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Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece
a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por
tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata
de un dispositivo simétrico).
Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única variable
que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de
puerta.
Ecuación de Shockley:
ID=IDSS(1-
VGS/Vp)2
Donde:
El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,
partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John
Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.
Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas, pero
la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET
en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las
terminales del dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje
aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde
el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial),
controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la
fuente están en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior,
debido a que la terminología se define para el flujo de electrones.
Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo
superior de ambos materiales tipo p. La razón para el cambio en la anchura de la región
se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia
uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que
aparecen en la figura siguiente. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a
través del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la región
superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con
la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la explicación
de la operación del diodo, que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada, mayor
será la anchura de la región de agotamiento, de aquí la distribución de la región de
agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unión p-n esté
inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de
compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A
es una importante característica del JFET.
Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores
tipo NPN ó PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una
enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues
funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente.
En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET
(el electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico), los tipo unijuntura, los
MOS o de óxido metálico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS
(usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc.
Existe una innumerable cantidad de diseños, especializados para alta potencia, bajo
ruido eléctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensión, aplicaciones de
conmutación, etc.
P-channel
N-channel
Símbolos esquemáticos
para los JFETs canal-n y
canal-p.
G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain) y
S=Fuente(Source).
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-
Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).
La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo
se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una
tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no
conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados
extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los
circuitos integrados o chips digitales.
Contenido
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• 1 Historia
• 2 Tipo de transistores de efecto campo
• 3 Características
• 4 Enlaces externos
[editar] Historia
Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand (5 años después de los BJT).
Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 60's.
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P.
El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de
FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en
modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el
método de aislamiento entre el canal y la puerta. Los tipos de FETs son: Podemos
clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal
y la puerta:
. La característica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o
del silicio policristalino.
[editar] Características
• Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
• No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).
• Hasta cierto punto inmune a la radiación.
• Es menos ruidoso.
• Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
TRANSISTORES FET
Canal N Canal P
TRANSISTORES MOSFET
Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la fuente "S"
Tipo N Tipo P
De doble puerta
Características de transferencia:
Es una curva de corriente de drenaje, como función del voltaje de compuerta – fuerte,
para un valor constante del voltaje Drenaje – Fuerte. La característica de transferencia
puede observarse directamente sobre un trazo de curvas, obtenida de la medición de la
operación del dispositivo, dibujada en la característica de drenaje.
Tipos de Fet:
Configuraciones:
Así como existen las configuraciones del BJT, lo existen para los JFET.
Los amplificadores de voltaje proporcionan una señal de voltaje lo bastante grande para
las etapas amplificadoras de señal grande a fin de operar esos dispositivos de salida
como altavoces y motores.
Un amplificador de señal grande debe operar en forma eficiente y ser capaz de manejar
grandes cantidades de potencia (en watios).
Existen cuatro clasificaciones principales: Clase A, Clase B, Clase AB, Clase C. en este
modulo se analiza los dos primeros.
Operación en Clase A:
Fue considerado al inicio de los transistores (BJT), donde los amplificadores reproducen
totalmente la señal de entrada. La corriente de colector es distinta de cero todo el
tiempo. Esta clase es ineficiente, porque sin señal de entrada, existe uno que es diferente
de cero y el transistor disipa potencia en condiciones estática o de reposo.
El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos
regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas
entre si. Ver la figura
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar
del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la
que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET
Este gráfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente),
para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rápidamente (se
comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estricción),
desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B
(entra en la región de disrupción o ruptura), desde donde la
corriente aumenta rápidamente hasta que el transistor se destruye.
donde:
- IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0
- Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente
(ID = 0)
- Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber
ID
Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del
canal), se puede comparar este comportamiento como un resistor cuyo valor
depende del voltaje VDS. Esto es sólo válido para Vds menor que el voltaje de
estricción (ver punto A en el gráfico).
I.- OBJETIVOS
En los transistores bipolares, una pequeña corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeño voltaje de
entrada que controla la corriente de salida.
- El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, también conocido como
semiconductor de óxido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.
EL JFET
El JFET esta constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o
anillo de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. A
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula
únicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN.
También se construyen JFET’s con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N,
denominándose “JFET canal P”.
Si se aplica polarización directa a la compuerta, circulará una alta corriente por la compuerta
que puede destruir el JFET si no esta limitada por una resistencia en serie con la compuerta.
Entre Drenador y surtidor, el valor óhmico exclusivamente del material del canal. Su valor varía
entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos.
Un transistor 2N3904
Un JFET K373
Potenciómetro de 10KΩ.
