Московский государственный технический университет имени Н.Э.

Баумана

Кафедра РЛ-1

ОТЧЕТ
О ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТАХ ПО КУРСУ

"ОСНОВЫ КОМПЬЮТЕРНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ И МОДЕЛИРОВАНИЯ

РЭС"

выполнил _______________ Петров М. С.

подпись, дата

проверил ________________ Загидуллин Р. Ш.

подпись, дата
 Москва, 2010

Содержание
Содержание..................................................................................................................................................2
1 Исследование амплитудной модуляции.................................................................................................3
1.1 Использование функциональных генераторов...............................................................................3
1.2 Использование макросов ..................................................................................................................4
1.3 Получение модуляционных характеристик и настройка схемы амплитудного модулятора на
биполярном транзисторе.........................................................................................................................8
1.4 Исследование амплитудной модуляции на основе элемента с квадратичной ВАХ.................12
1.5 Создание макроса для получения АМ модуляции.......................................................................15
......................................................................................................................................................................17
2 Исследование генераторов с жестким режимом возбуждения..........................................................17
2.1 Исследование симметричного мультивибратора..........................................................................17
2.2 Исследование ждущего мультивибратора.....................................................................................21

2
 1 Исследование амплитудной модуляции
Исходные данные для моделирования в соответствии с вариантом (№ 12): несущая частота
f 0 = 310 кГц, частоты модуляции Fmod 1 = 3.1 кГц, Fmod 2 = 2.9 кГц.

1.1 Использование функциональных генераторов

В соответствии с формулой, определяющей временную зависимость для АМ сигнала,
создаем функциональный генератор E1.

Рисунок 1 – Функциональный генератор АМ сигналов в MC7

Осциллограмма сигналов на выходе генератора для Fmod 1 = 3.1 кГц и Fmod 2 = 2.9 кГц
представлены на рисунках 2 и 4 соответственно, а их спектры на рисунках 3 и 5.

Рисунок 2

Рисунок 3

3
 Рисунок 4

Рисунок 5

1.2 Использование макросов

Рисунок 6 - Генератор АМ сигналов в МС7 на основе макросов

Результаты исследования схемы представлены на рисунках 7 – 14.
4
 Рисунок 7 - Осциллограмма несущего колебания

Рисунок 8 - Осциллограмма модулирующего колебания

Рисунок 9 - АМ сигнал при m=0,5

5
Рисунок 10 - Спектр АМ сигнала при m=0,5

Рисунок 11 - АМ сигнал при m=0,3

Рисунок 12 - Спектр АМ сигнала при m=0,3

6
 Рисунок 13 - АМ сигнал при m=0,75

Рисунок 14- Спектр АМ сигнала при m=0,75

7
 1.3 Получение модуляционных характеристик и настройка схемы амплитудного
модулятора на биполярном транзисторе

Рисунок 15 - Схема амплитудного модулятора на биполярном транзисторе

Определим параметры колебательного контура из условия его настройки на несущую

1 L
частоту: f r = = 310 кГц, добротность контура при этом положим равной 50: C
2π LC Q= = 50
r
, где сопротивление потерь r = 1 Ом. Решая эти уравнения, находим параметры контура:
C = 10 .3 нФ, L = 25 .7 мкГн. Построим АЧХ контура в MC7:

8
 Рисунок 16 – АЧХ отдельного колебательного контура
Однако при включении контура в схему его резонансная частота смещается в меньшую
сторону, что обусловлено подключением параллельно контуру емкости коллекторно-эммитерного
перехода.

Рисунок 17 - АЧХ модулятора без точной настройки

Для точной настройки контура построим АЧХ модулятора и определим по ней новую

1
резонансную частоту как f r1 = = 308 .9 кГц. Отсюда находим внутреннюю емкость
2π L(C + C вн )

транзистора C вн = 73 пФ и корректируем параметры контура: C = 10 .2 нФ. АЧХ точно

настроенного модулятора представлена на рисунке 18.

9
 Рисунок 18 - АЧХ точно настроенного модулятора

Для выбора рабочей точки построим статическую модуляционную характеристику при

амплитуде высокочастотного колебания U ω = 100 мВ.

