SEMICONDUCTORES

(TRANSISTORES)
TRANSISTOR DE PUNTAS DE
CONTACTO Sobre una pastilla de
tipo N (base) se introducen dos
alambres de acero fosforoso cuyos
tomos se esparcen dentro de la
pastilla (emisor, colector)

TRANSISTOR DE ALEACIN
Sobre material de tipo N (base) se
colocan dos bolitas de indio que al
calentarse se funde, y al enfriarse
crea dos
zonas
tipo P.
CRISTAL
DE GERMANIO
indio
emisor

N
P

indio
P

base

colector

TRANSISTOR DE DIFUSIN O DE ALEACIN DIFUSA

Se toma una pastilla base de tipo P sobre la cual se
forma una capa N(difusin) a continuacin se coloca
una bolita de material PN y otra de N en la misma
cara de la pastilla. Mediante tratamiento trmico los
tomos N penetran ms que los P formando zona N y
P. *Emisor constituido por tomos P de la bolita PN
*Base formada por la difusin de tomos N y la capa
depositada por vapor *Colector formado por la
pastilla base La bolita de tipo N sirve de conexin con
la zona N del transistor

TRANSISTOR DE BARRERA
SUPERFICIAL
Se ataca una oblea de semiconductor con
dos chorros muy delgados de electrolito al
mismo tiempo que se hace pasar una
corriente elctrica que origina una
conexin por ambos lados(base). Mediante
depositado electroqumico se obtienen el
emisor y el colector.

TRANSISTOR MESA
Sobre una pastilla de tipo P (colector)por
difusin vapor se deposita una capa tipo N,
se difunden despus aceptadores que
compensan los donadores (emisor).Los
contactos de base y emisor se puede utilizar
el sistema de evaporar y depositar en forma
de tiras un material adecuado

TRANSISTOR EPITAXIAL
A una pastilla (P o N) portadora se le
deposita una capa de semiconductor
formando una red epitaxial (colector)
La base y el emisor se colocan sobre
la capa epitaxial y se forman por
difusin o aleacin difusa

ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES