Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Jika tegangan negatif dipasangkan pada dioda, tidak ada arus yang
mengalir; dioda seperti hubung terbuka (gambar 1(c)). Keadaan ini
disebut ‘reverse biased’.
2
Gambar 2. Dua mode operasi dioda ideal dan penggunaan
rangkaian luar untuk membatasi arus (a) dan tegangan reverse (b)
3
Aplikasi sederhana dari dioda.
Penyearah:
4
Figure 3 (a) Rangkaian penyearah. (b) Bentuk gelombang masukan. (c) Rangkaian ekivalen
ketika vI 0. (d) Rangkaian ekivalen ketika vI ≤ 0. (e) Bentuk gelombang keluaran. 5
Contoh soal 1:
Gambar 4(a) menunjukkan sebuah rangkaian untuk mengisi sebuah
batere 12 V. Jika vs adalah sebuah gelombang sinusoida yang
mempunyai amplitudo 24 V, carilah bagian dari setiap perioda
dimana dioda terkonduksi. Hitung juga harga puncak arus dioda
dan harga maksimum tegangan balik yang muncul pada terminal
dioda
Jadi θ = 60° dan sudut konduksi = 120°, atau sepertiga dari perioda.
24 12
Id 0,12 A
100
Harga tegangan balik yang muncul pada terminal dioda terjadi pada
saat vs mencapai harga puncak negatif dan sama dengan
24 +12 = 36 V
7
Gerbang logik dioda
Figure 5. Gerbang logik dioda: (a) Gerbang OR; (b) Gerbang AND (dalam
sistem logik positif).
8
Contoh soal 2:
Asumsikan dioda adalah dioda ideal, carilah harga I dan B dari
rangkaian pada gambar 6.
Jadi I = 1 mA dan V = 0V
10
Untuk rangkaian pada gambar 6(b), asumsikan kedua dioda
terkonduksi, maka VB = 0 dan V = 0. Arus pada D2:
10 0
ID 2 2 mA
5
11
Dan tegangan pada B:
VB = -10 + 10 X 1,33 = +3,3 V
12
Gambar 7. Karakteristik arus – tegangan sebuah dioda silikon
13
Gambar 8. Hubungan arus – tegangan sebuah dioda dengan sebagian skala
diperbesar dan sebagian lainnya diperkecil
14
Daerah forward-bias
16
Persamaan (5) menunjukkan bahwa untuk perubahan arus 10 kali,
penurunan tegangan pada dioda akan berubah sebesar 2,3nVT yang
kira-kira sama dengan 60 mV untuk n = 1 dan 120 mV untuk n = 2.
Pada gambar 8 terlihat, pada daerah forward bias, arus sangat kecil
untuk tegangan lebih kecil dari 0,5 V. Harga ini disebut tegangan cut-
in.
Agar dioda benar-benar terhubung, penurunan tegangan pada dioda
antara 0,6 V – 0,8 V. Umumnya penurunan tegangan pada dioda kira-
kira 0,7 V.
18
Daerah reverse bias
i ≈ -IS
Sebagian besar dari arus balik ini karena efek kebocoran. Arus
kebocoran berbanding lurus dengan luas junction.
Arus menjadi dua kali pada setiap kenaikan suhu 10°C.
19
Daerah breakdown
20
Pemodelan karakteristik dioda pada daerah forward bias
21
Model eksponensial
Ini adalah model yang paling akurat dan merupakan yang paling
sukar digunakan.
Perhatikan gambar 10. Asumsikan VDD > 0,5 V, arus dioda >> IS,
hubungan arus dan tegangan dinyatakan dalam persamaan (6).
23
Analisis iterative menggunakan model eksponensial
Contoh soal 3:
Tentukan arus ID dan tegangan dioda VD pada rangkaian di atas dengan V DD= 5 V dan R =
1kΩ.
Asumsikan dioda mempunyai arus 0,1 mA pada tegangan 0,7V dan tegangan menurun
0,1V setiap kenaikan arus 10 kali.
Jawab:
VDD VD
ID
R
5 0,7
4,3 mA
1
24
Gunakan persamaan (5) untuk mendapatkan harga yang lebih baik
I2
V2 V1 2,3nVT log
I1
iD = 0, vD ≤ VD0
(8)
iD = (vD – VD0)/rD, vD ≥ VD0
Gambar 13. Model garis lurus dari karakteristik dioda di daerah forward dan
rangkaian ekivalennya.
