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FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y

ELCTRICA
ESCUELA ACADMICO PROFESIONAL DE
INGENIERA ELECTRICA

CURSO:

Circuitos electrnicos II

TRABAJO:
Informe final 4
TEMA:
Respuesta en Alta frecuencia
ALUMNO:
Guzmn Trujillo, Francces Jonathan
13190194
PROFESOR:
ING. CELSO GERNIMO

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA


SOLA ETAPA
I.OBJETIVOS
Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de audio.
II. INFORME PREVIO
1. Definir

rbb , rbe, rbc, rce, cbe, cbc,gm,f,ft.

a. rbb: la resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parmetro h,


q es la resistencia en salida en corto.
b. rbe: Resistencia de la base interna del transistor (b) hacia el emisor, es
una resistencia de unin entre emisor y base.
c. rbc: Resistencia de realimentacin.
d. rce: Es la resistencia entre el colector y el emisor se considera como una
resistencia de salida.
e. Cbc: Capacitancia parasita de transistor que se origina por la variacin
de cargas en base colector.
f. Cbe: Es el capacitor base emisor.
g. gm: Transconductancia del transistor.
h. f: es la frecuencia para cuando el factor de ganancia del transistor
empieza a variar.
i. fT: frecuencia mxima de operacin del transistor se da cuando la
ganancia es igual a cero.

2. En el circuito del experimento, de acuerdo al modelo del


transistor en altas frecuencias, encontrar una expresin para
fb/ft.

Modelo Hibrido

Sabemos por definicin que:

f '

1
2. .(Cb' e Cb' c ).rb' e

fT
y

Entonces tenemos la divisin:

gm
2. .Cb' e

1
f ' 2. .(Cb' e Cb' c ).rb' e

gm
fT
2. .Cb' e

f '
fT

Cb' e
(Cb' e Cb' c ).hfemed

3. Considerando que cbc <0.1-50p F>, cbe<100-1000p F> rb

e=VThfe/IEQ, encontrar el punto de corte superior aproximado en


nuestro circuito.
Consideremos un B=100, RB=56k//12k, Ri=1k, RL=10K. La
corriente de polarizacin del transistor ICQ=1.92m A.

r b e=

26 mB
=1306.53
1.99 m A

Rin=RB/ r b e=1153.96
Ri/ Rin=535.7

Av =

f=

RL/ RC 1304.34
=
=99.87
r b e /B
13.06

1
2 (Ri / Rin) cb c (1+ 99.87 )

4. En altas frecuencias Cul de las configuraciones de transistor


ser ms conveniente? por qu?
La configuracin hibrida , es la ms conveniente para altas frecuencias
ya que cuenta con los parmetros que salen a relucir para altas
frecuencias como las capacitancias parasitas.

III. MATERIAL
1. 1
2N2222
2. Resistores (1/4 W): 56k, 12k, 10k, 1.5k, 0.68k, 1k
3. Condensadores: 2(22uf), 100uf
4. 1 Multimetro digital
5. 1 Generador de seales
6. Osciloscopio
7. Fuente DC
IV.

PROCEDIMIENTO:
1. Implementamos el siguiente circuito.

Y EQUIPO:
transistor

2. Sin aplicar la seal a medir:


Vce= 7.67

ICQ= 1.96m A

3. Encontrar la mxima seal de salida sin distorsin.


Aqu ajustamos la seal de entrada mxima con la condicin de que la
seal de salida no se distorsione.
La seal sin distorsin en la salida, nos arrojo el siguiente valor en la
entrada:
Vi=80mV
Para la cual nos dio un voltaje en la salida de:
Vo= 2.08V
Todos estos resultamos los tenemos para un frecuencia media de 1kHz.

4. Llenar la
siguiente tabla.
Note que
el punto de corte
superior se encuentra a una frecuencia en que Vo es 0.707 de su valor.
Ahora encontraremos la frecuencia de corte, variaremos la frecuencia y
pondremos atencin a la seal de salida ya que cuando esta sea (2.08)
(0.707)v=1.47, a cierta frecuencia esta ser la frecuencia de corte
superior.

F(Hz
)

40

60

10
0

20
0

600

1K

20
K

40K

60K

80K

100
K

200
K

1M

Vo(
V)

1.1
2

1.3
2

1.5
2

1.6
8

1.7
2

1.8
2

88m
V

Vo/V
i
(d
B)

41.
6

41.
6

41.
5

40.
9

40.
9

38.
5

37.
3

33.
6

30.
1

27.
6

24

19.
6

16.1

Observamos en el cuadro y en las graficas que despus de la frecuencia de


corte superior hay una cada en la ganancia, y conforme se incrementa la
frecuencia la ganancia tiende a cero.
Para las frecuencias antes de la frecuencia de corte superior la ganancia es casi
constante hasta llegar a un punto de corte inferior, esto se estudio en la
experiencia anterior.

V. Cuestionario final
1. Grafique en el papel semilogaritmico (segn la tabla) la ganancia de
voltaje (expresada en d B) vs frecuencia.
2. Comentario del grafico.
En el grafico tenemos a ciertas frecuencias medias una ganancia casi
constante, pero cuando llegamos a cierta frecuencia tenemos una cada de
ganancia en un 0.707 de su valor, a esta frecuencia donde se produce este
efecto de cada se le llama frecuencia de corte superior, que es la que
ocasionan las capacidades parasitas del transistor, anlogo al corte de baja
frecuencia que son producidas por los capacitores de acoplo y desacoplo. Des
pues de esta cada de ganancia observamos una brusca cada de ganancia
conforme aumentamos la frecuencia a partir de la frecuencia de corte superior.
3. De acuerdo a su grafico encontrar fh.
En el grafico el punto de corte superior se da aproximadamente para 700KHz.

4. Qu conclusiones obtuvo del experimento?

cbe, cbc, cce encontraremos capacidades parasitarias a altas

frecuencia.
Cuando se trabaja en parmetros hbridos ser fcil obtener en altas
frecuencias.

Cuando la salida del amplificador cae en 0.707 de su valor en


frecuencias medias, observamos que se da a cierta frecuencia y en ese
momento ocurre la cada del ancho de banda hasta un valor casi nulo.

VII. BIBLIOGRAFIA
Teora de circuitos
Circuitos electrnicos

R.Boylestad
Ghausi

Electrnica bsica, separata 2


Diseo electrnico

Savat

Raga( UNI-FIEE)+

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