Bi-Polar Power Transistor Data Book

DL111/D
Rev. 8, July-2001
Bipolar Power Transistor Data

Bipolar Power Transistor Data
DL111/D
Rev. 8, Jul–2001
 SCILLC, 2001
Previous Edition  1995
“All Rights Reserved’’
Grafoil is a registered Trademark of Union Carbide.
Kon–Dux and Rubber–Duc are trademarks of Aavid Thermal Technologies, Inc.
Thermasil is a registered trademark and Thermafilm is a trademark of Thermalloy, Inc.
Kapton is a registered trademark of du Pont de Nemours & Co., Inc.
Sil–Pad is a registered trademark of the Bergquist Company.
CHO–THERM is a registered trademark of Chomerics, Inc.
FULLPAK, ICePAK, PowerBase, SCANSWITCH, SWITCHMODE, and Thermopad are trademarks of Semiconductor Components
Industries, LLC.
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION

Literature Fulfillment: JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
Literature Distribution Center for ON Semiconductor 4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone: 81–3–5740–2700
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada Email: r14525@onsemi.com
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
Email: ONlit@hibbertco.com
For additional information, please contact your local
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
Sales Representative.
http://onsemi.com
2
Table of Contents
Chapter 1. Selector Guide Chapter 2. Data Sheets

Page Page
Bipolar Power Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 Bipolar Power Transistor Data Sheets . . . . . . . . . . . . 23
Selection by Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Plastic TO–220AB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Plastic TO–218 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Chapter 3. Applications Information and
Plastic (Isolated TO-220 Type) . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Case Outlines
Large Plastic TO-264 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Application Note: A High–Performance
Plastic TO–225AA Type Video Amplifier for High Resolution
(Formerly TO–126 Type) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 CRT Applications (AN1040/D) . . . . . . . . . . . . . . . . . 751
DPAK – Surface Mount Power Packages . . . . . . . 16 Case Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 775
Metal TO–204AA (Formerly TO–3),
TO–204AE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Plastic TO–247 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 Chapter 4. Numeric Index
D2PAK . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 Alpha Numeric Index . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 783
SOT–223 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 Sales Office Listing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 787
Audio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 Document Type Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 788
Electronic Lamp Ballasts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
http://onsemi.com
3
http://onsemi.com
4
CHAPTER 1
Selector Guide
http://onsemi.com
5
http://onsemi.com
6
Bipolar Power
Transistors
In Brief . . .
ON Semiconductor’s broad line of Bipolar Power Page
Transistors includes discrete and Darlington transistors Bipolar Power Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
in a variety of packages from the popular surface mount Selection by Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
DPAK at 1.75 watts to the 250 watt TO-3. We now have Plastic TO–220AB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
transistors in SO–8 (Dual Transistors) and SOT–223. We Plastic TO–218 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
have a broad line of Electronic Lamp Ballast Transistors, Plastic (Isolated TO-220 Type) . . . . . . . . . . . . 13
Large Plastic TO-264 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
in the BUL Series and MJD18002D2T4, MJE18002, and
Plastic TO–225AA Type
MJE18004D24. New products include low VCE(sat)
(Formerly TO–126 Type) . . . . . . . . . . . . . . . . 14
devices in surface mount SOT–223 package, DPAK – Surface Mount Power Packages . . . 16
MMJT9435T1/MMJT9410T1 and in the SO–8 package Metal TO–204AA (Formerly TO–3),
(Dual Transistors), MMDJ3N03BJTR2/ TO–204AE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
MMDJ3P03BJTR2. We also have a broad line of high Plastic TO–247 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
performance Audio Output Transistors in TO–3, TO–264 D2PAK . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
and new products in the Isolated Hole Plastic TO–247 SOT–223 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
package. The new TO–247 devices are designated Audio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Electronic Lamp Ballasts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
MJW21191/2/3/4/5/6 and high fT, MJW3281A/1302A.
These have excellent high voltage FBSOA performance.
ON Semiconductor has a commitment to quality and
total customer satisfaction.
http://onsemi.com
7
BIPOLAR POWER TRANSISTORS SELECTOR GUIDE
SELECTION BY PACKAGE
IC Range VCE Range PD
Package
(Amps) (Volts) (Watts)
TO-204AA 4.0-30 40-250 115-250

(TO-3)
TO-204AE 30–60 60-120 150-300

(TO–3)
DPAK 0.5-10 40-450 12.5-20
DPAK 0.5-10 40-450 12.5-20
TO-220AB 0.5-15 60-400 30-125
Isolated 1.0-12 60-450 20-45

TO-220 Type
TO-225AA 0.3-5.0 25-400 12.5-40

(TO-126 Type)
SOT–223 3.0 30 2.0 (Note 1.)
SO–8 3.0 30 2.0 (Note 2.)
TO-264 15-16 200-250 250
D2PAK 5.0–8.0 80–450 50–65
TO–247 8.0–16 150–250 200
TO–218 5.0–10 60–350 125–150
1. Tested on 1″ sq. FR4 Board

2. Tested on 1″ sq., 2 oz. copper
http://onsemi.com
8
Plastic TO–220AB
Device Type Resistive Switching

PD
ICCont VCEO(sus) ts tf fT (Case)
Amps Volts Min hFE @ IC µs µs @ IC MHz Watts
Max (Note 7.) NPN PNP Min/Max Amp Max Max Amp Min @ 25°C Page
1.0 80 TIP29B TIP30B 15/75 1.0 0.6 typ 0.3 typ 1.0 3.0 30 725
100 TIP29C TIP30C 15/75 1.0 0.6 typ 0.3 typ 1.0 3.0 30 725
250 TIP47 30/150 0.3 2.0 typ 0.18 typ 0.3 10 40 747
300 TIP48 MJE5730 30/150 0.3 2.0 typ 0.18 typ 0.3 10 40 747,
581
350 MJE5731 30/150 0.3 2.0 typ 0.18 typ 0.3 10 40 581
400 TIP50 MJE5731A 30/150 0.3 2.0 typ 0.18 typ 0.3 10 40 747,
(Note 6.) 581
2.0 60 TIP110 TIP115 500 min 2.0 1.7 typ 1.3 typ 2.0 25 50
(Note 4.) (Note 4.) (Note 3.) 709
80 TIP111 TIP116 500 min 2.0 1.7 typ 1.3 typ 2.0 25 50
(Note 4.) (Note 4.) (Note 3.) 709
100 TIP112 TIP117 500 min 2.0 1.7 typ 1.3 typ 2.0 25 50
(Note 4.) (Note 4.) (Note 3.) 709
400/700 BUL44 14/36 0.4 2.75 0.175 1.0 13 typ 50
(Note 5.) (Note 5.) 279
450/1000 BUX85 30 0.1 3.5 1.4 1.0 4.0 50 313
450/1000 MJE18002 14/34 0.2 3.0 0.17 1.0 12 typ 40
(Note 5.) (Note 5.) 505
3.0 60 TIP31A TIP32A 25 min 1.0 0.6 typ 0.3 typ 1.0 3.0 40 729
80 TIP31B TIP32B 25 min 1.0 0.6 typ 0.3 typ 1.0 3.0 40 729
100 BD241C BD242C 25 min 1.0 3.0 40 157
TIP31C TIP32C 25 min 1.0 0.6 typ 0.3 typ 1.0 3.0 40 729
4.0 80 D44C12 D45C12 40/120 0.2 1.0 40 typ 30 320
400/700 MJE13005 6/30 3.0 3.0 0.7 3.0 4.0 60 468
5.0 60 TIP120 TIP125 1k min 3.0 1.5 typ 1.5 typ 3.0 4.0 65
(Note 4.) (Note 4.) (Note 3.) 715
80 TIP121 TIP126 1k min 3.0 1.5 typ 1.5 typ 3.0 4.0 65
(Note 4.) (Note 4.) (Note 3.) 715
100 TIP122 TIP127 1k min 3.0 1.5 typ 1.5 typ 4.0 4.0 75
(Note 4.) (Note 4.) (Note 3.) 715
250 2N6497 10/75 2.5 1.8 0.8 2.5 5.0 80 133
400/700 BUL45 14/34 0.3 1.7 0.15 1.0 12 typ 75
(Note 5.) (Note 5.) 296
450/1000 MJE18004 14/34 0.3 1.7 0.15 1.0 13 75 522
MJE18004D2* 512
3. |hFE| @ 1.0 MHz
4. Darlington
5. Switching tests performed with special application simulator circuit. See data sheet for details.
6. VCEO = 375 V
7. When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
*D2 suffix indicates transistor with built in C–E freewheeling diode and antisaturation network.
Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor preferred devices.
http://onsemi.com
9
Plastic TO–220AB (continued)

PD
Amps Volts Min hFE @ IC µs µs @ IC MHz Watts Page
Max (Note 11.) NPN PNP Min/Max Amp Max Max Amp Min @ 25°C
6.0 60 TIP41A TIP42A 15/75 3.0 0.4 typ 0.15 typ 3.0 3.0 65 742
80 TIP41B TIP42B 15/75 3.0 0.4 typ 0.15 typ 3.0 3.0 65 742
BD243B BD244B 15 min 3.0 0.4 typ 0.15 typ 3.0 3.0 65 162
100 BD243C BD244C 15 min 3.0 0.4 typ 0.15 typ 3.0 3.0 65 162
TIP41C TIP42C 15/75 3.0 0.4 typ 0.15 typ 3.0 3.0 65 742
400/700 BUL146 14/34 0.5 1.75 0.15 3.0 14 typ 100
(Note 10.) (Note 10.) 263
450/1000 MJE18006 14/34 0.5 3.2 0.13 3.0 14 typ 100
(Note 10.) (Note 10.) 531
7.0 30 2N6288 2N6111 30/150 3.0 0.4 typ 0.15 typ 3.0 4.0 40 107
50 2N6109 30/150 2.5 0.4 typ 0.15 typ 3.0 4.0 40 107
70 2N6292 2N6107 30/150 2.0 0.4 typ 0.15 typ 3.0 4.0 40 107
150 BU407 30 min 1.5 0.75 5.0 10 60 214
200 BU406 30 min 1.5 0.75 5.0 10 60 214
8.0 60 2N6043 2N6040 1k/10k 4.0 1.5 typ 1.5 typ 3.0 4.0 75
(Note 9.) (Note 9.) (Note 8.) 98
TIP100 TIP105 1k/20k 3.0 1.5 typ 1.5 typ 3.0 4.0 80
(Note 9.) (Note 9.) (Note 8.) 704
80 BDX53B BDX54B 750 min 3.0 4.0 60
(Note 9.) (Note 9.) (Note 8.) 203
TIP101 TIP106 1k/20k 3.0 1.5 typ 1.5 typ 3.0 4.0 80
(Note 9.) (Note 9.) (Note 8.) 704
100 2N6045 2N6042 1k/10k 3.0 1.5 typ 1.5 typ 3.0 4.0 75
(Note 9.) (Note 9.) (Note 8.) 98
BDX53C BDX54C 750 min 3.0
(Note 9.) (Note 9.) 203
TIP102 TIP107 1k/20k 3.0 1.5 typ 1.5 typ 3.0 4.0 80
(Note 9.) (Note 9.) (Note 8.) 704
120 MJE15028 MJE15029 20 min 4.0 30 50 492
150 MJE15030 MJE15031 20 min 4.0 30 50 492
300/600 MJE5740 200 min 4.0 8.0 typ 2.0 typ 6.0 4.0 80
(Note 9.) 585
300 MJE5850 15 min 2.0 2.0 0.5 4.0 80 590
350 MJE5851 15 min 2.0 2.0 0.5 4.0 80 590
400 MJE5742 200 min 4.0 8.0 typ 2.0 typ 6.0 80
(Note 9.) 585
MJE13007 5/30 5.0 3.0 0.7 5.0 80 474
MJE5852 15 min 2.0 2.0 0.5 4.0 80 590
8. |hFE| @ 1.0 MHz
9. Darlington
http://onsemi.com
10
Plastic TO–220AB (continued)

PD
8.0 400/700 BUL147 14/34 1.0 2.5 0.18 2.0 14 typ 125 272
(Note 14.) (Note 14.)
450/1000 MJE18008 16/34 1.0 2.75 0.18 2.0 13 typ 125 538
(Note 14.) (Note 14.)
10 60 D44H8 D45H8 40 min 4.0 50 320
MJE3055T MJE2955T 20/70 4.0 75 560
2N6387 2N6667 1k/20k 5.0 20 65 121,
(Note 13.) (Note 13.) (Note 12.) 137
80 BDX33B BDX34B 750 min 3.0 3.0 70 197
(Note 13.) (Note 13.)
BD809 BD810 15 min 4.0 1.5 90 183
2N6388 2N6668 1k/20k 5.0 20 65 121,
(Note 13.) (Note 13.) (Note 12.) 137
D44H10 D45H10 20 min 4.0 0.5 typ 0.14 typ 5.0 50 typ 50 316
D44H11 D45H11 40 min 4.0 0.5 typ 0.14 typ 5.0 50 typ 50 316
100 BDX33C BDX34C 750 min 3.0 3.0 70 197
(Note 13.) (Note 13.)
12 400/700 MJE13009 6/30 8.0 3.0 0.7 8.0 4.0 100 483
15 60 2N6487 2N6490 20/150 5.0 0.6 typ 0.3 typ 5.0 5.0 75 127
80 2N6488 2N6491 20/150 5.0 0.6 typ 0.3 typ 5.0 5.0 75 127
D44VH10 D45VH10 20 min 4.0 0.5 0.09 8.0 50 typ 83 318
100 BDW42 BDW47 1k min 5.0 1.0 typ 1.5 typ 5.0 4.0 85 190
(Note 13.) (Note 13.)
12. |hFE| @ 1.0 MHz
13. Darlington
http://onsemi.com
11
Plastic TO–218 Type

PD
10 60 TIP140 TIP145 500 min 10 2.5 typ 2.5 typ 5.0 4.0 125 720
(Note 17.) (Note 17.) (Note 16.)
TIP141 TIP146 500 min 10 2.5 typ 2.5 typ 5.0 4.0 125 720
(Note 17.) (Note 17.) (Note 16.)
100 BDV65B BDV64B 1k min 5.0 125 187
(Note 17.) (Note 17.)
TIP33C TIP34C 20/100 3.0 3.0 80 734
TIP142 TIP147 500 min 10 2.5 typ 2.5 typ 5.0 4.0 125 720
(Note 17.) (Note 17.) (Note 16.)
350 BU323Z 500/3400 5.0 6.0 150 209
(Note 17.)
15 60 TIP3055 TIP2955 5 min 10 2.5 80 727
150 MJH11018 MJH11017 400/15k 10 3.0 150 634
(Note 17.) (Note 17.)
200 MJH11020 MJH11019 400/15k 10 3.0 150 634
(Note 17.) (Note 17.)
250 MJH11022 MJH11021 400/15k 10 3.0 150 634
(Note 17.) (Note 17.)
16 160 MJE4343 MJE4353 15 min 8.0 1.2 typ 1.2 typ 8.0 1.0 125 574
20 100 MJH6284 MJH6287 750/18k 10 4.0 125 640
(Note 17.) (Note 17.)
25 60 TIP35A TIP36A 15/75 15 0.6 typ 0.3 typ 10 3.0 125 737
100 TIP35C TIP36C 15/75 15 0.6 typ 0.3 typ 10 3.0 125 737
16. |hFE| @ 1.0 MHz
17. Darlington
http://onsemi.com
12
Plastic (Isolated TO-220 Type)

PD
ICCont VCEO(sus) VCES ts tf fT (Case)
Amps Volts Volts hFE @ IC µs µs @ IC MHz Watts Page
Max Min Min NPN PNP Min/Max Amp Max Max Amp Min @ 25°C
1.0 250 MJF47 30/150 0.3 2.0 typ 0.17 typ 0.3 10 28 622
3.0 100 MJF31C MJF32C 10 min 1.0 0.6 0.3 1.0 3.0 28 729
5.0 100 MJF122 MJF127 2000 min 3.0 1.5 typ 1.5 typ 3.0 4.0 28 601
(Note 20.) (Note 20.) (Note 19.)
450 1000 MJF18004 14/34 0.3 1.7 0.15 1.0 13 typ 35 522
(Note 21.) (Note 21.)
8.0 150 MJF15030 MJF15031 40 min 3.0 1.0 typ 0.15 typ 3.0 30 35 608
450 1000 MJF18008 16/34 1.0 2.75 0.18 2.0 13 typ 45 538
(Note 21.) (Note 21.)
10 60 MJF3055 MJF2955 20/100 4.0 2.0 40 614
80 MJF44H11 MJF45H11 40/100 4.0 0.5 typ 0.14 typ 5.0 40 35 618
100 MJF6388 MJF6668 3k/20k 3.0 1.5 typ 1.5 typ 20 40 627
(Note 20.) (Note 20.) (Note 19.)
Large Plastic TO-264

ICCont VCEO(sus) ts tf fT PD (Case)
Amps Volts hFE @ IC µs µs @ IC MHz Watts
Max Min NPN PNP Min/Max Amp Max Max Amp Min @ 25°C Page
15 200 MJL3281A MJL1302A 60/175 5.0 30 typ 200 655
16 250 MJL21194 MJL21193 25/75 8.0 4.0 200 644
MJL21196 MJL21195 25/75 8.0 4.0 200 649
19. |hFE| @ 1.0 MHz
20. Darlington
http://onsemi.com
13
Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type)
PD
Amps Volts hFE @ IC µs µs @ IC MHz Watts Page
Max Min NPN PNP Min/Max Amp Max Max Amp Min @ 25°C
0.3 350 MJE3439 40/160 0.02 15 15 566
0.5 200 MJE344 30/300 0.05 15 20.8 568
250 2N5655 30/250 0.1 3.5 typ 0.24 typ 0.1 10 20 80
300 MJE340 MJE350 30/240 0.05 20.8 563,
570
350 2N5657 30/250 0.1 3.5 typ 0.24 typ 0.1 10 20 80
BD159 30/240 0.05 20 146
1.0 40 2N4921 2N4918 20/100 0.5 0.6 typ 0.3 typ 0.5 3.0 30 55,
50
60 2N4922 2N4919 20/100 0.5 0.6 typ 0.3 typ 0.5 3.0 30 55,
50
80 2N4923 2N4920 20/100 0.5 0.6 typ 0.3 typ 0.5 3.0 30 55,
50
1.5 45 BD135 BD136 40/250 0.15 12.5 142,
144
60 BD137 BD138 40/250 0.15 12.5 142,
144
80 BD139 BD140 40/250 0.15 12.5 142,
144
400 MJE13003 5/25 1.0 4.0 0.7 1.0 5.0 40
(Note 24.) 461
2.0
0 80 BD237 BD238 25 min 1.0 3.0 25 154
100 MJE270 MJE271 1.5k min 0.12 6.0 15
(Notes 23. & 24.) (Notes 23. & 24.) 558
3.0 60 MJE181 MJE171 50/250 0.1 0.6 typ 0.12 typ 0.1 50 12.5 501
80 BD179 BD180 40/250 0.15 25 148,
151
MJE182 MJE172 50/250 0.1 0.6 typ 0.12 typ 0.1 50 12.5 501
500 BUH51 8.0 min 1.0 50
(Note 24.) 254
4.0 40 MJE521 MJE371 40 min 1.0 40 579,
572
45 BD437 BD438 40 min 2.0 3.0 36 166,
169
60 BD439 BD440 25 min 2.0 3.0 36 166,
169
BD677 BD678 750 min 1.5 40 172,
(Note 23.) (Note 23.) 175
BD677A BD678A 750 min 1.5 40 172,
(Note 23.) (Note 23.) 175
BD787 BD788 20 min 2.0 50 15 178
2N5191 2N5194 25/100 1.5 0.4 typ 0.4 typ 1.5 2.0 40 62,
67
MJE800 MJE700 750 min 1.5 1.0 40
(Note 23.) (Note 23.) (Note 22.) 596
2N6038 2N6035 750/18k 2.0 1.7 typ 1.2 typ 2.0 25 40
(Note 23.) (Note 23.) 92
22. |hFE| @ 1.0 MHz
23. Darlington
24. Case 77, Style 3
http://onsemi.com
14
Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)

PD
4.0 80 2N5192 2N5195 25/100 1.5 0.4 typ 0.4 typ 1.5 2.0 40 62,
67
BD441 BD442 15 min 2.0 3.0 36 166,
169
BD679 BD680 750 min 1.5 40 172,
(Note 26.) (Note 26.) 175
BD679A BD680A 750 min 2.0 40 172,
(Note 26.) (Note 26.) 175
MJE802 MJE702 750 min 1.5 1.0 40
(Note 26.) (Note 26.) (Note 25.) 596
MJE803 MJE703 750 min 2.0 1.0 40
(Note 26.) (Note 26.) (Note 25.) 596
2N6039 2N6036 750/18k 2.0 1.7 typ 1.2 typ 2.0 25 40
(Note 26.) (Note 26.) 92
100 BD681 BD682 750 min 1.5 40 172,
(Note 26.) (Note 26.) 175
MJE243 MJE253 40/120 0.2 0.15 typ 0.07 typ 2.0 40 15 553
5.0 25 MJE200 MJE210 45/180 2 0.13 typ 0.035 typ 2.0 65 15 548
25. |hFE| @ 1.0 MHz
26. Darlington
http://onsemi.com
15
DPAK – Surface Mount Power Packages

PD
ICCont VCEO(sus) ts tf fT (Case) Page
0.5 300 MJD340T4 MJD350T4 30/240 0.05 15 438
1.0 250 MJD47T4 30/150 0.3 2.0 0.2 0.3 10 15 452
400 MJD50T4 30/150 0.3 2.0 0.2 0.3 10 15 452
2.0 100 MJD112T4 MJD117T4 1000 min 2.0 1.7 1.3 2.0 25 20
(Note 28.) (Note 28.) (Note 27.) 395
450 MJD18002D2T4 6.0 min 2.0 1.0 typ 0.15 typ 1.0 13 typ 25 407
3.0 40 MJD31T4 MJD32T4 10 min 1.0 0.6 0.3 1.0 3.0 15 433
100 MJD31CT4 MJD32CT4 10 min 1.0 0.6 0.3 1.0 3.0 15 433
4.0 80 MJD6039T4 MJD6036T4 1k/2k 2.0 1.7 1.2 2.0 25 20
(Note 28.) (Note 28.) 456
100 MJD243T4 MJD253T4 40/180 0.2 0.16 0.04 1.0 40 12.5 423
5.0 25 MJD200T4 MJD210T4 45/180 2.0 0.15 0.04 2.0 65 12.5 418
6.0 100 MJD41CT4 MJD42CT4 15/75 3.0 0.4 0.15 3.0 3.0 20 442
8.0 80 MJD44H11T4 MJD45H11T4 40 min 4.0 0.5 0.14 5.0 50 typ 20 448
100 MJD122T4 MJD127T4 1k/2k 4.0 1.5 2.0 4.0 4 20
(Note 28.) (Note 28.) (Note 27.) 401
10 60 MJD3055T4 MJD2955T4 20/100 4.0 1.5 1.5 3.0 2.0 20 429
80 MJD44ET4 1k min 5.0 2.0 0.5 10 20
(Note 28.) 446
27. |hFE| @ 1.0 MHz
28. Darlington
http://onsemi.com
16
Metal TO–204AA (Formerly TO–3)

PD
4.0 250 MJ15020 MJ15021 30 min 1.0 20 150 344
10 140 2N3442 20/70 4.0 117 35
250 MJ15011 MJ15012 20/100 2.0 200 342
12 100 2N6052 750/18k 6.0 1.6 typ 1.5 typ 6.0 4.0 150
(Note 30.) (Note 29.) 102
15 60 2N3055 MJ2955 20/70 4.0 0.7 typ 0.3 typ 4.0 2.5 115 31
2N3055A 20/70 4.0 0.8 115 25
120 MJ15015 MJ15016 20/70 4.0 0.7 typ 0.3 typ 4.0 1.0 180 25
140 MJ15001 MJ15002 25/150 4.0 2.0 200 337
250 MJ11022 MJ11021 100 min 15 3.0 175
(Note 30.) (Note 30.) (Note 29.) 325
16 140 2N3773 2N6609 15/60 8.0 1.1 typ 1.5 typ 8.0 4.0 150 46
2N5631 2N6031 15/60 8.0 1.2 typ 1.2 typ 8.0 1.0 200 76
200 MJ15022 MJ15023 15/60 8.0 5.0 250 346,
349
250 MJ15024 MJ15025 15/60 8.0 5.0 250 346,
349
MJ21194 MJ21193 25/75 8.0 4.0 250 352
MJ21196 MJ21195 25/75 8.0 4.0 250 357
20 60 2N3772 15/60 10 2.0 150 38
80 2N6283 2N6286 750/18k 10 2.5 typ 2.5 typ 10 4.0 160
(Note 30.) (Note 30.) (Note 29.) 112
90 2N5038 20/100 12 1.5 0.5 12 60 140 60
100 2N6284 2N6287 750/18k 10 2.5 typ 2.5 typ 10 4.0 160
(Note 30.) (Note 30.) (Note 29.) 112
140 MJ15003 MJ15004 25/150 5.0 2.0 250 340
25 60 2N5885 2N5883 20/100 10 1.0 0.8 10 4.0 200 87
80 2N5886 2N5884 20/100 10 1.0 0.8 10 4.0 200 87
100 2N6338 30/120 10 1.0 0.25 10 40 200 118
150 2N6341 30/120 10 1.0 0.25 10 40 200 118
29. |hFE| @ 1.0 MHz
30. Darlington
http://onsemi.com
17
Metal TO–204AA (Formerly TO–3) (continued)

PD
30 40 2N3771 15/60 15 2.0 150 42
60 2N5302 15/60 15 2.0 1.0 10 2.0 200 72
MJ11012 1k min 20 4.0 200
(Note 33.) (Note 32.) 322
100 MJ802 MJ4502 25/100 7.5 2.0 200 364,
362
120 MJ11016 MJ11015 1k min 20 4.0 200
(Note 33.) (Note 33.) (Note 32.) 322
250 MJ11022 MJ11021 400/15k 10 3.0 200
(Note 33.) (Note 33.) (Note 32.) 325
40 200 BUV21 10 min 25 1.8 0.4 25 8.0 150
(Note 35.) 307
250 BUV22 10 min 20 1.1 0.35 20 8.0 250
(Note 35.) 310
50 80 2N5686 2N5684 15/60 25 0.5 0.3 typ 25 2.0 300
(Note 35.) (Note 35.) typ 83
120 MJ11032 MJ11033 400 min 50 300
(Note 33. & 35.) (Note 33. & 35.) 330
125 BUV20 10 min 50 1.2 0.25 50 8.0 250
(Note 35.) 304
BUV60 10 min 80 1.1 0.25 80 250
(Note 35.) 304
60 80 MJ14002 MJ14003 15/100 50 300
(Note 35.) (Note 35.) 333
32. |hFE| @ 1.0 MHz
33. Darlington
35. Case 197A–03 (TO–204AE)
http://onsemi.com
18
Isolated Mounting Hole – Plastic TO–247
Device Type Inductive Switching

PD
8.0 150 MJW21192 MJW21191 15 min 8.0 4.0 100 660
16 250 MJW21194* MJW21193* 20/60 8.0 4.0 200 665
16 250 MJW21196* MJW21195* 20/60 8.0 4.0 200 671
15 230 MJW3281A* MJW1302A* 60/175 5.0 30 200 677
D2PAK

PD
5.0 450/1000 MJB18004D2T4 6.0 2.0 2.4 0.175 2.5 13 typ 75 367
6.0 100 MJB42CT4 15/75 3.0 3.0 65 381
8.0 80 MJB44H11T4 MJB45H11T4 40/100 4.0 0.5 typ 0.14 5.0 40 50 388
SOT–223

PD
ICCont VCEO(sus) ts tf fT (Case) Page
3.0 30 MMJT9410T1 MMJT9435T1 50 1.0 0.8 694,
699
0.5 30 MMJT350T1 30/240 0.05 0.8 692
SO–8 (Dual Transistors)

PD
3.0 30 MMDJ3N03BJTR2 MMDJ3P03BJTR2 50 1.0 30 2.0 682,
687
*Available in Q2, 2001.
http://onsemi.com
19
Audio
GENERAL DESIGN CURVES FOR POWER AUDIO OUTPUT STAGES
V(BR)CEO Required on Output and Driver Transistor Output Transistor Peak Collector Current
versus versus
Output Power for 4, 8 and 18 Ohm Loads Output Power for 4, 8 and 16 Ohm Loads
500 50
PEAK OUTPUT CURRENT (AMPS)

16 OHMS 30
300
4 OHMS
8 OHMS
V (BR) CEO (VOLTS)
8 OHMS
100 4 OHMS 10
70
50 5.0 16 OHMS
30 3.0
10 1.0
10 30 50 100 300 500 1000 10 30 50 100 300 500 1000
OUTPUT POWER (WATTS) OUTPUT POWER (WATTS)
Another important parameter that must be considered before selecting the output transistors is the safe–operating area these
devices must withstand. For a complete discussion see Application Note AN485.
Recommended Power Transistors for Audio/Servo Loads
RMS PD fT
Power Watts hFE @ IC MHz ISB
Output NPN PNP Case @ 25°C VCEO Min/Max Amps Typ Volts/Amps Page
To 25 W MJE15030 MJE15031 TO–220 50 150 20 min 4.0 30 14/3.6 492
MJE15032 MJE15033 TO–220 50 250 50 min 1.0 30 50/1.0 497
25 to 50 W 2N3055A MJ2955A TO–204 120 120 20/70 4.0 3.0 60/2.0 25
MJ15001 MJ15002 TO–204 200 140 25/150 4.0 3.0 40/5.0 337
50 to 100 W MJ15015 MJ15016 TO–204 180 120 20/70 4.0 3.0 60/3.0 25
MJ15003 MJ15004 TO–204 250 140 25/150 5.0 3.0 100/1.0 340
MJ15020 MJ15021 TO–204 150 250 30 min 1.0 30 50/3.0 344

Over 100 W MJ15024 MJ15025 TO–204 250 250 15/60 8.0 4.0 80/2.2 346,
349
MJL3281A MJL1302A 340G–02 150 200 60/175 7.0 30 40/4.0 655
MJ21194 MJ21193 TO–204 250 250 25/75 8.0 4.0 100/2.0 352
MJL21194 MJL21193 340G–02 200 200 25/75 8.0 4.0 100/2.0 644
MJL21196 MJL21195 340G–02 200 200 25/75 8.0 4.0 100/2.0 649
MJW21192 MJW21191 340K–01 100 150 15 min 4.0 4.0 50/3.0 660
MJW21194 MJW21193 340K–01 200 250 20/60 8.0 4.0 50/4.0 665
MJW21196 MJW21195 340K–01 200 250 25/60 8.0 4.0 50/4.0 671
MJW3281A MJW1302A 340K–01 200 200 60/175 5.0 30 50/4.0 677
The Power Transistors shown are provided for reference only and show device capability. The final choice of the Power
Transistors used is left to the circuit designer and depends upon the particular safe–operating area required and the mounting
and heat sinking configuration used.
http://onsemi.com
20
Bipolar Power Transistors for Electronic Lamp Ballasts
Plastic TO–220AB
ICCont VCEO(sus) VCES IC hFE min Inductive Switching PD (Case)

Amps Volts Volts Operating @ IC Operating @ IC Operating Watts Page
Max Min Min Device Type Amps VCE = 1.0 V Tsi Min/Max (µs) @ 25°C
2.0 400 700 BUL44 0.8 10 2.6 / 3.8 50 279
450 1000 MJE18002 1.0 6.0 / 2.75 50 505
4.0 500 800 BUH50 2.0 8.0 typ / 2.5 50 246
5.0 400 700 BUL45 2.0 7.0 2.6 / 3.8 75 296
400 700 BUL45D2* 2.0 10 1.95 / 2.25 75 286
450 1000 MJE18004 2.0 6.0 / 2.5 75 522
450 1000 MJE18004D2* 2.0 6.0 2.1 / 2.4 75 512
6.0 400 700 BUL146 3.0 8.0 2.6 / 3.8 100 263
450 1000 MJE18006 3.0 6.0 / 3.2 100 531
8.0 400 700 BUL147 4.5 8.0 2.6 / 3.8 125 272
450 1000 MJE18008 4.5 6.0 / 3.2 125 538
10 400 700 BUH100 5.0 10 typ / 3.0 100 226
15 400 700 BUH150 10 8.0 typ / 2.75 150 236
BUHXXX Series are specified for Halogen applications.
http://onsemi.com
21
Bipolar Power Transistors for Electronic Lamp Ballasts
Case 221D-02 is UL RECOGNIZED for its isolation feature. Case 221D-02 has been evaluated to 3500 volts RMS. Actual
isolation rating depends on specific mounting position and maintaining required strike and creepage distances.
Plastic (Isolated TO-220 Type)

5.0 450 1000 MJF18004 2.0 6.0 / 2.5 35 522
6.0 400 700 BUL146F 3.0 8.0 2.6 / 3.8 40 263
8.0 450 1000 MJF18008 4.5 6.0 / 3.2 45 538
Surface Mount Power Packages – DPAK

2.0 400 700 BUD44D2–1* 0.8 20 typ 2.05 / 2.35 25 216
Surface Mount Power Packages – DPAK

VCEO(sus)
CEO( ) PD
ICCont /VCES ts tf fT (Case)
2.0 450/1000 MJD18002D2T4 6.0 1.0 1.2 0.150 1.0 A 13 typ 25 407
D2PAK

VCEO(sus)
CEO( ) PD
ICCont /VCES ts tf fT (Case)
5.0 450/1000 MJB18004D2T4 6.0 2.0 2.4 0.175 2.5 A 13 typ 75 367
Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type)

1.5 400 700 MJE13003 1.0 6.0 typ / 3.0 40 461
(Note 36.)
3.0 500 800 BUH51 1.0 8.0 / 3.75 50 254
(Note 36.)
36. Case 77, Style 3

BUHXXX Series are specified for Halogen applications.
http://onsemi.com
22
CHAPTER 2
Data Sheets
http://onsemi.com
23
http://onsemi.com
24
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon 2N3055A
High-Power Transistors MJ15015 *
. . . PowerBase complementary transistors designed for high PNP
power audio, stepping motor and other linear applications. These
devices can also be used in power switching circuits such as relay or
MJ15016 *
solenoid drivers, dc–to–dc converters, inverters, or for inductive loads
requiring higher safe operating area than the 2N3055. *ON Semiconductor Preferred Device
• Current–Gain — Bandwidth–Product @ IC = 1.0 Adc 15 AMPERE

fT = 0.8 MHz (Min) – NPN COMPLEMENTARY
= 2.2 MHz (Min) – PNP SILICON
• POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Safe Operating Area — Rated to 60 V and 120 V, Respectively
60, 120 VOLTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
115, 180 WATTS
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N3055A
MJ15015
MJ15016 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage
VCEO
VCBO
60
100
120
200
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage Base
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Reversed Biased
VCEV 100 200 Vdc
CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Emitter–Base Voltage VEBO 7.0 Vdc (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Current — Continuous
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC 15 Adc
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB 7.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 115 180 Watts
Derate above 25C 0.65 1.03 W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg –65 to +200 C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1.52 0.98 C/W
*Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001 25 Publication Order Number:

May, 2001 – Rev. 4 2N3055A/D
2N3055A MJ15015 MJ15016
200
PD(AV), AVERAGE POWER DISSIPATION (W)

150
MJ15015
MJ15016
100
50 2N3055A
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Derating
http://onsemi.com
26
2N3055A MJ15015 MJ15016
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Characteristic Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*Collector–Emitter Sustaining Voltage 2N3055A VCEO(sus) 60 — Vdc
(IC = 200 mAdc, IB = 0) MJ15015, MJ15016 120 —
ÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, VBE(off) = 0 Vdc) 2N3055A
ICEO
— 0.7
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 0 Vdc) MJ15015, MJ15016 — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*Collector Cutoff Current 2N3055A ICEV — 5.0 mAdc
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) MJ15015, MJ15016 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, 2N3055A
ICEV
— 30
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TC = 150C) MJ15015, MJ15016 — 6.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current 2N3055A IEBO — 5.0 mAdc
(VEB = 7.0 Vdc, IC = 0) MJ15015, MJ15016 — 0.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b Adc
(t = 0.5 s non–repetitive) 2N3055A 1.95 —
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS (1)
MJ15015, MJ15016 3.0 —
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
hFE
10 70
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 20 70
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 5.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 400 mAdc)
VCE(sat)
— 1.1
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 3.3 Adc) — 3.0
(IC = 15 Adc, IB = 7.0 Adc) — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) 0.7 1.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product 2N3055A, MJ15015 fT 0.8 6.0 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz) MJ15016 2.2 18
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob 60 600 pF
*SWITCHING CHARACTERISTICS (2N3055A only)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RESISTIVE LOAD
Delay Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rise Time ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ (VCC = 30 Vdc, IC = 4.0 Adc,
td
tr
—
—
0.5
4.0
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB1 = IB2 = 0.4
0 4 Adc,
Adc
Storage Time tp = 25 µs
µ Duty y Cycle
y 2% ts — 3.0 µs
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2%.
tf — 6.0 µs
*Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)
http://onsemi.com
27
2N3055A MJ15015 MJ15016
200 2.8
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

TJ = 25°C
100 TJ = 150°C 2.4
70
hFE , DC CURRENT GAIN
50 2
-55°C
30 1.6 IC = 1 A 4A 8A
20
VCE = 4.0 V 25°C 1.2
10
7 0.8
5
0.4
3
2 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 15 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (AMP)
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Collector Saturation Region
T CURRENT-GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

3.5 10
TC = 25°C
3
5.0 MJ15016
2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
2
2.0
1.5 2N3055A
VBE(sat) @ IC/IB = 10 MJ15015
1
1.0
VBE(on) @ VCE = 4 V
0.5
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0
f,
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

Figure 4. “On” Voltages Figure 5. Current–Gain — Bandwidth Product
10
7 VCC = 30 V
5 IC/IB = 10
VCC TJ = 25°C
+30 V 3
2
t, TIME (s)
tr
µ
7.5 Ω
25 µs 1
+13 V SCOPE 0.7
30 Ω
0 0.5
1N6073 0.3
-11 V
0.2
tr, tf ≤ 10 ns td
-5 V
DUTY CYCLE = 1.0% 0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 15
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 6. Switching Times Test Circuit Figure 7. Turn–On Time

(Circuit shown is for NPN)
http://onsemi.com
28
2N3055A MJ15015 MJ15016
10 400
7 TJ = 25°C
5 2N3055A
3 200 Cib MJ15015
C, CAPACITANCE (pF)
2 ts MJ15016
t, TIME (s)
µ
tf
0.1 100
0.7
0.5 VCC = 30 50 Cob
IC/IB = 10
0.3 IB1 = IB2
0.2 TJ = 25°C 30
0.1 20
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 15 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Turn–Off Times Figure 9. Capacitances
COLLECTOR CUT–OFF REGION
NPN PNP
10,000 1000
VCE = 30 V VCE = 30 V
1000 100
IC, COLLECTOR CURRENT (A)

µ
100 10 TJ = 150°C
TJ = 150°C
10 1.0
100°C 100°C
1.0 0.1 IC = ICES
IC = ICES
REVERSE FORWARD
REVERSE FORWARD
0.1 0.01 25°C
25°C
0.01 0.001
+0.2 +0.1 0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.2 -0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. 2N3055A, MJ15015 Figure 11. MJ15016
20 20
30 µs 0.1ms
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
10
100 µs 5.0
1 ms 1.0ms
5
2.0
100 ms 1.0 100ms

BONDING WIRE LIMIT BONDING WIRE LIMIT
2 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C dc THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
0.5
(SINGLE PULSE) (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMIT SECOND BREAKDOWN LIMIT dc
1 0.2
10 20 60 100 15 20 30 60 100 120
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area Figure 13. Forward Bias Safe Operating Area
2N3055A MJ15015, MJ15016
http://onsemi.com
29
2N3055A MJ15015 MJ15016
There are two limitations on the power handling ability of

a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe Operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figures 12 and 13 is based on TC = 25C;
TJ(pk) is variable depending on power level. Second
breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but
must be derated for temperature according to Figure 1.
http://onsemi.com
30
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Power 2N3055 *
PNP
Transistors MJ2955 *
. . . designed for general–purpose switching and amplifier
applications. *ON Semiconductor Preferred Device
• DC Current Gain — hFE = 20–70 @ IC = 4 Adc 15 AMPERE

• Collector–Emitter Saturation Voltage — POWER TRANSISTORS
VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc COMPLEMENTARY
• Excellent Safe Operating Area SILICON
60 VOLTS
115 WATTS
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCER
60
70
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 100 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 7 Vdc CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 15 Adc (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current IB 7 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 115
0.657
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg –65 to +200 C
Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
160
RθJC 1.52 C/W
140
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

April, 2001 – Rev. 2 2N3055/D
2N3055 MJ2955
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Characteristic Symbol Min Max Unit
*OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) VCEO(sus) 60 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) VCER(sus) 70 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, RBE = 100 Ohms)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO — 0.7 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX mAdc
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) — 5.0
ÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 20 70
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 5.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 400 mAdc)
VCE(sat)
— 1.1
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 3.3 Adc) 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased Is/b 2.87 — Adc
(VCE = 40 Vdc, t = 1.0 s, Nonrepetitive)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product fT 2.5 — MHz
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*Small–Signal Current Gain
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe 15 120 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
*Small–Signal Current Gain Cutoff Frequency
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 4.0 Vdc, IC = 1.0 Adc, f = 1.0 kHz)
*Indicates Within JEDEC Registration. (2N3055)
fhfe 10 — kHz
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
http://onsemi.com
32
2N3055 MJ2955
2N3055, MJ2955 There are two limitations on the power handling ability of
20 a transistor: average junction temperature and second
50 µs
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
10 dc
1 ms limits of the transistor that must be observed for reliable

6 operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
4 dissipation than the curves indicate.
500 µs The data of Figure 2 is based on TC = 25C; TJ(pk) is
2 250 µs
variable depending on power level. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
1
derated for temperature according to Figure 1.
0.6 BONDING WIRE LIMIT
0.4 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMIT
0.2
6 10 20 40 60
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Active Region Safe Operating Area
http://onsemi.com
33
2N3055 MJ2955
NPN PNP
2N3055 MJ2955
500 200
300 VCE = 4.0 V VCE = 4.0 V
TJ = 150°C TJ = 150°C
200 25°C
100

25°C
100 70 -55°C
70 -55°C
50
50
30 30
20
20
10
7.0
5.0 10
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 3. DC Current Gain
2.0 2.0
TJ = 25°C VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TJ = 25°C

1.6 1.6
IC = 1.0 A 4.0 A 8.0 A IC = 1.0 A 4.0 A 8.0 A
1.2 1.2
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000
IB, BASE CURRENT (mA) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 4. Collector Saturation Region
1.4 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.2
1.6
1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
0.8 1.2 VBE(sat) @ IC/IB = 10

VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 4.0 V
0.6 VBE @ VCE = 4.0 V 0.8
0.4
0.4
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10
0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 5. “On” Voltages
http://onsemi.com
34
ON Semiconductor
High-Power Industrial 2N3442

Transistors
NPN silicon power transistor designed for applications in industrial 10 AMPERE
and commercial equipment including high fidelity audio amplifiers, POWER TRANSISTOR
series and shunt regulators and power switches. NPN SILICON
• Collector –Emitter Sustaining Voltage — 140 VOLTS
117 WATTS
VCEO(sus) = 140 Vdc (Min)
• Excellent Second Breakdown Capability
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEO
VCB
140
160
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VEB
IC
7.0
10
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Peak
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous IB
15**
7.0 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Peak —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C PD 117 Watts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Derate above 25C 0.67 W/C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to +200 C
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
* Indicates JEDEC Registered Data.

** This data guaranteed in addition to JEDEC registered data.
RθJC 1.5 C/W

March, 2001 – Rev. 10 2N3442/D
2N3442
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 140 — Vdc
(IC = 200 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, IB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO — 200 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C)
ICEX
—
—
5.0
30
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎ
20
7.5
70
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — 5.0 Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) — 5.7 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (2) fT 80 — kHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 40 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hfe 12 72 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Indicates JEDEC Registered Data.
NOTES:
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
2. fT = |hfe| • ftest
PD /PD(MAX), POWER DISSIPATION (NORMALIZED)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
http://onsemi.com
36
2N3442
ACTIVE REGION SAFE OPERATING AREA INFORMATION

20
10 µs
10 There are two limitations on the power–handling ability
7.0 dc of a transistor: average junction temperature and second

5.0 breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
3.0 30 µs limits of the transistor that must be observed for reliable
50 µs
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
2.0
100 µs
TJ = 200°C
1.0 1.0 ms The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 200C; TC is vari-
0.7 CURRENT LIMIT able depending on conditions. At high case temperatures,
100 ms
0.5 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C thermal limitations will reduce the power that can be han-
SINGLE PULSE dled to values less than the limitations imposed by second
0.3 SECOND BREAKDOWN LIMIT breakdown.
0.2
2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
Figure 2. 2N3442
400 1.4
TJ = 150°C VCE = 4.0 V VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
200 1.2 IC = 1.0 A 2.0 A 4.0 A 8.0 A
hFE, DC CURRENT GAIN
100 1.0
-55°C
60 25°C
0.8
40
0.6
20
0.4
10
0.2
6.0 TJ = 25°C
4.0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0k 2.0k
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain Figure 4. Collector–Saturation Region
http://onsemi.com
37
ON Semiconductor
High Power NPN Silicon Power 2N3771*

Transistors 2N3772
. . . designed for linear amplifiers, series pass regulators, and *ON Semiconductor Preferred Device
inductive switching applications.
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability 20 and 30 AMPERE
POWER TRANSISTORS
IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc — 2N3771
NPN SILICON
= 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc — 2N3772
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40 and 60 VOLTS
150 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N3771 2N3772 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 40 60 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEX 50 80 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
50
5.0
100
7.0
Vdc
Vdc CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Collector Current — Continuous IC 30 20 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
Peak 30 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Continuous
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IB 7.5
15
5.0
15
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 150 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristics Symbol 2N3771, 2N3772 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case θJC 1.17 C/W
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

March, 2001 – Rev. 9 2N3771/D
2N3771 2N3772
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) 2N3771 VCEO(sus) 40 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.2 Adc, IB = 0) 2N3772 60 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage 2N3771 VCEX(sus) 50 — Vdc
(IC = 0.2 Adc, VEB(off) = 1.5 Vdc, RBE = 100 Ohms) 2N3772 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.2 Adc, RBE = 100 Ohms)
2N3771
2N3772
VCER(sus) 45
70
—
—
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICEO mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N3771 — 10
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N3772 — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 25 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICEV mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N3771 — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N3771
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 10
2N3772 — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 45 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 50 Vdc, IE = 0) 2N3771
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.0
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) 2N3772 — 5.0
ÎÎÎÎÎ
*Emitter Cutoff Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N3771
IEBO
— 5.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) 2N3772 — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (1) hFE —
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771 15 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772 15 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771 5.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772 5.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎ
2N3771
2N3772
VCE(sat)
— 2.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.4
(IC = 30 Adc, IB = 6.0 Adc) 2N3771 — 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N3772 — 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on) Vdc
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.7
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772 — 2.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 0.2 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 40 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Energy with Base Forward Biased, t = 1.0 s (non–repetitive) IS/b Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc) 2N3771 3.75 —
(VCE = 60 Vdc) 2N3772 2.5 —
(1) Pulse Test: 300 µs, Rep. Rate 60 cps.
http://onsemi.com
39
2N3771 2N3772
1.0
0.7
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
D = 0.5
0.5
RESISTANCE (NORMALIZED)
0.3 0.2
0.2
0.1
0.1 0.05 θJC(t) = r(t) θJC P(pk)
0.07
θJC = 0.875°C/W MAX
0.05 D CURVES APPLY FOR POWER
0.02
PULSE TRAIN SHOWN t1
0.03 0.01 READ TIME AT t1 t2
0.02 SINGLE PULSE TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
Figure 2. Thermal Response — 2N3771, 2N3772
40 There are two limitations on the power handling ability of

40 µs
2N3771 breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

20
2N3772, (dc) 100 µs limits of the transistor that must be observed for reliable
dc operation: i.e., the transistor must not be subjected to greater
10 200 µs dissipation than the curves indicate.
TC = 25°C
Figure 3 is based on JEDEC registered Data. Second
7.0 BONDING WIRE LIMITED 1.0 ms
THERMALLY LIMITED
breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10%
5.0 (SINGLE PULSE) 100 ms provided TJ(pk) < 200C. TJ(pk) may be calculated from the
SECOND BREAKDOWN LIMITED data of Figure 2. Using data of Figure 2 and the pulse power
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
3.0 PULSE CURVES APPLY 500 ms
limits of Figure 3, TJ(pk) will be found to be less than TJ(max)
2N3771
FOR ALL DEVICES for pulse widths of 1 ms and less. When using ON
2N3772
2.0 Semiconductor transistors, it is permissible to increase the
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
pulse power limits until limited by T J(max).
Figure 3. Active–Region Safe Operating Area

— 2N3771, 2N3772
VCC
+30 V 10
5.0 VCC = 30
IC/IB = 10 VBE(off) = 5.0 V
25 µs RC 2.0 TJ = 25°C
+11 V SCOPE
RB 1.0
tr
t, TIME (s)
0.5
µ
0
51 D1
0.2
-9.0 V
0.1
tr, tf ≤ 10 ns -4 V
DUTY CYCLE = 1.0% 0.05 td
RB AND RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS 0.02
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 0.01
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 4. Switching Time Test Circuit Figure 5. Turn–On Time
http://onsemi.com
40
2N3771 2N3772
100 2000
50 VCC = 30 V TJ = 25°C
IC/IB = 10
20 IB1 = IB2
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
10 TJ = 25°C 1000
t, TIME (s)
5.0 Cob
µ
700
ts
2.0
500
1.0
tf
0.5
300
0.2
0.1 200
0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Turn–Off Time Figure 7. Capacitance

500 2.0

TJ = 25°C
300 TJ = 150°C VCE = 4.0 V
200 1.6
25°C IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A
100
70 1.2
50 -55°C
30 0.8
20
0.4
10
7.0
5.0 0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
http://onsemi.com
41
ON Semiconductor
High Power NPN Silicon Power 2N3771*

Transistors 2N3772
. . . designed for linear amplifiers, series pass regulators, and *ON Semiconductor Preferred Device
inductive switching applications.
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability 20 and 30 AMPERE
POWER TRANSISTORS
IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc — 2N3771
NPN SILICON
= 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc — 2N3772
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40 and 60 VOLTS
150 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEX 50 80 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
50
5.0
100
7.0
Vdc
Vdc CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Collector Current — Continuous IC 30 20 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
Peak 30 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IB 7.5
15
5.0
15
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristics Symbol 2N3771, 2N3772 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

March, 2001 – Rev. 9 2N3771/D
2N3771 2N3772
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) 2N3771 VCEO(sus) 40 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.2 Adc, IB = 0) 2N3772 60 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage 2N3771 VCEX(sus) 50 — Vdc
(IC = 0.2 Adc, VEB(off) = 1.5 Vdc, RBE = 100 Ohms) 2N3772 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N3771
2N3772
VCER(sus) 45
70
—
—
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICEO mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N3771 — 10
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N3772 — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 25 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICEV mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N3771
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 10
2N3772 — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 50 Vdc, IE = 0) 2N3771
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.0
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) 2N3772 — 5.0
ÎÎÎÎÎ
*Emitter Cutoff Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N3771
IEBO
— 5.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) 2N3772 — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771 15 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772 15 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771 5.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772 5.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎ
2N3771
2N3772
VCE(sat)
— 2.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.4
(IC = 30 Adc, IB = 6.0 Adc) 2N3771 — 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N3772 — 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.7
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772 — 2.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 40 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Energy with Base Forward Biased, t = 1.0 s (non–repetitive) IS/b Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc) 2N3771 3.75 —
(VCE = 60 Vdc) 2N3772 2.5 —
(1) Pulse Test: 300 µs, Rep. Rate 60 cps.
http://onsemi.com
43
2N3771 2N3772
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
0.1 0.05 θJC(t) = r(t) θJC P(pk)
0.07
0.02
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
Figure 2. Thermal Response — 2N3771, 2N3772

40 µs
2N3771 breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

20
2N3772, (dc) 100 µs limits of the transistor that must be observed for reliable
dc operation: i.e., the transistor must not be subjected to greater
10 200 µs dissipation than the curves indicate.
TC = 25°C
Figure 3 is based on JEDEC registered Data. Second
7.0 BONDING WIRE LIMITED 1.0 ms
THERMALLY LIMITED
breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10%
5.0 (SINGLE PULSE) 100 ms provided TJ(pk) < 200C. TJ(pk) may be calculated from the
SECOND BREAKDOWN LIMITED data of Figure 2. Using data of Figure 2 and the pulse power
3.0 PULSE CURVES APPLY 500 ms
limits of Figure 3, TJ(pk) will be found to be less than TJ(max)
2N3771
FOR ALL DEVICES for pulse widths of 1 ms and less. When using ON
2N3772
2.0 Semiconductor transistors, it is permissible to increase the
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
pulse power limits until limited by T J(max).

— 2N3771, 2N3772
VCC
+30 V 10
5.0 VCC = 30
IC/IB = 10 VBE(off) = 5.0 V
25 µs RC 2.0 TJ = 25°C
+11 V SCOPE
RB 1.0
tr
t, TIME (s)
0.5
µ
0
51 D1
0.2
-9.0 V
0.1
tr, tf ≤ 10 ns -4 V
DUTY CYCLE = 1.0% 0.05 td
RB AND RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS 0.02
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
http://onsemi.com
44
2N3771 2N3772
100 2000
50 VCC = 30 V TJ = 25°C
IC/IB = 10
20 IB1 = IB2
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
10 TJ = 25°C 1000
t, TIME (s)
5.0 Cob
µ
700
ts
2.0
500
1.0
tf
0.5
300
0.2
0.1 200
0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

500 2.0

TJ = 25°C
300 TJ = 150°C VCE = 4.0 V
200 1.6
25°C IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A
100
70 1.2
50 -55°C
30 0.8
20
0.4
10
7.0
5.0 0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
http://onsemi.com
45
ON Semiconductor
NPN
PNP
Transistors
2N6609
The 2N3773 and 2N6609 are PowerBase power transistors
designed for high power audio, disk head positioners and other linear *ON Semiconductor Preferred Device
applications. These devices can also be used in power switching
circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or 16 AMPERE
inverters. COMPLEMENTARY
POWER TRANSISTORS
• High Safe Operating Area (100% Tested) 150 W @ 100 V 140 VOLTS
• Completely Characterized for Linear Operation 150 WATTS
• High DC Current Gain and Low Saturation Voltage
hFE = 15 (Min) @ 8 A, 4 V
VCE(sat) = 1.4 V (Max) @ IC = 8 A, IB = 0.8 A
• For Low Distortion Complementary Designs
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO 140 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEX 160 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO 160 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEBO 7 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 16 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) 30
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base Current — Continuous IB 4 Adc
— Peak (1) 15
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
PD 150
0.855
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC 1.17 C/W
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle 10%.

March, 2001 – Rev. 9 2N3773/D
2N3773 2N6609
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector–Emitter Breakdown Voltage VCEO(sus) 140 — Vdc
(IC = 0.2 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
*Collector–Emitter Sustaining Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, VBE(off) = 1.5 Vdc, RBE = 100 Ohms)
VCEX(sus) 160 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCER(sus) 150 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICEO — 10 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 120 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICEX mAdc
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 140 Vdc, IE = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO — 2 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Emitter Cutoff Current IEBO — 5 mAdc
(VBE = 7 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*(IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15 60
(IC = 16 Adc, VCE = 4 Vdc) 5 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*(IC = 8 Adc, IB = 800 mAdc)
VCE(sat)
— 1.4
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) — 4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Base–Emitter On Voltage VBE(on) — 2.2 Vdc
(IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of Common–Emitter |hfe| 4 — —
Small–Signal, Short–Circuit, Forward Current Transfer Ratio
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 A, f = 50 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Small–Signal Current Gain hfe 40 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b 1.5 — Adc
t = 1 s (non–repetitive), VCE = 100 V, See Figure 12
http://onsemi.com
47
2N3773 2N6609
NPN PNP
300 300
200 150°C 200 150°C
25°C
100 100

-55°C -55°C
70 25°C 70
50 50
30 VCE = 4 V 30 VCE = 4 V
20 20
10 10
7.0 7.0
5.0 5.0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 10. DC Current Gain Figure 11. DC Current Gain
2.0 2.0

IC = 4 A IC = 4 A
1.6 1.6 IC = 16 A
1.2 1.2
IC = 8 A
IC = 8 A
IC = 16 A
0.8 0.8
0.4 0.4
TC = 25°C TC = 25°C
0 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
IB, BASE CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (AMPS)
Figure 12. Collector Saturation Region Figure 13. Collector Saturation Region
2.0 2.0
IC/IB = 10 IC/IB = 10
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2 VBE(sat)

VBE(sat)
0.8 25°C 0.8 25°C
150°C 150°C
150°C
0.4 150°C 0.4 25°C
VCE(sat) 25°C
VCE(sat)
0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
Figure 14. “On” Voltage Figure 15. “On” Voltage
http://onsemi.com
48
2N3773 2N6609
30
20 10 µs
40 µs
10

100 µs
5.0 dc 200 µs
3.0 1.0 ms
2.0
100 ms
1.0
0.5
500 ms
0.2 THERMAL LIMIT
@ TC = 25°C, SINGLE PULSE
0.1
0.05
0.03
3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300
Figure 16. Forward Bias Safe Operating Area
There are two limitations on the power handling ability of limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
a transistor: average junction temperature and second < 200C. At high case temperatures, thermal limitations
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE will reduce the power that can be handled to values less than
limits of the transistor that must be observed for reliable the limitations imposed by second breakdown.
operation: i.e., the transistor must not be subjected to greater
The data of Figure 7 is based on TJ(pk) = 200C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
100
POWER DERATING FACTOR (%)
80
60
THERMAL
40 DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200
http://onsemi.com
49
ON Semiconductor
2N4918
Medium-Power Plastic PNP thru
Silicon Transistors 2N4920 *
. . . designed for driver circuits, switching, and amplifier *ON Semiconductor Preferred Device
applications. These high–performance plastic devices feature:
3 AMPERE
• Low Saturation Voltage — GENERAL–PURPOSE
VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp POWER TRANSISTORS
• Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction — 40–80 VOLTS
PD = 30 W @ TC = 25C 30 WATTS
• Excellent Safe Operating Area
• Gain Specified to IC = 1.0 Amp
• Complement to NPN 2N4921, 2N4922, 2N4923
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
Î ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Ratings Symbol 2N4918 2N4919 2N4920 Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 40 60 80 Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
40 60
5.0
80 Vdc
Vdc
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous (1)
ÎÎÎ
IC* 1.0
3.0
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ IB 1.0 Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 30
0.24
Watts
W/C
ÎÎÎ
Operating & Storage Junction TJ, Tstg –65 to +150 C
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS (2)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
*Indicates JEDEC Registered Data for 2N4918 Series.

θJC 4.16 C/W
(1) The 1.0 Amp maximum IC value is based upon JEDEC current gain requirements.
The 3.0 Amp maximum value is based upon actual current–handling capability of the
device (See Figure 5).
(2) Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.