27
Contoh soal 4:
Ulangi soal pada contoh soal 3 menggunakan model garis lurus
dengan parameter yang diberikan pada gambar 12: VD0 = 0,65 V
dan rD = 20 Ω.
Jawab:
Rangkaian pengganti terlihat pada gambar 14:
29
Model Penurunan Tegangan Konstan
30
Gambar 16. Model karakteristik dioda dan rangkaian ekivalennya.
31
Untuk rangkaian pada contoh soal 3 dan 4, jika diselesaikan
dengan menggunakan model penurunan tegangan tetap, akan
diperoleh:
VD = V
0,7 V
0,7
ID DD
R
5 0,7
ID 4,3 mA
1
Gambar 17. Rangkaian pengganti model sinyal kecil dan karakteristik arus -
tegangan 33
Dioda dimodelkan dengan sebuah resistor yang berbanding
terbalik dengan tan-1 dari sudut pada titik prategangan pada
kurva hubungan arus – tegangan.
34
Arus dioda sesaat menjadi:
iD (t ) IS ev D / nVT (11)
i D (t ) IS e(VD v d ) / nVT
i D (t ) IS ev D / nVT ev d / nVT
i D (t ) IDev d / nVT (12)
Maka:
I
i D (t ) ID 1 D v d (14)
nVT
35
Ini disebut pendekatan sinyal kecil dan berlaku untuk sinyal yang
mempunyai amplitudo kira-kira 10 mV. (Ingat VT = 25 mV)
i D = ID + id (16)
Dimana
ID
i d (t ) vd (17)
nVT
36
Konduktansi sinyal kecil dioda:
ID
gd
nVT
nVT
rd (18)
ID
Resistansi sinyal kecil dioda berbanding terbalik dengan arus
prategangan ID. Dan hargai ini merupakan kebalikan harga
kemiringan pada titik kerja Q
i
rd 1/ D (19)
v D i D I D
Jawab:
10 0,7
ID 0,93 mA
10
nV 2 25
rd T 53,8
ID 0,93
rd
v d (puncak ) V s
RD rd
0,0583
1 5,35 V
10 0,0583 38
Gambar 18. (a) Rangkaian contoh soal 5, (b) rangkaian untuk menghitung
titik kerja dc, (c) rangkaian ekivalen sinyal kecil.
39
Penggunaan dioda untuk mengatur tegangan
Contoh soal 6:
Perhatikan rangkaian pada gambar 19. 3 buah dioda
dihubungkan seri digunakan untuk mendapatkan tegangan
tetap 2,1 V.
Hitung prosentase perubahan pada pengatur tegangan yang
disebabkan oleh:
a. Perubahan pada catu daya sebesar ±10%
b. Terhubung ke beban yang beresistansi 10 kΩ
Asumsikan n=2
40
Gambar 19. Rangkaian untuk contoh soal 6
41
Jawab:
Tanpa beban, harga arus nominal pada dioda:
10 2,1
I 7,9 mA
1
Setiap dioda mempunyai resistansi sinyal kecil:
nVT
rd
I
Untuk n = 2
2 25
rd 6,3
7,9
42
r 0,0189
v O 2 2 37,1 V
r R 0,0189 1
43
Ringkasan:
Model eksponensial
i D I S e v D / nVT Catatan:
i IS= 10-12 A - 10-15 A
v D 2,3nVT log D tergantung dari luas
IS junction
i VT≈ 25 mV
VD 2 VD1 2,3nVT log D 2
I D1 n = 1 sampai 2
2,3nVT 60 mV untuk n 1 Model yang paling akurat
2,3nVT 120 mV untuk n 2
44
Model garis lurus
• Untuk vD ≤ VD0:
iD = 0
• Untuk vD ≥ VD0:
iD = (vD – VD0)/rD
45
Model penurunan tegangan yang konstan
46
Model Dioda Ideal
Untuk iD > 0 : vD = 0
47
Model Sinyal Kecil
Pada data yang diberikan oleh pabrik selain VZ, IZT, rZ dan IZK, juga
ada data mengenai daya disipasi maksimum.
50
VZ = VZ0 + rZIZ (20)
51
Contoh soal 7:
Penggunaan dioda zener sebagai ‘shunt regulator’
52
Gambar 23. (a) rangkaian contoh soal 7. (b) rangkaian dengan rangkaian
pengganti dioda zener.
53
Jawab:
Tentukan harga VZ0 dari dioda zener.
