Estado Solido 2

1
Apuntes de Fsica del Estado Slido

Dra. Dora Altbir Drullinsky
Contenidos
1 ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

3
1.1 Celdas Primitivas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1 Red Hexagonal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.2 Redes Tridimensional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.3 Red Hexagonal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.4 Red Hexagonal Compacta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.5 Posicin y Orientacin de los planos en un cristal . . . . . . . . . . . . . 7
1.2 Red Recproca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.2.1 Ejemplos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.2.2 Red Recproca de una cbica simple (sc) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.3 Red recproca de una red cbica centrada en el cuerpo (bcc) . . . . 13
1.3 Determinacin experimental de estructuras cristalinas . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.3.1 Factor de estructura de la base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.3.2 Red bcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2 DINMICA DE REDES
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
19
Cuanti caciones de las vibraciones de la red . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Difusin inelstica de fotones de gran longitud de onda. . . . . . . . . . . . . .
Vibraciones de cristales con una base monoatmica. . . . . . . . . . . . . . . . .
Velocidad de Grupo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lmites de onda larga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derivacin de la constante de fuerza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Dos tomos por celda primitiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3 PROPIEDADES TRMICAS DE LOS SLIDOS

3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
Expansin Trmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Capacidad Calrica, un acercamiento clsico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Capacidad Calrica, modelo de Einstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Modelo de Debye . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Capacidad Calrica de los electrones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Conductividad Trmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4 ELECTRONES LIBRES EN METALES

iii
19
20
21
24
24
24
25
29
29
30
32
34
35
35
37
iv
Contenidos
4.1
4.2
4.3
4.4
Modelo de un electrn libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Modelo de Drude . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
Gas de Fermi de electrones libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Capacidad Calor ca Experimental en Metales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
4.10
4.11
Conductividad Electrca y Ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Resistividad experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Conductividad trmica de los metales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ley de Wiedermann-Franz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Movimiento en campos magnticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Efecto Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Bandas de Energa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
42
43
44
44
44
47
49
4.12 Modelo de electrones casi libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.13 Magnitud del Gap de Energa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.14 Funciones de Bloch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.14.1 Demostracin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.15 Modelo de Krnig-Penney . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.16 Ecuacin de onda para un electrn en un potencial peridico . . . . . . . . . .
4.17 Segunda demostracin del teorema de Bloch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.17.1 Problemas: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.17.2 Problema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.18 Nmero de orbitales en una banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.19 Construccin de super cies de Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.20 Electrones fuertemente ligados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
51
53
54
54
55
56
60
63
64
65
66
71
5 Semiconductores
5.1 Diferencia entre aisladores y semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2 Agujeros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3 Propiedades pticas de los semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4 Masa efctiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5 Semiconductores tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.1 Ejercicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.2 Ejercicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.3 Ejemplo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.4 Ejemplo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
75
78
79
80
81
82
83
83
84
84
5.6
5.7
5.8
5.9
Semiconductores tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.6.1 Portadores mayoritarios y minoritarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Modelo de electrnes libres aplicado a Semiconductores . . . . . . . . . . . . .
Juntura de dos metales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Anlisis Cuntitativo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6 Propiedades Magnticas
85
86
86
88
91
95
1
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
6.6
6.7
6.8
6.9
6.10
6.11
Variables Magnticas Macroscpicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95

Imanes Atmicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
Paramagntismo de Pauli . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
Paramagnetismo de Curie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
Problema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
Teora de Bandas del Ferromagnetismo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Imanes Soft y Hard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
Portadores mayoritarios y minoritarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
Efecto Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
Modelo de electrones libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
Modelo de electrones libres aplicado a semiconductores . . . . . . . . . . . . . 111
Chapter 1
ESTRUCTURA CRISTALINA
Y DIFRACCIN
1.1 Celdas Primitivas

Contienen la informacin completa del cristal y pueden elegirse de diferentes formas,
pero todas con igual rea, por ejemplo:
Una manera de preservar la simetra de la red, es construyendo una red de WignerSeitz. sta se construye asociando a cada punto del espacio que est ms cerca de l
que de cualquier otro punto.
Su volumen (rea) es 1= ,
=
N
V (A)
Chapter 1.
ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN
1.1.1 Red Hexagonal
a1
a2
p
1
3
= a(1; 0) = a(
;
)
2
2
p !
p !
3
3
1
1
= a
;
=a
;
2 2
2 2
Red panal de abejas:

l2 = a2
a
2
)l=
3
2
A cada punto de la red le asociamos la base dada por:

~v1
= a
~v2
= a
1
p 0
2 3
1
p 0
2 3
1.1
Celdas Primitivas
En funcin de ~a1 y ~a2

~v1
~v2
1.1.2 Redes Tridimensional

En la naturaleza existen
1 1
6 6
1
6
1
6
Chapter 1.
1.1.3 Red Hexagonal

En dos dimensiones tenemos la red tringular de nida por:
~a1
= a (1 0)
p !
1 3
= a
2 2
~a2
Pero tambien podemos elegir:
~a01
= a
~a02
= a
p !
1 3
2 2
p !
1 3
2 2
luego, en tres dimensiones,

~a1
= a^
x
~a2
= a
~a3
!
p
1
3
x
^
y^ 0
2 2
(0 0 c^
z)
1.1.4 Red Hexagonal Compacta

Es, en realidad, una red con una base. Se forma cuando una red triangular de constante de red a en dos dimensiones. Luego, se apila una copia de ella de forma que las
partculas quedan justo sobre los centros de los triangulos de la primera red, a un altura
c=2.
1.1
Celdas Primitivas
Luego, se copia la primera red y as sucesivamente.

p
No existe necesariamente una relacin entre a y c, pero si c = 8=3a, el empaquetamiento es ptimo.
Se utilizan los vectores primitivos de la red y se agrega una base:
~v1
~v2
(0 0 0)
a a c
p
2 2 3 2
en coordenadas cartesianas o
~v1
~v2
(0 0 0)
1 1 1
3 3 2
coordenadas de vectores primitivos.
1.1.5 Posicin y Orientacin de los planos en un cristal

Habiendo descrito ya qu entendemos por una red, Cmo podemos usar este concepto
para indicar un plano cristalino?
Una descripcin general sugerida por William Miller en 1839 es la siguiente:
1. Determine las intersecciones del plano con los ejes en unidades de los vectores
primitivos ~a, ~b, ~c
2. Escriba el recproco de cada uno de estos nmeros
3. Reduzca estos nmeros a los tres enteros h; k; l que sean ms pequeos y mantenga
la misma razn
4. Los valores h k l se llaman ndices de Miller y se encierran entre parntesis para
denotar un plano cristalino
Ejemplo
1. 3 1 2
Chapter 1.
2.
1
3
1
2
3. 2 6 3
4. (2 6 3)
Algunos aspectos importantes a considerar son los siguientes:
a) Si el plano es paralelo a un eje particular, el ndice de Miller correspondiente es cero
(la interseccin con el eje es en el in nito)
b) Si el plano intersecta el eje en un valor negativo, el ndice de Miller correspondiente
lleva un barra, e. g., (1 1 1)
c) El conjunto de planos equivalentes, es decir, con igual simetra, se denota fh k lg.
Por ejemplo, en una red cbica, las caras del cristal se denotan f1 0 0g
d) El conjunto (h k l) no slo denota un plano, sino un conjunto de planos equivalentes

paralelos. Por ejemplo, (1 1 1) denota a los planos que cortan los ejes en 1 1 1; 2
2 2; etc.
e) Una direccin en la red se especi ca usando parntesis cuadrados [h k l]. Esta direccin se de ne como la perpendicular al plano (h k l)
En un cristal dado, existen muchas formas de de nir planos paralelos
1.1
Celdas Primitivas
Tomemos dos planos paralelos que cortan los ejes en m n y o respectivamente

El conjunto 1 tiene ndices (1 1 1) y dibujando los paralelos (mltiplos enteros) se
cubre todo el cristal
Veamos el siguiente ejemplo:
10
Chapter 1.
1
m
3
n
1
o
!
!
1
1
m
1
3
1
n
0
1
!
!
!
p
m
p
n
p
o
h k l
p=3
Si deseamos cubrir toda la red debemos trazar otros planos: cuntos? p
total hay p planos por cada interseccin en el eje
d0 = pd
cos2 ( 1 ) + cos2 ( 2 ) + cos2 ( 3 ) = 1
cos ( 1 )
cos ( 2 )
cos ( 3 )
d0
hd0
=
ma
pa
d0
kd0
=
na
pa
d0
ld0
=
oa
pa
1. En
1.2
Red Recproca
11
Luego:
k 2 d02
l2 d02
h2 d02
+
+
=1
p2 a2
p2 a2
p2 a2
pero d0 =p = d
d2 2
h + k 2 + l2
p2
d2 (h k l)
=
=
1)
h2
a2
+ k 2 + l2
1.2 Red Recproca

Consideremos el conjunto de tres vectores:
~1
A
~2
A
~3
A
2
~a1
2
~a1
2
~a1
(~a2 ~a3 )
(~a2 ~a3 )
(~a3 ~a1 )
(~a2 ~a3 )
(~a1 ~a2 )
(~a2 ~a3 )
Estos vectores de nen la llamada red recproca y satisfacen

~ i ~aj = 2 ij
A
n o
~ i son ortogonales slo si lo son f~ai g
A
Consideremos un punto del espacio recproco dado por:
~ m0 n0 p0 = m0 A
~ 1 + n0 A
~ 2 + p0 A
~3
G
con m0 , n0 , p0 enteros
Sea mnp un punto de la red cristalina dado por
n; p; m;enteros.
~ ~
G
= m~a1 + n~a2 + p~a3 ;
2 (mm0 + nn0 + pp0 ) = 2 N

N entero
Luego
~
eiG ~ = 1
1.2.1 Ejemplos
mnp
12
Chapter 1.
1. Dados
~a1
~a2
= 2^
x
= x
^ + 2^
y
encuentre la red recproca.

Solucin
Suponemos ~a3 = z^ (as la red recproca est en el plano que forman ~a1 y ~a2 )
~1
A
~2
A
V
2
V
2
=
V
2
=
V
= ~a1
=
~1
A
~2
A
2V
y^
(~a2
~a3 ) =
2
[^
x
V
z^ + 2 (^
y
z^)]
f y^ + 2^
xg
(~a3
(~a2
f2^
x
2
4
(2^
y) =
y^
V
V
~a3 ) = 4 )
~a1 ) =
y^g
Cualquier vector que une dos puntos de la red recproca es perpedicular a algn
conjunto de plano de la red cristalina.
2. Cadena lineal
Slo hay un vector, ~a1 = a^
x
~1 = 2
A
~a2 ~a3
2
=
~a1 (~a2 ~a3 )
~a1
1.2
Red Recproca
13
Si queremos dibujar la bisectriz a los primeros vecinos ellas cortan la cadena en

k=
=a. Estos son los lmites de la celda de Wigner-Seitz de la red recproca,
que se conoce como Primera Zona de Brillouin (P ZB).
1.2.2 Red Recproca de una cbica simple (sc)
2 2
a (^
y
a3
~ 2 = 2 a2 (^
= a^
y)A
z
a3
~ 3 = 2 a2 (^
x
= a^
z)A
a3
~1 =
= a^
x)A
~a1
~a1
~a1
2
x
^
a
2
x
^) =
y^
a
2
y^) =
z^
a
z^) =
Luego, la red recproca es tambin una red cbica simple de constante 2 =a:
Los lmites de la PZB son planos normales a sus vectores:
1~
A1
2
1~
A2
2
1~
A3
2
=
=
=
a
a
a
x
^
y^
z^
1.2.3 Red recproca de una red cbica centrada en el cuerpo (bcc)

Los vectores primitivos de traslacin de una red bcc son:
1
a (^
x + y^ z^)
2
1
a( x
^ + y^ + z^)
2
1
a (^
x y^ + z^)
2
a1
a2
a3
= ~a1 (~a2
~a3 ) =
a3
a3
f4g =
8
2
14
Chapter 1.
con esto
2
(^
x + y^)
a
~ 2 = 2 (^
y + z^)
A
a
~ 3 = 2 (^
A
x + z^)
a
Estos vectores son los primitivos de la fcc, luego, una red fcc es la primitiva de la
bcc, pero su constante es 2 =a en lugar de a=2
Un vector general de la red recproca estar dado por:
~1
A
~
G
~ 1 + n0 A
~ 2 + p0 A
~3
= m0 A
2
f(m0 + p0 ) x
^ + (m0 + n0 ) y^ + (n0 + p0 ) z^g
=
a
Los doce vectores ms cortos distintos de cero son:
2
( x
^ y^)
a
2
(^
y z^)
a
2
( x
^ z^)
a
Si trazamos los planos normales a estos doce vectores en sus puntos medios obtenemos la PZB, que es la celda de Wigner-Seitz de una fcc. Esta zona es un dodecaedro
rmbico.
1.3 Determinacin experimental de estructuras cristalinas

El scattering de rayos X entrega informacin de la localizacin de los tomos en un
slido.
En 1912, M. von Laue tena la intuicin de que los rayos X se dispersan en un cristal
de la misma forma en que lo hace la luz al incidir sobre un centro dispersor
La explicacin de este patrn fue desarrollada por Braggs, basndose en la idea de
que los rayos X son re ejados por los planos de la red de forma que la imagen resultante
es debida a una combinacin de haces re ejados de muchos planos paralelos.
La diferencia de fase entre las ondas re ejadas est dada por la distancia uv + v w:Si
en esta distancia entra un nmero entero de longitudes de onda, las ondas re ejadas
estarn en fase
n = 2d sin
1.3
Determinacin experimental de estructuras cristalinas
15
Pero en un cristal existen muchas formas de de nir planos paralelos. Cmo se

produce una "seleccin de planos"?
Si suponemos que la respuesta del cristal es lineal:
!
k
= !0
= k0
La onda incidente tiene un campo elctrico asociado

~
E (x) = E0 ei(k ~x
!t)
Al incidir sobre un centro difusor se genera una onda difundida cuya forma es:
E 0 = CE ( )
~
E 0 = CE0 ei(k ~
2
= R 1
R 1
(R
) =R
eikr
r
ikr
!t) e
r
2 R cos ( ; R) +
2
2
~ +
cos ~ ; R
R
R2
~
cos ~ ; R
1=2
16
Chapter 1.
pues suponemos que estamos lejos del centro difusor. Luego:

~
ei(k ~ +kr) = eikR ei(k ~
k cos( ;R))
pero lejos, la direccin de k 0 puede de nirse como la direccin de R. Luego:

k cos ( ; R) = k 0 cos ( ; k 0 ) = ~k 0 ~
y nalmente:
~
ei(k ~ +kr)
= eikR ei(k ~
= eikR ei k
~
k0
Finalmente:
E 0 = CE0 eikR e
i!t
exp i mnp
k
(1.3.1)
donde r R:
La difusin total se obtiene sumando 1.3.1 sobre todos los puntos de la red. Resulta,
entonces, importante calcular:
X
~
a
e i~ mnp k
m;n;p
Consideremos un cristal nito con centros difusores en cada punto de la red

mnp
a=
= m~a1 + n~a2 + p~a3

e
i(m~
a1 n+n~
a2 +p~
a3 )
mnp
amax )
~k = G
~
k
1.3
Determinacin experimental de estructuras cristalinas
N 3 es el nmero de puntos de la red.

Luego
Z
E0 /
dV n ( ) e
i~
17
~
k
donde n ( ) es la concentracin de electrones.
1.3.1 Factor de estructura de la base

Sean s tomos dentro de una celda y jemos la posicin del ncleo del tomo j por el
vector
= xj~a1 + yj~a2 + zj~a3
= m~a1 + n~a2 + p~a3
con respecto al punto
mnp
de la red (que est en el origen de
j)
Pero respecto al origen de la celda, la posicin del tomo j es j : En relacin al

origen de la red
0
j = j + mnp
Los electrones no estn concentrados en el tomo, sino repartidos en su derredor.
cj
mnp
de ne la concentracin de electrones en la posicin cerca del tomo y en la celda

mnp. Luego, la concentracin de electrones en el cristal est dada por:
3
n( ) =
M X
s
X
cj
mnp
mnp
mnp j=1
Luego
a
=
=
dV n ( ) e
N XZ
X
mnp
dV cj
i~
~
k
18
Chapter 1.
La contribucin de cj
dV cj
mnp
j
i
mnp
k
con
es:
dV cj ( 0 ) e
~
k
i~ 0
exp
h
~ 0 = ~ ~ j ~ mnp = fj exp i ~ j + ~ mnp
fj se conoce como factor de forma atmico. Con esto:
XX
a k =
fj exp i j + mnp
mnp
e i(
k)
mnp
mnp
M3
fj e
i ~ j + ~ mnp
~k
~k
e i(
k)
mnp
mnp
sg
fj e
fj e j = factor de estructura de la base

Hablamos de una re exin (hkl) cuando
~ 1 + kA
~ 2 + lA
~3
G = hA
= 2 (xj h + yj k + zj l)
= 2 (mh + nk + pl)
X
s (h k l) =
fj exp f 2 i (xj h + yj k + zj l)g
X
=
fj exp f 2 i (mh + nk + pl)g
j
Este factor de ne algunas lneas que desaparecen y no necesita ser real pues la intensidad considera ss . Nuestro inters reside en los ceros de s porque entonces no hay
intensidad en ciertas re exiones. La falta de re exiones ayuda a determinar que tipo de
estructura tiene el cristal difusor.
1.3.2 Red bcc

La base contiene dos tomos idnticos en las posiciones 0 0 0; 12
1 1
2 2:
Luego:
s (h k l) = f (1 + exp [ i (h + k + l)])
Luego, si:
h+k+l
h+k+l
= impar ) s = 0
= par ) s = 0
El sodio metlico no tiene en su espectro las lneas (100) ; (111) ; (221), pero s
aparecen las lneas (200) ; (110) y (222). Los ndices h k l se re eren a la celda cbica.
Chapter 2
DINMICA DE REDES
2.1 Cuanti caciones de las vibraciones de la red

La energa de una vibracin de red u onda elstica est cuanti cada. El cuanto de
energa en una onda elstica se conoce como fonn
! electrn
fotn
onda electromagntica
fonn
onda elstica
plasmn onda electrnica colectiva
La teora de vibraciones se inicia en 1900, cuando Planck demostr que la cuanti cacin de la energa poda explicar la distribucin de frecuencias emitidas por un
cuerpo negro. La energa del fotn es = h . La energa de n fotones es = nh .
Omitiremos la energa del punto cero, la cual no tendr efecto en nuestros clculos.
~ tiene,
Lo mismo ocurre con los fonones. Un fonn da un vector de onda K
en lo referente a sus interacciones con otras partculas y campos, una cantidad de
~
movimiento (momentum) hK.
Vimos que la difusin elstica de un fotn por un cristal (Braggs) est gobernada
por:
~k 0
~
G
~
= ~k + G
2 Red Reciproca
(2.1.1)
En trminos de momentum es como si el cristal completo retrocediera con un mo~ Si la difusin del fotn es inelstica, con la creacin(absorcin) de un
mentum ~G.
~ la regla de seleccin nos da:
fonn de vector de onda K,
~k 0 + K
~ = ~k + G
~
(2.1.2)
2.2 Difusin inelstica de fotones de gran longitud de

19
20
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
onda.
Consideremos un fotn de frecuencia = !=2 propagndose en un cristal. Si se
considera el cristal como un contnuo de ndice de refraccin n, el vector de onda del
fotn queda determinado por:
ck
! =
(2.2.1a)
n
c
=
(2.2.1b)
n
con c la velocidad de la luz
La cantidad de movimiento del fotn es:
p~ = ~~k
(2.2.3)
Supongamos que un fotn de este haz interacta con un haz de fonn u onda sonora
del cristal. El fotn puede ser difundido por la onda sonora. La interaccin puede ocurrir
porque el campo de deformacin elstica de la onda sonora cambia la concentracin
local de tomos y, por consiguiente, el ndice de refraccin del cristal. De esta manera,
la onda sonora modula las propiedades pticas del medio. Recprocamente, el campo
elctrico de la onda luminosa modula las propiedades elsticas del medio.
Un fotn puede, en un cristal, crear o absorber un fonn. En este proceso el fotn
ser difundido su vector de onda cambiar de ~k y ~k 0 y su frecuencia de ! a ! 0 . Supong~ y su frecuencia . La cinemtica de la
amos que se crea un fonn de vector de onda K
colisin est dada por:
~! = ~! 0 + ~
(2.2.4)
donde, para simpli car no hemos includo la posibilidad de que la difusin est
asociada a una difraccin de Bragg, haciendo intervenir un vector de la red recproca.
Si la velocidad vs del sonido.
Ahora, un fonn puede transportar slo una pequea parte de la energa del fotn
~ se forma a partir de un fotn ~k; se tiene que
incidente, esto pues vs
c. Si un fonn K
0
para conservar energa y momentum, ! ' ! y k 0 ' k.
2.3
Vibraciones de cristales con una base monoatmica.
21
Como = vs K, los fonones producidos cuando se difunden inelsticamente fotones a una direccin ' de la direccin incidente tendrn la frecuencia
' 2vs
!n
sin
c
1
'
2
(2.2.5)
Ejemplo La frecuencia mxima de los fonones creados por difusin de la luz visible
en el vaco de longitud de onda = 4000A; para vs ~5 105 cm=s y n~1:5 es
=
=
5 105 (2 ) (1:5)
4 10 5
11
2 10 rad=s
2
K
=vs = 4 105 =cm
La difusin de luz visible ha sido utilizada para generar fonones de corta longitud
de onda en el cuarzo y el za ro.
2.3 Vibraciones de cristales con una base monoatmica.

Consideremos las vibraciones elsticas de un cristal con un tomo por celda primitiva.
Deseamos encontrar la frecuencia de una onda elstica en trminos del vector de onda
que describe la onda y en trminos de las constantes elsticas.
La solucin es simple si consideramos las direcciones [100] ; [110] ; [111] en un
cristal cbico. Cuando una onda se propaga a lo largo de una de esas direcciones, planos
enteros de tomos se mueven en fase con desplazamientos paralelos o perpendiculares a
la direccin del vector de onda. Podemos, entonces, describir con una sola coordenada
us ; el desplazamiento del plano de su posicin de equilibrio. El problema se hace
entonces, unidimensional. Para cada vector de onda existen tres modos de polarizacin,
uno de polarizacin longitudinal y dos de polarizacin transversal.
Supondremos que la respuesta del cristal es elstica, y es una funcin lineal de las
fuerzas. Esto es equivalente a la suposicin de que la energa elstica es una funcin
cuadrtica del desplazamiento relativo de dos puntos cualesquiera en el cristal. Los
trminos de orden mayor los despreciamos, pero juegan un rol a altas temperaturas
F = kx; v = kx2 =2 :
Por simplicidad, consideraremos slo interacciones a primeros vecinos, de forma
que:
Fs = c (us+1 us ) + c (us 1 us )
(2.3.1)
Esta expresin es lineal en los desplazamientos y de la forma de la ley de Hooke. Es
importante mirar c como la constante de fuerza entre dos tomos, de forma que Fs sea
la fuerza en un tomo del plano s: c tambin ser diferente para ondas longitudinales o
transversales.
La ecuacin de movimiento del plano es:
M
d2 us
= c (us+1
dt2
us
2us )
(2.3.2)
22
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
con M la masa de un tomo. Buscamos soluciones con todos los desplazamientos que
tengan una dependencia temporal e i!t : Luego:
d2 us
=
dt2
(2.3.3)
!us
con lo cual:
M ! 2 us = c (us+1
Esta ecuacin tiene solucin del tipo:
us+1
us
(2.3.4)
2us )
(2.3.5a)
(2.3.5b)
= u exp (isKa) exp ( iKa)

= us exp ( iKa)
donde us = u exp (isKa) ; a el espaciamiento entre los planos y K el vector de onda.

El valor de a depender de la direccin de K.
Con esta solucin nuestra ecuacin diferencial se transforma en:
! 2 M exp (isKa) = c fexp [i (s + 1) Ka] + exp [i (s
1) Ka]
2 exp (iKsa)g
(2.3.6)
de donde:
! 2 M = c (exp (iKa) + exp ( iKa)
2)
(2.3.7)
usando:
2 cos (Ka) = exp (iKa) + exp ( iKa)
!2
=
=
luego:
!=
2c
[1 cos (Ka)]
M
4c
1
sin2
Ka
M
2
4c
sin
M
1
Ka
2
(2.3.8a)
(2.3.8b)
(2.3.9)
2.3
Vibraciones de cristales con una base monoatmica.
d! 2
=
dK
2ca
M
23
(2.3.10)
sin (Ka) = 0
en K =
=a:
Primera zona de Brillouin:
Cul es el rango de vectores de onda K fsicamente signi cativos?
veamos:
us+1
u exp [i (s + 1) Ka]
=
= exp (iKa)
(2.3.11)
us
u exp (isKa)
El rango + $
para la fase Ka barre todos los valores independientes de la exponencial. No tiene sentido hablar de que dos tomos ests desfasados en ms de .
Luego, el rango de valores independientes de K est dado por:
a
<K
(2.3.12)
y reside en la primera zona de Brillouin.

Podemos tratar un valor de K fuera de estos lmites sustrayendo un nmero entero
de mltiplos de 2 =a, de forma que K 0 quede en estos lmites. Supongamos que K car
fuera de la primera zona de Brillouin, de nimos:
K0 = K
2n
, n entero
a
(2.3.13)
que est en la primera zona de Brillouin.

us+1
= exp (iKa) = exp [i (K 0 + 2n =a) a] = exp (iK 0 a) 1
us
(2.3.14)
Notemos que 2n =a es un vector de la red recproca. Luego, restando un vector apropiado de la red recproca a K, siempre podemos obtener un vector K 0 equivalente en la
primera zona de Brillouin.
En los bordes de la primera zona de Brillouin, Kmax =
=a
us = u exp ( isKa) = u exp ( i a) =
( 1)
(2.3.15)
Esta es una onda estacionaria, tomos alternados oscilan en fases opuestas y las ondas
no se mueven ni a la izquierda ni a la derecha.
24
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
2.4 Velocidad de Grupo

La velocidad de transmisin de un paquete de ondas es la velocidad de grupo dada por:
vg
d!
dK
= rk ! (K)
(2.4.1)
(2.4.2)
Esta es la velocidad con que se propaga la energa en el medio. Con la relacin de

dispersin:
r
4c
1
! =
sin
(2.4.3)
Ka
M
2
r
1=2
1 4c
1
ca2
1
vg =
a cos
Ka =
cos
Ka
(2.4.4)
2 M
2
M
2
Esta es cero en los lmites de la zona, donde K =
=a. Aqu la onda es estacionaria
y, por consiguiente, tiene velocidad de transmisin de energa cero.
2.5 Lmites de onda larga

Si Ka
1, podemos expandir cos
2c
2c
1
2
[1 cos (Ka)] !
(2.5.1a)
1 1 + (Ka)
M
M
2
c
'
K 2 a2
(2.5.1b)
M
El que en este lmite m / K, entonces, vg independiente de K y de !, luego
r
c
!
vs =
=
a
(2.5.2)
K
M
!2
Esto recuerda al sonido que se propaga con velocidad constante, por lo que estas ondas
se llaman acsticas.
2.6 Derivacin de la constante de fuerza

En metales, las fuerzas efectivas pueden ser de largo alcance, llevadas de in a in a
travs de los electrones de conduccin. Si deseamos generalizar la relacin de dispersin tenemos:
2 X
2c
!2 =
[1 cos (Ka)] ! ! 2 =
cp [1 cos (pKa)]
(2.6.1)
M
M p>0
2.7
Dos tomos por celda primitiva
25
Resolvemos para la constante cp multiplicando por cos (pKa), con p0 un estado entero,
e integrando sobre el rango de valores independientes de K:
M
=
=2
dK! 2K cos (p0 Ka) = 2

=2
cp
p>0
2
cp0
a
=2
dK [1
0
cos (pKa)] cos (p
(2.6.2a)
Ka)
=2
(2.6.2b)
luego:
cp0 =
Ma
2
=2
dK! 2K cos (p0 Ka)
(2.6.3)
=2
2.7 Dos tomos por celda primitiva

Si la celda primitiva tiene ms de un tomo, la relacin de dispersin se modi ca. Consideremos, por ejemplo, las estructuras de diamante o del N aCl, con dos tomos por
celda primitiva. Por cada modo de polarizacin, la relacin ! vs K se separa en dos
ramas, conocidas como ptica y acstica. Tenemos ondas longitudinales acsticas y
transversales acsticas y longitudes y transversales pticas.
Si hay p tomos en la celda primitiva habrn 3p ramas en la relacin de dispersin,
3 acsticas y 3p 3 pticas.
La numerologa de las ramas se desprende del nmero de grados de libertad de los
tomos con p tomos en la celda primitiva y N celdas primitivas hay P N tomos que
hacen un total de 3pN grados de libertas del cristal completo. El nmero de valores K
permitidos en una rama son N en cada zona de Brillouin, luego, hay 3p ramas.
Consideremos un cristal cbico con tomos M1 y M2 en planos alternados.
Luego:
d2 us
dt2
d2 vs
M2 2
dt
M1
+ vs
2us )
(2.7.1a)
= c (us + us+1
2vs )
(2.7.1b)
= c (vs
26
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
Buscamos una solucin de una onda viajera de tipo

us
vs
(2.7.2a)
(2.7.2b)
= u exp (isKa) exp ( i!t)

= v exp (isKa) exp ( i!t)
Sustituyendo estas formas en 2.7.1a y 2.7.1b

! 2 M1 u
! 2 M2 v
(2.7.3a)
(2.7.3b)
= cv [1 + exp ( iKa)] 2cu

= cu [1 + exp (iKa)] 2cv
luego
2c M1 ! 2
c [1 + exp (iKa)]
de donde:
c [1 + exp ( iKa)]
2c M2 ! 2
=0
(2.7.4)
M1 M2 ! 4 2c (M1 + M2 ) ! 2 + 2c2 [1 cos (Ka)] = 0

(2.7.5)
Esta ecuacin puede resolverse exactamente, pero es ms simple examinar los casos
lmites Ka
1 y Ka =
. Para valores pequeos de Ka tenemos cos (Ka)
1 21 K 2 a2 + :::Luego:
1
1
+
M1
M2
cK 2 a2
2 (M1 + M2 )
!2
' 2c
rama ptica
(2.7.6a)
!2
rama acstica
(2.7.6b)
Los desplazamientos de las partculas tambin pueden estimarse. En la rama ptica,

en K = 0 se tiene que:
1
1
! 2 ' 2c
+
M1
M2
2.7
Dos tomos por celda primitiva
27
Al usar esto en las ecuaciones para M1 y M2 con las que se escribe el determinante, se
tiene que:
M2
u
=
v
M1
Es decir, los tomos vibran uno opuesto al otro.
Si los tomos llevaran cargas opuestas podramos excitar un modo de este tipo con
el campo elctrico de la luz. Por esto se llama rama ptica.
Otra solucin en K dar u=v complejo.
En el caso ptico, u = v se obtiene en el lmite K = 0. Los tomos se mueven
como en una larga onda acstica, de all el trmino rama acstica.
Ejercicio Considere una red bidimensional cuya constante de red es a. Los tomos
interactan de forma que cuando un tomo en (xn ; yn ) se desplaza a (xn + x; yn )
est sujeto a una fuerza restauradora c1 x; debida a sus vecinos en (xn a; yn ) y
una fuerza restauradora c2 x, debida a sus dos vecinos en (xn ; yn a) : Suponga
c2 < c1 .
Encuentre la relacin de dispersin en el eje x
Encuentre la velocidad del sonido
Solucin
un;m =desplazamiento del tomo en xn ; yn

