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DIODO SCHOTTKY

Y DIODO TNEL

Juan David Posada


Jose Sossa

Diodo Schottky
El diodo Schottky, llamado as en honor del fsico
alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo
semiconductor que proporciona conmutaciones
muy rpidas entre los estados de conduccin
directa e inversa

Sin embargo, aparece cada vez ms en fuentes


de alimentacin y alto voltaje y baja corriente, y
en convertidores de ca a cd.

Sus reas de aplicacin primero se limitaron


al intervalo de muy alta frecuencia debido a su
rpido tiempo de respuesta (especialmente
importante a altas frecuencias) y una figura de
ruido baja (una cantidad de real importancia en
aplicaciones de alta frecuencia).

Su construccin es bastante diferente


de los de unin p-n convencional en
la que se crea una unin de metal
semiconductor.
Las diferentes tcnicas de
construccin dan por resultado un
conjunto de caractersticas diferentes
para el dispositivo, como un intervalo
de frecuencia incrementado,
polarizacin en directa ms baja, etc.

Composicion del
Diodo Schottky

Funcionamiento del
Diodo Schottky
A una frecuencia baja un diodo normal conmuta facilmente el
cambiar su polarizacion de directa a inversa; sin embargo con el
paso del tiempo el tiempo de conmutacion puede ser alto.
En la unin p-n convencional, haba inyeccin de portadores
minoritarios hacia la regin adjunta. En este caso los electrones se
inyectan en una regin de electrones de la misma pluralidad.
Se comporta como un portador mayoritario
El diodo Schottky est constituido por una unin metalsemiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin
convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los
diodos normales.

Caracteristicas del
Diodo Schottky
Los diodos Schottky tienen una tensin
umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V
emplendose, por ejemplo, como
proteccin de descarga de clulas solares
con bateras de plomo cido.

La alta velocidad de conmutacin permite


rectificar seales de muy alta frecuencia y
eliminar excesos de corriente en circuitos de
alta intensidad.

Como limitacion tiene la dificultad de conseguir


resistencias inversas relativamente elevadas
cuando se trabaja con altos voltajes inversos

Aplicaciones del Diodo Schottsky

Fuentes de poder

Variadores de frecuencia

Circuitos de alta velocidad

Circuitos de computadoras

Diodo Tunel

Este diodo fue inventado en 1958 por el fsico japons Leo


Esaki, por lo cual recibi un Premio Nobel en 1973.
Es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual
se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia
diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica
corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia
negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).

Comportamiento Diodo Tunel


El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va
aumentando una tensin aplicada en sentido directo.
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir).
Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto
despus del cual la corriente disminuye.

La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle"


y....
Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar
aumentando conforme aumenta la tensin.

Grafica Diodo Tunel

Vp: Tensin pico


Vv: Tensin de valle
Ip: Corriente pico
Iv: Corriente de valle

La regin en el grfico en que la


corriente disminuye cuando la
tensin aumenta (entre Vp y Vv) se
llama zona de resistencia negativa

Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de


corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de
conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos
Schottky.
Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como
rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande
cuando estn polarizados en inversa.
As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en
circuitos osciladores de alta frecuencia.