VZ = VZ0 + rzIZ
VZ0 = 6,8V – 20 x 5mA = 6,7 V
a. Tanpa beban:
V VZ 0
IZ I
R rz
10 6,7
6,35 mA
0,5 0,02
VO VZ 0 IZ rz
6,7 6,35 0,02 6,83 V
54
b. Untuk perubahan ± 1V pada V+, perubahan pada tegangan keluaran:
rz
VO V
R rz
20
1 38,5 mV
500 20
55
d. Ketika dihubungkan dengan beban 2 kΩ
6,8 V
IL 3,4 mA
2 k
IZ 3,4 mA
VO rz IZ 20 3,4 68 mV
56
e. Untuk RL = 0,5 kΩ
6,8
IL 13,6 mA
0,5
Hal ini tidak mungkin karena arus I yang melalui R hanya 6,4 mA
(V+ =10 V), akibatnya zener ‘cut off’. Maka tegangan VO akan
ditentukan dengan menggunakan pembagian tegangan antara R
dan RL.
RL
VO V
RL R
0,5
10 5V
0,5 0,5
57
f. Agar zener tetap bekerja pada daerah breakdown.
IZ IZK 0,2 mA
VZ VZK 6,7 mV
arus pada R
9 6,7 4,6 mA
0,5
arus pada beban : 4,6 0,2 4,4 mA
6,7
RL 1,5 k
4,4
58
Efek suhu
Ketergantungan tegangan zener pada suhu ditentukan dengan koefisien
suhu atau TC atau temco yang dinyatakan dengan mV/°C.
Harga TC tergantung dari:
– Tegangan zener
– Arus operasi
VZ < 5 V → TC yang negatif,
VZ > 5 V → TC yang positif.
TC dari sebuah dioda zener yang mempunyai V Z = 5 V dapat dibuat 0
dengan mengoperasikan dioda pada arus tertentu.
59
Rangkaian penyearah
v O 0, v S VD 0 (21a)
R R
vO v S VD 0 , v S VD 0 (21b)
R rD R rD
rD R v O v S VD 0 (22)
VD 0 0,7 V atau 0,8 V
PIV = 2 V – V
Penyearah Jembatan
66
Harga maksimum dari vD3 terjadi pada puncak vO, jadi:
Penyearah dengan sebuah kapasitor filter – Penyearah Puncak
Gambar 28. (a) rangkaian sederhana yang menunjukkan efek dari kapasitor
filter (b) bentuk gelombang masukan dan keluaran 67
Cara kerja:
Sinyal masukan vi adalah sinyal sinusoida dengan amplitudo Vp dan
asumsikan dioda adalah dioda ideal.
vi positif → dioda terhubung dan kapasitor terisi dan vO = vI.
Keadaan ini berlangsung terus sampai vI mencapai Vp. Setelah
sinyal masukan mencapai puncak, vI menurun, dioda dalam
keadaan reverse biased, dan tegangan keluaran tetap pada Vp.
Harga ini akan tetap konstan, karena tidak ada jalur untuk
pengosongan kapasitor.
68
Gambar 29 Bentuk gelombang arus dan tegangan pada rangkaian penyearah
puncak dengan CR >> T
69
Cara kerja:
Asumsikan dioda adalah dioda ideal.
Dengan sinyal masukan sinusoida, kapasitor akan terisi sampai
tegangan mencapai Vp. Kemudian dioda menjadi ‘cut off’, kapasitor
akan dikosongkan melalui resistansi beban R. Pengosongan
kapasitor akan berlangsung sampai vI lebih tinggi dari tegangan
pada kapasitor. Dioda akan terhubung lagi dan mengisi kapasitor
sampai Vp. Proses ini akan berulang.
70
Arus pada beban:
iL = vO/R (23)
VO = Vp – ½ Vr (27)
v O Vpe t / CR
Vp Vr Vpe T / CR
72
t / CR T
Untuk CR T e 1
CR
T
Vr Vp (28)
CR
Vp
Vr (29a)
fCR
I
Vr L (29b)
fC
73
t kecil sekali cos t 1 21 t 2
t 2Vr / Vp (30)
i Dav IL 1 2Vp / Vr (31)
74
Arus dioda maksimum dapat diperoleh dari persamaan 25 pada
awal konduksi, yaitu pada t = t1 = -Δt. Asumsikan bahwa arus IL
hampir konstan pada harga yang diberikan pada persamaan 26,
diperoleh:
i D max IL 1 2 2Vp / Vr (32)
75
Penyearah gelombang penuh dapat diubah menjadi penyearah
puncak dengan menambahkan kapasitor paralel dengan beban.