El desplazamiento del tomo un;m relativo a sus vecinos en el eje x es:
(un;m
un+1;m ) y (un;m
un
(un;m
un;m+1 ) y (un;m
un;m
1;m )
Respecto de y
1)
Con esto:
m
d2 un;m
=
dt2
c1 (2un;m
un+1;m
un
1;m )
c2 (2un;m
un;m+1
un;m
1)
28
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
Si suponemos una solucin del tipo:

un;m = Aei(kx na+ky na) e
i!t
obtendremos:
m! 2
= c1 2 eikx a e ikx a + c2 2 e iky a

= 2c1 [1 cos (kx a)] + 2c2 [1 cos (ky a)]
Por lo tanto:
4c1
sin2
m
!=
kx a
2
4c2
sin2
m
ky a
2
1=2
Para ondas de sonido propagndose en la direccin x, ky = 0 y

!=
~v
= rk ! =
4c1
sin2
m
kx a
2
1=2
@!
@!
e^x +
e^y
@kx
@ky
a
[c1 sin (kx a)] e^x + c2 sin (ky a) e^y
m!
a
1=2
c2 sin2 (kx a) + c22 sin2 (ky a)
~v =
m! 1
=
eiky a
Chapter 3
PROPIEDADES TRMICAS
DE LOS SLIDOS
3.1 Expansin Trmica

Es comn que la mayora de los slidos se expanden cuando se calienten. Si trabajamos
con una barra o alambre, la magnitud de este efecto con una por el coe ciente de
expansin trmica lineal . ste de ne el cambio fraccional en la longitud por cambio
unitario de temperatura.
=
L 1
L0 T
A pesar de que los valores de son muy pequeos, si los extremos de una barra
se mantienen jos, puede producirse una deformacin apreciable del material. Este
efecto debe considerarse en la construccin de puentes, lneas de tren y caminos para
evitar colapsos de las estructuras en das clidos, pero tambin puede usarse en la
construccin de switchs sensibles a la temperatura.
acero
plomo
= 1:1
= 2:9
10
10
K 1
5K 1
Cmo podemos entender a escala atmica el fenmeno de la expansin?

Es claro que un cambio microscpico de dimensin debe estar asociado a un cambio en la distancia interatmica.
Examinemos que ocurre con la energa potencial
29
30
Chapter 3.
PROPIEDADES TRMICAS DE LOS SLIDOS
A T = 0 todos los tomos tienen la menor energa posible, Emin , correspondiente

a la separacin de equilibrio a0 : A temperatura T o , la energa promedio de los tomos
aumenta en kB T , luego la separacin vara entre a0 y a1 . Como la curva de energa
potencial es asimtrica (es ms difcil juntar los tomos que separarlos), encontramos
que el centro de oscilacin est ahora en un valor mayor que a0 . Si el potencial fuese el
de un oscilador armnico no podramos obtener expansin trmica.
3.2 Capacidad Calrica, un acercamiento clsico

Calcularemos ahora el calor espec co, es decir, la cantidad de energa necesaria para
subir la temperatura de un material en 1K. Estar referido a una sustancia que contiene
6:02 10 23 tomos. Esto no necesariamente es un mol. Por ejemplo, en un cristal de
N aCl tendremos NA =2 iones de Sodio y NA =2 iones de Cloro.
C=
@U
@T
(3.2.1)
Con U la energa interna.

Cmo determinamos la energa de vibracin de los iones? De acuerdo al teorema
de equiparticin de energa y asumiendo un oscilador con seis grados de libertad por
in,
U
@T
@T
= NA 3kB T = 3RT
(3.2.2a)
(3.2.2b)
3R
R= constante molar de los gases.

Nuestro modelo clsico sugiere que todos los slidos tienen una capacidad calrica
constante, lo cual se conoce como ley de Dulong-Petit.
Cmo se compara este resultado con los experimentos? A T o ambiente esto es
aproximado. Sin embargo, a 77K existe una mayor discrepancia
3.2
Capacidad Calrica, un acercamiento clsico

MATERIAL
Cobre Cu
Aluminio Al
Oro Au
Plomo P b
Hierro F e
Sodio N a
Silicio Si
Vidrio
Cloruro de Sodio N aCl
Diamante C
77 K JK
12:5
9:1
19:1
23:6
8:1
20:4
5:8
4:0
14:0
0:1
31
273 K JK
24:3
23:8
25:2
26:7
24:8
27:6
21:8
15:0
24:6
5:0
Luego, a bajas temperaturas el modelo no sirve.

Veamos un acercamiento diferente. Calculemos la energa media de un oscilador
armnico simple:
hEi =
Para obtener A usamos
En pn = A
n~!
kB T
exp
hEi =
con x =
n~! exp
P
n exp
n
P
n exp ( nx)
Pn
=
n exp ( nx)
tenemos que
~!
kB T
d
log
dx
(3.2.3)
(3.2.4)
=1
n~!
kB T
(3.2.5)
n~!
kB T
" "
##
X
d
log
exp ( nx)
dx
n
(3.2.6)
" "
##
X
d
~!
log
exp ( nx)
dx
n
exp ( nx) =
con n grande
Ahora
k!
Boltzmann
kB T
pn = 1, luego
hEi =
Usando:
n~
Con esto,
1
exp ( x)
1 exp ( nx)
~
1 exp ( x) 1
(3.2.7)
1
exp ( x)
exp ( x)
1
=
exp ( x)
exp (x)
(3.2.8)
(3.2.9)
32
Chapter 3.
de donde
hEi =
~!
exp (x)
~!
~!
kB T
exp
(3.2.10)
1
hEi =
6 3RT
3.3 Capacidad Calrica, modelo de Einstein

La primera persona en aplicar teora cuntica para determinar el calor espec co de un
slido fue Albert Einstein. A pesar de que esta no es su mayor contribucin, fue citada
en la asignacin de su premio Nobel en 1921.
Como en el acercamiento clsico, Einstein considera los tomos como osciladores
armnicos simples. Para simpli car, los trataremos como unidimensionales. De acuerdo
a la teora cuntica, la energa de un oscilador armnico simple puede tener slo cierto
valores discretos:
1
En = n +
~!; n = 0; 1; 2; :::
2
Ahora, debemos saber cuntos osciladores tienen una energa particular En : A T =
0, esperamos que todos los tomos estn en el nivel ms bajo. Sin embargo, sabemos
que su energa no es cero, sino ~!
2 . La mecnica cuntica nos muestra que los tomos
no estn completamente estacionarios an en cero absoluto. Sin embargo, en orden a
simpli car nuestros clculos, mediremos la energa respecto de ese valor y as, En =
n~!:
A temperaturas mayores que 0K, algunos de los tomos ocuparn niveles de energa
ms altos (con n = 1; 2; 3; :::) De acuerdo a la distribucin de Boltzmann, la probabilidad de que una partcula est en un estado con energa E a temperatura T es proporcional a exp ( E=kB T ), luego, la probabilidad de ocupar un estado de energa En a
temperatura T est dada por:
n~!
kB T
pn = A exp
con
A= P
hEi =
exp
exp
n~!
kB T
~!
~!
kB T
= hni ~!
luego
U = 3NA hEi = 3NA
~!
exp
~!
kB T
3.3
Capacidad Calrica, modelo de Einstein
C = 3R
~!
kB T
33
exp
exp
~!
kB T
~!
kB T
i2
Si gra camos esta funcin vemos que hay un buen acuerdo con los experimentos.
A alta temperatura converge al valor clsido 3R. Esto ocurre pues si kB T es mucho
mayor que la distancia entre niveles, ~!, entonces, la expresin para U ! 3NA kB T:
Se de ne
~!
E =
kB T
A T = 0, la naturaleza discreta es muy evidente. A T

estados no es tan evidente y parece a la distribucin clsica
En general:
r
k
!=
m
con k Y a0 , e Y , el mdulo de Young.
0, la naturaleza de los
34
Chapter 3.
Con esto:
madera :
4 1012 <
5N=m < k < 140N=m : diamante

! < 8 1013 rad=s
tomos pesados y con enlaces dbiles tienen ! bajas, como oro y madera.
3.4 Modelo de Debye

El modelo de Einstein mantiene discrepancias con los experimentos a bajas temperaturas. Si consideramos T < E =10; C
/ es proporcional a T 3 experimentalmente. Pero
el modelo de Debye predice valores que cambian exponencialmente con la temperatura
Cmo mejorar el modelo de Einstein?
Si asumimos que los tomos al vibrar interactan unos con otros, podemos mejorar
nuestro modelo.
Consideremos ondas estacionarias en un cristal unidimensional de longitud L . La
amplitud de cada una de estas ondas est descrita por = sin (kx) y por condiciones
de contorno kx = nx =L y nx un entero. Si extendemos esto a tres dimensiones
encontramos ky y kz :
Para conocer la frecuencia y amplitud de vibracin de cualquier tomo particular,
necesitamos conocer el efecto combinado de estos distintos modos de vibracin, lo
cual es una tarea formidable. Pero afortunadamente, slo necesitamos conocer cuntos
tomos vibran a una frecuencia particular. Esto se obtiene a partir de g (!), lo cual nos
da el nmero de tomos con frecuencias entre ! y ! + d!: Siguiendo un argumento
usual tenemos que:
n
kx = ky = kz =
L
luego
3
k=
2
n2 2
=
k =
+
+ n2z
2
L
L2
nmero de osciladores distintos cuyo n < nmax
2
n2x
n2y
1
8
4
3
3
kmax
3
L3
3
kmax
3
kmax
V
2
6
!3 V
=
6 v3
con V el volumen del cristal y k = !v ; (aproximacin de Debye, ! = vk)
g (!) =
dN
!2 V
=
d!
2 2 v3
3.6
Conductividad Trmica
35
Para tres modos de vibracin, queda como sigue:

U
! max
g (!) E (!) d!
! max
min
! max
hni ~!g (!)
! max corresponde al
~!
kB T
exp
g (!) ~!d!
que tiene sentido en el cristal

Z
U = 3 hni ~!g (!)
Esta integral no se puede resolver analticamente, pero podemos obtener una expresin aproximada a bajas temperaturas. Esto es:
C
/ =
12R
5
T
D
Entonces, a bajas temperaturas se desprende una dependencia con T 3 ,

~! max
kB
Vemos una gran similitud entre esta de nicin y E :
Si hay N celdas primitivas en la muestra, el nmero total de modos de fonones
acsticos es N y la frecuencia de corte ! D se obtiene de
D
V !D
6 2 v3
) ! 3D =
2 3
v N
V
3.5 Capacidad Calrica de los electrones

2
Se encontrar que C
/ e = 2 N kB TTF ; con N = NA V ol. A T ambiente, C
/ e ~0:2Jmol 1 K
frente a la contribucin de los iones. Igualando ambas contribuciones podemos estimar
las temperaturas a la cual la contribucin electrnica es importante.
3.6 Conductividad Trmica

Qu materiales son buenos conductores trmicos? Es sabido que los metales son
buenos conductores de calor. Esto sugiere que existen alguna similaridad entre conduccin elctrica y trmica. De hecho, una relacin emprica escrita en 1853 establece
36
Chapter 3.
que:
K
L=
= 2:45 10 8
T
en que K es la conductividad trmica y L es conocido como el nmero de London.
Sin embargo, existen algunas diferencias fundamentales:
1.
buen conductor = mal conductor
Kbuen conductor =Kmal conductor
= 1024
= 105
2. Algunos materiales, como el diamante, son aisladores elctricos y excelentes conductores trmicos.
Esto sugiere que, adicionalmente, al transporte de electrones, existen otros procesos
que contribuyen a la conductividad trmica. Una probabilidad obvia es que tambin
los iones participen de ella. Veamos lo que ocurre en una cadena lineal de tomos.
Si se calienta un extremo vibrarn ms que los del otro extremo. Como los enlaces
entre los tomos son como resortes, un incremento en las vibraciones de un tomo
necesariamente afecta las vibraciones de los vecinos. De esta forma, la perturbacin
viaja a travs de la cadena.
A diferencia de la conductividad elctrica, que se debe slo a los electrones, la
conductividad trmica involucra dos tipos de contribuciones:
K = Kel + Kph
Kph =
con:
1
nC
3
ph vph
n = nmero de moles por volumen unitario

C = calor espec co molar de los iones
= camino libre medio de los fonones
v = velocidad media de los fonones
Para tener algunas ideas respecto de la velocidad de los fonones, debemos recordar
que el sonido se transmite a travs de vibraciones de los tomos. Luego, podemos
pensar que la velocidad...
Chapter 4
ELECTRONES LIBRES EN
METALES
4.1 Modelo de un electrn libre

"En una teora en la que se han obtenido tales resultados, tiene que haber gran
parte de verdad" H. A. Lorentz
El modelo de electrones libres se aplica esencialmente a los metales y aparece
como un intento de explicar principalmente las propiedades elctricas de los metales.
De acuerdo con este modelo, los electrones mas dbilmente ligados a los tomos respectivos, los de valencia, se mueven libremente por todo el metal y reciben el nombre
de electrones de conduccin.
El primer intento por explicar las propiedades elctricas de un metal se realiz en
1900, tres aos despus del descubrimiento del electrn. La teora es incorrecta, pero
permite introducir algunos conceptos bsicos de gran utilidad.
4.2 Modelo de Drude

Drude asume que un metal est formado por iones estacionarios y electrones de valencia que son libres para moverse. Estos electrones son pequeas esferas que chocan con
los iones.
37
38
Chapter 4.
ELECTRONES LIBRES EN METALES
Diagrama esquemtico de la trayectoria de un

electrn a travs de la red de iones
El movimiento total es aleatorio y no puede existir ningn movimiento neto en algunas direcciones, si no introducimos una diferencia de potencial.
Podemos estimar la velocidad de los electrones a partir de:
1
mv 2
2
v
3
kB T
2
105 m=s (a temperatura ambiente)
A mayor temperatura, mayor velocidad tendr el electrn luego de una colisin.

Podemos de nir el camino libre medio que es la distancia promedio que viaja el
electrn entre colisiones, y el tiempo de colisin , que es el tiempo promedio entre
colisiones
v
=
Dado que
1nm;
10 14 s
Qu ocurre si aplicamos un campo elctrico? Esperamos un ujo de electrones en
la direccin opuesta al campo. Si el campo tiene magnitud ";la fuerza sobre un electrn
ser e". Luego, cada electrn experimentar una aceleracin a = e"=m:
Esta aceleracin produce un cambio en la velocidad del electrn, v ; dada por:
e"
t
m
Si el tiempo entre colisiones es , entonces, la velocidad promedio ser, en la direccin del campo:
e"
v=
m
Esta velocidad de arrastre representa la velocidad promedio de los electrones de
valencia en la direccin del campo. Si utilizamos un campo de 10V =m; v = 0:02m=s
v = at =
v
1
v
107
An al aplicar un campo razonable, la velocidad ganada es muy pequea, debido a
la frecuencia de los choques, lo que hace que la trayectoria sea casi aleatoria, con una
tendencia muy suave a moverse en la direccin opuesta al campo.
Qu hay de correcto en la teora de Drude?
4.2
Modelo de Drude
39
En realidad, slo nos entrega una descripcin cualitativa de la resistencia elctrica.