March, 2001 – Rev. 9 2N4918/D
2N4918 thru 2N4920
40

30
20
10
0
25 50 75 100 125 150
http://onsemi.com
51
2N4918 thru 2N4920
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) VCEO(sus) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N4918 40 —
2N4919
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
60 —
2N4920 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 20 Vdc, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4918
ICEO
— 0.5
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N4919 — 0.5
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N4920 — 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc)
ICEX
— 0.1
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) — 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO — 0.1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = Rated VCB, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 1.0 mAdc
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (1) ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) 40 —
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
150
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
VCE(sat) — 0.6 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1) VBE(sat) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1) VBE(on) — 1.3 Vdc
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 3.0 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
Cob
hfe
—
25
100
—
pF
—
(1) Pulse Test: PW 300 µs, Duty Cycle 2.0%
VBE(off)
5.0
0 VCC = 30 V IC/IB = 10, UNLESS NOTED
Vin VCC 3.0
RC IC/IB = 20 TJ = 25°C
APPROX 2.0 TJ = 150°C
-11 V Vin SCOPE
t1 RB 1.0
VCC = 30 V
t, TIME (s)
Cjd<<Ceb 0.7
µ
tr
APPROX 9.0 V 0.5 VCC = 60 V
t2 +4.0 V
0.3 td VCC = 60 V
RB and RC 0.2 VBE(off) = 2.0 V
Vin 0 varied to
t1 < 15 ns obtain desired
100 < t2 < 500 µs 0.1
APPROX current levels VCC = 30 V
t3 < 15 ns 0.07
-11 V VBE(off) = 0
t3 DUTY CYCLE ≈ 2.0% 0.05
10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
TURN-OFF PULSE IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuit Figure 3. Turn–On Time
http://onsemi.com
52
2N4918 thru 2N4920
1.0
0.7 D = 0.5
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
0.5
0.3 0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
θJC(t) = r(t) θJC P(pk)
0.1 0.05
0.07 0.01 D CURVES APPLY FOR POWER
0.05 PULSE TRAIN SHOWN t1
0.03 READ TIME AT t1 t2
SINGLE PULSE
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
Figure 4. Thermal Response

1.0 ms 100 µs
5.0 5.0 ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

operation i.e., the transistor must not be subjected to greater
2.0 TJ = 150°C dissipation than the curves indicate.
dc The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
1.0 variable depending on conditions. Second breakdown pulse
SECOND BREAKDOWN LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.5 BONDING WIRE LIMITED 150C. At high case temperatures, thermal limitations
THERMALLY LIMIT @ TC = 25°C will reduce the power that can be handled to values less than
0.2 PULSE CURVES APPLY BELOW the limitations imposed by second breakdown.
RATED VCEO
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
5.0 5.0
IC/IB = 20 TJ = 25°C
3.0 3.0
IC/IB = 20 TJ = 150°C
2.0 2.0 VCC = 30 V
t s′, STORAGE TIME (s)
IB1 = IB2
µ
t f , FALL TIME (s)
1.0 IC/IB = 10 1.0

µ
0.7 0.7
0.5 0.5
IC/IB = 10
0.3 ts′ = ts - 1/8 tf 0.3
0.2 TJ = 25°C 0.2
TJ = 150°C
0.1 IB1 = IB2 0.1
0.07 0.07
0.05 0.05
10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 6. Storage Time Figure 7. Fall Time
http://onsemi.com
53
2N4918 thru 2N4920
TYPICAL DC CHARACTERISTICS
1000 1.0

700 VCE = 1.0 V
500 IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.8
TJ = 150°C
300
200
0.6
25°C
100 TJ = 25°C
70 -55°C 0.4
50
30
0.2
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 8. Current Gain Figure 9. Collector Saturation Region
RBE , EXTERNAL BASE-EMITTER RESISTANCE (OHMS)
108 1.5
IC = 10 ICES VCE = 30 V
107 1.2 TJ = 25°C

VOLTAGE (VOLTS)
106 0.9
IC ≈ ICES
105 IC = 2x ICES 0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
ICES VALUES
104 OBTAINED FROM 0.3
FIGURE 13
103 0
0 30 60 90 120 150 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 10. Effects of Base–Emitter Resistance Figure 11. “On” Voltage
102 +2.5
+2.0 hFE@VCE 1.0V
TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ °C)
*APPLIES FOR IC/IB <

101 2
+1.5
µ
TJ = 150°C
100 +1.0
TJ = 100°C to 150°C
+0.5
*θVC FOR VCE(sat)
10-1 0
TJ = -55°C to +100°C
100°C
-0.5
10-2 IC = ICES -1.0
VCE = 30 V -1.5
104
θVB FOR VBE
25°C -2.0
103 REVERSE FORWARD
-2.5
-0.2 -0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. Collector Cut–Off Region Figure 13. Temperature Coefficients
http://onsemi.com
54
ON Semiconductor
2N4921
Medium-Power Plastic NPN
thru
Silicon Transistors
2N4923 *
. . . designed for driver circuits, switching, and amplifier
*ON Semiconductor Preferred Device
applications. These high–performance plastic devices feature:
• Low Saturation Voltage — 1 AMPERE
VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp GENERAL–PURPOSE
POWER TRANSISTORS
• Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction —
40–80 VOLTS
PD = 30 W @ TC = 25C 30 WATTS
• Gain Specified to IC = 1.0 Amp
• Complement to PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N4921 2N4922 2N4923 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 40 60 80 Vdc CASE 77–09
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 5.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous (1) IC 1.0 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Continuous IB 1.0 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Operating & Storage Junction
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
4.16
Unit
C/W
(1) The 1.0 Amp maximum IC value is based upon JEDEC current gain requirements.
The 3.0 Amp maximum value is based upon actual current handling capability of the
device (see Figures 5 and 6)
(2) Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.

March, 2001 – Rev. 9 2N4921/D
2N4921 thru 2N4923
40

30
20
10
0
25 50 75 100 125 150
Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All limits are applicable and must be observed.
http://onsemi.com
56
2N4921 thru 2N4923
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N4921 40 —
2N4922
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
60 —
2N4923 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4921
ICEO
— 0.5
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N4922 — 0.5
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N4923 — 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc)
ICEX
— 0.1
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) — 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (3) ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) 40 —
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30 150
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (3) VBE(on) — 1.3 Vdc
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 3.0 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
Cob
hfe
—
25
100
—
pF
—
(3) Pulse Test: PW ≈ 300 µs, Duty Cycle ≈ 2.0%.
APPROX
TURN-ON PULSE 5.0
+11 V
t1 VCC = 30 V IC/IB = 10, UNLESS NOTED
VCC 3.0
Vin RC IC/IB = 20 TJ = 25°C
2.0 TJ = 150°C
Vin VCC = 60 V
VBE(off) RB 1.0
t, TIME (s)
Cjd<<Ceb 0.7
µ
t3 0.5 tr
APPROX -4.0 V VCC = 30 V
SCOPE
+11 V t1 ≤ 15 ns 0.3 td
0.2 VCC = 60 V
100 < t2 ≤ 500 µs
Vin VBE(off) = 2.0 V
t3 ≤ 15 ns
0.1 VCC = 30 V
APPROX 9.0 V DUTY CYCLE ≈ 2.0% 0.07
t2 VBE(off) = 0
RB and RC varied to 0.05
TURN-OFF PULSE obtain desired 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
current levels IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit Figure 3. Turn–On Time
http://onsemi.com
57
2N4921 thru 2N4923
1.0
0.7 D = 0.5
RESISTANCE (NORMALIZED) 0.5
r(t), TRANSIENT THERMAL
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.1 θJC(t) = r(t) θJC
0.05 θJC = 4.16°C/W MAX
0.1
D CURVES APPLY FOR POWER
0.07 PULSE TRAIN SHOWN
0.05 0.01 t1
READ TIME AT t1 t2
0.03 TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)

7.0 a transistor: average junction temperature and second
5.0 100 µs
5.0 ms 1.0 ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

3.0 operation i.e., the transistor must not be subjected to greater
2.0 TJ = 150°C dc dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC
1.0 is variable depending on conditions. Second breakdown
0.7 SECOND BREAKDOWN pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.5 LIMITED
150C. At high case temperatures, thermal limitations
BONDING WIRE LIMITED
0.3 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C will reduce the power that can be handled to values less than
0.2 PULSE CURVES APPLY BELOW the limitations imposed by second breakdown.
RATED VCEO
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
5.0 5.0
3.0 IC/IB = 20 3.0
IC/IB = 20
2.0 2.0
t s′, STORAGE TIME (s)
µ
1.0
t f , FALL TIME (s)
1.0
µ
0.7 IC/IB = 10 IC/IB = 20 0.7

0.5 0.5
0.3 0.3 IC/IB = 10
0.2 TJ = 25°C 0.2 TJ = 25°C
TJ = 150°C TJ = 150°C
0.1 IB1 = IB2 0.1 VCC = 30 V
0.07 ts′ = ts - 1/8 tf 0.07 IB1 = IB2
0.05 0.05
10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
Figure 6. Storage Time Figure 7. Fall Time
http://onsemi.com
58
2N4921 thru 2N4923
1000 1.0

700 VCE = 1.0 V
500 IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.8
300
200 TJ = 150°C
0.6 TJ = 25°C
100
25°C
70 0.4
50 -55°C
30 0.2
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 8. Current Gain Figure 9. Collector Saturation Region
108 1.5
IC = 10 x ICES VCE = 30 V TJ = 25°C
107 1.2
IC = 2 x ICES VOLTAGE (VOLTS)
106 0.9
IC ≈ ICES
105 0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
ICES VALUES
104 OBTAINED FROM 0.3
FIGURE 12
103 0
0 30 60 90 120 150 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 10. Effects of Base–Emitter Resistance Figure 11. “On” Voltage
104 +2.5
+2.0 hFE@VCE 1.0V
TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ °C)
TJ = 150°C *APPLIES FOR IC/IB ≤

103 2
+1.5
µ
102 100°C +1.0 TJ = 100°C to 150°C

25°C +0.5
*θVC FOR VCE(sat)
101 0
-55°C to +100°C
IC = ICES -0.5
100 VCE = 30 V -1.0
10-1 -1.5
θVB FOR VBE
-2.0
REVERSE FORWARD
10-2 -2.5
-0.2 -0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
http://onsemi.com
59
ON Semiconductor
2N5038
NPN Silicon Transistors
. . . fast switching speeds and high current capacity ideally suit these
parts for use in switching regulators, inverters, wide–band amplifiers
and power oscillators in industrial and commercial applications. 20 AMPERE
NPN SILICON
• High Speed – tf = 0.5 µs (Max) POWER TRANSISTOR
• High Current – IC(max) = 30 Amps 90 VOLTS
• Low Saturation – VCE(sat) = 2.5 V (Max) @ IC = 20 Amps 140 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEV 150 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current – Continuous IC 20 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Peak (1)
Base Current – Continuous
ÎÎÎÎ
ICM
IB
30
5 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
PD 140
0.8
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg –65 to +200 C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1.25 C/W
(1) Pulse Test: Pulse Width 10 ms, Duty Cycle 50%.
VCC
+30 V
RC
2.5
+11 V 10 Ω
PW = 20 µs
0 DUTY CYCLE = 1%
-9 V 1N4933
-5 V
2N5038 2N5039
IC = 12 AMPS IC = 10 AMPS
IB1 = IB2 = 1.2 AMPS IB1 = IB2 = 1.0 AMPS
Figure 1. Switching Time Test Circuit

May, 2001 – Rev. 10 2N5038/D
2N5038
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 90 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) – 50
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) – 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc, IC = 0) – 5
(VEB = 7 Vdc, IC = 0) – 50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 Adc, VCE = 5 Vdc) 20 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 5 Adc)
VCE(sat) – 2.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) – 3.3 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of Common–Emitter Small–Signal Short–Circuit |hfe| 12 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Forward Current Transfer Ratio
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 5 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RESISTIVE LOAD
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 30 Vdc) tr – 0.5
Storage Time (IC = 12 Adc, IB1 = IB2 = 1.2 Adc) ts – 1.5 µs
(2) Pulse Test: Pulse Width 300, µs, Duty Cycle 2%.

50 breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

10 dc
5 Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles
to 10%. At high case temperatures, thermal limitations may
2 reduce the power that can be handled to values less than the
1 BONDING WIRE LIMIT limitations imposed by second breakdown.
THERMAL LIMIT
0.5 SECOND BREAKDOWN LIMIT
TC = 25°C
0.2
0.1
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100
http://onsemi.com
61
ON Semiconductor
2N5191
Silicon NPN Power Transistors 2N5192 *
. . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent *ON Semiconductor Preferred Device
safe area limits. Complement to PNP 2N5194, 2N5195.
4 AMPERE
POWER TRANSISTORS
SILICON NPN
60–80 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
40 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 60 80 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current IC 4.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current IB 1.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 320 mW/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit CASE 77–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
Thermal Resistance, Junction to Case θJC 3.12 C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N5191 60 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5192 80 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO mAdc
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N5191 — 1.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N5192 — 1.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc)
2N5191
2N5192
ICEX
— 0.1
mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— 0.1
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N5191 — 2.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N5191 — 0.1
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5192 — 0.1
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc

March, 2001 – Rev. 9 2N5191/D
2N5191 2N5192
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5191 25 100
2N5192
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
20 80
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5191 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5192 7.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (2) VCE(sat) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, IB = 0.15 Adc) — 0.6
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc) — 1.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (2)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 1.2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product
fT 2.0 — MHz
10
7.0 TJ = 150°C
VCE = 2.0 V
hFE , DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
5.0 VCE = 10 V
3.0
2.0
1.0
0.7 -55°C
25°C
0.5
0.3
0.2
0.1
0.004 0.007 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2 IC = 10 mA 100 mA 1.0 A 3.0 A
0.8
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
IB, BASE CURRENT (mA)
http://onsemi.com
63
2N5191 2N5192
2.0 +2.5
θV, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/°C)

TJ = 25°C +2.0 hFE@VCE 2.0V
*APPLIES FOR IC/IB ≤
1.6 +1.5 2
TJ = -65°C to +150°C
+1.0
1.2 +0.5 *θV for VCE(sat)
0
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 -0.5
VBE @ VCE = 2.0 V -1.0
0.4 -1.5 θV for VBE
VCE(sat) @ IC/IB = 10 -2.0
0 -2.5
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0
Figure 3. “On” Voltages Figure 4. Temperature Coefficients

103 107
VCE = 30 V VCE = 30 V
IC = 10 x ICES
102
106
TJ = 150°C
101 IC ≈ ICES
105
100 100°C IC = 2 x ICES
104
REVERSE FORWARD
10-1
10-2 103 (TYPICAL ICES VALUES

25°C
OBTAINED FROM FIGURE 5)
ICES
10-3 102
-0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 +0.6 20 40 60 80 100 120 140 160
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. Collector Cut–Off Region Figure 6. Effects of Base–Emitter Resistance
300
VCC TJ = +25°C
TURN-ON PULSE RC
APPROX 200
+11 V Vin SCOPE
RB
CAPACITANCE (pF)
Vin 0 Cjd<<Ceb
VEB(off) 100
t1 -4.0 V
t3 Ceb
APPROX RB and RC varied 70
t1 ≤ 7.0 ns
+11 V to obtain desired
100 < t2 < 500 µs current levels
t3 < 15 ns 50 Ccb
Vin
DUTY CYCLE ≈ 2.0% 30

t2 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 40
APPROX -9.0 V
TURN-OFF PULSE VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Switching Time Equivalent Test Circuit Figure 8. Capacitance
http://onsemi.com
64
2N5191 2N5192
2.0 2.0
ts′
IC/IB = 10
1.0 TJ = 25°C 1.0
0.7 tr @ VCC = 30 V 0.7 tf @ VCC = 30 V
0.5 0.5
t, TIME (s)
0.3 0.3
µ
tr @ VCC = 10 V tf @ VCC = 10 V
0.2 0.2
0.1 0.1 IB1 = IB2

0.07 0.07 IC/IB = 10
td @ VEB(off) = 2.0 V ts′ = ts - 1/8 tf
0.05 0.05
TJ = 25°C
0.03 0.03
0.02 0.02
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0
Figure 9. Turn–On Time Figure 10. Turn–Off Time

100µs a transistor; average junction temperature and second
5.0 5.0ms
1.0ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

TJ = 150°C limits of the transistor that must be observed for reliable
2.0 dc operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
1.0 The data of Figure 11 is based on T J(pk) = 150C; TC is
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.5 THERMAL LIMIT AT TC = 25°C limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
BONDING WIRE LIMIT
0.2 2N5191
will reduce the power that can be handled to values less than
2N5192
the limitations imposed by second breakdown.
0.1
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 11. Rating and Thermal Data

Active–Region Safe Operating Area
1.0
0.7
THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
D = 0.5
0.5 θJC(max) = 3.12°C/W 2N5190-92
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT
θJC(max) = 2.08°C/W MJE5190-92

0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 0.05
0.07
0.05 0.02
0.03 0.01
SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
http://onsemi.com
65
2N5191 2N5192
DESIGN NOTE: USE OF TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DATA
tP A train of periodical power pulses can be represented by

the model shown in Figure A. Using the model and the
device thermal response, the normalized effective transient
PP PP
thermal resistance of Figure 12 was calculated for various
duty cycles.
To find θJC(t), multiply the value obtained from Figure 12
by the steady state value θJC.
Example:
t1
The 2N5190 is dissipating 50 watts under the following
1/f conditions: t1 = 0.1 ms, tp = 0.5 ms. (D = 0.2).
t1 Using Figure 12, at a pulse width of 0.1 ms and D = 0.2,
DUTY CYCLE, D = t1 f -
tP the reading of r(t1, D) is 0.27.
PEAK PULSE POWER = PP The peak rise in function temperature is therefore:
Figure A
∆T = r(t) x PP x θJC = 0.27 x 50 x 3.12 = 42.2C
http://onsemi.com
66
ON Semiconductor
2N5194
Silicon PNP Power Transistors
2N5195 *
. . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent *ON Semiconductor Preferred Device
safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192
4 AMPERE
POWER TRANSISTORS
SILICON PNP
60–80 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg –65 to +150 C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5194
2N5195
60
80
—
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N5194 — 1.0
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N5195 — 1.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5194
ICEX
— 0.1
mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5195 — 0.1
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N5194 — 2.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N5195 — 2.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
2N5194
2N5195
ICBO
—
—
0.1
0.1
mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc

March, 2001 – Rev. 9 2N5194/D
2N5194 2N5195
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5194 25 100
2N5195
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
20 80
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5194 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5195 7.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, IB = 0.15 Adc) — 0.6
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc) — 1.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 1.2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 2.0 — MHz

10
7.0 TJ = 150°C VCE = 2.0 V
5.0 VCE = 10 V
3.0
2.0
1.0 25°C
0.7 -55°C
0.5
0.3
0.2
0.1
0.004 0.007 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0
2.0
1.6
1.2 IC = 10 mA 100 mA 1.0 A 3.0 A
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
http://onsemi.com
68
2N5194 2N5195
2.0 +2.5

+2.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE @ VCE
TJ = 25°C
TJ = -65°C to +150°C
1.6 +1.5
+1.0
VOLTAGE (VOLTS)
1.2 +0.5 *θVC for VCE(sat)

0
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 -0.5
VBE @ VCE = 2.0 V
-1.0
0.4 -1.5 θVB for VBE
VCE(sat) @ IC/IB = 10 -2.0
0 -2.5
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 0.005 0.01 0.020.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0
Figure 3. “On” Voltage Figure 4. Temperature Coefficients

103 107
VCE = 30 Vdc VCE = 30 V
102
106
µ
TJ = 150°C
IC = 10 x ICES
101
105
100°C
100 IC = 2 x ICES
IC ≈ ICES
104
10-1 REVERSE FORWARD
(TYPICAL ICES VALUES

10-2
25°C 103
ICES
10-3 102
+0.4 +0.3 +0.2 +0.1 0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 20 40 60 80 100 120 140 160
TURN-ON PULSE VCC RC 500

VBE(off) TJ = 25°C
Vin 0 Vin RB SCOPE
300
APPROX
CAPACITANCE (pF)
-11 V Cjd<<Ceb 200

t1
APPROX +4.0 V
+9.0 V
t2
RB AND RC VARIED Ceb
100
TO OBTAIN DESIRED Ccb
Vin
CURRENT LEVELS
70
APPROX
-11 V t3 t1 ≤ 7.0 ns
100 < t2 < 500 µs 50
TURN-OFF PULSE 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 40
t3 < 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0% VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Switching Time Equivalent Test Circuit Figure 8. Capacitance
http://onsemi.com
69
2N5194 2N5195
2.0 2.0
IB1 = IB2
IC/IB = 10 ts′
1.0 1.0 IC/IB = 10
TJ = 25°C
ts′ = ts - 1/8 tf
0.7 0.7
TJ = 25°C
0.5 tr @ VCC = 30 V 0.5
t, TIME (s)
t, TIME (s)
0.3 0.3 tf @ VCC = 30 V
µ
µ
0.2 0.2
tr @ VCC = 10 V tf @ VCC = 10 V
0.1 0.1
0.07 0.07
0.05 0.05
td @ VBE(off) = 2.0 V
0.03 0.03
0.02 0.02
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0
Note 1:
1.0 ms a transistor; average junction temperature and second
5.0 5.0 ms

100 µs limits of the transistor that must be observed for reliable
TJ = 150°C
1.0 SECONDARY BREAKDOWN LIMIT The data of Figure 11 is based on TJ(pk) = 150C. TC is
THERMAL LIMIT @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.5 BONDING WIRE LIMIT limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO 150C. At high–case temperatures, thermal limitations
0.2 will reduce the power that can be handled to values less than
2N5194
2N5195
0.1
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 11. Rating and Thermal Data
Active–Region Safe Operating Area
1.0
0.7
D = 0.5
0.5 θJC(max) = 3.12°C/W
0.3 0.2
0.2
0.1
0.1 0.05
0.07
0.02
0.05
0.03 0.01
SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
http://onsemi.com
70
2N5194 2N5195
DESIGN NOTE: USE OF TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DATA
tP A train of periodical power pulses can be represented by

the model shown in Figure 13. Using the model and the
device thermal response, the normalized effective transient
PP PP
thermal resistance of Figure 12 was calculated for various
duty cycles.
To find θJC(t), multiply the value obtained from Figure 12
by the steady state value θJC.
Example:
t1
The 2N5193 is dissipating 50 watts under the following
1/f conditions: t1 = 0.1 ms, tp = 0.5 ms. (D = 0.2).
t1 Using Figure 12, at a pulse width of 0.1 ms and D = 0.2,
DUTY CYCLE, D = t1 f =
tP the reading of r(t1, D) is 0.27.
PEAK PULSE POWER = PP The peak rise in junction temperature is therefore:
Figure 13. ∆T = r(t) x PP x θJC = 0.27 x 50 x 3.12 = 42.2C
http://onsemi.com
71
ON Semiconductor
High-Power NPN Silicon 2N5302

Transistor
. . . for use in power amplifier and switching circuits applications.
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage –
VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc 30 AMPERE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
60 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
200 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N5302 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 60 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current – Continuous IC 30 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 200 Watts CASE 1–07
Derate above 25C 1.14 W/C TO–204AA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
C
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to +200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
0.875
Unit
C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Case to Ambient
θCA 34 C/W
TA TC
8.0 200
6.0 150 TC
4.0 100 TA
2.0 50
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Temperature Derating Curve

May, 2001 – Rev. 0 2N5302/D
2N5302
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 1) VCEO(sus) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 60 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) – 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEX
– 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) – 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO
– 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO – 5.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (Note 1) hFE –
*(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40 –
*(IC = 15 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 15 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 5.0 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 1) VCE(sat) Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.75
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc)2 – 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 Adc, IB = 6.0 Adc) – 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Base Emitter Saturation Voltage (Note 1) VBE(sat) Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.7
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) – 1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc) – 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Base–Emitter On Voltage (Note 1) VBE(on) Vdc
(IC = 15 Adc, VCE = 2.0 Vdc) – 1.7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 2.0 – MHz
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 40 – –
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*SWITCHING CHARACTERISTICS
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time tr – 1.0
Storage Time ts – 2.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
((VCC = 30 Vdc,
dc, IC = 10
0 Adc,
dc, IB1 = IB2 = 1.0
0 Adc)
dc)
Fall Time tf – 1.0 µs
Note 1: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
INPUT PULSE
INPUT PULSE tr ≤ 20 ns VCC
tr ≤ 20 ns VCC +30 V
+30 V PW = 10 to 100 µs
PW = 10 to 100 µs DUTY CYCLE = 2.0%
3.0 +11 V
+11 V
10 TO
10 TO SCOPE
0
SCOPE tr ≤ 20 ns
-2.0 V tr ≤ 20 ns D
-9.0 V
VBB = 7.0 V
Figure 2. Turn–On time Figure 3. Turn–Off time
http://onsemi.com
73
2N5302
1.0
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
0.7 D = 0.5
0.5
0.3
THERMAL RESISTANCE
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05 θJC = 0.875°C/W MAX
0.07
0.05 0.02
SINGLE PULSE TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100 3000
50 100 µs 2000
20 C, CAPACITANCE (pF) TJ = 25°C

10 1000
5302 5.0 ms
5.0 dc Cib
1.0 ms
TJ = 200°C
2.0 Secondary Breakdown Limited 500
Cob
Bonding Wire Limited
1.0 TC = 25°C 300
Thermal Limitations
0.5 Pulse Duty Cycle ≤ 10%
200
0.2 2N5302
0.1 100
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area Figure 6. Capacitance versus Voltage
5.0 3.0
TJ = 25°C
3.0 TJ = 25°C IB1 = IB2
2.0 IC/IB = 10 IC/IB = 10
ts′
ts′ ≈ ts - 1/8 tf
1.0 1.0
t, TIME (s)
t, TIME (s)
0.7 0.7
µ
0.5
0.5
0.3 tr @ VCC = 30 V tf @ VCC = 30 V
0.2 0.3
tr @ VCC = 10 V tf @ VCC = 10 V
0.1 td @ VOB = 2.0 V
0.07
0.05 0.1
0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 10 30
http://onsemi.com
74
2N5302
300 2.0

TJ = 175°C VCE = 10 V TJ = 25°C
200 VCE = 2.0 V
1.6
IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A
100 25°C
1.2
70
50
0.8
-55°C
30
20 0.4
10 0
0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 10 30 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
108 2.0
VCE = 30 V 1.8 TJ = 25°C
107
1.6
IC = 10 x ICES
1.4
V, VOLTAGE (VOLTS)
106
IC = 2 x ICES 1.2
105 1.0
IC ≈ ICES 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
104
0.6
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
0.4
103 TYPICAL ICES VALUES OBTAINED
FROM FIGURE 13 0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10
102 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 10 30
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 11. Effects of Base–Emitter Resistance Figure 12. “On” Voltages
103 +2.5
VCE = 30 V TJ = 175°C +2.0 TJ = -55°C to +175°C

102 hFE@VCE 2.0V
+1.5 *APPLIES FOR IC/IB <

100°C
µ
2
+1.0
101
25°C +0.5
*θVC for VCE(sat)
100 0
IC = ICES
-0.5
10-1
-1.0
10-2 -1.5 θVB for VBE(sat)

REVERSE FORWARD
-2.0
10-3 -2.5
-0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 10 30
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
http://onsemi.com
75
ON Semiconductor
NPN
High-Voltage - High Power 2N5631
PNP
Transistors 2N6031
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and
high voltage switching regulator circuits.
• High Collector Emitter Sustaining Voltage – 16 AMPERE
VCEO(sus) = 140 Vdc POWER TRANSISTORS
• High DC Current Gain – @ IC = 8.0 Adc COMPLEMENTARY
SILICON
hFE = 15 (Min)
140 VOLTS
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage – 200 WATTS
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
Symbol
VCEO
Value
140
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
140
7.0
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current – Continuous IC 16 Adc CASE 1–07
Peak 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
(TO–3)
Base Current – Continuous IB 5.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 200
1.14
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
TC, TEMPERATURE (°C)

Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All Limits are applicable and must be observed.

May, 2001 – Rev. 0 2N5631/D
2N5631 2N6031
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 140 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEO mAdc
(VCE = 70 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEX
– 2.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VEB(off) = 1.5 Vdc) – 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) – 7.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Cutoff Current ICBO – 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Base Cutoff Current
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO – 5.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 15 60
(IC = 16 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 4.0 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
– 1.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, IB = 4.0 Adc) – 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) – 1.8 Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) – 1.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product (3) fT 1.0 – MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 20 Vdc, ftest = 0.5 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance 2N5631 Cob – 500 pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6031 – 1000
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe 15 – –
(2) fT = |hfe| • ftest
VCC 3.0
+30 V 2.0 TJ = 25°C
IC/IB = 10
25 µs 1.0 VCE = 30 V
RC
+11 V 0.7
SCOPE tr
0 RB 0.5
t, TIME (s)
µ
-9.0 V 0.3
51 D1 0.2
tr, tf ≤ 10 ns td @ VBE(off) = 5.0 V
DUTY CYCLE = 1.0% -4 V 0.1
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS 0.07
0.05 2N5631
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 2N6031
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.03
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
For PNP test circuit, reverse all polarities and D1. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Turn–On Time
http://onsemi.com
77
2N5631 2N6031
1.0
D = 0.5
0.2
0.2
0.1
0.1 0.05 θJC = 0.875°C/W MAX
0.05
READ TIME AT t1 t2
SINGLE PULSE 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
0.02 DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)

1.0ms
5.0ms a transistor: average junction temperature and second
10

7.0 dc
0.5ms limits of the transistor that must be observed for reliable
5.0
3.0 TJ = 200°C 50ms
2.0 SECOND BREAKDOWN LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
1.0
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.7
CURVES APPLY BELOW 200C. TJ(pk) may be calculated from the data in
0.5
RATED VCEO Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
0.3 2N5631, 2N6031 reduce the power that can be handled to values less than the
0.2 limitations imposed by second breakdown.
2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
NPN PNP
2N5631 2N6031
5.0 4.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
3.0
IC/IB = 10 ts IB1 = IB2
3.0 ts IB1 = IB2 IC/IB = 10
2.0
VCE = 30 V VCE = 30 V
2.0
t, TIME (s)
µ
1.0
0.6
1.0
tf 0.4
0.7 0.3 tf
0.5 0.2
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
Figure 6. Turn–Off Time
http://onsemi.com
78
2N5631 2N6031
NPN PNP
2N5631 2N6031
1000 2000
700 TJ = 25°C
TJ = 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
500 1000
Cib
700
300
500 Cib
200
300
Cob Cob
100 200
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance
500 500
TJ = 150°C TJ = +150°C
300 VCE = 2.0 V 300 VCE = 2.0 V
200 VCE = 10 V 200 VCE = 10 V
25°C +25°C
100 100 -55°C

-55°C
70 70
50 50
30 30
20 20
10 10
7.0 7.0
5.0 5.0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20
2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
1.2 IC = 4.0 A 8.0 A 16 A 1.2 IC = 4.0 A 8.0 A 16 A
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
IB, BASE CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (AMP)
http://onsemi.com
79
ON Semiconductor
Plastic NPN Silicon 2N5655

High-Voltage Power Transistor 2N5657
. . . designed for use in line–operated equipment such as audio
output amplifiers; low–current, high–voltage converters; and AC line
relays. 0.5 AMPERE
POWER TRANSISTORS
• Excellent DC Current Gain – NPN SILICON
hFE = 30–250 @ IC = 100 mAdc 250–350 VOLTS
• Current–Gain – Bandwidth Product – 20 WATTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT = 10 MHz (Min) @ IC = 50 mAdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current – Continuous IC 0.5 Adc
Peak 1.0 CASE 77–09
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 20
0.16
Watts
W/C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40
30
50 mH
X
20
200
Hg RELAY TO SCOPE
+ +
6.0 V 50 V
10 -
Y
300 1.0
0
25 50 75 100 125 150
Figure 1. Power Derating Figure 2. Sustaining Voltage Test Circuit
Safe Area Limits are indicated by Figures 3 and 4. Both limits are applicable and must be observed.

May, 2001 – Rev. 6 2N5655/D
2N5655 2N5657
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage 2N5655 VCEO(sus) 250 – Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc (inductive), L = 50 mH) 2N5657 350 –
Collector–Emitter Breakdown Voltage 2N5655 V(BR)CEO 250 – Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5657
ICEO
350 –
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 150 Vdc, IB = 0) 2N5655 – 0.1
(VCE = 250 Vdc, IB = 0) 2N5657 – 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5655
2N5657
ICEX
– 0.1
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 0.1
(VCE = 150 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 100C) 2N5655 – 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 250 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 100C) 2N5657 – 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO µAdc
(VCB = 275 Vdc, IE = 0) 2N5655 – 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 375 Vdc, IE = 0) 2N5657 – 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 6.0 Vdc, IC = 0) IEBO – 10 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (1) hFE –
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc) 25 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc) 30 250
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc) 15 –
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc) 5.0 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
– 1.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 2.5
(IC = 500 mAdc, IB = 100 mAdc) – 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter Voltage (1) (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE – 1.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product (2) (IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz) fT 10 – MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz) Cob – 25 pF
Small–Signal Current Gain (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 20 – –
*Indicates JEDEC Registered Data for 2N5655 Series.
(2) fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
1.0 There are two limitations on the power handling ability of

0.5 µs

500
TJ = 150°C µs limits of the transistor that must be observed for reliable
0.2 1.0 ms operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
d dissipation than the curves indicate.
0.1 c The data of Figure 3 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
Second Breakdown Limit
Thermal Limit @ TC = 25°C
0.05 Bonding Wire Limit limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
Curves apply below rated VCEO 150C. At high case temperatures, thermal limitations
0.02 2N5655 will reduce the power that can be handled to values less than
2N5657 the limitations imposed by second breakdown.
0.01
20 30 40 60 100 200 300 400 600
http://onsemi.com
81
2N5655 2N5657
300
200 VCE = 10 V
VCE = 2.0 V
100 TJ = +150°C
70
+100°C
50 +25°C
30
20 -55°C
10
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Current Gain
1.0 300
200 TJ = +25°C
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 Cib
C, CAPACITANCE (pF)
V, VOLTAGE (VOLTS)
100
0.6 VBE @ VCE = 10 V
70
50
0.4
30
0.2 TJ = +25°C 20 Cob
IC/IB = 5.0
0 10
10 20 30 50 100 200 300 500 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. “On” Voltages Figure 6. Capacitance
10 10
tr IC/IB = 10
5.0 IC/IB = 10
VCC = 300 V, VBE(off) = 2.0 V 5.0
2.0 (2N5657, only)
VCC = 100 V, VBE(off) = 0 V
1.0 2.0 ts
t, TIME (s)
t, TIME (s)
0.5
µ
td 1.0 tf
0.2
0.1 0.5 VCC = 100 V
0.05
0.2 VCC = 300 V
0.02 (Type 2N5657, only)
0.01 0.1
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500
http://onsemi.com
82
ON Semiconductor
PNP
High-Current Complementary 2N5684
Silicon Power Transistors NPN
. . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit
2N5686
applications.
• High Current Capability –
IC Continuous = 50 Amperes. 50 AMPERE
• DC Current Gain – COMPLEMENTARY
hFE = 15–60 @ IC = 25 Adc SILICON
POWER TRANSISTORS
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage – 60–80 VOLTS
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc 300 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5684
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N5686 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 197A–05
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current – Continuous IC 50 Adc TO–204AE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
θJC 0.584 C/W
300
250
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
TEMPERATURE (°C)
Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All limits are applicable and must be observed.

May, 2001 – Rev. 10 2N5684/D
2N5684 2N5686
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 2) VCEO(sus) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.2 Adc, IB = 0) 80 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) – 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEX
– 2.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) – 10
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO
–
–
2.0
5.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (Note 2) ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 15 60
(IC = 50 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 5.0 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 2)
ÎÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc)
(IC = 50 Adc, IB = 10 Adc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
– 1.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 5.0
Base–Emitter Saturation Voltage (Note 1) (IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) VBE(sat) – 2.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (Note 1) (IC = 25 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) – 2.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product (IC = 5.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 2.0 – MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance 2N5684 Cob – 2000 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N5686 – 1200
Small–Signal Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 15 –
Note 2: Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
VCC -30 V
RL
+2.0 V
TO SCOPE
0 1.0
tr ≤ 20 ns
RB 0.7
0.5 tr
tr ≤ -12V
20ns 0.3
10 to 100 µs
0.2 2N5684 (PNP)
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
t, TIME (s)
VCC -30 V td 2N5686 (NPN)

µ
0.1
RL 0.07
+10V
0.05
TO SCOPE TJ = 25°C
0 tr ≤ 20 ns 0.03
RB IC/IB = 10
0.02 VCC = 30 V
-12V
tr ≤ 20ns
VBB +4.0 V 0.01
10 to 100 µs 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
DUTY CYCLE ≈ 2.0% IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 6, RB & RL ARE VARIED. Figure 3. Turn–On Time
INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN.
FOR NPN CIRCUITS, REVERSE ALL POLARITIES.
http://onsemi.com
84
2N5684 2N5686
1.0
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL 0.7 D = 0.5
0.3 0.2
0.2
0.1 θJC(t) = r(t) θJC P(pk)
0.1 θJC = 0.584°C/W MAX

0.05
0.07
0.05
READ TIME AT t1 t2
0.03 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100 100 µs There are two limitations on the power handling ability of
500 µs
1.0 ms
20 dc 5.0 ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
10 TJ = 200°C
2.0 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
(SINGLE PULSE) The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 200C; TC is
1.0 CURVES APPLY BELOW variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.5 RATED VCEO limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.2
200C. TJ(pk) may be calculated from the data in
2N5684, 2N5686 Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
0.1 reduce the power that can be handled to values less than the
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) limitations imposed by second breakdown.
4.0 5000
3.0 2N5684 (PNP)
2N5686 (NPN) TJ = 25°C TJ = 25°C
IB1 = IB2
2.0 IC/IB = 10 3000
C, CAPACITANCE (pF)
ts VCE = 30 V
t, TIME (s)
2000
µ
1.0 Cib
0.8
0.6 Cob
Cib
1000
0.4 tf
0.3 700 2N5684 (PNP) Cob
2N5686 (NPN)
0.2 500
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
http://onsemi.com
85
2N5684 2N5686
PNP NPN
2N5684 2N5686
500 500
TJ = +150°C TJ = +150°C VCE = 2.0 V
300 VCE = 2.0 V 300
VCE = 10 V VCE = 10 V
200 200
+25°C +25°C

100 100
70 70
-55°C
50 50 -55°C
30 30
20 20
10 10
7.0 7.0
5.0 5.0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
2.0 2.0

TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6 IC = 10 A 25 A 40 A
IC = 10 A 25 A 40 A
1.2 1.2
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10
IB, BASE CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (AMP)
2.5 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.0 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.5 1.2
1.0 VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V VBE @ VCE = 2.0 V

0.5 0.4
VCE(sat) @ IC/IB = 10 VCE(sat) @ IC/IB = 10

0 0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
http://onsemi.com
86
ON Semiconductor
PNP
Complementary Silicon 2N5883
High-Power Transistors
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching
2N5884*
applications. NPN
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — 2N5885
2N5886*
VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
• Low Leakage Current
ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
•
Excellent DC Current Gain —
hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc 25 AMPERE
• High Current Gain Bandwidth Product — COMPLEMENTARY
fτ = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc SILICON
POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
60–80 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5883 2N5884 200 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Peak
IC 25
50
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 200 Watts TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Indicates JEDEC registered data. Units and conditions differ on some parameters and
re–registration reflecting these changes has been requested. All above values most or
θJC 0.875 C/W
exceed present JEDEC registered data.

200
175
150
125
100
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

March, 2001 – Rev. 9 2N5883/D
2N5883 2N5884 2N5885 2N5886
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (2) 2N5883, 2N5885 VCEO(sus) 60 — Vdc
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N5884, 2N5886 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5883, 2N5885
2N5984, 2N5886
ICEO —
—
2.0
2.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5883, 2N5885 — 1.0
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5884, 2N5886 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N5883, 2N5885 10
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N5884, 2N5886
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N5883, 2N5885 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5884, 2N5886 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (2) (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) hFE 35 — —
DC Current Gain (2) (IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 20 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (2) (IC = 25 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (2) (IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) VCE(sat) — 1.0 Vdc
Collector–Emitter Saturation Voltage (2) (IC = 25 Adc, IB = 6.25 Adc) — 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (2) (IC = 25 Adc, IB = 6.25 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (2) (IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(sat)
VBE(on)
—
—
2.5
1.5
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (3) (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz) fT 4.0 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance 2N5883, 2N5884 Cob — 1000 pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) 2N5885, 2N5886 — 500
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 20 — —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time tr — 0.7 µs
(VCC = 30 Vdc,
Vdc IC = 10 Adc,
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time ts — 1.0 µs
IB1 = IB2 = 1.0
1 0 Adc)
Fall Time tf — 0.8 µs
(2) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%. (3) fT = |hfe| • ftest.
http://onsemi.com
88
2N5883 2N5884 2N5885 2N5886
VCC -30 V
TURN–ON TIME
RL 3.0
+2.0 V
10 TO SCOPE
0
tr ≤ 20 ns 2.0
RB
TJ = 25°C
tr ≤ -11V 1.0 IC/IB = 10
20ns VCC = 30 V
0.7
10 to 100 µs VBE(off) = 2 V
0.5
DUTY CYCLE ≈ 2.0% VCC -30 V
t, TIME (s)
0.3 tr
µ
TURN–OFF TIME 0.2
RL 3.0
+9.0V 2N5883, 2N5884 (PNP)
10 TO SCOPE 0.1 2N5885, 2N5886 (NPN)
0 td
tr ≤ 20 ns 0.07
RB 0.05
-11V
tr ≤ 20ns 0.03
10 to 100 µs VBB +7.0 V 0.02
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 6, RB & RL ARE VARIED.
INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN. Figure 3. Turn–On Time
FOR NPN, REVERSE ALL POLARITIES.
Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuits
http://onsemi.com
89
2N5883 2N5884 2N5885 2N5886
1.0
D = 0.5
0.2
0.2
0.1
0.1 0.05 θJC = 0.875°C/W MAX
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
50 500 µs
1ms
dc 5ms
10 limits of the transistor that must be observed for reliable
5.0 TJ = 200°C operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
SECOND BREAKDOWN LIMITED dissipation than the curves indicate.
2.0 BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 200C; TC is
1.0 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
(SINGLE PULSE)
0.5 limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.2 2N5883, 2N5885 Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
2N5884, 2N5886
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
limitations imposed by second breakdown.
10 3000
7.0 2N5883, 2N5884 (PNP) TJ = 25°C TJ = 25°C
5.0 2N5885, 2N5886 (NPN) VCC = 30 V
2000
IC/IB = 10
3.0 Cob
C, CAPACITANCE (pF)
ts IB1 = IB2
2.0 Cib
t, TIME (s)
µ
ts
1.0 1000
0.7 Cib
0.5 700
tf
0.3 500
0.2 tf 2N5883, 2N5884 (PNP) Cob
2N5885, 2N5886 (NPN)
0.1 300
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
http://onsemi.com
90
2N5883 2N5884 2N5885 2N5886
PNP DEVICES NPN DEVICES

2N5883 and 2N5884 2N5885 and 2N5886
1000 1000
700 700 VCE = 4.0 V
500 TJ = 150°C VCE = 4.0 V 500
TJ = 150°C
300 300

25°C
200 200
-55°C
100 100 25°C
70 70
50 50
30 30 -55°C
20 20
10 10
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
2.0 2.0
1.6 1.6
IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A
1.2 1.2
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
IB, BASE CURRENT (AMPERES) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2
VBE @ VCE = 4 V VBE @ VCE = 4 V

0.4 0.4

0 0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
http://onsemi.com
91
ON Semiconductor
PNP
Plastic Darlington 2N6035
Transistors NPN
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed 2N6038
switching applications.
• High DC Current Gain — 2N6039 *
hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6035, 2N6038 = 80 Vdc DARLINGTON

(Min) — 2N6036, 2N6039 4–AMPERE
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability COMPLEMENTARY
IS/b = 1.5 Adc @ 25 Vdc SILICON
POWER TRANSISTORS
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Resistors to 60, 80 VOLTS
LimitELeakage Multiplication 40 WATTS
• Space–Saving High Performance–to–Cost Ratio TO–225AA Plastic
Package
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6035 2N6036
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCB
60
60
80
80
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 4.0 Adc
Peak 8.0 CASE 77–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
Base Current IB 100 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C PD 1.5 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg
0.012
–65 to +150 C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
θJC
θJA
3.12
83.3
C/W
C/W

March, 2001 – Rev. 9 2N6035/D
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
TA TC
4.0 40

3.0 30
TC
2.0 20
1.0 10
TA
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T, TEMPERATURE (°C)
http://onsemi.com
93
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6035, 2N6038 60 —
2N6036, 2N6039 80 —
ÎÎÎÎÎ
Collector–Cutoff Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N6035, 2N6038
ICEO
— 100
µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6036, 2N6039 — 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Cutoff Current ICEX µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6035, 2N6038 — 100
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6036, 2N6039 — 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 — 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 — 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N6035, 2N6038
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.5
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N6036, 2N6039 — 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
IEBO — 2.0 mAdc
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
hFE
500 —
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 15,000
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Vdc
(IC = 2.0 Adc, IB = 8.0 mAdc) — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc)
VBE(sat) — 4.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current–Gain (IC = 0.75 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) |hfe| 25 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance Cob pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6035, 2N6036 — 200
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6038, 2N6039 — 100
http://onsemi.com
94
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
4.0
VCC VCC = 30 V IB1 = IB2
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS -30 V ts IC/IB = 250 TJ = 25°C
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
RC
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA SCOPE
TUT
t, TIME (s)
V2 RB tf
µ
approx 1.0
+8.0 V 0.8
D1 ≈ 8.0 k
0
51 ≈ 60 tr
0.6
V1
approx +4.0 V 0.4
-12 V 25 µs td @ VBE(off) = 0
for td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0, RB and RC are varied PNP
tr, tf ≤ 10 ns to obtain desired test currents. NPN
For NPN test circuit, reverse diode, 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
polarities and input pulses.
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Switching Times
1.0
0.7
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE,
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
NORMALIZED
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01 READ TIME AT t1
0.03 t2
SINGLE PULSE TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
95
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
ACTIVE–REGION SAFE–OPERATING AREA

1.0 1.0
7.0 7.0
100 µs 100 µs
5.0 5.0ms 1.0ms 5.0 5.0ms

1.0ms
3.0 dc 3.0 dc
2.0 2.0
TJ = 150°C TJ = 150°C
1.0 BONDING WIRE LIMITED 1.0 BONDING WIRE LIMITED
0.7 THERMALLY LIMITED 0.7 THERMALLY LIMITED
0.5 0.5
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE) @ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
0.3 SECOND BREAKDOWN LIMITED 0.3 SECOND BREAKDOWN LIMITED
0.2 0.2
2N6036 2N6039
2N6035 2N6038
0.1 0.1
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 5. 2N6035, 2N6036 Figure 6. 2N6038, 2N6039
There are two limitations on the power handling ability of 200

breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE TC = 25°C
100
C, CAPACITANCE (pF)
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater 70

50
The data of Figures 5 and 6 is based on TJ(pk) = 150C; Cob
TC is variable depending on conditions. Second breakdown
30 Cib
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
< 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4. 20
At high case temperatures, thermal limitations will reduce PNP
the power that can be handled to values less than the NPN
limitations imposed by second breakdown. 10
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
http://onsemi.com
96
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
PNP NPN
2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039
6.0 k 6.0 k
TC = 125°C VCE = 3.0 V TJ = 125°C VCE = 3.0 V
4.0 k 4.0 k
3.0 k 3.0 k

25°C 25°C
2.0 k 2.0 k
-55°C -55°C
1.0 k 1.0 k
800 800
600 600
400 400
300 300
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
3.4 3.4

3.0 3.0 IC =
IC = 0.5 A
2.6 0.5 A 2.6 1.0 A 2.0 A 4.0 A
1.0 A 2.0 A 4.0 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.6 0.6
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50
100 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
2.2 2.2
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.8 1.8
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE(sat) @ IC/IB = 250

1.4 VBE @ VCE = 3.0 V 1.4 VBE @ VCE = 3.0 V
1.0 1.0
0.6 0.6
0.2 0.2
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
http://onsemi.com
97
ON Semiconductor
PNP
Plastic Medium-Power 2N6040
Complementary Silicon 2N6042
Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed 2N6043 *
NPN
2N6045*
• High DC Current Gain –
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage – @ 100 mAdc – *ON Semiconductor Preferred Device
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) – 2N6040, 2N6043

= 100 Vdc (Min) – 2N6042, 2N6045 DARLINGTON
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage – 8 AMPERE
COMPLEMENTARY
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc – 2N6043,44 SILICON
= 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc – 2N6042, 2N6045 POWER TRANSISTORS
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors 60–100 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N6040 2N6042
75 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 16
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Operating and Storage Junction,
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
θJC
θJA
1.67
57
C/W
C/W
TA TC
4.0 80
3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

May, 2001 – Rev. 4 2N6040/D
2N6040 2N6042 2N6043 2N6045
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6040, 2N6043 60 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100 –
2N6042, 2N6045
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6040, 2N6043 – 20
(VCE = 100 Vdc, IB = 0) 2N6042, 2N6045 – 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6040, 2N6043
ICEX
– 20
µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6042, 2N6045 – 20
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6040, 2N6043 200
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
–
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6041, 2N6044 – 200
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6042, 2N6045 – 200
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO µA
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N6040, 2N6043 – 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎ
2N6042, 2N6045 – 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO – 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6040, 2N6043, 1000 20.000
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6042, 2N6045 1000 20,000
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) All Types 100 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 16 mAdc) 2N6040, 2N6043, – 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 12 mAdc) 2N6042, 2N6045 – 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 80 Adc) All Types – 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 8.0 Adc, IB = 80 mAdc) VBE(sat) – 4.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) VBE(on) – 2.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small Signal Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz) |hfe| 4.0 –
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
2N6040/2N6042
2N6043/2N6045
Cob –
–
300
200
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 300 – –
5.0
3.0 ts
VCC
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS -30 V 2.0
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA tf
RC 1.0
t, TIME (s)
TUT 0.7
µ
V2 RB 0.5
approx
+8.0 V 0.3
D1 tr
0
51 ≈ 8.0 k ≈120 0.2 VCC = 30 V
IC/IB = 250
V1 IB1 = IB2
approx +4.0 V 0.1 TJ = 25°C
-12 V 25 µs 0.07 PNP td @ VBE(off) = 0 V
for td and tr, D1 is disconnected
NPN
tr, tf ≤ 10 ns
and V2 = 0 0.05
For NPN test circuit reverse all polarities and D1. 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
DUTY CYCLE = 1.0%
Figure 2. Switching Times Equivalent Circuit Figure 3. Switching Times
http://onsemi.com
99
2N6040 2N6042 2N6043 2N6045
1.0
0.7
THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1 θJC(t) = r(t) θJC P(pk)
0.1 θJC = 1.67°C/W

0.07
0.05
READ TIME AT t1 t2
SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

100 µs

1.0ms
TJ = 150°C 5.0ms
1.0 BONDING WIRE LIMITED
0.5 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
(SINGLE PULSE) variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.2 SECOND BREAKDOWN LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.1 < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
2N6040, 2N6043
0.05 2N6045
Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
10,000 300
5000 TJ = 25°C
hfe, SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
Cob
500 TC = 25°C
300 100
VCE = 4.0 Vdc
200 IC = 3.0 Adc
70 Cib
100
50 50
PNP
30 PNP
20 NPN
NPN
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
f, FREQUENCY (kHz) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Small–Signal Current Gain Figure 7. Capacitance
http://onsemi.com
100
2N6040 2N6042 2N6043 2N6045
PNP NPN
2N6040, 2N6042 2N6043, 2N6045
20,000 20,000
VCE = 4.0 V VCE = 4.0 V
10,000 10,000
7000 7000

5000 5000 TJ = 150°C
TJ = 150°C
3000 3000
2000 25°C 2000
25°C
1000 1000
700 700
500 -55°C 500 -55°C
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
3.0 3.0

2.6 2.6
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.5 VBE @ VCE = 4.0 V 1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE @ VCE = 4.0 V

1.0 1.0
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.010 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
http://onsemi.com
101
ON Semiconductor
Darlington Complementary PNP

Silicon Power Transistors 2N6052*
NPN
. . . designed for general–purpose amplifier and low frequency
2N6058
• High DC Current Gain — 2N6059*
hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6058 *ON Semiconductor Preferred Device
100 Vdc (Min) — 2N6052, 2N6059
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DARLINGTON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1) 12 AMPERE
COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6052
Rating Symbol 2N6058 2N6059 Unit SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
80–100 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base voltage
VCB
VEB
80
5.0
100 Vdc
Vdc
150 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 12
20
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation PD 150 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@TC = 25C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to +200C C TO–204AA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Rating Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
160
RθJC 1.17 C/W
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200


March, 2001 – Rev. 2 2N6052/D
2N6052
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6058 80 —
2N6052, 2N6059
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6058 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N6052, 2N6059 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C)
ICEX
— 0.5
5.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 18,000
(IC = 12 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, IB = 24 mAdc) — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) — 4.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on) — 2.8 Vdc
(IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of Common Emitter Small–Signal Short Circuit Forward |hfe| 4.0 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Transfer Ratio
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance 2N6052 Cob — 500 pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6058/2N6059 — 300
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 300 — —
(2) Pulse test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.
VCC 10
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS -30 V
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg: 2N6052
5.0 2N6059
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA SCOPE ts
TUT
V2 RB 2.0
tf
t, TIME (s)
approx
µ
+8.0 V
D1 1.0
51 ≈ 5.0 k ≈ 50
0
tr
V1 0.5
approx +4.0 V
td @ VBE(off) = 0 VCC = 30 V
-8.0 V 25 µs for td and tr, D1 is disconnected IC/IB = 250
and V2 = 0 0.2 IB1 = IB2
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0% TJ = 25°C
0.1
0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 10 20
For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities.
http://onsemi.com
103
2N6052
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1 P(pk)
RθJC(t) = r(t) RθJC
0.1 0.05 RθJC = 1.17°C/W MAX
0.02
READ TIME AT t1 t2
0.02 SINGLE
PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
ACTIVE–REGION SAFE OPERATING AREA

50 50
0.1 ms 0.1 ms
20 20

10 10
5.0 0.5 ms 5.0 0.5 ms
1.0 ms 1.0 ms
2.0 2.0 5.0 ms
5.0 ms
1.0 TJ = 200°C 1.0 TJ = 200°C
0.5 SECOND BREAKDOWN LIM 0.5
ITED SECOND BREAKDOWN LIMITED
0.2 d 0.2 BONDING WIRE LIMITED d
THERMAL LIMITATION
0.1 @TC = 25°C (SINGLE PULSE) c 0.1 THERMAL LIMITATION c
@TC = 25°C (SINGLE PULSE)
0.05 0.05
10 20 30 50 70 100 10 20 30 50 70 100
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 5. 2N6058
Figure 6. 2N6052, 2N6059
There are two limitations on the power handling ability of pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
a transistor: average junction temperature and second 200C; TJ(pk) may be calculated from the data in Figure
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE 4. At high case temperatures, thermal limitations will reduce
limits of the transistor that must be observed for reliable the power that can be handled to values less than the
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater limitations imposed by second breakdown.
The data of Figures 5, 6, and 7 is based on TJ(pk) = 200C;
http://onsemi.com
104
2N6052
3000 500
2000 TC = 25°C TJ = 25°C
hfe, SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN
VCE = 3.0 V
1000 IC = 5.0 A 300
C, CAPACITANCE (pF)
500 200 Cib
200 Cob
100
100
2N6052
2N6058/2N6059 70 2N6052
50 2N6058/2N6059
30 50
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
http://onsemi.com
105
2N6052
PNP NPN
2N6052 2N6058, 2N6059
20,000 40,000
VCE = 3.0 V VCE = 3.0 V
20,000 TJ = 150°C
10,000
TJ = 150°C

5000 10,000
3000 6,000 25°C

25°C
2000 4,000
1000 -55°C 2,000
500 1,000 -55°C

300 600
200 400
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20
3.0 3.0
2.6 2.6 IC = 3.0 A 6.0 A 9.0 A 12 A

IC = 3.0 A 6.0 A 9.0 A 12 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0

1.0 1.0

0.5 0.5
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20
http://onsemi.com
106
ON Semiconductor
PNP
Complementary Silicon Plastic 2N6107
Power Transistors 2N6109 *
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching
applications. 2N6111
• DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes NPN
hFE = 30–150 @ IC 2N6288
= 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288
•
= 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc — All Devices
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
2N6292*
VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) — 2N6111, 2N6288 *ON Semiconductor Preferred Device
= 50 Vdc (Min) — 2N6109

= 70 Vdc (Min) — 2N6107, 2N6292 7 AMPERE
POWER TRANSISTORS
• High Current Gain — Bandwidth Product COMPLEMENTARY
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6288, 90, 92 SILICON
= 10 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6107, 09, 11 30–50–70 VOLTS
• TO–220AB Compact Package 40 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6111 2N6107
Rating Symbol 2N6288 2N6109 2N6292 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCB
30
40
50
60
70
80
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 10
ÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
3.0
40
Adc
Watts CASE 221A–09
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 0.32 W/C TO–220AB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJC 3.125 C/W

March, 2001 – Rev. 4 2N6107/D
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
40

30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
108
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6111, 2N6288 30 —
2N6109 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
50
2N6107, 2N6292 70 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6111, 2N6288
ICEO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6109 — 1.0
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6107, 2N6292 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6111, 2N6288
ICEX
— 100
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6109 — 100
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6107, 2N6292 — 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6111, 2N6288 — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 70 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6107, 2N6292 — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6107, 2N6292 30 150
(IC = 2.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6109
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30 150
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6111, 2N6288 30 150
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) All Devices 2.3 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 7.0 Adc, IB = 3.0 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) — 3.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (2) fT MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz) 2N6288, 92 4.0 —
2N6107, 09, 11 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) Cob — 250 pF
Small–Signal Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 50 kHz) hfe 20 — —
(2) fT = |hfe| • ftest.
http://onsemi.com
109
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
VCC
+30 V 2.0
1.0 TJ = 25°C
25 µs RC VCC = 30 V
0.7
+11 V SCOPE 0.5 IC/IB = 10
RB
t, TIME (s)
0.3
µ
0
D1 0.2 tr
51
-9.0 V 0.1
tr, tf ≤ 10 ns -4 V 0.07 td @ VBE(off) ≈ 5.0 V
RB and RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
0.03
0.02
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA

r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
ZθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 0.05 RθJC = 3.125°C/W MAX
0.03 t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)

0.1 ms
7.0 0.5 ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

5.0 limits of the transistor that must be observed for reliable
2.0 0.1 dissipation than the curves indicate.
ms
1.0 CURRENT LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.7 SECONDARY
0.5 BREAKDOWN LIMIT 5.0 ms
THERMAL LIMIT 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
0.3 @ TC = 25°C (SINGLE PULSE) Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
http://onsemi.com
110
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
5.0 300
3.0 TJ = 25°C
2.0 VCC = 30 V 200 TJ = 25°C
IC/IB = 10
ts
C, CAPACITANCE (pF)
1.0 IB1 = IB2
Cib
t, TIME (s)
0.7
µ
0.5 100
0.3 tr
70 Cob
0.2
50
0.1
0.07
0.05 30
0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
http://onsemi.com
111
ON Semiconductor
NPN
Darlington Complementary 2N6283
Silicon Power Transistors 2N6284
. . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency
PNP
switching applications. 2N6286
• High DC Current Gain @ IC = 10 Adc –
hFE = 2400 (Typ) – 2N6284 2N6287
= 4000 (Typ) – 2N6287
• Collector–Emitter Sustaining Voltage –
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) DARLINGTON
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors 20 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbo 2N6283 2N6284 100 VOLTS
Rating l 2N6286 2N6287 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
160 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
80
5.0
100 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Current – Continuous
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Peak
IC 20
40
Adc
ÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC =
IB
PD
0.5
160
Adc
Watts CASE 1–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
25C 0.915 W/C TO–204AA
Derate above 25C (TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
TJ,Tstg –65 to +200 C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
*THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJC 1.09 C/W
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