IV.- PROCEDIMIENTO
MEDICION DE IDSS Y VP
1º Arme el circuito mostrado en la Fig. 1A, coloque un amperímetro entre el circuito y la fuente
de voltaje, encienda esta y observe tanto el amperímetro como el LED, si no pasa corriente
(LED apagado), apague la fuente e invierta las conexiones del LED. (Verifique la posición del
LED).
VDS 8V
VGS 0V
VGD 8V
IS 5 mA
ID 5.5 mA
IG 0 mA
VDS 8.5 V
VGS -1.85 V
VGD 11 V
IS 0 mA
ID 0 mA
IG 0 mA
IDSS = 5 mA
VP = - 1.85 V
POLARIZACION FIJA
Arme el siguiente circuito, ubique en forma adecuada los instrumentos tal que pueda medir ID y
VGS; encienda las fuentes y anote los valores de ID y VGS así también VDS. De ser posible
cambie el transistor con otra mesa y anote las nuevas medidas.
IS 2mA 1.93mA
ID 1.8mA 1.93mA
IG 0mA 0mA
VDS = 6.13 V
AUTOPOLARIZACION
Arme el circuito mostrado. Conecte adecuadamente los instrumentos para medir ID y VGS,
encienda las fuente y anote los valores de ID, VGS y las demás tensiones del circuito.
Todo circuito debe ser armado con las fuentes apagados previamente ajustadas al valor dado
en el diagrama.
IS 2 mA 2.3 mA
ID 2.3 mA 2.3 mA
IG 0 mA 0 mA
VGS = - ID . RS
Eligiendo ID = 4 mA
VGS = - 1.1 V
Estos dos datos nos permiten graficar y mediante la superposición de gráficas se obtienen los
siguientes datos:
IDQ = 2.3 mA
VGSQ = - 0.65 V
VDS = 5.23 V
VD = 5.86 V
VG = 0V
Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID así como las tensiones en los diferentes
nudos y puntos del circuito.
Los resultados se muestran en la siguiente tabla:
IS 2 mA 2.1 mA
ID 2.1 m A 2.1 mA
IG 0 mA 0 mA
VG = (R2.VDD)/(R1 +R2)
VG = 2.48 V
IDQ = 2.1 mA
VGSQ = - 0.7 V
VDS = 6.28 V
VD = 9.43 V
VG = 2.48V
Arme el circuito mostrado y realice las medidas de ID, IC y las tensiones entre terminales de los
dispositivos (JFET Y BJT) así como en los demás puntos del circuito.
VGD 8.3 V 9V
IS 1.97 mA 1.97 mA
ID 2 mA 1.97 mA
IG 0 mA 0 mA
VE = -10V - ( -0.7V)
VE = - 9.3 V
Luego IE = (9.3V)/(4.7K)
IE = 1.97 mA
Además : IE = IC = ID = IS
Usando el valor de ID = 1.97 mA, se puede determinar el valor VGS mediante la gráfica
mostrada en papel milimetrado.
VGS = - 0.80 V
VC = VB – VGS = 0 V –(-0.80V)
VC = 0.8 V
VDS = 8.27 V
VGD = VD – VG = 9 V – 0 V = 9 V
V.- CUESTIONARIO
El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT.
El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de
polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo
eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de Drenador y Source. Al aumentar el
voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Source a
Drenador disminuye.
¿Qué diferencia y similitudes existen entre el JFET y el BJT?
La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el BJT es un
dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo
controlado por voltaje. En otras palabras, la corriente IC es una función directa del nivel de IB.
Para el FET la corriente ID será una función del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito.
La semejanza que hay entre el JFET y un transistor bipolar es que ambos dispositivos tienen
tres terminales de conexión externas, ambos tiene dos diodos internos con una barrera de
potencial de 0.7 V y ambos tienen tres regiones de interés. Además ambos pueden amplificar
una señal de entrada y son dispositivos de control de corriente IC ó ID.
El JFET tiene una impedancia de entrada casi infinita, pero el precio que se paga por esto es
una pérdida de control sobre la corriente de salida. En otras palabras, un JFET es menos
sensible a cambios de voltaje de entrada que un transistor bipolar. En casi cualquier FET un
cambio en VGS de 0.1 V produce una variación de la corriente de drenador menor que 10 m.
Pero en un transistor bipolar el mismo cambio en VBE produce una variación en la corriente de
salida mayor que 10 mA.
¿Qué significa esto? Significa que un amplificador JFET tiene mucho menor ganancia de
voltaje que un amplificador bipolar. Por esta razón la primera regla de diseño que gobierna a
los dispositivos es ésta: utilice bipolares para ganancia de voltaje alta y emplee JFET para alta
impedancia de entrada.
