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AMPLIFICADOR DARLINGTON

Faber Ernesto Pérez Castiblanco

David Stevent Avila Vela

SENA (CEET)

En la electrónica el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.

La configuración originalmente realizada con dos transistores separados fue inventada por el ingeniero de los laboratorios Bell Sídney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número arbitrario de transistores que originaria la idea moderna de circuito integrado.

Los Abstract in the next report will show and take into account the development and that is the Darlington amplifier and so look pros and cons of this amp when using it to reach a conclusion of this configuration consists of two transistors downhill.

I.

INTRODUCCION

E STE informe se realiza para dar a conocer y ampliar el tema de transistores que se esta

viendo en la parte técnica en electrónica, así con

este informe que nos ampliara el conocimiento en otro tipo de transistor que en un nuevo pasar del tiempo lo podamos utilizar para innovar un dispositivo o crearlo con ayuda de ese amplificador.

II.

AMPLIFICADOR

DARLINGTON

con ayuda de ese amplificador. II. AMPLIFICADOR DARLINGTON Esta configuración sirve para que el dispositivo sea

Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tienen un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor. Y para transistores de silicio es superior a 1.2V. la beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la

las de los transistores individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la

beta

total.

beta total. β Si β que: 1 β β y β β 2 son suficientemente grand

β

Si β

que:

1

β

β

y β

β

2

son suficientemente grand

es, se da

que: 1 β β y β β 2 son suficientemente grand es, se da Un inconveniente

Un inconveniente es la duplicación aproximada

que hay dos

uniones entre la base y emi sor de los

base-emisor

equivalente es la suma de ambas ten siones base- emisor:

transistores Darlington, el voltaje

de la base-emisor de tensión. Ya

Darlington, el voltaje de la base-emisor de tensión. Ya Para la tecnología basada en silici o,

Para la tecnología basada en silici o, en la que cada V BEi es de aproximadame nte 0,65 V cuando el dispositivo está funcio nando en la región activa o saturada, la tensión base-emisor necesaria de la pareja es de 1,3 V.

Otro inconveniente del par Darlingt on es el aumento de su tensión de saturación . El transistor de salida no puede saturar se (es decir, su unión base-colector debe perman ecer polarizada en inversa), ya que su ten sión colector-emisor es ahora igual a la s uma de su propia tensión base-emisor y la tens ión colector- emisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento nor mal. (En

ecuaciones, V CE2 = V BE2 + V CE1 , así

siempre.) Por lo tanto, la tensión de saturación de un transistor Darlington es un V B E (alrededor de 0,65 V en silicio) más alto que la tensión de

saturación de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el silici o. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un aum ento de la potencia disipada por el transistor D arlington comparado con un único transistor.

V C2 > V B2

Otro problema es la reducción de l a velocidad de conmutación, ya que el primer tr ansistor no puede inhibir activamente la corrien te de base de la segunda, haciendo al dispositi vo lento para apagarse. Para paliar esto, el segund do transistor suele tener una resistencia de ciento s de ohmios conectada entre su base y emisor. E sta resistencia permite una vía de desca rga de baja impedancia para la carga acumulad a en la unión base-emisor, permitiendo un rápido apagado.

III.

CONCLUSIO NES

Se demostró que el amplificad or Darlington a la salida disminuye la impe dancia y esto conlleva a que la corriente y la tensión sean más altas.

El β en este tipo de transistor

es demasiado

β alto y si el material es de silici o el V BE va a ser igual a 1,4v.

β

IV.

REFERENC IAS

- HTTP://WWW.FOROSDEELE CTRONICA.C OM/F31/AMPLIFICADOR-DA RLINGTON-

7907/

HP/DARLINGT.HTM

OM / F 31/ AMPLIFICADOR - DA RLINGTON - 7907/ - HTTP :// WWW . ANGELFIRE