Для получения статической модуляционной характеристики используем следующую схему:

10
 Рисунок 19 - Статическая модуляционная характеристика при
амплитуде несущего колебания 100 мВ
Рабочую точку выбираем на середине линейного участка модуляционной характеристики:
E см = 0.75 В, амплитуда несущего колебания U ω = 100 мВ, амплитуда модулирующего

UΩ
колебания U Ω = 50 мВ, индекс модуляции m = = 0,5 .
Uω

Рисунок 20 - Сигнал на входе модулятора

11
 Рисунок 21 - Сигнал на выходе модулятора
U max − U min
По осциллограммам определяем глубину модуляции: m = = 0.471 .
U max + U min

При повышении частоты несущего колебания на 35%, размах сигнала заметно

уменьшается, а также появляются значительные искажения в его форме, о чем свидетельствует
рисунок 22. Эти явления связаны с расстройкой контура относительно несущей частоты.

Рисунок 22

1.4 Исследование амплитудной модуляции на основе элемента с квадратичной ВАХ

Схема модулятора АМ сигналов с использованием генератора тока, характеристика
которого аппроксимируется полином второй степени, приведена на рисунке 23.

12
 Рисунок 23
Используя DC-анализ в MC7 можно строим вольт-амперную характеристику источника.

Рисунок 24 - ВАХ полиномиального источника

Осциллограмма входного сигнала и его спектр приведены на рисунках 25 и 26.

13
 Рисунок 25

Рисунок 26
Для выделения необходимых гармоник используем колебательный контур, настроенный на
несущую частоту.

Рисунок 27 - АЧХ колебательного контура

Осциллограмма выходного сигнала и его спектр приведены на рисунках 25 и 26

соответственно.

14
 Рисунок 28

Рисунок 29

1.5 Создание макроса для получения АМ модуляции

На основе управляемого напряжением источника тока (IofV) создаем схему – заготовку для
макроса, в качестве параметра М используем индекс модуляции.

Рисунок 30 - Схема - заготовка для реализации макроса амплитудной модуляции

Создаем макрос и его графическое изображение, воспользовавшись для этого редактором
Shape Editor, а затем добавляем макрос в библиотеку компонентов с помощью Component Editor.
Для проверки макроса создаем на его основе схему амплитудной модуляции и исследуем ее
характеристики. Осциллограммы входных и выходного сигналов представлены на рисунке 32.

15
Рисунок 31 - Схема для проверки макроса амплитудной модуляции

Рисунок 32 – Несущая(310кГц) и модулирующая(3.1кГц) частота

Рисунок 33 – Спектр сигнала

16
Рисунок 34 – Спектр промодулированного сигнала, несущая и модулирующая(2.9кГц) частота

2 Исследование генераторов с жестким режимом возбуждения

2.1 Исследование симметричного мультивибратора

Рисунок 35 - Схема исследуемого мультивибратора с коллекторно-базовыми связями

17
 Рисунок 36 - Осциллограммы напряжения на базе

Рисунок 37 - Осциллограммы напряжения на коллекторе

Параметры выходных импульсов: амплитуда – 12В, период следования – 34.141 мкс,
длительность переднего фронта импульса – 5.2мкс.

18
 С помощью окна расширенного анализа (Performance Windows) построим зависимости
периода длительности выходных импульсов от напряжения смещения и напряжения питания, а
также амплитуды импульсов от напряжения питания.

Рисунок 38 - Зависимость периода колебаний от напряжения смещения на базе транзисторов

19
 Рисунок 39 - Зависимость периода колебаний от напряжения питания на коллекторах
транзисторов

Рисунок 40 - Зависимость амплитуды колебаний от напряжения питания на коллекторах

транзисторов

20
 2.2 Исследование ждущего мультивибратора

Рисунок 41 - Схема исследуемого ждущего мультивибратора

Рисунок 42 - Осциллограмма коллекторного напряжения

Рисунок 43 - Осциллограмма базового напряжения

Проведем исследования зависимостей характеристик импульса от RT, CT и температуры,
используя для этого окно расширенного анализа.
21
Рисунок 44 - Зависимость длительности импульсов от величины RT

