Crecimiento

Crecimiento de cristal
 Después de que una nucleación estable se ha formado esta crece a
una razón fija por las condiciones de temperatura y grado de
supersaturación.
 La naturaleza de la interfaz entre un cristal y la fase desde la cual esta
creciendo se espera que tenga una influencia decisiva sobre la cinética
y la morfología de cristalización
 Cada uno de los modelos usados para describir el proceso de
cristalización se basa en una suposición diferente concerniente a la
interfaz y la naturaleza de los sitios de la interfaz donde los átomos son
añadidos o removidos.
 el proceso de cristalización que involucra pequeños cambios de
entropía (Δs>2R) el paquete mas cercano de los planos de la interfaz
deben ser una superficie áspera en escala atómica, y el radio de
crecimiento anisotropico, las diferencias en radio de crecimiento por
diferentes orientaciones, debe ser pequeño
 Para la cristalización que involucra grandes cambios de entropía
(Δs>4R), los paquetes mas cercanos la fase debe ser suave, el menos
cercano debe ser áspero y el radio de crecimiento anisotrópico debe
ser grande.
  Los grandes cambios de entropía se esperan para crecimiento desde
el vapor o soluciones diluidas, asi como del crecimiento de
compuestos orgánicos e inorgánicos, incluyendo silicatos y boratos,
desde la fundición.

 Pequeños cambios de entropía se esperan para el crecimiento de

metales SiO2 y GeO2 desde la fundición.

 Las predicciones basadas en el modelo de Jacson han sido

confirmadas por muchas observaciones experimentales.
 Los procesos de cristalización involucran grandes cambios de entropía
generalmente caracterizados por facetas morfológicas de interfaz

 La cristalización que involucra pequeños cambios de entropía se

caracteriza bajo condiciones similares por no facetas morfológicas de
interfaz lo cual es típico de un crecimiento isotrópico cercano.
 Para materiales con interfaz rugosa en escala atómica la fracción de
sitios de crecimiento en la interfaz es esperado del orden de la unidad.
No debe variar fuertemente con el subenfriamiento

Para materiales con interfaz suaves en escala atómica, se espera que el

crecimiento sea afectado por defectos. Para cristales suficientemente
perfectos, barreras de nucleación a la formación de nuevas capas deben
ser notadas.

Para materiales con interfaz suaves en escala atómica, se espera que el

crecimiento sea afectado por defectos. Para cristales suficientemente
perfectos, barreras de nucleación a la formación de nuevas capas deben
ser notadas.
 Procesos de crecimiento de cristal.
 1.-Crecimiento Normal (Superficie Rugosa)
 2.- Crecimiento de dislocaciones tornillo.
 3.- Crecimiento en la superficie de nucleación.
 Crecimiento normal

 Cuando los átomos pueden ser

añadidos o removidos de cualquier sitio
de la interfaz, el radio de crecimiento
puede ser expresado como:

 ΔG se puede tomar como proporcional

al subenfriamiento. El factor de
frecuencia v se puede expresar por:

 Para pequeñas particiones desde el equilibrio (ΔG<<KT) este

modelo predice una relación lineal entre el radio de crecimiento y
el subenfriamiento. Para grandes particiones desde el equilibrio
(ΔG>>KT), el modelo predice un radio de crecimiento limite.
Crecimiento de dislocaciones tornillo
La fracción f de sitios de
crecimiento preferencial en la
interfaz de crecimiento desde la
fundición:

El incremento de f con subenfriamiento

reflecta el enrollamiento de la
dislocación en un espiral, con el
acompañamiento del decrecimiento de
la separación entre los extremos de la
dislocación. Para pequeñas
separaciones desde el equilibrio, este
modelo predice un radio de crecimiento
el cual varía como el cuadrado del
subenframiento.
 Crecimiento en la superficie de nucleación

En este proceso el crecimiento toma lugar en

sitios provistos por nuclei de dos dimensiones
formados sobre la interfaz y la razón de
crecimiento es la mostrada.

La constante de la exponencial B depende del modelo usado en el

análisis, pero en todos los casos es proporcional al cuadrado del
envejecimiento de la energía de la superficie del nucleo 2-D.

•Crecimiento de cristal desde el vapor o soluciones diluidas.

•Crecimiento desde el estado liquido.
 
Crecimiento de cristal desde el vapor o
soluciones diluidas.