May, 2001 – Rev. 1 2N6284/D
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N6283, 2N6286 80 –
2N6284, 2N6287
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) – 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) – 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc) – 0.5
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) – 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO – 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 18,000
(IC = 20 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 100 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 40 mAdc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
– 2.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc) – 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on) – 2.8 Vdc
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc)
VBE(sat) – 4.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of Common Emitter Small–Signal Short–Circuit |hfe| 4.0 – MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Forward Current Transfer Ratio
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6283, 2N6284
Cob
– 400
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6286, 2N6287 – 600
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe 300 – –
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
(1) Pulse test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%
http://onsemi.com
113
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
10
VCC 7.0 ts 2N6284 (NPN)
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS - 30 V 2N6287 (PNP)
5.0
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE e.g.,
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA 3.0
RC
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA SCOPE 2.0
TUT
t, TIME (s)
tf tr
µ
V2 RB
1.0
APPROX 0.7
+ 8.0 V D1
51 8.0 k 50 0.5
0
0.3 VCC = 30 Vdc
V1 + 4.0 V I /I = 250
0.2 C B
APPROX 25 µs FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED IB1 = IB2
- 12 V TJ = 25°C td @ VBE(off) = 0 V
AND V2 = 0
tr, tf 10 ns 0.1
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
DUTY CYCLE = 1.0%
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 1.09°C/W MAX
0.02
0.02 TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
SINGLE PULSE DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
http://onsemi.com
114
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287

0.1 ms a transistor: average junction temperature and second
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 20 0.5 ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
10
1.0 ms limits of the transistor that must be observed for reliable
5.0 operation; i.e. the transistor must not be subjected to greater
5.0 ms dissipation than the curves indicate.
2.0 dc
1.0 TJ = 200°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.5 limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) <
200C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
BONDING WIRE LIMITED At high case temperatures, thermal limitations will reduce
0.1 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
the power that can be handled to values less than the
SINGLE PULSE
2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 5. 2N6284, 2N6287
10,000 1000
5000 TJ = 25°C TJ = 25°C
hFE, SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN
VCE = 3.0 Vdc 700

2000 IC = 10 A
C, CAPACITANCE (PF)
500
1000
500
300 Cib
200
100 Cob
200
50
2N6284 (NPN) 2N6284 (NPN)
20 2N6287 (PNP) 2N6287 (PNP)
10 100
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
http://onsemi.com
115
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
NPN PNP
2N6284 2N6287
20,000 30,000
VCE = 3.0 V 20,000 VCE = 3.0 V
10,000
TJ = 150°C
7000 TJ = 150°C 10,000

5000 7000
5000
3000 25°C
2000 25°C 3000
2000
1000
-55°C -55°C
700 1000
500 700
300 500
200 300
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
3.0 3.0
VCE , COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE , COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)

TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 IC = 5.0 A 10 A 15 A 2.6 15 A

IC = 5.0 A 10 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0

1.5 1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250

1.0 1.0
0.5 0.5
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
http://onsemi.com
116
2N6283 2N6284 2N6286 2N6287
NPN PNP
2N6284 2N6287
+5.0 +5.0

+4.0 hFE@VCE 3.0V +4.0 hFE@VCE 3.0V
*APPLIES FOR IC/IB ≤ *APPLIES FOR IC/IB ≤
+3.0 250 +3.0 250
+2.0 +2.0 25°C to 150°C

25°C to 150°C
+1.0 +1.0
-55°C to + 25°C
0 -55°C to + 25°C 0
-1.0 *θVC for VCE(sat) -1.0 *θVC for VCE(sat)
-2.0 -2.0
25°C to + 150°C 25°C to + 150°C
-3.0 -3.0 θVB for VBE
θVB for VBE
-4.0 -55°C to + 25°C -4.0 -55°C to + 25°C
-5.0 -5.0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
Figure 11. Temperature Coefficients
105 103
VCE = 30 V VCE = 30 V
104 102

µ
TJ = 150°C
103 101
TJ = 150°C
102 100 100°C
100°C
101 10-1
REVERSE FORWARD REVERSE FORWARD
100 10-2 25°C
25°C
10-1 10-3
-0.6 -0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1.0 +1.2 + 1.4 +0.6 +0.4 +0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4
Figure 12. Collector Cut–Off Region
COLLECTOR COLLECTOR
NPN PNP
2N6284 2N6287
BASE BASE
8.0 k 60 8.0 k 60
EMITTER EMITTER
Figure 13. Darlington Schematic
http://onsemi.com
117
ON Semiconductor
High-Power NPN Silicon 2N6338

Transistors 2N6341*
. . . designed for use in industrial–military power amplifier and
switching circuit applications.
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage –
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) – 2N6338
= 150 Vdc (Min) – 2N6341 25 AMPERE
• High DC Current Gain – POWER TRANSISTORS
hFE = 30 – 120 @ IC = 10 Adc NPN SILICON
= 12 (Min) @ IC = 25 Adc 100, 120, 140, 150 VOLTS
200 WATTS
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage –
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc
• Fast Switching Times @ IC = 10 Adc
tr = 0.3 ms (Max)
ts = 1.0 ms (Max)
tf = 0.25 ms (Max)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N6338 2N6341 Unit CASE 1–07
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current IC Adc
Continuous 25
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 50
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎ
200
1.14
–65 to +200
Watts
W/°C
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

May, 2001 – Rev. 10 2N6338/D
2N6338 2N6341
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) 2N6338 VCEO(sus) 100 – Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, IB = 0) 2N6341 150 –
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N6338 – 50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 75 Vdc, IB = 0) 2N6341 – 50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc) – 10 µAdc
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) – 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCB = Rated VCB, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 6.0 Vdc, IC = 0)
ICBO
IEBO
–
–
10
100
µAdc
µAdc
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain) ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 50 –
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 30 120
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 12 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) – 1.0
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) – 1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
VBE(sat)
– 1.8
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) – 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) VBE(on) – 1.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product (2) (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
fT
Cob
40
–
–
300
MHz
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC ≈ 80 Vdc, IC = 10Adc, IB1 = 1.0 Adc, VBE(off) = 6.0 Vdc) tr – 0.3 µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time (VCC ≈ 80 Vdc, IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 1.0 Adc) ts – 1.0 µs
Fall Time (VCC ≈ 80 Vdc, IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 1.0 Adc) tf – 0.25 µs
VCC 1000
700
+ 80 V VCC = 80 V
500
RC IC/IB = 10
8.0 OHMS td @ VBE(off) = 6.0 V TJ = 25°C
300
10 µs RB SCOPE 200
t, TIME (ns)
+ 11 V 10 OHMS
0 100 tr
70
1N4933
- 9.0 V 50
tr, tf 10 ns 30
- 5.0 V
DUTY CYCLE = 1.0%
20
NOTE: For information on Figures 3 and 6, RB and RC were 10

varied to obtain desired test conditions. 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
http://onsemi.com
119
2N6338 2N6341
1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1 P(pk)
0.1 θJC = r(t) θJC
0.05 θJC = 0.875°C/W MAX
0.07 0.02
t1 PULSE TRAIN SHOWN
0.03 0.01 t2 READ TIME AT t1
0.02 SINGLE PULSE TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)

200 µs
20 breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE

10 1.0 ms limits of the transistor that must be observed for reliable
dc
5.0 5.0 ms operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
2.0 TJ = 200°C dissipation than the curves indicate.
1.0 BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 200C; TC is
0.5 THERMALLY LIMITED @ variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.2 TC = 25°C (SINGLE PULSE) limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
SECOND BREAKDOWN
0.1 200C. TJ(pk) may be calculated from the data in
LIMITED CURVES APPLY 2N6338
0.05 Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
BELOW RATED VCEO 2N6341
2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
5.0 5000
3.0 VCC = 80 V 3000 TJ = 25°C
ts IB1 = IB2 Cib
2.0 2000
IC/IB = 10
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 25°C
1.0 1000
t, TIME (s)
0.7 700
µ
0.5 500
0.3 300
0.2 tf 200 Cob
0.1 100
0.07 70
0.05 50
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
http://onsemi.com
120
ON Semiconductor
2N6387
Plastic Medium-Power
2N6388*
Silicon Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed
switching applications. DARLINGTON
8 AND 10 AMPERE
• High DC Current Gain — NPN SILICON
hFE = 2500 (Typ) @ IC POWER TRANSISTORS
= 4.0 Adc 60–80 VOLTS
• Collector–Emitter Sustaining Voltage – @ 100 mAdc 65 WATTS
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6387
= 80 Vdc (Min) — 2N6388
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC
= 5.0 Adc — 2N6387, 2N6388
• TO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc CASE 221A–09
Collector–Base Voltage VCB 60 80 Vdc TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
IC 10
5.0
10
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 15 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation PD
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25C
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
65
0.52
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TA = 25C 2.0 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction, TJ, Tstg –65 to +150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristics Symbol Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 62.5 C/W

March, 2001 – Rev. 9 2N6387/D
2N6387 2N6388
TA TC
4.0 80

3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
122
2N6387 2N6388
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N6387 60 —
2N6388
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6387 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6388 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE – 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc)
2N6387
2N6388
ICEX
—
—
300
300
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N6387 — 3.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
1000
100
20,000
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.01 Adc) 2N6387, 2N6388
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.0
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc) 2N6387, 2N6388 — 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 2N6387, 2N6388
VBE(on)
— 2.8
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 2N6387, 2N6388 — 4.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain |hfe| 20 —
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob — 200 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe 1000 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Indicates JEDEC Registered Data
http://onsemi.com
123
2N6387 2N6388
7.0
VCC 5.0
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS + 30 V
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g., 3.0
ts
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA RC
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA SCOPE tf
TUT
t, TIME (s)
1.0
µ
V1 RB
0.7 tr
APPROX
+ 12 V
51 D1 8.0 k 120
0 0.3 VCC = 30 V
0.2 IC/IB = 250 td
V2 - 4.0 V IB1 = IB2
APPROX 25 µs FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED TJ = 25°C
-8V AND V2 = 0 0.1
tr, tf 10 ns 0.07
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
DUTY CYCLE = 1.0%
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 P(pk)
ZθJC (t) = r(t) RθJC
0.07 0.05
RθJC = 1.92°C/W MAX
0.02
PULSE TRAIN SHOWN
0.03 t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
124
2N6387 2N6388

10 µs
5.0
dc 50 µs limits of the transistor that must be observed for reliable
1 ms
2.0 50 ms operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
1.0 5 ms dissipation than the curves indicate.
TJ = 150°C The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
0.5
THERMALLY LIMITED @ TC = 100°C
0.1 SECOND BREAKDOWN LIMITED < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO 4. At high case temperatures, thermal limitations will reduce
2N6387
2N6388
0.03 limitations imposed by second breakdown
1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40 60 80
Figure 5. Active-Region Safe Operating Area
10,000 300
5000 TJ = 25°C
3000 200
2000 C, CAPACITANCE (pF)
1000
500 Cob
300 TC = 25°C 100
200 VCE = 4.0 Vdc
IC = 3.0 Adc 70 Cib
100
50 50
30
20
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
20,000 3.0
VCE = 4.0 V TJ = 25°C

10,000
2.6
5000 TJ = 150°C IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
3000 2.2
2000
25°C
1.8
1000
-55°C
500 1.4
300
200 1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
http://onsemi.com
125
2N6387 2N6388
3.0 + 5.0

TJ = 25°C + 4.0 hFE@VCE 4.0V
*IC/IB ≤
+ 3.0 3
2.5 25°C to 150°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
+ 2.0
2.0 + 1.0
*θVC for VCE(sat) -55°C to 25°C
0
1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250 - 1.0
- 2.0
VBE @ VCE = 4.0 V 25°C to 150°C
1.0 - 3.0 θVB for VBE
-55°C to 25°C
- 4.0
0.5 - 5.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
105
REVERSE FORWARD COLLECTOR
104
µ
VCE = 30 V
103
102 BASE
TJ = 150°C
101
8.0 k 120
100 100°C
25°C
10-1 EMITTER
-0.6 -0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1.0 +1.2 + 1.4
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Collector Cut–Off Region Figure 13. Darlington Schematic
http://onsemi.com
126
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Plastic 2N6487
Power Transistors
2N6488 *
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching PNP
applications.
2N6490
• DC Current Gain Specified to 15 Amperes —
hFE = 20–150 @ IC = 5.0 Adc
= 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc
2N6491*
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — *ON Semiconductor Preferred Device
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) – 2N6487, 2N6490

15 AMPERE
= 80 Vdc (Min) – 2N6488, 2N6491
COMPLEMENTARY
• High Current Gain — Bandwidth Product SILICON
fT = 5.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc POWER TRANSISTORS
• TO–220AB Compact Package 60–80 VOLTS
75 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6487 2N6488
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
70
5.0
90 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
IC
IB
15
5.0
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 0.6 W/C CASE 221A–09
TO–220AB
Total Power Dissipation @ TA = 25C
ÎÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.8
ÎÎÎ
Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJA 70 C/W

March, 2001 – Rev. 9 2N6487/D
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
TA TC
4.0 80

3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
128
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N6487, 2N6490 60 —
2N6488, 2N6491
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) VCEX Vdc
(IC = 200 mAdc, VBE = 1.5 Vdc) 2N6487, 2N6490 70 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6488, 2N6491 90 —
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
ICEO
—
—
1.0
1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 65 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6487, 2N6490
ICEX
— 500
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 85 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6488, 2N6491 — 500
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6487, 2N6490
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 5.0
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6488, 2N6491 — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
20 150
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 5.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.5 Adc)
VCE(sat)
— 1.3
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 5.0 Adc) — 3.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) — 1.3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) — 3.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (2) fT 5.0 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
http://onsemi.com
129
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
VCC
+ 30 V 1000
25 µs RC 500
+ 10 V tr
SCOPE
RB 200
0
t, TIME (ns)
- 10 V 100
51 D1
tr, tf 10 ns 50 NPN td @ VBE(off) 5.0 V
DUTY CYCLE = 1.0% -4V PNP
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS. TC = 25°C
FOR PNP, REVERSE ALL POLARITIES. 20
VCC = 30 V
IC/IB = 10
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 10
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 ZθJC (t) = r(t) RθJC P(pk)
0.07 0.05
0.02
PULSE TRAIN SHOWN
0.03 t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)

10 100 µs a transistors average junction temperature and second

5.0 500 µs limits of the transistor that must be observed for reliable
2.0 1.0 ms dissipation than the curves indicate.
TJ = 150°C
1.0 SECOND BREAKDOWN LIMITED 5.0 ms
0.2 2N6487, 2N6490 dc
2N6488, 2N6491 reduce the power that can be handled to values less than the
0.1 limitations imposed by second breakdown
2.0 4.0 10 20 40 60 80
http://onsemi.com
130
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
5000 1000
700
ts
Cob
C, CAPACITANCE (pF)
1000
300 Cib
t, TIME (ns)
500 tf Cob
200
NPN
200 PNP VCC = 30 V
100 NPN
IC/IB = 10
100 IB1 = IB2 PNP
70
TJ = 25°C TJ = 25°C
50 50
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50
Figure 6. Turn–Off Time Figure 7. Capacitances
http://onsemi.com
131
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
NPN PNP
2N6487, 2N6488 2N6490, 2N6491
500 500
TJ = 150°C
200 25°C 200 TJ = 150°C

25°C
100 100
-55°C -55°C
50 50
20 20
VCE = 2.0 V
10 10 VCE = 2.0 V
5.0 5.0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
2.0 2.0

1.8 TJ = 25°C 1.8 TJ = 25°C
1.6 1.6
1.4 1.4
1.2 1.2
1.0 IC = 1.0 A 1.0 IC = 1.0 A 4.0 A 8.0 A
0.8 0.8
4.0 A 8.0 A
0.6 0.6
0.4 0.4
0.2 0.2
0 0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000
2.8 2.8
2.4 TJ = 25°C 2.4 TJ = 25°C

V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.6 1.6
1.2 1.2
VBE(sat) = IC/IB = 10 VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
http://onsemi.com
132
ON Semiconductor
High Voltage NPN Silicon 2N6497

Power Transistors
. . . designed for high voltage inverters, switching regulators and
line–operated amplifier applications. Especially well suited for 5 AMPERE
switching power supply applications. POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage – 250 VOLT
VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) 80 WATTS
• Excellent DC Current Gain
hFE = 10–75 @ IC = 2.5 Adc
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage @ IC = 2.5 Adc –
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 6.0 Vdc CASE 221A–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current – Continuous IC 5.0 Adc TO–220AB
– Peak 10
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
2.0
80
Adc
Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ,Tstg
0.64
–65 to +150
W/C
C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ

May, 2001 – Rev. 10 2N6497/D
2N6497
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 mAdc, IB = 0) 250 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 350 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) – – 1.0
(VCE = 175 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100C) – – 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO – – 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, VCE = 10 Vdc) 10 – 75
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 10 Vdc) 3.0 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, IB = 500 mAdc)
(IC = 5.0 Adc, IB = 2.0 Adc)
VCE(sat)
– – 1.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– – 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) Vdc
(IC = 2.5 Adc, IB = 500 mAdc) – – 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 2.0 Adc) – – 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product fT 5.0 – – MHz
(IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz)
Cob – – 150 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 125 Vdc, IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc)
tr – 0.4 1.0 µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time ts – 1.4 2.5 µs
(VCC = 125 Vdc, IC = 2.5 Adc, VBE = 5.0 Vdc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
Fall Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 125 Vdc, IC = 2.5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
tf – 0.45 1.0 µs

VCC
+ 125 V 1.0
0.7 VCC = 125 V
25 µs RC 50 0.5 IC/IB = 5.0
+ 11 V TJ = 25°C
SCOPE 0.3
0 RB 20 0.2
tr
t, TIME (s)
µ
0.1
- 9.0 V D1 0.07
tr, tf 10 ns 0.05
DUTY CYCLE = 1.0% - 5.0 V
0.03 td @ VBE(off) = 5.0 V
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
0.02
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
http://onsemi.com
134
2N6497
1.0

0.7 D = 0.5
0.5
r(t) EFFECTIVE TRANSIENT
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(max) = 1.56°C/W
t1 SINGLE READ TIME AT t1
0.03 SINGLE PULSE t2 PULSE TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.02 0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

5.0
2.0 dc 5.0 ms 1.0 ms 100 µs
1.0 dissipation than the curves indicate.
TC = 25°C The data of Figure 14 is based on TC = 25C; TJ(pk) is
0.5
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE)
0.1 SECOND BREAKDOWN LIMIT 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
0.05 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO Figure 13. At high case temperatures, thermal limitations
0.02 the limitations imposed by second breakdown. Second
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
breakdown limitations do not derate the same as thermal
limitations. Allowable current at the voltage shown on
Figure 14. Active–Region Safe Operating Area Figure 14 may be found at any case temperature by using the
appropriate curve on Figure 16.
10 100
7.0 VCC = 125 V
5.0 ts IC/IB = 5.0 SECOND BREAKDOWN DERATING
TJ = 25°C 80
3.0
2.0
t, TIME (s)
60
µ
1.0
0.7 THERMAL DERATING
40
0.5
0.3 tf
20
0.2
0.1 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0 20 40 60 80 100 120 140 160
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 15. Turn–Off Time Figure 16. Power Derating
http://onsemi.com
135
2N6497
100 4.0

TJ = 150°C TJ = 25°C
VCE = 10 V
70
3.2
50
25°C
30 2.4
20 -55°C
1.6
IC = 1.0 A 2.0 A 3.0 A 5.0 A

10
0.8
7.0
5.0 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
1.4 +4.0

TJ = 25°C hFE@VCE 10V
1.2 +3.0 *APPLIES FOR IC/IB
3
1.0 +2.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0

+1.0 *θVC for VCE(sat) 25°C to 150°C
0.8
0.6 VBE @ VCE = 10 V 0

-55°C to 25°C
0.4 -1.0
25°C to 150°C
θVB for VBE
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 5.0 -2.0
IC/IB = 2.5 -55 to 25°C
0 -3.0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
104 1000
VCE = 200 V 700
103 500 Cib
µ
300
C, CAPACITANCE (pF)
102 TJ = 150°C
200
TJ = 25°C
101 100°C
100
70
100 50
30 Cob
10-1 25°C 20
REVERSE FORWARD
10-2 10
-0.1 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40 60 100 200 400
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 21. Collector Cutoff Region Figure 22. Capacitance
http://onsemi.com
136
ON Semiconductor
2N6667
Darlington Silicon
2N6668
Power Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low speed
switching applications. PNP SILICON
DARLINGTON
• High DC Current Gain — POWER TRANSISTORS
hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4 Adc 10 AMPERES
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 200 mAdc 60–80 VOLTS
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6667 65 WATTS
= 80 Vdc (Min) — 2N6668
VCE(sat) = 2 Vdc (Max)@ IC = 5 Adc
• Complementary to 2N6387, 2N6388
COLLECTOR
CASE 221A–09
TO–220AB
BASE
8k 120
EMITTER
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
VCEO
2N6667
60
2N6668
80
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
60
5
80 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak
ÎÎÎ
IC 10
15
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 65 watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 2 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range

March, 2001 – Rev. 3 2N6667/D
2N6667 2N6668
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJC
RθJA
1.92
62.5
C/W
C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (2) 2N6667 VCEO(sus) 60 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N6668 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6667 ICEO — 1 mAdc
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6668 — 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6667
2N6668
ICEX —
—
300
300
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6667
2N6668
—
—
3
3
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0) IEBO — 5 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 5 Adc, VCE = 3 Vdc) hFE 1000 20000 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.01 Adc) VCE(sat)
100
—
—
2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc) — 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage(IC = 5 Adc, IB = 0.01 Adc) VBE(sat) — 2.8 Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc) — 4.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, ftest = 1 MHz) |hfe| 20 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz) Cob — 200 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, f = 1 kHz) hfe 1000 — —
(2) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.
VCC
- 30 V
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS RC

D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES e.g., SCOPE
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA TUT
V2 RB
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA
APPROX
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED AND V2 = 0 +8V
51 D1 8k 120
tr, tf 10 ns 0
DUTY CYCLE = 1.0% V1 + 4.0 V
APPROX
- 12 V 25 µs
Figure 2. Switching Times Test Circuit
http://onsemi.com
138
2N6667 2N6668
TA TC
4 80 10
7 VCC = 30 V
5 IC/IB = 250
IB1 = IB2
3 60 3
tr TJ = 25°C
2
TC
t, TIME (s)
µ
ts
2 40 1
0.7
0.5
TA
1 20 0.3 .td
tf
0.2
0.1
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
T, TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. Power Derating Figure 4. Typical Switching Times
1
D = 0.5
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
0.5
r(t) NORMALIZED EFFECTIVE
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.05 RθJC = 1.92°C/W MAX
0.05
0.03 0.02 t1 PULSE TRAIN SHOWN
t2 READ TIME AT t1
0.02 0.01 SINGLE PULSE
TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
t, TIME (ms)
20
10 5 ms 100 µs There are two limitations on the power handling ability of
5
dc breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
3
2 1 ms limits of the transistor that must be observed for reliable
0.5
TJ = 150°C
0.3 2N6667 The data of Figure 6 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
0.2 BONDING WIRE LIMIT 2N6668 variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.1 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
SECOND BREAKDOWN LIMIT < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 5.
0.05
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO At high case temperatures, thermal limitations will reduce
0.03
0.02 the power that can be handled to values less than the
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100
Figure 6. Maximum Safe Operating Area
http://onsemi.com
139
2N6667 2N6668
10,000 300
5000
hFE , SMALL-SIGNAL CURENT GAIN
2000 TJ = 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
1000 200
500
TC = 25°C
Cib Cob
200 VCE = 4 VOLTS
IC = 3 AMPS 100
100
70
50
50
20
10 30
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200 300 500 1000 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
Figure 7. Typical Small–Signal Current Gain Figure 8. Typical Capacitance
20,000 2.6

VCE = 3 V TJ = 25°C
10,000
TJ = 150°C 2.2
7000
IC = 2 A 4A 6A
5000
3000 1.8
2000
TJ = 25°C
1.4
1000
700
500 1
TJ = - 55°C
300
200 0.6
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 9. Typical DC Current Gain Figure 10. Typical Collector Saturation Region
3 +5
+4 hFE@VCE 3.0V

TJ = 25°C *IC/IB ≤
2.5 +3 3
V, VOLTAGE (VOLTS)
+2 25°C to 150°C
2 +1
-55°C to 25°C
0
1.5 -1
∗θVC for VCE(sat)
-2
VBE @ VCE = 3 V 25°C to 150°C
1 -3
θVB for VBE
-4 -55°C to 25°C
0.5 -5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 11. Typical “On” Voltages Figure 12. Typical Temperature Coefficients
http://onsemi.com
140
2N6667 2N6668
105
REVERSE FORWARD
104

µ
103 VCE = 30 V
102
TJ = 150°C
101
100°C
100
25°C
10-1
+0.6 +0.4 +0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4
Figure 13. Typical Collector Cut–Off Region
http://onsemi.com
141
ON Semiconductor
BD135
Plastic Medium Power Silicon BD137
NPN Transistor BD139
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing
complementary or quasi complementary circuits. 1.5 AMPERE
POWER TRANSISTORS
• DC Current Gain — NPN SILICON
hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc 45, 60, 80 VOLTS
• BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140 10 WATTS
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎRating Symbol Type Value Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO BD 135
BD 137
45
60
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD 139 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO BD 135 45 Vdc
BD 137 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ VEBO
BD 139 100
5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
Base Current ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC
IB
1.5
0.5
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TA = 25C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 1.25
10
Watts
mW/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 12.5 Watt
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Temperature Range ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

March, 2001 – Rev. 9 BD135/D
BD135 BD137 BD139
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
θJC
θJA
10
100
C/W
C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage*
Symbol
BVCEO*
Type Min Max UnIt
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.03 Adc, IB = 0) BD 135 45 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD 137 60 —
BD 139 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 30 Vdc, IE = 0, TC = 125C)
ICBO
—
—
0.1
10
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 10 µAdc
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.005 A, VCE = 2 V)
(IC = 0.15 A, VCE = 2 V)
ÎÎÎ
hFE*
25 —
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40 250
(IC = 0.5 A VCE = 2 V) 25 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.05 Adc)
VCE(sat)* — 0.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage* VBE(on)* — 1 Vdc
(IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
*Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
10.0
5.0
0.1 ms
2.0 5 ms 0.5 ms
1.0
TJ = 125°C dc
0.5
0.1
0.05
BD135
0.02 BD137
BD139
0.01
1 2 5 10 20 50 80
http://onsemi.com
143
ON Semiconductor
BD136
PNP Transistor BD140
BD140-10
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing
complementary or quasi complementary circuits. 1.5 AMPERE
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc POWER TRANSISTORS
• BD 136, 138, 140 are complementary with BD 135, 137, 139 PNP SILICON
45, 60, 80 VOLTS
10 WATTS
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol Type Value Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO BD 136 45 Vdc
BD 138 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD 140 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO BD 136 45 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD 138 60
BD 140 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector Current ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO
IC
5
1.5
Vdc
Adc
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation@ TA = 25C PD
IB 0.5
1.25
Adc
Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 12.5 Watt
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range

March, 2001 – Rev. 9 BD136/D
BD136 BD138 BD140 BD140–10
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
θJC
θJA
10
100
C/W
C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Type Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.03 Adc, IB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BVCEO
BD 136 45 —
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD 138 60 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD 140 80 —
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO
(VCB = 30 Vdc, IE = 0) — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 30 Vdc, IE = 0, TC = 125 C) — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 10 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain —
(IC = 0.005 A, VCE = 2 V) ALL hFE* 25 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2 V)
ÎÎÎ
ALL
BD140–10
40
63
250
160
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 0.5 A, VCE = 2 V)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage* VCE(sat)*
25
—
—
0.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.05 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage* VBE(on)* — 1 Vdc
(IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
10
5.0
0.1 ms
2.0 5 ms 0.5 ms
1.0
TJ = 125°C dc
0.5
0.2
0.1
0.05
BD136
0.02 BD138
BD140
0.01
1 2 5 10 20 50 80
http://onsemi.com
145
ON Semiconductor
Plastic Medium Power NPN

BD159
Silicon Transistor
. . . designed for power output stages for television, radio,
phonograph and other consumer product applications. 0.5 AMPERE
• Suitable for Transformerless, Line–Operated Equipment POWER TRANSISTOR
• Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating for NPN SILICON
350 VOLTS
High Reliability
20 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCB
350
375
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
5.0
0.5
Vdc
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
6.25
Unit
C/W
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage BVCEO 350 — Vdc
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(At rated voltage) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE 30 240 —
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc)

March, 2001 – Rev. 2 BD159/D
BD159
25 1.0
0.8 VBE @ IC/IB = 10

20
V, VOLTAGE (VOLTS)
0.6 VBE @ VCE = 10 V
15
0.4
10 VCE(sat) @ IC/IB = 10
0.2 TJ = +25°C
IC/IB = 5.0
5.0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 10 20 30 50 100 200 300 500
TC, CASE TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. Power–Temperature Derating Curve Figure 3. “On” Voltages
1.0 The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits

0.7 10 µs below which the device will not enter secondary breakdown.
0.5 500 µs Collector load lines for specific circuits must fall within the
0.3 TJ = 150°C 1.0 ms applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.
dc
0.2 To insure operation below, the maximum TJ,
power–temperature derating must be observed for both
0.1 steady state and pulse power conditions.
0.07
0.05
0.03
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
0.02 (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
0.01
10 20 30 50 100 200 300
Figure 4. DC Safe Operating Area
300
VCE = 10 V
200 VCE = 2.0 V
TJ = 150°C
100
70 + 100°C
50 + 25°C
30
20 - 55°C
10
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
http://onsemi.com
147
ON Semiconductor
BD179
Plastic Medium Power Silicon
BD179-10
NPN Transistor
. . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers
utilizing complementary or quasi complementary circuits. 3.0 AMPERES
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
• BD179 is complementary with BD180
80 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS *ON Semiconductor Preferred Device
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 240 mw/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–09
Thermal Resistance, Junction to Case θJC 4.16 C/W TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage* V(BR)CEO 80 — Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2.0 V)
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
ÎÎÎÎ
BD179–10
ALL
hFE
63
15
160
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage*
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product fT 3.0 — MHz
*Pulse Test: Pulse Width 300 As, Duty Cycle 2.0%.

March, 2001 – Rev. 9 BD179/D
BD179 BD179–10
The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits

below which the device will not enter secondary breakdown.
10
100 µs
Collector load lines for specific circuits must fall within the
7.0
applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.

5.0 1.0 ms To insure operation below the maximum TJ,
3.0
5.0 ms
power–temperature derating must be observed for both
2.0
steady state and pulse power conditions.
dc
1.0 TJ = 150°C
0.7
0.5 SECONDARY BREAKDOWN LIMITATION
0.3 THERMAL LIMITATION
(BASE-EMITTER DISSIPATION IS
0.2 SIGNIFICANT ABOVE IC = 2.0 AMP)
PULSE DUTY CYCLE < 10%
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
1.0
0.8
IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.6
TJ = 25°C
0.4
0.2
0
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
1000 1.5
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
700
VCE = 2.0 V
500 TJ = 25°C
1.2
300
VOLTAGE (VOLTS)
200
0.9
100 TJ = + 150°C VBE(sat) @ IC/IB = 10
70 TJ = + 25°C 0.6
50 VBE @ VCE = 2.0 V
30 TJ = + 55°C 0.3
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
Figure 3. Current Gain Figure 4. “On” Voltages
http://onsemi.com
149
BD179 BD179–10
1.0
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
0.7 D = 0.5
0.5
D = 0.2
THERMAL RESISTANCE
0.3
0.2 D = 0.1
SINGLE PULSE
0.1 D = 0.05
0.07 D = 0.01 θJC = 3.5°C/W TYP
t1
t2
READ TIME AT t1
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME or PULSE WIDTH (ms)
http://onsemi.com
150
ON Semiconductor
BD180
Plastic Medium Power Silicon
PNP Transistor 3.0 AMPERES
POWER TRANSISTOR
. . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers PNP SILICON
utilizing complementary or quasi complementary circuits. 80 VOLTS
30 WATTS
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
• BD180 is complementary with BD179
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
Symbol
V(BR)CEO
Min
80
Max
—
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 45 Vdc, IE = 0)
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ BD180
ICBO
—
—
—
1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2.0 V)
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
ÎÎÎÎ
hFE
40 250
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
15 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage* VCE(sat) — 0.8 Vdc
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

March, 2001 – Rev. 9 BD180/D
BD180
10 The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits

7.0 100 µs
5.0
1.0 ms Collector load lines for specific circuits must fall within the
3.0 applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.
2.0 5.0 ms
To insure operation below the maximum TJ,
dc power–temperature derating must be observed for both
1.0 TJ = 150°C
0.5 SECONDARY BREAKDOWN LIMITATION
THERMAL LIMITATION
0.3
(BASEEMITTER DISSIPATION IS
0.2 SIGNIFICANT ABOVE IC = 20 AMP)
PULSE DUTY CYCLE < 10% BD180
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100

1.0
TJ = 25°C
0.8
IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.6
0.4
0.2
0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200

1000 1.5
700
500 VCE = 2.0 V

TJ = 25°C
1.2
300
VOLTAGE (VOLTS)
200 TJ = + 150°C
0.9
100 TJ = + 25°C VBE(sat) @ IC/IB = 10
70 0.6
50 TJ = - 55°C VBE @ VCE = 2.0 V
30 0.3
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000

http://onsemi.com
152
BD180
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT 1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 D = 0.2
THERMAL RESISTANCE
0.2 D = 0.1
SINGLE PULSE
0.1 D = 0.05
0.07 D = 0.01 θJC = 3.5°C/W TYP
t1
t2
READ TIME AT t1
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
http://onsemi.com
153
ON Semiconductor
NPN
BD237
Plastic Medium Power Silicon PNP
. . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers
utilizing complementary or quasi complementary circuits. 2.0 AMPERES
POWER TRANSISTORS
• DC Current Gain — NPN SILICON
hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc 80 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
25 WATTS
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
Symbol
V(BR)CEO
Min
80
Max
—
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2.0 V)
ÎÎÎÎ
hFE1 40 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V) hFE2 25 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage* VCE(sat) — 0.6 Vdc
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
fT 3.0 — MHz

April, 2001 – Rev. 10 BD237/D
BD238

100 µs
1 ms
Collector load lines for specific circuits must fall within the
3
5 ms applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.
TJ = 150°C dc power–temperature derating must be observed for both
1
steady state and pulse power conditions.
0.3
BD236
0.1 BD237
1 3 10 30 100
1.0
0.8
IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.6
TJ = 25°C
0.4
0.2
0
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
1000 1.5
700
500 VCE = 2.0 V TJ = 25°C
1.2
300
VOLTAGE (VOLTS)
200 0.9
TJ = + 150°C
100 VBE(sat) @ IC/IB = 10
70 TJ = + 25°C 0.6
50 VBE @ VCE = 2.0 V
30 TJ = + 55°C 0.3
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
http://onsemi.com
155
BD238
1.0
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT 0.7 D = 0.5
0.5
0.3 D = 0.2
THERMAL RESISTANCE
0.2 D = 0.1
SINGLE PULSE
0.1 D = 0.05
0.07 D = 0.01 θJC = 3.5°C/W TYP
t1
t2
READ TIME AT t1
0.02 TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
http://onsemi.com
156
ON Semiconductor
Complementary Silicon Plastic NPN

Power Transistors BD241C*
PNP
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
BD242C*
• Collector–Emitter Saturation Voltage — *ON Semiconductor Preferred Device
VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc 3 AMPERE

• Collector–Emitter Sustaining Voltage — POWER TRANSISTORS
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C COMPLEMENTARY
• High Current Gain — Bandwidth Product SILICON
80, 100 VOLTS
fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
40 WATTS
• Compact TO–220 AB Package
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
BD241C
BD242C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCES 115 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 5.0 Adc CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJA
RθJC
62.5
3.125
C/W
C/W

May, 2001 – Rev. 3 BD241C/D
BD241C BD242C
40

30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
158
BD241C BD242C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Characteristic Symbol Min. Max. Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage1 VCEO Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0) BD241C, BD242C 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO 0.3 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) BD241C, BD242C
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0) BD241C, BD242C 200
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎ
IEBO
1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 25
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 600 Adc)
VCE(sat)
1.2
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on)
1.8
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain – Bandwidth Product2 fT MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1 MHz) 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 kHz) 20
1 Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
2 fT = |hfe| • ftest.
2.0
TURNON PULSE VCC IC/IB = 10
RL 1.0
APPROX TJ = 25°C
+ 11 V Vin SCOPE 0.7 tr @ VCC = 30 V
RK 0.5
Vin 0 CjdCeb
t, TIME (s)
0.3
µ
VEB(off) tr @ VCC = 10 V
t1
- 4.0 V
t3
APPROX t1 7.0 ns
+ 11 V 0.1
100 t2 500 µs
0.07 td @ VBE(off) = 2.0 V
t3 15 ns
0.05
Vin
0.03
DUTY CYCLE 2.0% 0.02
t2 0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0
TURNOFF PULSE APPROX - 9.0 V
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit Figure 3. Turn–On Time
http://onsemi.com
159
BD241C BD242C
1.0
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE 0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 P(pk)
0.05 ZθJC (t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 3.125°C/W MAX
0.02
t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)
10

5.0
1.0 ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
100 µs
2.0 operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
1.0 SECOND BREAKDOWN The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
LIMITED @ TJ 150°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.5 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C, TJ(pk) may be calculated from the data in
0.2 CURVES APPLY BELOW Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
RATED VCEO
BD241C, BD242C reduce the power that can be handled to values less than the
5.0 10 20 50 100
3.0 300
IB1 = IB2
2.0 TJ = + 25°C
ts′ IC/IB = 10
ts′ = ts - 1/8 tf 200
1.0 TJ = 25°C
0.7 tf @ VCC = 30 V
CAPACITANCE (pF)
0.5
t, TIME (s)
µ
0.3 100
tf @ VCC = 10 V Ceb
0.2
70
0.1
0.07 50 Ccb
0.05
0.03 30
0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 40
http://onsemi.com
160
BD241C BD242C
500 2.0

300 VCE = 2.0 V TJ = 25°C
TJ = 150°C
1.6
25°C
100
70 1.2
-55°C IC = 0.3 A 1.0 A 3.0 A
50
30 0.8
0.4
10
7.0
5.0 0
0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
1.4 +2.5

TJ = 25°C +2.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ 5.0
1.2 TJ = - 65°C TO + 150°C
+1.5
1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
+1.0
+0.5 *θVC FOR VCE(sat)
0.8
VBE(sat) @ IC/IB = 10 0
0.6 -0.5
VBE @ VCE = 2.0 V
0.4 -1.0
-1.5
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10 θVB FOR VBE
-2.0
0 -2.5
0.003 0.005 0.01 0.020.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 0.003 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0
103 107
VCE = 30 V
VCE = 30 V IC = 10 x ICES
102
106
µ
TJ = 150°C
101
105
100 100°C IC ≈ ICES
IC = 2 x ICES
104
10-1
REVERSE FORWARD
10-2 103 (TYPICAL ICES VALUES
25°C
ICES
10-3 102
-0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 +0.6 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
161
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Plastic BD243B
Power Transistors
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching BD243C *
applications. PNP
• Collector – Emitter Saturation Voltage — BD244B
BD244C *
VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Collector Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — BD243B, BD244B
= 100 Vdc (Min) — BD243C, BD244C
• High Current Gain Bandwidth Product 6 AMPERE
fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc POWER TRANSISTORS
•
Compact TO–220 AB Package COMPLEMENTARY
SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BD243B BD243C
80–100 VOLTS
65 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BD244B BD244C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ IB 2.0 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Total Device Dissipation
ÎÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 25C
ÎÎÎ
PD
65
Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221A–06
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to +150 C TO–220AB
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

March, 2001 – Rev. 9 BD243B/D
BD243B BD243C BD244B BD244C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
mAdc IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD243B,
BD243B BD244B
VCEO(sus)
80 —
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD243C, BD244C 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) BD243B, BD243C, BD244B, BD244C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VEB = 0)
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD243B, BD244B
BD243C, BD244C
ICES
—
—
400
400
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.3 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 30 —
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) — 2.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulsewidth 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
(2) fT = hfe • ftest
VCC 2.0
- 30 V
TJ = 25°C
1.0
VCC = 30 V
25 µs RC 0.7 IC/IB = 10
+ 11 V 0.5
SCOPE
t, TIME (s)
RB 0.3
µ
0
0.2 tr
- 9.0 V 51 D1
0.1
tr, tf 10 ns
0.07 td @ VBE(off) = 5.0 V
DUTY CYCLE = 1.0% -4V
0.05
0.03
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE eg.
0.02
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
http://onsemi.com
163
1.0
THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(max) = 1.92°C/W
t1 SINGLE READ TIME AT t1
0.03 SINGLE PULSE t2 PULSE TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.02 0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

5.0 0.5 ms a transistor: average junction temperature and second

2.0 1.0 limits of the transistor that must be observed for reliable
ms
TJ = 150°C
5.0 ms dissipation than the curves indicate.
1.0 SECOND BREAKDOWN LIMITED The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C: TC is
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
0.5
0.3 150C, TJ(pk) may be calculated from the data in
BD243B, BD244B
BD243C, BD244C reduce the power that can be handled to values less than the
5.0 10 20 40 60 80 100
5.0 300
3.0 TJ = 25°C TJ = 25°C
VCC = 30 V 200
2.0
ts IC/IB = 10
IB1 = IB2
1.0 Cib
CAPACITANCE (pF)
t, TIME (s)
0.7
µ
0.5 100
0.3 70
0.2 Cob
tf
50
0.1
0.07
0.05 30
0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
Figure 6. Turn-Off Time Figure 7. Capacitance
http://onsemi.com
164
500 2.0

VCE = 2.0 V TJ = 25°C
300
200 TJ = 150°C
1.6
100 IC = 1.0 A 2.5 A 5.0 A

70 25°C 1.2
50
30 0.8
20 -55°C
10 0.4
7.0
5.0 0
0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
2.0 +2.5

TJ = 25°C +2.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ 5.0
1.6 +1.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
+1.0
VBE(sat) @ IC/IB = 10 + 25°C to + 150°C
1.2 +0.5
*θVC FOR VCE(sat)
0
VBE @ VCE = 4.0 V - 55°C to + 25°C
0.8 -0.5
-1.0 + 25°C to + 150°C
0.4 VCE(sat) @ IC/IB = 10 -1.5 θVB FOR VBE

-2.0 - 55°C to + 25°C
0 -2.5
0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 1.0 2.0 3.0 4.0 6.0 0.06 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 0.4 0.6
103 10M
VCE = 30 V VCE = 30 V
102
TJ = 150°C 1.0M IC = 10 x ICES

µ
101
100°C IC = 2 x ICES
100k
25°C
100
10k IC ≈ ICES
10-1 IC = ICES
10-2 REVERSE FORWARD 1.0k

(TYPICAL ICES VALUES
10-3 0.1k
-0.3 -0.2 -0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 +0.6 +0.7 20 40 60 80 100 120 140 160
VBE, BASEEMITTER VOLTAGE (VOLTS) TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 12. Collector Cut-Off Region Figure 13. Effects of Base–Emitter Resistance
http://onsemi.com
165
ON Semiconductor
BD437
. . . for amplifier and switching applications. Complementary types 4.0 AMPERES

are BD438 and BD442. POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage BD437 VCEO 45 Vdc
BD439 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD441 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage BD437 VCBO 45 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD439 60
BD441 80 CASE 77–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC
IB
4.0
1.0
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 36
288
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ

May, 2001 – Rev. 10 BD437/D
BD437 BD439 BD441
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎCharacteristic Symbol Min Typ Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD437
V(BR)CEO
45 – –
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD439 60 – –
BD441 80 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 µA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD437
V(BR)CBO
45 – –
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD439 60 – –
BD441 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 100 µA, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter–Base Breakdown Voltage
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
V(BR)EBO 5.0 – – Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 45 V, IE = 0)
(VCB = 60 V, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD437
BD439
ICBO
– – 0.1
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– – 0.1
(VCB = 80 V, IE = 0) BD441 – – 0.1
ÎÎÎÎÎ
(VEB = 5.0 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO – – 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V) BD437 30 – –
BD439 20 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD441 15 – –
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 500 mA, VCE = 1.0 V)
ÎÎÎ
BD437
BD439, BD441
hFE
85 – 375
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40 – 475
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V) BD437 40 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD439 25 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD441 15 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Saturation Voltage VCE(sat) Vdc
(IC = 3.0 A, IB = 0.3 A) BD437, BD439, BD441 – – 0.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V)
ÎÎÎ
VBE(on) – – 1.1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 1.0 V, IC = 250 mA, f = 1.0 MHz)
fT 3.0 – – MHz
http://onsemi.com
167
BD437 BD439 BD441
2.0
1.6
IC = 10 A 100 mA 1.0 A 3.0 A
1.2
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
200
hFE, CURRENT GAIN (NORMALIZED)
180 BD433, 435, 437

160
140
120 BD439, 441
100
80
60
40
20
0
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5
2.0 10
TJ = 25°C
1.6 4.0 5 ms
TJ = 150°C
VOLTAGE (VOLTS)
1.2 dc
1.0 SECONDARY BREAKDOWN

0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 THERMAL LIMIT TC = 25°C
VBE @ VCE = 2.0 V 0.5 BONDING WIRE LIMIT
0.6 BD437
VCE(sat) @ IC/IB = 10 BD439
BD441
0 0.1
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. “On” Voltage Figure 4. Active Region Safe Operating Area
http://onsemi.com
168
ON Semiconductor
BD438
PNP Transistor BD442
. . . for amplifier and switching applications. Complementary types
are BD437 and BD441.
4.0 AMPERES
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎRating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD438
BD440
BD442
VCEO 45
60
80
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD438
BD440
VCBO 45
60
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD442 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current IC 4.0 Adc TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 288 W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ

March, 2001 – Rev.9 BD438/D
BD438 BD440 BD442
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD438
V(BR)CEO
45 — —
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 60 — —
BD442 80 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 µA, IB = 0)ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD438
BD440
V(BR)CBO
45
60
—
—
—
—
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BD442 80 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 100 µA, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter–Base Breakdown Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
V(BR)EBO 5.0 — — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 45 V, IE = 0) BD438 — — 0.1
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 60 V, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 80 V, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440
BD442
—
—
—
—
0.1
0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — — 1.0 mAdc
(VEB = 5.0 V)
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V)
ÎÎÎ BD438
hFE
30 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 20 — —
BD442 15 — —
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 500 mA, VCE = 1.0 V)
ÎÎÎ
BD438
hFE
85 — 375
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 40 — 475
BD442 40 — 475
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V)
ÎÎÎ
BD438
hFE
40 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 25 — —
BD442 15 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector Saturation Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎÎ
(IC = 3.0 A, IB = 0.3 A)
ÎÎÎ
BD438
VCE(sat)
— — 0.7
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 — — 0.8
BD442 — — 0.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V)
ÎÎÎ
BD438
BD440/442
VBE(ON) —
—
—
—
1.1
1.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 3.0 — — MHz
(VCE = 1.0 V, IC = 250 mA, f = 1.0 MHz)
http://onsemi.com
170
BD438 BD440 BD442
2.0
1.6
IC = 10 mA 100 mA 1.0 A 3.0 A
1.2
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
200
hFE, CURRENT GAIN (NORMALIZED)
100
80
60
40
20
0
10 2 3 100 1 5
2.0 10
TJ = 25°C
1.6 4.0 5 ms
TJ = 150°C
VOLTAGE (VOLTS)
1.2 dc
SECONDARY BREAKDOWN
1.0 THERMAL LIMIT TC = 25°C
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 BONDING WIRE LIMIT
VBE @ VCE = 2.0 V 0.5 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
0.4 BD438
VCE(sat) @ IC/IB = 10 BD440
BD442
0 0.1
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 3. “On” Voltage Figure 4. Active Region Safe Operating Area
http://onsemi.com
171
ON Semiconductor
BD675
Plastic Medium-Power BD675A
Silicon NPN Darlingtons BD677
. . . for use as output devices in complementary general–purpose BD677A
amplifier applications.
• High DC Current Gain —
BD679
hFE = 750 (Min) @ IC BD679A
•
= 1.5 and 2.0 Adc
Monolithic Construction
BD681*
• BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with *ON Semiconductor Preferred Device
BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682
4.0 AMPERE
• BD 677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803
DARLINGTON
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
BD675 BD677 BD679 NPN SILICON
60, 80, 100 VOLTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbo BD675 BD677 BD679 BD68
Rating l A A A 1 Unit 40 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO 45 60 80 100 Vdc
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
45 60
5.0
80 100 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
IC
IB
4.0
0.1
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
@TC = 25C
ÎÎÎ
PD
40 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–09
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage TJ, Tstg –55 to +150
TO–225AA TYPE
Junction
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperating Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
50
45
θJC 3.13 C/W
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 165
Figure 1. Power Temperature Derating

March, 2001 – Rev.9 BD675/D
BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD679A BD681
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1) BD675, 675A BVCEO 45 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, IB = 0) BD677, 677A 60 —
BD679, 679A 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Half Rated VCEO, IB = 0)
BD681
ICEO
100
—
—
500 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = Rated BVCEO, IE = 0)
(VCB = Rated BVCEO, IE = 0, TC = 100’C)
ICBO
—
—
0.2
2.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
IEBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC Currert Gain(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc,VCE = 3.0 Vdc) BD675, 677, 679, 681
hFE
750 —
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BD675A, 677A, 679A 750 —
Collector–Emitter Saturation Voltage(1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, IB = 30 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 40 mAdc)
BD677, 679, 681
BD675A, 677A, 679A
VCE(sat) —
—
2.5
2.8
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage(1) VBE(on) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BD677, 679, 681 — 2.5
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3 0 Vdc) BD675A, 677A, 679A — 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small Signal Current Gain (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
hfe 1.0 — —

a transistor average junction temperature and secondary

1.0 operation; e.g., the transistor must not be subjected to greater
BONDING WIRE LIMIT dissipation than the curves indicate.
0.5 THERMALLY LIMIT at TC = 25°C At high case temperatures, thermal limitations will reduce
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT the power that can be handled to values less than the
0.2 limitations imposed by secondary breakdown.
BD675, 675A
TC = 25°C BD677, 677A
0.1 BD679, 679A
BD681
0.05
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
http://onsemi.com
173
BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD679A BD681
NPN COLLECTOR
BD675, 675A
BD677, 677A
BD679, 679A
BD681
BASE
8.0 k 120
EMITTER
Figure 3. Darlington Circuit Schematic
http://onsemi.com
174
BD676, BD676A, BD678,
BD678A, BD680, BD680A,
BD682
Plastic Medium-Power
Silicon PNP Darlingtons
http://onsemi.com
...for use as output devices in complementary general–purpose
4.0 AMPERE
• High DC Current Gain –
hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc DARLINGTON
• Monolithic Construction POWER TRANSISTORS
• BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with PNP SILICON
BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 45, 60, 80, 100 VOLTS
• BD 678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703 40 WATTS
MAXIMUM RATINGS
Collector-Emitter Voltage VCEO Vdc
BD676, BD676A 45
BD678, BD678A 60
BD680, BD680A 80
BD682 100
Collector-Base Voltage VCB Vdc
BD676, BD676A 45 TO–225AA
BD678, BD678A 60 CASE 77
BD680, BD680A 80 STYLE 1
BD682 100
Emitter-Base Voltage VEB 5.0 Vdc MARKING DIAGRAM

Base Current IB 0.1 Adc YWW
BD6xxx
Total Device Dissipation PD
@ TC = 25°C 40 W
Derate above 25°C 0.32 W/°C Y = Year
WW = Work Week
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –55 to +150 °C BD6xxx = Specific Device Code
Temperature Range xxx = 76, 76A, 78, 78A, 80, 80A or 82
Characteristic Symbol Max Unit ORDERING INFORMATION
Thermal Resistance – RθJC 3.13 °C/W Device Package Shipping

Junction to Case
BD676 TO–225AA 500 Units/Box
BD676A TO–225AA 500 Units/Box
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001 Publication Order Number:

March, 2001 – Rev. 9 BD676/D
BD676, BD676A, BD678, BD678A, BD680, BD680A, BD682
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage (Note 1.) BD676, 676A BVCEO 45 – Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, IB = 0) BD678, 678A 60 –
BD680, 680A 80 –
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Half Rated VCEO, IB = 0)
BD682
ICEO
100
–
–
500 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = Rated BVCEO, IE = 0)
ÎÎÎ
(VCB = Rated BVCEO. IE = 0, TC = 100°C)
ICBO
–
–
0.2
2.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
IEBO – 2.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (Note 1.)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BD676, 678, 680, 682
hFE
750 –
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BD676A, 678A, 680A 750 –
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 1.)
(IC = 1.5 Adc, IB = 30 mAdc) BD678, 680, 682 VCE(sat) – 2.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 40 mAdc) BD676A, 678A, 680A – 2.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (Note 1.) VBE(on) Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BD678, 680, 682 – 2.5
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BD676A, 678A, 680A – 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) hfe 1.0 – –
1. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 165
Figure 1. Power Temperature Derating
http://onsemi.com
176
BD676, BD676A, BD678, BD678A, BD680, BD680A, BD682

a transistor average junction temperature and secondary

1.0 operation; e.g., the transistor must not be subjected to greater
BONDING WIRE LIMIT dissipation than the curves indicate.
0.5 THERMAL LIMIT at TC = 25°C At high case temperatures, thermal limitations will reduce
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT the power that can be handled to values less than the
0.2 limitations imposed by secondary breakdown.
BD676, 676A
TC = 25°C BD678, 678A
0.1 BD680, 680A
BD682
0.05
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
PNP COLLECTOR
BD676, 676A
BD678, 678A
BD680, 680A
BD682
BASE
8.0 k 120
EMITTER
http://onsemi.com
177
ON Semiconductor
NPN
Complementary Plastic Silicon BD787
PNP
Power Transistors BD788
. . . designed for lower power audio amplifier and low current,
high–speed switching applications.
• Low Collector–Emitter Sustaining Voltage — 4 AMPERE
VCEO(sus) 60 Vdc (Min) — BD787, BD788 POWER TRANSISTORS
• High Current–Gain — Bandwidth Product — COMPLEMENTARY
fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc SILICON
• Collector–Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and 60 VOLTS
15 WATTS
4.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD787
Rating Symbol BD788 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCBO
60
80
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEBO 6.0
4.0
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ— Peak IC 8.0 Adc CASE 77–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate Above 25C PD
15
0.12
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
16 1.6
12 1.2
TA
TC
8.0 0.8
4.0 0.4
0 0
20 40 60 80 100 120 140 160

March, 2001 – Rev. 9 BD787/D
BD787 BD788
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO — 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 20 Vdc, IB = 0)
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125°C)
ICEX
—
—
1.0
0.1
µAdc
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, VCE = 3.0 Vdc) 40 250
(IC = 1.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 25 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
20
5.0
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) — 0.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc) — 0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc) — 0.8
(IC = 4.0 Adc, IB = 800 mAdc) — 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 50 — MHz
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz)
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD787
Cob
— 50
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(f = 0.1 MHz) BD788 — 70
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
(1) Pulse Test; Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
http://onsemi.com
179
BD787 BD788
+ 30 V 500
VCC 300 VCC = 30 V
25 µs RC 200 IC/IB = 10
+ 11 V TJ = 25°C
SCOPE
RB 100 tr
0
t, TIME (ns)
70
- 9.0 V 50
51 D1
tr, tf 10 ns 30
td @ VBE(off) = 5.0 V
DUTY CYCLE = 1.0% -4V 20
10 BD787 (NPN)
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: BD788 (PNP)
7.0
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA
5.0
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
(NORMALIZED)
0.2 0.1
0.05 P(pk)
0.1 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 8.34°C/W MAX
0.03 0.01 t2 READ TIME AT t1
0.02 0 (SINGLE PULSE) TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
t, TIME (ms)

1.0 ms 100 µs a transistor: average junction temperature and second
5.0
500 µs breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

2.0
dc
TJ = 150°C
BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C: TC is
0.5
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.1 (SINGLE PULSE) limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.05 150C, TJ(pk) may be calculated from the data in
0.02
BD787 (NPN) BD788 (PNP) 60 V reduce the power that can be handled to values less than the
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
http://onsemi.com
180
BD787 BD788
2000 200
VCC = 30 V TJ = 25°C
1000 ts IC/IB = 10
700 IB1 = IB2 100
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
500 TJ = 25°C
70
t, TIME (ns)
300 50
200
100 tf 30 Cob
70
20
50
(NPN) (NPN)
30 (PNP) (PNP)
20 10
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
NPN NPN
BD787 BD788
400 200
300 TJ = 150°C VCE = 1.0 V VCE = 1.0 V
VCE = 3.0 V TJ = 150°C VCE = 3.0 V
200 25°C 100
70 25°C
100 -55°C
50
70 -55°C
30
50
20
30
20 10
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2

0.8 0.8
VBE(on) @ VCE = 3.0 V VBE @ VCE = 3.0 V
0.4 0.4

0 0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
http://onsemi.com
181
BD787 BD788
+2.5 +2.5

*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3
+2.0 +2.0
+1.5 +1.5
+1.0 +1.0
*θVC FOR VCE(sat) *θVC FOR VCE(sat) 25°C to 150°C
+0.5 25°C to 150°C +0.5
0 0 - 55°C to 25°C
-0.5 - 55°C to 25°C
-0.5
-1.0 -1.0 25°C to 150°C
25°C to 150°C
-1.5 θVB FOR VBE -1.5 θVB FOR VBE
-2.0 -2.0 - 55°C to 25°C
- 55°C to 25°C
-2.5 -2.5
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
http://onsemi.com
182
ON Semiconductor
NPN
Plastic High Power Silicon BD809
PNP
Transistor BD810
. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing
complementary or quasi complementary circuits.
10 AMPERE
• DC Current Gain — POWER TRANSISTORS
hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc PNP SILICON
60, 80 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
90 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current IC 10 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation TC = 25C PD 90 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221A–09
TO–220AB

May, 2001 – Rev. 0 BD809/D
BD809 BD810
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
BVCEO
80
—
—
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ICBO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 2.0 A, VCE = 2.0 V) 30 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 A, VCE = 2.0 V) 15 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage* VBE(on) — 1.6 Vdc
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
fT 1.5 — MHz
90
.5 ms 80
1 ms
10 5 ms 1 ms
70
60
3 dc 50
40
1
30
0.3 20
10
0.1 0
1 3 10 30 100 0 25 50 75 100 125 150 175
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Active Region DC Safe Operating Area Figure 2. Power–Temperature Derating Curve
(see Note 1)
http://onsemi.com
184
BD809 BD810
NPN PNP
BD809 BD810
500 500
TJ = 150°C
200 25°C 200 TJ = 150°C

25°C
100 100
-55°C -55°C
50 50
20 20
VCE = 2.0 V
10 10 VCE = 2.0 V
5.0 5.0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
2.0 2.0

1.8 TJ = 25°C 1.8 TJ = 25°C
1.6 1.6
1.4 1.4
1.2 1.2
1.0 IC = 1.0 A 1.0 IC = 1.0 A 4.0 A 8.0 A
0.8 0.8
4.0 A 8.0 A
0.6 0.6
0.4 0.4
0.2 0.2
0 0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000
2.8 2.8
2.4 TJ = 25°C 2.4 TJ = 25°C

V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.6 1.6
1.2 1.2
VBE(sat) = IC/IB = 10 VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
http://onsemi.com
185
BD809 BD810
1.0
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT 0.7 D = 0.5
0.5
0.2
THERMAL RESISTANCE
0.3
0.2 0.1
0.1 0.05 SINGLE P(pk)

0.02 θJC(t) = r(t) θJC PULSE
0.07
0.03 SINGLE PULSE t2
READ TIME AT t1
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, PULSE WIDTH (ms)
Note 1: The data of Figure 1 is based on TJ(pk) = 150C; TC is

There are two limitations on the power handling ability of variable depending on conditions. Second breakdown pulse
a transistor: average junction temperature and second limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE 150C. At high case temperatures, thermal limitations
limits of the transistor that must be observed for reliable will reduce the power that can be handled to values less than
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater the limitations imposed by second breakdown.
http://onsemi.com
186
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Plastic BDV65B
PNP
Power Darlingtons BDV64B
. . . for use as output devices in complementary general purpose
• High DC Current Gain
DARLINGTONS
HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc 10 AMPERES
•
Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistors COMPLEMENTARY
SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
POWER TRANSISTORS
60–80–100–120 VOLTS
125 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCB
100
100
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
5.0
10
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Base Current
— Peak
ÎÎÎ IB
20
0.5 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 25C
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD
125
1.0
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
CASE 340D–02
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOT 93, TO–218 TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
1.0
Unit
C/W
1.0
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0
0 25 50 75 100 125 150

March, 2001 – Rev. 10 BDV65B/D
BDV65B BDV64B
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 50 Vdc, IE = 0, TC = 150C)
ICBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE 1000 — —
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.02 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(on) — 2.5 Vdc
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
NPN PNP
10K
VCE = 4 V
10K
1K
1K
4 1
0.1 1 10 0.1 1 10
IC, COLLECTOR CURRENT (A) IC, COLLECTOR CURRENT (A)
http://onsemi.com
188
BDV65B BDV64B
10 10
V, VOLTAGE (V)
V, VOLTAGE (V)
1 VBE(sat) @ IC/IB = 250 1 VBE(sat) @ IC/IB = 250
0.1 0.1
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 4. “On” Voltages Figure 5. “On” Voltages

100 µs a transistor: average junction temperature and second
50
20
5.0 ms 1.0 ms limits of the transistor that must be observed for reliable
10 dc operation i.e., the transistor must not be subjected to greater
SECONDARY BREAKDOWN The data of Figure 6 is based on TJ(pk) = 150C, TC is
LIMITED @ TJ 150°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
1 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
BONDING WIRE LIMIT
BDV65B, BDV64B Figure 7. At high case temperatures, thermal limitations will
1 10 30 50 100
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
1.0
D = 0.5
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.2
0.1 P(pk)
0.1 ZθJC(t) = r(t) RθJC
0.05 RθJC = 1.0°C/W MAX
0.02 t1 PULSE TRAIN SHOWN
0.03 t2 READ TIME AT t1
0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
(SINGLE PULSE) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01 0.05 0.1 0.5 1.0 5 10 50 100 500 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
189
ON Semiconductor
NPN
Darlington Complementary BDW42 *
PNP
Silicon Power Transistors
. . . designed for general purpose and low speed switching BDW46
BDW47 *
applications.
• High DC Current Gain – hFE = 2500 (typ.) @ IC = 5.0 Adc.
• Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc: *ON Semiconductor Preferred Device
VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) — BDW46
100 Vdc (min.) — BDW42/BDW47 DARLINGTON
• Low Collector Emitter Saturation Voltage 15 AMPERE
COMPLEMENTARY
VCE(sat) = 2.0 Vdc (max.) @ IC = 5.0 Adc
SILICON
3.0 Vdc (max.) @ IC = 10.0 Adc POWER TRANSISTORS
• Monolithic Construction with Built–In Base Emitter Shunt resistors
80–100 VOLTS
• TO–220AB Compact Package 85 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BDW42
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
BDW46
80
BDW47
100
Unit
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
80
5.0
100 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
IC
IB
15
0.5
Adc
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 25C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD
85
0.68
Watts
W/C
CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
90
RθJC 1.47 C/W
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150
Figure 1. Power Temperature Derating Curve


March, 2001 – Rev. 9 BDW42/D
BDW42 BDW46 BDW47
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Sustaining Voltage (1) VCEO(sus) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0) BDW46 80 —
BDW42/BDW47 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BDW46
ICEO
— 2.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) BDW42/BDW47 — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) BDW41/BDW46 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDW42/BDW47
IEBO
—
—
1.0
2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 1000 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 250 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
—
—
2.0
3.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) — 3.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN (2)
ÎÎÎÎ
Second Breakdown Collector
ÎÎÎ
IS/b Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current with Base Forward Biased
BDW42 VCE = 28.4 Vdc 3.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE = 40 Vdc 1.2 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDW46/BDW47 VCE = 22.5 Vdc 3.8 —
VCE = 36 Vdc 1.2 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of common emitter small signal short circuit current transfer ratio fT 4.0 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) BDW42 — 200
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDW46/BDW47
hfe
—
300
300
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.
(2) Pulse Test non repetitive: Pulse Width = 250 ms.
http://onsemi.com
191
BDW42 BDW46 BDW47
5.0
VCC ts
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS - 30 V 3.0
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.: 2.0
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA
RC
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA SCOPE tf
1.0
TUT
t, TIME (s)
0.7
µ
V2 RB
0.5
APPROX
+ 8.0 V 51 D1 0.3
8.0 k 150 tr
0 0.2 VCC = 30 V
V1 + 4.0 V IC/IB = 250
APPROX 0.1 IB1 = IB2
25 µs
- 12 V for td and tr, D1 id disconnected 0.07 TJ = 25°C td @ VBE(off) = 0 V
tr, tf 10 ns
and V2 = 0 0.05
For NPN test circuit reverse all polarities 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
DUTY CYCLE = 1.0%
http://onsemi.com
192
BDW42 BDW46 BDW47
1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 0.02 RθJC = 1.92°C/W
0.03 SINGLE PULSE t2
READ TIME AT t1
0.02 0.01
DUTY CYCLE, D = t1/t2 TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

50 50
0.1 ms 0.1 ms
20 20
10 TJ = 25°C 10 TJ = 25°C
1.0 ms 1.0 ms
0.5 ms 0.5 ms
5.0 5.0
SECOND BREAKDOWN LIMIT dc SECOND BREAKDOWN LIMIT
2.0 BONDING WIRE LIMIT 2.0 BONDING WIRE LIMIT
dc
1.0 THERMAL LIMITED 1.0 THERMAL LIMITED
0.5 0.5
0.2 0.2
0.1 0.1 BDW46
BDW42 BDW47
0.05 0.05
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 5. BDW42 Figure 6. BDW46 and BDW47
There are two limitations on the power handling ability of a Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to
transistor: average junction temperature and second 10% provided TJ(pk) 200C. TJ(pk) may be calculated from
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits the data in Figure 4. At high case temperatures, thermal
of the transistor that must be observed for reliable operation; limitations will reduce the power that can be handled to values
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation less than the limitations imposed by second breakdown.
than the curves indicate. The data of Figure 5 and 6 is based on *Linear extrapolation
TJ(pk) = 200C; TC is variable depending on conditions.
http://onsemi.com
193
BDW42 BDW46 BDW47
10,000 300
5000 TJ = + 25°C
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
500
100 Cob
300 TJ = 25°C
200
VCE = 3.0 V
70 Cib
100 IC = 3.0 A
50 50
30 BDW46, 47 (PNP) BDW46, 47 (PNP)
20 BDW42 (NPN) BDW42 (NPN)
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
BDW40, 41, 42 (NPN) BDW45, 46, 47 (PNP)
20,000 20,000
VCE = 3.0 V VCE = 3.0 V
10,000 10,000
7000
5000 TJ = 150°C 5000 TJ = 150°C

3000 3000
2000 2000 25°C
25°C
1000 1000
-55°C 700
500 -55°C
500
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

3.0
3.0
TJ = 25°C
TJ = 25°C
2.6
2.6
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
2.2
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 1.0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
http://onsemi.com
194
BDW42 BDW46 BDW47
BDW40, 41, 42 (NPN) BDW45, 46, 47 (PNP)
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0

1.5 1.5 VBE @ VCE = 4.0 V
VBE @ VCE = 4.0 V VBE(sat) @ IC/IB = 250

1.0 1.0
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
+5.0 +5.0
θV, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ °C)
+4.0 +4.0
*IC/IB 250 *IC/IB 250
+3.0 +3.0
+25°C to 150°C
+2.0 25°C to 150°C +2.0
+1.0 +1.0
-55°C to 25°C
0 0
-2.0 -2.0
25°C to 150°C θVB for VBE -55°C to +25°C
-3.0 θVB for VBE -3.0 +25°C to 150°C -55°C to +25°C
-4.0 -55°C to 25°C -4.0
-5.0 -5.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10
105 105
104 104

µ
VCE = 30 V VCE = 30 V
103 103
102 102
TJ = 150°C TJ = 150°C
101 101
100°C
100 100 100°C
25°C
25°C
10-1 10-1
+0.6 +0.4 +0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -0.6 -0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1.0 +1.2 + 1.4
http://onsemi.com
195
BDW42 BDW46 BDW47
NPN COLLECTOR PNP COLLECTOR

BDW42 BDW46
BDW47
BASE BASE
8.0 k 60 8.0 k 60
EMITTER EMITTER
http://onsemi.com
196
ON Semiconductor
NPN
Darlington Complementary BDX33B
. . . designed for general purpose and low speed switching
BDX33C*
applications. PNP
• High DC Current Gain — BDX34B
hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.0
*
• Collector–Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc BDX34C
VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) — BDX33B, 34B
100 Vdc (min.) — BDX33C, 34C
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage DARLINGTON
VCE(sat) = 2.5 Vdc (max.) at IC = 3.0 Adc — BDX33B, 10 AMPERE
33C/34B, 34C COMPLEMENTARY
• Monolithic Construction with Build–In Base–Emitter Shunt resistors SILICON
POWER TRANSISTORS
•
TO–220AB Compact Package 80–100 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
70 WATTS
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎRating Symbol
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO 80 100 Vdc
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
80
5.0
100 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 10
15
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation PD CASE 221A–09
@ TC = 25C 70 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–220AB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ

March, 2001 – Rev. 9 BDX33B/D
BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C
80

60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
198
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage1 VCEO(sus) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) BDX33B/BDX34B 80 —
BDX33C/BDX34C 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0, RBE = 100) BDX33B/BDX34B
VCER(sus)
80 —
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX33C/BDX33C 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage1 VCEX(sus) Vdc
(IC = 100 mAdc, IB = 0, VBE = 1.5 Vdc) BDX33B/BDX34B 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX33C/BDX34C
ICEO
100 —
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 1/2 rated VCEO, IB = 0) TC = 25C — 0.5
TC = 100C — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = rated VCBO, IE = 0) TC = 25C
ICBO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TC = 100C — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 10 mAdc
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE 750 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BDX33B, 33C/34B, 34C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 6.0 mAdc) BDX33B, 33C/34B, 34C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BDX33B, 33C/34B, 34C
ÎÎÎÎÎ
Diode Forward Voltage
1
(IC = 8.0 Adc) ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
VF — 4.0 Vdc
2 Pulse Test non repetitive: Pulse Width = 0.25 s.
http://onsemi.com
199
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 0.02 RθJC = 1.92°C/W
t1 SINGLE PULSE TRAIN SHOWN
0.03 SINGLE PULSE t2 PULSE READ TIME AT t1
0.02 0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
20 100 20 100
10 µs 10 µs
500 µs IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 500 µs
5.0 ms 5.0 ms
5.0 5.0
1.0 ms 1.0 ms
TC = 25°C dc TC = 25°C dc
2.0 2.0
1.0 1.0
BONDING WIRE LIMITED BONDING WIRE LIMITED
0.5 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C 0.5 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
(SINGLE PULSE) (SINGLE PULSE)
0.2 0.2 SECOND BREAKDOWN LIMITED
0.1 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO 0.1 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
0.05 BDX34B 0.05 BDX33B
BDX34C BDX33C
0.02 0.02
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
http://onsemi.com
200
There are two limitations on the power handling ability of conditions. Second breakdown pulse limits are valid for
a transistor: average junction temperature and second duty cycles to 10% provided TJ(pk) = 150C. TJ(pk) may be
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE calculated from the data in Figure 4. At high case
limits of the transistor that must be observed for reliable temperatures, thermal limitations will reduce the power that
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater can be handled to values less than the limitations imposed by
dissipation than the curves indicate. The data of Figure 3 is second breakdown.
based on TJ(pk) = 150C; TC is variable depending on
10,000 300
5000 TJ = 25°C
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
500 TJ = 25°C
100 Cob
300 VCE = 4.0 Vdc
200 IC = 3.0 Adc
70 Cib
100
50 50
30 PNP PNP
20 NPN NPN
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
http://onsemi.com
201
NPN PNP
BDX33B, 33C BDX34B, 34C
20,000 20,000
VCE = 4.0 V VCE = 4.0 V
10,000 10,000

5000 TJ = 150°C 5000 TJ = 150°C
3000 3000
2000 2000 25°C
25°C
1000 1000
-55°C -55°C
500 500
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
3.0 3.0
2.6 2.6
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250 1.5 VBE @ VCE = 4.0 V

1.0 1.0
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
http://onsemi.com
202
ON Semiconductor
NPN
Plastic Medium-Power BDX53B
Complementary Silicon
BDX53C
Transistors PNP
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed BDX54B
• High DC Current Gain — BDX54C
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
• Collector Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — BDX53B, 54B DARLINGTON
= 100 Vdc (Min) — BDX53C, 54C 8 AMPERE
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
= 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc 80–100 VOLTS
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors 65 WATTS
•
TO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BDX53B BDX53C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
BDX54B
80
BDX54C
100
Unit
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 12
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
0.2
60
Adc
Watts
CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJA
RθJC
70
70
C/W
C/W

March, 2001 – Rev. 9 BDX53B/D
TA TC
4.0 80

3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
204
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) BDX53B, BDX54B 80 —
BDX53C, BDX54C 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BDX53B, BDX54B
ICEO
— 0.5
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) BDX53C, BDX54C — 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) BDX53B, BDX54B — 0.2
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX53C, BDX54C — 0.2
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
hFE 750 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 12 mAdc) — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IC = 12 mA)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe 4.0 — —
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) BDX53B, 53C
BDX54B, 54C
Cob
—
—
300
200
pF
VCC 5.0
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS -30 V ts
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.: 3.0
RC
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA SCOPE
TUT 1.0 tf
t, TIME (s)
V2 RB 0.7
µ
APPROX 0.5
+8.0 V 51 D1 8.0 k 120 0.3
0 tr
0.2 VCC = 30 V
V1 +4.0 V
IC/IB = 250
APPROX 25 µs
-12 V for td and tr, D1 is disconnected 0.1 IB1 = IB2
and V2 = 0 0.07 TJ = 25°C td @ VBE(off) = 0 V
tr, tf 10 ns
For NPN test circuit reverse all polarities 0.05
DUTY CYCLE = 1.0% 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
Figure 3. Switching Times
http://onsemi.com
205
1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 0.02 RθJC = 1.92°C/W
t1 SINGLE PULSE TRAIN SHOWN
0.03 SINGLE PULSE t2 PULSE READ TIME AT t1
0.02 0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

100 µs
10 500 µs a transistor average junction temperature and second
5.0 breakdown. Safe operating area curves indicate IC –VCE

2.0 1.0 ms
dc
TJ = 150°C operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
1.0 BONDING WIRE LIMITED dissipation than the curves indicate.
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
0.5
(SINGLE PULSE) variable depending on conditions. Second breakdown pulse
BDX53B, BDX54B
BDX53C, BDX54C reduce the power that can be handled to values less than the
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
10,000 300
5000 TJ = + 25°C
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
500
100 Cob
300 TJ = 25°C
200
VCE = 3.0 V
70 Cib
100 IC = 3.0 A
50 50
30 PNP PNP
20 NPN NPN
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 6. Small-Signal Current Gain Figure 7. Capacitance
http://onsemi.com
206
NPN PNP
BDX53B, 53C BDX54B, 54C
20,000 20,000
VCE = 4.0 V VCE = 4.0 V
10,000 10,000

5000 TJ = 150°C 5000 TJ = 150°C
3000 3000
2000 2000 25°C
25°C
1000 1000
-55°C -55°C
500 500
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
3.0 3.0
2.6 2.6
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250 1.5 VBE @ VCE = 4.0 V

1.0 1.0
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
http://onsemi.com
207
NPN PNP
BDX53B, BDX53C BDX54B, BDX54C
+5.0 +5.0

+4.0 +4.0
*IC/IB hFE/3 *IC/IB hFE/3
+3.0 +3.0
+2.0 25°C to 150°C +2.0 25°C to 150°C
+1.0 +1.0
-55°C to 25°C -55°C to 25°C
0 0
-2.0 -2.0
25°C to 150°C 25°C to 150°C
-3.0 θVB for VBE -3.0 θVB for VBE
-4.0 -55 to 150°C -4.0 -55 to 150°C
-5.0 -5.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
105 105
104 104

µ
VCE = 30 V VCE = 30 V
103 103
102 102
TJ = 150°C
TJ = 150°C
101 101
100°C
100°C
100 100
25°C
25°C
10-1 10-1
-0.6 -0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1.0 +1.2 + 1.4 +0.6 +0.4 +0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4
VBE, BASEEMITTER VOLTAGE (VOLTS) VBE, BASEEMITTER VOLTAGE (VOLTS)
NPN COLLECTOR PNP COLLECTOR

BDX53B BDX54B
BDX53C BDX54C
BASE BASE
8.0 k 120 8.0 k 120
EMITTER EMITTER
http://onsemi.com
208
ON Semiconductor
BU323Z
NPN Silicon Power Darlington
High Voltage Autoprotected AUTOPROTECTED
DARLINGTON
The BU323Z is a planar, monolithic, high–voltage power 10 AMPERES
Darlington with a built–in active zener clamping circuit. This device is 360–450 VOLTS CLAMP
specifically designed for unclamped, inductive applications such as 150 WATTS
Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control, and
exhibit the following main features:
• Integrated High–Voltage Active Clamp
• Tight Clamping Voltage Window (350 V to 450 V) Guaranteed
Over the –40°C to +125°C Temperature Range
• Clamping Energy Capability 100% Tested in a Live
Ignition Circuit 360 V
CLAMP
• High DC Current Gain/Low Saturation Voltages
Specified Over Full Temperature Range
• Design Guarantees Operation in SOA at All Times
• Offered in Plastic SOT–93/TO–218 Type or CASE 340D–02
SOT–93/TO–218 TYPE
TO–220 Packages
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VEBO
350
6.0
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak
ÎÎÎÎ
IC
ICM
10
20
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak IBM 6.0
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Power Dissipation (TC = 25C) PD 150 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
RθJC
Max
1.0
Unit
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1/8″ from Case for 5 Seconds
TL 260 C

March, 2001 – Rev. 10 BU323Z/D
BU323Z
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Clamping Voltage (IC = 7.0 A) VCLAMP 350 — 450 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = –40°C to +125°C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEO — — 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 V, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Leakage Current IEBO — — 50 mAdc
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 100 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB = 0.25 Adc)
VBE(sat)
—
—
—
—
2.2
2.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 7.0 Adc, IB = 70 mAdc)
VCE(sat)
— — 1.6
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — — 1.8
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.1 Adc) — — 1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 0.25 Adc)
(TC = 125°C) —
—
—
—
2.1
1.7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) (TC = –40°C to +125°C) 1.1 — 2.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 1.3 — 2.3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Diode Forward Voltage Drop VF — — 2.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 10 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.5 Adc, VCE = 1.5 Vdc) (TC = –40°C to +125°C) 150 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.6 Vdc) 500 — 3400
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain Bandwidth ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT — — 2.0 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance Cob — — 200 pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Input Capacitance
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 6.0 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cib — — 550 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
CLAMPING ENERGY (see notes)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Repetitive Non–Destructive Energy Dissipated at turn–off:
(IC = 7.0 A, L = 8.0 mH, RBE = 100 Ω) (see Figures 2 and 4)
WCLAMP 200 — — mJ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (L = 10 mH)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tfi — 625 — ns
(IC = 6.5 A, IB1 = 45 mA,
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time VBE(off) = 0, RBE(off) = 0, tsi — 10 30
VCC = 14 V V, VZ = 300 V)
Cross–over Time tc — 1.7 — µs
(1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.
http://onsemi.com
210
BU323Z
IC
L INDUCTANCE
INOM = 6.5 A MERCURY CONTACTS (8 mH)
WETTED RELAY
IC CURRENT
Output transistor turns on: IC = 40 mA VCE SOURCE
MONITOR
(VGATE)
High Voltage Circuit turns on: IC = 20 mA

RBE = 100 Ω
0.1 Ω
IC
Avalanche diode turns on: IC = 100 µA IB CURRENT NON
VBEoff MONITOR
SOURCE INDUCTIVE
IB2 SOURCE
VCE
250 V 300 V 340 V
VCLAMP NOMINAL
Icer Leakage Current = 400 V
Figure 1. IC = f(VCE) Curve Shape Figure 2. Basic Energy Test Circuit
By design, the BU323Z has a built–in avalanche diode and The bias parameters, VCLAMP, IB1, VBE(off), IB2, IC, and
a special high voltage driving circuit. During an the inductance, are applied according to the Device Under
auto–protect cycle, the transistor is turned on again as soon Test (DUT) specifications. VCE and IC are monitored by the
as a voltage, determined by the zener threshold and the test system while making sure the load line remains within
network, is reached. This prevents the transistor from going the limits as described in Figure 4.
into a Reverse Bias Operating limit condition. Therefore, the Note: All BU323Z ignition devices are 100% energy
device will have an extended safe operating area and will tested, per the test circuit and criteria described in Figures 2
always appear to be in “FBSOA.” Because of the built–in and 4, to the minimum guaranteed repetitive energy, as
zener and associated network, the IC = f(VCE) curve exhibits specified in the device parameter section. The device can
an unfamiliar shape compared to standard products as sustain this energy on a repetitive basis without degrading
shown in Figure 1. any of the specified electrical characteristics of the devices.
The units under test are kept functional during the complete
test sequence for the test conditions described:
IC(peak) = 7.0 A, ICH = 5.0 A, ICL = 100 mA, IB = 100 mA,
RBE = 100 Ω, Vgate = 280 V, L = 8.0 mH
10
300µs
1ms
TC = 25°C
1
10ms
250ms
0.1
THERMAL LIMIT
0.01
CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
0.001
10 100 340V 1000
http://onsemi.com
211
BU323Z
IC
ICPEAK The shaded area represents the amount of energy the de-
IC HIGH vice can sustain, under given DC biases (IC/IB/VBE(off)/
RBE), without an external clamp; see the test schematic dia-
gram, Figure 2.
The transistor PASSES the Energy test if, for the inductive
load and ICPEAK/IB/VBE(off) biases, the VCE remains outside
the shaded area and greater than the VGATE minimum limit,
IC LOW Figure 4a.
VCE
(a) VGATE MIN
IC
ICPEAK
IC HIGH
IC LOW
VCE
(b) VGATE MIN The transistor FAILS if the VCE is less than the VGATE
(minimum limit) at any point along the VCE/IC curve as
IC
shown on Figures 4b, and 4c. This assures that hot spots and
ICPEAK uncontrolled avalanche are not being generated in the die,
IC HIGH and the transistor is not damaged, thus enabling the sustained
energy level required.
IC LOW
VCE
(c) VGATE MIN
IC
ICPEAK
IC HIGH
The transistor FAILS if its Collector/Emitter breakdown

voltage is less than the VGATE value, Figure 4d.
IC LOW
VCE
(d) VGATE MIN
Figure 4. Energy Test Criteria for BU323Z
http://onsemi.com
212
BU323Z
10000 10000
TYPICAL
TJ = 125°C

1000 1000
TYP - 6Σ
-40°C
TYP + 6Σ
100 25°C 100
VCE = 5 V, TJ = 25°C
VCE = 1.5 V
10 10
100 1000 10000 100 1000 10000 100000
IC, COLLECTOR CURRENT (MILLIAMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (MILLIAMPS)


5.0
2.4
4.5 TJ = 25°C
IC = 3 A IC/IB = 150
2.2
4.0
2.0 TJ = 125°C
3.5
1.8
3.0 5A 8A 1.6
2.5 10 A
1.4
2.0 1.2
7A
1.5 1.0
1.0 0.8 25°C
0.5 0.6
0 0.4
1 10 100 0.1 1 10
IB, BASE CURRENT (MILLIAMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 7. Collector Saturation Region Figure 8. Collector–Emitter Saturation Voltage
2.0 2.0
VBE(on), BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE = 2 VOLTS
IC/IB = 150
1.8 1.8
1.6
1.6 TJ = 25°C
1.4 TJ = 25°C
1.4
1.2
1.2 125°C
1.0 125°C
1.0 0.8
0.8 0.6
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 9. Base–Emitter Saturation Voltage Figure 10. Base–Emitter “ON” Voltages
http://onsemi.com
213
ON Semiconductor
BU406
NPN Power Transistors BU407
These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal
deflection output stages of TV’s and CRT’s.
• High Voltage: VCEV = 330 or 400 V 7 AMPERES
NPN SILICON
• Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max) POWER TRANSISTORS
• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A 60 WATTS
• Packaged in Compact JEDEC TO–220AB 150 and 200 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BU406 BU407 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEV 400 330 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO 400 330 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Base Voltage VEBO 6 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak Repetitive 10
Peak (10 ms) 15
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation, TC = 25C
IB
PD
4
60
Adc
Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above TC = 25C 0.48 W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage TJ, Tstg –65 to 150 C
Junction Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 70 C/W CASE 221A–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering Purposes: TL 275 C TO–220AB

March, 2001 – Rev. 4 BU406/D
BU406 BU407
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage(1) BU406 VCEO(sus) 200 — — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) BU407 150 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEV, VBE = 0) — — 5
(VCE = Rated VCEO + 50 Vdc, VBE = 0) — — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO + 50 Vdc, VBE = 0, TC = 150C) — — 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 6 Vdc, IC = 0)
BU406, BU407 IEBO — — 1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.5 Adc) VCE(sat) — — 1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.5 Adc) VBE(sat) — — 1.2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Forward Diode Voltage (IEC = 5 Adc) “D” only VEC — — 2 Volts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 10 — — MHz
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 20 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob — 80 — pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inductive Load Crossover Time tc — — 0.75 µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 40 Vdc, IC = 5 Adc,
IB1 = IB2 = 0.5 Adc, L = 150 µH)
100 10
70 TJ = 100°C
dc
25°C
50
1 BONDING WIRE LIMIT

30 VCE = 5 V THERMAL LIMIT
0.1
20
BU407
TC = 25°C
BU406
10
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. DC Current Gain Figure 12. Maximum Rated Forward
Bias Safe Operating Area
http://onsemi.com
215
ON Semiconductor
BUD44D2
High Speed, High Gain Bipolar
NPN Power Transistor with POWER TRANSISTORS
Integrated Collector-Emitter 2 AMPERES

700 VOLTS
Diode and Built-in Efficient 25 WATTS
Antisaturation Network
The BUD44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar
transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot
minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for
light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an
hFE window.
Main features:
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the
H2BIP Structure which Minimizes the Spread
• Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat) CASE 369–07
• Six Sigma Process Providing Tight and Reproductible Parameter
Spreads
• It’s characteristics make it also suitable for PFC application.
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎRating Symbol Value Unit CASE 369A–13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCBO
400
700
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MINIMUM PAD SIZES REC-
Collector–Emitter Breakdown Voltage VCES 700 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OMMENDED FOR
Emitter–Base Voltage VEBO 12 Vdc SURFACE MOUNTED
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
APPLICATIONS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1) ICM 5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.7
Base Current — Continuous IB 1 Adc 0.265
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Peak (1) IBM 2
0.265″
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.7
*Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 25 Watt

*Derate above 25°C 0.2 W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.118 .070″
1.8
Operating and Storage Temperature TJ, Tstg –65 to 150 C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS 1.6 1.6
0.063 0.063
C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance 2.3 2.3
— Junction to Case RθJC 5 0.090 0.090
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Junction to Ambient RθJA 71.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering TL 260 C
Purposes: 1/8″ from case for 5 seconds
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.

March, 2001 – Rev.2 BUD44D2/D
BUD44D2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 400 470 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage VCBO 700 920 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Breakdown Voltage VEBO 12 14.5 Vdc
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICEO 50
500
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) @ TC = 25°C ICES 50 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 500
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) @ TC = 125°C 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) @ TC = 25°C 0.78 0.9
@ TC = 125°C 0.65 0.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.87
0.76
1
0.9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 20 mAdc) @ TC = 25°C 0.45 0.65
@ TC = 125°C 0.67 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.25
0.27
0.4
0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 25°C 0.28 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 0.35 0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
—
(IC = 0.4 Adc, VCE = 1 Vdc) @ TC = 25°C 20 32
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
18
10
26
14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 7 9.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C 8 11
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DIODE CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Forward Diode Voltage VEC 0.8 1 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 0.2 Adc) @ TC = 25°C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 0.2 Adc) @ TC = 125°C 0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 0.4 Adc) @ TC = 25°C 0.9 1.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 1 Adc) @ TC = 25°C 1.1 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Forward Recovery Time (see Figure 22 bis) Tfr 415 ns
(IF = 0.2 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs)
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
390
340
http://onsemi.com
217
BUD44D2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ @ 1 µs @ TC = 25°C VCE(dsat) 3.3 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 0.4 A @ TC = 125°C 6.8
Dynamic Saturation
IB1 = 40 mA
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage:
VCC = 300 V @ 3 µs @ TC = 25°C 0.5
Determined 1 µs and
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.3
3 µs respectively
@ 1 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
after rising IB1 @ TC = 25°C 4.4
reaches 90% of final IC = 1 A @ TC = 125°C 12.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 IB1 = 0
0.2
2A
VCC = 300 V @ 3 µs @ TC = 25°C 0.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 13 MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance Cob 50 75 pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cib 240 500 pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 µs)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–on Time @ TC = 25°C ton 90 150 ns
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 105
IB2 = 0.5
0 5 Adc
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 1.1 1.25
@ TC = 125°C 1.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 0.5 Adc, IB1 = 50 mAdc
IB2 = 250 mAdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 400
600
600 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 750 1000 ns
@ TC = 125°C 1300
http://onsemi.com
218
BUD44D2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Min
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 µH)
Typ Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf 110
105
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IC = 0.4 Adc @ TC = 25°C ts 0.55 0.75 µs
IB1 = 40 mAdc @ TC = 125°C 0.7
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.2 Adc
Crossover Time @ TC = 25°C tc 85 150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C tf
80
100 150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 90
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IC = 1 Adc @ TC = 25°C ts 1.05 1.5 µs
IB1 = 0.2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.45
IB2 = 0.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 100
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf 110
180
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 160 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.8
IB2 = 160 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 400
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf 150
175
225 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 40 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.2
IB2 = 40 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 330
http://onsemi.com
219
BUD44D2
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
80 80

TJ = 125°C TJ = 125°C
60 TJ = 25°C 60 TJ = 25°C
40 40
TJ = -20°C TJ = -20°C
20 20
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 13. DC Current Gain @ 1 Volt Figure 14. DC Current Gain @ 5 Volt
4 10
TJ = 25°C IC/IB = 5 TJ = 25°C
3 2A
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
1.5 A TJ = 125°C
1A
2 1
400 mA
TJ = -20°C
1
IC = 200 mA
0 0.1
1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10
IB, BASE CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 15. Collector Saturation Region Figure 16. Collector–Emitter Saturation

Voltage
10 10
IC/IB = 10 IC/IB = 20
TJ = 25°C TJ = 25°C
1 1
TJ = 125°C
TJ = -20°C TJ = 125°C
TJ = -20°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1
Figure 17. Collector–Emitter Saturation Figure 18. Collector–Emitter Saturation

Voltage Voltage
http://onsemi.com
220
BUD44D2
10 10
IC/IB = 5 IC/IB = 10
VBE , VOLTAGE (VOLTS)

1 TJ = -20°C 1 TJ = -20°C
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 7A. Base–Emitter Saturation Region Figure 7B. Base–Emitter Saturation Region
10 10
IC/IB = 20 FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS)
25°C
1 TJ = -20°C 1
125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 0.01 0.1 1 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) REVERSE EMITTER-COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 7C. Base–Emitter Saturation Region Figure 8. Forward Diode Voltage
http://onsemi.com
221
BUD44D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
1000 1000
TJ = 25°C TJ = 125°C IBon = IBoff
Cib (pF) f(test) = 1 MHz TJ = 25°C VCC = 300 V
800 IC/IB = 10 PW = 40 µs
C, CAPACITANCE (pF)
100
600
t, TIME (ns)
Cob (pF)
400
IC/IB = 5
10
200
1 0
1 10 100 0.2 0.8 1.4 2
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 9. Capacitance Figure 10. Resistive Switch Time, ton
4000 3
IBon = IBoff
IC/IB = 10 VCC = 300 V
3500 2.5
PW = 40 µs
3000 2
IC/IB = 5
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
2500 1.5
2000 1 IBon = IBoff

VCC = 15 V
1500 TJ = 125°C 0.5 TJ = 125°C VZ = 300 V
TJ = 25°C TJ = 25°C LC = 200 µH
1000 0
0 1 2 0.4 0.8 1.2 1.6 2
Figure 11. Resistive Switch Time, toff Figure 12. Inductive Storage Time,
tsi @ IC/IB = 5
700 4
TJ = 125°C IC/IB = 5 TJ = 125°C
600 TJ = 25°C TJ = 25°C
IBon = IBoff 3
t si , STORAGE TIME (µs)
500 VCC = 15 V
VZ = 300 V IC = 1 A
tc
t, TIME (ns)
400 LC = 200 µH
2
300
200 tfi IBon = IBoff

1
IC = 0.3 A VCC = 15 V
100 VZ = 300 V
LC = 200 µH
0 0
0 0.5 1 1.5 2 3 6 9 12 15
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) hFE, FORCED GAIN
Figure 13. Inductive Switching, Figure 14. Inductive Storage Time

tc & tfi @ IC/IB = 5
http://onsemi.com
222
BUD44D2
700 1000
IBoff = IBon TJ = 125°C IC = 0.3 A IBon = IBoff TJ = 125°C
600 VCC = 15 V TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
VZ = 300 V 800 VZ = 300 V
t c , CROSSOVER TIME (ns)

500 LC = 200 µH LC = 200 µH
t fi , FALL TIME (ns)
IC = 1 A
400 600
300 400
200
200
100
IC = 1 A IC = 0.3 A
0 0
3 5 7 9 11 13 15 3 6 9 12 15
hFE, FORCED GAIN hFE, FORCED GAIN
Figure 15. Inductive Fall Time Figure 16. Inductive Crossover Time
900 2000
TJ = 125°C IBoff = IC/2 TJ = 125°C
800 TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
700 VZ = 300 V
IC/IB = 20 1500 LC = 200 µH
600 IC/IB = 20
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
500
1000
400
300
IC/IB = 10
500
200
100 IBon = IBoff VZ = 300 V IC/IB = 10

VCC = 15 V LC = 200 µH
0 0
0.4 0.8 1.2 1.6 2 0.4 0.8 1.2 1.6 2
Figure 17. Inductive Switching, tfi Figure 18. Inductive Switching, tc
3000 3000
IC/IB = 5 IBon = IBoff IBon = IBoff
VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V 2500 VZ = 300 V
LC = 200 µH LC = 200 µH
2000
2000
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IB = 50 mA 1500
1000 IC/IB = 20
IB = 100 mA
IB = 200 mA 1000
IC/IB = 10
TJ = 125°C
IB = 500 mA TJ = 25°C
0 500
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 0.5 1 1.5 2
Figure 19. Inductive Storage Time, tsi Figure 20. Inductive Storage Time, tsi
http://onsemi.com
223
BUD44D2
10
VCE
9 IC 90% IC
dyn 1 µs
8
tsi tfi
dyn 3 µs 7
6 10% IC
0V 10% Vclamp
5 Vclamp tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
3 µs 1
IB
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
Figure 21. Dynamic Saturation Figure 22. Inductive Switching Measurements

Voltage Measurements
VFRM
VFR (1.1 VF unless otherwise specified)
VF VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0 2 4 6 8 10
Figure 22 bis. tfr Measurements
http://onsemi.com
224
BUD44D2
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω MTP8P10 100 µF
150 Ω
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
+10 V MPF930 Iout IB
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON MTP12N10 V(BR)CEO(sus) Inductive Switching RBSOA
150 Ω
L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
VCC = 20 Volts VCC = 15 Volts VCC = 15 Volts
1 µF IC(pk) = 100 mA RB1 selected for RB1 selected for
desired IB1 desired IB1
-Voff
1100 440
TJ = 25°C dI/dt = 10 A/µs
t fr , FORWARD RECOVERY TIME (ns)
1000 420 TC = 25°C

BVCER (VOLTS) @ 10 mA
900 400
BVCER (VOLTS)
800 380
700 360
BVCER(sus) @ 200 mA
600 340
500 320
400 300
10 100 1000 0 0.5 1 1.5 2
RBE (Ω) IF, FORWARD CURRENT (AMP)
Figure 23. BVCER Figure 24. Forward Recovery Time tfr
http://onsemi.com
225
ON Semiconductor
BUH100
SWITCHMODE NPN Silicon
Planar Power Transistor POWER TRANSISTOR
10 AMPERES
The BUH100 has an application specific state–of–art die designed 700 VOLTS
for use in 100 Watts Halogen electronic transformers. 100 WATTS
This power transistor is specifically designed to sustain the large
inrush current during either the start–up conditions or under a short
circuit across the load.
This High voltage/High speed product exhibits the following main
features:
• Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements:
High and Flat DC Current Gain hFE
Fast Switching
• Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture
this Device
• ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and
Reproducible Parametric Distributions
CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO 400 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage VCBO 700 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Base Current — Peak (1) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous IB
IBM
4
10
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
*Derate above 25°C ÎÎÎÎÎ
*Total Device Dissipation @ TC = 25C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD 100
0.8
Watt
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Junction to Case RθJC 1.25
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
1/8″ from case for 5 seconds
TL 260 C

March, 2001 – Rev. 2 BUH100/D
BUH100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current @ TC = 25°C ICES 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCES, VEB = 0) @ TC = 125°C 1000
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Base Current @ TC = 25°C ICBO 100 µAdc
(VCB = Rated VCBO, VEB = 0) @ TC = 125°C 1000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage @ TC = 25°C VBE(sat) 1 1.1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage @ TC = 25°C VCE(sat) 0.37 0.6 Vdc
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc) @ TC = 125°C 0.37 0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 7 Adc, IB = 1.5 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.5
0.6
0.75
1.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
hFE 15
16
24
28
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 5 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C 10 15 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 10 14.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 7 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C 8 12 —
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
7
ÎÎÎÎ
10.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
6
4
9.5
8
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Dynamic Saturation
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ @ TC = 25°C VCE(dsat) 1.1 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc ( )
V lt
Voltage: VCC = 300 V @ TC = 125°C 2.1 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Determined 3 µs after
rising IB1 reaches
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 7.5 Adc, IB1 = 1.5 Adc @ TC = 25°C 1.7 V
90% of final IB1
VCC = 300 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(See Figure 19) @ TC = 125°C 5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain Bandwidth fT 23 MHz
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob 100 150 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Input Capacitance Cib 1300 1750 pF
(VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz)
http://onsemi.com
227
BUH100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on TimeÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ @ TC = 25°C ton 130 200 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc @ TC = 125°C 140
IB2 = 0.2
0 2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 6.8 8 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 8.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc @ TC = 125°C 150
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.4
0 4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 4.3
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc @ TC = 125°C 800
IB2 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 2.9 3.5 µs
@ TC = 125°C 3.6
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 7.5 Adc, IB1 = 1.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 500
900
700 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1.5
1 5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time @ TC = 25°C tfi 150 250 ns
@ TC = 125°C 180
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 Adc
IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.2 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tsi 5.1
5.8
6 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 230
300
325 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 170
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 Adc
IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tsi 2.5
2.8
3 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 260
300
350 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 140
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 5 Adc
IB1 = 1 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tsi 2.9
4.6
3.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 450
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
150
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 7.5 Adc
IB1 = 1.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tsi 2
2.5
2.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 475
http://onsemi.com
228
BUH100
100 100
VCE = 1 V VCE = 3 V
TJ = 125°C TJ = 125°C

TJ = -20°C TJ = -20°C
10 TJ = 25°C 10 TJ = 25°C
1 1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
100 10
VCE = 5 V IC/IB = 5
TJ = 125°C
1
TJ = -20°C
10 TJ = 25°C TJ = -20°C
TJ = 25°C
0.1
TJ = 125°C
1 0.01
0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 21. DC Current Gain @ 5 Volt Figure 22. Collector–Emitter Saturation

Voltage
10 1.5
1 1
TJ = 25°C TJ = -20°C TJ = -20°C
TJ = 25°C
0.1 TJ = 125°C 0.5
TJ = 125°C
0.01 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 23. Collector–Emitter Saturation Figure 24. Base–Emitter Saturation Region

Voltage
http://onsemi.com
229
BUH100
1.5 2
IC/IB = 10 TJ = 25°C 15 A
10 A
1.5

1 8A
TJ = -20°C 5A
1
3A
TJ = 25°C
0.5 2A
TJ = 125°C 0.5
VCE(sat)
(IC = 1 A)
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (A)
Figure 25. Base–Emitter Saturation Region Figure 26. Collector Saturation Region
10000 900
TJ = 25°C TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz 800 BVCER @ 10 mA
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
1000
BVCER (VOLTS)
700
600
100
Cob
500
BVCER(sus) @ 500 mA, 25 mH
10 400
1 10 100 10 100 1000 10000 100000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) RBE (Ω)
Figure 27. Capacitance Figure 28. Resistive Breakdown
http://onsemi.com
230
BUH100
2500 10
IB1 = IB2 TJ = 125°C IB1 = IB2
VCC = 300 V TJ = 25°C VCC = 300 V
2000 8
PW = 40 µs PW = 20 µs
TJ = 125°C IC/IB = 10
t, TIME (s)
1500 6
t, TIME (ns)
IC/IB = 5
µ
TJ = 25°C
1000 4
125°C
500 2
IC/IB = 10
25°C IC/IB = 5
0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
Figure 29. Resistive Switching Time, ton Figure 30. Resistive Switch Time, toff
7 6
IB1 = IB2 IB1 = IB2

IC/IB = 5 5 IC/IB = 10
VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V VZ = 300 V
5 LC = 200 µH 4 LC = 200 µH
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
3 2
TJ = 125°C 1 TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
1 0
1 4 7 10 1 4 7 10
Figure 31. Inductive Storage Time, tsi Figure 13 Bis. Inductive Storage Time, tsi
600 800
IB1 = IB2 TJ = 125°C TJ = 125°C IB1 = IB2
VCC = 15 V TJ = 25°C TJ = 25°C VCC = 15 V
VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH 600
tc LC = 200 µH
400 tc
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
400
tfi
200 tfi
200
0 0
1 4 7 10 1 4 7 10
Figure 32. Inductive Storage Time, Figure 33. Inductive Storage Time,
tc & tfi @ IC/IB = 5 tc & tfi @ IC/IB = 10
http://onsemi.com
231
BUH100
4 200
IC = 7.5 A
3 IC = 5 A 150
tsi , STORAGE TIME (µs)

2 100
IC = 7.5 A
IB1 = IB2 IBoff = IB2 IC = 5 A
1 50 VCC = 15 V
VCC = 15 V
TJ = 125°C VZ = 300 V VZ = 300 V TJ = 125°C
TJ = 25°C LC = 200 µH LC = 200 µH TJ = 25°C
0 0
2 4 6 8 10 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 34. Inductive Storage Time Figure 35. Inductive Fall Time
800
IB1 = IB2
700 VCC = 15 V
VZ = 300 V
600 LC = 200 µH
IC = 7.5 A
500
400
300
200 TJ = 125°C IC = 5 A
TJ = 25°C
100
3 4 5 6 7 8 9 10
hFE, FORCED GAIN
Figure 36. Inductive Crossover Time, tc
http://onsemi.com
232
BUH100
10
VCE 9 IC 90% IC
8 tfi
dyn 1 µs tsi
7
dyn 3 µs 6
10% Vclamp 10% IC
0V 5 Vclamp
tc
4
90% IB 90% IB1
3 IB
1 µs 2
IB 1
3 µs
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
Figure 37. Dynamic Saturation Voltage Figure 38. Inductive Switching Measurements
Measurements
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω MTP8P10 100 µF
150 Ω
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON MTP12N10
150 Ω
3W V(BR)CEO(sus) Inductive Switching RBSOA
500 µF L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
1 µF VCC = 20 Volts VCC = 15 Volts VCC = 15 Volts
-Voff IC(pk) = 100 mA RB1 selected for RB1 selected for
http://onsemi.com
233
BUH100
TYPICAL THERMAL RESPONSE
1
SECOND BREAKDOWN
DERATING
0.8
POWER DERATING FACTOR

0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 39. Forward Bias Power Derating
There are two limitations on the power handling ability of TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 24. At any
a transistor: average junction temperature and second case temperatures, thermal limitations will reduce the power
breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE that can be handled to values less than the limitations
limits of the transistor that must be observed for reliable imposed by second breakdown. For inductive loads, high
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater voltage and current must be sustained simultaneously during
dissipation than the curves indicate. The data of Figure 22 is turn–off with the base to emitter junction reverse biased. The
based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power safe level is specified as a reverse biased safe operating area
level. Second breakdown pulse limits are valid for duty (Figure 23). This rating is verified under clamped conditions
cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second so that the device is never subjected to an avalanche mode.
limitations. Allowable current at the voltages shown on
Figure 22 may be found at any case temperature by using the
100 12
GAIN ≥ 5 TC ≤ 125°C
10 LC = 2 mH
10 1 ms 10 µs 1 µs
5 ms 8
EXTENDED
1 DC SOA 6
4
0.1 -5 V
2
0V -1.5 V
0.01 0
10 100 1000 200 300 400 500 600 700 800
Figure 40. Forward Bias Safe Operating Area Figure 41. Reverse Bias Safe Operating Area
http://onsemi.com
234
BUH100
1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk)
0.05 RθJC = 1.25°C/W MAX
0.02 t2 READ TIME AT t1
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 42. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUH100
http://onsemi.com
235
ON Semiconductor
BUH150
15 AMPERES
The BUH150 has an application specific state–of–art die designed 700 VOLTS
for use in 150 Watts Halogen electronic transformers. 150 WATTS
features:
Fast Switching
this Device
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Value
400
Unit
Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCBO
VCES
700
700
Vdc
Vdc
CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEBO
IC
10
15
Vdc
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1) ICM 25
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Peak (1)
IB
IBM
6
12
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Operating and Storage Temperature
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TJ, Tstg –65 to 150 C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: TL 260 C

BUH150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) 1 1.25 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc) @ TC = 125°C 0.15 0.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
0.45
2
1
5
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
hFE 4
2.5
7
4.5
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
8
6
12
10
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
12
14
20
22
—
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 100 mAdc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C 10 20 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
V lt ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage: ÎÎÎÎ
Dynamic Saturation
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc
ÎÎÎ
VCC = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCE(dsat)
( ) 1.5
2.8
V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
rising IB1 reaches
ÎÎÎÎ
90% of final IB1
(see Figure 19)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc
ÎÎÎ VCC = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
2.4
5
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ fT 23 MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
http://onsemi.com
237
BUH150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on TimeÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ @ TC = 25°C ton 200 300 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.2
0 2 Adc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
ts
tf
5.3
240
6.5
350
µs
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–off Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
toff
ton
5.6
100
7
200
µs
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.4
0 4 Adc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
ts
tf
6.1
320
7.5
500
µs
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–off Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
toff
ton
6.5
450
8
650
µs
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc @ TC = 125°C 800
IB2 = 0.5
0 5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 3.9
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc @ TC = 125°C 900
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.75
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C tfi 110 250 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 160
IC = 2 Adc µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 6.5 8
IB1 = 0.2 Adc @ TC = 125°C 8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 240
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 170
IC = 2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 6 7.5 µs
IB1 = 0.4 Adc @ TC = 125°C 7.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 270
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ IC = 5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi 110
140
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 3.25 3.75 µs
IB1 = 0.5 Adc @ TC = 125°C 4.6
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C tfi
450
110 175 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 160
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IC = 10 Adc @ TC = 25°C tsi 2.3 2.75 µs
IB1 = 2 Adc @ TC = 125°C 2.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ @ TC = 125°C 475
http://onsemi.com
238
BUH150
100 100
VCE = 1 V VCE = 3 V
TJ = 125°C TJ = 125°C

TJ = -20°C TJ = -20°C
10 TJ = 25°C 10 TJ = 25°C
1 1
0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100
100 10
VCE = 5 V IC/IB = 5
TJ = 125°C TJ = 125°C
1
TJ = -20°C
10 TJ = 25°C TJ = 25°C
0.1 TJ = -20°C
1 0.01
0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100

Voltage
10 1.5
1 1
TJ = -20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.5
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.01 0
0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100

Voltage
http://onsemi.com
239
BUH150

1.5 2
TJ = 25°C
IC/IB = 10
1.5

1
TJ = -20°C
1
TJ = 25°C 20 A
0.5
TJ = 125°C 0.5 VCE(sat) 15 A
(IC = 1 A) 10 A
8A
5A
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100
10000 900
TJ = 25°C TJ = 25°C
Cib (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000
BVCER (VOLTS)
700
BVCER(sus) @ 200 mA
600
100 Cob (pF)
500
10 400
1 10 100 10 100 1000
http://onsemi.com
240
BUH150
2000 12
1800 IB1 = IB2 TJ = 25°C IB1 = IB2
VCC = 300 V IC/IB = 10 10 TJ = 125°C VCC = 300 V
1600
PW = 40 µs PW = 20 µs
1400 25°C 8
125°C
t, TIME (s)
1200
t, TIME (ns)
µ
1000 6 IC/IB = 5
125°C
800
4
600
400
25°C 2 IC/IB = 10
200 IC/IB = 5
0 0
0 3 6 9 12 15 0 5 10 15
Figure 53. Resistive Switching, ton Figure 54. Resistive Switch Time, toff
8 8
7 IC/IB = 5 IB1 = IB2 7 IC/IB = 10 IB1 = IB2

VCC = 15 V VCC = 15 V
6 VZ = 300 V 6 VZ = 300 V
LC = 200 µH LC = 200 µH
t, TIME (s)
t, TIME (s)
5 5
µ
4 4
3 3
2 2
TJ = 125°C TJ = 125°C
1 TJ = 25°C 1 TJ = 25°C
0 0
1 3 5 7 9 11 13 15 1 4 7 10
550 800
IB1 = IB2 TJ = 125°C IB1 = IB2 TC = 125°C
VCC = 15 V TJ = 25°C 700
VCC = 15 V TC = 25°C
450 VZ = 300 V
600 VZ = 300 V
LC = 200 µH LC = 200 µH
tc 500
350
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
tc
400
250 300
tfi
tfi
200
150
100
50 0
1 3 5 7 9 11 13 15 0 2 4 6 8 10
http://onsemi.com
241
BUH150
5 200
TJ = 125°C
TJ = 25°C
4 IC = 5 A
150

3
100
2
IC = 5 A
IB1 = IB2 IBoff = IB2
50 IC = 10 A
1 VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V IC = 10 A TJ = 125°C VZ = 300 V
LC = 200 µH TJ = 25°C LC = 200 µH
0 0
2 4 6 8 10 3 4 5 6 7 8 9 10
800
IB1 = IB2 TJ = 125°C
700 VCC = 15 V TJ = 25°C
VZ = 300 V
600 LC = 200 µH
IC = 10 A
500
400
IC = 5 A
300
200
100
3 4 5 6 7 8 9 10
hFE, FORCED GAIN
Figure 60. Inductive Crossover Time
http://onsemi.com
242
BUH150
10
VCE 9 IC 90% IC
dyn 1 µs 8 tfi
tsi
dyn 3 µs 7
6
0V 5 Vclamp 10% Vclamp 10% IC
tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
IB 1
3 µs
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME TIME
Measurements
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω MTP8P10 100 µF
150 Ω
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON MTP12N10
150 Ω V(BR)CEO(sus) Inductive Switching RBSOA
500 µF 3W L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
IC(pk) = 100 mA RB1 selected for RB1 selected for
-Voff desired IB1 desired IB1
http://onsemi.com
243
BUH150
SECOND BREAKDOWN
0.8 DERATING

0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
100 16
14 GAIN ≥ 5 TC ≤ 125°C
1 µs
LC = 4 mH
10 10 µs 12
5 ms
1 ms 10
EXTENDED SOA
DC
1 8
6 -5 V
0.1 4
0V -1.5 V
2
0.01 0
1 10 100 1000 300 400 500 600 700 800
http://onsemi.com
244
BUH150
1
0.5
(NORMALIZED)
0.2
0.1 P(pk) RθJC(t) = r(t) RθJC
0.1
t2
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
245
ON Semiconductor
BUH50
4 AMPERES
The BUH50 has an application specific state–of–art die designed for 800 VOLTS
use in 50 Watts HALOGEN electronic transformers and 50 WATTS
SWITCHMODE applications.
This high voltage/high speed transistor exhibits the following main
feature:
• Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:
Fast Switching
Reproductible Parametric Distributions
• Specified Dynamic Saturation Data
• Full Characterization at 125°C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221A–09
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEBO 9 Vdc TO–220AB
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1) ICM 8
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
*Total Device Dissipation @ TC = 25C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Derate above 25°C
PD 50
0.4
Watt
W/C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance C/W
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TL 260 C

BUH50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 500 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current @ TC = 25°C ICES 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.33 Adc) 0.86 1.2
(IC = 2 Adc, IB = 0.66 Adc) 25°C 0.94 1.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.66 Adc) 100°C 0.85 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.33 Adc) @ TC = 25°C 0.2 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.66 Adc) @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.32
0.29
0.6
0.7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C 0.5 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C hFE 7 13
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C 5 10 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain Bandwidth
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ fT 4 MHz
ÎÎÎÎ
Output Capacitance ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Cob 50 100 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ @ 1 µs @ TC = 25°C VCE(dsat) 1.75 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 A @ TC = 125°C 5
Dynamic Saturation
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 0
0.33
33 A
Voltage:
VCC = 300 V @ 3 µs @ TC = 25°C 0.3 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 0.5
3 µs respectively
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
after rising IB1 @ 1 µs @ TC = 25°C 6 V
IC = 2 A @ TC = 125°C 14
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
reaches 90% of final
IB1 IB1 = 0
0.66
66 A
@ 3 µs @ TC = 25°C 0.75 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 300 V
@ TC = 125°C 4
http://onsemi.com
247
BUH50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–on Time ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc @ TC = 25°C ton 95 250 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.4
0 4 Adc
Turn–off Time @ TC = 25°C toff 2.5 3.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 125 Vdc
Turn–on Time IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc @ TC = 25°C ton 110 250 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–off Time
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1 Adc
VCC = 125 Vdc @ TC = 25°C toff 0.95 2 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–on Time IC = 1 Adc, IB1 = 0.3 Adc @ TC = 25°C ton 100 200 ns
IB2 = 0.3
0 3 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C tf 80 150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 95
IC = 2 Adc µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C ts 1.2 2.5
IB1 = 0.4 Adc @ TC = 125°C 1.7
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 180
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time @ TC = 25°C tf 90 150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 100
IC = 2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C ts 1.7 2.75 µs
IB1 = 0.66 Adc @ TC = 125°C 2.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 220
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
10 10
TJ = -40°C TJ = -40°C
1 1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
http://onsemi.com
248
BUH50
10 10
TJ = 25°C IC/IB = 3

4A
3A 1
1
2A
TJ = -40°C
1A 0.1 TJ = 125°C
IC = 500 mA TJ = 25°C
0.1 0.01
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10

Voltage
10 10
IC/IB = 5 IC/IB = 3
TJ = -40°C
1 TJ = 125°C
0.1 TJ = -40°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
TJ = 125°C
0.01 0.1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10

Voltage
10 10000
IC/IB = 5 TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
Cib (pF)
1000
C, CAPACITANCE (pF)
1 TJ = 125°C 100
Cob (pF)
TJ = -40°C
TJ = 25°C 10
0.1 1
0.01 0.1 1 10 1 10 100
Figure 73. Base–Emitter Saturation Region Figure 74. Capacitance
http://onsemi.com
249
BUH50
3000 4000
TJ = 125°C IBoff = IC/2 TJ = 125°C
VCC = 125 V IBoff = IC/2
2500 TJ = 25°C TJ = 25°C VCC = 125 V
PW = 20 µs
3000 PW = 20 µs
2000
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IC/IB = 5
1500 2000
IC/IB = 3
1000
1000
500
IC/IB = 3 IC/IB = 5
0 0
1 2 3 4 5 1 2 3 4 5
4000 300
IBoff = IC/2 IBoff = IC/2
VCC = 15 V VCC = 15 V
IC/IB = 3 VZ = 300 V VZ = 300 V
3000 LC = 200 µH LC = 200 µH
200
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
tc
2000
100
1000
TJ = 125°C tfi TJ = 125°C
TJ = 25°C IC/IB = 5 TJ = 25°C
0 0
1 2 3 4 1 2 3 4
Figure 77. Inductive Storage Time, tsi Figure 78. Inductive Storage Time,
tc & tfi @ IC/IB = 3
TYPICAL CHARACTERISTICS
250 4000
TJ = 125°C TJ = 125°C IBoff = IC/2
tc
TJ = 25°C TJ = 25°C VCC = 15 V
200 VZ = 300 V
3000
LC = 200 µH
IC = 1 A
150
t, TIME (ns)
2000
100
IBoff = IC/2 1000

50 VCC = 15 V
IC = 2 A
VZ = 300 V tfi
LC = 200 µH
0 0
1 2 3 4 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 79. Inductive Switching, tc & tfi @ IC/IB = 5 Figure 80. Inductive Storage Time
http://onsemi.com
250
BUH50
150 350
IBoff = IC/2 IBoff = IC/2
140
VCC = 15 V VCC = 15 V
130 IC = 1 A VZ = 300 V VZ = 300 V

120 LC = 200 µH IC = 1 A LC = 200 µH
250
110
100
90
150 IC = 2 A
80
70
TJ = 125°C IC = 2 A TJ = 125°C
60 TJ = 25°C
TJ = 25°C
50 50
2 4 6 8 10 3 5 7 9 11
SECOND BREAKDOWN
0.8
DERATING
0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 83. Forward Power Derating
http://onsemi.com
251
BUH50
10
VCE
9 IC 90% IC
dyn 1 µs 8
tsi tfi
dyn 3 µs 7
6 10% IC
0V 10% Vclamp
5 Vclamp tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
3 µs 1
IB
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
10 5
1 µs TC ≤ 125°C
10 µs GAIN ≥ 3
LC = 500 µH
1 ms
4
5 ms
1
EXTENDED 3
SOA
DC
2
0.1
1 -5 V
0V -1.5 V
0.01 0
10 100 1000 300 600 900
http://onsemi.com
252
BUH50
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω MTP8P10 100 µF
150 Ω
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON MTP12N10
500 µF 3W L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
1 µF
1
0.5
0.2
(NORMALIZED)

