GUA 2

CONFIGURACIN DARLINGTON
Definicin terica
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos
transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una
ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de
fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse
fcilmente en inestable. La tencin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de
ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de
un transistor o par Darlington se haya multiplicando las de los transistores individuales.
la intensidad del colector se haya multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Si 1 y 2son suficientemente grandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que

hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje baseemisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada VBEi es de aproximadamente 0,65 V

cuando el dispositivo est funcionando en la regin activa o saturada, la tensin baseemisor necesaria de la pareja es de 1,4 V.
Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de saturacin. El
transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin base-colector debe permanecer
polarizada en inversa), ya que su tensin colector-emisor es ahora igual a la suma de su
propia tensin base-emisor y la tensin colector-emisor del primer transistor, ambas
positivas en condiciones de funcionamiento normal. (En ecuaciones,
, as
siempre.) Por lo tanto, la tensin de
saturacin de un transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio) ms
alto que la tensin de saturacin de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en
el silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un
aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado con un nico
transistor.
Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer
transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al
dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele tener una
resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. Esta resistencia

permite una va de descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unin

base-emisor, permitiendo un rpido apagado

I. OBJETIVOS:

Determinar las caractersticas de operacin de

corriente transistorizado.

un amplificador de

II. MATERIAL Y EQUIPOS:

1 ORC
1 Multmetro
1 Generador de Seales
1 Fuente DC
2 Transistores: 2N2222
Resistores (1/4W):
1K, 1.5K, 2K, 12K, 7.5k, 100K
Condensadores (16V):
2 x 22uF, 1 x 100uF
III. PROCEDIMIENTO:
1. Implemente el siguiente circuito (figura 2.1)

2. En el circuito Fig 2.1 Mida los puntos de reposo:

Para hallar los puntos de reposo se trabaja en corriente continua, los
capacitores se comportan como circuito abierto, entonces tenemos el
circuito de la figura:

A
B
C

Experimentalmente se obtuvo en el laboratorio:

Va = 9.14 V
Vb = 9.23 V
Vc = 8.53 V
Vcc=15V
3. Aplicar una seal de entrada de 1Khz hasta obtener en la salida el
mximo sin distorsin:
La seal mxima con la cual se trabaj en el laboratorio sin obtener
distorsin alguna fue:
Vi=640mV

4. Mida :

AV V0 / V g

AI I 0 / I f

Los valores hallados en el laboratorio experimentalmente son:

V g 640mV
V0 600mV
Io 37.27 A
I f 0.0766 A

Por lo tanto:
AV

Ganancia de Voltaje:

V0
Vg

AV 0.94

AI

Ganancia de Corriente:

I0
If

AI 486.55

5. Medir la impedancia de entrada:

Z i Vg / I f

Con los datos obtenidos anteriormente hallaremos la impedancia de

entrada experimentalmente, esta manera de hallarla es indirecta porque
podramos obtener esta impedancia usando el mtodo de mxima
transferencia de potencia como en el paso siguiente.

Zi

Vg
If

Z i 83.5k

6. Con un potencimetro de 10 k mida la impedancia de salida mediante el

mtodo de mxima transferencia de potencia.
Colocando el potencimetro al final del circuito mediremos la impedancia
de salida, para ello utilizamos dos multmetros para observar la igualdad
de voltajes tanto en el potencimetro como en el circuito total,
garantizando la igualdad de impedancias.
Z 0 150

7. Mida el ancho de Banda encontrado al punto de corte inferior y superior.

Para medir el ancho de banda necesitamos encontrar la frecuencia de
corte inferior y superior.
Se puede trabajar con la ganancia de voltaje en funcin de la frecuencia
o tambin con el voltaje de salida en funcin de la frecuencia, en este
caso trabajaremos con el segundo caso.
Por teora se sabe que las Frecuencias de corte Superior e Inferior, se
dan cuando el voltaje es el 70 % del voltaje de salida.
Se sabe que:
V0 600mV

Entonces las frecuencias de corte superior e inferior se darn cuando al

variar la frecuencia, en la salida midamos un valor de:
V 70%V0
V 420mV

La frecuencia de corte inferior la obtendremos cuando la frecuencia se

encuentre por debajo de 1Khz, es decir trabajaremos con frecuencias
pequeas.
f L (Frecuencia de corte inferior) =2.6Hz
De la misma manera hallaremos la frecuencia de corte superior, la cual
debe estar por encima de 1 Khz., se trabaja con frecuencias altas.
f H (Frecuencia de corte superior) =3MHz
Luego, para obtener el ancho de banda pedido simplemente hallaremos
la diferencia entre la frecuencia de corte superior y la inferior:
B W=f H - f L
B W=2.9999974 M Hz
IV. CUESTIONARIO FINAL:

1. Compare sus datos tericos (informe previo) con los obtenidos en

la experiencia.
Primeramente comparemos los valores en los puntos de reposo
en el anlisis de DC:
Datos tericos:
V A 9.215V
V B 9.228V

VC 7.815V

Datos experimentales:
Va = 9.14 V
Vb = 9.23 V
Vc = 8.53 V
Para una mejor visin hallaremos el error porcentual:
%error exp eriemental

V (teorico) V (exp erimental )

V (teorico)

* 100%

Para V A :
9.215 9.14
*100%
9.215
%error exp erimental 0.81%
%error exp erimental

Para V B :
9.228 9.23
* 100%
9.228
%error exp erimental 0.02%
%error exp erimental

Para V A :
7.815 8.53
* 100%
7.815
%error exp erimental 0.09%
%error exp erimental

Se puede observar que el margen de error es pequeo, quiere decir que

las mediciones hechas son correctas ya que se acerca mucho a los
valores tericos.

Comparemos AV

Valor terico:

AV 0.99

Valor experimental:

AV 0.94

0.99 0.94
* 100%
0.99
%error exp erimental 5%
%error exp erimental

Comparemos AI

AI 673.87
Valor terico:
AI 486.55
Valor experimental:
673.87 486.55
* 100%
673.87
%error exp erimental 27.80%
%error exp erimental

Comparemos Zi

Zi 80.99k
Valor terico:
Zi 835.5k
Valor experimental:
80.99k 83.5k
* 100%
80.99k
%error exp erimental 3.10%
%error exp erimental

Comparemos Zo

Zo 2.03k
Valor terico:
Zo 150
Valor experimental:

2.03k 150
*100%
2.03k
%error exp erimental 92.61%
%error exp erimental

2. Dibuje algunos esquemas prcticos en donde se encuentra la

Configuracin Darlington.

Configuracin Darlington:
Con acoplo:

Con desacoplo

Configuracin Bootstrap:

3. Qu modificaciones realizara al circuito experimentado? Por

qu?
Si retiramos R3 = 100 K,

Se observa que la Io = 0.031uA y la I i = 0.004 uA

Ai (ganancia de corriente) = Io / Ii
Ai = 0.031 uA / 0.004 uA
Ai = 7.75
Por lo tanto se observa, que la ganancia de corriente ha disminuido, por ello si
se desea disminuir la ganancia de corriente se debe retirar la R3.
Pero si se retira R3 se observa que la ganancia de voltaje disminuye mas; por
ello no es muy recomendable hacer esta modificaciones.
Si retiramos la C2 = 100 uF:

Se observa que la ganancia de corriente tambin disminuye Ai = 8.96, y la

ganancia de voltaje se mantiene constante.

CONCLUSIONES

El circuito de configuracin darlington no amplificad voltaje, y esto se

comprueba en la experiencia realizada, ya que el voltaje de salida fue menor al
voltaje de entrada
La configuracin Darlington solo amplifica corriente, y debido a su diseo esta
es muy efectiva
El hecho de que la salida del emisor del transistor de la izquierda, este
conectado a la base del otro transistor hace que la ganancia de corriente sea
mucho ms alta que un nico transistor.

Para medir tanto las impedancias de salida y de entrada; no eran tan cercanos
a los hallados tericamente, esto se debi a que los potencimetros eran muy
sensibles; y cuando aplicamos el teorema de la mxima transferencia y se
midi con el multitester el valor de salida era muy variable.