Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Materi 7
TRANSISTOR (BJT)
SEBAGAI PENGUAT
1
Common Base
Penguat Common Base digunakan sebagai penguat
tegangan. Pada rangkaian ini Emitor merupakan input
dan Collector adalah output sedangkan Basis
digroundkan/ ditanahkan.
Rangkaian Ekivalen
RS
vo
C
ie
vs RE
vi
RC
re'
ie = ie
10
Karakteristik CB (NPN)
iE terhadap vBE
iC terhadap vCB
vo
ie = ie
RC
RS
B
ie
vs
R1//R2
vi
re'
E
16
17
Power Gain
Power gain adalah factor penguatan daya output
Ap Ai. Av
karena Ai = hfe maka :
Ap h fe . Av
18
Multistage Amplifier
Multistage Amplifier merupakan susunan amplifier yang disusun
19
Karakteristik CE
iB terhadap VBE
feedback,
untuk
mencegahnya
sering
dipasang feedback negatif.
Sering dipakai sebagai penguat audio
(frekuensi rendah).
Stabilitas
penguatan
rendah
karena
tergantung stabilitas suhu dan bias transistor.
ie = ie
RS
B
ie
vs
re'
R1//R2
vi
vo
E
RE
25
26
27
28
Rangkuman
Parameter
Penguatan Daya
(G)
Penguatan
Tegangan (Av)
Penguatan Arus
(Ai)
Impedansi Input
Impedansi
Output
Pembalik Fasa
Penggunaan
Common
Emitor
(CE)
Common Basis
(CB)
Common
Collektor
(CC)
Darlington
Sangat besar
Besar
Besar
Besar
Besar
Besar
Kecil
(Av 1)
Kecil
(Av 1)
Besar
Sangat besar
Sedang
(1 k)
Besar
(50 k)
Ya
Kecil
(Ai 1)
Paling rendah
(50 )
Paling besar
(1 M)
Tidak
Digunakan
untuk semua
aplikasi
Terutama untuk
RF amplifier
Buffer
Besar
besar
(300 k)
Rendah
(300 )
Tidak
Terutama
untuk
Isolation
Amplifier 31
Buffer
Sangat besar
Sangat
rendah
Tidak
Seperti
common
colektor
32
BJT as Amplifier
Common emitter mode
Linear Active Region
Significant current Gain
Example:
Let Gain, = 100
Assume to be in active
region -> VBE=0.7V
Find if its in active
region
BJT as Amplifier
VBE 0.7V
I E I B I C ( 1) I B
VBB VBE
5 0 .7
IB
0.0107 mA
RB RE *101
402
I C * I B 100 * 0.0107 1.07mA
VCB VCC I C * RC I E * RE VBE
10 (3)(1.07) (2)(101* 0.0107) 0.7
3.93V
VCB>0 so the BJT is in
active region
Contoh analisa :
+ VCC
Carilah
penguatan
transistor pada
rangkaian berikut!
IC
RC
CC
R1
RS
CB
Out
IB
vs
IE
RE
R2
35
CE
IC
R1
RC
12 k
150 k
IB
R2
20 k
IE
RE
2,2 k
36
vo
ie = ie
RC
RS
B
ie
vs
R1//R2
vi
re'
37
38