0.1 RθJC = 2.5°C/W MAX
0.05
t2
SINGLE PULSE DUTY CYCLE, D = t1/t2 TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
253
ON Semiconductor
BUH51
3 AMPERES
The BUH51 has an application specific state–of–art die designed for 800 VOLTS
use in 50 Watts Halogen electronic transformers. 50 WATTS
features:
Fast Switching
this Device
• ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Providing Tight and
Reproducible
Parametric Distributions
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–09
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCES
VEBO
800
10
Vdc
Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1)
IC
ICM
3
8
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
IBM
2
4
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Junction to Ambient RθJA 100
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ

BUH51
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C VBE(sat) 0.92 1.1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 125°C 0.8
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 125°C 0.32 0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
hFE 8
6
10
8
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
5
4
7.5
6.2
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 0.8 Adc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
8
14
13
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
14
18
20
25
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Dynamic Saturation IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc @ TC = 25°C VCE(dsat)
( ) 1.7 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage: VCC = 300 V @ TC = 125°C 6 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
rising IB1 reaches IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc @ TC = 25°C 5.1 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
90% of final IB1 VCC = 300 V @ TC = 125°C 15 V
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob 34 100 pF
http://onsemi.com
255
BUH51
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–on Time ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ @ TC = 25°C ton 110 150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc @ TC = 125°C 125
IB2 = 0.2
0 2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 4.1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc @ TC = 125°C 1250
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.4
0 4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C tfi 200 300 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 320
IC = 1 Adc µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 3.4 3.75
IB1 = 0.2 Adc @ TC = 125°C 4
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 640
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 300
IC = 2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 2.3 2.75 µs
IB1 = 0.4 Adc @ TC = 125°C 2.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 725
100 100
VCE = 1 V VCE = 3 V
TJ = 125°C TJ = 125°C
10 TJ = -20°C 10 TJ = -20°C TJ = 25°C

TJ = 25°C
1 1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
http://onsemi.com
256
BUH51
100 10
VCE = 5 V
IC/IB = 5
TJ = 125°C

TJ = 125°C
1
TJ = 25°C
10 TJ = -20°C TJ = 25°C
TJ = -20°C
0.1
1 0.01
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

Voltage
10 1.5
1
TJ = -20°C
1
TJ = 25°C
TJ = 25°C
0.5 TJ = 125°C
TJ = -20°C
TJ = 125°C
0.1 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

Voltage
1.5 2
IC/IB = 10 TJ = 25°C
4A
1.5 3A
1 2A
TJ = -20°C 1A
1
TJ = 25°C
0.5
TJ = 125°C 0.5
VCE(sat)
(IC = 500 mA)
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
http://onsemi.com
257
BUH51
1000 1000
TJ = 25°C TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz 900
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
800
BVCER (VOLTS)
100 700
600 BVCER @ 10 mA
Cob 500 BVCER(sus) @ 200 mA, 25 mH
10 400
1 10 100 10 100 1000 10000 100000
2500 10
IB1 = IB2 IB1 = IB2
VCC = 300 V VCC = 300 V
2000 PW = 40 µs IC/IB = 5 8 IC/IB = 5 PW = 40 µs
t, TIME (s)
1500 6
t, TIME (ns)
1000 4
500 2 TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
0 0
0 1 2 3 0 1 2 3
7 4
IB1 = IB2 IC/IB = 10 IB1 = IB2
VCC = 15 V VCC = 15 V
IC/IB = 5
VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH 3 LC = 200 µH
5
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
3
1
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
1 0
0 1 2 3 0.5 1 1.5 2
http://onsemi.com
258
BUH51
800 1000
IB1 = IB2 IB1 = IB2
VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V tc 800 VZ = 300 V
600 LC = 200 µH LC = 200 µH
tc
tc 600
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
400
400
tfi
ttfifi
200
200
TJ = 125°C tfi TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0.5 1 1.5 2 2.5 0.5 1 1.5 2 2.5
4 450
IBoff = IB2
400 VCC = 15 V
350 VZ = 300 V
LC = 200 µH
3 300
IC = 0.8 A
250
200
2 150
IC = 2 A IB1 = IB2
VCC = 15 V 100
TJ = 125°C IC = 0.8 A
VZ = 300 V IC = 2 A TJ = 125°C
TJ = 25°C 50
LC = 200 µH TJ = 25°C
1 0
2 4 6 8 10 3 4 5 6 7 8 9 10
800
TJ = 125°C
IC = 2 A
700 TJ = 25°C
600
IB1 = IB2
500 VCC = 15 V
VZ = 300 V
400 LC = 200 µH
300
200 IC = 0.8 A
100
3 4 5 6 7 8 9 10
hFE, FORCED GAIN
Figure 106. Inductive Crossover Time
http://onsemi.com
259
BUH51
10
VCE
9 IC 90% IC
dyn 1 µs 8
tsi tfi
dyn 3 µs 7
6 10% IC
0V 10% Vclamp
5 Vclamp tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
3 µs 1
IB
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
Figure 107. Dynamic Saturation Voltage Figure 108. Inductive Switching

Measurements Measurements
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω MTP8P10 100 µF
150 Ω
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON V(BR)CEO(sus) Inductive Switching RBSOA
150 Ω MTP12N10
L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
-Voff
http://onsemi.com
260
BUH51

1
SECOND BREAKDOWN
0.8 DERATING

0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
There are two limitations on the power handling ability of TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 112. At
a transistor: average junction temperature and second any case temperatures, thermal limitations will reduce the
breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE power that can be handled to values less than the limitations
dissipation than the curves indicate. The data of Figure 110 turn–off with the base to emitter junction reverse biased. The
is based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power safe level is specified as a reverse biased safe operating area
level. Second breakdown pulse limits are valid for duty (Figure 111). This rating is verified under clamped
cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second conditions so that the device is never subjected to an
breakdown limitations do not derate the same as thermal avalanche mode.
Figure 110 may be found at any case temperature by using
the appropriate curve on Figure 109.
100 4
TC ≤ 125°C
GAIN ≥ 4
LC = 500 µH
10 1 µs 3
1 ms 10 µs
1 5 ms 2
DC
EXTENDED
SOA
0.1 1 -5 V
0V -1.5 V
0.01 0
10 100 1000 200 300 400 500 600 700 800 900
http://onsemi.com
261
BUH51
1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1
P(pk) RθJC(t) = r(t) RθJC
0.1 0.05 RθJC = 2.5°C/W MAX
t1
t2 READ TIME AT t1
SINGLE PULSE TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
262
ON Semiconductor
SWITCHMODE BUL146
NPN Bipolar Power Transistor BUL146F
For Switching Power Supply Applications
The BUL146/BUL146F have an applications specific
POWER TRANSISTOR
state–of–the–art die designed for use in fluorescent electric lamp
6.0 AMPERES
ballasts to 130 Watts and in Switchmode Power supplies for all types 700 VOLTS
of electronic equipment. These high voltage/high speed transistors 40 and 100 WATTS
offer the following:
High and Flat DC Current Gain
Fast Switching
No Coil Required in Base Circuit for Turn–Off (No Current Tail)
• Two Packages Choices: Standard TO220 or Isolated TO220
• Parametric Distributions are Tight and Consistent Lot–to–Lot
• BUL146F, Case 221D, is UL Recognized to 3500 VRMS: File #
E69369
BUL146
MAXIMUM RATINGS CASE 221A–09
Rating Sym- BUL146 BUL146F Unit TO–220AB
bol
– Peak(1) ICM 15
– Peak(1) IBM 8.0
RMS Isolation Voltage: (2) VISOL1 – 4500 Volts
(for 1 sec, R.H. 30%, VISOL2 – 3500
TC = 25 C) VISOL3 – 1500
Total Device Dissipation (TC = 25°C) PD 100 40 Watts CASE 221D–02
Derate above 25°C 0.8 0.32 W/°C ISOLATED TO–220 TYPE
Operating and Storage Temperature TJ, Tstg – 65 to 150 °C BUL146F
Rating Sym- BUL146 BUL146F Unit
bol
Thermal Resistance – Junction to Case RθJC 1.25 3.125 °C/W
– Junction to Ambient RθJA 62.5 62.5
Maximum Lead Temperature for Soldering TL 260 °C
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds

June, 2001 – Rev. 5 BUL146/D
BUL146 BUL146F

OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) VCEO(sus) 400 – – Vdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) ICEO – – 100 µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) ICES – – 100 µAdc
(TC = 125°C) – – 500
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) (TC = 125°C) – – 100
Emitter Cutoff Current (VEB = 9.0 Vdc, IC = 0) IEBO – – 100 µAdc
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS – (TC = 25°C unless otherwise noted)
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.3 Adc, IB = 0.13 Adc) VBE(sat) – 0.82 1.1 Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 0.6 Adc) – 0.93 1.25
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.3 Adc, IB = 0.13 Adc) VCE(sat) – 0.22 0.5 Vdc
(TC = 125°C) – 0.20 0.5
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 0.6 Adc) – 0.30 0.7
(TC = 125°C) – 0.30 0.7
DC Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 5.0 Vdc) hFE 14 – 34 –
(TC = 125°C) – 30 –
DC Current Gain (IC = 1.3 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 12 20 –
(TC = 125°C) 12 20 –
DC Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 8.0 13 –
(TC = 125°C) 7.0 12 –
DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) 10 20 –
Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT – 14 – MHz
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) COB – 95 150 pF
Input Capacitance (VEB = 8.0 V) CIB – 1000 1500 pF
1.0 – 2.5 –
Dynamic
y a c Saturation
Sa u a o Volt-
o (IC = 1.3 Adc µs (TC = 125°C) – 6.5 –
age: IB1 = 300 mAdc
VCC = 300 V) 3.0 – 0.6 –
Determined 1.0 µs and µs (TC = 125°C) – 2.5 –
3 0 µs respectively after
3.0 VCE(dsat) V
rising IB1 reaches 90% of 1.0 – 3.0 –
final IB1
(IC = 3.0 Adc µs (TC = 125°C) – 7.0 –
IB1 = 0.6
0 6 Adc
(see Figure 18) VCC = 300 V) 3.0 – 0.75 –
µs (TC = 125°C) – 1.4 –
http://onsemi.com
264
BUL146 BUL146F

Turn–On Time (IC = 1.3 Adc, IB1 = 0.13 Adc ton – 100 200 ns
IB2 = 0.65 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) – 90 –
Turn–Off Time toff – 1.35 2.5 µs
(TC = 125°C) – 1.90 –
Turn–On Time (IC = 3.0 Adc, IB1 = 0.6 Adc ton – 90 150 ns
IB1 = 1.5 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) – 100 –
(TC = 125°C) – 2.1 –
Fall Time (IC = 1.3 Adc, IB1 = 0.13 Adc tfi – 115 200 ns
IB2 = 0.65 Adc) (TC = 125°C) – 120 –
Storage Time tsi – 1.35 2.5 µs
(TC = 125°C) – 1.75 –
Crossover Time tc – 200 350 ns
(TC = 125°C) – 210 –
Fall Time (IC = 3.0 Adc, IB1 = 0.6 Adc tfi – 85 150 ns
IB2 = 1.5 Adc) (TC = 125°C) – 100 –
(TC = 125°C) – 2.25 –
(TC = 125°C) – 200 –
Fall Time (IC = 3.0 Adc, IB1 = 0.6 Adc tfi 80 – 180 ns
IB2 = 0.6 Adc) (TC = 125°C) – 210 –
Storage Time tsi 2.6 – 3.8 µs
(TC = 125°C) – 4.5 –
(TC = 125°C) – 400 –
http://onsemi.com
265
BUL146 BUL146F
100 100
VCE = 5 V
TJ = 125°C VCE = 1 V TJ = 125°C
TJ = 25°C
h FE , DC CURRENT GAIN
TJ = 25°C
TJ = -20°C
10 TJ = -20°C 10
1 1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
2 10
TJ = 25°C
V CE , VOLTAGE (V)
1
V CE , VOLTAGE (V)
IC = 1 A 2A 3A 5A 6A
1
0.1 IC/IB = 10
IC/IB = 5 TJ = 25°C
TJ = 125°C
0 0.01
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
IB, BASE CURRENT (mA) IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.2 10000
1.1 TJ = 25°C
Cib f = 1 MHz
1 1000
V BE , VOLTAGE (V)
C, CAPACITANCE (pF)
0.9
0.8 100
TJ = 25°C Cob
0.7
0.6 10
TJ = 125°C IC/IB = 5
0.5
IC/IB = 10
0.4 1
0.01 0.1 1 10 1 10 100 1000
http://onsemi.com
266
BUL146 BUL146F

(IB2 = IC/2 for all switching)
1000 4000
IB(off) = IC/2 IB(off) = IC/2
IC/IB = 5 TJ = 25°C
VCC = 300 V 3500 VCC = 300 V
IC/IB = 10 TJ = 125°C
800 PW = 20 µs PW = 20 µs
3000 IC/IB = 5
2500
t, TIME (ns)
600
t, TIME (ns)
TJ = 125°C IC/IB = 10
2000
400 1500
1000
200
TJ = 25°C
500
0 0
0 2 4 6 8 0 2 4 6 8
Figure 7. Resistive Switching, ton Figure 8. Resistive Switching, toff
2500 4000
IB(off) = IC/2 TJ = 25°C IB(off) = IC/2
VCC = 15 V 3500 TJ = 125°C VCC = 15 V
IC/IB = 5
2000 VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH 3000 IC = 3 A LC = 200 µH
t si , STORAGE TIME (ns)
1500 2500
t, TIME (ns)
2000
1000 1500
1000
500
TJ = 25°C 500 IC = 1.3 A
TJ = 125°C IC/IB = 10
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 3 4 5 6 7
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS) hFE, FORCED GAIN
Figure 9. Inductive Storage Time, tsi Figure 10. Inductive Storage Time, tsi(hFE)
250 250
tc IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
200 VZ = 300 V
200 tc LC = 200 µH
150 tfi
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
150 tfi
100
IB(off) = IC/2 100

50 VCC = 15 V
VZ = 300 V TJ = 25°C TJ = 25°C
LC = 200 µH TJ = 125°C TJ = 125°C
0 50
0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Figure 11. Inductive Switching, tc and tfi Figure 12. Inductive Switching, tc and tfi
http://onsemi.com
267
BUL146 BUL146F

130 250
IC = 1.3 A
IC = 1.3 A
120
TC , CROSS-OVER TIME (ns)

IC = 3 A 200
110
Tfi , FALL TIME (ns)
100
150
IB(off) = IC/2
90 VCC = 15 V
VZ = 300 V IC = 3 A
80 LC = 200 µH 100 IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
70 TJ = 25°C TJ = 25°C VZ = 300 V
TJ = 125°C TJ = 125°C LC = 200 µH
60 50
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Figure 13. Inductive Fall Time Figure 14. Inductive Cross–Over Time
GUARANTEED SAFE OPERATING AREA INFORMATION

100 7
DC (BUL146) TC ≤ 125°C
6 IC/IB ≥ 4
I C , COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5 ms 1 ms 10 µs 1 µs LC = 500 µH
10
5
EXTENDED 4
1 SOA
3
VBE(off)
2
0.1 -5 V
1
0V
0 -1, 5 V
0.01
10 100 1000 0 200 400 600 800
Figure 15. Forward Bias Safe Operating Area Figure 16. Reverse Bias Switching Safe Operating Area
There are two limitations on the power handling ability of a tran-

sistor: average junction temperature and second breakdown. Safe
operating area curves indicate IC – VCE limits of the transistor that
1,0
must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not
be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data
SECOND BREAKDOWN of Figure 15 is based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on
0,8
DERATING power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty
cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second break-
0,6 down limitations do not derate the same as thermal limitations. Al-
lowable current at the voltages shown in Figure 15 may be found at
any case temperature by using the appropriate curve on Figure 17.
0,4
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 20. At any case tem-
peratures, thermal limitations will reduce the power that can be han-
THERMAL DERATING
0,2 dled to values less than the limitations imposed by second break-
down. For inductive loads, high voltage and current must be sus-
tained simultaneously during turn–off with the base–to–emitter
0,0
20 40 60 80 100 120 140 160 junction reverse–biased. The safe level is specified as a reverse–
TC, CASE TEMPERATURE (°C) biased safe operating area (Figure 16). This rating is verified under
clamped conditions so that the device is never subjected to an ava-
Figure 17. Forward Bias Power Derating lanche mode.
http://onsemi.com
268
BUL146 BUL146F
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS
0 5 VCLAMP 10% VCLAMP

-1 4
90% IB IB 90% IB1
-2 3
-3 1 µs 2
-4 3 µs 1
IB
-5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4
TIME 5 6 7 8
TIME
Figure 18. Dynamic Saturation Voltage Measurements Figure 19. Inductive Switching Measurements
+15 V
IC PEAK
1 µF MTP8P10 100 µF
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON V(BR)CEO(sus) INDUCTIVE SWITCHING RBSOA
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
VCC = 20 VOLTS VCC = 15 VOLTS VCC = 15 VOLTS
1 µF IC(pk) = 100 mA RB1 SELECTED FOR RB1 SELECTED
DESIRED IB1 FOR DESIRED IB1
-Voff

1
D = 0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk)
PULSE TRAIN SHOWN
0.02
t1 READ TIME AT t1
t2 TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 20. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUL146
http://onsemi.com
269
BUL146 BUL146F

1.00
D = 0.5
0.2
0.10 0.1 RθJC = 3.125°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR
0.05
POWER PULSE TRAIN
t1 SHOWN READ TIME AT t1
0.02 t2
0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 1000
t, TIME (ms)
Figure 21. Typical Thermal Response for BUL146F
http://onsemi.com
270
BUL146 BUL146F
TEST CONDITIONS FOR ISOLATION TESTS*

MOUNTED MOUNTED MOUNTED
FULLY ISOLATED FULLY ISOLATED FULLY ISOLATED
CLIP PACKAGE CLIP PACKAGE PACKAGE
0.107″ MIN 0.107″ MIN
LEADS LEADS LEADS
HEATSINK HEATSINK HEATSINK

0.110″ MIN
Figure 22a. Screw or Clip Mounting Figure 22b. Clip Mounting Position Figure 22c. Screw Mounting Position
Position for Isolation Test Number 1 for Isolation Test Number 2 for Isolation Test Number 3
*Measurement made between leads and heatsink with all leads shorted together
MOUNTING INFORMATION**
4-40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK
Figure 23a. Screw–Mounted Figure 23b. Clip–Mounted
Figure 23. Typical Mounting Techniques

for Isolated Package
Laboratory tests on a limited number of samples indicate, when using the screw and compression washer mounting technique, a
screw torque of 6 to 8 in . lbs is sufficient to provide maximum power dissipation capability. The compression washer helps to maintain
a constant pressure on the package over time and during large temperature excursions.
Destructive laboratory tests show that using a hex head 4–40 screw, without washers, and applying a torque in excess of 20 in . lbs will
cause the plastic to crack around the mounting hole, resulting in a loss of isolation capability.
Additional tests on slotted 4–40 screws indicate that the screw slot fails between 15 to 20 in . lbs without adversely affecting the
package. However, in order to positively ensure the package integrity of the fully isolated device, ON Semiconductor does not recom-
mend exceeding 10 in . lbs of mounting torque under any mounting conditions.
** For more information about mounting power semiconductors see Application Note AN1040.
http://onsemi.com
271
ON Semiconductor
SWITCHMODE BUL147
NPN Bipolar Power Transistor
POWER TRANSISTOR
The BUL147 have an applications specific state–of–the–art die 8.0 AMPERES
designed for use in electric fluorescent lamp ballasts to 180 Watts and 700 VOLTS
in Switchmode Power supplies for all types of electronic equipment. 45 and 125 WATTS
These high–voltage/high–speed transistors offer the following:
High and Flat DC Current Gain
Fast Switching
• Parametric Distributions are Tight and Consistent Lot–to–Lot
• Two Package Choices: Standard TO–220 or Isolated TO–220
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol BUL147 Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO 400 Vdc BUL147
Collector–Emitter Breakdown Voltage VCES 700 Vdc CASE 221A–09
TO–220AB
— Peak(1) ICM 16
— Peak(1) IBM 8.0
Total Device Dissipation (TC = 25°C) PD 125 Watts
Derate above 25°C 1.0 W/°C
Operating and Storage Temperature TJ, Tstg – 65 to 150 °C
Rating Symbol BUL44 Unit
Thermal Resistance — Junction to Case RθJC 1.0 °C/W

May, 2001 – Rev. 4 BUL147/D
BUL147

OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) VCEO(sus) 400 — — Vdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) ICEO — — 100 µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) ICES — — 100 µAdc
(TC = 125°C) — — 500
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) (TC = 125°C) — — 100
Emitter Cutoff Current (VEB = 9.0 Vdc, IC = 0) IEBO — — 100 µAdc
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 2.0 Adc, IB = 0.2 Adc) VBE(sat) — 0.82 1.1 Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 4.5 Adc, IB = 0.9 Adc) — 0.92 1.25
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.2 Adc) — 0.25 0.5
(TC = 125°C) — 0.3 0.5
(IC = 4.5 Adc, IB = 0.9 Adc) — 0.35 0.7
(TC = 125°C) — 0.35 0.8
DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc) hFE 14 — 34 —
(TC = 125°C) — 30 —
DC Current Gain (IC = 4.5 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 8.0 12 —
(TC = 125°C) 7.0 11 —
DC Current Gain (IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) (TC = 25°C to 125°C) 10 18 —
DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) 10 20 —
Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT — 14 — MHz
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) Cob — 100 175 pF
Input Capacitance (VEB = 8.0 V) Cib — 1750 2500 pF
1.0 — 3.0 —
Dynamic Saturation Volt-
Volt (IC = 2.0 Adc µs (TC = 125°C) — 5.5 —
age: IB1 = 200 mAdc
VCC = 300 V) 3.0 — 0.8 —
Determined 1.0 µs and µs (TC = 125°C) — 1.4 —
3 0 µs respectively after
3.0 VCE(dsat) Volts
rising IB1 reaches 90% of 1.0 — 3.3 —
(IC = 5.0 Adc µs (TC = 125°C) — 8.5 —
final IB1
IB1 = 0.9
0 9 Adc
(see Figure 18) 3.0 — 0.4 —
VCC = 300 V)
µs (TC = 125°C) — 1.0 —
http://onsemi.com
273
BUL147

Turn–On Time (IC = 2.0 Adc, IB1 = 0.2 Adc ton — 200 350 ns
IB2 = 1.0 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 190 —
Turn–Off Time toff — 1.0 2.5 µs
(TC = 125°C) — 1.6 —
IB1 = 2.25 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 100 —
(TC = 125°C) — 2.0 —
Fall Time (IC = 2.0 Adc, IB1 = 0.2 Adc tfi — 100 180 ns
IB2 = 1.0 Adc) (TC = 125°C) — 120 —
Storage Time tsi — 1.3 2.5 µs
(TC = 125°C) — 1.9 —
Crossover Time tc — 210 350 ns
(TC = 125°C) — 230 —
IB2 = 2.25 Adc) (TC = 125°C) — 100 —
(TC = 125°C) — 2.1 —
(TC = 125°C) — 200 —
Fall Time (IC = 4.5 Adc, IB1 = 0.9 Adc tfi 60 — 180 ns
IB2 = 0.9 Adc) (TC = 125°C) — 150 —
Storage Time tsi 2.6 — 3.8 µs
(TC = 125°C) — 4.3 —
(TC = 125°C) — 330 —
http://onsemi.com
274
BUL147
100 100
TJ = 125°C VCE = 1 V TJ = 125°C VCE = 5 V

TJ = 25°C TJ = 25°C
10 TJ = -20°C 10 TJ = -20°C
1 1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
2 10
TJ = 25°C
1.5
V CE , VOLTAGE (VOLTS)
1
IC = 1 A 3A 5A 8A 10 A
1
IC/IB = 10
0.1
0.5
IC/IB = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0 0.01
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
IB, BASE CURRENT (AMPS) IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.3 10000
Cib TJ = 25°C
1.2
f = 1 MHz
1.1 1000
V BE , VOLTAGE (VOLTS)
1
C, CAPACITANCE (pF)
Cob
0.9
100
0.8
0.7 TJ = 25°C
10
0.6
IC/IB = 5
0.5 TJ = 125°C IC/IB = 10
0.4 1
0.01 0.1 1 10 1 10 100
http://onsemi.com
275
BUL147

600 4000
IB(off) = IC/2 IC/IB = 5 TJ = 25°C IB(off) = IC/2
VCC = 300 V 3500 TJ = 125°C VCC = 300 V
500 IC/IB = 10
PW = 20 µs PW = 20 µs
3000 I /I = 5
C B
400 TJ = 125°C 2500
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
TJ = 25°C
300 2000
1500
200
1000
100 IC/IB = 10
500
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8
3500 4000
3000 VCC = 15 V 3500 TJ = 125°C VCC = 15 V
VZ = 300 V VZ = 300 V
IC/IB = 5 3000
LC = 200 µH LC = 200 µH
2500
2500 IC = 2 A
2000
t, TIME (ns)
2000
1500
1500
1000
1000
500 TJ = 25°C 500
TJ = 125°C IC/IB = 10 IC = 4.5 A
0 0
1 2 3 4 5 6 7 8 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
300 250
TJ = 25°C IB(off) = IC/2
tc TJ = 125°C VCC = 15 V
250
200 VZ = 300 V
tc LC = 200 µH
200
tfi 150
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
150
100
100
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V 50
50 tfi
VZ = 300 V TJ = 25°C
LC = 200 µH TJ = 125°C
0 0
1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7 8
http://onsemi.com
276
BUL147

180 300
TJ = 25°C IB(off) = IC/2 IC = 2 A IB(off) = IC/2
TJ = 125°C VCC = 15 V VCC = 15 V
160
VZ = 300 V 250 VZ = 300 V
TC , CROSSOVER TIME (ns)

IC = 2 A LC = 200 µH LC = 200 µH
140
200
120
150
100
IC = 4.5 A
100
80
TJ = 25°C
IC = 4.5 A TJ = 125°C
60 50
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

100 9
DC (BUL147) TC ≤ 125°C
8
IC/IB ≥ 4
5 ms 1 ms 10 µs 1 µs
7 LC = 500 µH
10
6
EXTENDED 5
1 SOA
4
3
0.1 -5 V
2
1
VBE(off) = 0 V -1, 5 V
0.01 0
10 100 1000 0 100 200 300 400 500 600 700 800

1.0 operating area curves indicate IC – VCE limits of the transistor that
SECOND BREAKDOWN be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data
0.8
DERATING of Figure 15 is based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on

power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles
0.6 to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second breakdown li-
mitations do not derate the same as thermal limitations. Allowable
current at the voltages shown in Figure 15 may be found at any case
0.4
temperature by using the appropriate curve on Figure 17. TJ(pk) may
be calculated from the data in Figure 20 and NO TAG. At any case
THERMAL DERATING
0.2 temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be
handled to values less than the limitations imposed by second break-
down. For inductive loads, high voltage and current must be sus-
0.0
20 40 60 80 100 120 140 160 tained simultaneously during turn–off with the base–to–emitter
TC, CASE TEMPERATURE (°C) junction reverse–biased. The safe level is specified as a reverse–
biased safe operating area (Figure 16). This rating is verified under
Figure 17. Forward Bias Power Derating clamped conditions so that the device is never subjected to an ava-
lanche mode.
http://onsemi.com
277
BUL147
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS

-1 4
90% IB IB 90% IB1
-2 3
-3 1 µs 2
-4 3 µs 1
IB
-5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4
TIME 5 6 7 8
TIME
+15 V
IC PEAK
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
V(BR)CEO(sus) INDUCTIVE SWITCHING RBSOA
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
-Voff
COMMON

1
D = 0.5
0.2
(NORMALIZED)

0.1 RθJC = 1.0°C/W MAX
t1 READ TIME AT t1
t2
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
278
ON Semiconductor
SWITCHMODE BUL44
POWER TRANSISTOR
The BUL44 have an applications specific state–of–the–art die 2.0 AMPERES
designed for use in 220 V line operated Switchmode Power supplies 700 VOLTS
and electronic light ballasts. These high voltage/high speed transistors 40 and 100 WATTS
Fast Switching
• Tight Parametric Distributions are Consistent Lot–to–Lot
MAXIMUM RATINGS
BUL44
CASE 221A–06
Emitter–Base Voltage VEBO 9.0 Vdc TO–220AB
— Peak(1) ICM 5.0
— Peak(1) IBM 2.0
Rating Symbol Max Unit

May, 2001 – Rev. 4 BUL44/D
BUL44

OFF CHARACTERISTICS
(TC = 125°C) — — 500
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) (TC = 125°C) — — 100
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) VBE(sat) — 0.85 1.1 Vdc
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) — 0.92 1.25
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) — 0.20 0.5
(TC = 125°C) — 0.20 0.5
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) — 0.25 0.6
(TC = 125°C) — 0.25 0.6
(IC = 0.2 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 14 — 34
(TC = 125°C) — 32 —
(IC = 0.4 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 12 20 —
(TC = 125°C) 12 20 —
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 8.0 14 —
(TC = 125°C) 7.0 13 —
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) 10 22 —
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) COB — 38 60 pF
Input Capacitance (VEB = 8.0 V) CIB — 380 600 pF
1.0 — 2.5 —
(IC = 0.4 Adc µs (TC = 125°C) — 2.7 —
Dynamic Saturation Volt-
Volt IB1 = 40 mAdc
age: VCC = 300 V) 3.0 — 1.3 —
Determined 1.0 µs and µs (TC = 125°C) — 1.15 —
VCE(dsat) Vdc
3.0 µs respectively after 1.0 — 3.2 —
rising IB1 reaches 90% of (IC = 1.0 Adc µs (TC = 125°C) — 7.5 —
final IB1 IB1 = 0.2
0 2 Adc
VCC = 300 V) 3.0 — 1.25 —
µs (TC = 125°C) — 1.6 —
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle ≤ 10%. (continued)
http://onsemi.com
280
BUL44

Turn–On Time (IC = 0.4 Adc, IB1 = 40 mAdc ton — 40 100 ns
IB2 = 0.2 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 40 —
Turn–Off Time (IC = 0.4 Adc, IB1 = 40 mAdc toff — 1.5 2.5 µs
IB2 = 0.2 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 2.0 —
IB1 = 0.5 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 85 —
Turn–Off Time (IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.2 Adc toff — 1.75 2.5 µs
IB2 = 0.5 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 2.10 —
Fall Time (IC = 0.4 Adc, IB1 = 40 mAdc tfi — 125 200 ns
IB2 = 0.2 Adc) (TC = 125°C) — 120 —
(TC = 125°C) — 0.8 —
(TC = 125°C) — 110 —
IB2 = 0.5 Adc) (TC = 125°C) — 120 —
(TC = 125°C) — 2.25 —
(TC = 125°C) — 210 —
Fall Time (IC = 0.8 Adc, IB1 = 160 mAdc tfi 70 — 170 ns
IB2 = 160 mAdc) (TC = 125°C) — 180 —
(TC = 125°C) — 4.2 —
(TC = 125°C) — 350 —
http://onsemi.com
281
BUL44
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
TJ = 125°C TJ = 125°C

TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = -20°C
10 10
1.0 1.0
0.01 0.1 1.0 10 0.01 0.1 1.0 10
Figure 21. DC Current Gain at 1 Volt Figure 22. DC Current Gain at 5 Volts
2.0 10
TJ = 25°C
IC/IB = 10
1.0
IC/IB = 5
1.0
2A 0.1
1.5 A
1A
0.4 A TJ = 25°C
IC = 0.2 A TJ = 125°C
0 0.01
1.0 10 100 1000 0.01 0.1 1.0 10
Voltage
1.2 1000
1.1 CIB TJ = 25°C

f = 1 MHz
1.0
C, CAPACITANCE (pF)
100
0.9
0.8
COB
TJ = 25°C
0.7
10
0.6
TJ = 125°C
0.5 IC/IB = 5
IC/IB = 10
0.4 1.0
0.01 0.1 1.0 10 1.0 10 100
http://onsemi.com
282
BUL44

300 6.0
250 VCC = 300 V 5.0 IC/IB = 5 VCC = 300 V
PW = 20 µs PW = 20 µs
200 4.0
IC/IB = 10
t, TIME (s)
t, TIME (ns)
µ
150 3.0 TJ = 25°C
IC/IB = 5 TJ = 125°C
100 2.0
50 TJ = 25°C 1.0
TJ = 125°C IC/IB = 10
0 0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
2500 2.0
IC/IB = 5 IB(off) = IC/2 TJ = 25°C IB(off) = IC/2
VCC = 15 V TJ = 125°C VCC = 15 V
2000 VZ = 300 V VZ = 300 V
1.5
LC = 200 µH LC = 200 µH
IC = 1 A
1500
t, TIME (ns)
1000 1.0
500
TJ = 25°C IC = 0.4 A
TJ = 125°C IC/IB = 10
0 0.5
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10 11 12 13 14 15
Figure 29. Inductive Storage Time, tsi Figure 30. Inductive Storage Time
250 200
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
200 VZ = 300 V
tc LC = 200 µH
150 tc
150
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
tfi
100
100 tfi
IB(off) = IC/2
50 VCC = 15 V
VZ = 300 V TJ = 25°C TJ = 25°C
LC = 200 µH TJ = 125°C TJ = 125°C
0 50
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
Figure 31. Inductive Switching, Figure 32. Inductive Switching,

tc and tfi IC/IB = 5 tc and tfi IC/IB = 10
http://onsemi.com
283
BUL44

170 190
160 IC = 1 A
VCC = 15 V 170 VCC = 15 V
150 VZ = 300 V VZ = 300 V

LC = 200 µH 150 LC = 200 µH
140
IC = 0.4 A
130 130
IC = 0.4 A
120 110
110
90
IC = 1 A
100
70 TJ = 25°C
TJ = 25°C
90 TJ = 125°C
TJ = 125°C
80 50
5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10 11 12 13 14 15 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10 11 12 13 14 15

10 2.5
10µs
1µs
TC ≤ 125°C
DC (BUL44) 5ms 1ms
2.0 GAIN ≥ 4
50µs LC = 500 µH
Extended
1.0
SOA
1.5
1.0
0.1 -5 V
0.5
-1.5 V
0V
0.01 0
10 100 1000 0 100 200 300 400 500 600 700

SECOND BREAK- dissipation than the curves indicate. The data of figure 35 is
0.8
DOWN DERATING based on TC = 25°C; TJ(PK) is variable depending on power

level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles
0.6 to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second
THERMAL DERATING limitations. Allowable current at the voltages shown on figure
0.4
35 may be found at any case temperature by using the
appropriate curve on figure 37. TJ(PK) may be calculated from
0.2
the data in figure 40. At any case temperatures, thermal
limitations will reduce the power than can be handled to
0 values less than the limitations imposed by second
20 40 60 80 100 120 140 16
breakdown. For inductive loads, high voltage and current
must be sustained simultaneously during turn–off with the
Figure 37. Forward Bias Power Derating base–to–emitter junction reverse–biased. The safe level is
specified as a reverse–biased safe operating area (Figure 36).
There are two limitations on the power handling ability of This rating is verified under clamped conditions so that the
a transistor: average junction temperature and second device is never subjected to an avalanche mode.
breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE
http://onsemi.com
284
BUL44
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS

-1 4
90% IB IB 90% IB1
-2 3
-3 1 µs 2
-4 3 µs 1
IB
-5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4
TIME 5 6 7 8
TIME
+15 V
IC PEAK
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
-Voff
1.0
0.5
r(t) TRANSIENT THERMAL
0.2
0.01
0.1
0.05
P(pk)
0.02 D CURVES APPLY FOR
t1 POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
SINGLE PULSE t2 TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC1(t)
0.01
0.01 0.1 1.0 10 100 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
285
ON Semiconductor
BUL45D2

700 VOLTS
The BUL45D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar
hFE window.
Main features:
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)
• “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter
Spreads
It’s characteristics make it also suitable for PFC application. CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Value
400
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCBO
VCES
700
700
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO
IC
12
5
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 10
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
— Junction to Case
ÎÎÎÎ
RθJC 1.65
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

March, 2001 – Rev. 2 BUL45D2/D
BUL45D2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc) @ TC = 25°C 0.8 1
@ TC = 125°C 0.7 0.9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.89
0.79
1
0.9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc) @ TC = 25°C 0.28 0.4
@ TC = 125°C 0.32 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.32
0.38
0.5
0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 40 mAdc) @ TC = 25°C 0.46 0.75
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 0.62 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
—
(IC = 0.8 Adc, VCE = 1 Vdc) @ TC = 25°C 22 34
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
20
10
29
14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 7 9.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Forward Diode Voltage VEC V
(IEC = 1 Adc) @ TC = 25°C 1.04 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 0.7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 2 Adc) @ TC = 25°C 1.2 1.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 0.4 Adc) @ TC = 25°C 0.85 1.2
@ TC = 125°C 0.62
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Forward Recovery Time (see Figure 27)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C
Tfr 330 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 2 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 360
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 320
http://onsemi.com
287
BUL45D2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ fT 13 MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Dynamic Saturation ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 A
IB1 = 100 mA
@ 1 µs @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCE(dsat) 3.7
9.4
V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage:
VCC = 300 V @ 3 µs @ TC = 25°C 0.35 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.7
3 µs respectively
@ 1 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
after rising IB1 @ TC = 25°C 3.9 V
reaches 90% of final IC = 2 A @ TC = 125°C 12
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 IB1 = 0
0.8
8A
VCC = 300 V @ 3 µs @ TC = 25°C 0.4 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 105
IB2 = 1 Adc
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 1.15 1.3
@ TC = 125°C 1.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.4
0 4 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 90
110
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 3.1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 93
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IC = 1 Adc @ TC = 25°C ts 0.72 0.9 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 100 mAdc @ TC = 125°C 1.05
IB2 = 500 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 95
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 105
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 2 Adc
IB1 = 0.4 Adc
IB2 = 0.4 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts 1.95
2.9
2.25 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 450
http://onsemi.com
288
BUL45D2
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
80 TJ = 125°C 80 TJ = 125°C

TJ = 25°C TJ = 25°C
60 60
40 TJ = -20°C 40 TJ = -20°C
20 20
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
4 10
TJ = 25°C
IC/IB = 5
TJ = 25°C
3
2 1
TJ = 125°C
5A
1 3A
2A 4A
1A TJ = -20°C
IC = 500 mA
0 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
IB, BASE CURRENT (AMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

Voltage
10 10
IC/IB = 10 IC/IB = 20
1 1
TJ = 25°C TJ = 125°C
TJ = -20°C TJ = -20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

Voltage Voltage
http://onsemi.com
289
BUL45D2
10 10

TJ = 25°C
1 TJ = -20°C 1 TJ = -20°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 47. Base–Emitter Saturation Region Figure 48. Base–Emitter Saturation Region
10 10
IC/IB = 20
FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS)
1 25°C
1 TJ = -20°C
125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
Figure 49. Base–Emitter Saturation Region Figure 50. Forward Diode Voltage
1000 1000
Cib (pF) TJ = 25°C TJ = 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
100 800
BVCER (VOLTS)
Cob (pF)
700
10 600
BVCER(sus) @ 200 mA
500
1 400
1 10 100 10 100 1000
Figure 51. Capacitance Figure 52. BVCER = f(ICER)
http://onsemi.com
290
BUL45D2
1000 5
IBon = IBoff TJ = 125°C IBon = IBoff
VCC = 300 V TJ = 25°C IC/IB = 10 VCC = 300 V
800 4
PW = 20 µs PW = 20 µs
t, TIME (s)
600
t, TIME (ns)
µ
IC/IB = 10
400 2
IC/IB = 5
IC/IB = 5
200 1 TJ = 125°C
TJ = 25°C
0 0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
Figure 53. Resistive Switch Time, ton Figure 54. Resistive Switch Time, toff
4 5
IBon = IBoff IBon = IBoff
IC/IB = 5 VCC = 15 V
VCC = 15 V
4 VZ = 300 V
VZ = 300 V
3 LC = 200 µH
LC = 200 µH
3
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
µ
2
2
1 1
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
tsi @ IC/IB = 5 tsi @ IC/IB = 10
600 400
IBon = IBoff TJ = 125°C IBoff = IBon
500 VCC = 15 V TJ = 25°C VCC = 15 V
VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH tc 300
400 LC = 200 µH
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
300 200
200
100
100 TJ = 125°C
tfi TJ = 25°C
0 0
0 1 2 3 4 0 1 2 3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 4
Figure 57. Inductive Switching, Figure 58. Inductive Switching,

tc & tfi @ IC/IB = 5 tfi @ IC/IB = 10
http://onsemi.com
291
BUL45D2
1500 5
TJ = 125°C IBon = IBoff
IBoff = IBon TJ = 125°C
TJ = 25°C VCC = 15 V
VCC = 15 V TJ = 25°C
VZ = 300 V
VZ = 300 V IC = 1 A

LC = 200 µH
1000 LC = 200 µH 4
t, TIME (ns)
500 3
IC = 2 A
0 2
0 1 2 3 4 0 5 10 15 20
Figure 59. Inductive Switching, Figure 60. Inductive Storage Time

tc @ IC/IB = 10
450 1400
IBoff = IBon TJ = 125°C IBon = IBoff TJ = 125°C
VCC = 15 V 1200
TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
VZ = 300 V
350 IC = 1 A VZ = 300 V
LC = 200 µH 1000 LC = 200 µH
IC = 2 A
800
250
600
400
150
IC = 2 A 200
IC = 1 A
50 0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
3000 360
IB1 = IB2 IBon = IBoff
VCC = 15 V dI/dt = 10 A/µs

VZ = 300 V TC = 25°C
LC = 200 µH
2000 340
t, TIME (ns)
IB = 50 mA
IB = 100 mA
1000 320
IB = 200 mA
IB = 500 mA
IB = 1 A
0 300
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 0 0.5 1 1.5 2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IF, FORWARD CURRENT (AMP)
Figure 63. Inductive Storage Time, tsi Figure 64. Forward Recovery Time tfr
http://onsemi.com
292
BUL45D2
10
VCE 9 IC 90% IC
dyn 1 µs
8 tfi
tsi
dyn 3 µs 7
6
0V 10% IC
5 Vclamp 10% Vclamp
tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
IB 1
3 µs
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME TIME

VFRM VFR (1.1 VF unless

otherwise specified)
VF VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0 2 4 6 8 10
Figure 67. tfr Measurements
http://onsemi.com
293
BUL45D2
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω MTP8P10 100 µF
150 Ω
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON MTP12N10
500 µF 3W L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
100 6
TC ≤ 125°C
5 GAIN ≥ 5
10 1 µs LC = 2 mH
10 µs 4
EXTENDED SOA
5 ms 1 ms
1 3
DC
2
-5 V
0.1
1 0V -1.5 V
0.01 0
10 100 1000 200 300 400 500 600 700 800
http://onsemi.com
294
BUL45D2
SECOND BREAKDOWN
0.8 DERATING

0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 0.05 RθJC = 2.5°C/W MAX
0.02 t1 PULSE TRAIN SHOWN
t2 READ TIME AT t1
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 71. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUL45D2
http://onsemi.com
295
ON Semiconductor
NPN Silicon Power Transistor BUL45

High Voltage SWITCHMODE Series
Designed for use in electronic ballast (light ballast) and in POWER TRANSISTOR
Switchmode Power supplies up to 50 Watts. Main features include: 5.0 AMPERES
700 VOLTS
• Improved Efficiency Due to: 35 and 75 WATTS
Low Base Drive Requirements (High and Flat DC Current Gain hFE)
Low Power Losses (On–State and Switching Operations)
Fast Switching: tfi = 100 ns (typ) and tsi = 3.2 µs (typ)
@ IC = 2.0 A, IB1 = IB2 = 0.4 A
• Tight Parametric Distributions Consistent Lot–to–Lot
MAXIMUM RATINGS
BUL45
Emitter–Base Voltage VEBO 9.0 Vdc CASE 221A–06
TO–220AB
— Peak(1) ICM 10

OFF CHARACTERISTICS
(TC = 125°C) — — 100

May, 2001 – Rev. 5 BUL45/D
BUL45
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25°C unless otherwise noted)

ON CHARACTERISTICS
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.4 Adc) — 0.89 1.25
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) — 0.175 0.25
(TC = 125°C) — 0.150 —
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.4 Adc) — 0.25 0.4
(TC = 125°C) — 0.275 —
(TC = 125°C) — 32 —
DC Current Gain (IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 7.0 14 —
(TC = 125°C) 5.0 12 —
DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) 10 22 —
Input Capacitance (VEB = 8.0 Vdc) Cib — 920 1200 pF
Dynamic Saturation Volt- 1.0 — 1.75 —
age: (IC = 1.0 Adc µs (TC = 125°C) — 4.4 —
IB1 = 100 mAdc
Determined 1.0 µs and VCC = 300 V) 3.0 — 0.5 —
3.0 µs respectively
res ectively after µs (TC = 125°C) VCE — 1.0 —
Vdc
rising IB1 reaches 90% 1.0 (Dyn sat) — 1.85 —
of final IB1 (IC = 2.0 Adc µs (TC = 125°C) — 6.0 —
(see Figure 18) IB1 = 400 mAdc
VCC = 300 V) 3.0 — 0.5 —
µs (TC = 125°C) — 1.0 —
http://onsemi.com
297
BUL45
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load

Turn–On Time (IC = 2.0 Adc, IB1 = IB2 = 0.4 Adc ton — 75 110 ns
Pulse Width = 20 µs, (TC = 125°C) — 120 —
Duty Cycle < 20%
Turn–Off Time VCC = 300 V) toff — 2.8 3.5 µs
(TC = 125°C) — 3.5 —
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (VCC = 15 Vdc, LC = 200 µH, Vclamp = 300 Vdc)
Fall Time (IC = 2.0 Adc, IB1 = 0.4 Adc tfi 70 — 170 ns
IB2 = 0.4 Adc) (TC = 125°C) — 200 —
(TC = 125°C) — 4.2 —
(TC = 125°C) — 400 —
IB2 = 0.5 Adc) (TC = 125°C) — 100 —
(TC = 125°C) — 1.5 —
(TC = 125°C) — 170 —
IB2 = 2.0 Adc) (TC = 125°C)
(TC = 125°C)
(TC = 125°C)
http://onsemi.com
298
BUL45
100 100
TJ = 25°C VCE = 1 V TJ = 25°C VCE = 5 V
TJ = 125°C TJ = 125°C

TJ = -20°C TJ = -20°C
10 10
1 1
0.01 0.10 1.00 10.00 0.01 0.10 1.00 10.00
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt Figure 2. DC Current Gain at @ 5 Volts
2.0 10
TJ = 25°C
1.5
1.0
1 A 1.5 2A 3A 4A 5A 6A
1.0 A
0.1 IC/IB = 10
0.5
IC/IB = 5 TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC = 0.5 A
0 0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 0.01 0.10 1.00 10.00
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Region Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
1.1 10000
TJ = 25°C
1.0 f = 1 MHz
Cib
1000
0.9
C, CAPACITANCE (pF)
0.8
Cob
TJ = 25°C 100
0.7
0.6
TJ = 125°C 10
0.5 IC/IB = 10
IC/IB = 5
0.4 1
0.01 0.10 1.00 10.00 1 10 100 1000
http://onsemi.com
299
BUL45

1200 3000
VCC = 300 V TJ = 25°C
1000 TJ = 125°C 2500 IC/IB = 5 VCC = 300 V
PW = 20 µs TJ = 125°C
PW = 20 µs
800 2000
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IC/IB = 10
IC/IB = 10
600 1500
400 1000
200 500
IC/IB = 5
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8
3500 3500
VZ = 300 V
3000 TJ = 125°C LC = 200 µH
VCC = 15 V 3000 VZ = 300 V
IC/IB = 5 IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
2500 LC = 200 µH
2500
IC = 1 A
2000
t, TIME (ns)
2000
1500
1500
1000
TJ = 25°C 1000
500
TJ = 125°C
IC/IB = 10 IC = 2 A
0 500
0 1 2 3 4 5 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
300 200
250 tc tc
150
200
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
150 100
100
VCC = 15 V IB(off) = IC/2
50
IB(off) = IC/2 VCC = 15 V tfi
50 tfi VZ = 300 V
LC = 200 µH TJ = 25°C TJ = 25°C
VZ = 300 V TJ = 125°C LC = 200 µH TJ = 125°C
0 0
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Figure 11. Inductive Switching, tc & tfi, IC/IB = 5 Figure 12. Inductive Switching, tc & tfi, IC/IB = 10
http://onsemi.com
300
BUL45

150 300
VCC = 15 V
140 VZ = 300 V
TJ = 125°C VCC = 15 V
250 IB(off) = IC/2
VZ = 300 V

130 LC = 200 µH
IC = 1 A LC = 200 µH IC = 1 A
120
200
110
100 150
90
100
80 IC = 2 A TJ = 25°C
TJ = 125°C IC = 2 A
70 50
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Figure 13. Inductive Fall Time, tfi(hFE) Figure 14. Crossover Time

100 6
DC (BUL45) TC ≤ 125°C
IC/IB ≥ 4

5
5ms 1ms 50µs 10µs 1µs LC = 500 µH
10
4
1.0 EXTENDED 3
SOA
2
0.1
-5 V
1
VBE(off) = 0 V -1.5 V
0.01 0
10 100 1000 300 400 500 600 700 800
1.0 operating area curves indicate IC – VCE limits of the transistor that
SECOND BREAKDOWN be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The
0.8
DERATING data of Figure 15 is based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depend-

ing on power level. Second breakdown pulse limits are valid for
0.6 duty cycles to 10% but must be derated when TC ≥ 25°C. Second
breakdown limitations do not derate the same as thermal limita-
tions. Allowable current at the voltages shown in Figure 15 may
0.4 be found at any case temperature by using the appropriate curve on
Figure 17. TJ(pk) may be calculated from the data in Figures 20. At
THERMAL DERATING any case temperatures, thermal limitations will reduce the power
0.2
that can be handled to values less than the limitations imposed by
second breakdown. For inductive loads, high voltage and current
0 must be sustained simultaneously during turn–off with the base–
20 40 60 80 100 120 140 160
to–emitter junction reverse–biased. The safe level is specified as
TC, CASE TEMPERATURE (°C) a reverse–biased safe operating area (Figure 16). This rating is ver-
ified under clamped conditions so that the device is never sub-
jected to an avalanche mode.
http://onsemi.com
301
BUL45
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS

-1 4
90% IB IB 90% IB1
-2 3
-3 1 µs 2
-4 3 µs 1
IB
-5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4
TIME 5 6 7 8
TIME
+15 V
IC PEAK
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
-Voff

r(t) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
1.00
D = 0.5
0.2
0.10 0.1 P(pk) RθJC(t) = r(t) RθJC

t1
POWER PULSE TRAIN
0.02 t2 SHOWN READ TIME AT t1
0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 1000.00
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
302
BUL45
The BUL45 Bipolar Power Transistors were specially demonstrate how well these devices operate. The circuit and
designed for use in electronic lamp ballasts. A circuit detailed component list are provided below.
designed by ON Semiconductor applications was built to
Q1 C5 400 V
D5
IC 0.1 µF
MUR150
22 µF 385 V 1000 V
47 Ω
D3
C1
470 kΩ 1Ω T1A 15 µF
D10 D9 TUBE
C4
T1B
D1 1N4007
D8 D7 D6
FUSE IC
Q2 C3 1000 V 400 V
MUR150 47 Ω
C2 10 nF C6 0.1 µF
L
CTN 0.1 µF 100 V D4
D2 1N5761 5.5 mH
AC LINE
1Ω
220 V
Components Lists
Q1 = Q2 = BUL45 Transistor All resistors are 1/4 Watt, ±5%

D1 = 1N4007 Rectifier R1 = 470 kΩ
D2 = 1N5761 Rectifier R2 = R3 = 47 Ω
D3 = D4 = MUR150 R4 = R5 = 1 Ω (these resistors are optional, and
D5 = D6 = MUR105 might be replaced by a short circuit)
D7 = D8 = D9 = D10 = 1N400 C1 = 22 µF/385 V
CTN = 47 Ω @ 25°C C2 = 0.1 µF
L = RM10 core, A1 = 400, B51 (LCC) 75 turns, C3 = 10 nF/1000 V
wire ∅ = 0.6 mm C4 = 15 nF/1000 V
T1 = FT10 toroid, T4A (LCC) C5 = C6 = 0.1 µF/400 V
Primary: 4 turns
Secondaries: T1A: 4 turns
Secondaries: T1B: 4 turns
NOTES:
1. Since this design does not include the line input filter, it cannot be used “as–is” in a practical industrial circuit.
2. The windings are given for a 55 Watt load. For proper operation they must be re–calculated with any other loads.
Figure 21. Application Example
http://onsemi.com
303
ON Semiconductor
BUV20
SWITCHMODE Series BUV60
NPN Silicon Power Transistor
. . . designed for high speed, high current, high power applications. 50 AMPERES
• High DC current gain: NPN SILICON
hFE min = 20 at IC = 25 A POWER
= 10 at IC = 50 A METAL TRANSISTOR
125 VOLTS
• Low VCE(sat): 250 WATTS
VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 25 A
= 0.9 V at IC = 50 A
• Very fast switching times:
TF = 0.25 µs at IC = 50 A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BUV20 BUV60 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector–Emititer Voltage VCEO(sus) 125 Vdc
CASE 197A–05
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO 160 260 Vdc TO–204AE
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (VBE = VCEX 160 260 Vdc
ÎÎÎÎÎ
–1.5 V)
100 Ω)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter voltage (RBE = VCER 150 260 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Current — Continuous
— Peak (PW
IC
ICM
50
60
Adc
Apk
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
10 ms)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Current continuous IB 10 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = PD 250 Watts
25C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Characteristic Symbol BUV20 BUV60 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to θJC 0.7 C/W
Case
1.0
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160 200


May, 2001 – Rev. 10 BUV20/D
BUV20 BUV60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH) BUV20, BUV60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current at Reverse Bias ICEX mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 140 V, VBE = – 1.5 V) BUV20 3.0
(VCE = 140 V, VBE = – 1.5 V, TC = 125C) BUV20 12
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 260 V, VBE = – 1.5 V) BUV60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEO 3.0 mAdc
(VCE = 100 V) BUV20
ÎÎÎÎÎ
(IE = 50 mA) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Emitter–Base Reverse Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ BUV20, BUV60
VEBO 7 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 5 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BUV20, BUV60
IEBO 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with base forward biased IS/b Adc
(VCE = 20 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
12
(VCE = 40 V, t = 1 s) 1.5
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ hFE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 25 A, VCE = 2 V) BUV20 20 60
(IC = 50 A, VCE = 4 V) BUV20 10 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 25 A, IB = 2.5 A) BUV20
VCE(sat)
0.6
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 50 A, IB = 5 A) BUV20 1.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 50 A, IB = 5 A)0 BUV20 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 25 A, IB = 1.25 A) BUV60 0.9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 50 A, IB = 5 A) BUV60 0.9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 60 A, IB = 7.5 A) BUV60 1.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 50 A, IB = 5 A) BUV60 1.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 60 A, IB = 7.5 A) BUV60 1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product fT 8.0 MHz
(VCE = 15 V, IC = 2 A, f = 4 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS (Resistive Load)
ÎÎÎÎ ton 1.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 50 A
A, IB1 = IB2 = 5 A,
VCC = 30 V, RC = 0.6 Ω)
A
ts
tf
1.2
0.25
1 Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.
http://onsemi.com
305
BUV20 BUV60


10 operation i.e., the transistor must not be subjected to greater
The data of Figure 2 is based on TC = 25C. TJ(pk) is
1 limitations do not derate the same as thermal limitations.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
1 10 100 125
2.0 100
IC/IB = 10 VCE = 4 V
1.6 80
V, VOLTAGE (V)
1.2 VBE(sat) 60
0.8 40
VCE(sat)
0.4 20
0 0
1 10 100 1 10
Figure 3. “On” Voltages Figure 4. DC Current Gain
VCC = 30 V
IC/IB1 = 10 VCC
IB1 = IB2
3.0
104 µF
2.0 RC
t, TIME (s)
µ
1.0 tS IB2
IB1 VCC = 30 V
0.4 ton RC = 0.6 Ω
0.3
0.2 tF
RC — Non inductive resistance
0 10 20 30 40 50
Figure 5. Resistive Switching Performance
http://onsemi.com
306
ON Semiconductor
SWITCHMODE Series BUV21

NPN Silicon Power Transistor
. . . designed for high speed, high current, high power applications. 40 AMPERES
NPN SILICON
• High DC current gain: POWER
hFE min. = 20 at IC = 12 A METAL TRANSISTOR
• Low VCE(sat), VCE(sat) 200 VOLTS
max. = 0.6 V at IC = 8 A 250 WATTS
TF max. = 0.4 µs at IC = 25 A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO(sus)
Value
200
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO 250 Vdc CASE 197A–05
TO–204AE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEBO 7 Vdc (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (VBE = –1.5 V) VCEX 250 Vdc
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100 Ω)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCER 240 Vdc
Collector–Current — Continuous IC 40 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
— Peak (PW 10 ms)
ÎÎÎ
Base–Current continuous
ICM
IB
50
8
Apk
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to 200 C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160 200


May, 2001 – Rev. 9 BUV21/D
BUV21
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current at Reverse Bias: ICEX mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V) 3.0
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V, TC = 125C) 12.0
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 160 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEO 3.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Base Reverse Voltage VEBO 7 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 50 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current IEBO 1.0 mAdc
(VEB = 5 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 20 V, t = 1 s) 12
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 140 V, t = 1 s) 0.15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 12 A, VCE = 2 V) 20 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 25 A, VCE = 4 V) 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 12 A, IB = 1.2 A)
(IC = 25 A, IB = 3 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
0.6
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) 1.5 Vdc
(IC = 25 A, IB = 3 A)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain – Bandwidth Product
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 15 V, IC = 2 A, f = 4 MHz)
fT 8.0 MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn-on Time ton 1.0 µs
(IC = 25 A
A, IB1 = IB2 = 3 A,
A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time ts 1.8
VCC = 100 V, RC = 4 Ω)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time tf 0.4
1 Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.
http://onsemi.com
308
BUV21

10
1
The data of Figure 2 is based on TC = 25C, TJ(pk) is
limitations do not derate the same as thermal limitations.
0.1
1 10 100 200
2.0
50
IC/IB = 8 VCE = 5 V
1.6
40
V, VOLTAGE (V)
1.2
30
0.8 VBE
20
0.4
10
VCE
0
1 10 0
100 1 10
VCE = 100 V
IC/IB1 = 8
IB1 = IB2 VCC
3.0
2.0 10,000 µF
t, TIME (s)
RC
µ
1.0
tS IB2
0.4 IB1 RB VCC = 100 V

0.3 ton RC = 4 Ω
0.2 RB = 2.2 Ω
tF
RC – RB: Non inductive resistances

0 5 10 15 20 25
Figure 5. Resistive Switching Performance Figure 6. Switching Times Test Circuit
http://onsemi.com
309
ON Semiconductor
BUV22
SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Transistor 40 AMPERES
NPN SILICON
. . . designed for high current, high speed, high power applications. POWER
• High DC current gain: METAL TRANSISTOR
HFE min. = 20 at IC = 10 A 250 VOLTS
250 WATTS
• Low VCE(sat): VCE(sat)
max. = 1.0 V at IC = 10 A
TF max. = 0.35 µs at IC = 20 A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO(sus)
Value
250
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 197A–05
Collector–Base Voltage VCBO 300 Vdc TO–204AE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (VBE = –1.5 V) VCEX 300 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100 Ω) VCER 290 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Current — Continuous IC 40 Adc
— Peak (pw 10 ms) ICM 50 Apk
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Current continuous
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
8
250
Adc
Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160 200


March, 2001 – Rev. 9 BUV22/D
BUV22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current at Reverse Bias ICEX mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 300 V, VBE = –1.5 V) 3.0
(VCE = 300 V, VBE = –1.5 V, TC = 125C) 12.0
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 200 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEO 3.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Base Reverse Voltage VEBO 7 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 50 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current IEBO 1.0 mAdc
(VEB = 5 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 20 V, t = 1 s) 12
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 140 V, t = 1 s) 0.15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 10 A, VCE = 4 V) 20 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 A, VCE = 4 V) 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 A, IB = 1 A)
(IC = 20 A, IB = 2.5 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
1.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) 1.5 Vdc
(IC = 40 A, IB = 4 A)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 15 V, IC = 2 A, f = 4 MHz)
fT 8.0 MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–on Time ton 0.8 µs
(IC = 20 A
A, IB1 = IB2 = 2
2.5
5AA,
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time ts 2.0
VCC = 100 V, RC = 5 Ω)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time tf 0.35
1Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.
http://onsemi.com
311
BUV22

10
1
The data of Figure 2 is based on TC = 25C; TJ(pk) is
limitations do not derate the same as thermal limitations.
0.1 At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown.
1 10 100 250
2.0
50
IC/IB = 8
45
1.6
40 VCE = 5 V
35
V, VOLTAGE (V)
1.2 VBE
30
25
0.8 VCE
20
15
0.4
10
5
0 0
1 10
0.1 1 10 100
3.0 VCC
2.0 104 µF
t, TIME (s)
RC
µ
1.0 tS
IB2
VCC = 100 V
0.4 IB1 RB
RC = 5Ω
0.3 ton
RB = 2.7 Ω
0.2 IB1 = IB2
tF
IC/IB = 8
RC – RB: Non inductive resistances
4 8 12 16 20 24
Figure 5. Resistive Switching Performance Figure 6. Switching Times Test Circuit
http://onsemi.com
312
ON Semiconductor
BUX85
SWITCHMODE
NPN Silicon Power Transistors 2 AMPERES
POWER TRANSISTOR
The BUX85 is designed for high voltage, high speed power NPN SILICON
switching applications like converters, inverters, switching regulators, 450 VOLTS
motor control systems. 50 WATTS
Specifications Features:
• VCEO(sus) 450 V
• VCES(sus) 1000 V
• Fall time = 0.3 µs (typ) at IC = 1.0 A
• VCE(sat) = 1.0 V (max) at IC = 1.0 A, IB = 0.2 A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BUX84 BUX85 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO(sus) 400 450 Vdc
CASE 221A–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCES 800 1000 Vdc TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current Adc
— Continuous
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC 2
— Peak (1) ICM 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Continuous
— Peak (1)
ÎÎÎ
IB 0.75
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IBM 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Reverse Base Current — Peak IBM 1 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to
RθJC
RθJA
2.5
62.5
C/W
C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Ambient
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for TL 275 C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Soldering Purpose:

March, 2001 – Rev. 9 BUX85/D
BUX85
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 450 — — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, (L = 25 mH) See fig. 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCES = Rated Value) — — 0.2
(VCES = Rated Value, TC = 125C) — — 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — — 1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE 30 50 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, VCE = 5 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.3 Adc, IB = 30 mAdc) — — 0.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 200 mAdc) — — 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) — — 1.1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 1 0 Vdc, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ton — 0.3 0.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 250 Vdc, IC = 1 A
Storage Time IB1 = 0.2 A, IB2 = 0.4 A ts — 2 3.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
S fifig. 2
See
Fall Time tf — 0.3 — µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Same above cond. at TC = 95C
(1) Pulse Test: PW = 300 µs, Duty Cycle 2%.
tf — — 1.4 µs
http://onsemi.com
314
BUX85
+6 V
L 250
HOR 250
IC
(mA)
OSCILLOSCOPE 100
MIN VCEOsust
VERT
0
+ VCEO (V)
~ 4V 100 Ω 1Ω
30-60 Hz
Figure 1. Test Circuit for VCEOsust
tr ≤ 30 ns
90 IBon
IB %
10
t
IBoff
WAVEFORM
ICon
90
IC %
10
0
tf t
ts
ton
+25 V
BD139
680 µF
250 Ω
200 Ω
T 100 µF VCC
250 V
100 Ω
T.U.T.
VIM
30 Ω
tµ
VI 100 Ω
50 Ω 680 µF
BD140
Figure 2. Switching Times/Test Circuit
http://onsemi.com
315
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Power D44H Series *
PNP
Transistors D45H Series *
. . . for general purpose power amplification and switching such as
output or driver stages in applications such as switching regulators, *ON Semiconductor Preferred Device
converters and power amplifiers.
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage 10 AMPERE
COMPLEMENTARY
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A SILICON
• Fast Switching Speeds POWER TRANSISTORS
• Complementary Pairs Simplifies Designs 60, 80 VOLTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
D44H or D45H
8 10, 11 Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Base Voltage
VCEO
VEB
60
5.0
80 Vdc
Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1)
IC 10
20
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation PD Watts
@ TC = 25C 50
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221A–06
@ TA = 25C 1.67 TO–220AB
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 75 C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds TL 275 C
(1) Pulse Width 6.0 ms, Duty Cycle 50%.
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 2.0 Adc)
D44H10
D45H10
hFE 35 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
D44H8,11
D44H8,11
60 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 4.0 Adc) D44H10 20 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
D45H10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
D44H8,11 40 —
D45H8,11

March, 2001 – Rev. 2 D44H/D
D44H Series D45H Series
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES — — 10
(VCE = Rated VCEO, VBE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — — 100 µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.4 Adc) D44H/D45H8,11
VCE(sat)
— — 1.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc) D44H/D45H10 — — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Capacitance Ccb pF
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz) D44H Series — 130 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
D45H Series — 230 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Gain Bandwidth Product
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz) D44H Series
D45H Series
fT
— 50 —
MHz
— 40 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING TIMES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay and Rise Times td + tr ns
(IC = 5.0 Adc, IB1 = 0.5 Adc) D44H Series
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 300 —
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) D44H Series
ts
— 500 —
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf ns
(IC = 5.0 Adc, IB1 = 102 = 0.5 Adc) D44H Series
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 140 —
100
50
30
20 1.0 ms
100 µs
10 10 µs
5.0
3.0
2.0 TC ≤ 70° C dc
1.0 DUTY CYCLE ≤ 50% 1.0 µs
0.5
0.3 D44H/45H8
0.2
D44H/45H10,11
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 1. Maximum Rated Forward Bias
Safe Operating Area
http://onsemi.com
317
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Power D44VH
PNP
Transistors D45VH
These complementary silicon power transistors are designed for
high–speed switching applications, such as switching regulators and
high frequency inverters. The devices are also well–suited for drivers
for high power switching circuits. 15 AMPERE
COMPLEMENTARY
• Fast Switching — SILICON
tf = 90 ns (Max) POWER TRANSISTORS
• Key Parameters Specified @ 100C 80 VOLTS
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — 83 WATTS
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
• Complementary Pairs Simplify Circuit Designs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Value
80
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEV
VEB
100
7.0
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1)
IC
ICM
15
20
Adc CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 83
0.67
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
NOTE: All polarities are shown for NPN transistors. For PNP transistors, reverse polarities.