Рисунок 45 – Зависимость длительности переднего фронта от RT

22
Рисунок 46 - Зависимость длительности заднего фронта от RT

Рисунок 47- Зависимость длительности импульса от CT

Рисунок 48- Зависимость длительности переднего фронта от СТ

23
 Рисунок 49 - Зависимость длительности заднего фронта от СТ

Рисунок 50 - Зависимость длительности импульса от температуры

Рисунок 51 - Зависимость длительности заднего фронта от температуры

24
 Рисунок 52 - Зависимость длительности переднего фронта от температуры

Цифровые элементы в МС7

1 .Составим схему для получения (генерации) импульсов для описания формы сигнала:

--- серия импульсов с периодом 15 наносекунд и длительностью импульса 5

наносекунд.

Рис.53. Генератор импульсов

Описание атрибута <command>:

.define MY_GEN 0ns 0 label=start 10ns 1 15ns 0 25ns GOTO start -1 times

25
 Рис.54. Сигнал на выходе генератора

2. Составим схему сопряжения генератора, с активной нагрузкой при напряжении

соответствующему единичному уровню 12 Вольт и нулевому уровню – напряжения 0 Вольт.

Параметры генератора:

26
Рис.55. Схема генератора и сигнал на его выходе

Оптимизация в программе MC7.

27
Рис.56. Схема базового амплитудного модулятора на транзисторе KT315A.

Рис.57. Частотная и фазовая характеристики до оптимизации.

Параметры оптимизации:

28
После оптимизации:

Рис.58. Частотная и фазовая характеристики после оптимизации.

Статистический анализ в МС7.

29
Рис.59. Схема базового амплитудного модулятора на транзисторе KT315A.

Параметры схемы:

Напряжение питания коллектора: V4 = 10 В

Напряжение смещения базы: V3 = 0.8 В
Сопротивление нагрузки коллектора: R4 = 300 Ом
Сопротивление в базе транзистора: R3 = 300 Ом
Потери контура: R5 = 1 Ом
Несущая частота: F = 170 KHz
Частота управляющего НЧ сигнала F = 1000 Hz
Разброс значений L и C: 10%

V1 – гармоничекий источник ВЧ сигнала

V2 - гармонический источник модулирующего НЧ сигнала

Параметры анализа Монте-Карло:

30
Рис.60. Результаты анализа АС для схемы амплитудного модулятора

Рис.61. Статистическая обработка результатов моделирования.

31
 Mоделирование лазерных устройств в MC7.

1) Исходный вид системы:

2) После некоторых допущений:

(На этапе излучения импульса можно считать, что инверсная населенность уже накоплена)

3) Схема в САПР Microcap-7 для получения решения этой системы:

32
 Макрос
Задаем значения коэффициентов Модель перемножителя интегратора
системы

Обратная связь

“Scale factor” отрицательный для

изменения знака множимого
Изменение знака
слагаемого

Рис. 62. Схема, имитирующая систему ДУ, описывающей процессы в лазере на твердом теле

временное изменение объемной

плотности энергии в резонаторе

изменение инверсной населенности

Рис. 63. Результаты временного анализа схемы.

33
 4) Для устранения зависимости результатов решения от разрядной сетки вычислительного
устройства, изменяем динамический диапазон переменных, при помощи метода подобия. Для
этого необходимо:
· разделить все члены уравнения на какой-либо из них,
· опустить символы связи между членами, символы дифференцирования и
интегрирования, а также неоднородные функций,
· к полученным в результате этих операций (n - 1) основным критериям подобия
необходимо присовокупить а дополнительных критериев - аргументов неоднородных
функций, входящих в члены уравнения.

Применяя это на примере балансных уравнений на этапе излучения импульса получим:

Где члены этой системы выражаются через члены исходной системы следующим образом:
S - обобщенный коэффициент усиления лазера:

Z – обощенная амплитуда излучения в лазере:

Обощенное время:

Рис. 64. Схема, соответсвующая системе ДУ пункта 4.

34
 Рис. 65. Результат временного анализа схемы.

5) Исследование зависимости длительности импульса по уровню 0.5 от значения

коэффициента усиления S при изменении S от 1.5 до 4

Рис. 66. Зависимость длительности импульса по уровню 0.5 от от значения обобщенного

коэффициента усиления

35