Podemos suponer que cuando el electrn choca con el in, el exceso de energa que el
electrn gana por el campo elctrico es transferido al in. Esto aumenta las vibraciones
del in y, por consiguiente, aumenta la temperatura del sistema
EKe ! Etermica
Como sabemos, si hacemos pasar una corriente por un metal, este se calienta.
Entonces, la resistencia puede entenderse como una medida de la cantidad de energa
que puede convertirse en calor.
Por otro lado, el modelo de Drude es consistente con la ley de Ohm. De namos la
movilidad , que es una medida de cun fcil se mueve un electrn en la red
v= ")
e
m
Si asumimos que es independiente de " y de la temperatura, entonces, es constante tambin. Esto no es totalmente cierto, pues a mayor temperatura, menor , pero
es vlido en una primera aproximacin.
Consideremos un alambre al cual se le aplica un campo elctrico en la direccin de
su eje. Si eliminamos de nuestro anlisis la velocidad aleatoria de los electrones, que en
promedio es cero, podemos deducir la ley de Ohm.
La carga debida a los electrones que atraviesan el rea A por unidad de tiempo es
J=
I
= ne v
A
con n el nmero de electrones de valencia por unidad de volumen

J = ne "
Si de nimos
= n e;la conductividad, podemos escribir

J
=
=
"
"
40
Chapter 4.
Ahora
I
JA =
"A
"A L
L
V
=
R
) V = IR
=
= n e
ne2
=
m
4.3 Gas de Fermi de electrones libres
"
~2
E
2m
1
2L
~2 d 2 n
=
2m dx2
#
n
4.4
con
Capacidad Calor ca Experimental en Metales
(0) =
41
(L) = 0
n
x ;
L
~2 n 2
=
n
2m L
Supongamos que queremos ubicar N electrones. De acuerdo al principio de exclusin de Pauli, dos electrones no pueden ocupar los mismos orbitales. De esta forma:
N n ms
1 1
"
2 1
#
3 1
"
4 2
#
5 3
"
6 3
#
7 4
"
8 4
#
nF es el nivel ms alto, entonces:
n
= A sin
nF =
=
=
N
2
~2
2m
~2
2m
nF
L
N
2L
4.4 Capacidad Calor ca Experimental en Metales

AT
TD ( D ) y de TF , la capacidad calorifca de los metales a volumen constante,
puede escribirse como la suma de las contribuciones electrnicas y de la red:
C = T + AT 3
donde
y A son constantes caractersticas del material, con

A=
=
=
1
2
kB
TF
12 4 kB
N 3
5
D
N kB
234 3
D
42
Chapter 4.
2
En general, se gra ca C
T = +AT ; que es una recta con pendiente A e interseccin
con el eje C=T = .
A veces estos valores para = libre = 2 N kB = (2 F ) y en la literatura se de ne:
mt
=
m
observado
libre
con mt =masa trmica efectiva F = 12 mvF2

La razn porque estos cuocientes di eren de la unidad se debe a:
1. Interaccin de los electrones de conduccin con el potencial peridico de una red
cristalina rgida
2. Interaccin de los electrones de conduccin con los fonones. El electrn tiende a
distorsionar o polarizar la red que lo rodea. El electrn intenta penetrar entre las
las de iones, aumentando su masa efectiva. En los cristales inicos esto se conoce
como efecto polarnico.
3. Interaccin de los electrones de conduccin con ellos mismos. Un electrn mvil
produce una reaccin de inercia en el gas electrnico que lo envuelve, lo cual aumenta la masa efectiva del electrn. Los efectos de la interaccin electrn-electrn
se describen generalmente dentro del marco de lo que se llama teora de Landau
del lquido de Fermi.
4.5 Conductividad Electrca y Ley de Ohm

El momento de un electrn libre est relacionado con su vector de onda por:
m~v = ~~k
(4.5.1)
~
~
En un campo elctrico E y magntico B, la fuerza sobre un electrn est dada por
d~v
d~k
F~ = m
=~
=
dt
dt
~ + 1 ~v
e E
c
~
B
(4.5.2)
En ausencia de colisiones, la esfera de Fermi en el espacio ~k se desplaza uniforme~ = 0 e integrando 4.5.2

mente cuando se aplica un campo constante. Usando B
Et
(4.5.3)
~
Si aplicamos un campo E en t = 0; al cabo de el centro de la esfera se desplaza
~k (t)
en
~k (0) =
E
k= e
(4.5.4)
~
Debido a las colisiones, la esfera puede mantenerse en estado estacionario.
Si el tiempo que dura una colisin es , el desplazamiento de la esfera en estad
estacionario es
E
(4.5.5)
k= e
~
4.6
Resistividad experimental
43
y el aumento de la velocidad es
E
(4.5.6)
m
~ hay n electrones por unidad de volumen con
Si en un campo elctrico constante E
carga q = e, la intensidad de corriente es
J~ = nq ~v
(4.5.7a)
~v =
= ne2
E
m
(4.5.7b)
Esta es la ley de Ohm

J
(4.5.8)
e2
=n
m
(4.5.9)
= 1=
(4.5.10)
La expresin para es evidente pues la carga transportada debe ser proporcional a
la densidad de carga ne, e=m viene de la aceleracin que produce un campo E y es el
tiempo en el cual acta E
= vF
en cobre, vF = 1:58 108 cm=s2 , = 2 10 9 s; entonces
(300K) = 3 10
(4K) = 0:3cm
cm
En metales muy puros a temperatura del helio lquido

10cm
4.6 Resistividad experimental

= L+ i
L: lattice
i : impurezas
Si la concentracin de impurezas es pequea, i es independiente de la temperatura
(Regla de Mathiessen)
La resistividad residual es el valor que se obtiene extrapolando a 0K y es equivalente
a i y vara de una muestra a otra.
(T = 300K)
(T = Hel{quido )
= relacin de resistividad
' 106
2
44
Chapter 4.
En metales normales, contribucin de fonones a

uras, en las cuales L / T 5
/ T . Excepto a bajas temperat-
4.7 Conductividad trmica de los metales

Kel
1
Cv
/
3
1
C
/ ev
3
2
2
T
nkB
vF
3 mvF2
=
=
=
=
pues
2
T
nkB
3m
= vF
4.8 Ley de Wiedermann-Franz

A temperaturas no muy bajas, la relacin entre la conductividad trmica y elctrica de
los metales es directamente proporcional a T , e independiente del metal
K
2 2
kB T n =3m
ne2 =m
kB
e
L: nmero de Lorentz
L =
K
T
2
=
=
Esto falla si
6=
ph ,
kB
e
3
2:45
10
W =K 2
lo que ocurre a muy bajas temperaturas.
4.9 Movimiento en campos magnticos

Vimos que
k=
F
dt
~
(4.9.1)
4.9
Movimiento en campos magnticos
k (t)
45
k (0) = k =
Et
t
=F
~
~
(4.9.2)
d
k =F
(4.9.3)
dt
pero si deseamos incluir colisiones debemos agregar un trmino de "roce" dado por
~
d
1
+
dt
(4.9.4)
k=K
d
es la aceleracin de la partcula libre y 1 es el efecto de las colisiones, "roce".
en que dt
La fuerza se gasta en acelerar la partcula y en el roce. Consideremos ahora la
partcula en un campo magntico uniforme B. La fuerza de Lorentz sobre un electrn
es:
1
~
F = e E + ~v B
(4.9.5)
c
Si m v = ~ k, la ecuacin de movimiento es:
d
1
+
dt
v=
e E+
1
v
c
(4.9.6)
v en el trmino de fuerza corresponde al valor medio de v sobre la esfera de Fermi.

Consideremos primero el movimiento libre de un sistema, siendo B paralelo al eje
z. Vamos a hacer E = 0 y ! 1; entonces
d
vz
dt
d
m
vy
dt
m
=
=
B
vy
c
B
e
vz
c
e
(4.9.7)
(4.9.8)
que tienen solucin:

vz
vy
= v0 cos (! c t)
= v0 sin (! c t)
(4.9.9)
(4.9.10)
eB
donde ! c = mc
2:8 10 4 B (T esla) 2
Para un electrn libre en un campo de 100KGauss tenemos que ! c = 1:76
1011 rad=s.
Si los tiempos de relajacin del cobre son 2 10 14 s y 2 10 9 a 300K y 4K,
respectivamente, entonces, ! c = 3:5 10 5 y 3:5 102 . Esta distancia es muy pequea a temperatura ambiente, pero a temperaturas del helio lquido se recorren muchos
ciclos.
46
Chapter 4.
Un caso importante es cuando existe un campo magntico esttico B en la direccin

del eje z y E 6= 0: En este caso:
d
1
B
+
vx =
e Ex +
vy
(4.9.11)
dt
c
d
1
B
m
+
vy =
e Ex +
vx
(4.9.12)
dt
c
d
1
m
+
vz =
eEz
(4.9.13)
dt
En estado estacionario y en un campo elctrico esttico las derivadas respecto al
tiempo son cero, por lo que las ecuaciones se reducen a:
m
vx
vy
vz
m
m
m
!c
vy
(4.9.14)
Ey + ! c
vx
(4.9.15)
Ex
(4.9.16)
Ez
Resolviendo para vx y vy tenemos:

e =m
! c Ey )
(4.9.17)
2 (Ey + ! c Ex )
1 + (! c )
La densidad de corriente de electrones viene dada por
(4.9.18)
vx
vy
1 + (! c )
e =m
(Ex
J~ = n ( e) ~v
(4.9.19)
Luego, podemos escribir:

Jx
Jy
xx Ex
=
=
Jz
=
=
(4.9.20a)
xy Ey
2
1 + (! c )
yz Ex +
! c Ey )
yy Ey
0
2
1 + (! c )
zz Ez
0 Ez
(Ex
(Ey + ! c Ex )
(4.9.20b)
(4.9.21a)
(4.9.21b)
(4.9.22a)
(4.9.22b)
en que 0 = nem
0
1
2
1
Jx
0
@ Jy A =
4 !c
2
1 + (! c )
Jz
0
!c
1
0
30
1
0
Ex
5 @ Ey A
0
2
Ez
1 + (! c )
(4.9.23)
4.10
Efecto Hall
47
4.10 Efecto Hall

Consideremos una lmina
En estado estacionario: Jy = 0, entonces

Ey
(4.10.1a)
! c Ex
eB
Ex
mc
(4.10.1b)
Esta ltima expresin se conoce como el campo de Hall
RH
=
=
=
Ey
: constante de Hall
Jx B
eB Ex
=Jx B
mc
e Ex
mJx
Para evaluar, usamos 4.10.1a en 4.9.20b

Jx
=
=
=
=
0
2
1 + (! c )
0
(Ex
h
1 + (! c )
h
0 Ex
2
1 + (! c )
0 Ex
!c
( ! c Ex ))
2
Ex + (! c ) Ex
2
1 + (! c )
(4.10.2a)
(4.10.2b)
(4.10.2c)
48
Chapter 4.
de 4.5.9 tenemos el valor de
0;
entonces
ne2
Ex
m
e Ex
= ne
m
e Ex
1 = ne
mJx
1 = ne RH
Jx
RH =
1
ne
Ejemplo
Considere un metal en un campo elctrico uniforme E. Un electrn experimenta una colisin y luego de un tiempo t una segunda colisin. Encuentre la
energa perdida en la segunda colisin. Si la probabilidad de una colisin en t es
P (t) = exp ( t= ) = ; donde es el tiempo de relajacin, encuentre la energa
Solucin
ma = eE ) a = eE=m
eEt
) v=
m
1
) Ec = mv 2
2
2
(eEt)
=
2m
La energa media est dada por:
Z 1
hEc i =
Ec P (t) dt
0
(eE)
2m
t2 exp
dt
(eE )
m
La energa media total perdida por centimetro cbico por segundo est dado por:
=
hPc i
V
=
=
=
N
hEc i
V
ne2
E2
m
2
0E
4.11
Bandas de Energa
49
Ejercicio
Potencial Qumico
de fermiones est dada por:
La funcin de distribucin P (E) para un gas
P (E) =
exp
1
(E
(T ))
kB T
= f (E)
+1
Para bajar T se puede mostrar que (T ) di ere muy poco de EF

R1
a) Muestre que n = 1 dED (E) f (E)
2
n = n0 + (
EF ) D (EF ) +
(kB T ) D0 (EF )
6
R EF
con n0 = 1
D (E) dE
b) Suponga n constante e igual a n0 . Calcule el potencial qumico

RE
2
2
c) Muestre que = 0 + 6 (kB T ) D (EF ) ; con 0 = 0 F D (E) dE la energa
Utilizando
Z 1
H (E) f (E) dE
H (E) dE +
1
7
360
(kB T ) H 0 ( ) +
(kB T ) H 000 ( ) + :::

2
D (E) dE +
1
(kB T ) D0 ( )
7 4
4
+
(kB T ) D000 ( ) + :::
360
Z EF
Z
=
D (E) dE +
D (E) dE
1
EF
4.11 Bandas de Energa

El modelo de electrones libres nos da claridad respecto de ciertas propiedades como
calor espec co, conductividad trmica, elctrica y algunas propiedades magnticas.
Sin embargo, falla en dar respuesta a preguntas como:
Diferencias entre metales, semiconductores y aisladores
Propiedades de transporte
Debemos entonces ir ms all y salir de la aproximacin de electrones libres
50
Chapter 4.
Recordemos algunos puntos que gobiernan los niveles de energ de un tomo aslado
1. Las propiedades de un electrn en un tomo estn gobernadas por cuatro parmetros o nmeros cunticos: n; l; ml y ms : n es el nmero principal, l toma valores
entre 0 y n 1, ml toma valores entre l y l, ms puede ser 1=2
2. El electrn ocupa niveles discretos de energa indicados por n y l, pues la energa
no depende de ml o ms
l=0! s
1
p
2
d
3
f
Si consideramos el sodio, con 11 electrones, entonces, tenemos 2 electrones en el
nivel 1s y 2 en el 2s, 6 en el nivel 2p y uno en el nivel 3s.
Pero en un slido el tomo no est aslado qu ocurre entonces? Si lo tomos
estn muy lejanos se comportan como tomos aslados. Si los acercamos comienzan a
interactuar los electrones ms externos y esto afecta su energa. Si gra camos la energa
en funcin de la separacin entre los tomos obtenemos lo siguiente:
En la posicin de equilibrio hay dos estados posibles, uno con energa mayor y otro
con energa menor que la del nivel 3s. Estos estados ya no pertenecen a un tomo
espec co, sino al par de tomos considerado. No signi ca que el electrn 3s asociado
a un tomo tiene mayor energa que el asociado a otro, pues los nuevos niveles aparecen
slo por la interaccin. Ambos electrones, si tuviesen diferente spin podran ocupar el
mismo estado de menor energa. Si ahora acercamos N tomos de sodio, tendremos N
niveles.
4.12
Modelo de electrones casi libres
51
En un cristal macroscpico, N 1024 y los niveles barren un rango de unos pocos

eV . Luego, efectivamente, tenemos una banda contnua. Lo mismo ocurre en los niveles
1s, 2s, 2p, pero como las interacciones son ms dbiles, las bandas asociadas son ms.
A pesar de que los estados estn tan juntos, que podemos tratarlos como una banda
debemos pensar en niveles discretos al estudiar la ocupacin. Debemos intentar ahora
una descripcin ms rigurosa.
4.12 Modelo de electrones casi libres