March, 2001 – Rev. 2 D44VH/D
D44VH D45VH
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (2) VCEO(sus) 80 — — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEV µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEV, VBE(off) = 4.0 Vdc) — — 10
(VCE = Rated VCEV, VBE(off) = 4.0 Vdc, TC = 100C) — — 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Base Cutoff Current
(VEB = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎ
IEBO — — 10 µAdc
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 35 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 20 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.4 Adc) D44VH10 — — 0.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 3.0 Adc, TC = 100C)
D45VH10
D44VH10
—
—
—
—
1.0
0.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
D45VH10 — — 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.4 Adc) D44VH10 — — 1.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.4 Adc, TC = 100C)
D45VH10
D44VH10
—
—
—
—
1.0
1.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc, TC = 100C) D45VH10 — — 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain Bandwidth Product fT — 50 — MHz
ÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IC = 0, ftest = 1.0 MHz) D44VH10
Cob
— 120 —
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
D45VH10 — 275 —
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time td — — 50 ns
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 20 Vdc, IC = 8.0 Adc, tr — — 250
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IB1 = IB2 = 0.8 Adc) ts — — 700
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — — 90
http://onsemi.com
319
ON Semiconductor
PNP
D45C
Complementary Silicon Power NPN
Transistor D44C
. . . for general purpose driver or medium power output stages in 4.0 AMPERE
CW or switching applications. COMPLEMENTARY
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — 0.5 V (Max) SILICON
POWER TRANSISTORS
• High ft for Good Frequency Response 80 VOLTS
• Low Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol
VCEO
Value
80
Unit
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCES
VEB
90
5.0
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Peak (1)
IC 4.0
6.0
Adc
CASE 221A–09
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C PD 30 Watts TO–220AB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C 1.67 W/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg –55 to C
150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 75
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: TL 275
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 0.2 Adc) 40 120
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 1.0 Adc) 20 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 2.0 Adc) 20 —

April, 2001 – Rev. 3 D45C/D
NPN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES — — 0.1
(VCE = Rated VCES, VBE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 5.0 Vdc)
ÎÎÎ
IEBO — — 10 µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 50 mAdc)
VCE(sat) — 0.135 0.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) — 0.85 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Capacitance Ccb — 125 — pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Gain Bandwidth Product fT — 40 — MHz
(IC = 20 mA, VCE = 4.0 Vdc, f = 20 MHz)
SWITCHING TIMES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay and Rise Times td + tr — 50 75 ns
(IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB1 = IB2 = 0.1 Adc)
ts — 350 550 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — 50 75 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB1 = IB2 = 0.1 Adc)
200 10
1.0 µs
VCE = 1.0 Vdc 5.0
10 µs
TJ = 25°C 3.0
2.0 0.1 ms
100 dc 1.0 ms
90 1.0
80
70 0.5
60 0.3
0.2 TC ≤ 70°C
50
0.1 DUTY CYCLE ≤ 50%
40
0.05
30 0.03
0.02
20 0.01
0.04 0.07 0.1 0.2 0.3 0.4 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 2. Typical DC Current Gain Figure 3. Maximum Rated Forward Bias
Safe Operating Area
http://onsemi.com
321
ON Semiconductor
PNP
High-Current Complementary MJ11015
NPN
Silicon Transistors MJ11012
MJ11016 *
hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc
• Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistor *ON Semiconductor Preferred Device
• Junction Temperature to +200C
30 AMPERE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DARLINGTON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol MJ11012
MJ11015
MJ11016 Unit
COMPLEMENTARY
SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
60–120 VOLTS
Collector–Emitter Voltage VCEO 60 120 Vdc 200 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
60
5
120 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
IC
IB
30
1
Adc
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Total Device Dissipation @TC = 25C
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C @ TC = 100C
PD 200
1.15
Watts
W/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Storage Junction TJ, Tstg –55 to +200 C
Temperature Range
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS (TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for TL 275 C
Soldering Purposes for 10 Seconds.
PNP COLLECTOR NPN COLLECTOR

MJ11015 MJ11012
MJ11016
BASE BASE
≈ 8.0 k ≈ 40 ≈ 8.0 k ≈ 40
EMITTER EMITTER

May, 2001 – Rev. 4 MJ11012/D
MJ11015 MJ11012 MJ11016
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted.)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Characteristics Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1) V(BR)CEO Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) MJ11012 60 —
MJ11015, MJ11016 120 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1k ohm) MJ11012
ICER
— 1
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 120 Vdc, RBE = 1k ohm) MJ11015, MJ11016 — 1
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1k ohm, TC = 150C) MJ11012 — 5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 120 Vdc, RBE = 1k ohm, TC = 150C) MJ11015, MJ11016 — 5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Leakage Current ICEO — 1 mAdc
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc,VCE = 5 Vdc) 1000 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 Adc, VCE = 5 Vdc) 200 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc) — 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 Adc, IB = 300 mAdc) — 4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 A, IB = 200 mAdc) — 3.5
(IC = 30 A, IB = 300 mAdc) — 5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 A, VCE = 3 Vdc, f = 1 MHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
hfe 4 — MHz
http://onsemi.com
323
MJ11015 MJ11012 MJ11016
30 k
hFE , SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN (NORMALIZED

2
20 k PNP MJ11015
1
NPN MJ11012, MJ11016
0.5
10 k
7k 0.2
5k 0.1
3k 0.05
2k PNP MJ11015
0.02
NPN MJ11012, MJ11016
0.01
700 VCE = 3 Vdc
VCE = 5 Vdc 0.005
500 IC = 10 mAdc
TJ = 25°C
TJ = 25°C
300
0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1.0 k
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) f, FREQUENCY (kHz)
Figure 2. DC Current Gain (1) Figure 3. Small–Signal Current Gain
5 50
PNP MJ11015 20

NPN MJ11012, MJ11016 10
4
5
V, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
2
3 IC/IB = 100
1
0.5
2 0.2
VBE(sat) BONDING WIRE LIMITATION
0.05 SECOND BREAKDOWN LIMITATION
1 VCE(sat)
0.02 MJ11012
0.01
MJ11015, MJ11016
0
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200
Figure 4. “On” Voltages (1) Figure 5. Active Region DC Safe Operating Area
There are two limitations on the power handling ability of At high case temperatures, thermal limitations will reduce
a transistor average junction temperature and secondary the power that can be handled to values less than the
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE limitations imposed by secondary breakdown.
operations e.g., the transistor must not be subjected to
greater dissipation than the curves indicate.
http://onsemi.com
324
ON Semiconductor
PNP
Complementary Darlington MJ11021 *
. . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency MJ11022
switching and motor control applications.
• High dc Current Gain @ 10 Adc —
hFE = 400 Min (All Types) *ON Semiconductor Preferred Device
• Collector–Emitter Sustaining Voltage

30 AMPERE
VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) – MJ11022, 21 DARLINGTON
• Low Collector–Emitter Saturation POWER TRANSISTORS
VCE(sat) = 1.0 V (Typ) @ IC = 5.0 A COMPLEMENTARY
= 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A SILICON
• Monolithic Construction 60–120 VOLTS
200 WATTS
• 100% SOA Tested @
VCE = 44 V,
IC = 4.0 A,
t = 250 ms.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ11022
Rating Symbol MJ11021 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCB
250
250
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Collector Current — IC 15 Adc (TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Continuous Peak 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Derate Above 25C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.16
–65 to +175
W/C
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range –65 to +200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width 5.0 ms, Duty Cycle 10%.

May, 2001 – Rev. 0 MJ11021/D
MJ11021 MJ11022

200
150
100
50
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0. 1 Adc, IB = 0) MJ11021, MJ11022 250 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 125, IB = 0) MJ11021, MJ11022 — 1.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TJ = 150C)
ICEV
—
—
0.5
5.0
mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 2.0 mAdc
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 400 15,000
(IC = 15 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 100 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 100 mA)
ÎÎÎ
VCE(sat)
— 2.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 150 mA) — 3.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 10 A, VCE = 5.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 150 mA)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product [hfe] 3.0 — Mhz
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ11022
MJ11021
Cob
—
—
400
600
pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe 75 — —
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Typical
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol NPN PNP Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time td 150 75 ns
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 100 V, IC = 10 A, IB = 100 mA tr 1.2 0.5
Storage Time VBE(off)
( ) = 50 V) (See Figure 2.) ts 4.4 2.7 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulsed Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2%.
tf 10.0 2.5 µs
http://onsemi.com
326
MJ11021 MJ11022
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS VCC

D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 100 V
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC
SCOPE
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA TUT
V2 RB
APPROX
+12 V
51 D1
0 ≈ 10 K ≈ 8.0
V1
+4.0 V
APPROX
-8.0 V 25 µs for td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC(t) = 0.86°C/W MAX
0.05
0.01
0.02 SINGLE PULSE TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 1.0 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
327
MJ11021 MJ11022
30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 5.0ms 1.0ms 0.5ms L = 200 µH
30 0.1 ms IC/IB1 ≥ 50

20 TC = 25°C
10 VBE(off) 0 - 5.0 V
dc 20
RBE = 47 Ω
5.0 DUTY CYLE = 10%
3.0 TJ = 175°C
2.0
1.0 BONDING WIRE LIMIT 10
SINGLE PULSE
0.3
0.2
0 0
3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 150 200 0 20 60 100 140 180 220 260
Figure 4. Maximum Rated Forward Bias Safe Figure 5. Maximum RBSOA, Reverse Bias Safe
Operating Area (FBSOA) Operating Area
REVERSE BIAS
FORWARD BIAS
For inductive loads, high voltage and high current must be
There are two limitations on the power handling ability of sustained simultaneously during turn–off, in most cases,
a transistor average junction temperature and second with the base to emitter junction reverse biased. Under these
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE conditions the collector voltage must be hold to a safe level
limits of the transistor that must be observed for reliable at or below a specific value of collector current. This can be
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater accomplished by several means such as active clamping, RC
dissipation than the curves indicate. snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
The data of Figure 4 is based on T J(pk) = 175C, TC is devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
variable dependIng on conditions. Second breakdown pulse and represents the voltage–current conditions during
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) reverse biased turn–off. This rating is verified under
175C. TJ(pk) may be calculated from the data in clamped conditions so that the device is never subjected to
Figure 3. At high case temperatures thermal limitations will an avalanche mode. Figure 5 gives ROSOA characteristics.
http://onsemi.com
328
MJ11021 MJ11022
PNP NPN
10,000 30,000
7000 VCE = 5.0 Vdc 20,000 VCE = 5.0 Vdc
5000 TJ = 150°C TJ = 150°C
10,000

3000
7000
2000
5000
TJ = 25°C TJ = 25°C
1000 3000 TJ = - 55°C
700 2000
500 TJ = - 55°C
1000
300
700
200
500
100 300
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 20
PNP NPN
4.0 4.0

IC = 15 A TJ = 25°C IC = 15 A TJ = 25°C
3.5 3.5
IC = 10 A IC = 10 A
3.0 3.0
IC = 5.0 A IC = 5.0 A
2.5 2.5
2.0 2.0
1.5 1.5
1.0 1.0
0.5 0.5
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
PNP NPN
4.0 4.0
3.5 TJ = 25°C 3.5

TJ = 25°C
3.0 3.0
VOLTAGE (VOLTS)
VOLTAGE (VOLTS)
2.5 2.5
2.0 2.0
1.5 1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 100
VBE @ VCE = 5.0 V
1.0 1.0 VBE @ VCE = 5.0 V
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
COLLECTOR CURRENT (AMPS) COLLECTOR CURRENT (AMPS)
http://onsemi.com
329
ON Semiconductor
NPN
High-Current Complementary MJ11028

Silicon Transistors MJ11032*
PNP
amplifier applications. MJ11029
hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc MJ11033 *
hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
• Curves to 100 A (Pulsed) *ON Semiconductor Preferred Device
• Diode Protection to Rated IC

50 AMPERE
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
COMPLEMENTARY
• Junction Temperature to +200C SILICON
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ MJ11028 MJ11032
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
60–120 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
Symbol
VCEO
MJ11029
60
MJ11033
120
Unit
Vdc
300 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
60
5
120 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC
ICM
50
100
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C @ TC = 100C 1.71 W/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 197A–05
TO–204AE (TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for TL 275
Soldering Purposes for 10 seconds
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance Junction to Case
PNP
RθJC
COLLECTOR
NPN
0.584 C
COLLECTOR
MJ11029 MJ11028
MJ11033 MJ11032
BASE BASE
≈ 3.0 k ≈ 25 ≈ 3.0 k ≈ 25
EMITTER EMITTER

May, 2001 – Rev. 3 MJ11028/D
MJ11028 MJ11032 MJ11029 MJ11033
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1) MJ11028, MJ11029 V(BR)CEO 60 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 00 mAdc, IB = 0) MJ11032, MJ11033 120 —
Collector–Emitter Leakage Current ICER mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1 k ohm)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 120 Vdc, RBE = 1 k ohm)
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1 k ohm, TC = 150C)
MJ11028, MJ11029
MJ11032, MJ11033
MJ11028, MJ11029
—
—
—
2
2
10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 120 Vdc, RBE = 1 k ohm, TC = 150C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0)
MJ11032, MJ11033
IEBO
—
—
10
5 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Leakage Current (VCE = 50 Vdc, IB = 0) ICEO — 2 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1k
400
18 k
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 250 mAdc) — 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 Adc, IB = 500 mAdc) — 3.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 200 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 Adc, IB = 300 mAdc)
— 4.5
http://onsemi.com
331
MJ11028 MJ11032 MJ11029 MJ11033
100 There are two limitations on the power–handling ability

50 of a transistor: average junction temperature and second
20
10 operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
5 BONDING WIRE LIMITED dissipation than the curves indicate.
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 200C; TC is
2 SECOND BREAKDOWN LIMITED variable depending on conditions. At high case
1 temperatures, thermal limitations will reduce the power that
MJ11028, 29
0.5 MJ11032, 33 can be handled to values less than the limitations imposed by
second breakdown.
0.2
0.1
0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200

100 k 5

VCE = 5 V MJ11029, MJ11033 PNP
50 k
TJ = 25°C MJ11028, MJ11032 NPN
20 k 4
10 k
3 TJ = 25°C
5k VBE(sat)
IC/IB = 100
2k
2
MJ11029, MJ11033 PNP
1k
MJ11028, MJ11032 NPN
500
1
80 µs 80 µs
200
(PULSED) VCE(sat) (PULSED)
100 0
1 2 5 10 20 50 100 1 2 3 5 10 20 50 100
Figure 3. DC Current Gain Figure 4. “On” Voltage
http://onsemi.com
332
ON Semiconductor
NPN
High-Current Complementary MJ14002 *
PNP
Silicon Power Transistors MJ14001
. . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit
applications, MJ14003 *
• High Current Capability —
IC Continuous = 60 Amperes
• DC Current Gain — 60 AMPERES
hFE = 15–100 @ IC = 50 Adc COMPLEMENTARY
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — SILICON
VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC = 50 Adc POWER TRANSITORS
60–80 VOLTS
300 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ14002
Rating Symbol Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ14001 MJ14003
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Base Voltage VCBO 60 80 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 197A–05
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AE (TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Current — Continuous IE 75
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 17 W/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
360
RθJC 0.584 C/W
330
270
210
150
90
30
0
0 40 80 120 160 200 240


March, 2001 – Rev. 4 MJ14001/D
MJ14002 MJ14001 MJ14003
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) MJ14001 60 —
MJ14002, 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
MJ14003
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO mA
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) MJ14001 — 1.0
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) MJ14402, — 1.0
ÎÎÎÎÎ
MJ14003
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX mA
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) MJ14001 — 1.0
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) MJ14002, — 1.0
ÎÎÎÎÎ
MJ14003
ÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO mA
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) MJ14001 — 1.0
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) MJ14002, — 1.0
ÎÎÎÎÎ
MJ14003
Emitter Cutoff Current IEBO — 1.0 mA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
(IC = 25 Adc, VCE = 3.0 V) 30 —
ÎÎÎÎÎ
(IC = 50 Adc, VCE = 3.0 V) 15 100
(IC = 60 Adc, VCE = 3.0 V) 5 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc)
VCE(sat)
— 1
Vdc
ÎÎÎÎÎ
(IC = 50 Adc, IB = 5.0 Adc) — 2.5
(IC = 60 Adc, IB = 12 Adc) — 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1)
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc)
VBE(sat)
— 2
Vdc
ÎÎÎÎÎ
(IC = 50 Adc, IB = 5.0 Adc) — 3
(IC = 60 Adc, IB = 12 Adc) — 4
ÎÎÎ
Output Capacitance Cob — 2000 pF
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)

70 5.0 ms 1.0 ms 1.0 µs
30

20 dc
10 operation: i.e., the transistor must not be subjected to greater
7.0 TC = 25°C
WIRE BOND LIMIT
3.0 The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 200C; TC is
2.0 THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.7
0.3 Figure 13. At high case temperatures, thermal limitations
0.2 MJ14001
MJ14002, MJ14003 will reduce the power that can be handled to values less than
0.1 the limitations imposed by second breakdown.
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 2. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
334
MJ14002 MJ14001 MJ14003
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
NPN PNP
MJ14002 MJ14001, MJ14003
300 300
200 200
100 100

70 70
50 50
VCE = 3.0 V VCE = 3.0 V
30 30
TJ = -55°C TJ = -55°C
20 TJ = 25°C 20 TJ = 25°C
TJ = 150°C TJ = 150°C
10 10
7.0 7.0
5.0 5.0
3.0 3.0
0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70
2.8 2.8
2.4 TJ = 25°C 2.4 TJ = 25°C

IC = 60 A IC = 60 A
2.0 2.0
1.6 1.6
IC = 25 A IC = 25 A
1.2 1.2
0.8 IC = 10 A 0.8 IC = 10 A
0.4 0.4
0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
IB, BASE CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (AMPS)
2.8 2.8
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.4 2.4
2.0 2.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.6 1.6
1.2 1.2
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70
http://onsemi.com
335
MJ14002 MJ14001 MJ14003
1.0 4.0
0.7 3.0
0.5 2.0 ts
tr
0.3 1.0
0.2 0.7
(µ )
t, TIME (s)
td
µ
0.5
0.1
0.07 0.3 tf
,
0.05 0.2
0.03
0.1
0.02 MJ14002 (NPN) MJ14002 (NPN)
MJ14001, MJ14003 (PNP) 0.07 MJ14001, MJ14003 (PNP)
0.01 0.04
0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70
Figure 9. Turn–On Switching Times Figure 10. Turn–Off Switching Times
VCC -30 V
RL
+2.0 V
RB
0 TO SCOPE
10000 tr ≤ 20 ns
7000 tr ≤ -12 V
20 ns
5000 10 to 100 µs
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
3000 VCC -30 V
(p )
2000 RL
+10
Cib Cib Cob RB
V
1000 0 TO SCOPE
700 Cob tr ≤ 20 ns
500 -12 V tr ≤ 20 ns
TJ = 25°C
,
10 to 100 µs
300 VBB
MJ14002 (NPN) DUTY CYCLE ≈ 2.0%
200 MJ14001, MJ14003 (PNP) +7.0 V
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 6, RB & RL ARE VARIED.

100
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN.
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) FOR NPN CIRCUITS, REVERSE ALL POLARITIES.
Figure 11. Capacitance Variation Figure 12. Switching Test Circuit

1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.02 t1
0.03 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000 2000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
336
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Power MJ15001
PNP
Transistors MJ15002
The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase power transistors designed
for high power audio, disk head positioners and other linear
applications.
• High Safe Operating Area (100% Tested) — 15 AMPERE
POWER TRANSISTORS
200 W @ 40 V COMPLEMENTARY
50 W @ 100 V SILICON
• For Low Distortion Complementary Designs 140 VOLTS
• High DC Current Gain — 200 WATTS
hFE = 25 (Min) @ IC = 4 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO 140 Vdc TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Current — Continuous IE 20 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering
RθJC
TL
0.875
265
C/W
C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Purposes:
1/16″ from Case for 10 seconds

March, 2001 – Rev. 2 MJ15001/D
MJ15001 MJ15002
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC, = 200 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) — 2 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, IB = 0)
ICEO — 250 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, t = 1 s (non–repetitive))
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, t = 1 s (non–repetitive))
5
0.5
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4 Adc, IB = 0.4 Adc)
VCE(sat) — 1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1 MHz)
Cob — 1000 pF

TC = 25°C a transistor: average junction temperature and second

2 The data of Figure 1 is based on TJ (pk) = 200C; TC is
TJ = 200°C
variable depending on conditions. At high case
1 temperatures, thermal limitations will reduce the power that
0.7 THERMAL LIMITATION (SINGLE PULSE) can be handled to values less than the limitations imposed by
0.5 SECOND BREAKDOWN LIMITED second breakdown.
0.3 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
0.2
2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200
http://onsemi.com
338
MJ15001 MJ15002
1000 10
f T, CURRENT-GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

700 TJ = 25°C 9
500 Cib MJ15002 (PNP)
8
300 Cib
C, CAPACITANCE (pF)
7
200
6 TJ = 25°C
Cob
VCE = 10 V
100 5 ftest = 0.5 MHz
70
4
50 Cob
3
30 MJ15001 (NPN) MJ15001 (NPN)
2
20 MJ15002 (PNP)
1
10 0
1.5 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 150 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Capacitances Figure 3. Current–Gain — Bandwidth Product
MJ15001 MJ15002
200 200
TJ = 100°C VCE = 2 Vdc VCE = 2 Vdc
100 100 TJ = 100°C
70 25°C 70 25°C
50 50
30 30
20 20
10 10
7 7
5 5
3 3
2 2
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20
MJ15001 MJ15002
2.0 2.0
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2
VBE @ VCE = 2 Vdc VBE @ VCE = 2 Vdc
0.8 TJ = 25°C 0.8 TJ = 25°C
TJ = 100°C 100°C TJ = 100°C

0.4 100°C 0.4
25°C 25°C
0 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20
http://onsemi.com
339
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Power MJ15003 *
PNP
The MJ15003 and MJ15004 are PowerBase power transistors
applications.
• High Safe Operating Area (100% Tested) — 20 AMPERE
POWER TRANSISTORS
250 W @ 50 V COMPLEMENTARY
• For Low Distortion Complementary Designs SILICON
• High DC Current Gain — 140 VOLTS
hFE = 25 (Min) @ IC = 5 Adc 250 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEBO 5 Vdc TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJC
TL
0.70
265
C/W
C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Purposes:
1/16″ from Case for 10 seconds

March, 2001 – Rev. 9 MJ15003/D
MJ15003 MJ15004
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Sustaining Voltage (1) VCEO(sus) 140 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) — 2 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, IB = 0)
ICEO — 250 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Baised IS/b Adc
(VCE = 50 Vdc, t = 1 s (non repetitive)) 5 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, t = 1 s (non repetitive)) 1 —
ÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE 25 150
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — 1 Vdc
(IC = 5 Adc, IB = 0.5 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Emitter On Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product fT 2 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance cob — 1000 pF
20 There are two limitations on the powerhandling ability of

15 TC = 25°C a transistor: average junction temperature and second
10

7
5
2 TJ = 200°C The data of Figure 1 is based on TJ(pk) = 200C; TC is
1 THERMAL LIMITATION (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED temperatures, thermal limitations will reduce the power that
0.7
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO can be handled to values less than the limitations imposed by
0.5
second breakdown.
0.3
0.2
2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 150 200
http://onsemi.com
341
ON Semiconductor
NPN
PNP
designed for high–power audio, disk head positioners, and other linear *ON Semiconductor Preferred Device
applications. These devices can also be used in power switching
circuits such as relay or solenoid drivers, dc–to–dc converters or 10 AMPERE
inverters. COMPLEMENTARY
• High Safe Operating Area (100% Tested) POWER TRANSISTORS
1.2 A @ 100 V 250 VOLTS
200 WATTS
• Completely Characterized for Linear Operation
• High DC Current Gain and Low Saturation Voltage
hFE = 20 (Min) @ 2 A, 2 V
VCE(sat) = 2.5 V (Max) @ IC = 4 A, IB = 0.4 A
• For Low Distortion Complementary Designs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1) ICM 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1) IBM 5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter Current — Continuous
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1)
IE
IEM
12
20
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 200
1.14
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Purposes

March, 2001 – Rev. 2 MJ15011/D
MJ15011 MJ15012
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1) V(BR)CEO 250 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO — 1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc)
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX — 500
(VCE = 250 Vdc, VBE(off) = 15 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 500 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
20 100
(IC = 4 Adc, VCE = 2 Vdc) 5 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.2 Adc)
VCE(sat)
— 0.8
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4 Adc, IB = 0.4 Adc) — 25
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on) — 2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, f = 1 MHz)
Cob — 750 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, t = 0.5 s) 5 —
(VCE = 100 Vdc, t = 0.5 s) 1.4 —
200 10
VCE = 2 Vdc
100 5
50
2
dc
20 MJ15011 1
MJ15012
10 0.5 BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
5
(SINGLE PULSE)
0.2
2 0.1
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 15 20 30 50 70 100 150 200 300
IC, COLLECTOR CURRENT VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Active Region Safe Operating Area
http://onsemi.com
343
ON Semiconductor
NPN
PNP *
Transistors MJ15021
. . . designed for use as high frequency drivers in Audio Amplifiers. *ON Semiconductor Preferred Device
• High Gain Complementary Silicon Power Transistors

4.0 AMPERES
• Safe Operating Area 100% Tested 50 V, 3.0 A, 1.0 Sec. COMPLEMENTARY
• Excellent Frequency Response — SILICON
fT = 20 MHz min. POWER TRANSISTORS
200 AND 250 VOLTS
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
MJ15020
Unit
150 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ15021
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Continuous IB 2.0 Adc CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Current — Continuous IE 6.0 Adc (TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100
RθJC 1.17 C/W
SECOND BREAKDOWN
80 DERATING
60
THERMAL DERATING
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

May, 2001 – Rev. 0 MJ15020/D
MJ15020 MJ15021
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) MJ15020, MJ15021 250 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, IB = 0) MJ15020, MJ15021 — 500
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 500
(VEB = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward–Biased
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive)
IS/b 3.0 — Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30 —
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 V) 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter on Voltage VBE(on) — 2.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, Ftest = 1.0 MHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
200 10
7.0
5.0
100 3.0 TC = 25°C

70 2.0
50 NPN 1.0
0.7
30 0.5
20 0.3
0.2 WIRE BOND LIMIT
PNP
THERMAL LIMIT
10 0.1 SECOND BREAKDOWN
7.0 0.07
TJ = 25°C 0.05 LIMIT
5.0
VCE = 4.0 Vdc 0.03
3.0 0.02
MJ15020/21
2.0 0.01
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
345
ON Semiconductor
NPN
MJ15022
MJ15024 *
applications.
16 AMPERE
• High Safe Operating Area (100% Tested) — SILICON
2 A @ 80 V POWER TRANSISTORS
• High DC Current Gain — 200 AND 250 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol MJ15022 MJ15024 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO 350 400 Vdc CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEBO 5 Vdc (TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak (1) 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJC 0.70 C/W

March, 2001 – Rev. 9 MJ15022/D
MJ15022 MJ15024
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) VCEO(sus)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) MJ15022 200 —
MJ15024
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
250 —
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) MJ15022 — 250
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 150 Vdc, IB = 0)
(VCE = 200 vdc, IB = 0)
MJ15022
MJ15024
ICEO
—
—
500
500
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 5 Vdc, IB = 0)
IEBO — 500 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive)) 5 —
(VCE = 80 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive))
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15
5
60
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc) — 1.4
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) — 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2.2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ

TC = 25°C breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

20
BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 1 is based on TJ(pk) = 200C; TC is
THERMAL LIMITATION variable depending on conditions. At high case
1.0 (SINGLE PULSE) temperatures, thermal limitations will reduce the power that
SECOND BREAKDOWN can be handled to values Ion than the limitations imposed by
LIMITED
second breakdown.
0.2
0.1
0.1 0.2 0.5 10 20 50 100 250 500 1k
http://onsemi.com
347
MJ15022 MJ15024

4000
3000 TJ = 25°C
Cib 9 TJ = 25°C
8 VCE = 10 V
fTest = 1 MHz
C, CAPACITANCE (pF)
1000 7
6
500
5
Cob 4
3
100 2
1
40 0
0.3 0.5 1 5.0 10 30 50 100 300 0.1 0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10
200
TJ = 100°C VCE = 4 V
100 1.8
TJ = 25°C
50 1.4
V, VOLTAGE (VOLTS)
20
1.0
10 VBE(on) @ VCE = 4 V
0.8 TJ = 25°C
5.0 100°C
0.2 25°C
1.0 100°C
0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.15 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
1.8 TJ = 25°C
1.4
1.0
16 A
0.6 8A
IC = 4 A
0.2
0
0.03 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 30
IB, BASE CURRENT (AMPS)
http://onsemi.com
348
ON Semiconductor
PNP
MJ15023
MJ15025 *
applications.
16 AMPERE
• High Safe Operating Area (100% Tested) — SILICON
2 A @ 80 V POWER TRANSISTORS
• High DC Current Gain — 200 AND 250 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
Symbol
VCEO
MJ15023
200
MJ15025
250
Unit
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCBO
VEBO
350
5
400 Vdc
Vdc
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak (1)
IC 16
30
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJC 0.70 C/W

March, 2001 – Rev. 9 MJ15023/D
MJ15023 MJ15025
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) VCEO(sus)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) MJ15023 200 —
MJ15025
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
250 —
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 150 Vdc, IB = 0)
(VCE = 200 Vdc, IB = 0)
MJ15023
MJ15025
ICEO
—
—
500
500
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 5 Vdc, IB = 0) Both
IEBO — 500 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive)) 5 —
(VCE = 80 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive))
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15
5
60
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc) — 1.4
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2.2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ

50 TC = 25°C a transistor: average junction temperature and second

20
1.0 BONDING WIRE LIMITED temperatures, thermal limitations will reduce the power that
THERMAL LIMITATION can be handled to values less than the limitations imposed by
(SINGLE PULSE)
second breakdown.
0.1
0.1 0.2 0.5 10 20 50 100 250 500 1k
http://onsemi.com
350
MJ15023 MJ15025

4000
3000 Cib 9 TJ = 25°C
VCE = 10 V
TJ = 25°C 8 fTest = 1 MHz
C, CAPACITANCE (pF)
7
1000
6
500 5
Cob
4
3
2
100
1
0
0.3 0.5 1.0 5.0 10 30 50 100 300 0.1 0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10
200
TJ = 100°C VCE = 4.0 V 1.8
100
TJ = 25°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
50 1.4
20 1.0 TJ = 25°C
0.8 VBE(on) @ VCE = 4.0 V
10
5.0 100°C
0.2 25°C VCE(sat) @ IC/IB = 10
2.0 100°C
0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.1 0.5 1.0 2.0 5.0 10
Figure 4. DC Current Gain Figure 5. “On” Voltages
http://onsemi.com
351
ON Semiconductor
PNP
MJ21193 *
The MJ21193 and MJ21194 utilize Perforated Emitter technology MJ21194 *
and are specifically designed for high power audio output, disk head *ON Semiconductor Preferred Device
positioners and linear applications.
• Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERE
COMPLEMENTARY
• High DC Current Gain – SILICON POWER
hFE = 25 Min @ IC = 8 Adc TRANSISTORS
• Excellent Gain Linearity 250 VOLTS
• High SOA: 2.5 A, 80 V, 1 Second 250 WATTS
MAXIMUM RATINGS
Sym-
Rating bol Value Unit
CASE 1–07
Emitter–Base Voltage VEBO 5 Vdc TO–204AA
(TO–3)
Collector–Emitter Voltage – 1.5 V VCEX 400 Vdc
Collector Current — Peak (1) 30
Total Power Dissipation @ TC = 25°C PD 250 Watts
Derate Above 25°C 1.43 W/°C
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, – 65 to °C
Tstg +200
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 0.7 °C/W

Characteristic Symbol Min Typical Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
Collector Cutoff Current ICEO — — 100 µAdc
(VCE = 200 Vdc, IB = 0)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 µs, Duty Cycle ≤10%. (continued)

March, 2001 – Rev. 3 MJ21193/D
MJ21193 MJ21194

OFF CHARACTERISTICS
Emitter Cutoff Current IEBO — — 100 µAdc
(VCE = 5 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current ICEX — — 100 µAdc
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with Base Forward IS/b Adc
Biased 5 — —
(VCE = 50 Vdc, t = 1 s (non–repetitive) 2.5 — —
(VCE = 80 Vdc, t = 1 s (non–repetitive)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE 75
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) 25 —
(IC = 16 Adc, IB = 5 Adc) 8 —
Base–Emitter On Voltage VBE(on) — — 2.2 Vdc
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc) — — 1.4
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) — — 4
Total Harmonic Distortion at the Output THD %
VRMS = 28.3 V, f = 1 kHz, PLOAD = 100 WRMS hFE
unmatch — 0.8 —
ed
(Matched pair hFE = 50 @ 5 A/5 V) hFE — 0.08 —
matched
Current Gain Bandwidth Product fT 4 — — MHz
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≤2%
PNP MJ21193 NPN MJ21194

T CURRENT GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)
6.5 8.0
6.0 VCE = 10 V 7.0
6.0 10 V
5.5
5V
5.0
5.0 VCE = 5 V
4.0
4.5
3.0
4.0 2.0
3.5 TJ = 25°C TJ = 25°C
1.0
ftest = 1 MHz ftest = 1 MHz
3.0 0
f,
f,
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10

IC COLLECTOR CURRENT (AMPS) IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. Typical Current Gain Figure 2. Typical Current Gain

Bandwidth Product Bandwidth Product
http://onsemi.com
353
MJ21193 MJ21194

1000 1000

TJ = 100°C
TJ = 100°C
25°C 25°C
100 100
-25°C
-25°C
VCE = 20 V VCE = 20 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 3. DC Current Gain, VCE = 20 V Figure 4. DC Current Gain, VCE = 20 V

1000 1000
TJ = 100°C
TJ = 100°C
25°C 25°C
100 100
-25°C -25°C
VCE = 5 V VCE = 20 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

30 35
1.5 A IB = 2 A
IB = 2 A 30
25 1.5 A
I C, COLLECTOR CURRENT (A)
25
20 1A 1A
20
15
0.5 A 15 0.5 A
10 10
5.0 5.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0 5.0 10 15 20 25 0 5.0 10 15 20 25
Figure 7. Typical Output Characteristics Figure 8. Typical Output Characteristics
http://onsemi.com
354
MJ21193 MJ21194
3.0 1.4
1.2 TJ = 25°C
2.5 TJ = 25°C
SATURATION VOLTAGE (VOLTS)

1.0 IC/IB = 10
2.0 IC/IB = 10 VBE(sat)
0.8
1.5 0.6
1.0 VBE(sat) 0.4
0.5 0.2 VCE(sat)

VCE(sat)
0 0
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 9. Typical Saturation Voltages Figure 10. Typical Saturation Voltages

10 10
VBE(on) , BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
TJ = 25°C VCE = 20 V (SOLID)

1.0 1.0 VCE = 5 V (DASHED)
VCE = 20 V (SOLID) VCE = 5 V (DASHED)
0.1 0.1
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 11. Typical Base–Emitter Voltage Figure 12. Typical Base–Emitter Voltage
100

a transistor; average junction temperature and secondary

1 SEC breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
10
TC = 25°C
1.0 The data of Figure 13 is based on TJ(pk) = 200°C; TC is vari-
able depending on conditions. At high case temperatures,
thermal limitations will reduce the power than can be handled
to values less than the limitations imposed by second break-
0.1
down.
1.0 10 100 1000
http://onsemi.com
355
MJ21193 MJ21194
10000 10000
TJ = 25°C Cib TJ = 25°C Cib
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000 Cob 1000
Cob
f(test) = 1 MHz f(test) = 1 MHz
100 100
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 14. MJ21193 Typical Capacitance Figure 15. MJ21194 Typical Capacitance
1.2
1.1
T , TOTAL HARMONIC
1.0
DISTORTION (%)
0.9
0.8
HD
0.7
0.6
10 100 1000 10000 100000
FREQUENCY (Hz)
Figure 16. Typical Total Harmonic Distortion
+50 V
AUDIO PRECISION
MODEL ONE PLUS SOURCE 50 Ω
TOTAL HARMONIC AMPLIFIER DUT
DISTORTION
ANALYZER
0.5 Ω
0.5 Ω 8.0 Ω
DUT
-50 V
Figure 17. Total Harmonic Distortion Test Circuit
http://onsemi.com
356
ON Semiconductor
PNP
MJ21195 *
The MJ21195 and MJ21196 utilize Perforated Emitter technology MJ21196 *
and are specifically designed for high power audio output, disk head *ON Semiconductor Preferred Device
positioners and linear applications.
• Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERE
COMPLEMENTARY
hFE = 25 Min @ IC = 8 Adc TRANSISTORS
• Excellent Gain Linearity 250 VOLTS
• High SOA: 3 A, 80 V, 1 Second 250 WATTS
MAXIMUM RATINGS
Sym-
Rating bol Value Unit
Collector–Emitter Voltage VCEO 250 Vdc CASE 1–07
TO–204AA
Collector–Base Voltage VCBO 400 Vdc (TO–3)
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to °C
+200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C ± 5°C unless otherwise noted)

OFF CHARACTERISTICS
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
(VCE = 200 Vdc, IB = 0)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 µs, Duty Cycle ≤10%. (continued)

April, 2001 – Rev. 2 MJ21195/D
MJ21195 MJ21196

OFF CHARACTERISTICS
(VCE = 5 Vdc, IC = 0)
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with Base Forward IS/b Adc
Biased 5 — —
(VCE = 80 Vdc, t = 1 s (non–repetitive)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE 75
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) 25 —
(IC = 16 Adc, VCE = 5 Vdc) 8 —
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc) — — 1.4
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) — — 4
unmatch — 0.8 —
ed
(Matched pair hFE = 50 @ 5 A/5 V) hFE — 0.08 —
matched

6.5 7.5
T CURRENT BANDWIDTH PRODUCT (MHz)
6.0 VCE = 10 V 7.0

5.5 6.5
5.0 5V 6.0
4.5 5.5
4.0 5.0 10 V
3.5 4.5
3.0 4.0 VCE = 5 V
2.5 3.5
2.0 3.0
1.5 2.5
TJ = 25°C 2.0 TJ = 25°C
1.0
0.5 1.5
f,
f,
0 1.0
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10

http://onsemi.com
358
MJ21195 MJ21196

1000 1000
TJ = 100°C 25°C
100 100 TJ = 100°C 25°C
-25°C
VCE = 20 V -25°C
VCE = 20 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

1000 1000
TJ = 100°C 25°C
100 100 TJ = 100°C
25°C
-25°C
-25°C
VCE = 5 V
VCE = 5 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

30 30
IB = 2 A
IB = 2 A 1.5 A
25 25
IC , COLLECTOR CURRENT (A)
1.5 A 1A
20 1A 20
0.5 A
15 0.5 A 15
10 10
5.0 5.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0 5.0 10 15 20 25 0 5.0 10 15 20 25
http://onsemi.com
359
MJ21195 MJ21196
3.0 1.6
TJ = 25°C
TJ = 25°C 1.4 IC/IB = 10
2.5

IC/IB = 10
1.2 VBE(sat)
2.0
1.0
1.5 0.8
VBE(sat)
0.6
1.0
VCE(sat) 0.4 VCE(sat)
0.5
0.2
0 0
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

10 10
TJ = 25°C
TJ = 25°C
VCE = 5 V (DASHED) VCE = 20 V (SOLID) VCE = 5 V (DASHED)

1.0 1.0 VCE = 20 V (SOLID)
0.1 0.1
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
100

IC , COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10 ms a transistor; average junction temperature and secondary

50 ms
10
1 sec
250 ms The data of Figure 13 is based on TJ(pk) = 200°C; TC is vari-
1.0
TJ = 25°C to values less than the limitations imposed by second break-
0.1 down.
1.0 10 100 1000
http://onsemi.com
360
MJ21195 MJ21196
10000 10000
Cib
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000 1000
Cob
TJ = 25°C TJ = 25°C Cob

100 100
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 14. MJ21195 Typical Capacitance Figure 15. MJ21196 Typical Capacitance
1.2
1.1
T , TOTAL HARMONIC
1.0
DISTORTION (%)
0.9
0.8
HD
0.7
0.6
10 100 1000 10000 100000
FREQUENCY (Hz)
+50 V
AUDIO PRECISION
DISTORTION
ANALYZER
0.5 Ω
0.5 Ω 8.0 Ω
DUT
-50 V
http://onsemi.com
361
ON Semiconductor
MJ4502
High-Power PNP Silicon
Transistor 30 AMPERE
POWER TRANSISTOR
. . . for use as an output device in complementary audio amplifiers to PNP SILICON
100–Watts music power per channel. 100 VOLTS
hFE = 25–100 @ IC = 7.5 A
• Complement to the NPN MJ802
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCER
Value
100
Unit
Vdc
CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Collector–Base Voltage VCB 100 Vdc (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VEB
90
4.0
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
IC
IB
30
7.5
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 200
1.14
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Figure 1. Power–Temperature Derating Curve

April, 2001 – Rev. 9 MJ4502/D
MJ4502
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1) (IC = 200 mAdc, RBE = 100 Ohms) V(BR)CER 100 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage(1) (IC = 200 mAdc) VCEO(sus) 90 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Cutoff Current ICBO mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) — 1.0
(VCB = 100 Vdc, IE = 0, TC = 150C) — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter–Base Cutoff Current (VBE = 4.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 7.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) hFE 25 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter “On” Voltage (IC = 7.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 7.5 Adc, IB = 0.75 Adc) VCE(sat) — 0.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 7.5 Adc, IB = 0.75 Adc) VBE(sat) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 2.0 — MHz
(1)Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
3.0 2.0
VCE = 2.0 V 1.8 TJ = 25°C
2.0
hFE , NORMALIZED CURRENT GAIN
TJ = 175°C
1.6
ON" VOLTAGE (VOLTS)
25°C 1.4
1.0 VBE(sat) @ IC/IB = 10
1.2
0.7
-55°C 1.0
0.5
0.8 VBE @ VCE = 2.0 V
0.3 0.6
0.2 0.4 VCE(sat) @ IC/IB = 10
DATA SHOWN IS OBTAINED FROM PULSE TESTS
AND ADJUSTED TO NULLIFY EFFECT OF ICBO. 0.2
0.1 0
0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
100
1.0 ms
50
100 µs
20 dc The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits
10 below which the device will not enter secondary breakdown.
5.0 Collector load lines for specific circuits must fall within the
5.0 ms applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.
2.0 TJ = 200°C
1.0 SECONDARY BREAKDOWN LIMITED power–temperature derating must be observed for both
0.5 BONDING WIRE LIMITED steady state and pulse power conditions.
THERMAL LIMITATIONS @ TC = 25°C
0.2 PULSE DUTY CYCLE 10%
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
http://onsemi.com
363
ON Semiconductor
MJ802
High-Power NPN Silicon
Transistor 30 AMPERE
POWER TRANSISTOR
. . . for use as an output device in complementary audio amplifiers to NPN SILICON
100–Watts music power per channel. 100 VOLTS
hFE = 25–100 @ IC = 7.5 A
• Complement to the PNP MJ4502
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol Value Unit CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Collector–Emitter Voltage VCER 100 Vdc (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VCEO
100
90
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current
VEB
IC
4.0
30
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ IB 7.5 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 200
1.14
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

April, 2001 – Rev. 9 M J802/D
MJ802
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1) (IC = 200 mAdc, RBE = 100 Ohms) BVCER 100 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage(1) (IC = 200 mAdc) VCEO(sus) 90 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Cutoff Current ICBO mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) — 1.0
(VCB = 100 Vdc, IE = 0, TC = 150C) — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Cutoff Current (VBE = 4.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain(1) (IC = 7.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) hFE 25 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter “On” Voltage (IC = 7.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 7.5 Adc, IB = 0.75 Adc) VCE(sat) — 0.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 7.5 Adc, IB = 0.75 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
(1)Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
fT 2.0 — MHz
http://onsemi.com
365
MJ802
3.0 2.0
2.0 1.8
hFE, NORMALIZED CURRENT GAIN
TJ = 175° C
VCE = 2.0 V 1.6 TJ = 25°C
ON" VOLTAGE (VOLTS)

25°C 1.4
1.0
1.2
0.7
- 55°C 1.0
0.5
0.3 0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
0.2 0.4
DATA SHOWN IS OBTAINED FROM PULSE TESTS
AND ADJUSTED TO NULLIFY EFFECT OF ICBO. 0.2
0.1 0
0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. ‘‘On” Voltages

50 100 µs below which the device will not enter secondary breakdown.
1.0 ms Collector load lines for specific circuits must fall within the
20
dc applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.
10
To insure operation below the maximum TJ, power
5.0 temperature derating must be observed for both steady state
5.0ms
TJ = 200° C and pulse power conditions.
2.0
1.0
SECONDARY BREAKDOWN LIMITED
THERMAL LIMITATIONS TC = 25°C
0.2 PULSE DUTY CYCLE ≤ 10%
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
http://onsemi.com
366
ON Semiconductor
MJB18004D2T4

1000 VOLTS
D2PAK For Surface Mount
The MJB18004D2T4 is state–of–art High Speed High gain Bipolar

hFE window.
Main features:
MARKING DIAGRAM
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the YWW
MJB
H2BIP Structure which Minimizes the Spread 18004D2
• Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode D2PAK
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat) CASE 418B
STYLE 1
Spreads Y = Year
WW = Work Week
It’s characteristics make it also suitable for PFC application.

June, 2001 – Rev. 0 MJB18004D2T4/D
MJB18004D2T4
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCBO
450
1000
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCES
VEBO
1000
12
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current — Peak (1) ICM
IC 5
10
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance — Junction to Case
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance — Junction to Ambient
RθJC
RθJA
1.65
62.5
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
Junction to Ambient, When Mounted With the Minimun
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Recommended Pad Size.
ÎÎÎÎ
RθJA 50 C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
http://onsemi.com
368
MJB18004D2T4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Breakdown Voltage VEBO 12 14 Vdc
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc) @ TC = 25°C 0.8 1
@ TC = 125°C 0.7 0.9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.9
0.8
1
0.9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc) @ TC = 25°C 0.38 0.5
@ TC = 125°C 0.55 0.75
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.45
0.75
0.75
1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 40 mAdc) @ TC = 25°C 0.9 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 25°C 0.25 0.5
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.28
ÎÎÎÎ
0.6
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, VCE = 1 Vdc)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ @ TC = 25°C
hFE
15 28
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 10 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc) @ TC = 25°C 6 8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 4 6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, VCE = 2.5 Vdc) @ TC = 25°C 18 28
@ TC = 125°C 14 20
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ @ 1 µs @ TC = 25°C VCE(dsat) 9 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 Adc @ TC = 125°C 16
Dynamic Saturation
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 100 mA
Voltage:
VCC = 300 V @ 3 µs @ TC = 25°C 3.1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 9
3 µs respectively
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
after rising IB1 @ 1 µs @ TC = 25°C 11
IC = 2 Adc @ TC = 125°C 18
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 IB1 = 0
0.4
4A
@ 3 µs @ TC = 25°C 1.4
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 300 V
@ TC = 125°C 8
http://onsemi.com
369
MJB18004D2T4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Forward Diode Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ VEC 1.5 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 1 Adc) @ TC = 25°C 0.96
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 0.72
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 2 Adc) @ TC = 25°C 1.15 1.7
@ TC = 125°C 0.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Forward Recovery Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tfr 440 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob 60 100 pF
ÎÎÎÎ
Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cib 450 750 pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–on Time IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc @ TC = 25°C ton 500 750 ns
IB2 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 100
150
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.6
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 120
500
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.5
0 5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.6
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (VCC = 15 V)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 2.5 Adc @ TC = 125°C 300
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 500 mAdc
Ad
IB2 = 500 mAdc
VZ = 350 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts 2.12
2.6
2.4 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
LC = 300 µH @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 355
750
500 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 230
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 2 Adc
IB1 = 400 mAdc
Ad
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 400 mAdc
@ TC = 125°C 2.9
VZ = 300 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
LC = 200 µH @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 300
700
450 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 100
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 Adc
IB1 = 100 mAdc
Ad
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 500 mAdc
@ TC = 125°C 1.05
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VZ = 300 V
Crossover Time LC = 200 µH @ TC = 25°C tc 75 120 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 160
http://onsemi.com
370
MJB18004D2T4
100 100
TJ = 125°C
VCE = 1 V VCE = 5 V
TJ = -20°C TJ = -20°C

TJ = 25°C TJ = 25°C
10 10
TJ = 125°C
1 1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
3 10
TJ = 25°C
IC/IB = 5 TJ = 125°C
5A
2
4A TJ = 25°C
3A 1
2A
1 1A
TJ = -20°C
IC = 500 mA
0 0.1
0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

Voltage
10 10
TJ = 125°C IC/IB = 20 TJ = 125°C
IC/IB = 10
TJ = -20°C
1 1
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = -20°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

Voltage Voltage
http://onsemi.com
371
MJB18004D2T4
10 10

1 TJ = -20°C 1 TJ = -20°C
TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = 125°C TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
10 10
25°C
1 1
TJ = -20°C
TJ = 125°C TJ = 25°C
125°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
1000 1200
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Cib (pF) TJ = 25°C TC = 25°C

f(test) = 1 MHz BVCER @ ICER = 10 mA
C, CAPACITANCE (pF)
1000
100
Cob 800
BVCER(sus) @
ICER = 200
mA,
Lc = 25 mH
10 600
1 10 100 10 100 1000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) BASE-EMITTER RESISTOR (Ω)
Figure 11. Capacitance Figure 12. BVCER = f(RBE)
http://onsemi.com
372
MJB18004D2T4
3200 5
IBon = IBoff
TJ = 25°C VCC = 300 V IC/IB = 10
VCC = 300 V
PW = 20 µs 4
2400 PW = 20 µs
IC/IB = 10
t, TIME (s)
3
t, TIME (ns)
µ
1600
2
800
1 TJ = 125°C
IC/IB = 5 TJ = 25°C IC/IB = 5
0 0
1 2 3 4 1 2 3 4
4 4
3 3
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
2 2

1 1
VCC = 15 V VCC = 15 V
TJ = 125°C VZ = 300 V TJ = 125°C VZ = 300 V
TJ = 25°C LC = 200 µH TJ = 25°C LC = 200 µH
0 0
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
1000 1000
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
800 800
IBon = IBoff IBoff = IBon
VCC = 15 V tc VCC = 15 V
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
600 VZ = 300 V 600 VZ = 300 V

LC = 200 µH LC = 200 µH
400 400
tfi
200 200
0 0
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
Figure 17. Inductive Switching Time, Figure 18. Inductive Switching Time,
tc and tfi @ IC/IB = 5 tfi @ IC/IB = 10
http://onsemi.com
373
MJB18004D2T4
1600 5
IBoff = IBon IC/IB = 10 IBon = IBoff TJ = 125°C
VCC = 15 V VCC = 15 V IC = 1 A TJ = 25°C
VZ = 300 V VZ = 300 V
1200 LC = 200 µH

LC = 200 µH
4
IC = 2 A
t, TIME (ns)
800
3
400
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0 2
0 1 2 3 4 0 5 10 15 20
Figure 19. Inductive Switching, tc @ IC/IB = 10 Figure 20. Inductive Storage Time
1000 2000
IBoff = IBon TJ = 125°C IC = 2 A IBon = IBoff TJ = 125°C
VCC = 15 V TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
800 VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH 1500 LC = 200 µH

IC = 2 A
600
IC = 1 A 1000
400
500
200
IC = 1 A
0 0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 2 8 14 20
4 420
IBon = IBoff
dI/dt = 10 A/µs
VCC = 15 V
VZ = 300 V TC = 25°C
IB = 50 mA
LC = 200 µH
3 380
t, TIME (s)
µ
2 340
IB = 100 mA
IB = 200 mA
IB = 500 mA I = 1 A
B
1 300
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 0 0.5 1 1.5 2
Figure 23. Inductive Storage Time, tsi Figure 24. Forward Recovery Time, TFR
http://onsemi.com
374
MJB18004D2T4
10
VCE 9 IC 90% IC
dyn 1 µs
8 tfi
dyn 3 µs tsi
7
6
0V 10% IC
VOLTS
5 Vclamp 10% Vclamp

tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
IB 1
3 µs
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
TIME

VFRM
VF
VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0 2 4 6 8 10
http://onsemi.com
375
MJB18004D2T4
+15 V
IC PEAK
100
150
Ω VCE PEAK
Ω
3W
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
+10 V MPF930 Iout
IB
A
50 Ω IB2
RB2
MJE210
150
L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF Ω
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
3W
1 µF IC(pk) = 100 mA RB1 selected for RB1 selected
-Voff desired Ib1 for
desired Ib1
100 6
TC ≤ 125°C
5 GAIN ≥ 5
10 1 µs LC = 2 mH
1 ms 10 µs 4
5 ms
DC EXTENDED
1 3
SOA
2 -5 V
0.1
1 0V -1.5
V
0.01 0
10 100 1000 200 400 600 800 1000
http://onsemi.com
376
MJB18004D2T4
There are two limitations on the power handling ability

1.0 of a transistor: average junction temperature and second
SECOND breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE
0.8 BREAKDOWN limits of the transistor that must be observed for reliable
DERATING operation; i.e., the transistor must not be subjected to

greater dissipation than the curves indicate. The data of
0.6
Figure 28 is based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable de-
pending on power level. Second breakdown pulse limits
0.4 are valid for duty cycles to 10% but must be derated when
TC > 25°C. Second breakdown limitations do not derate
0.2 THERMAL the same as thermal limitations. Allowable current at the
DERATING voltages shown on Figure 28 may be found at any case
temperature by using the appropriate curve on Figure 30.
0
20 40 60 80 100 120 140 160 TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 31. At
TC, CASE TEMPERATURE (°C) any case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limita-
Figure 30. Forward Bias Power Derating tions imposed by second breakdown. For inductive loads,
high voltage and current must be sustained simultaneously
during turn–off with the base–to–emitter junction reverse
biased. The safe level is specified as a reverse–biased safe
operating area (Figure 29). This rating is verified under
clamped conditions so that the device is never subjected to
an avalanche mode.

1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1
PULSE TRAIN SHOWN
t1
SINGLE PULSE t2 READ TIME AT t1
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 31. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for MJB18004D2T4
http://onsemi.com
377
MJB18004D2T4
INFORMATION FOR USING THE D2PAK SURFACE MOUNT PACKAGE
RECOMMENDED FOOTPRINT FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS

Surface mount board layout is a critical portion of the interface between the board and the package. With the
total design. The footprint for the semiconductor packages correct pad geometry, the packages will self align when
must be the correct size to ensure proper solder connection subjected to a solder reflow process.
0.33
8.38
0.08
2.032
0.42 0.24
10.66 6.096
0.04
1.016
0.12
3.05
0.63
inches
17.02
mm
POWER DISSIPATION FOR A SURFACE MOUNT DEVICE

The power dissipation for a surface mount device is a Although one can almost double the power dissipation with
function of the Collector pad size. These can vary from the this method, one will be giving up area on the printed
minimum pad size for soldering to a pad size given for circuit board which can defeat the purpose of using surface
maximum power dissipation. Power dissipation for a mount technology. For example, a graph of RθJA versus
surface mount device is determined by TJ(max), the Collector pad area is shown in Figure 32
maximum rated junction temperature of the die, RθJA, the 70
JA , Thermal Resistance, Junctionto Ambient (C/W)
thermal resistance from the device junction to ambient, and Board Material = 0.0625″
the operating temperature, TA. Using the values provided ° G-10/FR-4, 2 oz Copper TA = 25°C
60
on the data sheet, PD can be calculated as follows: 2.5 Watts
TJ(max) – TA
PD = 50
RθJA
3.5 Watts
The values for the equation are found in the maximum 40
ratings table on the data sheet. Substituting these values
into the equation for an ambient temperature TA of 25°C, 5 Watts
30
one can calculate the power dissipation of the device. For a
D2PAK device, PD is calculated as follows.
20
0 2 4 6 8 10 12 14 16
PD = 150°C – 25°C = 2.5 Watts
R
50°C/W A, Area (square inches)

θ
The 50°C/W for the D2PAK package assumes the use of Figure 32. Thermal Resistance versus Collector Pad
Area for the D2PAK Package (Typical)
the recommended footprint on a glass epoxy printed circuit
board to achieve a power dissipation of 2.5 Watts. There are Another alternative would be to use a ceramic substrate
other alternatives to achieving higher power dissipation or an aluminum core board such as Thermal Clad. Using a
from the surface mount packages. One is to increase the board material such as Thermal Clad, an aluminum core
area of the Collector pad. By increasing the area of the board, the power dissipation can be doubled using the same
collection pad, the power dissipation can be increased. footprint.
http://onsemi.com
378
MJB18004D2T4
SOLDER STENCIL GUIDELINES

Prior to placing surface mount components onto a printed typical stencil for the DPAK and D2PAK packages. The
circuit board, solder paste must be applied to the pads. pattern of the opening in the stencil for the Collector pad is
Solder stencils are used to screen the optimum amount. not critical as long as it allows approximately 50% of the
These stencils are typically 0.008 inches thick and may be pad to be covered with paste.
made of brass or stainless steel. For packages such as the
SC–59, SC–70/SOT–323, SOD–123, SOT–23, SOT–143,
SOT–223, SO–8, SO–14, SO–16, and SMB/SMC diode ÇÇ
ÇÇ ÇÇÇ
ÇÇÇ
ÇÇÇ ÇÇ
ÇÇÇ ÇÇ SOLDER PASTE
ÇÇ ÇÇÇ
packages, the stencil opening should be the same as the pad OPENINGS
size or a 1:1 registration. This is not the case with the DPAK
and D2PAK packages. If one uses a 1:1 opening to screen
ÇÇ ÇÇÇ
ÇÇÇ
ÇÇ ÇÇÇ
solder onto the Collector pad, misalignment and/or STENCIL
“tombstoning” may occur due to an excess of solder. For
these two packages, the opening in the stencil for the paste
should be approximately 50% of the tab area. The opening Figure 33. Typical Stencil for DPAK and
for the leads is still a 1:1 registration. Figure 33 shows a D2PAK Packages
SOLDERING PRECAUTIONS
The melting temperature of solder is higher than the rated • When shifting from preheating to soldering, the
temperature of the device. When the entire device is heated maximum temperature gradient shall be 5°C or less.
to a high temperature, failure to complete soldering within • After soldering has been completed, the device should
a short time could result in device failure. Therefore, the be allowed to cool naturally for at least three minutes.
following items should always be observed in order to Gradual cooling should be used as the use of forced
minimize the thermal stress to which the devices are cooling will increase the temperature gradient and
subjected. result in latent failure due to mechanical stress.
• Always preheat the device. • Mechanical stress or shock should not be applied
• The delta temperature between the preheat and during cooling.
soldering should be 100°C or less.*
* Soldering a device without preheating can cause
• When preheating and soldering, the temperature of the
excessive thermal shock and stress which can result in
leads and the case must not exceed the maximum
damage to the device.
temperature ratings as shown on the data sheet. When
using infrared heating with the reflow soldering * Due to shadowing and the inability to set the wave height
method, the difference shall be a maximum of 10°C. to incorporate other surface mount components, the D2PAK
• The soldering temperature and time shall not exceed is not recommended for wave soldering.
260°C for more than 10 seconds.
http://onsemi.com
379
MJB18004D2T4
TYPICAL SOLDER HEATING PROFILE

For any given circuit board, there will be a group of The line on the graph shows the actual temperature that
control settings that will give the desired heat pattern. The might be experienced on the surface of a test board at or
operator must set temperatures for several heating zones, near a central solder joint. The two profiles are based on a
and a figure for belt speed. Taken together, these control high density and a low density board. The Vitronics
settings make up a heating “profile” for that particular SMD310 convection/infrared reflow soldering system was
circuit board. On machines controlled by a computer, the used to generate this profile. The type of solder used was
computer remembers these profiles from one operating 62/36/2 Tin Lead Silver with a melting point between
session to the next. Figure 34 shows a typical heating 177–189°C. When this type of furnace is used for solder
profile for use when soldering a surface mount device to a reflow work, the circuit boards and solder joints tend to
printed circuit board. This profile will vary among heat first. The components on the board are then heated by
soldering systems but it is a good starting point. Factors that conduction. The circuit board, because it has a large surface
can affect the profile include the type of soldering system in area, absorbs the thermal energy more efficiently, then
use, density and types of components on the board, type of distributes this energy to the components. Because of this
solder used, and the type of board or substrate material effect, the main body of a component may be up to 30
being used. This profile shows temperature versus time. degrees cooler than the adjacent solder joints.
STEP 1 STEP 2 STEP 3 STEP 4 STEP 5 STEP 6 STEP 7

PREHEAT VENT HEATING HEATING HEATING VENT COOLING
ZONE 1 SOAK" ZONES 2 & 5 ZONES 3 & 6 ZONES 4 & 7
RAMP" RAMP" SOAK" SPIKE" 205° TO 219°C
200°C 170°C PEAK AT
DESIRED CURVE FOR HIGH SOLDER JOINT
MASS ASSEMBLIES 160°C
150°C
150°C
SOLDER IS LIQUID FOR
40 TO 80 SECONDS
100°C 140°C (DEPENDING ON
100°C MASS OF ASSEMBLY)
DESIRED CURVE FOR LOW

MASS ASSEMBLIES
50°C
TIME (3 TO 7 MINUTES TOTAL) TMAX
Figure 34. Typical Solder Heating Profile
http://onsemi.com
380
MJB41C (NPN), MJB42C
(PNP)
Preferred Devices
Plastic Power Transistors
D2PAK for Surface Mount
http://onsemi.com
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves COMPLEMENTARY SILICON
(No Suffix)
POWER TRANSISTORS
• Lead Formed Version in 16 mm Tape & Reel (“T4” Suffix)
• Electrically the Same as TIP41 and T1P42 Series
6 AMPERES
100 VOLTS
MAXIMUM RATINGS 65 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MARKING DIAGRAM
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current – Continuous IC 6.0 Adc MJB4xC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
– Peak 10 YWW
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current IB 2.0 Adc D2PAK
CASE 418B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25C STYLE 1
65 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MJB4xC = Specific Device Code
x = 1 or 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TA = 25C 2.0 Watts Y = Year
Derate above 25C 0.016 W/C WW = Work Week
Unclamped Inductive Load Energy E 62.5 mJ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Note 1.)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to C
ORDERING INFORMATION
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range +150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS Device Package Shipping
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit MJB41C D2PAK 50 Units/Rail
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1.92 C/W MJB41CT4 D2PAK 800/Tape & Reel
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MJB42C D2PAK 50 Units/Rail
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
(Note 2.) MJB42CT4 D2PAK 800/Tape & Reel
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes,
TL 260 C
Preferred devices are recommended choices for future use
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1/8″ from Case for 10 Seconds and best overall value.
1. IC = 2.5 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, VCC = 10 V, RBE = 100
2. When surface mounted to an FR–4 board using the minimum recommended
pad size.

March, 2001 – Rev. 0 MJB41C/D
MJB41C (NPN), MJB42C (PNP)
ÎÎÎÎ
Î ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 3.) (IC = 30 mAdc, IB = 0) VCEO(sus) 100 – Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0) ICEO – 0.7 mAdc
Collector Cutoff Current (VCE = 100 Vdc, VEB = 0) ICES – 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (Note 3.)
IEBO – 50 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 0.3 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE 30
15
–
75
–
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 6.0 Adc, IB = 600 mAdc) VCE(sat) – 1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 6.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) VBE(on) – 2.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product fT 3.0 – MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Small–Signal Current GainÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 20 – –
3. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
TA TC
4.0 80
3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
VCC
2.0
+30 V
1.0 TJ = 25°C
25 µs RC VCC = 30 V
0.7
+11 V SCOPE IC/IB = 10
0.5
RB
0
t, TIME (s)
0.3
µ
tr
-9.0 V 0.2
D1
tr, tf ≤ 10 ns 0.1
DUTY CYCLE = 1.0% -4 V 0.07 td @ VBE(off) ≈ 5.0 V
0.05
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
0.03
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0
http://onsemi.com
382
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.07 0.05
0.03 t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 1.0 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)

0.5ms a transistor: average junction temperature and second

3.0
2.0
SECONDARY BREAKDOWN LTD 5.0ms
1.0 BONDING WIRE LTD
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.5 (SINGLE PULSE) limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.3 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
5.0 10 20 40 60 80 100
5.0 300
3.0 TJ = 25°C TJ = 25°C

2.0 VCC = 30 V 200
IC/IB = 10
ts
C, CAPACITANCE (pF)
1.0 IB1 = IB2

Cib
t, TIME (s)
0.7
µ
0.5 100
0.3 70
0.2 tf Cob
50
0.1
0.07
0.05 30
0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
http://onsemi.com
383
500 2.0

300 VCE = 2.0 V TJ = 25°C
200 TJ = 150°C 1.6
100
25°C 1.2 IC = 1.0 A 2.5 A 5.0 A
70
50
30 0.8
20 -55°C
0.4
10
7.0
5.0 0
0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
2.0 +2.5

TJ = 25°C +2.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/4
1.6 +1.5
+1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 +0.5 +25°C to +150°C

*θVC FOR VCE(sat)
0
VBE(sat) @ IC/IB = 10 -55°C to +25°C
0.8 -0.5
+25°C to +150°C
VBE @ VCE = 4.0 V -1.0
0.4 -1.5 θVB FOR VBE
VCE(sat) @ IC/IB = 10 -2.0 -55°C to +25°C
0 -2.5
0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 1.0 2.0 3.0 4.0 6.0 0.06 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 6.0

R BE , EXTERNAL BASE-EMITTER RESISTANCE (OHMS)
103 10M
VCE = 30 V VCE = 30 V
102
1.0M IC = 10 x ICES
µ
TJ = 150°C
101 100°C IC ≈ ICES
25°C 100k
100
10k
10-1 IC = ICES IC = 2 x ICES
10-2 REVERSE FORWARD 1.0k (TYPICAL ICES VALUES

10-3 0.1k
-0.3 -0.2 -0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 +0.6 +0.7 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
384

0.33
8.38
0.08
2.032
0.42 0.24
10.66 6.096
0.04
1.016
0.12
3.05
0.63
inches
17.02
mm

60
TJ(max) – TA
PD = 50
RθJA
3.5 Watts
30
20
0 2 4 6 8 10 12 14 16
PD = 150°C – 25°C = 2.5 Watts
R

θ
http://onsemi.com
385

ÇÇ ÇÇÇ
ÇÇÇ
ÇÇÇ ÇÇ
ÇÇ ÇÇÇ
ÇÇ ÇÇÇ
ÇÇÇ
ÇÇ ÇÇÇ
http://onsemi.com
386


150°C
150°C
40 TO 80 SECONDS

MASS ASSEMBLIES
50°C
http://onsemi.com
387
MJB44H11 (NPN),
MJB45H11 (PNP)
Preferred Devices
Complementary
Power Transistors
D2PAK for Surface Mount
http://onsemi.com
output or driver stages in applications such as switching regulators,
converters and power amplifiers. SILICON POWER
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage – TRANSISTORS
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A 10 AMPERES
• Fast Switching Speeds 80 VOLTS
• Complementary Pairs Simplifies Designs 50 WATTS
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Value
80
Unit
Vdc
MARKING DIAGRAM
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
5
10
Vdc
Adc
YWW
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MJB
– Peak 20 4xH11
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
D2PAK
CASE 418B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C 50 Watts STYLE 1
Derate above 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.67 W/°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation PD Y = Year
@ TA = 25°C 2.0 Watts WW = Work Week
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25°C 0.016 W/°C MJB4xH11 = Spe-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
cific Device Code
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –55 to °C x = 4 or 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Device Package Shipping
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MJB44H11 D2PAK 50 Units/Rail
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 75 °C/W
MJB44H11T4 D2PAK 800/Tape & Reel
MJB45H11 D2PAK 50 Units/Rail
MJB45H11T4 D2PAK 800/Tape & Reel

and best overall value.

April, 2001 – Rev. 0 MJB44H11/D
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 80 – – Vdc
(IC = 30 mA, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICES – – 10 µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO – – 50 µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) – – 1.0 Vdc
(IC = 8 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc)
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) – – 1.5 Vdc
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 1 Vdc, IC = 2 Adc)
ÎÎÎ
hFE 60 – – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain 40 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1 MHz) MJB44H11
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 130 –
MJB45H11 – 230 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz) MJB44H11
fT
– 50 –
MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJB45H11 – 40 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING TIMES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc) MJB44H11 – 300 –
MJB45H11 – 135 –
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) MJB44H11
ts
– 500 –
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJB45H11 – 500 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) MJB44H11 – 140 –
MJB45H11 – 100 –
http://onsemi.com
389
1.0
0.7
D = 0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.07 0.05 RθJC = 1.56°C/W MAX
0.02
0.03
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)


20 1.0 ms
10 10 µs operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
3.0 The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 150°C; TC is
2.0 TC ≤ 70° C dc variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.5 150°C. TJ(pk) may be calculated from the data in
0.2
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100

Safe Operating Area
TA TC
3.0 60
2.0 40
TC
1.0 20 TA
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
390
1000 1000

VCE = 4 V
VCE = 4 V
100 100
1V
VCE = 1 V
TJ = 25°C TJ = 25°C
10 10
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 4. MJB44H11 DC Current Gain Figure 5. MJB45H11 DC Current Gain
1000 1000
TJ = 125°C
hFE , DC CURRENT GAIN 25°C

TJ = 125°C
-40°C
25°C
100 100
-40°C
VCE = 1 V
VCE = 1 V
10 10
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 6. MJB44H11 Current Gain Figure 7. MJB45H11 Current Gain

versus Temperature versus Temperature
1.2 1.2
1 VBE(sat) 1 VBE(sat)
0.8 0.8
0.6 0.6
IC/IB = 10 IC/IB = 10
0.4 TJ = 25°C 0.4 TJ = 25°C
VCE(sat)
0.2 VCE(sat) 0.2
0 0
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 8. MJB44H11 On–Voltages Figure 9. MJB45H11 On–Voltages
http://onsemi.com
391

0.33
8.38
0.08
2.032
0.42 0.24
10.66 6.096
0.04
1.016
0.12
3.05
0.63
inches
17.02
mm

60
TJ(max) – TA
PD = 50
RθJA
3.5 Watts
30
20
0 2 4 6 8 10 12 14 16
PD = 150°C – 25°C = 2.5 Watts
R

θ
http://onsemi.com
392

ÇÇ ÇÇÇ
ÇÇÇ
ÇÇÇ ÇÇ
ÇÇ ÇÇÇ
ÇÇ ÇÇÇ
ÇÇÇ
ÇÇ ÇÇÇ
http://onsemi.com
393


150°C
150°C
40 TO 80 SECONDS

MASS ASSEMBLIES
50°C
http://onsemi.com
394
ON Semiconductor
NPN
Complementary Darlington MJD112*
PNP
Power Transistors MJD117*
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose power and switching such as output or
driver stages in applications such as switching regulators, converters, SILICON
and power amplifiers. POWER TRANSISTORS
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves 2 AMPERES
100 VOLTS
(No Suffix)
20 WATTS
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
• Surface Mount Replacements for TIP110–TIP117 Series
• Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
• Complementary Pairs Simplifies Designs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 369A–13
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
MJD112
MJD117 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 2
4
Adc
CASE 369–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 0.16 W/C MINIMUM PAD SIZES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Total Power Dissipation* @ TA = 25C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 1.75
0.014
Watts
W/C
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
APPLICATIONS
0.190
4.826
Temperature Range
0.165
4.191
0.07
1.8 0.118
3.0
0.063
1.6
inches
0.243
6.172
mm

April, 2001 – Rev. 3 MJD112/D
MJD112 MJD117
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient*
RθJC
RθJA
6.25
71.4
C/W
C/W
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO — 20 µAdc
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO — 2 mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Cutoff Current (VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ICBO
IEBO
—
—
10
2
µAdc
mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 3 Vdc) 500 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, VCE = 3 Vdc) 1000 12,000
(IC = 4 Adc, VCE = 3 Vdc) 200 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
— 2
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4 Adc, IB = 40 mAdc) — 3
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 4 Adc, IB = 40 mAdc)
VBE(sat) — 4 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 2 Adc, VCE = 3 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VBE(on) — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
fT 25 — MHz
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) MJD117 — 200
MJD112 — 100
*These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
http://onsemi.com
396
MJD112 MJD117
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS VCC 4

D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: VCC = 30 V IB1 = IB2
-30 V
ts IC/IB = 250 TJ = 25°C
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA RC SCOPE 2
TUT
V2 RB
t, TIME (s)
APPROX tf
µ
1
+8 V
≈8k ≈ 60 0.8
0 51 D1 tr
0.6
V1
APPROX
+4V 0.4
-12 V 25 µs td @ VBE(off) = 0 V
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED PNP
tr, tf ≤ 10 ns NPN
DUTY CYCLE = 1% AND V2 = 0 0.2
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES. 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4
1
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 0.1 P(pk)
0.05 RθJC = 6.25°C/W
0.1
0.07 0.01 PULSE TRAIN SHOWN t1
0.03 TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
http://onsemi.com
397
MJD112 MJD117
TA TC
10 2.5 25
7
5
100µs

3 500µs 2 20
2
1 1ms 5ms
0.7 1.5 15
0.5 dc
0.3 TC
0.2 BONDING WIRE LIMITED TA
1 10
0.1 THERMAL LIMIT SURFACE
SECOND BREAKDOWN LIMIT MOUNT
0.5 5
TJ = 150°C
0 0
2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200 25 50 75 100 125 15
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) T, TEMPERATURE (°C)
Figure 16. Maximum Rated Forward Biased Figure 17. Power Derating
Safe Operating Area

breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE TC = 25°C
100
C, CAPACITANCE (pF)

dissipation than the curves indicate. 50
The data of Figures 17 and 18 is based on TJ(pk) = 150C; Cob
30
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) Cib
< 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in 20
Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will PNP
reduce the power that can be handled to values less than the NPN
10
limitations imposed by second breakdown. 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 6 10 20 40
http://onsemi.com
398
MJD112 MJD117

NPN MJD112 PNP MJD117
6k 6k
TJ = 125°C VCE = 3 V TC = 125°C VCE = 3 V
4k 4k
3k 3k

25°C
2k 25°C 2k
1k 1k
800 800
-55°C -55°C
600 600
400 400
300 300
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4
3.4 3.4

TJ = 125°C TJ = 125°C
3 IC = 3
0.5 A IC = 1A 2A 4A
2.6 1A 2A 4A 2.6 0.5 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1 1
0.6 0.6
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
2.2 2.2
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.8 1.8
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.4 VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE @ VCE = 3 V 1.4 VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3 V
1 1
0.6 0.6
0.2 0.2
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4
Figure 21. “On Voltages
http://onsemi.com
399
MJD112 MJD117
NPN MJD112 PNP MJD117
+0.8 +0.8

*APPLIED FOR IC/IB < hFE/3 *APPLIES FOR IC/IB < hFE/3
0 0
25°C TO 150°C
-0.8 -0.8
25°C TO 150°C
-1.6 -1.6 *θVC FOR VCE(sat)
-55°C TO 25°C
-2.4 *θVC FOR VCE(sat) -2.4
-55°C TO 25°C 25°C TO 150°C
-3.2 25°C TO 150°C -3.2
θVC FOR VBE -55°C TO 25°C
θVB FOR VBE
-4 -55°C TO 25°C -4
-4.8 -4.8
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4
105 105

104 104

µ
103 VCE = 30 V 103 VCE = 30 V
102 102
TJ = 150°C TJ = 150°C
101 101
100°C
100 100°C 100 25°C
25°C
10-1 10-1
-0.6 -0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1 +1.2 +1.4 +0.6 +0.4 +0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4
BASE BASE
≈8k ≈ 120 ≈8k ≈ 120
EMITTER EMITTER
http://onsemi.com
400
ON Semiconductor
NPN
Complementary Darlington MJD122*
PNP
Power Transistors MJD127*
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications. SILICON
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves POWER TRANSISTORS
(No Suffix) 8 AMPERES
100 VOLTS
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) 20 WATTS
• Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
• Surface Mount Replacements for 2N6040–2N6045 Series,
TIP120–TIP122 Series, and TIP125–TIP127 Series
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
• Complementary Pairs Simplifies Designs CASE 369A–13
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJD122
MJD127
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
100
5
Vdc
Vdc
CASE 369–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Peak
IC 8
16
Adc
MINIMUM PAD SIZES
ÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
120
20
mAdc
Watts
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 0.16 W/C APPLICATIONS
0.190
4.826
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation* @ TA = 25C PD 1.75 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
0.165
4.191
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.07
1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient* RθJA 71.4 C/W
0.118
3.0
0.063
1.6
inches
0.243
6.172
mm

MJD122 MJD127
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ICEO — 10 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ICBO — 10 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4 Adc, VCE = 4 Vdc) 1000 12,000
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc) 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
— 2
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— 4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VBE(on) — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Current–Gain–Bandwidth Product
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
|hfe| 4 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) MJD127
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— 300
MJD122 — 200
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 kHz)
hfe 300 — —
*These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
TA TC
2.5 25
2 20
1.5 15 TC
TA
1 10
SURFACE
MOUNT
0.5 5
0 0
25 50 75 100 125 150
http://onsemi.com
402
MJD122 MJD127
PNP MJD127 NPN MJD122
20,000 20,000
VCE = 4 V VCE = 4 V
10,000 10,000
7000

5000 5000 TJ = 150°C
TJ = 150°C
3000 3000
2000 2000
25°C 25°C
1000 1000
700 -55°C -55°C
500 500
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
3 3

TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 IC = 2 A 4A 6A 2.6 IC = 2 A 4A 6A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1 1
0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30
3 3
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2 2
1.5 VBE @ VCE = 4 V 1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4 V
1 1
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
http://onsemi.com
403
MJD122 MJD127
+5 +5

+4 *IC/IB ≤ hFE/3 +4 *IC/IB ≤ hFE/3
+3 +3 25°C to 150°C

+2 +2 -55°C to 25°C
+1 +1
0 25°C to 150°C 0
-1 θVC for VCE(sat) -1 *θVC for VCE(sat)
-2 -55°C to 25°C -2

-3 25°C to 150°C -3 25°C to 150°C
θVB for VBE -55°C to 25°C θVB for VBE
-4 -4 -55°C to 25°C
-5 -5
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
105 105

104 104
µ
µ
VCE = 30 V 103 VCE = 30 V

103
102 102
TJ = 150°C
TJ = 150°C
101 101
100°C
100 100 100°C
25°C
25°C
10-1 10-1
+0.6 +0.4 +0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4 -0.6 -0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1 +1.2 +1.4
10,000 300
5000 TJ = 25°C
hfe , SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
Cob
500 TC = 25°C
100
300 VCE = 4 Vdc
200 IC = 3 Adc
70
100
Cib
50 PNP 50
30 PNP
20 NPN NPN
10 30
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
http://onsemi.com
404
MJD122 MJD127
5
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS ts PNP
VCC 3
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: NPN
-30 V 2
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA RC SCOPE tf
1
TUT
t, TIME (s)
V2 0.7
µ
RB
APPROX 0.5
+8 V
51 D1 ≈ 8 k ≈ 120 0.3
0
0.2 VCC = 30 V tr
V1
APPROX IC/IB = 250
+4V 0.1
-12 V 25 µs IB1 = IB2
0.07 TJ = 25°C td @ VBE(off) = 0 V
tr, tf ≤ 10 ns FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED 0.05
DUTY CYCLE = 1% AND V2 = 0 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05
RθJC = 6.25°C/W
0.01
READ TIME AT t1 t2
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

15
10 500µ 100µ a transistor: average junction temperature and second
5 s s breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

1ms
1 TJ = 150°C 5ms dissipation than the curves indicate.
0.5
0.3 BONDING WIRE LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.2 THERMAL LIMIT limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
dc
0.1 TC = 25°C (SINGLE PULSE) < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
SECOND BREAKDOWN LIMIT Figure 11. At high case temperatures, thermal limitations
0.05
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100
Figure 12. Maximum Forward Bias

Safe Operating rea
http://onsemi.com
405
MJD122 MJD127
BASE BASE
≈8k ≈ 120 ≈8k ≈ 120
EMITTER EMITTER
http://onsemi.com
406
MJD18002D2
Bipolar NPN Transistor

High Speed, High Gain Bipolar NPN
Power Transistor with Integrated
Collector–Emitter Diode and Built–In
Efficient Antisaturation Network http://onsemi.com
The MJD18002D2 is a state–of–the–art high speed, high gain
bipolar transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot 2 AMPERES
light ballast applications. Therefore, there is no longer a need to 1000 VOLTS
guarantee an hFE window. 50 WATTS
Main Features: POWER TRANSISTOR
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCEsat
• Characteristics Make It Suitable for PFC Application
Spreads
Two Versions:
• MJD18002D2–1: Case 369 for Insertion Mode
• MJD18002D2: Case 369A for Surface Mount Mode
DPAK DPAK
MAXIMUM RATINGS CASE 369 CASE 369A
Rating Symbol Value Unit STYLE 1 STYLE 1

MARKING DIAGRAMS
YWW YWW
Emitter–Base Voltage VEBO 11 Vdc MJD MJD
Collector Current – Continuous IC 2.0 Adc 18002 18002
Collector Current – Peak (Note 1.) ICM 5.0
Base Current – Peak (Note 1.) IBM 2.0 Y = Year
WW = Work Week
THERMAL CHARACTERISTICS MJD18002
Characteristic Symbol Value Unit = Device Code
Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD 50 W

Derate above 25°C 0.4 W/°C ORDERING INFORMATION
Operating and Storage TJ, Tstg –65 to °C
Thermal Resistance – Junction–to–Case RθJC 5.0 °C/W MJD18002D2–1 DPAK 75 Units/Rail
Thermal Resistance – Junction–to–Ambient RθJA 71.4 °C/W MJD18002D2T4 DPAK 3000/Tape & Reel
Purposes: 1/8″ from Case for 5 sec.
1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10%

April, 2001 – Rev. 0 MJD18002D2/D
MJD18002D2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) VCEO(sus) 450 570 – Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage (ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Breakdown Voltage (IEBO = 1 mA)
VCBO
VEBO
1000
11
1100
14
–
–
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) @ TC = 25°C
ICEO
ICES
–
–
–
–
100
100
µAdc
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C – – 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) @ TC = 125°C – – 100
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current (VEB = 10 Vdc, IC = 0) IEBO – – 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
–
–
0.78
0.87
1.0
1.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage @ TC = 25°C VCE(sat) – 0.36 0.6 Vdc
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) @ TC = 125°C – 0.50 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
–
–
0.40
0.65
0.75
1.2
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
hFE 14
8.0
25
15
–
–
–
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) @ TC = 25°C 6.0 10 –
@ TC = 125°C 4.0 6.0 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz) ft – 13 – MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob – 50 100 pF
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Input Capacitance (VEB = 8 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cib – 340 500 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Forward Diode Voltage
(IEC = 1.0 Adc) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
VEC
– 1.2 1.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 0.4 Adc) @ TC = 25°C – 1.0 1.3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C – 0.6 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Forward Recovery Time tfr ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C – 517 –
(IF = 1.0 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C – 480 –
http://onsemi.com
408
MJD18002D2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Dynamic
y
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Saturation
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 0.4 Adc @ 1 µs @ TC = 25°C VCE(dsat) – 7.4 – V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
V l
Voltage IB1 = 40 mA
@ 3 µs @ TC = 25°C – 2.5 –
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Determinated 1 s and VCC = 300 Vdc
3 s respectively after IC = 1 Adc @ 1 µs @ TC = 25°C – 11.7 –
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
rising IB1 reaches 90% IB1 = 00.2
2A
@ 3 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
of final IB1 VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C – 1.3 –
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C.S. 10%, Pulse Width = 40 s)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–on Time @ TC = 25°C ton – 225 350 ns
IC = 0.4 Adc, IB1 = 40 mAdc @ TC = 125°C – 375 –
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 200 mAdc
Turn–off Time @ TC = 25°C toff 0.8 – 1.1 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 300 Vdc
@ TC = 125°C – 1.5 –
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.5
0 5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton –
–
100
94
150
–
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 0.95 – 1.25 µs
@ TC = 125°C – 1.5 –
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ @ TC = 25°C tf – 130 175 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C – 120 –
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IC = 0.4 Adc @ TC = 25°C ts 0.4 – 0.7 µs
IB1 = 40 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C – 0.7 –
IB2 = 0.2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cross–over Time @ TC = 25°C tc – 110 175 ns
@ TC = 125°C – 100 –
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf –
–
130
140
175
–
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IC = 0.8 Adc @ TC = 25°C ts 2.1 – 2.4 µs
IB1 = 160 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C – 3.0 –
IB2 = 160 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C – 350 –
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf –
–
100
100
150
–
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IC = 1.0 Adc @ TC = 25°C ts – 1.05 1.2 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 0.2 Adc @ TC = 125°C – 1.45 –
IB2 = 0.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C – 115 –
http://onsemi.com
409
MJD18002D2
Typical Static Characteristics

100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V

80 80
TJ = 125°C TJ = 125°C
60 60
25°C 25°C
40 40
–20°C –20°C
20 20
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 V Figure 2. DC Current Gain @ 5 V
4 100
TJ = 25°C
IC/IB = 20
VCE, VOLTAGE (VOLTS)
3
2A 10
1A 1.5 A
2
400 mA 1
1 25°C
TJ = 125°C
IC = 200 mA
–20°C
0 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
100 10
10
1
25°C TJ = 125°C 25°C
TJ = 125°C
0.1 –20°C 0.1 –20°C

0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage
http://onsemi.com
410
MJD18002D2
Typical Static Characteristics

10 10
VBE, VOLTAGE (VOLTS)

1 –20°C 1 –20°C
25°C 25°C
TJ = 125°C TJ = 125°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

10 10

VEC(V) = –20°C
1 –20°C 1
25°C
125°C 25°C
TJ = 125°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) REVERSE EMITTER–COLLECTOR CURRENT (AMPS)

IC/IB = 20
Typical Switching Characteristics

1000 3000
TJ = 25°C TJ = 125°C
Cib (pF)
f(test) = 1 MHz TJ = 25°C
2500
C, CAPACITANCE (pF)
100 2000 IC/IB = 10

t, TIME (s)
IBon = IBoff
VCC = 300 V
Cob (pF) 1500 PW = 40 s
10 1000
500
IC/IB = 5
1 0
1 10 100 0.1 0.4 0.7 1 1.3 1.6
Figure 11. Capacitance Figure 12. Resistive Switch Time, ton
http://onsemi.com
411
MJD18002D2

5.5 3
5.0 TJ = 25°C TJ = 125°C
VCC = 300 V
4.5 PW = 40 s
2.5
TJ = 25°C
t, TIME (s)
t, TIME (s)
4.0
IC/IB = 10
3.5 2
3.0 IBon = IBoff,

IC/IB = 5 VCC = 15 V,
2.5 1.5
VZ = 300 V
2.0 LC = 200 H
1.5 1
0.1 0.4 0.7 1 1.3 1.6 0 0.5 1 1.5
Figure 13. Resistive Switch Time, toff Figure 14. Inductive Storage Time, tsi @ IC/IB = 5
700 4
TJ = 125°C IC/IBon = 5 TJ = 125°C IBon = IBoff,
600 TJ = 25°C TJ = 25°C VCC = 15 V,
IBon = IBoff, VZ = 300 V
3
500 VCC = 15 V, tc LC = 200 H
VZ = 300 V IC = 1 A
t, TIME (s)
t, TIME (s)
400 LC = 200 H
2
300
tfi
200
1 IC = 300 mA
100
0 0
0 0.5 1 1.5 3 6 9 12 15
Figure 15. Inductive Switching, tc & tfi @ IC/IB = 5 Figure 16. Inductive Storage Time
1000 1800
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
800
IBon = IBoff, IBon = IBoff,
tfi, FALL TIME (ns)
IC = 1 A
VCC = 15 V, 1200 VCC = 15 V,
t, TIME (s)
600 VZ = 300 V VZ = 300 V IC = 1 A

LC = 200 H LC = 200 H
400
600
200 IC = 0.3 A
IC = 0.3 A
0 0
3 5 7 9 11 13 15 3 6 9 12 15
Figure 17. Inductive Fall Time Figure 18. Inductive Cross–Over Time
http://onsemi.com
412
MJD18002D2

1600 1.6
IBon = IBoff,
VCC = 15 V,
IC/IB = 5
VZ = 300 V TJ = 125°C
1200 1.2
LC = 200 H TJ = 25°C
t, TIME (s)
t, TIME (s)
tc
800 0.8
tfi IBoff = IC/2,

400 0.4 VCC = 15 V, IC/IB = 10
TJ = 125°C VZ = 300 V
TJ = 25°C LC = 200 H
0 0
0.3 0.7 1.1 1.5 0 0.5 1 1.5
Figure 19. Inductive Switching Time, Figure 20. Inductive Switching Time, tsi
tfi & TC @ G = 10
200 300
TJ = 125°C IBoff = IC/2, TJ = 125°C
IBoff = IC/2,
TJ = 25°C VCC = 15 V, TJ = 25°C
VCC = 15 V,
VZ = 300 V 250
VZ = 300 V
LC = 200 H
LC = 200 H
150
t, TIME (s)
t, TIME (s)
200 IC/IB = 10
150
100 IC/IB = 5
100
IC/IB = 10
IC/IB = 5
50 50
0 0.5 1 1.5 0 0.5 1 1.5
Figure 21. Inductive Storage Time, tfi Figure 22. Inductive Storage Time, tc
2.4
IBon = IBoff, IB = 200 mA
2.2 VCC = 15 V,
CROSS–OVER TIME (ns)
VZ = 300 V
2.0 LC = 200 H
IB = 50 mA
1.8
IB = 500 mA
1.6
IB = 100 mA
1.4
1.2
1
0 0.4 0.8 1.2 1.6
hFE, FORCED GAIN
Figure 23. Inductive Storage Time, tsi Figure 24. Dynamic Saturation Voltage
Measurements
http://onsemi.com
413
MJD18002D2

10
9 IC tfi 90% IC
8
tsi
7
6
10% Vclamp
5 Vclamp 10% IC
tc
4
90% IB1
3 IB
2
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
Figure 25. Inductive Switching Measurements
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω MTP8P10 100 µF
150 Ω
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
150 Ω
L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
-Voff
http://onsemi.com
414
MJD18002D2
12 10

VFRM
VFR (1.1 VF) Unless
10 s 1 s
10
VF Otherwise Specified
DC 5 ms 1 ms 50 s
8 1
VF
EXTENDED SOA
0.1 VF
tfr
6
4 0.1
IF
2 10% IF
0 0.01
0 2 4 6 8 10 10 100 1000
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 26. tfr Measurement Figure 27. Forward Bias Safe Operating Area
2.5 1
TC = 125°C

Gain = 4 Second Breakdown Derating
2 LC = 500 H 0.8
1.5 0.6
VBE(off) = –1.5 V
1 0.4 Thermal Derating
VBE(off) = –5 V
0.5 0.2
VBE = 0 V
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 20 40 60 80 100 120 140 160
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 28. Reverse Bias Safe Operating Area Figure 29. Forward Bias Power Derating
There are two limitations on the power handling ability of Figure 27 may be found at any case temperature by using the
a transistor: average junction temperature and second appropriate curve on Figure 29.
breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 30. At any
limits of the transistor that must be observed for reliable case temperatures, thermal limitations will reduce the power
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater that can be handled to values less than the limitations
dissipation than the curves indicate. The data of Figure 27 is imposed by second breakdown. For inductive loads, high
based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power voltage and current must be sustained simultaneously during
level. Second breakdown pulse limits are valid for duty turn–off with the base to emitter junction reverse biased. The
cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second safe level is specified as a reverse biased safe operating area
Breakdown limitations do not derate the same as thermal (Figure 28). This rating is verified under clamped conditions
limitations. Allowable current at the voltages shown on so that the device is never subjected to an avalanche mode.
http://onsemi.com
415
MJD18002D2
RESISTANCE (NORMALISED) 0.5

r(t) TRANSIENT THERMAL
0.2
0.1
0.05
0.1 RJC(t) = r(t) RJC
0.02 P(pk) RJC = 5C/W MAX
0.01 t1 D CURVES APPLY FOR POWER

PULSE TRAIN SHOWN
t2 READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk)RJC(t)
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 30. Typical Thermal Response (ZJC(t)) for MJD18002D2
1100 440
di/dt = 10 A/s
1000 BVCER (Volts) @ 10 mA 420 TC = 25°C
900 400
800 TJ = 25°C 380
700 360
600 340
BVCER(sus) @ 200 mA
500 320
400 300
10 100 1000 10,000 100,000 0 0.5 1 1.5 2
RBE () IF, FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 31. BVCER Figure 32. Forward Recovery Time, tfr
http://onsemi.com
416
MJD18002D2


150°C
150°C
40 TO 80 SECONDS

MASS ASSEMBLIES
50°C
http://onsemi.com
417
ON Semiconductor
NPN
Complementary MJD200
PNP
Plastic Power Transistors MJD210
NPN/PNP Silicon DPAK For Surface
Mount Applications
. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier SILICON
applications. POWER TRANSISTORS
5 AMPERES
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — 25 VOLTS
VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc 12.5 WATTS
hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc
= 45 (Min) @ IC = 2 Adc
= 10 (Min) @ IC = 5 Adc
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
CASE 369A–13
VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
= 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc
• High Current–Gain — Bandwidth Product —
• Annular Construction for Low Leakage — CASE 369–07
ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MINIMUM PAD SIZES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED FOR
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 25 Vdc SURFACE MOUNTED
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 8 Vdc APPLICATIONS
0.190
4.826
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 10
ÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
1
12.5
Adc
Watts
0.165
4.191
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TA = 25C* PD 1.4 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.07
1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
0.118
3.0
0.063
1.6
inches
0.243
6.172
mm

MJD200 MJD210
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient*
RθJC
RθJA
10
89.3
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO nAdc
(VCB = 40 Vdc, IE = 0) — 100
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(VCB = 40 Vdc, IE = 0, TJ = 125C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 8 Vdc, IC = 0) IEBO
—
—
100
100 nAdc
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (2)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 1 Vdc) 70 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
45 180
(IC = 5 Adc, VCE = 2 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
— 0.3
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 200 mAdc) — 0.75
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc) — 1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1) (IC = 5 Adc, IB = 1 Adc) VBE(sat) — 2.5 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1) (IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc) VBE(on) — 1.6 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (3) fT 65 — MHz
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz)
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
MJD200
MJD210
Cob —
—
80
120
pF
*When surface mounted on minimum pad sizes recommended. (continued)

(3) fT = hfe• ftest.
http://onsemi.com
419
MJD200 MJD210
TA TC
2.5 25 VCC
+30 V
2 20 25 µs
+11 V RC
0 SCOPE
1.5 15 RB
-9 V
1 10 TA (SURFACE MOUNT) 51 D1
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1%
TC
-4 V
0.5 5
0 0 1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA FOR PNP TEST CIRCUIT,
25 50 75 100 125 150
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA REVERSE ALL POLARITIES
Figure 34. Power Derating Figure 35. Switching Time Test Circuit
1K 10K
500 td 5K VCC = 30 V
300 3K ts IC/IB = 10
200 2K IB1 = IB2
TJ = 25°C
100 1K
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
50 500
30 tr VCC = 30 V 300
20 200
IC/IB = 10
10 TJ = 25°C 100
5 50
3 MJD200 30 MJD200 tf
2 20
MJD210 MJD210
1 10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
http://onsemi.com
420
MJD200 MJD210
NPN PNP
MJD200 MJD210
400 400
TJ = 150°C
25°C TJ = 150°C
200 200

25°C
-55°C
100 100
80 80 -55°C
60 60
40 VCE = 1 V 40 VCE = 1 V
VCE = 2 V VCE = 2 V
20 20
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5
2 2
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2
VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10

0.8
VBE @ VCE = 1 V VBE @ VCE = 1 V

0.4 0.4
0 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5
Figure 39. “On” Voltage
+2.5 +2.5
+2 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3 +2 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3
+1.5 +1.5 25°C to 150°C
+1 +1
+0.5 θVC for VCE(sat) 25°C to 150°C +0.5
*θVC for VCE(sat)
0 0 -55°C to 25°C
-0.5 -55°C to 25°C -0.5
25°C to 150°C
-1 25°C to 150°C -1
-1.5 -1.5 θVB for VBE -55°C to 25°C
θVB for VBE
-2 -55°C to 25°C -2
-2.5 -2.5
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5
http://onsemi.com
421
MJD200 MJD210
1
0.7 D = 0.5
0.3 0.2
0.2 0.1 P(pk)
RθJC(t) = r(t) θJC
0.05 RθJC = 10°C/W MAX
0 (SINGLE PULSE)
0.02
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
t, TIME (ms)

5ms
3 TJ = 150°C 100µs breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

2 1ms limits of the transistor that must be observed for reliable
1 500µs operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dc
BONDING WIRE LIMITED variable depending on conditions. Second breakdown pulse
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
CURVES APPLY BELOW Figure 8. At high case temperatures, thermal limitations will
RATED VCEO reduce the power that can be handled to values less than the
0.3 1 2 3 5 7 10 20 30
Case 369 may be ordered by adding a “–1” suffix to the
device title (i.e. MJD200–1)
200
TJ = 25°C
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
100
70
50
Cob
MJD200 (NPN)
30
MJD210 (PNP)
20
0.4 0.6 1 2 4 6 10 20 40
http://onsemi.com
422
MJD243 (NPN), MJD253
(PNP)
MJD243 is a Preferred Device
Plastic Power Transistor
DPAK for Surface Mount Applications
http://onsemi.com
. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier
applications.
4 AMPERES
• Collector–Emitter Sustaining Voltage –
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC 100 VOLTS
= 10 mAdc 12.5 WATTS
• High DC Current Gain – POWER TRANSISTOR
hFE = 40 (Min) @ IC
= 200 mAdc
= 15 (Min) @ IC = 1.0 Adc
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No
Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) DPAK DPAK
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage – CASE 369 CASE 369A
STYLE 1 STYLE 1
= 500 mAdc
= 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Adc MARKING DIAGRAMS
• High Current–Gain – Bandwidth Product –
fT = 40 MHz (Min) @ IC YWW YWW
= 100 mAdc MJD MJD
• Annular Construction for Low Leakage – 2x3 2x3
MAXIMUM RATINGS Y = Year
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
WW = Work Week
Rating Symbol Value Unit MJD2x3 = Device Code
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 100 Vdc x = 4 or 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 7 Vdc ORDERING INFORMATION
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current – Continuous IC 4 Adc Device Package Shipping
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
– Peak 8
MJD243
MJD243–1 DPAK 75 Units/Rail
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MJD253
MJD243T4 DPAK 3000/Tape & Reel
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD 12.5 Watts
Derate above 25°C 0.1 W/°C MJD253–1 DPAK 75 Units/Rail
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
ÎÎÎ
(Note 1.)
ÎÎÎ
PD 1.4 Watts
MJD253T4 DPAK 3000/Tape & Reel
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
°C Preferred devices are recommended choices for future use
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to
1. When surface mounted on minimum pad sizes recommended.

MJD243 (NPN), MJD253 (PNP)
TA TC
2.5 25

2 20
1.5 15
TA (SURFACE MOUNT)
1 10
TC
0.5 5
0 0
25 50 75 100 125 150
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 10 °C/W
Junction to Ambient (Note 2.) RθJA 89.3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 3.) (IC = 10 mAdc, IB = 0) VCEO(sus) 100 – Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCB = 100 Vdc, IE = 0) ICBO – 100 nAdc
Collector Cutoff Current (VCB = 100 Vdc, IE = 0, TJ = 125°C) – 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 7 Vdc, IC = 0) IEBO – 100 nAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (Note 3.) (IC = 200 mAdc, VCE = 1 Vdc) hFE 40 180 –
DC Current Gain (Note 3.) (IC = 1 Adc, VCE = 1 Vdc) 15 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 3.) VCE(sat) Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
–
–
0.3
0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (Note 3.) (IC = 2 Adc, IB = 200 mAdc) VBE(sat) – 1.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (Note 3.) (IC = 500 mAdc, VCE = 1 Vdc) VBE(on) – 1.5 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product (Note 4.)
ÎÎÎ
fT 40 – MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) Cob – 50 pF
2. When surface mounted on minimum pad sizes recommended.
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2%.
4. fT = hFE• ftest.
http://onsemi.com
424

500µs a transistor: average junction temperature and second
5
100µs breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

2 1ms
0.5 5ms dc dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 150°C; TC is
0.2 BONDING WIRE LIMITED variable depending on conditions. Second breakdown pulse
(SINGLE PULSE)
0.05 SECOND BREAKDOWN LIMITED 150°C. TJ(pk) may be calculated from the data in
CURVES APPLY BELOW Figure 3. At high case temperatures, thermal limitations will
0.02
1 2 5 10 20 50 100
Figure 2. Active Region Maximum Safe

Operating Area
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 0.1 P(pk)
RθJC(t) = r(t) θJC
0.05 RθJC = 10°C/W MAX
0.02
0.01
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
0 (SINGLE PULSE)
0.02
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
425
NPN PNP
MJD243 MJD253
500 200
TJ = 150°C VCE = 1.0 V TJ = 150°C VCE = 1.0 V
300 VCE = 2.0 V
VCE = 2.0 V 100
200
70 25°C

25°C 50
100
-55°C -55°C
70 30
50 20
30
10
20
7.0
5.0
10
7.0 3.0
5.0 2.0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
1.4 1.4
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.2 1.2
1.0 1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.8
0.6 VBE @ VCE = 1.0 V 0.6 VBE @ VCE = 1.0 V
0.4 IC/IB = 10 0.4 IC/IB = 10

5.0 5.0
0.2 0.2
VCE(sat) VCE(sat)
0 0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
+2.5 +2.5
θV, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ °C)
+2.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3 +2.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3
+1.5 +1.5
+1.0 +1.0 25°C to 150°C
+0.5 25°C to 150°C +0.5 *θVC FOR VCE(sat)
*θVC FOR VCE(sat)
0 0
-55°C to 25°C -55°C to 25°C
-0.5 -0.5
-1.0 25°C to 150°C -1.0 25°C to 150°C
-1.5 -1.5
-55°C to 25°C θVB FOR VBE
θVB FOR VBE -55°C to 25°C
-2.0 -2.0
-2.5 -2.5
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
http://onsemi.com
426
VCC
+30 V
1K
500
RC 300 tr
25 µs 200
+11 V SCOPE
RB
100
0
t, TIME (ns)
50
-9.0 V 51 D1
30
20
tr, tf ≤ 10 ns td VCC = 30 V
-4 V 10
DUTY CYCLE = 1.0% IC/IB = 10
5 TJ = 25°C
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS NPN MJD243
3
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 2 PNP MJD253
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA 1
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES
10K 200
5K VCC = 30 V TJ = 25°C
3K ts IC/IB = 10
2K IB1 = IB2 100
TJ = 25°C Cib
C, CAPACITANCE (pF)
1K 70
t, TIME (ns)
500
50
300
200
30
100
50 Cob
20
30 tf MJD243 (NPN)
20 NPN MJD243
PNP MJD253 MJD253 (PNP)
10 10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
200
TJ = 25°C
100
C, CAPACITANCE (pF)
70 Cib
50
30
20 Cob
10
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100
http://onsemi.com
427


150°C
150°C
40 TO 80 SECONDS

MASS ASSEMBLIES
50°C
http://onsemi.com
428
ON Semiconductor
PNP
Complementary Power MJD2955
NPN
Transistors MJD3055
60 VOLTS
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves 20 WATTS
(“–1” Suffix)
• Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4”
Suffix)
• Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055
• DC Current Gain Specified to 10 Amperes
• High Current Gain–Bandwidth Product —
fT = 2.0 MHz (Min) @ IC
CASE 369A–13
= 500 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 369–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MINIMUM PAD SIZES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED FOR
ÎÎÎÎÎ
PD†
ÎÎÎÎÎ
20
ÎÎÎ
Watts
SURFACE MOUNTED
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
APPLICATIONS
Total Power Dissipation (1) @ TA = 25C PD 1.75 Watts
0.190
4.826
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
0.165
4.191
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.07
1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1) RθJA 71.4 C/W
(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
0.118
3.0
†Safe Area Curves are indicated by Figure 1. Both limits are applicable and must be observed.
0.063
1.6
inches
0.243
6.172
mm

MJD2955 MJD3055
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0) ICEO — 50 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEX
— 0.02
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 70 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) — 2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 70 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.02
(VCB = 70 Vdc, IE = 0, TC = 150C) — 2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
IEBO — 0.5 mAdc
DC Current Gain (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
20 100
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4 Vdc) 5 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4 Adc, IB = 0.4 Adc) — 1.1
(IC = 10 Adc, IB = 3.3 Adc) — 8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 kHz)
http://onsemi.com
430
MJD2955 MJD3055
TA TC
2.5 25

2 20
1.5 15 TC
TA
1 10
SURFACE
MOUNT
0.5 5
0 0
25 50 75 100 125 150
500 2
300 VCE = 2 V TJ = 25°C
1
200 TJ = 150°C VCC = 30 V
0.7
IC/IB = 10
0.5
100 25°C
tr
t, TIME (s)
0.3
µ
50 -55°C 0.2
30 0.1
20
0.07 td @ VBE(off) ≈ 5 V
0.05
10
0.03
5 0.02
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 6
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Turn–On Time
1.4 5
3 TJ = 25°C
1.2 TJ = 25°C VCC = 30 V
2
IC/IB = 10
1 ts IB1 = IB2
V, VOLTAGE (VOLTS)
1
t, TIME (s)
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.7

µ
0.5
0.6 VBE @ VCE = 2 V
0.3
0.4 0.2 tf
0.2 0.1
VCE(sat) @ IC/IB = 10 0.07
0 0.05
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 6
Figure 4. “On” Voltages, MJD3055 Figure 5. Turn–Off Time
http://onsemi.com
431
MJD2955 MJD3055
2 VCC
+30 V
TJ = 25°C
1.6 25 µs
+11 V RC
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 0 SCOPE
RB
VBE(sat) @ IC/IB = 10 -9 V
0.8 51 D1
tr, tf ≤ 10 ns
VBE @ VCE = 3 V DUTY CYCLE = 1%
0.4 -4 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10 RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
0
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
Figure 6. “On” Voltages, MJD2955 Figure 7. Switching Time Test Circuit
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.1
0.02
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1k
t, TIME (ms)
10 FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

5 INFORMATION
500µs
3 TJ = 150°C

2 100µs
1
1ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
0.3 5ms dc
0.1 WIRE BOND LIMIT The data of Figure 9 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
0.05 THERMAL LIMIT TC = 25°C (D = 0.1) variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.02
0.6 1 2 4 6 10 20 40 60
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) reduce the power that can be handled to values less than the
Safe Operating Area
http://onsemi.com
432
MJD31, MJD31C (NPN),
MJD32, MJD32C (PNP)
MJD31C and MJD32C are Preferred Devices
Complementary Power
Transistors
http://onsemi.com
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) 40 AND 100 VOLTS
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) 15 WATTS
• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
MARKING
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
4 DIAGRAMS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
MAXIMUM RATINGS
1
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎ
MJD31 MJD31C MJD3xx
Rating Symbol MJD32 MJD32C Unit YWW
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
DPAK
Collector–Emitter Voltage VCEO 40 100 Vdc CASE 369A
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎ
STYLE 1
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 5 Vdc 4
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Peak
IC 3
5
Adc
MJD3xx
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
YWW
Base Current IB 1 Adc 1
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
Total Power Dissipation
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 25C
Derate above 25C
PD
15
0.12
Watts
W/C
DPAK
STRAIGHT LEADS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
CASE 369
STYLE 1
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Total Power Dissipation (Note 1.) PD
@ TA = 25C 1.56 Watts
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
MJD3xx = Specific Device Code
Derate above 25C 0.012 W/C xx = 1, 1C, 2 or 2C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to +150 C Y = Year
Temperature Range WW = Work Week
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size
recommended.
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 437 of this data sheet.


June, 2001 – Rev. 2 MJD31/D
MJD31, MJD31C (NPN), MJD32, MJD32C (PNP)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2.)
RθJC
RθJA
8.3
80
C/W
C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering Purposes
TL
2. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.
260 C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 3.) VCEO(sus) Vdc
–
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0) MJD31, MJD32 40
MJD31C, MJD32C 100 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ MJD31, MJD32
ICEO – 50 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) MJD31C, MJD32C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES – 20 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VEB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO – 1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (Note 3.)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1 Adc, VCE = 4 Vdc) 25 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
10
–
50
1.2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VBE(on) – 1.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain – Bandwidth Product (Note 4.) fT 3 – MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe 20 – –
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 kHz)
3. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.

4. fT = hfe• ftest.
http://onsemi.com
434
VCC
TA TC +30 V
2.5 25
RC
25 µs
2 20 +11 V RB
SCOPE
0
1.5 15 TA (SURFACE MOUNT) -9 V 51 D1
TC tr, tf ≤ 10 ns
1 10 -4 V
DUTY CYCLE = 1%

0.5 5 D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
0 0
25 50 75 100 125 150 REVERSE ALL POLARITIES FOR PNP.
500 2
IC/IB = 10
300 TJ = 150°C VCE = 2 V 1 TJ = 25°C
tr @ VCC = 30 V
0.7
25°C 0.5
100
t, TIME (s)
70 0.3 tr @ VCC = 10 V
µ
-55°C
50
30 0.1
0.07 td @ VBE(off) = 2 V
0.05
10
7 0.03
5 0.02
0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 0.7 1 3 0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 0.7 1 3
1.4 3
TJ = 25°C 2 IB1 = IB2
1.2 ts′ IC/IB = 10
ts′ = ts - 1/8 tf
1 tf @ VCC = 30 V
1 TJ = 25°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
0.7
0.5
t, TIME (s)
0.8
µ
VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.3 tf @ VCC = 10 V

0.6 0.2
VBE @ VCE = 2 V
0.4 0.1
VCE(sat) @ IC/IB = 10 0.07
0.2 0.05
0 0.03
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3
Figure 5. “On” Voltages Figure 6. Turn–Off Time
http://onsemi.com
435
2 300
TJ = 25°C TJ = +25°C
1.6 200
CAPACITANCE (pF)
IC = 0.3 A 1A 3A
1.2
100
Ceb
0.8
70
0.4 50 Ccb
0 30
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 40
IB, BASE CURRENT (mA) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Collector Saturation Region Figure 8. Capacitance

1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.1 0.05
0.03 SINGLE PULSE DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1k
t, TIME (ms)

100µs
3 500µs breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

2 1ms
1 dc operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
0.5 WIRE BOND LIMIT dissipation than the curves indicate.
0.3 THERMAL LIMIT The data of Figure 10 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
0.2 SECOND BREAKDOWN LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.1 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
TC = 25°C SINGLE PULSE
TJ = 150°C
0.03 MJD31, MJD32 Figure 9. At high case temperatures, thermal limitations will
0.02
MJD31C, MJD32C reduce the power that can be handled to values less than the
1.5 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 150
http://onsemi.com
436
MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS
0.190
4.826
0.165
4.191
0.07
1.8
0.118
3.0
0.063
1.6
inches
0.243
6.172
mm
MJD31C DPAK 75 Units / Rail
MJD31CRL DPAK 1800 Tape & Reel
MJD31CT4 DPAK 2500 Tape & Reel
MJD31C–1 DPAK Straight Leads 75 Units / Rail
MJD31T4 DPAK 2500 Tape & Reel
MJD32C DPAK 75 Units / Rail
MJD32CRL DPAK 1800 Tape & Reel
MJD32CT4 DPAK 2500 Tape & Reel
MJD32C–1 DPAK Straight Leads 75 Units / Rail
MJD32RL DPAK 1800 Tape & Reel
MJD32T4 DPAK 2500 Tape & Reel
http://onsemi.com
437
ON Semiconductor
NPN
High Voltage Power Transistors MJD340 *
DPAK For Surface Mount Applications PNP
Designed for line operated audio output amplifier, switchmode

MJD350 *
power supply drivers and other switching applications.
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No
Suffix) SILICON
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) POWER TRANSISTORS
0.5 AMPERE
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) 300 VOLTS
• Electrically Similar to Popular MJE340 and MJE350 15 WATTS
• 300 V (Min) — VCEO(sus)
• 0.5 A Rated Collector Current
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCB
300
300
Vdc
Vdc
ÎÎÎ
CASE 369A–13
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak
IC 0.5
0.75
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 15
0.12
Watts
W/C
ÎÎÎ
CASE 369–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
ÎÎÎ
SURFACE MOUNTED
ÎÎÎ
APPLICATIONS
C/W
0.190
4.826
Thermal Resistance, Junction to Ambient* RθJA 80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering Purpose
ÎÎÎ
ÎÎÎ
TL 260 C
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.165
4.191
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.07
1.8
(IC = 1 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCB = 300 Vdc, IE =
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO — 0.1 mAdc
0.118
3.0
0)
ÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 0.1 mAdc
0.063
1.6
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc) hFE 30 240 — inches
0.243
6.172
mm
*When surface mounted on minimum pad sizes recommended.