Cuando un receptor se sintoniza de una estación débil a una estación fuerte, la bocina produce
un sonido muy intenso a menos que el volumen se reduzca inmediatamente. O el volumen
pueda variar debido a un desvanecimiento, una variación en la fuerza de la señal causada por
un cambio eléctrico en la trayectoria entre las antenas de recepción y transmisión. Para evitar
cambios no deseados en el volumen, la mayoría de los receptores utilizan control de ganancia
automática (CGA).
5.- Justifique teóricamente los voltajes y medidas experimentales. Considere IDSS = 6 mA y VP
= -2V
En la gráfica se puede observar que cuando el voltaje VGS = 0 se tiene una corriente máxima
de drenador de 4.78 mA. Además mientras se aumenta el voltaje negativo de compuerta la
corriente de drenador va disminuyendo tal como se puede observar en la gráfica en papel
milimetrado mostrado. Cuando el voltaje negativo de compuerta esta en –1.6 V se tiene una
corriente de 0 mA.
IDSS = 4.7 mA
y VP = -1.6 V
ANEXO
Para graficar la curva de transferencia se tomaron 17 datos del voltaje VGS y la corriente ID,
los cuales nos permitieron encontrar el valor de :
IDSS = 4.78 mA
VP = -1.6 V
VGS(V) ID(mA)
-1.6 V 0 mA
- 1.5 V 0.02 mA
- 1.4 V 0.08 mA
- 1.3 V 0.20 mA
- 1.2 V 0.37 mA
- 1.1 V 0.56 mA
-1V 0.77 mA
- 0.9 V 1.18 mA
- 0.8 V 1.38 mA
- 0.7 V 1.70 mA
- 0.6 V 2.30 mA
- 0.5 V 2.44 mA
- 0.4 V 2.85 mA
- 0.3 V 3.28 mA
- 0.2 V 3.78 mA
- 0.1 V 4.26 mA
0V 4.78 mA
En los transistores bipolares, una pequeña corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeño voltaje de
entrada que controla la corriente de salida.
El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, también conocido como
semiconductor de óxido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.
EL JFET
El JFET esta constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o
anillo de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. A
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula
únicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN.
También se construyen JFET’s con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N,
denominándose “JFET canal P”.
Entre compuerta y surtidor o compuerta y Drenador debe marcar como si fuera un diodo de
silicio; es decir alta resistencia en un sentido y baja en el inverso.
Entre Drenador y surtidor, el valor óhmico exclusivamente del material del canal. Su valor varía
entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos.
En los transistores bipolares, una pequeña corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeño voltaje de
entrada que controla la corriente de salida.
El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, también conocido como
semiconductor de óxido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.
Ganancia de Voltaje
La ganancia de voltaje de un amplificador FET puede obtenerse del circuito equivalente de ac.
Del circuito equivalentes de ac se puede observar que:
VO = - (gm.Vgs)(RD||rd)
AV = VO/Vi = [- (gm.Vgs)(RD||rd)]/Vgs
AV = - gm.(RD||rd)
Si el valor de la resistencia del dispositivo, rd, es mucho mayor que la resistencia del circuito,
RD, la ecuación para la ganancia de voltaje es casi igual a :
AV = - gm.RD
Indice
1. Ventajas y desventajas del FET
2. Tipos de FET
3. Operación y construcción del JFET
4. Variación de la tension compuerta a fuente en el FET
5. Operación y construcción del MOSFET
6. Polarización de los FET
1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden
de 107 W ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que
la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un
amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen
requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un
mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener
una densidad de empaque mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para
valores pequeños de tensión de drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Existen varias desventajas que limitan la utilización de los FET en algunas aplicaciones:
1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia
de entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.
2. Tipos de FET
Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero solo tiene una
unión pn en vez de dos, como en el BJT. El JFET de canal n, mostrado en la figura
4.1(a), se construye utilizando una cinta de material de tipo n con dos materiales de tipo
p difundidos en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene una cinta de material de
tipo p con dos materiales de tipo n difundidos en ella, como se muestra en la figura
4.1(b).
Para entender la operación del JFET, se conecta el JFET de canal n de la figura 4.1(a) a
un circuito externo. Se aplica una fuente de tensión, VDD, al drenaje (esta es analoga a
la fuente de tension VCC para el BJT) y se envía a tierra. Una fuente de tensión de
compuerta, VGG, se aplica a la compuerta (aquella es analoga a la VBB para el BJT).