En el modelo de electrones libres, Ek = ~2 k 2 = (2m) ; kx = 0; 2 =L; :::
Las funciones de onda son ondas del tipo k = exp i~k ~r y llevan un momentum
p~ = ~~k; pero qu ocurre realmente en un cristal? Sabemos que la re exin de Braggs
es caracterstica de la propagacin de una onda en un cristal. Esto introduce un gap, es
decir, valores de ~k para los cuales una onda no puede propagarse y se re eja. Estos gaps
son los que determinan si un slido es aislador o conductor.
~ ~ =2 ,
Veamos que ocurre en una dimensin. Sabemos que una onda se re eja si G
~
~
con G el vector k y un vector de la red directa
~k
~k 0
k 02
=
=
=
~
G
~k + G
~
~
k 2 + G2 + 2~k G
~ 2 red recproca, pero k 02 = k 2 )

con G
~ + G2
2~k G
~k
0
1~
G
2
Para valores de ~k iguales a 1=2 vectores de la red recproca, se produce re exin.
52
Chapter 4.
~ = 2 =a, luego, en k =
En una dimensin G
=2 no hay soluciones de ondas viajeras.
La solucin ser la suma de una onda propagndose en cada direccin
Lo mismo ocurre para otros vectores de la red recproca k = n =a, con n un

entero. En el primer caso, tenemos los bordes de la Primera Zona de Brillouin.
Las funciones de onda sern entonces, ondas estacionarias, es decir, son independientes del tiempo y no transportan carga
Las ondas estacionarias se pueden formar como:
(+) = exp (i x=a) + exp ( i x=a) = 2 cos ( x=a)

( ) = exp (i x=a) exp ( i x=a) = 2 sin ( x=a)
Estas dos acumulan electrones en distintas regiones del espacio x, luego tienen distintos valores de energa potencial asociados. Este es el motivo del gap, una solucin
tiene ms energa que la otra.
2
Como P = j j , para una onda viajera la partcula libre una probabilidad constante
de estar en cualquier parte, pero para
(+) =
( )
cos2 ( x=a)
sin2 ( x=a)
j (+)j
= j ( )j
La funcin (+) acumula electrones en x = 0; a; 2a; etc, es decir, sobre los iones
positivos, donde el potencial es muy fuerte. ( ) acumula electrones entre dos iones.
4.13
Magnitud del Gap de Energa
53
Luego (+) tiene una energa menor que

La energa del gap est dada por
Eg = E ( (+))
( )
E ( ( ))
4.13 Magnitud del Gap de Energa

Normalizemos las funciones de onda en un intervalo de largo L = 1
(+) =
2 cos
( )
2 sin
x
a
x
a
Supongamos U (x) = U0 cos 2 ax ; pues U (x) = U0 en las porciones de la red,

vale decir, sobre los iones y cero entre medio.
54
Chapter 4.
La diferencia de energa entre las dos ondas estacionarias est dada por:
Eg
dxU0
+ (x)
dxU0 cos
2 x
a
= U0
(x)
h
cos2
x
a
sin2
x i
a
Vemos que la energa del gap es igual a la componente de Fourier del potencial
cristalino.
4.14 Funciones de Bloch

Bloch postul que las funciones de onda solucin de la ecuacin de Schrdinger en un
potencial perodico son de la forma
k
(~r) =
(~r) exp i~k ~r
(4.14.1)
donde k (~r) tiene la periodicidad de la red, es decir, k (~r) = k ~r + T~

Esto se conoce como teorema de Bloch y una funcin de este tipo se llama funcin
de Bloch y es vlida en todo el cristal
4.14.1 Demostracin
Esta demostracin es vlida slo si k es no degenerada, es decir, no existe otra funcin
de onda con el mismo ~k y energa, excepto k . Consideremos N puntos idnticos en
un anillo de largo N a. Su energa potencial es peridica en a, con U (x) = U (x + sa)
y s = 0; 1; :::; N 1:
Debido a la simetra del anillo buscamos soluciones que deben satisfacer:
(4.14.1.1)
(x + a) = c (x)
con c una constante o fase.
Dando una vuelta al crculo
(x + N a) =
(x) = cN (x)
(4.14.1.2)
de donde
cN = 1 )
c = exp (i2 s=N ) ; s = 0; 1; :::; N
(4.14.1.3a)
(4.14.1.3b)
si escribimos
(x) =
(x) exp [i (2 sx=N a)]
(4.14.1.4)
4.15
Modelo de Krnig-Penney
(x) satisface 4.14.1.1 si
55
(x) es perodica en a; es decir:

k
con k =
2 s
Na ,
(x + a) =
(4.14.1.5)
(x)
se obtiene el resultado de Bloch.
4.15 Modelo de Krnig-Penney

Consideremos un potencial del tipo de la gura
En la regin 0 < x < a; U = 0 y
En la regin
= A exp (iKx) + B exp ( iKx)

(4.15.1a)
~2 K 2
=
(4.15.1b)
2m
b < x < 0, dentro de la barrera, la solucin es de la forma
= C exp (Qx) + D exp ( Qx) ; con

~2 Q2
U0
=
2m
Deseamos que la solucin completa sea del tipo de Bloch, luego
(a < x < a + b) =
( b < x < 0) exp [ik (a + b)]
(4.15.2a)
(4.15.2b)
(4.15.3)
ver 4.14.1.5
Las constantes A; B; C; D se eligen para satisfacer ecuaciones de continuidad usual
de la funcin de onda y su derivada en las interfases.
En x = 0,
A+B = C +D
iK (A B) = Q (C D)
En x = a; usando 4.15.3
AeiKa + Be
iK AeiKa
Be
iKa
iKa
= Ce
Qa
= Q Ce
+ DeQa = Ce
Qb
Qb
+ DeQb eik(a+b)
DeQb eik(a+b)
56
Chapter 4.
Estas cuatro ecuaciones slo tienen una solucin si el determinante de los coe cientes de A; B; C; D se anula, es decir, si:
Q2 K 2
sinh (Qb) sin (Ka) + cosh (Qa) cos (Ka) = cos [k (a + b)]
2KQ
El resultado se simpli ca si representamos el potencial por una funcin delta peridica obtenida al pasar al lmite b = 0 y U0 = 1; de forma que Q2 ba=2 = P , se
mantiene nito.
En el lmite Q
KyQ
1, nuestra ecuacin se reduce considerando que:
cosh (Qb)
sinh (Qb)
1
Qb
Q2
Qb sin (Ka) + cos (Ka)
2KQ
Q2
sin (Ka) + cos (Ka)
2Ka
cos (ka)
cos (ka)
P
sin (Ka) + cos (Ka) = cos (ka)
Ka
Esta relacin nos permite obtener K (E) vs k
Sea a = 1; P = 0:5; se pueden dibujar las bandas
si
Q2 ba
2
= P
Qb =
2P
2P
= q
Qa
a 2m
~2 (U0
2P
q
a 2m
~2 U0
4.16 Ecuacin de onda para un electrn en un potencial

peridico
Sea U (x) la energa de un electrn en una red lineal de constante a. Sabemos que
U (x) = U (x + a) una funcin invariante ante traslaciones del cristal puede expandirse
como una serie de Fourier en el espacio recproco de vectores G:
X
U (x) =
UG exp (iGx)
(4.16.1)
G
4.16
Ecuacin de onda para un electrn en un potencial peridico
57
Como U (x) debe ser real:

U (x)
UG eiGx + e
iGx
UG cos (Gx)
G>0
Hemos asumido que el cristal es simtrico en x = 0 y que U0 = 0:

La ecuacin de Schrdinger puede escribirse como:
#
"
1 2
1 2 X
iGx
(x)
p + U (x)
(x) =
p +
UG e
2m
2m
(4.16.2a)
(x)
(4.16.2b)
Esta ecuacin est escrita en la aproximacin de un electrn, en la cual el orbital

(x) describe el movimiento de un electrn en el potencial de los iones y el promedio
de los otros electrones de conduccin.
(x) puede expresarse como una serie de Fourier sobre los vectores de onda permitidos por las condiciones de borde
(x) =
X
k
ck eikx ; con k 2 R
(4.16.3)
El set de k 0 s son de la forma 2 n=L, pues satisfacen condiciones de borde peridicas

en L. No todos los vectores del set k entran en la expansin de Fourier de cualquier
funcin de Bloch. Si un k est contenido en la expansin, todos los otros que entran en
la expansin son del tipo k + G, con G un vector de la red recproca.
~ es 2 = 20 (2 =L) ; con L = 20a

El menor G
a
Podemos indicar una funcin de onda que contiene una componente k como
k+G .
Ahora:
1 2
p (x)
2m
=
=
=
1
d
i~
(x)
2m
dx
~2 d 2
2m dx2
2 X
~
k 2 ck eikx
2m
k
(4.16.4a)
(4.16.4b)
(4.16.4c)
58
Chapter 4.
La energa potencial est dada por:

!
X
XX
iGx
UG e
(x) =
UG eiGx ck eikx
G
(4.16.5)
La ecuacin de onda queda entonces como:
X ~2
XX
X
k 2 ck eikx +
UG ck ei(k+G)x =
ck eikx
2m
G
(4.16.6)
Cada componente de Fourier debe tener el mismo coe ciente en cada lado, luego
X
UG ck G = 0
(4.16.7)
( k
) ck +
G
con
~2 k 2
=
(4.16.8)
2m
La ecuacin 4.16.7 se conoce como ecuacin central y representa un conjunto de
ecuaciones lineales simltaneas que conectan los coe cientes ck G
(Recordar que los k son de la forma 2n =L y los G son de la forma 2n =a)
k
Exercise 1 Modelo de Krnig-Penney

U (x)
UG cos (Gx)
G>0
= Aa
(x
sa)
con A una constante y a el espaciamiento de la red. Si pensamos en un anillo con

1=a tomos, de largo unitario, la suma corre para s entre 0 y 1=a.
Los coe cientes de Fourier del potencial son:
Z 1
UG =
dxU (x) cos (Gx)
0
= Aa
=
XZ
s
dx (x
sa) cos (Gx)
Aa cos (Gsa)
= A
Con esto, la ecuacin central se transforma en:

X
( k
) ck + A
ck
G
2n
a
=0
(4.16.9)
4.16
Ecuacin de onda para un electrn en un potencial peridico
De nimos
fk =
ck
2n
a
luego, 4.16.9 queda:

(
59
) ck + Afk
ck
ck
0
Afk
(
Afk
~2 k2
2m
2mAfk
2m
2mAfk =~2
=
k 2 2m =~2
Como 4.16.9 es sobre todos los coe cientes c, se tiene que para cualquier n
=
fk = fk
con esto
ck
2n =a
~2 k 2
2n =a
2mA=~2 fk
(k 2n =a)
Sumando sobre n a ambos lados se tiene:
"
X
2
fk =
2mA=~ fk
k
~2
2mA
X
n
de namos:
"
2n
a
k0 = k
reemplazamos en 4.16.10b, nos deja:
usando cot (x) =
1
n n +x
X
~2
=
k 02
2mA
n
i
(2m =~2 )
2n
a
#
(2m )
~2
(4.16.10a)
(4.16.10b)
2n
a
(2m )
~2
(2m )
~2
~2
a2 sin (Ka)
=
2mA
4Ka (Ka)
con K 2 = 2m =~2
mAa2
sin (Ka) + cos (Ka) = cos (ka)
2~2 Ka
60
Chapter 4.
que coincide con el resultado previo con

mAa2
2~2
P =
4.17 Segunda demostracin del teorema de Bloch

Volvamos a la ecuacin central:
(
) ck +
UG ck
=0
Una vez determinados los ck , la funcin de onda estar dada por:

X
ck G exp [i (k G) x]
k (x) =
G
la cual puede ser arreglada como:
(x)
ck
exp ( iGx) exp (ikx)
exp (ikx)
(x)
con k (x) = G ck G exp ( iGx)

como (x) es una serie de Fourier sobre los vectores de la red recproca, es invariante ante traslaciones T de la red, de forma que
k
(x + T )
(x) =
(x + T )
exp ( iGT )
ck
exp [ iG (x + T )]
X
exp ( iGT )
ck G exp ( iGx)
G
(x)
(x)
como exp ( iGT ) = 1, entonces

k
(x + T ) =
Esta es una demostracin exacta del teorema de Bloch y es vlida independiente de

la regin de k :
Cul es el signi cado del vector de onda ~k usado para distinguir las funciones de
Bloch?
Tiene varios signi cados:
4.17
Segunda demostracin del teorema de Bloch
61
1. Bajo una traslacin en la red cristalina tenemos que:

k
(r + T )
= exp i~k T~ exp i~k ~r

= exp i~k ~r
~r + T~
(~r)
Luego exp i~k ~r es el factor de fase por el cual se multiplica la funcin de Bloch
cuando realizamos una traslacin en la red en T~
Tambin podemos decir que exp i~k T~ es el autovalor de una operacin de
traslacin cristalina y k es el autovector. Es decir,
T
(x)
=
=
(x + T )
exp i~k T~
(x)
Luego k es un ndice adecuado para los autovalores

2. Si el potencial de la red se anula, la ecuacin central se transforma en:
(
) ck
0
~2 k 2
2m
exp i~k ~r
y tenemos el caso de un electrn libre.

Escribamos la ecuacin central como
P
UG ck G
ck = G ~2 k2
G
2m
Esto nos muestra que los ck son grandes slo si la energa de la componente plana
es parecida a la energa perturbada. Si ck es grande y existe otro ck G cuya onda plana
tiene casi la misma energa, es decir:
2
~2 (k G0 )
2m
tambin ser grande pues
P
G UG ck
ck G0 =
~2
2m (k
ck
Entonces ck
G0
G0
~2 k 2
2m
G G0
0 2
G)
La condicin para entremezclar las dos componentes es:

(k
G0 ) = k 2
62
Chapter 4.
(Esto es para un k particular)

Solucin aproximada cerca de un lmite de zona.
Consideremos primero k = 12 G1 = a . All:
k2
1
G1
2
1
G1
2
Luego, en la frontera de la zona, las energas cinticas de las dos ondas componentes:
2
(k
G1 )
eikx y ei(k
2
G1 )x
1
G1
2
~ 2
~
k )
2m
2m
son iguales
~2
(k
2m
G1 )
en k = =a
Luego, si c 21 G1 es un coe ciente importante de la funcin de onda, tambin lo es
1
c
2 G1 :
En ese punto, si usamos U = 2U1 cos (G1 x) = U1 eiG1 x + e iG1 x
(
) ck +
UG ck
U1
U1
=
2
(
(
=0)
) c(G=2) + U1 c G1 =2 = 0
) c( G=2) + U1 cG1 =2 = 0
0
~2
2m
= U12 ) =
G1
2
U1
Luego el potencial ha creado en la frontera una banda prohibida de ancho de 2U1

Tambin, como ( 1
) cG1=2 + U1 c G1=2 = 0
c G1=2
=
cG1=2
U1
Luego:
(x) = eiG1=2 x + e
iG1=2 x
e
2 (x) = e
1
iG1=2 x
iG1=2 x
Qu ocurre cerca de la frontera?