Dalam hal ini frekuensi sinyal ripple akan dua kali frekuensi sinyal
masukan.
76
Frekuensi ripple akan dua kali frekuensi masukan.
Tegangan ripple puncak-ke-puncak, dapat diperoleh dengan cara
yang sama, tetapi perioda pengosongan T diganti dengan T/2,
sehingga:
Vp
Vr (33)
2fCR
i Dav IL 1 Vp / 2Vr (34)
i D max IL 1 2 Vp / 2Vr (35)
78
Dioda super digunakan untuk menyearahkan sinyal yang kecil (pada
orde 100 mV) atau yang memerlukan presisi yang tinggi.
Dioda super terdiri dari op-amp dengan dioda ditempatkan pada
jalur umpan balik negatif dan R merupakan resistansi beban.
Cara kerja:
Jika vI positif, tegangan keluaran op-amp vA akan positif dan dioda
akan terhubung, sehingga membentuk jalur umpan balik tertutup
antara terminal keluaran op-amp dengan terminal masukan negatif.
Jalur umpan balik negatif ini akan menyebabkan hubung singkat
semu di antara kedua terminal masukan. Jadi tegangan pada
terminal masukan negatif yang sama dengan tegangan keluaran
akan sama dengan tegangan masukan pada terminal masukan
positif.
vO = vI vI ≥ 0
80
Rangkaian Pembatas dan Penjepit – Limiting and Clamping Circuits
Rangkaian Pembatas
82
Gambar 33. Sinyal sinusoida dipasangkan pada rangkaian pembatas.
84
Gambar 35. Macam-macam rangkaian pembatas
Pada rangkaian ini dipakai model dioda penurunan tegangan tetap
(VD = 0,7).
86
Clamped Capacitor atau DC Restorer
87
Cara kerja:
Karena polaritas dioda terhubung sedemikian rupa maka kapasitor
akan terisi sampai tegangan vC seperti yang terlihat pada gambar 36
dan besarnya sama dengan amplitudo negatif dari sinyal masukan.
Selanjutnya dioda ‘off’ dan tegangan pada kapasitor akan konstan.
Jika masukan sinyal segiempat mempunyai tegangan maksimum
-6V dan +4V, maka vC akan sama dengan 6V. Tegangan keluaran
v O:
vO = vI + v C
Cara lain melihat cara kerja rangkaian ini adalah, karena dioda
terhubung sedemikian, maka akan mencegah tegangan keluaran
lebih rendah dari 0V. Jadi bentuk gelombang keluaran mempunyai
harga terendah 0V atau terjepit pada tegangan 0V. Itulah sebabnya
rangkaian disebut rangkaian kapasitor penjepit.
88
Jika polaritas dioda dibalik, maka tegangan keluaran mempunyai
tegangan maksimum 0V.
89
Gambar 37 Clamped capacitor dengan resistansi beban R
90
Selama selang t0 – t1, tegangan keluaran turun secara eksponensial
dengan konstanta waktu CR. Pada t1 masukan turun sebanyak Va
volt, dan keluaran berusaha untuk mengikutinya. Hal ini
menyebabkan dioda terhubung dan mengisi kapasitor. Pada akhir
selang t1 – t2, tegangan keluaran akan beberapa persepuluh volt
negatif ( -0,5V). Kemudian tegangan masukan meningkat sebanyak
Va volt yang akan diikuti oleh keluaran dan seterusnya akan
berulang.
Pada keadaan mantap, muatan kapasitor yang hilang selama selang
t0 – t1 akan diperoleh kembali selama selang t1 – t2.
91
Voltage Doubler
92
Gambar 38 menunjukkan sebuah rangkaian yang terdiri dari dua
bagian yang dihubungkan secara ‘cascade’: sebuah penjepit yang
dibentuk oleh C1 dan D1, dan sebuah penyearah puncak yang
dibentuk oleh D2 dan C2.
93
Operasi fisik dari dioda
• Konsep dasar semikonduktor
– Dioda semikonduktor adalah sebuah pn junction yang terdiri dari
semikonduktor jenis –n dan semikonduktor jenis –p.
– Daerah p dan n adalah bagian dari kristal silikon yang sama
yang mempunyai doping yang berbeda.
– pn junction juga merupakan elemen dasar dari transistor bipolar
dan transistor efek medan (FET)
94
Gambar 40. Two-dimensional representation of the silicon crystal. The circles
represent the inner core of silicon atoms, with +4 indicating its positive charge
of +4q, which is neutralized by the charge of the four valence electrons.
Observe how the covalent bonds are formed by sharing of the valence
electrons. At 0 K, all bonds are intact and no free electrons are available for
95
current conduction.
Gambar 41 At room temperature, some of the covalent bonds are broken
by thermal ionization. Each broken bond gives rise to a free electron and a
hole, both of which become available for current conduction. 96
Gambar 42. A silicon crystal doped by a pentavalent element. Each dopant
atom donates a free electron and is thus called a donor. The doped
semiconductor becomes n type. 97
Gambar 43. A silicon crystal doped with a trivalent impurity. Each dopant atom
gives rise to a hole, and the semiconductor becomes p type.
98
pn junction dalam kondisi hubung terbuka
N N
V0 VT ln A 2 D
n
i
99
• Tanda ‘+’ pada bahan jenis –p menunjukkan pembawa mayoritas
‘holes’.
• Muatan ‘holes’ dinetralkan oleh muatan negatif dari atom akseptor.
• Tanda ‘-’ pada bahan jenis –n menunjukkan pembawa mayoritas
‘elektron’.
• Muatan ‘elektron’ dinetralkan oleh muatan positif.
• Arus difusi ID
– Konsentrasi holes yang tinggi di daerah p dan yang rendah di
daerah n menyebabkan holes merembas melalui ‘junction’ dari
sisi p ke sisi n.
– Sebaliknya, elektron merembas dari sisi n ke sisi p.
– Jumlah kedua arus ini membentuk arus difusi ID dengan arah
dari sisi p ke sisi n.
100
• Daerah deplesi
– Holes yang merembas melalui junction ke daerah n akan ber-
rekombinasi dengan mayoritas elektron di daerah n, sehingga
holes ini menghilang demikian juga sebagian elektron bebas
pada daerah n juga menghilang.
– Sebagian dari muatan positif tidak lagi dinetralkan oleh elektron
bebas. Muatan ini disebut ‘uncovered’
– Rekombinasi terjadi di dekat junction, sehingga ada daerah
dekat junction yang kekurangan elektron bebas (depleted of free
electrons) dan mengandung muatan positif yang ‘uncovered’
– Elektron yang merembas melalui junction ke daerah p akan ber-
rekombinasi dengan mayoritas holes di daerah p, sehingga
elektron ini menghilang demikian juga sebagian holes bebas
pada daerah p juga menghilang.
– Sebagian dari muatan negatif tidak lagi dinetralkan oleh holes.
Muatan ini disebut ‘uncovered’
– Rekombinasi terjadi di dekat junction, sehingga ada daerah
dekat junction pada daerah p yang kekurangan holes (depleted
of holes) dan mengandung muatan negatif yang ‘uncovered
101
– Dari penjelasan di atas, daerah deplesi pembawa (carrier-
depletion region) atau daerah deplesi akan terdapat di kedua sisi
junction, pada sisi n bermuatan positif dan di sisi p bermuatan
negatif.
– Muatan pada ke dua sisi daerah deplesi akan menyebabkan
adanya medan listrik pada daerah deplesi, sehingga ada
perbedaan tegangan pada daerah deplesi, dengan tegangan
positif pada sisi n dan tegangan negatif pada sisi p.
– Perbedaan tegangan pada daerah deplesi merupakan
penghalang (‘barrier’) yang harus diatasi oleh holes untuk
berdifusi ke daerah n dan elektron berdifusi ke daerah p.
– Makin besar tegangan penghalang, makin kecil jumlah
pembawa yang dapat mengatasi ‘barrier’ sehingga makin kecil
arus difusi.
– Arus difusi tergantung pada perbedaan tegangan V0 pada
daerah deplesi.
102
• Arus drift IS dan keseimbangan
– Selain komponen arus difusi ID, terdapat juga komponen arus
drift yang disebabkan oleh pembawa minoritas.
– Ada dua komponen arus drift, yaitu elektron yang bergerak dari
bahan p ke bahan n dan holes yang bergerak dari bahan n ke
bahan p.
– Arah arus drift IS dari sisi n ke sisi p pada junction.
– Karena arus drift disebabkan oleh pembawa minoritas yang
dihasilkan secara termal, harganya sangat tergantung pada
suhu, tetapi tidak tergantung pada harga tegangan pada daerah
deplesi.
– Pada kondisi hubung terbuka: ID = IS
103
• Tegangan pada junction
N AND
V0 VT ln
n2
i
104
• Lebar daerah deplesi
– Daerah deplesi pada kedua sisi junction tergantung pada jumlah
muatan (konsentrasi doping) pada kedua sisi.
– Daerah deplesi akan lebih lebar pada sisi yang mempunyai doping lebih
kecil.
qxpANA = qxnAND
xn N A
x p ND
2 s 1 1
Wdep xn x p V0
q N A ND
107
pn junction pada daerah breakdown
109
• Ada 2 mekanisme breakdown
– Effect Zener, VZ < 5 V.
• Terjadi bila medan listrik pada lapisan deplesi meninggat
pada titik di mana medan ini akan mematahkan ikatan
kovalen dan menghasilkan pasangan elektron – holes.
• Elektron akan tertarik pada sisi n dan holes akan tertarik ke
sisi p.
• Elektron dan holes ini menyebabkan arus balik pada junction
yang menunjang arus luar.
• Jika efek Zener terjadi, banyak muatan pembawa akan
dihasilkan, tanpa ada penambahan tegangan junction.
• Jadi arus balik pada daerah breakdown akan ditentukan oleh
rangkaian luar, sedangkan tegangan pada terminal dioda
akan tetap mendekati tegangan breakdown VZ
110
– Efek avalanche
• Terjadi ketika pembawa minoritas yang melewati daerah
deplesi karena pengaruh medan listrik mempunyai energi
kinetik yang dapat memecahkan ikatan kovalen pada atom
yang ditabraknya.
• Pembawa yang terbentuk pada proses ini mempunyai energi
yang tinggi yang dapat menyebabkan proses ionisasi
berlanjut.
• Proses avalanche disebabkan oleh rangkaian luar, dengan
perubahan penurunan tegangan junction yang bisa
diabaikan.
– Breakdown pada pn junction tidak bersifat merusak dengan
syarat disipasi daya tidak melebihi dari batas yang ditentukan.
– Disipasi daya maksimum menentukan harga maksimum arus
balik.
111
pn junction dalam kondisi ‘forward bias’
113
Gambar 48. Minority-carrier distribution in a forward-biased pn junction. It is
assumed that the p region is more heavily doped than the n region; NA @ ND.
114
Jenis dioda khusus
1. Schottky-Barrier Diode (SBD)
Terdiri dari metal yang ditempelkan ke semikonduktor yang
mempunyai dopping jenis n. Metal – semiconductor junction
mempunyai sifat seperti dioda dengan metal sebagai anoda dan
semikonduktor sebagai katoda. Karakteristik i – v SBD sama
dengan karakteristik dioda biasa dengan beberapa pengecualian;
– SBD dapat di-switch (on – off) lebih cepat dari dioda biasa.
– SBD mempunyai penurunan tegangan lebih kecil daripada
dioda biasa (0,3 – 0,5 V)
SBD dapat dibuat dari gallium arsenide (GaAs) dan banyak
ditemukan dalam rancangan TTL (transistor-transistor logic)
115
3. Photodiodes adalah sebuah dioda yang bagian junctionnya
dibuka, Jika dalam keadaan reverse-biased junction ini disinari
akan menghasilkan arus yang disebut photocurrent. Arus ini
sebanding dengan intensitas cahaya. Dioda ini digunakan untuk
mengubah sinyal optik ke sinyal listrik.
Dioda ini merupakan komponen yang penting dalam rangkaian
optoelektronik atau photonic.
Bila tidak diberi reverse bias, photodiode berfungsi sebagai solar
cell.
116
4. Light-Emitting Diode (LED) mengubah arus forward menjadi
cahaya. Proses rekombinasi di pn junction mengeluarkan
cahaya yang sebanding dengan arus forward.
LED banyak sekali dipakai sebagai alat peraga pada peralatan
laboratorium dan peralatan elektronik. Selain itu LED dapat juga
dirancang untuk menghasilkan cahaya yang koheren dengan
lebar bidang yang sangat sempit. Dioda seperti ini disebut dioda
laser.
Kombinasi antara LED dan photodiode disebut optoisolator.
Penggunaan optoisolator memberikan isolasi antara rangkaian
listrik yang terhubung dengan masukannya dan rangkaian yang
terhubung dengan keluarannya, sehingga dapat mengurangi
interferensi pada transmisi sinyal dalam sistem.
117