Содержание

1. Назначение и область применения...................................................2

2. Общие сведения.................................................................................2
3. Описание принципиальной схемы....................................................2
4. Расчет параметров схемы усилителя................................................3
Перечень элементов................................................................................10
Графическая часть..................................................................................11
Выводы....................................................................................................14
Список литературы.................................................................................15

Изм.Лист № докум ПодписьДата

УМ.КП.018.ПЗ
Разраб. Литера Лист Листов:
Провер.
Усилитель мощности.
Т.контр. Пояснительная записка НГУ
Утв. ФИТ ТС-07
 1. Назначение и область применения
Усилитель мощности ЗЧ предназначен для использования в быту в составе
звуковоспроизводящих комплексов.

2. Общие сведения
Усилитель состоит из пяти каскадов и охвачен общей отрицательной
обратной связью.

Вход Промежуточный Выходной Выход

Диф. усилитель Пред. каскад
каскад каск.

Каскад смещения

ООС

Рис.1 Структурная схема усилителя мощности ЗЧ

3. Описание принципиальной схемы

Входной дифференциальный каскад построен на транзисторах VT1 и VT2.
Он обеспечивает поддержание нулевого потенциала на выходе усилителя.
Транзистор VT3 является промежуточным каскадом для усиления сигнала перед
фазоинверсным каскадом. Транзистор VT4 подает напряжение смещения на
предвыходной каскад. Предвыходной каскад построен на комплементарной паре
транзисторов VT5 и VT6. Их нагрузкой является выходной каскад, построенный
на мощных комплементарных транзисторах . Цепочка обратной связи состоит
из резисторов R4, R5 и конденсатора C2.

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 2
 4. Расчет параметров схемы усилителя
Исходные данные для расчета:

Максимальная мощность в нагрузке, PНmax=3 Вт

Сопротивление нагрузки, RН=20 Ом
Амплитуда входного напряжения, UВХmax=0,75 В
Диапазон частот, FНИЖН…FВЕРХН=22…18000 Гц.

4.1 Выбор источника питания

Максимальное напряжение на нагрузке

U Н max = 2 ⋅ PН ⋅ R Н (1)

PН – мощность на нагрузке
RН – сопротивление нагрузки

U Н max = 2 ⋅ 3 ⋅ 20 = 10 .9 ≈ 11 В

Напряжение источника питания

U S 1 = U Н max +U ост (2)

Uост – остаточное напряжение коллектор-эмиттер выходного транзистора

(1,5…2,5 В для мощных транзисторов)

U S 1 = 11 + 2 = 13 В

Выбираем US1 = 15 В

4.2 Расчет выходного каскада

Сопротивление резисторов R12 и R13

R12 = R13 = 0,05RН (3)

R12 = R13 =0,05*20=1 Ом

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 3
 Максимальный ток коллектора

IK8 max = UH m / RH (4)

IK8 max = 11/20 = 0,55 А

Постоянная составляющая тока коллектора

2 I K 8 max
I ср 8 = (5)
π
2 * 0.55
Iср 8 = = 0.35 А
3.14

Мощность, потребляемая от источника питания

E2
P08 ≈ (6)
2π ⋅ RH
225
Р08= 2 ⋅ 3.14 ⋅ 20 =1,79 Вт
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе одного транзистора
E2
PК max 8 = (7)
4π 2 ⋅ RH
225
PК max 8 = 4 ⋅ 9.86 ⋅ 20 =0,28 Вт

Выбираем транзисторы КТ814А и КТ815А

РK max ПАСП =10 Вт; IK max ПАСП =1,5 А ; UKЭ max ПАСП = 25 В

h21Э=40; fГр=3 МГц

Примем токи коллектора покоя выходных транзисторов равными 70-80 мА

Токи базы покоя выходных транзисторов

I К .7 Q
I Б 7Q = I Б .8Q = , (8)
h21 . E
80
I Б 7 Q = I Б .8 Q = =2 мА.
40

Лист
УМ.КП.018.ПЗ
Изм.Лист № докум Подпись Дата 4
 4.3 Расчёт цепей транзисторов VT5 и VT6:

Наибольший ток коллектора

IК5 max = IК6 max = IБ7 max =350/40 = 8,7 мА.