Partiendo de la ecuacin central y asumiendo que slo se mezclan estas componentes
(
(
k G1
) ck + U1 ck G1 = 0
) ck G + U1 ck = 0
k
U1
U1
k G1
)
=
4.17
Segunda demostracin del teorema de Bloch

1=2
1
1
( k G + k)
[
2
4
Cada solucin da origen a una banda
Sea
= 12 G1
63
k G1
2
k ] + U1
k ) k = G1 =2
k
(+) =
(+) + :::
4.17.1 Problemas:
Considere un electrn en un cristal unidimensional. Encuentre el determinante de compatibilidad si V (x) = 3 2 cos (2x) y la periodicidad es a =
Solucin
El problema no perturbado es no degenerado y no tengo un k particular. Con esto,
veamos la ecuacin central:
X
( k
) ck +
UG ck G = 0
G
G1
2
2
=
=2
a
3
eiG1 x + e
) ck + 1ck 2 1ck+2 3ck

3) ck + ck 2 ck+2
k
( k 2
3) ck 2 + ck 4 ck
( k+2
3) ck+2 + ck ck+4
( k+4
3) ck+4 + ck+2 ck+6
( k 4
3) ck 4 + ck 6 ck 2
k
=
=
=
=
=
=
iG1 x
0
0
0
0
0
0
3
1
0
0
0
1
3
1
0
0
k 2
0
1
3
1
0
=0
k
0
0
1
3
1
k+2
0
0
0
1
3
k+4
Mediante aproximaciones sucesivas uno puede obtener cada vez mejores valores
para la energa
k 4
64
Chapter 4.
4.17.2 Problema
Considere una red cuadrada en dos dimensiones
2
2
x cos
y
a
a
Aplique la ecuacin central para encontrar aproximadamente el gap de energa en
un punto de la esquina de la zona de Brillouin ( =a; =a)
Solucin
Apliquemos la ecuacin central:
X
( k
) ck +
UG ck G = 0
U (x; y) =
4U cos
con UG dado como en el enunciado, entonces, veremos que los G estn dados como:
2n
y^
a
2n
x
^;
a
G=
Sea
U (x; y)
~1
G
~2
G
~3
G
~4
G
=
=
2
(1; 1)
a
2
(1; 1)
a
~1
G
~2
G
e2 iy=a + e 2 iy=a
e2 ix=a + e 2 ix=a
4U
2
2
h
2 i(x+y)=a
2 i(x+y)=a
2 i(x y)=a
U e
+e
+e
+e
h
i
~
~
~
~
U eiG1 ~r + e iG1 ~r + eiG2 ~r + e iG2 ~r
=
=
=
2 i(x y)=a
Luego, hay cuatro coe cientes distintos de cero y la ecuacin central se transforma
en:
(
(k
) ck
U fck
G1
+ ck+G1 + ck
G1 )
;
a a
(k + G1 )
;
+
a a
(k + G2 )
;
+
a a
(k
;
a a
G2 )
2
a
2
a
2
a
2
a
G2
+ ck+G2 g = 0
2
=
;
a
a
a
2
3 3
;
=
;
a
a a
2
3
;
=
;
a
a
a
2
3
;
=
;
a
a a
;
4.18
Nmero de orbitales en una banda
65
Luego, si ck es grande, tambin lo ser ck

(
(
si
k G1 ,
) ck U ck G
) ck G1 U ck
k G1
= 0
= 0
tendremos:
U
U
(
=0
U2
=
=
0
k
Entonces:
k
= ck
=
k + ck G k G
~ ~
~
ck eik ~r + ck G ei(k G1 ) ~r
Puntos:
(000)
K
L
W (2 =a)
X
4.18 Nmero de orbitales en una banda

Consideremos un cristal formado por celdas primitivas de constante a. Para contar
estados, aplicamos condiciones peridicas a las funciones de onda sobre toda la longitud
del cristal. Los k permitidos en la primera zona de Brillouin:
2
4
N
;
; :::;
L
L
L
N
N
k =
=
=
L
NL
L
En que el trmino N =L corresponde a la frontera de la zona. El punto N =L no
lo consideramos pues est relacionado con =a con un vector de la red recproca igual
a 2 =a. El nmero de puntos es exactamente N , el nmero de celdas primitivas, es
decir, cada celda contribuye con un valor independiente de k a la banda de energa, considerando 2N orbitales por banda (debido al spin). Si en cada celda primitiva hay un
slo tomo con valencia uno, la miad de la banda puede ocuparse con electrones. Si
k
0;
66
Chapter 4.
cada tomo contribuye con dos electrones de valencia, la banda puede ocuparse totalmente. Tambin puede ocuparse la banda si en cada celda primitiva hay dos tomos con
valencia uno.
Si los electrones de valencia ocupan una o ms bandas, dejando otras vacias, el
cristal ser un aslados. Como existe un gap, no hay forma continua de hacer variar el
momento total de los electrones.
Un cristal puede ser un aislador slo si el nmero de electrones de valencia en su

celda primitiva es par. Si un cristal tiene un nmero impar.
4.19 Construccin de super cies de Fermi

En los metales es muy importante conocer la super cie de Fermi, que es la super cie
de energa constante EF : La super cie separa los orbitales llenos de los que no lo estn
4.19
Construccin de super cies de Fermi
G1
G2
G3
67
2 ^
2 ^
kx ;
ky
a
a
2 ^
2 ^
kx ;
ky
a
a
2 ^ 4 ^ 2
kx ;
kx ;
(kx + ky )
a
a
a
El rea total de la super cie de Fermi de electrones libres depende slo de la concentracin de electrones, por ejemplo, cul es la concentracin de electrones en una red
2D cuya super cie de Fermi est dentro de la primera zona de Brilliouin.
L =
N
3
2
2
2
)D=
) Area =
= 2
a
a
a
a
3
A
L2
L2
=2 2 2 2 =
= N2
k
a 2
2a2
2
2
L
2
68
Chapter 4.
En 3D:
L =
N
Ne
2
4
= D ) V ol =
a
3 a
3 3
V ol
4 4
2
= 3 :
=
k
3a
L3
6
L2
2
= Nc
2a2
2
4.19
Construccin de super cies de Fermi
69
Cmo se pasa de una super cie para electrones libres a las de electrones casi libres?
a La aparicin del electrn con el potencial peridico del cristal genera la aparicin de
bandas prohibidas en los lmites de zona.
b La mayor parte de las super cies de Fermi cortan perpendicularmente a los lmites
de la zona.
70
Chapter 4.
c El potencial del cristal redondea las esquinas a ladas de las super cies de Fermi.
d El volumen total encerrado por la super cie de Fermi slo depende de la concentracin electrnica.
Supongamos que la red tiene dos electrones de conduccin por sitio de la red. El
nmero de estados ~k en la zona de Brillouin es igual al nmero de puntos de la red.
Como ~k acomoda dos electrones
V ol
4
a
kF2 =
2
p
= 1:128
a
a
nmero de electrones por celda si celda es cbica simple y kF queda dentro
kF
Aesf era =
esfera acomoda 2 (A= k) electrones

3
2
L
a2
N
=
=
=
L2
2a2
N
2
1:57
4.20
Electrones fuertemente ligados
71
4.20 Electrones fuertemente ligados

El gas de electrones libres es un modelo conceptual para el estudio de los slidos. Pero
podemos pensar que los tomos estn hechos de tomos, luego su comportamiento debiera ser similar a un tomo. Entonces su descripcin debiera vincularse con las funciones atmicas. Esto se conoce como mtodo de...
Estos dos puntos de vista no son contradictorios y se funden utilizando las funciones
de Wanmer que son un conjunto ortonormal de funciones de onda que se pueden construir a partir de funciones de Bloch y que estn localizadas en sitios atmicos.
Al desarrollar la aproximacin de tight binding, suponemos que en la vecendidad de
cada punto de la red Htotal puede aprozimarse por Hat , de un tomo solo. Pensamos
tambin que los niveles de este Hat estn bien localizados, i. e., si n es un nivel ligado
de Hat de un tomo en el origen
Hat
= En
(4.20.1)
Entonces, n (r) ser pequea si r excede una constante de red, la cual llamaremos
el rango de n .
Para calcular correcciones al caso extremo (Hconst = Hat si r rango).
H = Hat +
(4.20.2)
U (r)
Si (r) satisface Hat n = En n ; tambin satisface 4.20.2, si U (r) = 0 cuando

(r)
no.
n
Si este es el caso, n (r) dar N niveles en el potencial peridico con funciones
R) para cada uno de los N sitios R de la red.
n (r
Como debemos preservar una descripcin de Bloch:
n
(r + R) = exp [ik R (r)]
~
Sea nk (r) = R exp i~k R
n (r
zona de Brillouin. Satisface Bloch:
h
i
X
0
~k R
~
(r
+
R)
=
exp
i
nk
R0
exp (ik R)
"
(r + R
exp [ik (R0
2
X
exp (ik R) 4
exp ikR
exp (ik R)
R0 )
R)]
R0
R), k recorre los N valores en la primera
(r)
Luego, se satisface el teorema de Bloch.
(r
3
R 5
(R0
R))
72
Chapter 4.
De esta forma n (k) = En , independiente del valor de k. Para resolver esto,

supongamos que
P n (r) es pequea, pero no nula cuando U (r) es apreciable. Para
esto (r) = R exp (ik R) (r R) ; pero con (r) no necesariamente una funcin atmica sino una fncin por determinar.
Si U (r) n (r) es pequeo, (r)
n (r)
(r) =
bn
(r)
H (r) = [Hat + U (r)] (r) = (k) (r)

/ m (r)
usando
Z
Z
(Hat m (r)) (r) dr
m Hat (r) dr =
Z
= m
m (r) (r) dr
( (k)
m)
usando
(r)
(r)
(r) dr =
X
(4.20.3)
(4.20.4a)
(4.20.4b)
(4.20.5)
(r) U (r) dr
exp (ik R) (r
(4.20.6a)
R)
exp (ik R) bn
(4.20.6b)
(r)
R;n
reemplazando 4.20.6b en 4.20.5 y la ortonormalidad de
( (k)
m ) bm
( (k)
+
X Z
n
Em )
X
n
0
@
XZ
R6=0
0
@
XZ
(r)
R6=0
(r) U (r)
(r) dr bn
(r) U (r)
(r
(r
R) eik R drA bn
(4.20.7)
R) eik R drA bn
R
El primer trmino de la derecha contiene trminos de tipo dr m (r) n (r R).
Como asumimos que las funciones atmicas estn bien localizadas, esta integral es
menor que 1. Lo mismo el tercer trmino y el segundo porque U es grande si n es
chico.
Luego, el lado derecho es chico y ( (k) Em ) bm es chico, entonces, E (k) Em ;
por ejemplo, E0 ) m = 0, excepto b0 , los otros bm = 0
4.20
Electrones fuertemente ligados
73
Consideremos un nivel s no degenerado

0
XZ
(k)
(s) @bs +
pues
(r) =
R6=0
U (r) j (r)j drbs
n bn
(r) = bs
(r)
(r
R) eik R drA bs +
(4.20.8)
(r)
(k) = Es
Es =electrn
en nivel atmico s
R
2
= R dr U (r) j (r)j
=
Rdr (r) U (r) (r R)
(r) = dr (r) (r R)
como es un nivel s; (~r) = (r)
P
+
(R) eik R
P
1+
(R) eik R
(4.20.9)
Chapter 5
Semiconductores
Algo destacable en la naturaleza es que
Cu
1024
Esta razn es similar a el dimetro de una rbita planetaria con el de una rbita
atmica. Podemos entender esto pensando en los enlaces. Los enlaces metlicos producen electrones deslocalizados que se mueven "libremente" en respuesta a un campo
elctrico (conductores). Otros enlaces consideran electrones fuertemente ligados a un
tomo o par de tomos (inico, covalente). Estos materiales son aisladores. Entre
ambos estn los semiconductores, con conductividades elctricas intermedias.
Veamos un tomo de carbn, con sus electrones, 2 en 1s; 2s y 2p:
75
76
Chapter 5.
Semiconductores
El gap es crucial para entender las propiedades elctricas de semiconductores y aisladores
77
78
Chapter 5.
Semiconductores
5.1 Diferencia entre aisladores y semiconductores

f (E) =
exp
1
E EF
kB T
+1
que es la probabilidad de tener...

Pero si deseamos aplicar esta ecuacin a un semiconductor, debemos determinar el
nivel de Fermi
Si usamos E = 0 en el borde de la banda de conduccin, E EF = Eg =2 y

1
f (E) = [exp (Eg =2kB T ) + 1] ser la probabilidad de encontrar un electrn en el
borde de la banda de conduccin.
Como Eg 1eV , kB T 0:025eV a T = 300K;
Eg
2kB T
f (E)
exp
Eg
2kB T
Como la concentracin de electrones en la banda de conduccin n debe ser proporcional a esa probabilidad, entonces:
Eg
2kB T
n = C exp
con C = const 1025 m 3

Si queremos estimar el nmero de electrones de conduccin por metro cbico en
una muestra de silicio a 300K, con C = 2 1025 m 3 , tenemos que:
n
= C exp
=
1:11eV
n
Eg
2kB T
1025 exp
= 1:11
= 9:22
1:602 10
1015 m 3
1:78 10 19
1:38 10 23 300K
19
= 1:78
10
19
5.2
Agujeros
79
Es decir, tenemos del orden de 1016 electrones por metro cbico. Luego, no nos sorprende que el silicio se comporte como conductor, aunque nCu 1029 . Esta diferencia
explica porqu no es un conductor.
Si hacemos el mismo clculo para diamante, n
6:97 10 22 m 3 , a pesar de
que su gap es slo 5 veces mayor, prcticamente su banda de conduccin est vaca, es
decir, el diamante es un aislador perfecto.
El que un material se comporte como un aislador o un semiconductor es slo dependiente de la temperatura. La concentracin de electrones en la banda de conduccin
depende exponencialmente de la temperatura, luego, su dependencia con T es muy
fuerte. El Silicio a baja temperatura es un buen aislador, pero a temperaturas uy altas su
conductividad es cercana a un metal
Una demostracin interesante se puede hacer con una barra de vidrio en serie con
una ampolleta.
5.2 Agujeros
Cristal covalente como silicio o diamante. All hay tantos estados en la banda de
valencia como electrones que forman el enlace covalente con su vecino. Si hay un
estado vacante en la banda de valencia, signi ca que un enlace est incompleto. Si
aplicamos un campo elctrico el estado vacante se mueve hacia el potencial negativo.
En realidad, el electrn se mueve al estado de potencial positivo (+), pero se puede
80
Chapter 5.
Semiconductores
entender como si el estado vacante, llamado agujero, se mueve hacia el lado positivo.
Luego, podemos suponer que el agujero tiene carga positiva, igual en magnitud a la del
electrn.
Si aplicamos un campo elctrico al semiconductor, los electrones de conduccin se
movern en una direccin y los agujeros de la banda de valencia en la otra, luego:
= jej (n
+p
h)
en que e y h son las respectivas movilidades.

Cada vez que creamos un electrn de conduccin, dejamos un agujero, luego, ni =
pi , donde i entonces, es intrinseco (puro).
5.3 Propiedades pticas de los semiconductores
E=h =
hc
Pero la energa ganada debe ser mayor que el gap

min
Eg
=
h
c
max
Esto se conoce como fotoconductividad, pues un haz de luz de la frecuencia adecuada puede producir un gran nmero de electrones de conduccin y agujeros, luego,
induce un gran aumento de la conductividad.
El proceso inverso tambin puede ocurrir, un electrn en la banda de conduccin
puede decaer y recombinarse con un agujero liberando un fotn. Esta es la base del
lser semiconductor y del light-emitting-diode (LED).
Se debe notar que no todos los semiconductores pueden producir luz. Esto se debe
a que en el proceso se debe conservar E y ~k (vector de onda). La emisin de un fotn
de la frecuencia correcta da cuenta de la conservacin de energa, pero los ~k deben ser
iguales. Esto ocurre slo en semiconductores directos como arsnico, galio, antimonio
5.4
Masa efctiva
81
de indio, arsenuro de indio. Pero el silicio y el germanio no satisfacen este criterio, pues
su gap es indirecto, y no sirven para fabricar LED o lser.
5.4 Masa efctiva

Cul es la masa de un electrn en un semiconductor? En algunos experimentos, el
electrn se comporta como si su masa fuese diferente.
Veamos un electrn en un campo B:
c
Be
2 me
Be
2 me
con c la frecuencia de ciclotrn.

