,2 = 0,2 ≈ 63 .
Y12пр2 0,96 ⋅ 10 − 6
h21э f s 50 ⋅ 20 ⋅ 10 6
Y21 Э = = ≈
h11б (1 + h21э ) f s2 + f пр2
2
17(1 + 50 ) (20 ⋅ 10 ) + (128 ⋅ 10 )
6 2 3 2
≈ 57 ⋅ 10 −3 См .
Ссв1
СА СрА
RА Срн
а)
Ссв
СА СрА
RА Срн
Lсв
Сф
Uу
б)
Рис. 4.2 — Двухконтурные входные цепи, настраиваемые с помощью
варикапов
Cпост ≈ CL + Cп ср + Cм , (4.2)
2
Ск max − kпд Ск min
Спост у = . (4.5)
2
k пд −1
1
Lк = , (4.6)
2
(2πf с max ) C min у
43
где Cmin у = Cк min + Cпост у — уточненная минимальная емкость контура.
С учетом заданного частотного диапазона приемника выбирают из таб-
лицы 4.2 минимально допустимое значение индуктивности контура Lmin и
проверяют условие реализуемости индуктивности Lк , рассчитанной по фор-
муле (4.7). При выполнении условия Lк ≥ Lmin , индуктивность Lк — реали-
зуема. При выполнении условия Lк < Lmin выбирают меньшие значения ем-
костей C к min , Cп ср и выполняют повторный расчет по формулам
(4.2)…(4.6).
С учетом частотного диапазона приемника выбирают из таблицы 4.1 зна-
чения собственного затухания контура d и коэффициента q и определяют эк-
вивалентное затухание нагруженного контура
d э = qd . (4.7)
f гр f s + β 0 f с2 max
g11э = , (4.8)
β 0 rб ( f s2 + f с2 max )
1 2
RA Cсв
1
p= dэ − d − . (4.10)
2πf с max Lк g11э 2
2 π f с max Lк (Cсв1 + Ссх + Ск min )
50 g11э
Cр = . (4.14)
2πf с min
(2πf с ) 2 Lк Cсв1 p
K ВЦ = . (4.15)
dэ
2
1 f с min f пр
.
Seпр дБ = 20lg 1 + − (4.17)
2 f f
d э пр с min
2
1 f пр f с max
.
Seпр дБ = 20lg 1 + − (4.18)
2 f f пр
d э с max
2
k уд
Lсв1 = , (4.19)
(2πf с min ) 2 CА
46
1
fA = . (4.22)
2π Lсв1С А
( f с2min − f A2 )( f с2max − f A2 )d э
k св р ≤ . (4.23)
f A2 ( f с2max − f с2min )
k св А ≤ k св к ; k св А ≤ k св з ; k св А ≤ kсв р , (4.24)
2 2
Cп ср = Спост н − k св А св А С А − С L − p (C11 + См ) , (4.27)
2 2
k св1 p k уд f с Lк
K ВЦ = . (4.28)
2 2
d э (k уд f с − f с2min ) Lсв1
d э − d − d вн1 − d вн2
pд = , (4.30)
2πf c max Lк g11
где
2
RA Ссв
d вн1 = 1 ;
2πf c max Lк (Ссх + Ск min + Ссв1 ) 2
2 2 2
RA k св 3 k уд kпд
d вн2 = .
