UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE

CONTROL ELECTRONICO DE POTENCIA

INTEGRANTES:

Bustamante Carlos
Escudero Miguel
Ruiz Christian

1. TEMA
Interconexin de semiconductores.
2. OBJETIVOS
2.1 GENERAL:

Investigar las interconexiones de semiconductores.

2.2 ESPECFICOS:

Investigar las diferentes interconexiones existentes en los semiconductores de potencia, as como

las caractersticas, beneficios y funcionamiento.
Determinar ventajas de utilizar este tipo de interconexiones.

3. RESUMEN
Las dos caractersticas ms importantes del diodo de potencia son: La intensidad mxima en directo y la
tensin inversa mxima de bloqueo. Si las necesidades del circuito pueden llegar a sobrepasar la
capacidad mxima del dispositivo es necesario utilizar varios diodos asociados en serie o en paralelo segn
el caso. Las asociaciones se las puede realizar con diferentes semiconductores de potencia a continuacin
se muestra ejemplos y tipos de conexiones entre scrs.
4. MARCO TERICO
CONEXION DE DISPOSITIVOS SERIE
Al conectar en serie dos dispositivos se trata de poder realizar un convertidor en el que soporten tensiones
mayores que las que soporta un solo dispositivo como se muestra en la figura 1.
Deberan soportar el doble de lo que soportan cada uno de ellos.
Existe el problema de reparto desigual de las cadas de tensin entre los dos dispositivos (aunque sean
del mismo fabricante y de la misma serie)

Figura 1 Reparto de tensiones en una asociacin serie de tiristores

Figura 2 Conexin serie de dispositivos

Se pueden elegir R1 y R2 de tal forma que el par SCR1-R1 y el par SCR2-R2 tengan la curva caracterstica
compuesta muy parecida a la figura 2.

Si en vez de dos son un nmero elevado es imposible ajustarlo.

Al cambiar la temperatura cambian las curvas.
Cada vez que se sustituya un SCR por mantenimiento hay que reajustar todas las resistencias

Debido a los problemas antes mencionados, se prefiere emplear resistencias iguales que eviten un
desequilibrio exagera do entre las tensiones soportadas por los dispositivos, as para el caso de dos
dispositivos el efecto de conectar una resistencia igual a cada dispositivo es (slo se considera bloqueo
directo, el efecto sobre el bloqueo inverso es anlogo) como se puede observar en la figura 3:

Figura 3 Reparto de tensiones en una asociacin serie de tiristores

Ninguna de las tensiones andicas deber ser mayor que la mxima soportable por cada dispositivo (Ep)
La tensin total mxima ser la suma de las dos tensiones nodo ctodo, cuando la mayor de las dos
alcance su valor mximo (Ep).
El mayor valor posible ser cuando las dos tensiones nodo ctodo sean iguales entre si y al valor
mximo (Ep)
Cundo menor sea R tendremos ms disipacin de potencia en R, para n resistencias las prdidas totales
sern:
. ()^/

Figura 4 Ecualizacin esttica de una asociacin serie de SCRs

Ep ser la mxima tensin que soporta un dispositivo en bloqueo directo o inverso.
En las transiciones de cebado a bloqueo y viceversa pueden presentarse problemas debido a la diferencia
de velocidad de cada dispositivo:
Si se retrasa uno de los dispositivos Soportar toda la tensin.
En el caso del SCR es menos grave que en otros dispositivos, ya que la tensin cae a unos pocos voltios
(Debe evitarse, porque a la larga se daar).
La solucin es dar un pulso de puerta adecuado para que todos los dispositivos entren en conduccin a la
vez.
Debe llegar el pulso a la vez (Uso de fibras pticas, caminos iguales).
Debe ser lo ms escarpado posible.
Bloqueo: Si se adelanta un dispositivo Soportar toda la tensin entrando en ruptura.
En el caso del SCR es ms grave que en otros dispositivos, ya que la tensin cae a unos pocos voltios y no
se consigue que se bloquee.

Una posible solucin es retrasar todos los SCR aadiendo una capacidad en paralelo:

La solucin pasa por tener un circuito con un diodo, que al cebar permita una descarga lenta del
condensador a travs de RD pero al bloquear, conecte C directamente a la tensin nodo-ctodo. El
circuito completo para la conexin serie de un grupo de SCRs ser por tanto:

Figura 5 Ecualizacin esttica y dinmica de un grupo de SCR's conectados en serie

CONEXION DE DISPOSITIVOS EN PARALELO
Al conectar en paralelo dos dispositivos se trata de poder realizar un convertido que soporten corrientes
mayores que las que soporta un solo dispositivo.
ptimo: deberan soportar una corriente el doble de lo que soporta cada uno de ellos.
Problema: reparto desigual de las corrientes entre los dos dispositivos (aunque sean del mismo fabricante
y de la misma serie).

Figura 6 Reparto de corrientes en una asociacin paralelo de tiristores

Figura 7 Conexin en paralelo de dos dispositivos de potencia con coeficiente de temperatura negativo
Si por uno de los dispositivos pasa ms corriente, se calentar ms.
Si sube la temperatura se desplaza la curva caracterstica esttica para disminuir su cada de tensin.
Si tiene menor cada de tensin que los dems, circular una corriente an mayor.
Ese incremento de corriente ocasionar un aumento de la temperatura, haciendo que el desequilibrio de
corrientes sea muy grande.
Si la derivada de la tensin nodo-ctodo en conduccin es positiva el efecto es justo el contrario y se
equilibran las corrientes
Si los dispositivos tienen coeficiente negativo es necesario el uso de ecualizacin, por ejemplo empleando
resistencias o bobinas acopladas:

Figura 8 Uso de resistencias ecualizadoras

La Potencia crece con el cuadrado de la corriente. No se puede usar para corrientes elevadas.
5. CONCLUSIONES

La interconexin en serie es para soportar tensiones ms altas de las que soportara un solo
elemento.
La interconexin en paralelo es para soportar corrientes ms altas de las que soportara un solo
elemento.
Si los dispositivos tienen coeficiente negativo es necesario el uso de ecualizacin, por ejemplo
empleando resistencias o bobinas acopladas.

6. RECOMENDACIONES

Estudiar las caractersticas propias de todos los semiconductores de potencia para facilitar el
entendimiento del tema.
Filtrar la informacin y hacer uso de lo ms importante obteniendo as los conocimientos
deseados.
Realizar un documento el cual sea til para cualquier lector brindando as una gran ayuda sobre
el tema.

7. BIBLIOGRAFIA

http://www09.abb.com/global/scot/scot271.nsf/veritydisplay/574a3d67306997a3c125728f004
c0592/$file/62-66%201M715_SPA72dpi.pdf
http://www.academia.edu/9077810/Electr%C3%B3nica_de_Potencia_UNIDAD_No_1._REPASO_
DE_CONCEPTOS_Y_DISPOSITIVOS_SEMICONDUCTORES_DE_POTENCIA
https://books.google.com.ec/books?id=5OXh2vdmCRsC&pg=PA27&lpg=PA27&dq=interconexio
n+de+semiconductores+de+potencia&source=bl&ots=9smRsw99ot&sig=0eJuzsqk_dRBWxXcbUZ
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