Como es distinta,
Esto viene de
mv 2
R
BeR
) v=
me
Bev =
!
v
Be
=
=
2
2 r
2 me
Elemento
Antimonio de Indio
Arsenuro de Indio
Germanio
Silicio
Arsenuro de Galio
Sodio
Cobre
Zinc
por ejemplo, en "; a = e"=me
mc =me
0:014
0:022
0:60
0:43
0:065
1:2
0:99
0:85
mn =me
0:4
0:4
0:28
0:54
0:54
82
Chapter 5.
Semiconductores
5.5 Semiconductores tipo n

Las propiedades ms importantes de los semiconductores provienen de introducir impurezas. En porcentajes menores que 0:0001% puede provocar cambios dramticos
semiconductores dopados = extrnseco
Una impureza donora tiene un electrn de valencia extra, por ejemplo, fsforo en
silicio. El fsforo tiene 5 electrones de valencia y el silicio 4. Esto se conoce como
dopaje n.
As queda libre un electrn.

Consideremos el diagrama
Luego tenemos un equivalente al tomo de Hidrgeno.

En el modelo de Bohr
E=
donde es la constante dielctrica.
me e4
!
8 20 h2
me e4
8 2 20 h2
5.5
Semiconductores tipo n
83
5.5.1 Ejercicio
Dado f (E) = fexp [(E
Solucin
Dado
Z 1
) =kB T ] + 1g
H (E) P (E) dE
: Encuentre n:
1
1
+
usando lo anterior,
Z
D (E) dE +
n=
H (E) dE +
H0 ( )
7 4
4
(kB T ) H 000 ( ) + :::
360
7 4
4
(kB T ) D000 ( )
6
360
1
R
R EF
R
Descomponiendo
D (E) dE =
D (E) dE + EF D (E) dE y despre1
1
ciando el trmino con T 4
Z EF
Z
2
2
(kB T ) D0 ( )
n=
D (E) dE +
D (E) dE +
6
1
EF
2
(kB T ) D0 ( ) +
Suponiendo D (E) suave en torno a E = EF

Z EF
Z
n =
D (E) dE +
D (E) dE +
1
EF
= n0 + D (E) (
EF ) +
(kB T ) D0 (EF )
(kB T ) D0 (EF )
5.5.2 Ejercicio
Calcule la magnitud de hF para 4:2
Calcule EF :
Solucin
1021 electrones en una caja con volumen 1cm3 :
Si los electrones fueran substituidos por neutrones, cul es el valor de hF
y EF ?
hF
V
hF
Con ~ = 1:05
10
34
1=3
V
6
= 10 m3
= 5 109 m
Js; m = 9:11
EF
=
=
=
10
31
= 0:5A
Kg
~2 h2F
2m
1:51 10
0:94eV
19
84
Chapter 5.
Semiconductores
Si los electrones son substituidos por neutrones, hF es igual y EF cambia con m =

1:67 10 27 Kg.
EF n
=
=
EF e
1833
0; 5meV
5.5.3 Ejemplo
Calcule la concentracin de electrones de conduccin en un semiconductor dopado:
pero en general, Eg
f (Eg ) = f1 + exp [(Eg
EF ) =kB T ]g
kB T; entonces
EF
f
n
Eg EF
)
kB T
Eg EF
C exp
kB T
exp
A bajar las temperatura el nmero de portadores intrnsecos es menor que el dopaje.

A alta temperaturas el nmero de portadores es mayor que el dopaje
n = N a + ni
5.5.4 Ejemplo
En silicio dopado con fsforo con Ea = 45meV:Suponga EF = 200meV , abajo la
banda de conduccin a 300K. Determine la proporcin de estados donores ocupados.
5.6
Semiconductores tipo p
85
Solucin Esta proporcin, Ndo , es la probabilidad de que un electrn tenga E igual a

la energa del estado donor.
Ndo =
1 + exp
(Eg
EF = E g
Eg
Ed
Por lo tanto, Ndo = 2:5
EF
10
Ed EF )
kB T
200
= Eg 45 (Eg
= 155meV
= 2:48 10 20 J
200)
5.6 Semiconductores tipo p

Impureza aceptora, con 1 electrn menos, por ejemplo, aluminio en silicio.
A T = 0, E > 0 es en el tope de la banda de valencia y el de energa.

Si existe enlace incompleto, entonces, existe un agujero, pero esto no es cierto, ya
que el agujero est ligado al aceptor. Para excitar un agujero de conduccin debemos
excitar un electrn de valencia a ese agujero y as ionizar la impureza. El estado aceptor
est sobre la banda de valencia.
86
Chapter 5.
Semiconductores
5.6.1 Portadores mayoritarios y minoritarios
Semiconductor tipo n, pocos agujeros por

excitacin trmica. Los electrones de
conduccin son los portadores mayoritarios.
En un material p los agujeros son mayoritarios.
A temperatura ja independiente del nivel de dopping, en un material dado np =
ni pi = const
Esto signi ca que si hay ms sitios disponibles, hay ms recombinacin.
5.7 Modelo de electrnes libres aplicado a Semiconductores
me = ~ 2
si E =
~2 k2
2me ;
me = me
d2 E
dk 2
5.7
Modelo de electrnes libres aplicado a Semiconductores
87
En semiconductores, slo nos preocupa la regin marcada, el resta est todo lleno o
todo vaco.
Cmo usar lo que sabemos?, entonces me ! me . sto nos da la curvatura correcta.
Arbitrariamente corremos el cero de la energa al borde de la banda de valencia, y vemos
que no hay estados de conduccin con < EF . Luego, proponemos la siguiente forma
para la energa:
E
D (E)
= Eg +
=
V
2 2
~2 k 2
2m
2me
~2
3=2
(E
1=2
Eg )
entonces, D (E) en banda de conduccin y signi ca que no hay estados con E < Eg :
n = concentracin electrones en banda de conduccin
Z
1 1
n=
D (E) f (E) dE
V Eg
pero no se resuelve y se reemplaza f (E) = fexp [(E
Esto es vlido si E EF > kB T; con esto
n=2
me kB T
2 ~2
EF ) =kB T ]g
3=2
exp [(EF
Eg ) =kB T ]
sto es vlido para semiconductores dopados o no y esto nos da

C=2
me kB T
2 ~2
3=2
88
Chapter 5.
Semiconductores
En silicio, con EF en el centro de la banda:
ni
valor experimental
= 3:5 1015 m
= 1016 m 3
a 300K
Hacer el mismo anlisis para la concentracin de agujeros, pero jarse que d2 E=dk 2 <
0 en el tope de la banda de valencia (entonces, masa positiva de agujero)
1
V
g (E) (1
1
g (E)
V
2
2mh
~2
mh kB T
2 ~2
f (E)) dE
3=2
1=2
( E)
3=2
exp
EF
kB T
donde el ltimo trmino es la concentracin de agujeros.
np
EF
= n i pi )
Eg
3
mh
=
+ kB T ln
2
4
me
El uso de semiconductores en electrnica y optoelectrnica es una de las dos aplicaciones comerciales ms importantes de la fsica de slidos.
Los circuitos integrados o chips de silicio, mueven un mercado cercano a las 100
billones de dolares anuales.
5.8 Juntura de dos metales

Si ponemos en contacto dos metales distintos, cada uno con su funcin trabajo,
B:
5.8
Juntura de dos metales
89
Los electrones en los estados de mayor energa de A se mueven a los estados vacantes de B, hasta EF iguales en ambos. Pero si los metales eran inicialmente neutros,
ahora A est cargado positivo (+) y B cargado negativamente ( ), luego, hau una
diferencia de potencial, potencial de contacto, que
=
B
A
=
V =2 =(
+
2
A) e
90
Chapter 5.
Semiconductores
Consideremos una unin de un semiconductor n y uno p. Sabemos que las EF son

diferentes en ambos, en el n EF est cerca de la banda de conduccin, y en el p, EF
est cerca de la banda de valencia.
Pongmoslos en contacto. En verdad esto se hace con un nico cristal dopado distinto en ambos extremos. Una vez en contacto algunos electrones difundirn al lado p, y
unos agujeros al lado n. Este proceso se complica porque electrones y agujeros pueden
recombinarse de forma que en el centro habr una regin con pocos portadores de carga
debido a la recombinacin.
Consideremos un electrn de conduccin. Al cruzar la juntura desde n a p ve muchos agujeros y se puede recombinar. Luego, esto hace que el nmero de portadores
disminuya. Luego, terminamos con una regin con muy pocos portadores.
Como los electrones de conduccin les resulta difcil moverse del lado n al p, podemos
pensar que el lado p est ms arriba en energa.
La diferencia de potencial es e , con el potencial de contacto
5.9
Anlisis Cuntitativo
91
5.9 Anlisis Cuntitativo

Consideremos la variacin del potencial en la unin. Resolvemos la ecuacin de Poisson, que describe como el voltaje a lo largo de la unin U , vara con la carga
d2 U
=
dx2
Supongamos que en la regin depletada no hay portadores y que va de lp x ln .

En el lado n, la densidad de carga n est determinada por la concentracin de impurezas
donoras.
= +eNd
Suponiendo que todas estn ionizadas, > 0:

En el lado p de la capa depletada (hay aceptores)
p
p
=
eNa
< 0
92
Chapter 5.
Semiconductores
Fuera de la regin depletada, x < lp y x > ln , = 0, como en un semiconductor

dopado bulk. All E = 0, dU
l p y x = ln
dx = 0 en x =
5.9
Anlisis Cuntitativo
93
nx
dU
=
dx
como
dU
dx
+ C1
= 0 en x = ln ; entonces
C1
n ln
dU
dx
(ln
x)
En el lado p:
dU
=
dx
en x = 0, entonces:
p lp
Lado p:
dU
dx
C2
(ln + x)
0
n ln
0
px
0
+ C2 )
p lp
0
dU
=
dx
n
0
( lp + x)
94
Chapter 5.
Semiconductores
Entonces:
p lp
n ln
Nd ln
= Na lp
Llamemos U0 ; U1 y U2 el potencial en x = 0; ln y
Z
+U1
dU
U0
U
U jU10
(U1
U0 )
lp
ln
(ln
x) dx
ln x
x2
2
ln
0
2
n ln
0 2
eNd ln2
2 0
=
=
Igual para el otro lado

U2
U0 =
eNa lp2
2 0
= U2 U1 = U2 U0 + U0
e
Nd ln2 + Na lp2
=
2 0
U1
Recordemos que Nd ln = Na lp
lp
ln
2 0
Nd
eNa Na + Nd
Na
2 0
eNd Na + Nd
1=2
con la notacin:
nn
np
pn
pp
=
=
=
=
concentracin de electrones de conduccin en la regin n

concentracin de electrones de conduccin en la regin p
concentracin de agujeros de conduccin en la regin n
concentracin de agujeros de conduccin en la regin p
np = Nc exp
EF
Eg
kB T
Chapter 6
Propiedades Magnticas
Los imanes son muco ms que los que usamos para jugar.
Por qu la mayora de los materiales no son magnticos?
Todos los materiales son magnticos en algn grado, es decir, responden al campo
magntico. Pero los que sirven desde el punto de vista tecnolgico son los magnetos
permanentes, es decir, en ausencia de campo magntico.
6.1 Variables Magnticas Macroscpicas

Todos los imanes existen como dipolos magnticos, tienen un polo norte y uno sur.
Si el momento de dipolo magntico es m
~ m , el momento magntico por unidad de
~ , y la energa de un dipolo en un campo magntico B
~ 0 es m
~0
volumen es M
~m B
= susceptibilidad magntica =
~
B
~
B
~0 +
= B
~
M
~0
B
0M
campo total
permeabilidad del vaco
:
:
B y B0 se miden en Tesla (T ), que es una unidad grande, el campo de la Tierra es

~ se
menos que 10 4 T . Los electroimanes mayores producen slo unos pocos Tesla. M
1
2 3
1
1
3
Am
: 0 T m J
mide en JT m
6.2 Imanes Atmicos

Un tomo con un electrn tiene un momento magntico
ms
ems ~
=
me
e~
2me
= nmero cuntico de spin =

95
en
1
2
96
Chapter 6.
e~
= B = magnitud de Bohr = 9:27
2me
La componente de momento orbital, l
10
24
JT
eml ~
= ml B
2me
Si el tomo tiene ms de un electrn, la situacin es ms compleja
l
s=
para un capa (n; l)
l=
si la capa est llena, S = L = 0
Una vez determinado J, el mximo mJ =
ms
ml
g
BJ
= factor de Land
3J (J + 1) + S (S + 1) L (L + 1)
=
2J (J + 1)
Qu materiales tienen momento magntico?
Si tenemos capas llenas, S = L = 0; J = 0, entonces no hay momento magntico.
Los gases inertes no son magnticos.
Los tomos covalentes tienen capas incompletas, pero al hacer el enlace, J = 0: Por
ejemplo, un tomo de hidrgeno tiene momento nito, pero la molcula de hidrgeno
no.
Parece entonces que en la mayora de los slidos el efecto cancela y la magnetizacin
resultante es cero. Luego, en la mayora de los slidos el efecto se cancela.
En realidad, esto no es estrictamente cierto, pues la presencia de un campo magntico afecta el movimiento orbital de los electrones de forma que el propio tomo
genera un campo magntico opuesto al campo externo. sto se conoce como diamagnetismo y ocurre en todos los tomos. El efecto es muy dbil < 0:
Veamos que pasa en los materiales metlicos. All los electrones de valencia estn
delocalizados (en los simples como N a y Al). Ya no estn ligados a ningn tomo es
particular. Los iones estn formados por capas completas, J = 0, pero no los electrones de conduccin. Esto se conoce como paramagnetismo de Pauli. Ac el efecto es
contrario y los dipolos magnticos se alnean con el campo.
g
6.3
Paramagntismo de Pauli
97
El efecto es sutil, un material paramagntico es atractivo por cualquier polo de un

imn y un diamagnetismo es repelido.
Existen metales, los de transicin tienen raras y actinidos que presentan caractersticas ms interesante. Estn en las columnas centrales de la tabla peridica. S estructura
electrnica es ms compleja.
Elemento 3d 4s
Sc
1
2
Ti
2
2
V
3
2
Cr
5
1
Mn
5
2
Fe
6
2
Co
7
2
Ni
8
2
Capa 3d incompleta. En el enlace metlico participan 4s, que se hacen deslocalizados y los 3d permanecen ms o menos localizados y forman una capa con L; S; J
distintos de cero.
6.3 Paramagntismo de Pauli

Se debe a los momentos magnticos asociados con el momento angular de spin de los
electrones deslocalizados en un metal.
Consideremos la orientacis de los spines de los electrones de conduccin. Sin
~ = 0. Si hay campo se alinean o paralelo
campo externo, ellos estarn desordenados y M
o antiparalelo a B0 :
98
Chapter 6.
La energa de los paralelos

Ek
E
=
mS B0
= mS B 0
Luego es favorable alinearse paralelo a B a M proporcional (N"

Si fueran electrones libres, ...
N# )
Si se pone B0 la energa de los paralelos a B baja.

Algunas bajan del lado # a " : La densidad de estados es la misma, slo se desplaza
en energa.
1
Nmero de electrones que se mueven es aproximadamente D (EF ) mS B0
2
N"
N"
N#
N#
M
=
=
=
@M
@M
N
1
+ D (EF ) mS B0
2
2
1
N
D (EF ) mS B0
2
2
D (EF ) mS B0
mS (N" N# )
m2S D (EF ) B0
M
B
2
0 mS D (EF )
6.4
Paramagnetismo de Curie
99
e~
2me
3N
D (EF ) =
2EF
ms =
=
=
3N 2
2EF B
3N 0 2B
2EF
0
6.4 Paramagnetismo de Curie

Considere tomos de tipo metales de transicin, con capasa incompletas. En ausencia
de B,
El ngulo no es arbitrario y el
mJ = g
B J; g B
(J
1) :::g
BJ
Luego, la energa de los dipolos es

mJ B 0 =
B JB0 ;
(J
1) B0 ; :::; g
B JB0
100
Chapter 6.
Los tomos, a diferencia de los electrones, no estn gobernados por el principio de

exclusin de Pauli, luego, a temperatura, la estadstica clsica dice que la probabilidad
de encontrar un dipolo atmico con energa es proporcional a exp ( E=kB T )
E=
mJ B0
6.5 Problema
A bajas temperaturas, la mayora estarn en el estado de eE, con mJ = g B J. Es
decir, la mayora de los dipolos tendrn su componente de momento magnetico alineada
lo ms posible con el campo, entonces, g rand e = 0 M
B
A mayores temperaturas, mayor probabilidad de ocupar otros estados, menos

temperatura igual 0,
0.
Probabilidad de que un dipolo atmico tenga
mJ
mJ B 0
kB T
mJ B0
= A exp
kB T
= A exp
A = const
Si hay N iones magnticos por unidad de volumen, el nmero total es:
N A exp
mJ B0
kB T
y su momento magntico es
mJ N A exp
mJ B 0
kB T
ya
6.5
Problema
101
M=
J
X
mJ B0
kB T
mJ N A exp
Se puede mostrar que mJ B0
exp
kB T
mJ B0
kB T
1+
9:27 10 24 JT
= 9:27 10 24
= 5:8 10 5 eV
= 2:5 10 2 eV
mJ B 0
kB T
mJ B0
kB T
J
X
N AmJ
1+
J
X
NA
mJ B 0
kB T
m2J B0
kB T
J
N AB0 X 2
mJ
kB T
J
N AB0
kB T
M=
=
=
=
en que C es la constante de Curie.
2 2
Bg
J
X
J
CB0
T
0M
B0
0C
T
C
T
J2
102
Chapter 6.
Ahora
J
X
mJ B0
kB T
mJ B0
kB T
1 = (2J + 1) A
A exp
J
X
1+
J
X
1
2J + 1
A =
M=
pero
N
B0
2J + 1 kB T
2 2
Bg
= 13 J (J + 1) (2J + 1) ; entonces
=
=
B0 2 2 1
N
g J (J + 1) (2J + 1)
2J + 1 kB T B 3
N B0 g 2 J (J + 1) 2B
3kB T
=
=
0g
2 2
BJ
(J + 1)
3kB
2 2
N
0
Bp
3kB
p2 = g 2 (J + 1)
Comparacin terica-experimental
La ley de Curie es vlida en muchos materiales como ..., pero no para los metales de
transicin
6.5
Problema
103
5p y 5s completas, no hay interaccin con vecinos

La capa 3d es la externa, luego, hay interaccin.
En los casos vistos hasta ahora requerimos B0 para orientar electrones de conduccin (Pauli) o de capas incompletas J. Pero hay materiales que retienen su magnetizacin en ausencia de campo. Lo fundamental es la interaccin entre electrones de
tomos vecinos.
En estos materiales (metales de transicin), la interaccin hace que el promedio de
L en iones vecinos se cancela y slo nos queda S. La interaccin correlaciona los electrones de tomos vecinos. Esto se conoce como Exchange (intercambio) y fue propuesta
por Heissenberg en 1928.
104
Chapter 6.
Esto se propaga y se obtiene
Magnetita es un tipo de ferrita

F errita = M F e2 O4
M es un in + +
A 300K tenemos lo siguiente:
Elemento mS 105 JT 1 m 3
c
Hierro
17:1
1043
Cob
14
1388
Ni
4:85
627
Gadolinio
20:6
292
CrO2
5:18
386
F e3 O4
4:8
858
M nF e2 O4
4:10
573
N iF e2 O4
2:7
858
Dependencia de la temperatura: William Gilbert descubri que la temperatura elevara el magnetismo. La Tc se conoce como temperatura de Curie o...
=
T
c
Esta ltima expresin se conoce como ley de Curie.
6.6
Teora de Bandas del Ferromagnetismo
105
A mayor temperatura, mayor vibracin trmica y se destruye.
6.6 Teora de Bandas del Ferromagnetismo

Ejemplo: Calcule el momento magntico por in en una muestra de hierro considerando
que la magnetizacin del hierro es 17:1 105 JT 1 m 3 ; la densidad es 7:87 103 Kgm 3
y la masa molar es 0:056Kg=mol. Suponga que el hierro consiste de iones F e2+ , cada
uno con seis electrones 3d:
Solucin: El volumen de 1 mol de hierro es:
Vm
=
=
=
masa molar
densidad
0:056Kg=mol
7:87 103 Kgm 3
7:12 106 m3 mol 1
Luego, el volumen por ion es:

Vi
=
=
=
nef f
Vm
NA
7:12 10 6
6:02 1023
1:18 10 29 m3
V ol
= M Vion
= 17:1 105 1:18
= 2:02 10 23 JT
10
29
= nmero de electrones alineados

=
2:02
10
23
=
=
2:02
9:27
2:18
10
10
23
24
Lo que ocurre es que es mejor pensar en trminos de bandas
106
Chapter 6.
6.7 Imanes Soft y Hard

Caractersticas ideales? Alta remanencia (sin campo) y alta coercitividad, as no se
demagnetiza fcilmente. Pero debe tener un BB0 = 0 igual a la energa almacenada por
unidad de volumen. Su mximo se conoce como producto de energa
En motores y transformadores uno debe cambiar la de M muchas revoluciones por

minutos, entonces, imanes soft, acelararn, importa la baja coercitividad.
Podemos pensar en el movimiento de paredes.
Soft
Hard
Generalmente grande
) mover rpido
) mover lento
6.7
Imanes Soft y Hard
Ed =
107
0:043eV
EF = Eg Ed =2; a T = 0
A temperaturas muy altas, el nmero de portadores intrnseco es muy grande, luego,
se comporta como un semiconductor intrnseco, con EF = Eg =2
Calcule la probabilidad de que un electrn ocupe un estado en el borde de la banda

de conduccin en un semiconductor dopado
f (Eg )
(Eg EF )
+1
kB T
(EF Eg )
exp
kB T
exp
n ' C exp
(Eg EF )
kB T
En un semiconductor tipo n, el nivel de Fermi est ms cercano a la banda de conduccin, (Eg EF )

Eg =2, luego, la exponencil es mayor y habr un aumento en el
nmero de electrones.
Veamos por ejemplo, un cristal de silicio dopado con fsforo, el cul tiene una energa de enlace de 45meV . Si la EF est 200meV bajo el borde de la banda de conduccin, a T = 300K, determine la proporcin de estados donores ocupados
La proporcin de estados donores ocupado Ndo es la probabilidad de que un electrn
108
Chapter 6.
tenga esa energa

Ndo
Ed
EF
= f (Ed )
= x 45
= x 200
E
exp
f (Ed )
exp
Ed E F
kB T
f (E)
exp
155
kB T
155meV = 2:48
Ndo
=
=
EF
kB T
f (E)
exp
2:5
+1
1
+1
20
10
2:48 10
(1:38 10 23 JK
10
+1
20
J
+1
1 ) (300K)
Slo 0:25% de los estados donores estn ocupados, luego, el resto de los donores
estn en la banda de conduccin.
n = N d + ni
Por ejemplo, en silicio, ni = 10 m 3 . Si reemplazamos 1 tomo por milln por
una impureza donora y todas ellas estn ionizadas:
16
Nd = 5
1022 m
Nos queda un enlace incompleto y un agujero en la banda de valencia, pero en verdad

este agujero est ligado a la impureza. Para crear un agujero en la banda debemos exitar
un electrn a ese estado nuevo. Por ejemplo, una impureza de aluminio en silicio tiene
un nivel aceptor de 57meV . Luego, a temperatura ambiente todos los aceptores estarn
ionizados.
6.9
Efecto Hall
109
Nmero de electrones en el borde de la banda de valencia:

1
f (0) = E =k T
F
B
e
+1
Nmero de agujeros:
1
como exp [ EF =kB T ]
f (0) =
1; EF
e EF =kB T
EF =kB T +
1
e
kB T , p = Ce EF =kB T
6.8 Portadores mayoritarios y minoritarios

En un semiconductor igual hay huecos debidos a las excitaciones trmicas.
np = ni pi = const
A mayor dopaje, mayor recombinacin, Ley de Accin de Masas
h
i2
ni pi = Ce Eg =2kB T
n
6.9 Efecto Hall
= Ce (Eg EF )=kB T Ce
= C 2 e Eg =kB T
EF =kB T
110
Chapter 6.
Se aplica x y Bz . Los electrones se de ectan en la direccin y^ y se acumula carga

negativa en ese lado. Esto hace que se produzca un campo, H
H
= RH J x B z
El signo de RH da el signo de los portadores mayoritarios
6.10 Modelo de electrones libres

1
= probabilidad de ocupacin
+1
Pero no sabemos cuntos estados existen a E
f (E) =
e(E EF )=kB T
Para calcular D (E), debemos determinar los niveles. Electrones libres, equivale a
un pozo in nito de largo L.
~2 d 2
2m dx2
= E
= A sin (kx x)
=
=
En 3D (cristal)
E
=
=
~2 k 2
2m
~2
2m L
~2 kx2
2m
~2 n2x 2
2mL2
n2x + n2y + n2z
6.11
Modelo de electrones libres aplicado a semiconductores

E1
E2
111
) nx = ny = nz = 1
) nx = 2; ny = 1; nz = 1
) nx = 1; ny = 2; nz = 1
..
.
nmero de puntos =
=
=
Area
area
kF2
2
L
2
kF
L2
3D:
4
3
kF3
3
=
=
=
=
4 kF3 L3
3 2
4 n 3 L3
2
3 L
4 3
r
3 m
3=2
4
2mL2
E 3=2
3
~2 2
4
V
3
2m
~2
3=2
E 1=2
6.11 Modelo de electrones libres aplicado a semiconductores

Introdujimos el concepto de masa efectiva, consideremos un electrn con velocidad de
grupo, vg , en un cristal.
vg =
d!
dk
De la teora cuntica sabemos que:

E
vg
= ~! )
1 dE
=
~ dk
112
Chapter 6.
a =
=
=
dvg
dz
1 d dE
~ dt dk
1 d2 E dk
~ dk 2 dt
Supongamos que el electrn se mueve con velocidad vg en un campo ". En dt se

mueve vg dt. Como F = e", el trabajo es:
dE = e"vg dt
en que ! = dE, F = e" y
x = vg dt; luego
dE dk
dE
=
dt
dk dt
dk
dk 2
dk
= e"vg
= ~a 2
dt
dE
d E
) e"vg =
)
1 d2 E dk
~ dk 2 dE
2
e" d E
~2 dk 2
a = e"vg
=
como
a =
me
Si E = ~2 k 2 =2m, y me = me
e"
)
me
= ~2
d2 E
dk 2
6.11
Modelo de electrones libres aplicado a semiconductores
113
Veamos la banda de conduccin

E
= Eg +
D (E)
~2 k 2
2m
2me
~2
3=2
V
1=2
(E Eg )
2 2
Z
1 1
D (E) f (E) dE
V Eg
en que n es la concentracin de electrones en la banda de conduccin.

Esta expresin no es soluble, sin embargo:
e(EF
f (E)
n
= Ce
E)=kB T
1=2 (EF
(E
Eg )
E)=kB T
de
Eg
Ce
1
2
2me
~2
x =
dx
=
dE
3=2
(E Eg ) =kB T
1
kB T
y x = 0 a E = Eg
n
3=2 (EF
= Ce (kB T )
Eg )=kB T
x1=2 e
3=2 (EF
= Ce (kB T )
as:
Eg )=kB T
1p
2
3=2
me kB T
e(EF Eg )=kB T
2 ~2
Si pensamos en silicio, EF equivalentemente centro del gap
n=2
= 3:5 1015 m 3 , a 300K

ni exp = 1016 m 3 ) modelo bueno
Z
1 0
D (E) [1 f (E)] dE
p=
V
1
este es el nmero de agujeros.
ni
D (E) =
2mh
V
2 2 ~2
3=2
1=2
( E)
dx
114
Chapter 6.
p=2
mh kB T
2 ~2
n i pi
EF
3=2
EF =kB T
Eg
3
mh
+ kB T ln
2
4
me
En que 34 kB T ln [mh =me ] es pequea.

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1

Apuntes de Fsica del Estado Slido

1 ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

Cuanti caciones de las vibraciones de la red . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3 PROPIEDADES TRMICAS DE LOS SLIDOS

4 ELECTRONES LIBRES EN METALES

Modelo de un electrn libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Conductividad Electrca y Ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.12 Modelo de electrones casi libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Variables Magnticas Macroscpicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95

1.1 Celdas Primitivas

ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

1.1.1 Red Hexagonal

Red panal de abejas:

A cada punto de la red le asociamos la base dada por:

En funcin de ~a1 y ~a2

1.1.2 Redes Tridimensional

ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

1.1.3 Red Hexagonal

luego, en tres dimensiones,

1.1.4 Red Hexagonal Compacta

Luego, se copia la primera red y as sucesivamente.

coordenadas de vectores primitivos.

1.1.5 Posicin y Orientacin de los planos en un cristal

ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

d) El conjunto (h k l) no slo denota un plano, sino un conjunto de planos equivalentes

En un cristal dado, existen muchas formas de de nir planos paralelos

Tomemos dos planos paralelos que cortan los ejes en m n y o respectivamente

Veamos el siguiente ejemplo:

ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

1.2 Red Recproca

Estos vectores de nen la llamada red recproca y satisfacen

= m~a1 + n~a2 + p~a3 ;

2 (mm0 + nn0 + pp0 ) = 2 N

ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

encuentre la red recproca.

Si queremos dibujar la bisectriz a los primeros vecinos ellas cortan la cadena en

1.2.2 Red Recproca de una cbica simple (sc)

1.2.3 Red recproca de una red cbica centrada en el cuerpo (bcc)

ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

1.3 Determinacin experimental de estructuras cristalinas

Determinacin experimental de estructuras cristalinas

Pero en un cristal existen muchas formas de de nir planos paralelos. Cmo se

La onda incidente tiene un campo elctrico asociado

ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

pues suponemos que estamos lejos del centro difusor. Luego:

ei(k ~ +kr) = eikR ei(k ~

pero lejos, la direccin de k 0 puede de nirse como la direccin de R. Luego:

Consideremos un cristal nito con centros difusores en cada punto de la red

= m~a1 + n~a2 + p~a3

Determinacin experimental de estructuras cristalinas

N 3 es el nmero de puntos de la red.

donde n ( ) es la concentracin de electrones.

1.3.1 Factor de estructura de la base

con respecto al punto

de la red (que est en el origen de

Pero respecto al origen de la celda, la posicin del tomo j es j : En relacin al

de ne la concentracin de electrones en la posicin cerca del tomo y en la celda

ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIN

fj e j = factor de estructura de la base

1.3.2 Red bcc

2.1 Cuanti caciones de las vibraciones de la red

2.2 Difusin inelstica de fotones de gran longitud de