Наибольшая рассеиваемая на коллекторе мощность

PК 5.Q = PК 6.Q = U S1 ⋅ I Б .7 СР
, (9)
где: IБ7 СР = IK5 СР = IБ7 max /π (10)

IБ7 СР = IK5 СР = 8,7 / 3,14 = 2.77 мА

PK5.Q=15*2.77=41.55 мВт

Наибольшее напряжение
U К . Е . МАКС =U S 1 +Uн.m (11)
U К . Е .МАКС = 15 +11 = 26 В
Выбираем комплементарную пару транзисторов КТ361В и КТ315В с
параметрами:
PК .МАКС .T =150 мВт, I К .МАКС =100 мА, U Б .Е =0,7 В,
U К . Е .МАКС
=40 В, h21E =55.

Максимальный ток базы транзисторов VT5 и VT6

IБ5 max = IК5 max / h21E (12)
IБ5 max= 8.7/55 = 0.16 мА

Ток базы покоя

IБ5 Q = IК5 Q / h21E
IБ5 max= 2.77/55 = 0.05 мА

Сопротивления резисторов R10, R11:

Считая IK5 СР ≈ IЭ5 СР , получим
U БЕ 7 + U R12
R10 = R11 = , (13)
I Э 5СР 7
где: UR12 = IK7 СР * R12 . (14)

UR12 = 0.35 * 1=0.35 В .

0.7 + 0.35
R10 = R11 = = 0.379 кОм
2.77
Выбираем R10=R11=360 Ом по ряду Е24.

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 5
 4.4 Расчет параметров цепи смещения

Напряжение смещения
U СМ = 2 ⋅ (U БЕ .7 +U БЕ .5 +U R12 ) (15)

Иначе:
U СМ =U R 6 +U R 7 , (16)

т.е.: R6 /R7 = (UСМ/UR6) – 1 (17)

Задаемся током IR6=IR7=0.5 мА, принимаем R7=3 кОм

U СМ = 2 ⋅ (0.7 + 0.7 + 0.35 ) =1.75 В

UR7=0.5*3=1.5 В

UR6=1,75-1,5=0,25 В

R7=0.25/0.5=0.5 кОм

Выбираем по ряду Е6 переменный резистор сопротивлением 1 кОм

4.5 Расчет параметров для выбора транзистора VT3.

Наибольший ток коллектора транзистора VT3 (для данного примера)

I К 3. max = 3 ⋅ I Б 5.МАКС = 3 * 0,05 = 0,15 мА

Наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе

U СМ
PК 3. max = U KE .3 ⋅ I К 3. max = (U S1 − ) ⋅ I К 3. max (18)
2
1.75
PК 3. max = (15 − ) ⋅ 0.15 =0,61 мВт
2
Напряжение UКЭ max =(US1 + UСМ/2)
(19)
UКЭ max =(15 + 0,875)=15,875 В ≈16 В

Выбираем транзистор, например типа, КТ3107И, со следующими

паспортными параметры:
PК .МАКС = 0,3Вт , I К .МАКС = 100 мА , U Б .Е = 0,7 В ,
U К .Е .МАКС = 30 В , h21.E = 200.

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 6
 4.6 Расчет параметров для выбора транзистора VT4

Наибольший ток коллектора

I К 4 max = 3 ⋅ I Б 6 max (20)

I К 4 max = 3 ⋅ 8.7 = 26 .1 мА

Максимальная рассеиваемая мощность

PК 4 max =U КЭ 4 ⋅ I К 4 max = (U S 1 −U СМ ) ⋅ I К 5 max (21)

PК 4 max = (15 −1.75 ) * 26 .1 = 346 мВт

Выбираем транзистор КТ603А

PKmax=0,5 Вт UКЭmax=30 В IKmax=300 мА

h21Э=50 fГр=200 Мгц

4.7 Расчет параметров цепи обратной связи.

Расчет резисторов R8, R9

(U S 1 − 0,5U СМ ) * 3,14
R8 + R9 = (22)
I К 3. max

(15 − 0.875 ) * 3,14

R8 + R9 = = 295 кОм
0.15

R8=R9=150 кОм - (по ряду Е24)

8...12
C3 = (23)
2 ⋅ π ⋅ fн ⋅ R9
10
C3 = =0,48 мкФ
2 ⋅ 3,14 ⋅ 22 ⋅150000

Выбираем емкость конденсатора С3=0,56 мкФ по ряду Е24

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 7
 4.8 Расчет параметров дифференциальной ступени усиления.

Подбираем для дифференциального каскада VT1 и VT2 транзисторы с

большим коэффициентом усиления, например КТ3102Г

PК .МАКС = 0,3Вт , I К .МАКС = 100 мА , U Б .Е = 0,7 В ,

U К .Е .МАКС = 30 В , h21.E = 200.