2 2
2πf с max Lсв1 (k уд k пд − 1)
2( f с2min − f A2 )( f с2max − f A2 )d э
k св р ≤ . (4.31)
3 f A2 ( f с2max − f с2min )
2 2
p ( 2πf c ) 2 Lк Cсв1 pk св А k уд f c Lк
K ВЦ = + . (4.34)
2 2 2
dэ d э ( k уд f c − f с min ) Lсв1
R0 = 2πf с ср Lк Q . (4.35)
1
fA = ≤ 0,6 f с min . (4.41)
2π Lсв1С А
(q − 1)
p2 = . (4.43)
2πf с ср Lк Qн2 g11э
Lк
rк = . (4.45)
Q Cк min + Cд
Q
Qэ 2 = . (4.47)
p 22 Ro
1+
Rн
1
k св3 = . (4.48)
Qэ1Qэ2
1
С ср = . (4.49)
2
(2π f с ср ) Lк
Если значение емкость (4.50) мало Ссв 1 < Ссв min = 1 пФ и трудно реали-
зуемо, то применяют неполную внешнеемкостную связь, при которой конден-
сатор внешнеемкостной связи Ссв1 подключают к контурным индуктивно-
стям Lк 1, Lк 2 по автотрансформаторной схеме с коэффициентом включения
p1 p2 Qэ1 Qэ 2 Lк
K ВЦ ≈ . (4.53)
2 1 − ( f A fc ) 2 Lсв1
1
Cр А = (4.54)
10(2 π f с min ) 2 Lсв1
50
Cp н ≥ . (4.55)
2πf с min Rн
50
Cф ≥ . (4.57)
2πf с min Rф
Рис. 5.2 — Каскады УРЧ с общим эмиттером (а) и с общим истоком (б),
перестраиваемые с помощью варикапа
Рис. 5.3 — Каскады УРЧ с инверсным питанием: (а) — каскад с общим эмит-
тером, (б) — каскад с общим истоком
K уст d э
p1 p 2 ≤ . (5.3)
Y21э 2πf c max Lк
1
Cп = − Ск min − С L − p12 (C22 + Cм ) − p22 (C11 + Cм ) , (5.4)
2
(2πf с max ) Lк
I д ≈ 10 I к h21э . (5.6)
Uф
Rф = . (5.7)
Iк + Iд
Eп − U ф − U кэ
Rэ = . (5.8)
Iк
U кэ − U эб
Rб2 = ; (5.9)
1,1I д
59
Eп − U ф − U кэ + U эб
Rб1 = , (5.10)
Iд
20 g11э
Cр = . (5.11)
π f с min
20
Сэ = ; (5.12)
π f с min Rэ
20
Cф = . (5.13)
πf с min Rф
Rи = U зи 0 I c 0 . (5.14)
20
Си = . (5.15)
π f с min Rи
iс, iз iс
I0 С
A iз
Iс0
B
U0 Uзи0 0 uзи
Рис. 5.3 — Проходная и входная характеристики полевого транзистора
1
Lк = . (5.18)
2
(2πf пр ) C
d э − d − 2π f пр Lк p1g 22э
p2 ≤ . (5.19)
2π f пр Lк g11э
p1 p2 Y21э 2π f пр Lк
Kк = (5.20)
dэ
1
Cк = − С L − p12 (C 22 + Cм ) − p22 (C11 + C м ) . (5.22)
( 2πf пр ) 2 Lк
6. РАСЧЕТ СМЕСИТЕЛЯ
В смесителе обычно используют транзистор того же типа, что и в пред-
шествующем усилительном каскаде. Расчет смесителя на биполярном транзи-
сторе (рис. 6.1), в базовую цепь которого подается преобразуемый сигнал, а в
эмиттерную — сигнал гетеродина, выполняют аналогично расчету каскада
УПЧ (см. п. 5.2.). Отличие заключается в том, что в расчетных формулах Y-
параметры транзистора, соответствующие усилительному режиму работы, за-
меняют Y-параметрами, соответствующими режиму преобразования частоты
(см. приложение И). Следует обратить внимание на то, что в режиме преобра-
зования частоты параметры Y11 , Y21 транзистора необходимо рассчитывать на
64
максимальной частоте преобразуемого сигнала, а параметры Y12 , Y22 — на
промежуточной частоте.
На рис. 6.2 изображен смеситель, выполненный на ИС AD831, которая
представляет собой аналоговый перемножитель сигналов (см. приложение К).
d э = (1,15...1,3)d , (7.1)
Rн ≈ 2Rвх д (7.3)
и ее составляющие
Rн' = Rн R i , (7.6)
67
где R i = 1 S д — статическое сопротивление диода.
По графику (рис. 7.2) [3, с. 369] определяют нормированное динамиче-
ское сопротивление R 'iд детектора и, денормируя его, находят динамическое
сопротивление диода
R iд = R i R 'iд . (7.7)
' ( Rн + R i д ) М в2 − 1
Cн ≈ , (7.8)
2πFmax Rн Rобр
2
1 − mmax
Cн' ' ≈ . (7.9)
2πFmax Rн mmax
где Cм ― емкость монтажа (см. таблицу 4.1); Cвх — входная емкость сле-
дующего каскада.
Находят емкость конденсатора C1
C 2 R22
C1 = Cн − . (7.11)
( R1 + R 2 ) 2
R 3π R i
Kд ≈ 2 3 , (7.12)
Rн Rн
C д + См2
kф* = , (7.13)
(С1 + Cд + См2 )[1 + 2πf пр (C д + См2 ) R1 ]
где См2 — емкость монтажа детектора (см. таблицу 4.1); Cд ― емкость дио-
да.
Проверяют условие
kф* ≤ kф . (7.14)
Uф
Rф = . (7.19)
Iп
Lсв = L2 = p 2 L1 . (7.19)
1 ≤ ξк ≤ 2 , (7.20)
kи ξ к f пр
Qэ ≈ , (7.21)
П
Q ≈ (1,15...1,3)Qэ (7.22)
Q ≤ 80...100 . (7.23)
ξ
f 01 ≈ f пр 1 − к ; (7.24)
2Q э
ξ
f 02 ≈ f пр 1 + к . (7.25)
2Q э
2
10,7 ⋅ 10 6
C = C1 = C 2 ≈ (15...30) , (7.26)
f пр
С э = С э1 = С э 2 = С + n 2С22 + См + С д , (7.27)
1
L1 = ; (7.28)
2
2πf 01 Сэ
1
L2= . (7.29)
2
2πf 02 Сэ
R0
Rвх д = , (7.31)
γ d − 1 − g 22 R0 n 2
L
Lк ≈ 1 . (7.32)
n2
3π R i
K д = cos 3 , (7.35)
Rн
74
f пр k н
Qэ max ≤ (7.36)
∆f д
Qэ R02
Rш ≈ . (7.40)
Q − Qэ
1
С1 = С 2 = . (7.41)
50 πf пр R02
τ кф
Cкф = , (7.42)
Rкф
ПРИЛОЖЕНИЕ Б
Образец титульного листа
Факультет радиоэлектроники
Кафедра радиотехники
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ
по дисциплине “Прием и обработка сигналов”
на тему “Связной судовой радиоприёмник”
Руководитель ____________________
Севастополь
20__
83
ПРИЛОЖЕНИЕ В
Образец технического задания
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
вариант № ___
студента ____________________________________________ группы_____
(фамилия, имя, отчество)
1. Тема проекта __________________________________________________
2. Срок представления студентом законченного проекта «___» _______20__ г.
3. Исходные данные к проекту:
№
Наименование характеристики Значение
п.п.
1 Тип приёмника
2 Место установки
3 Диапазон частот, МГц
4 Реальная чувствительность по напряжению, мкВ
5 Реальная чувствительность по мощности, пВт
6 Вид принимаемого излучения
7 Вид комплексного стереосигнала
8 Отношение С/П на выходе линейного тракта приемника, дБ
9 Вероятность ошибки
10 Минимальная частота сообщения, Гц
11 Максимальная частота сообщения, кГц
12 Скорость передачи, бод
13 Девиация частоты, кГц (индекс модуляции, рад)
14 Частотная избирательность по зеркальному каналу, дБ
15 Частотная избирательность по прямому каналу, дБ
16 Частотная избирательность по соседнему каналу, дБ
17 Динамический диапазон входного сигнала, дБ
18 Динамический диапазон выходного сигнала, дБ
19 Активное сопротивление антенны, Ом
20 Eмкость антенны, пФ
21 Нестабильность частоты передатчика
22 Нестабильность частоты гетеродина
23 Выходная мощность, Вт
24 Вид питания
ПРИЛОЖЕНИЕ Г
Структурные схемы приемников
На рис. Г.1 изображена упрощенная структурная схема связного прием-
ника однополосных АМ сигналов (излучение R3E, J3E).