Esta configuración se muestra en la figura 4.2(a). VDD proporciona una tensión drenaje
a fuente, vDS, que provoca una corriente de drenaje, iD, del drenaje a la fuente. La
corriente de drenaje, iD, que es identica a la corriente de fuente, existe en el canal
rodeado por la compuerta de tipo p. La tensión compuerta a fuente, vGS, que es igual a
–VGG crea una region desertica en el canal, que reduce el ancho de este y por tanto
aumenta la resistencia entre drenaje y fuente. Como la unión compuerta –fuente esta
polarizada en inverso, el resultado es una corriente de compuerta nula.
(4.1)
Por tanto, solo se necesita conocer IDSS y VP, y toda la característica quedara
determinada. Las hojas de datos de los fabricantes a menudo dan estos dos parámetros,
por la que se puede construir la característica de transferencia o utilizar la ecuación 4.1
directamente. El parámetro de control para el FET es la tensión compuerta-fuente en
lugar de la corriente de base, como en el BJT.
La región entre el estrangulamiento y la ruptura por avalancha se denomina región
activa, región de operación del amplificador, región de saturación o región de
estrangulamiento, como se muestra en la figura 4.5. La región ohmica (antes del
estrangulamiento) a veces se denomina región controlada por tensión. El FET opera en
esta región cuando se desea un resistor variable y en aplicaciones de conmutación.
La tensión de ruptura es función de vGS así como de vDS. Conforme aumenta la
magnitud entre compuerta y fuente (más negativa para el canal n y más positiva para el
canal p), disminuye la tensión por ruptura. Con vGS = VP, la corriente de drenaje es
cero (excepto por una pequeña corriente de fuga), y con vGS = 0, la corriente de drenaje
se satura a un valor
iD = IDSS
(4.2)
(4.3)
(4.7)
MOSFET de empobrecimiento
Las construcciones de los MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p se
muestran en las figuras 4.9 y 4.10, respectivamente. En cada una de estas figuras se
muestra la construcción, el simbolo, la caracteristica de transferencia y las
caracteristicas iD-vGS. El MOSFET de empobrecimiento se construye (como se
muestra en la figura 4.9(a) para el de canal n y en la figura 4.10(a) para el de canal p)
con un canal fisico construido entre el drenaje y la fuente. Como resultado de ello,
existe una iD entre drenaje y fuente cuando se aplica una tension, vDS.
El MOSFET de empobrecimiento de canal n de la figura 4.9 se establece en un sustrato
p, que es silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente
y el drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal n y los
contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa de
SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal n, como se muestra en la figura
4.9(a). Se deposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO2 para formar el
material de compuerta (G). El desempeño del MOSFET de empobrecimiento, es similar
al del JFET, como puede verse en las figuras 4.9(C) y 4.10(C). El JFET se controla por
la unión pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No existe dicha unión
en el MOSFET enriquecimiento, y la capa de SiO2 actúa como aislante. Para el
MOSFET de canal n, mostrado en la figura 4.9, una vGS negativa saca los electrones de
la región del canal, empobreciéndolo. Cuando vGS alcanza VP, el canal se estrangula.
Los valores positivos de vGS aumentan el tamaño del canal, dando por resultado un
aumento en la corriente de drenaje. Esto se indica en las curvas caracteristicas de la
figura 4.9(C).
MOSFET de enriquecimiento
El MOSFET de enriquecimiento difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no
tiene la capa delgada de material n sino que requiere de una tension positiva entre la
compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la acción de una
tension positiva compuerta a fuente, vGS, que atrae electrones de la región de sustrato
ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una vGS positiva
provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de oxido.
Cuando la tensión alcanza el valor de umbral, VT, han sido atraidos a esta región los
electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habra una
corriente apreciable iD hasta que vGS excede VT.
(4.10)
Los mismos circuitos básicos de la figura 3.6 que se utilizan para polarizar los BJT se
pueden emplear para los JFET y los MOSFET de empobrecimiento, la polaridad de
vGS puede ser opuesta a la de la fuente de tension del drenaje. Cuando se selecciona el
punto de operación, no hay tensión de polaridad opuesta disponible de la fuente para
cumplir con los requerimientos del circuito. Puede ser necesario descartar R2 de manera
que solo se obtenga una tensión de la polaridad correcta. No siempre es posible
encontrar valores de un resistor para lograr un punto Q en particular. En tales casos,
seleccionar un nuevo punto Q puede proporcionar a veces una solución al problema.
Análisis de un amplificador FC
En la figura 4.13© se muestra el circuito equivalente en ca para el amplificador FET. Se
supone que rDS es grane comparada con RDllRL, por lo que se puede despreciar.
Escribiendo la ecuación de LTK alrededor del circuito de compuerta, se encuentra