Принимаем ток коллекторов VT1, VT2

IK1 >> IБ3 (24)

IБ3= IK3/ h21E=0,15/200= 0,00075 мА

IK1 max = 1 мА >> IБ3

При этом ток базы

IБ1 = IK1 max/h21E .

IБ1 =1/200=0,005 мА

Напряжение на базах транзисторов VT1, VT2

UБ1 = UБ2 = - R1* IБ1 (25)

Принимаем R1 = 15 кОм (Е24)

UБ1 = UБ2=15*0,005=0,075 В

Расчет оставшихся сопротивлений схемы.

Сопротивления резисторов R2, и R3

R2 = UБЭ 3 / (IК1 - IБ3) . (26)

R2 = 0,7 / (1 – 0,005)=0,7001 кОм

Принимаем R2 = 680 Ом (по ряду Е24)

R3 = (UБ1 - UБЭ 1 - US2) / (IК1 + IК2) .

R3 = (0,075 - 0,7 – (-15)) / (1 + 1)=7,11 кОм

Принимаем R3 = 6,8 кОм (по ряду Е24)

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 8
 R5
R4 = , (27)
k −1
где k-коэффициент усиления предпоследней ступени.
Uн
k= (28)
U ВХ
11
k= =14 .7
0.75

Выбираем R5 = 5,6 кОм (Е24),

5.6
R4 = = 0.408 кОм
13 .7

Принимаем R4 = 430 Ом по ряду Е24.

4.9 Определение емкости конденсатора С1

1
C1 = (29)
2 ⋅ π ⋅ fн ⋅ R1 ⋅ M 2 Н 1 − 1

Принимаем коэффициент нижних частотных искажений равным 1.1,

тогда
1
C1 = = 0.94 мкФ
2 ⋅ 3.14 ⋅ 22 ⋅15000 ⋅ 1.21 −1

По ряду Е24 выбираем конденсатор К50-16 1мкФ-25В

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 9
 Обозначе- Примеч.
ние Наименование К-во
Резисторы
R1 С2-22-0,125-15кОм ± 5% 1
R2 С2-22-0,125-680 Ом ± 5% 1
R3 С2-22-0,125-6,8 кОм ± 5% 1
R4 С2-22-0,125-430 Ом ± 5% 1
R5 С2-22-0,125-5,6 кОм ± 5% 1
R6 С2-22-0,125-3 кОм ± 5% 1
R7 СП3а-1кОм 1
R8, R9 С2-22-0,125-150 кОм ± 5% 1
R10, R11 С2-22-0,25-560 Ом ± 5% 2
R12, R13 С2-22-2-1 Ом ± 5% 2
Транзисторы
VT1, VT2 КТ3102Г 2
VT3 КТ3107И 1
VT4 КТ603А 1
VT5 КТ315В 1
VT6 КТ361В 1
VT7 КТ815А 1
VT8 КТ814А 1
Конденсаторы
С1 К50-16 1мкФ-25В 1
С2 К10-17-1”б” 0,01 мкФ, 50 В 1
С3 К10-17-1”б” 0,56 мкФ, 50 В 1

Перечень элементов

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 10
 УМ.КП.018.Э3
Литера Масса Масштаб
Изм.Литера № докум Подпись Дата Усилитель мощности
Разраб. Схема электрическая У
Провер. принципиальная
Т.контр. Лист: Листов:

Н.контр
НГУ
Утв. ФИТ ТС-07
 4 отв Ø 4,5

75

50

УМ.КП.018.ПП
Литера Масса Масштаб
Изм Литера № докум Подпись Дата
Разраб. .
Усилитель мощности У
Провер. Печатная плата
Т.контр. Лист: Листов:
НГУ
Н.контр СФ-1-35
Утв. ФИТ ТС-07
 1,5 15 max

УМ.КП.018.СБ
Литера Масса Масштаб
Изм Литера № докум Подпись Дата
Разраб. .
Усилитель мощности У
Провер. Сборочный чертеж
Т.контр. Лист: Листов:
НГУ
Н.контр СФ-1-35
Утв. ФИТ ТС-07
 Выводы
В ходе выполнения курсового проекта был рассчитан усилитель
мощности звуковых частот. Также была разработана печатная плата для этого
усилителя.

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 14
 Перечень литературы
1. Конспект лекций по предмету «Основы схемотехники»
2. Методические указания к расчету ПП2
3. Методические указания к оформлению КП
4. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник, Энергоатомиздат,
М., 1983

Лист

Изм.Лист № докум Подпись Дата

УМ.КП.018.ПЗ 15