УПТ ФНЧ АД ПФ
Линейный тракт
Вых
ВЦ УРЧ См1 УПЧ1 См2 УПЧ2 СД УНЧ
fг3
fг1 fг2
И БУ СЧ ОГ ГБ
Линейный тракт Г2
Г1 Уп УПТ ФНЧ
Кл1 КФ1
ЧАПЧ
ВЦ УРЧ См УПЧ ОА ЧД СтД УНЧ1
ПРИЛОЖЕНИЕ Д
Классы радиоизлучений
Классом радиоизлучения называют совокупность характеристик радио-
излучения (радиосигнала), обозначенную стандартными условными символа-
ми и содержащую сведения о видах модуляции, модулирующего сигнале и
характере передаваемой информации.
В соответствии с рекомендацией Международного консультативного ко-
митета по радио МККР 507 регламентом радиосвязи установлено, что обозна-
чение класса радиоизлучения включает три группы символов.
Основная группа является обязательной характеристикой радиоизлуче-
ния и состоит из трёх символов:
символа типа модуляции основной несущей;
символа характера модулирующего сообщения;
символа вида передаваемого сообщения.
Дополнительная группа состоит из двух символов, расположенных
справа от основной группы: символа, уточняющего характер сигнала; символа
кода уплотнения.
Код необходимой ширины полосы излучения состоит из четырёх сим-
волов, расположенных слева от основной группы: три цифры, представляю-
щие округлённое значение ширины полосы радиоизлучения, и буква (четвёр-
тый символ), которая заменяет запятую десятичной дроби и одновременно
является обозначением размерности частоты: Н — Гц, К — кГц, М — МГц, G
— ГГц.
S(f )
ПРИЛОЖЕНИЕ Ж
Параметры фильтров сосредоточенной избирательности
ПРИЛОЖЕНИЕ И
Расчет Y-параметров транзисторов
В нормативно-технической документации на транзисторы обычно приво-
дят следующие параметры транзисторов:
h-параметры, измеренные на низкой частоте при включении транзи-
стора по схеме с общим эмиттером или с общей базой;
емкость коллекторного перехода Ск ;
постоянную времени τ к цепи внутренней обратной связи;
граничную частоту f гр усиления тока в схеме с общим эмиттером
(частота, на которой модуль коэффициента усиления тока h21э = 1).
Если для высокочастотного транзистора известен коэффициент усиления
тока h21э на некоторой частоте f 0 , то граничная частота усиления может
быть рассчитана по формуле f гр = h21э f 0 .
Ниже приведена методика приближенного расчета Y-параметров мало-
мощных транзисторов на частотах ниже 500 МГц. На частотах выше 500 МГц
для расчета транзисторных каскадов используют S-параметры.
Для схемы с общим эмиттером Y-параметры транзистора можно рассчи-
тать по следующим формулам [2, с. 26…27]:
1 + h21э ν гр ν s h21э ν гр − ν s
Y11э = g11э + jb11э = +j ;
h21э h11б (1 + ν 2s ) h21э h11б (1 + ν s2 )
h21э h21э ν s
Y21э = g 21э + jb21э = − −j ;
h11б (1 + h21э )(1 + ν s2 ) h11б (1 + h21э )(1 + ν 2s )
2π f τ к ν s 2π f τ к
Y22э = g 22э + jb22э = − + j 2π f Cк + ,
2
h11б (1 + ν s ) 2
h11б (1 + ν s )
2 2
1 1 + h21э ν гр
Y11э = ; Y12э ≈ 2πfCк ;
h21э h11б (1 + ν 2s )
h21э 3
Y21э = ; Y22э ≈ 2πfCк 1 + .
h11б (1 + h21э ) 1 + ν 2s ξ
b b b
C11э = 11э ; C 22э = 22 э ; C12 э = 12э .
2πf 2πf 2πf
b b b
C11и = 11и = C зи + C зс ; C 22и = 22и = Cси ; C12и = 12и = C зс .
2 πf 2πf 2πf
ПРИЛОЖЕНИЕ К
Номинальные значения сопротивлений и емкостей
Шкалы номинальных значений сопротивлений резисторов и емкостей
конденсаторов представленная в виде столбцов таблицы К.1 в зависимости от
допустимого относительного отклонение δ от номинального значения.