Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
• Introducción
• El transistor de efecto de campo de unión o JFET
JFET de canal N
JFET de canal P
• El transistor MOSFET
Mosfet de acumulación
Mosfet de deplexión
• Conclusiones
Transistores JFET
D D
G G
S S
Canal N Canal P
G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
G G
P P N N
N P
S S
Canal N Canal P
D D
G G
S S
ID ID
USG
G UDS (baja)
El canal
se estrecha
USG
UDS
S
ID
UDS+USG ID
USG=0V
G UDS
USG1
VP UDS
S
2 4 6 8 UDS (V)
ID
UGS
UGS1 Característica
linealizada
UGS2
VP UDS
ID (mA)
UGS=0V
-30
-20 UGS1=2V
-10 UGS2=4V
-2 -4 -6 -8 UDS (V)
D D D D
G G G G
S S S S
Canal N Canal P Canal N Canal P
G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (I)
G
S
D
N N
Metal
Oxido (aislante)
P Semiconductor
SUSTRATO
UDS
ID=0
G • Los terminales principales del MOS son
D S drenador y surtidor
N N • Al aplicar tensión UDS la unión
drenador-sustrato impide la circulación
de corriente de drenador
P
SUSTRATO
+++ +++
N n N
UGS
P - - -
- e
e e e
G S
ID (mA) UGS
D 2
40
N n N 30 0 Ya hay canal
formado
20
Difusión hecha durante -2
P el proceso de fabricación 10
2 UDS (V)
4 6 8