MJD340 MJD350
MJD340
300
200 VCE = 2 V
VCE = 10 V
TJ = 150°C
100
70
+100°C
50
+25°C
30
20 -55°C
10
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200 300 500
MJD340
1
TJ = 25°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
0.6 VBE @ VCE = 10 V
0.4
0.2
IC/IB = 5
0
10 20 30 50 100 200 300 500
http://onsemi.com
439
MJD340 MJD350
MJD350 MJD350
200 1 1
TJ = 150°C
TJ = 25°C
25°C 0.8
V, VOLTAGE (VOLTS)
70
-55°C 0.6 VBE @ VCE = 10 V
50
0.4 IC/IB = 10
30
20 VCE = 2 V 0.2
VCC = 10 V
VCE(sat)
IC/IB = 5
10 0
5 7 10 20 30 50 70 100 200 300 500 5 7 10 20 30 50 70 100 200 300 500
1
0.7 D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2 0.1 P(pk)
0.05 RθJC = 8.33°C/W MAX
0.1
0.03 SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1k
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
440
MJD340 MJD350

100 µs
300 500 µs breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
200
1 ms limits of the transistor that must be observed for reliable
30 dc The data of Figure 6 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
20
10 limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
5 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
3 Figure 5. At high case temperatures, thermal limitations will
2
1 limitations imposed by second breakdown.
10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
TA TC
2.5 25
2 20
1.5 15
TA (SURFACE MOUNT)
1 10 TC
0.5 5
0 0
25 50 75 100 125 150
http://onsemi.com
441
ON Semiconductor
NPN
Complementary Power MJD41C *
PNP
Transistors MJD42C *
100 VOLTS
• Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series
• Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Resistors
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol
MJD41C
MJD42C Unit
CASE 369A–13
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCB
100
100
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
5
6
Vdc
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 10
CASE 369–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MINIMUM PAD SIZES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED FOR
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SURFACE MOUNTED
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction APPLICATIONS
Temperature Range
0.190
4.826
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.165
4.191
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 6.25
Thermal Resistance, Junction to Ambient* RθJA 71.4 C/W
*These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.
0.07
1.8 0.118
3.0
0.063
1.6
inches
0.243
6.172
mm

April, 2001 – Rev. 3 MJD41C/D
MJD41C MJD42C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0)
ÎÎÎÎ
ICES — 10 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO — 0.5 mAdc
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
30
15
—
75
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on) — 2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (2) fT 3 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
hfe 20 — —
http://onsemi.com
443
MJD41C MJD42C
TA TC VCC
2.5 25 +30 V
2 20 RC
25 µs
+11 V SCOPE
RB
1.5 15 0
TC
-9 V 51 D1
1 10 TA SURFACE MOUNT
tr, tf ≤ 10 ns
-4 V
DUTY CYCLE = 1%
0.5 5 RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
0 0 MSB5300 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
25 50 75 100 125 150 MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
REVERSE ALL POLARITIES FOR PNP.
500 2
TJ = 25°C
300 VCE = 2 V 1 VCC = 30 V
200 TJ = 150°C IC/IB = 10
0.7
0.5
100 25°C
t, TIME (s)
70 0.3 tr
µ
50 0.2
30
-55°C 0.1
20
0.07 td @ VBE(off) ≈ 5 V
10 0.05
7 0.03
5 0.02
0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 1 2 4 6 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 6
2 5
TJ = 25°C
TJ = 25°C 3 VCC = 30 V
1.6 2 IC/IB = 10
ts IB1 = IB2
V, VOLTAGE (VOLTS)
1
1.2
t, TIME (s)
0.7
µ
0.5
0.8 VCE(sat) @ IC/IB = 10 0.3
0.2
VBE @ VCE = 4 V
tf
0.4
0.1
VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.07
0 0.05
0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 1 2 3 4 6 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 6
Figure 12. “On” Voltages Figure 13. Turn–Off Time
http://onsemi.com
444
MJD41C MJD42C
2 300
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 200
C, CAPACITANCE (pF)
IC = 1 A 2.5 A 5A Cib
1.2
100
0.8
70 Cob
0.4 50
0 30
10 20 30 50 100 200 300 500 1000 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50
IB, BASE CURRENT (mA) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Collector Saturation Region Figure 15. Capacitance
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.1
0.02 t1
0.03 0.01 DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)

500µs 100µs
3 1ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

2 dc
5ms limits of the transistor that must be observed for reliable
0.5 WIRE BOND LIMIT dissipation than the curves indicate.
0.3 THERMAL LIMIT The data of Figure 17 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
SECOND BREAKDOWN LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.1 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.03 Figure 16. At high case temperatures, thermal limitations
TJ = 150°C MJD41C, 42C
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100

Safe Operating Area
http://onsemi.com
445
ON Semiconductor
MJD44E3 *
Darlington Power Transistor *ON Semiconductor Preferred Device
DPAK For Surface Mount Application
NPN DARLINGTON
. . . for general purpose power and switching output or driver stages SILICON
in applications such as switching regulators, converters, and power POWER TRANSISTOR
amplifiers. 10 AMPERES
80 VOLTS
• Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No 20 WATTS
Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount
(“T4” Suffix)
• Electrically Similar to Popular D44E3 Device
• High DC Gain — 1000 Min @ 5.0 Adc
• Low Sat. Voltage — 1.5 V @ 5.0 Adc
•
CASE 369–07
Compatible With Existing Automatic Pick & Place Equipment
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Value
80
Unit
Vdc
CASE 369A–13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
7
10
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25C
ÎÎÎ
PD
20 Watts
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 0.16 W/C SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation (1) PD
0.190
4.826
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TA = 25C 1.75 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
0.165
4.191
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.07
1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJA 71.4 C/W
0.118
3.0
Lead Temperature for Soldering TL 260 C

(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.
0.063
1.6
inches
0.243
6.172
mm

April, 2001 – Rev. 1 MJD44E3/D
MJD44E3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES — — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 7 Vdc)
ÎÎÎ
IEBO — — 1 µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
— — 1.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 20 mAdc) — — 2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE 1000 — — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Capacitance Ccb — — 130 pF
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING TIMES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay and Rise Times
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB1 = 20 mAdc)
td + tr — 0.6 — µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 20 mAdc)
ts — 2 — µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 20 mAdc)
tf — 0.5 — µs
TA TC
10 2.5 25
100 µs
5
2 20
3 1 ms
TC
2
1.5 15
5 ms
1
TA
BONDING WIRE LIMIT 1 10
0.5 SURFACE
THERMAL LIMIT
MOUNT
0.5 5
0.2
0.1 0 0
1 2 3 5 10 20 30 50 100 25 50 75 100 125 150
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) T, TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Maximum Forward Bias Figure 2. Power Derating

Safe Operating Area
http://onsemi.com
447
ON Semiconductor
NPN
Complementary Power MJD44H11 *
PNP
Transistors MJD45H11 *
. . . for general purpose power and switching such as output or
driver stages in applications such as switching regulators, converters, SILICON
and power amplifiers. POWER TRANSISTORS
• Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves 8 AMPERES
80 VOLTS
(No Suffix)
20 WATTS
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount
(“T4” Suffix)
• Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series
• Low Collector Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes
• Fast Switching Speeds
CASE 369A–13
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol D44H11 or D45H11 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 369–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 16
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 25C
ÎÎÎ
PD
20 Watts
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation (1) PD APPLICATIONS
0.190
4.826
@ TA = 25C 1.75 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
0.165
4.191
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.07
C/W
1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.118
Lead Temperature for Soldering TL 260 C

3.0
(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.
0.063
1.6
inches
0.243
6.172
mm

April, 2001 – Rev. 4 MJD44H11/D
MJD44H11 MJD45H11
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mA, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICES — — 10 µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — — 50 µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — — 1 Vdc
(IC = 8 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc)
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE 60 — — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain 40 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1 MHz) MJD44H11
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 130 —
MJD45H11 — 230 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz) MJD44H11
fT
— 50 —
MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJD45H11 — 40 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING TIMES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc) MJD44H11 — 300 —
MJD45H11 — 135 —
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) MJD44H11
ts
— 500 —
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJD45H11 — 500 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) MJD44H11 — 140 —
MJD45H11 — 100 —
http://onsemi.com
449
MJD44H11 MJD45H11
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.02 t1
0.03 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1k
t, TIME (ms)

10 100µs a transistor: average junction temperature and second
500µs

3 5ms 1ms limits of the transistor that must be observed for reliable
dc
0.5 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
0.3 WIRE BOND LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse
1 3 5 7 10 20 30 50 70 100

Safe Operating Area
TA TC
2.5 25
2 20
TC
1.5 15
1 10 TA
SURFACE
MOUNT
0.5 5
0 0
25 50 75 100 125 150
http://onsemi.com
450
MJD44H11 MJD45H11
1000 1000

VCE = 4 V
VCE = 4 V
100 100
1V
VCE = 1 V
TJ = 25°C TJ = 25°C
10 10
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 4. MJD44H11 DC Current Gain Figure 5. MJD45H11 DC Current Gain
1000 1000
TJ = 125°C
TJ = 125°C 25°C
-40°C
25°C
100 100
-40°C
VCE = 1 V
VCE = 1 V
10 10
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 6. MJD44H11 Current Gain Figure 7. MJD45H11 Current Gain

1.2 1.2
0.8 0.8
0.6 0.6
IC/IB = 10 IC/IB = 10
0.4 TJ = 25°C 0.4 TJ = 25°C
VCE(sat) 10
0.2 VCE(sat) 0.2
0 0
0.1 1 10 0.1 1
Figure 8. MJD44H11 On–Voltages Figure 9. MJD45H11 On–Voltages
http://onsemi.com
451
ON Semiconductor
MJD47 *
High Voltage Power Transistors MJD50 *
D e s i g n e d f o r l i n e o p e r a t e d a u d i o o u t p u t a m p l i f i e r, NPN SILICON
SWITCHMODE power supply drivers and other switching POWER TRANSISTORS
applications. 1 AMPERE
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No 250, 400 VOLTS
15 WATTS
Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50
• 250 and 400 V (Min) — VCEO(sus)
• 1 A Rated Collector Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol MJD47 MJD50 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 2 CASE 369–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ IB 0.6 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 15
0.12
Watts
W/C
MINIMUM PAD SIZES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation* @ TA = 25C PD 1.56 Watts RECOMMENDED FOR
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SURFACE MOUNTED
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to +150 C APPLICATIONS
Temperature Range 0.190
4.826
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.165
4.191
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient* RθJA 80
C
Lead Temperature for Soldering Purpose TL 260
0.07
1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.118

3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.063
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) MJD47 VCEO(sus) 250 — Vdc

1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0) MJD50 400 —
inches
0.243
6.172
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO mAdc mm
(VCE = 150 Vdc, IB = 0) MJD47
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.2
(VCE = 300 Vdc, IB = 0) MJD50 — 0.2
*When surface mounted on minimum pad sizes recommended. (continued)

MJD47 MJD50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS – continued (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS — continued
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(VCE = 350 Vdc, VBE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 500 Vdc, VBE = 0)
MJD47
MJD50
—
—
0.1
0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.3 Adc, VCE = 10 Vdc) 30 150
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
VCE(sat) — 1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 25 — —
TA TC
2.5 25 VCC
TURN-ON PULSE
RC
APPROX
+11 V
2 20 Vin SCOPE
RB
Vin 0
51
1.5 15 VEB(off)
t1
TA (SURFACE MOUNT)
t3 Cjd << Ceb -4 V
1 10 TC APPROX
+11 V t1 ≤ 7 ns
10 < t2 < 500 µs
0.5 5 Vin t3 < 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2%
0 0 APPROX -9 V
t2
25 50 75 100 125 150 RB and RC VARIED TO OBTAIN
TURN-OFF PULSE DESIRED CURRENT LEVELS.
Figure 1. Power Derating Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
http://onsemi.com
453
MJD47 MJD50
200 1.4
VCE = 10 V
100 1.2
TJ = 150°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
60
1
40 25°C VBE(sat) @ IC/IB = 5 V
0.8
20 VBE(on) @ VCE = 4 V
-55°C 0.6
10
0.4 TJ = 25°C
6
4 0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 5 V
2 0
0.02 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 0.02 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2
1
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 RθJC = 8.33°C/W MAX
0.01
READ TIME AT t1 t2
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1k
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
454
MJD47 MJD50
5
2
1ms 500µs
dc
TC ≤ 25°C operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
0.2
0.1 SECOND BREAKDOWN LIMIT The data of Figure 6 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
THERMAL LIMIT @ 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.05
WIRE BOND LIMIT
0.02 MJD47
CURVES APPLY BELOW 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
0.01 RATED VCEO MJD50
5 10 20 50 100 200 300 500
1 5
TJ = 25°C ts
0.5
VCC = 200 V 2
IC/IB = 5
0.2 tr 1
t, TIME (s)
t, TIME (s) TJ = 25°C

µ
0.1 td 0.5 VCC = 200 V

IC/IB = 5
0.05 tf
0.2
0.02 0.1
0.01 0.05
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
Figure 7. Turn–On Time Figure 8. Turn-Off Time
http://onsemi.com
455
ON Semiconductor
NPN
Complementary Darlington MJD6036
PNP
Power Transistors MJD6039
Designed for general purpose power and switching such as output or
driver stages in applications such as switching regulators, convertors,
and power amplifiers. SILICON
POWER TRANSISTORS
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves 4 AMPERES
(No Suffix) 80 VOLTS
• Available on 16 mm Tape and Reel for Automatic Handling
(“T4” Suffix)
• Surface Mount Replacements for 2N6034–2N6039 Series
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 369A–13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJD6036
Rating Symbol MJD6039 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCB
80
80
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 4
8
Adc
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
100
20
mAdc
Watts
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
APPLICATIONS
Total Power Dissipation (1) @ TA = 25C PD 1.75 Watts
0.190
4.826
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
0.165
4.191
(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.07
1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.118
3.0
0.063
1.6
inches
0.243
6.172
mm

MJD6036 MJD6039
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎCharacteristic Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Cutoff Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEO — 10 µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
hFE
1000 —
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, VCE = 4 Vdc) 500 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VBE(on) — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ hfe 25 — —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Cob pF
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) MJD6036 — 200
MJD6039 — 100
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS 4

VCC
VCC = 30 V IB1 = IB2 ts
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: -30 V
IC/IB = 250 TJ = 25°C
RC SCOPE
TUT
V2 RB tf
t, TIME (s)
µ
APPROX 1
+8 V 0.8
51 D1 ≈ 8 k ≈ 120
0 0.6 tr
V1
APPROX 0.4
+4V
-12 V 25 µs td @ VBE(off) = 0
PNP
tr, tf ≤ 10 ns FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED
NPN
DUTY CYCLE = 1% AND V2 = 0 0.2
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES. 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4
http://onsemi.com
457
MJD6036 MJD6039
1
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.05 RθJC = 6.25°C/W
0.1
SINGLE DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02 PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 50 100 200 300 500 1000
TA TC
10 2.5 25
7 0.1ms
0.5ms
5
2 20
3 5ms
2 TC
1.5 15
1 1ms
0.7 1 10 TA
BONDING WIRE LIMIT
0.5 SURFACE
THERMAL LIMIT dc
0.3 SECOND BREAKDOWN LIM MOUNT
IT 0.5 5
0.2 TJ = 150°C
0.1 0 0
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 25 50 75 100 125 150
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) T, TEMPERATURE (°C)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased Figure 13. Power Derating
Safe Operating Area

a transistor: average junction temperature and second TC = 25°C
100
C, CAPACITANCE (pF)

dissipation than the curves indicate. 50
The data of Figures 14 and 15 is based on TJ(pk) = 150C;
TC is variable depending on conditions. Second breakdown Cob
30 Cib
< 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in 20 PNP
Figure 13. At high case temperatures, thermal limitations NPN
10
the limitations imposed by second breakdown. 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 6 10 20 40
http://onsemi.com
458
MJD6036 MJD6039
6k 6k
TC = 125°C VCE = 3 V TJ = 125°C VCE = 3 V
4k 4k
3k 3k

25°C 25°C
2k 2k
-55°C -55°C
1k 1k
800 800
600 600
400 400
300 300
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4
3.4 3.4
TJ = 125°C TJ = 125°C
3 3
2.6 IC = 2.6 IC =
0.5 A 1A 2A 4A 0.5 A 1A 2A 4A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1 1
0.6 0.6
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
2.2 2.2
TJ = 25°C TJ = 25°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.4 VBE @ VCE = 3 V 1.4 VBE @ VCE = 3 V
1 VCE(sat) @ IC/IB = 250 1

0.6 0.6
0.2 0.2
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) Figure 17. “On” Voltages IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
http://onsemi.com
459
MJD6036 MJD6039
+0.8 + 0.8

*APPLIES FOR IC/IB < hFE/3 *APPLIED FOR IC/IB < hFE/3
0 0
25°C to 150°C
- 0.8 - 0.8 25°C to 150°C
- 1.6 *θVC for VCE(sat) - 1.6

- 55°C to 25°C
- 2.4 - 2.4 θVC for VCE(sat)
25°C to 150°C - 55°C to 25°C
- 3.2 - 3.2
25°C to 150°C 25°C to 150°C
θVB for VBE θVC for VBE
-4 -4 25°C to 150°C
- 4.8 - 4.8
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 3 4 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 3 4
105 105

104 104

µ
VCE = 30 V VCE = 30 V
103 103
102 102
TJ = 150°C
TJ = 150°C
101 101
100°C
100 100 100°C
25°C
25°C
10-1 10-1
+0.6 +0.4 +0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4 -0.6 -0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1 +1.2 +1.4

MJD6036 MJD3039
BASE BASE
≈8k ≈ 60 ≈8k ≈ 60
EMITTER EMITTER
http://onsemi.com
460
MJE13003
SWITCHMODE Series NPN

Silicon Power Transistor
These devices are designed for high–voltage, high–speed power
switching inductive circuits where fall time is critical. They are
particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications
such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, http://onsemi.com
Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.
SPECIFICATION FEATURES:
• Reverse Biased SOA with Inductive Loads @ TC = 100C 1.5 AMPERES
• Inductive Switching Matrix 0.5 to 1.5 Amp, 25 and 100C NPN SILICON POWER
tc @ 1 A, 100C is 290 ns (Typ). TRANSISTORS
• 700 V Blocking Capability 300 AND 400 VOLTS
• SOA and Switching Applications Information. 40 WATTS
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO(sus) 400 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– Peak (Note 1.) ICM 3 2 1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– Peak (Note 1.) IBM 1.5 TO–225
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77
Emitter Current – Continuous IE 2.25 Adc STYLE 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– Peak (Note 1.) IEM 4.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MARKING DIAGRAM
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 11.2 mW/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C PD 40 Watts 1 BASE
Derate above 25C 320 mW/C YWW
2 COLLECTOR
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJE13003
3 EMITTER
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range +150 Y = Year
THERMAL CHARACTERISTICS WW = Work Week
MJE13003 = Device Code
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to RθJA 89 C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Ambient ORDERING INFORMATION
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Load Temperature for TL 275 C Device Package Shipping
Soldering Purposes:
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1/8″ from Case for 5 Seconds MJE13003 TO–225 500 Units/Box
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.

May, 2001 – Rev. 0 MJE13003/D
MJE13003
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS (Note 5..)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mA, IB = 0) 400 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEV mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) – – 1
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100C) – – 5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO – – 1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with bass forward biased IS/b See Figure 11
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Clamped Inductive SOA with base reverse biased RBSOA See Figure 12
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (Note 5..)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
8 – 40
(IC = 1 Adc, VCE = 2 Vdc) 5 – 25
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.1 Adc)
VCE(sat)
– – 0.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.25 Adc) – – 1
(IC = 1.5 Adc, IB = 0.5 Adc) – – 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.25 Adc, TC = 100C) – – 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.1 Adc) – – 1
(IC = 1 Adc, IB = 0.25 Adc) – – 1.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.25 Adc, TC = 100C) – – 1.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 4 10 – MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance Cob – 21 – pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Resistive Load (Table 1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Delay Time
Rise Time
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 125 Vdc, IC = 1 A,
td
tr
–
–
0.05
0.5
0.1
1
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = IB2 = 0.2 A tp = 25 µs
0 2 A, µs,
Storage Time Duty Cycle 1%) ts – 2 4 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inductive Load, Clamped (Table 1, Figure 13)
tf – 0.4 0.7 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
Crossover Time
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ A Vclamp = 300 Vdc,
(IC = 1 A, Vd
tsv
tc
–
–
1.7
0.29
4
0.75
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 0.2 A, VBE(off) = 5 Vdc, TC = 100
100C)
C)
Fall Time tfi – 0.15 – µs
5. Pulse Test: PW = 300 µs, Duty Cycle 2%.
http://onsemi.com
462
MJE13003
80 2

60 TJ = 25°C
TJ = 150°C
1.6
40
30 25°C
1.2 IC = 0.1 A 0.3 A 0.5 A 1A 1.5 A
20
-55°C 0.8
10
8 0.4
6 VCE = 2 V
VCE = 5 V
4 0
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
1.4 0.35
VBE(sat) @ IC/IB = 3 0.3

1.2 VBE(on) @ VCE = 2 V
0.25 IC/IB = 3
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1
TJ = -55°C 0.2 TJ = -55°C
25°C 0.15 25°C

0.8
25°C 0.1
0.6 150°C 150°C
0.05
0.4 0
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2
Figure 3. Base–Emitter Voltage Figure 4. Collector–Emitter Saturation Region
104 500
VCE = 250 V 300 TJ = 25°C
103 200 Cib

µ
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C
100
102 125°C
70
100°C 50
101 75°C 30
50°C 20
100
10 Cob
25°C
REVERSE FORWARD 7
10-1 5
-0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
http://onsemi.com
463
MJE13003
Table 1. Test Conditions for Dynamic Performance
RESISTIVE
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA AND INDUCTIVE SWITCHING
SWITCHING
+5 V
VCC
33 +125 V
1N4933
MJE210
L
0.001 µF MR826*
RC
33 1N4933
TEST CIRCUITS
5V TUT
PW 2N222 IC Vclamp RB SCOPE
RB
1k 2
DUTY CYCLE ≤ 10% 68 *SELECTED FOR ≥ 1 kV
tr, tf ≤ 10 ns 1 IB 5.1 k D1
+5 Vk VCE
51
1N4933 1 T.U.T. -4.0 V
k 2N2905
0.02 µF 270 MJE200
NOTE 47
PW and VCC Adjusted for Desired IC 100
1/2 W
RB Adjusted for Desired IB1 -VBE(off)
VCC = 125 V
CIRCUIT
VALUES
Coil Data:
GAP for 30 mH/2 A VCC = 20 V RC = 125 Ω
Ferroxcube Core #6656
Lcoil = 50 mH Vclamp = 300 Vdc D1 = 1N5820 or Equiv.
Full Bobbin (~200 Turns) #20
RB = 47 Ω
OUTPUT WAVEFORMS
+10.3 V 25 µs
IC tf CLAMPED
TEST WAVEFORMS
t1 Adjusted to
IC(pk)
Obtain IC 0
t Lcoil (IC ) Test Equipment
t1 tf pk
t1 ≈ Scope–Tektronics -8.5 V
VCC
VCE 475 or Equivalent
VCEor Lcoil (IC ) tr, tf < 10 ns
pk
Vclamp t2 ≈ Duty Cycle = 1.0%
t Vclamp
RB and RC adjusted
TIME t2
for desired IB and IC
http://onsemi.com
464
MJE13003
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ICPK Table 2. Typical Inductive Switching Performance
Vclamp
90% Vclamp 90% IC ÎÎÎ

ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
AMP ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
TC
C
tsv
µs
trv
µs
tfi
µs
tti
µs
tc
µs
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IC tsv trv tfi tti
0.5 25 1.3 0.23 0.30 0.35 0.30
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100 1.6 0.26 0.30 0.40 0.36
tc
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1 25 1.5 0.10 0.14 0.05 0.16
VCE 10% Vclamp 10% 100 1.7 0.13 0.26 0.06 0.29
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IB 90% IB1 ICPK 2% IC
1.5 25 1.8 0.07 0.10 0.05 0.16
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100 3 0.08 0.22 0.08 0.28
TIME

NOTE: All Data Recorded in the Inductive Switching Circuit in Table 1
SWITCHING TIMES NOTE
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times For the designer, there is minimal switching loss during
have been defined and apply to both current and voltage storage time and the predominant switching power losses
waveforms since they are in phase. However, for inductive occur during the crossover interval and can be obtained
loads which are common to SWITCHMODE power using the standard equation from AN–222:
supplies and hammer drivers, current and voltage PSWT = 1/2 VCCIC(tc)f
waveforms are not in phase. Therefore, separate In general, trv + tfi tc. However, at lower test currents
measurements must be made on each waveform to this relationship may not be valid.
determine the total switching time. For this reason, the As is common with most switching transistors, resistive
following new terms have been defined. switching is specified at 25C and has become a benchmark
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% Vclamp for designers. However, for designers of high frequency
trv = Voltage Rise Time, 10–90% Vclamp converter circuits, the user oriented specifications which
tfi = Current Fall Time, 90–10% IC make this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive
tti = Current Tail, 10–2% IC switching speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100C.
tc = Crossover Time, 10% Vclamp to 10% IC
An enlarged portion of the inductive switching
waveforms is shown in Figure 7 to aid in the visual identity
of these terms.
http://onsemi.com
465
MJE13003
RESISTIVE SWITCHING PERFORMANCE
2 10
7 ts VCC = 125 V
1 VCC = 125 V 5 IC/IB = 5
IC/IB = 5 TJ = 25°C
0.7 3
tr TJ = 25°C
0.5
2
t, TIME (s)
t, TIME (s)
0.3
µ
µ
0.2 1
td @ VBE(off) = 5 V 0.7
0.1 0.5
0.07 0.3 tf
0.05
0.2
0.03
0.02 0.1
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 10 20 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2
1
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 ZθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 3.12°C/W MAX
0.05
0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 50 100 200 500 1000
http://onsemi.com
466
MJE13003
The Safe Operating Area figures shown in Figures 11 and 12 are SAFE OPERATING AREA INFORMATION
specified ratings for these devices under the test conditions
shown. FORWARD BIAS
2 10 µs limits of the transistor that must be observed for reliable

100 µs operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
1 5.0ms dissipation than the curves indicate.
0.5 dc 1.0 ms The data of Figure 11 is based on TC = 25C; TJ(pk) is
TC = 25°C
0.2
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE) pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
0.1 BONDING WIRE LIMIT derated when TC ≥ 25C. Second breakdown limitations do
not derate the same as thermal limitations. Allowable
5 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
0.02
current at the voltages shown on Figure 11 may be found at
MJE13003
any case temperature by using the appropriate curve on
0.01
5 10 20 50 100 200 300 500 Figure 13.
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 10. At
high case temperatures, thermal limitations will reduce the
Figure 11. Active Region Safe Operating power that can be handled to values less than the limitations
Area imposed by second breakdown.
REVERSE BIAS
1.6
For inductive loads, high voltage and high current must be
sustained simultaneously during turn–off, in most cases,
1.2
with the base to emitter junction reverse biased. Under these
conditions the collector voltage must be held to a safe level
VBE(off) = 9 V at or below a specific value of collector current. This can be
TJ ≤ 100°C accomplished by several means such as active clamping, RC
0.8
IB1 = 1 A MJE13003 snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
0.4
and represents the voltage–current conditions during
5V reverse biased turn–off. This rating is verified under
3V
1.5 V an avalanche mode. Figure 12 gives RBSOA characteristics.
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
VCEV, COLLECTOR-EMITTER CLAMP VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Reverse Bias Safe Operating Area
SECOND BREAKDOWN
0.8 DERATING
0.6
THERMAL
DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
467
ON Semiconductor
MJE13005 *
SWITCHMODE Series *ON Semiconductor Preferred Device
NPN Silicon Power Transistors 4 AMPERE

These devices are designed for high–voltage, high–speed power NPN SILICON
switching inductive circuits where fall time is critical. They are POWER TRANSISTOR
particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications 400 VOLTS
such as Switching Regulator’s, Inverters, Motor Controls, 75 WATTS
• VCEO(sus) 400 V
• Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC = 100C
• Inductive Switching Matrix 2 to 4 Amp, 25 and 100C
tc @ 3A, 100C is 180 ns (Typ)
• 700 V Blocking Capability
• SOA and Switching Applications Information.
CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO(sus) 400 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 8
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM 4
ÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Current — Continuous
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1)
IE
IEM
6
12
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
PD 2
16
Watts
mW/C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

April, 2001 – Rev. 5 MJE13005/D
MJE13005
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mA, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) — — 1
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100C) — — 5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — — 1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with base forward biased IS/b See Figure 11
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased RBSOA See Figure 12
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
10 — 60
(IC = 2 Adc, VCE = 5 Vdc) 8 — 40
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
— — 0.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc) — — 0.6
(IC = 4 Adc, IB = 1 Adc) — — 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc, TC = 100C) — — 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) — — 1.2
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc) — — 1.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc, TC = 100C) — — 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 4 — — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance Cob — 65 — pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Delay Time
Rise Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 125 Vdc, IC = 2 A,
td
tr
—
—
0.025
0.3
0.1
0.7
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = IB2 = 0.4 A tp = 25 µs
0 4 A, µs,
Storage Time Duty Cycle 1%) ts — 1.7 4 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tf — 0.4 0.9 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Voltage Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ A Vclamp = 300 Vdc,
(IC = 2 A, Vd
tsv
tc
—
—
0.9
0.32
4
0.9
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 0.4 A, VBE(off) = 5 Vdc, TC = 100
100C)
C)
Fall Time tfi — 0.16 — µs
*Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.
http://onsemi.com
469
MJE13005

100
70 TJ = 150°C TJ = 25°C
1.6
50
25°C IC = 1 A 2A 3A 4A
30 1.2
20
-55°C 0.8
10 VCE = 2 V 0.4
7 VCE = 5 V
5 0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3
VCE(sat) , COLLECTOR-EMITTER SATURATION

1.3 0.55
VBE(sat) @ IC/IB = 4 IC/IB = 4

1.1 VBE(on) @ VCE = 2 V 0.45
VOLTAGE (VOLTS)
0.9 TJ = -55°C 0.35 TJ = -55°C
25°C 25°C
0.7 0.25
25°C
0.5 0.15 150°C
150°C
0.3 0.05
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 4
Figure 3. Base–Emitter Voltage Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
10 k 2k
VCE = 250 V
1k Cib
1k 700
µ
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C 500
100 125°C 300
100°C 200
10 75°C
100
70
50°C
1 50
25°C
30 Cob
REVERSE FORWARD
0.1 20
-0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 0.3 0.5 1 3 5 10 30 50 100 300
http://onsemi.com
470
MJE13005
ICPK SWITCHING TIMES NOTE

Vclamp
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
90% Vclamp 90% IC have been defined and apply to both current and voltage
IC tsv trv tfi tti waveforms since they are in phase. However, for inductive
loads which are common to SWITCHMODE power
tc supplies and hammer drivers, current and voltage
VCE 10% Vclamp
waveforms are not in phase. Therefore, separate
10% measurements must be made on each waveform to
IB 90% IB1 ICPK 2% IC
determine the total switching time. For this reason, the
following new terms have been defined.
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% Vclamp
trv = Voltage Rise Time, 10–90% Vclamp
TIME tfi = Current Fall Time, 90–10% IC
tti = Current Tail, 10–2% IC
Figure 7. Inductive Switching Measurements tc = Crossover Time, 10% Vclamp to 10% IC
An enlarged portion of the inductive switching
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
waveforms is shown in Figure 7 to aid in the visual identity
Table 1. Typical Inductive Switching Performance of these terms.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
IC
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
AMP ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TC
C
tsv
ns
trv
ns
tfi
ns
tti
ns
tc
ns
For the designer, there is minimal switching loss during
storage time and the predominant switching power losses
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ2 25 600 70 100 80 180 occur during the crossover interval and can be obtained
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100 900 110 240 130 320 using the standard equation from AN–222:
PSWT = 1/2 VCCIC(tc)f
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3 25 650 60 140 60 200
100 950 100 330 100 350 In general, trv + tfi tc. However, at lower test currents
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4 25
100
550
850
70
110
160
350
100
160
220
390
this relationship may not be valid.
As is common with most switching transistors, resistive
switching is specified at 25°C and has become a benchmark
NOTE: All Data recorded in the inductive Switching Circuit In Table 2. for designers. However, for designers of high frequency
converter circuits, the user oriented specifications which
make this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive
switching speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100C.
1 10
VCC = 125 V ts VCC = 125 V
0.5 IC/IB = 5 5 IC/IB = 5
TJ = 25°C TJ = 25°C
tr
0.2 2
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
0.1 1
0.05 td @ VBE(off) = 5 V 0.5

0.3 tf
0.02 0.2
0.01 0.1
0.04 0.1 0.2 0.4 1 2 4 0.04 0.1 0.2 0.5 1 2 4
http://onsemi.com
471
MJE13005
RESISTIVE
SWITCHING
+5 V
VCC
1N4933 33
MJE210 +125 V
L
0.001 µF MR826*
33 1N4933 RC
TEST CIRCUITS
5V TUT
PW 2N222 IC Vclamp
RB RB SCOPE
1k 2
tr, tf ≤ 10 ns 1k IB 5.1 k
+5 V VCE D1
51
1N493 1k T.U.T.
3 2N2905 -4.0 V
0.02 µF 270 47 100
MJE200
NOTE
PW and VCC Adjusted for Desired IC 1/2 W
VCC = 125 V
CIRCUIT
VALUES
Coil Data:
GAP for 200 µH/20 A VCC = 20 V RC = 62 Ω
Lcoil = 200 µH Vclamp = 300 Vdc D1 = 1N5820 or Equiv.
RB = 22 Ω
OUTPUT WAVEFORMS
+10 V 25 µs
tf CLAMPED
TEST WAVEFORMS
IC tf UNCLAMPED ≈ t2 t1 ADJUSTED TO
IC(pk) OBTAIN IC 0
Lcoil (IC ) Test Equipment
t pk
t1 tf t1 ≈ Scope–Tektronics
-8 V
VCC 475 or Equivalent
VCE
Lcoil (IC ) tr, tf < 10 ns
VCE or t2 ≈
pk
Vclamp Vclamp Duty Cycle = 1.0%
t RB and RC adjusted
TIME t2 for desired IB and IC
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 P(pk)
0.07 0.05
0.02
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01
TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1k
t, TIME (ms)
Figure 10. Typical Thermal Response [ZθJC(t)]
http://onsemi.com
472
MJE13005
SAFE OPERATING AREA INFORMATION

The Safe Operating Area Figures 11 and 12 are specified ratings for these devices under the test conditions shown.
10 4
5 TC ≤ 100°C
IC(pk) , COLLECTOR CURRENT (AMP)

IB1 = 2.0 A
2 500 µs
5 ms 3
1 dc
0.5
2 VBE(off) = 9 V
0.2 1 ms
0.1
0.05 1
MJE13005 5V
0.02
3V
MJE13005 1.5 V
0.01 0
5 7 10 20 30 50 70 100 200 300 500 0 100 200 300 400 500 600 700 800
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 400 VCE, COLLECTOR-EMITTER CLAMP VOLTAGE (VOLTS)
FORWARD BIAS REVERSE BIAS

There are two limitations on the power handling ability of For inductive loads, high voltage and high current must be
a transistor: average junction temperature and second sustained simultaneously during turn–off, in most cases,
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE with the base to emitter junction reverse biased. Under these
limits of the transistor that must be observed for reliable conditions the collector voltage must be held to a safe level
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater at or below a specific value of collector current. This can be
dissipation than the curves indicate. accomplished by several means such as active clamping, RC
The data of Figure 11 is based on TC = 25C; TJ(pk) is snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
variable depending on power level. Second breakdown devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be and represents the voltage–current conditions during
derated when TC ≥ 25C. Second breakdown limitations do reverse biased turn–off. This rating is verified under
not derate the same as thermal limitations. Allowable clamped conditions so that the device is never subjected to
current at the voltages shown on Figure 11 may be found at an avalanche mode. Figure 12 gives the complete RBSOA
any case temperature by using the appropriate curve on characteristics.
Figure 13.
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 10. At
high case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown.
SECOND BREAKDOWN
0.8 DERATING
0.6 THERMAL
DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
473
ON Semiconductor
SWITCHMODE MJE13007
The MJE13007 is designed for high–voltage, high–speed power
switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly POWER TRANSISTOR
8.0 AMPERES
suited for 115 and 220 V switchmode applications such as Switching
400 VOLTS
Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay drivers and 80 WATTS
Deflection circuits.
• VCEO(sus) 400 V
• Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC = 100°C
• SOA and Switching Applications Information
• Standard TO–220
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol MJE13007 Unit
Collector Current — Peak (1) ICM 16
Base Current — Peak (1) IBM 8.0
Emitter Current — Peak (1) IEM 24
Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD 80 Watts
Operating and Storage Temperature TJ, Tstg – 65 to 150 °C CASE 221A–09
TO–220AB
THERMAL CHARACTERISTICS MJE13007
Thermal Resistance RθJC °1.56° °C/W
— Junction to Case RθJA °62.5°
— Junction to Ambient
Purposes: 1/8″ from Case for 5
Seconds
*Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface of the
*package (in a location beneath the die), the device mounted on a heatsink with thermal grease applied
*at a mounting torque of 6 to 8•lbs.

May, 2001 – Rev. 3 MJE13007/D
MJE13007

(IC = 10 mA, IB = 0)

(VCES = 700 Vdc) — — 0.1
(VCES = 700 Vdc, TC = 125°C) — — 1.0
(VEB = 9.0 Vdc, IC = 0)
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b See Figure 6
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased — See Figure 7
*ON CHARACTERISTICS
(IC = 2.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 8.0 — 40
(IC = 5.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 5.0 — 30
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.4 Adc) — — 1.0
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc) — — 2.0
(IC = 8.0 Adc, IB = 2.0 Adc) — — 3.0
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100°C) — — 3.0

(IC = 2.0 Adc, IB = 0.4 Adc) — — 1.2
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc) — — 1.6
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100°C) — — 1.5
Current–Gain — Bandwidth Product fT 4.0 14 — MHz
Output Capacitance Cob — 80 — pF

(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Delay Time td — 0.025 0.1 µs
Rise Time (VCC = 125 Vdc, IC = 5.0 A, tr — 0.5 1.5
IB1 = IB2 = 1.0 A tp = 25 µs
1 0 A, µs,
Storage Time Duty Cycle ≤ 1.0%) ts — 1.8 3.0
Fall Time tf — 0.23 0.7
Inductive Load, Clamped (Table 1)
Voltage Storage Time VCC = 15 Vdc, IC = 5.0 A TC = 25°C tsv — 1.2 2.0 µs
Vclamp = 300 Vdc TC = 100°C — 1.6 3.0
Crossover Time IB(on) = 1.0 A, IB(off) = 2.5 A TC = 25°C tc — 0.15 0.30 µs

LC = 200 µH TC = 100°C — 0.21 0.50
Fall Time TC = 25°C tfi — 0.04 0.12 µs

TC = 100°C — 0.10 0.20
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.
http://onsemi.com
475
MJE13007
1.4 10
VCE(sat), COLLECTOR-EMITTER SATURATION

VBE(sat), BASE-EMITTER SATURATION
IC/IB = 5 5 IC/IB = 5
1.2
2
VOLTAGE (VOLTS)
1
VOLTAGE (VOLTS)
1
0.5
TC = -40°C 0.2
0.8 TC = -40°C
25°C 0.1
25°C
0.6 0.05
100°C
100°C
0.02
0.4 0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
Figure 1. Base–Emitter Saturation Voltage Figure 2. Collector–Emitter Saturation Voltage
3
TJ = 25°C
2.5
1.5 IC = 8 A
IC = 5 A
1
IC = 3 A
0.5 IC = 1 A
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 3 5 10
IB, BASE CURRENT (AMPS)
100 10000
Cib TJ = 25°C
TJ = 100°C
C, CAPACITANCE (pF)
1000
25°C
10 40°C
Cob
VCE = 5 V 100
1 10
0.01 0.1 1 10 0.1 1 10 100 1000
Figure 4. DC Current Gain Figure 5. Capacitance
http://onsemi.com
476
MJE13007
100 10
50 Extended SOA @ 1 µs, 10 µs
20 8

10 1 µs
5 10 µs
TC = 25°C 6 TC ≤ 100°C
2 DC 1 ms
1 GAIN ≥ 4
5 ms LC = 500 µH
0.5 4
0.2 VBE(off)
BONDING WIRE LIMIT
0.1 THERMAL LIMIT
2 -5 V
CURVES APPLY BELOW
0.02 RATED VCEO
0 0V -2 V
0.01
0 100 200 300 400 500 600 700 800
10 20 30 50 70 100 200 300 500 1000
VCEV, COLLECTOR-EMITTER CLAMP VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Maximum Reverse Bias Switching
Safe Operating Area
Safe Operating Area

SECOND BREAKDOWN
0.8 breakdown. Safe operating area curves indicate IC — VCE
DERATING
limits of the transistor that must be observed for reliable op-

0.6 eration; i.e., the transistor must not be subjected to greater
THERMAL The data of Figure 6 is based on TC = 25°C; TJ(pk) is vari-
0.4 DERATING able depending on power level. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
0.2 when TC ≥ 25°C. Second breakdown limitations do not der-
ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
voltages shown on Figure 6 may be found at any case tem-
0
20 40 60 80 100 120 140 160 perature by using the appropriate curve on Figure 8.
TC, CASE TEMPERATURE (°C) At high case temperatures, thermal limitations will re-
duce the power that can be handled to values less than the
Figure 8. Forward Bias Power Derating limitations imposed by second breakdown.
Use of reverse biased safe operating area data (Figure 7)
is discussed in the applications information section.
1
0.7
D = 0.5
0.5
D = 0.2
0.2
D = 0.1
0.07 D = 0.05 P(pk) RθJC = 1.56°C/W MAX
D = 0.02 t1 PULSE TRAIN SHOWN
t2 READ TIME AT t1
D = 0.01 DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 10k
t, TIME (msec)
Figure 9. Typical Thermal Response for MJE13007
http://onsemi.com
477
MJE13007
SPECIFICATION INFORMATION FOR SWITCHMODE APPLICATIONS
INTRODUCTION at 25°C and 100°C. Increasing the reverse bias will give
The primary considerations when selecting a power some improvement in device blocking capability.
transistor for SWITCHMODE applications are voltage and The sustaining or active region voltage requirements in
current ratings, switching speed, and energy handling switching applications occur during turn–on and turn–off. If
capability. In this section, these specifications will be the load contains a significant capacitive component, high
discussed and related to the circuit examples illustrated in current and voltage can exist simultaneously during turn–on
Table 2.(1) and the pulsed forward bias SOA curves (Figure 6) are the
proper design limits.
VOLTAGE REQUIREMENTS For inductive loads, high voltage and current must be
Both blocking voltage and sustaining voltage are sustained simultaneously during turn–off, in most cases,
important in SWITCHMODE applications. with the base to emitter junction reverse biased. Under these
Circuits B and C in Table 2 illustrate applications that conditions the collector voltage must be held to a safe level
require high blocking voltage capability. In both circuits the at or below a specific value of collector current. This can be
switching transistor is subjected to voltages substantially accomplished by several means such as active clamping, RC
higher than VCC after the device is completely off (see load snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
line diagrams at IC = Ileakage ≈ 0 in Table 2). The blocking devices is specified as a Reverse Bias Safe Operating Area
capability at this point depends on the base to emitter (Figure 7) which represents voltage–current conditions that
conditions and the device junction temperature. Since the can be sustained during reverse biased turn–off. This rating
highest device capability occurs when the base to emitter is verified under clamped conditions so that the device is
junction is reverse biased (VCEV), this is the recommended never subjected to an avalanche mode.
and specified use condition. Maximum I CEV at rated VCEV (1) For detailed information on specific switching applications, see
is specified at a relatively low reverse bias (1.5 Volts) both (1) ON Semiconductor Application Note AN719, AN873, AN875,
AN951.
http://onsemi.com
478
MJE13007
Table 1. Test Conditions For Dynamic Performance

RESISTIVE
SWITCHING
VCC
+15
150Ω 100Ω MTP8P10
V 1 µF 100 µF L +125
3W 3W MTP8P10
TEST CIRCUITS
MUR8100E V
MPF930
RC
MUR105 RB1
MPF930 IC Vclamp = 300 Vdc
RB TUT
+10V IB
MJE210 A SCOPE
RB2 IB
5.1 k
50Ω 150Ω D
COMMON TUT VCE
3W 1
500 µF 51
MTP12N10 -4 V
Voff
1 µF
Inductive
V(BR)CEO(sus) Switching RBSOA
VALUES
CIRCUIT
L = 10 mH L = 200 mH L = 500 mH VCC = 125 V

RC = 25 Ω
RB2 = 8 RB2 = 0 RB2 = 0
D1 = 1N5820 OR
EQUIV.
TYPICAL
tf CLAMPED t1 ADJUSTED TO 25 µs
IC WAVE-
tf UNCLAMPED ≈ t2 OBTAIN IC
TEST WAVEFORMS
FORMS +11 V
Lcoil (ICM)
ICM t1 ≈ VCE PEAK
VCC
t
t1 tf VCE 0
Lcoil (ICM)
t2 ≈
VCE Vclamp
IB1 9V
VCEM Vclamp tr, tf < 10 ns
TEST EQUIPMENT IB DUTY CYCLE = 1.0%
t SCOPE TEKTRONIX RB AND RC ADJUSTED
TIME t2 475 OR EQUIVALENT FOR DESIRED IB AND IC
IB2
http://onsemi.com
479
MJE13007
VOLTAGE REQUIREMENTS (continued) SWITCHING TIME NOTES

In the four application examples (Table 2) load lines are In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
shown in relation to the pulsed forward and reverse biased have been defined and apply to both current and voltage
SOA curves. waveforms since they are in phase. However, for inductive
In circuits A and D, inductive reactance is clamped by the loads which are common to SWITCHMODE power
diodes shown. In circuits B and C the voltage is clamped by supplies and any coil driver, current and voltage waveforms
the output rectifiers, however, the voltage induced in the are not in phase. Therefore, separate measurements must be
primary leakage inductance is not clamped by these diodes made on each waveform to determine the total switching
and could be large enough to destroy the device. A snubber time. For this reason, the following new terms have been
network or an additional clamp may be required to keep the defined.
turn–off load line within the Reverse Bias SOA curve. tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% Vclamp
Load lines that fall within the pulsed forward biased SOA trv = Voltage Rise Time, 10–90% Vclamp
curve during turn–on and within the reverse bias SOA curve tfi = Current Fall Time, 90–10% IC
during turn–off are considered safe, with the following tti = Current Tail, 10–2% IC
assumptions: tc = Crossover Time, 10% Vclamp to 10% IC
3. The device thermal limitations are not exceeded. An enlarged portion of the turn–off waveforms is shown
4. The turn–on time does not exceed 10 µs in Figure 12 to aid in the visual identity of these terms. For
(see standard pulsed forward SOA curves in Figure 6). the designer, there is minimal switching loss during storage
5. The base drive conditions are within the specified time and the predominant switching power losses occur
limits shown on the Reverse Bias SOA curve (Figure during the crossover interval and can be obtained using the
7). standard equation from AN222A:
CURRENT REQUIREMENTS PSWT = 1/2 VCCIC(tc) f
An efficient switching transistor must operate at the Typical inductive switching times are shown in Figure 13.
required current level with good fall time, high energy In general, trv + tfi ≅ tc. However, at lower test currents this
handling capability and low saturation voltage. On this data relationship may not be valid.
sheet, these parameters have been specified at 5.0 amperes As is common with most switching transistors, resistive
which represents typical design conditions for these devices. switching is specified at 25°C and has become a benchmark
The current drive requirements are usually dictated by the for designers. However, for designers of high frequency
VCE(sat) specification because the maximum saturation converter circuits, the user oriented specifications which
voltage is specified at a forced gain condition which must be make this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive
duplicated or exceeded in the application to control the switching speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100°C.
saturation voltage.
SWITCHING REQUIREMENTS
In many switching applications, a major portion of the
transistor power dissipation occurs during the fall time (tfi).
For this reason considerable effort is usually devoted to
reducing the fall time. The recommended way to accomplish
this is to reverse bias the base–emitter junction during
turn–off. The reverse biased switching characteristics for
inductive loads are shown in Figures 12 and 13 and resistive
loads in Figures 10 and 11. Usually the inductive load
components will be the dominant factor in SWITCHMODE
applications and the inductive switching data will more
closely represent the device performance in actual
application. The inductive switching characteristics are
derived from the same circuit used to specify the reverse
biased SOA curves, (see Table 1) providing correlation
between test procedures and actual use conditions.
http://onsemi.com
480
MJE13007
SWITCHING PERFORMANCE
10000 10000
VCC = 125 V 7000 VCC = 125 V
IC/IB = 5 5000 ts IC/IB = 5
IB(on) = IB(off) IB(on) = IB(off)
TJ = 25°C TJ = 25°C
1000 tr PW = 25 µs
PW = 25 µs 2000
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
1000
700
100 500
tf
td 200
10 100
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 10. Turn–On Time (Resistive Load) Figure 11. Turn–Off Time (Resistive Load)
10000
IC IC/IB = 5
Vclamp 5000
90% Vclamp 90% IC IB(off) = IC/2
Vclamp = 300 V tsv
tsv trv tfi tti 2000
LC = 200 µH
tc 1000 VCC = 15 V
t, TIME (ns)
500 TJ = 25°C
Vclamp
10% 10% 200 tc
Vclamp IC
IB 90% IB1 2%
IC 100
tfi
50
20
10
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
TIME
Figure 12. Inductive Switching Figure 13. Typical Inductive Switching Times
Measurements
http://onsemi.com
481
MJE13007
Table 2. Applications Examples of Switching Circuits

CIRCUIT LOAD LINE DIAGRAMS TIME DIAGRAMS
SERIES SWITCHING 16 A TURN-ON (FORWARD BIAS) SOA

REGULATOR ton ≤ 10 µs
IC
DUTY CYCLE ≤ 10%
TC = 100°C
COLLECTOR CURRENT
PD = 3200 W 2
ton toff
300 V TURN-OFF (REVERSE BIAS) SOA
1.5 V ≤ VBE(off) ≤ 9 V
A 8A t
TURN-ON DUTY CYCLE ≤ 10% TIME
VCE
VCC VO TURN-OFF
VCC
400 V 1 700 V 1
+
VCC
COLLECTOR VOLTAGE t
Notes: TIME
1 See AN569 for Pulse Power Derating Procedure.
FLYBACK TURN-ON (FORWARD BIAS) SOA

16 A ton ≤ 10 µs IC
INVERTER
DUTY CYCLE ≤ 10%
TC = 100°C PD = 3200 W 2 toff
COLLECTOR CURRENT
VCC VO
TURN-OFF (REVERSE BIAS) SOA ton
300 V
N 1.5 V ≤ VBE(off) ≤ 9 V t
B 8A
TURN-OFF DUTY CYCLE ≤ 10% LEAKAGE SPIKE
VCE
VCC +
TURN-ON VCC + N (Vo) N (Vo)
+ LEAKAGE
SPIKE VCC
+ VCC
400 V 1 700 V 1
VCC + N (Vo) COLLECTOR VOLTAGE
Notes: t
PUSH–PULL TURN-ON (FORWARD BIAS) SOA IC

INVERTER/CONVERTER 16 A ton ≤ 10 µs
DUTY CYCLE ≤ 10%
toff
TC = 100°C PD = 3200 W 2 ton
COLLECTOR CURRENT
t
1.5 V ≤ VBE(off) ≤ 9 V VCE
C VO 8A
TURN-ON DUTY CYCLE ≤ 10% 2 VCC
VCC VCC
2 VCC
TURN-OFF
+
VCC 400 V 1 700 V 1 t
COLLECTOR VOLTAGE
Notes:
TURN-ON (FORWARD BIAS) SOA

SOLENOID DRIVER 16 A ton ≤ 10 µs
IC
DUTY CYCLE ≤ 10%
TC = 100°C PD = 3200 W 2 toff
VCC ton
COLLECTOR CURRENT

1.5 V ≤ VBE(off) ≤ 9 V t
SOLENOID 8A
D DUTY CYCLE ≤ 10%
VCE
TURN-OFF
VCC
TURN-ON
+ VCC 400 V 1 700 V 1

t
COLLECTOR VOLTAGE
Notes:
http://onsemi.com
482
ON Semiconductor
MJE13009 *
SWITCHMODE Series *ON Semiconductor Preferred Device
NPN Silicon Power Transistors 12 AMPERE

The MJE13009 is designed for high–voltage, high–speed power NPN SILICON
switching inductive circuits where fall time is critical. They are POWER TRANSISTOR
particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications 400 VOLTS
such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, 100 WATTS
• VCEO(sus) 400 V and 300 V
• Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC = 100C
• Inductive Switching Matrix 3 to 12 Amp, 25 and 100C
tc @ 8 A, 100C is 120 ns (Typ).
• SOA and Switching Applications Information.
CASE 221A–09
TO–220AB
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO(sus)
VCEV
400
700
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ VEBO 9 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1)
IC
ICM
12
24
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM 12
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) IEM 36
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
PD 2
16
Watts
mW/C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

April, 2001 – Rev. 5 MJE13009/D
MJE13009
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mA, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) — — 1
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100C) — — 5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — — 1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased — See Figure 2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
8
6
—
—
40
30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc) — — 1
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc) — — 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 Adc, IB = 3 Adc) — — 3
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc, TC = 100C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc) — — 1.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc) — — 1.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc, TC = 100C) — — 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Cob — 180 — pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time td — 0.06 0.1 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 125 Vdc, IC = 8 A, tr — 0.45 1 µs
IB1 = IB2 = 1.6 A tp = 25 µs
1 6 A, µs,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time Duty Cycle 1%) ts — 1.3 3 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — 0.2 0.7 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage Storage Time (IC = 8 A, Vclam tsv — 0.92 2.3 µs
clamp = 300 Vdc,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time IB1 = 1.6 A, VBE(off) = 5 Vdc, TC = 100C) tc — 0.12 0.7 µs
*Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.
http://onsemi.com
484
MJE13009
100 14
50
10µ 12
20
s
10
100µ
IC, COLLECTOR (AMP)

10
5 1m s TC ≤ 100°C
2 s 8 IB1 = 2.5 A
TC = 25°C dc
1
0.5 6
THERMAL LIMIT
0.2 VBE(off) = 9 V
BONDING WIRE LIMIT 4
0.1 SECOND BREAKDOWN LIM
0.05 CURVES
IT APPLY BELOW RATED 5V
2
VCEO 3V
0.02
0.01 1.5
0
5 7 10 20 30 50 70 100 200 300 500 0 100 200 300 400 V 500 600 700 800
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCEV, COLLECTOR-EMITTER CLAMP VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Forward Bias Safe Operating Area Figure 2. Reverse Bias Switching Safe
Operating Area
The Safe Operating Area figures shown in Figures 1 and 2 are specified ratings for these devices under the test conditions shown.
SECOND BREAK a transistor: average junction temperature and second
0.8 DOWN DERATING breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

0.6
THERMAL The data of Figure 1 is based on TC = 25C; TJ(pk) is
0.4 DERATING variable depending on power level. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
derated when TC ≥ 25C. Second breakdown limitations do
0.2
not derate the same as thermal limitations. Allowable
current at the voltages shown on Figure 1 may be found at
0 any case temperature by using the appropriate curve on
20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 3.
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4. At high
Figure 3. Forward Bias Power Derating case temperatures, thermal limitations will reduce the power
that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown. Use of reverse biased safe
operating area data (Figure 2) is discussed in the applications
information section.
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.07 0.05
0.02
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
485
MJE13009
50 2

30 1.6
TJ = 150°C
IC = 1 A 3A 5A 8A 12 A
20 1.2
25°C
0.8
-
10
55°C
0.4 TJ = 25°C
7
VCE = 5 V
5 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5
1.4 0.7
0.6 IC/IB = 3
1.2 IC/IB = 3 TJ = 150°C
V, VOLTAGE (VOLTS) 0.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = -55°C
1 0.4
- 55°C
0.8 0.3
25°C 150°C 0.2

25°C
0.6
0.1
0.4 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20
Figure 7. Base–Emitter Saturation Voltage Figure 8. Collector–Emitter Saturation

Voltage
10K 4K
VCE = 250 V
2K Cib
1K
µ
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C 1K TJ = 25°C
800
100 125°C 600
100°C 400
10
200 Cob
75°C
50°C
1 100
25°C 80
60
0.1 REVERSE FORWARD
40
-0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500
http://onsemi.com
486
MJE13009
RESISTIVE
SWITCHING
+5 V
VCC
1N4933 33
MJE210 +125 V
L
0.001 µF MR826*
33 1N4933 RC
TEST CIRCUITS
5V TUT
PW 2N2222 IC Vclamp
RB RB SCOPE
1
k
tr, tf ≤ 10 ns 1 IB 5.1 k
+5 Vk VCE D1
51
1N4933 1k D.U.T.
2N2905 -4.0 V
0.02 µF 270 47 100
MJE200
NOTE
PW and VCC Adjusted for Desired IC 1/2 W
VCC = 125 V
CIRCUIT
VALUES
Coil Data:
GAP for 200 µH/20 A VCC = 20 V RC = 15 Ω
Lcoil = 200 µH Vclamp = 300 Vdc D1 = 1N5820 or Equiv.
RB = Ω
OUTPUT WAVEFORMS
+10 V 25 µs
tf CLAMPED
TEST WAVEFORMS
IC tf UNCLAMPED ≈ t2 t1 ADJUSTED TO
ICM OBTAIN IC 0
t Test Equipment
Lcoil (ICM)
t1 tf t1 ≈ Scope–Tektronics
-8 V
VCC 475 or Equivalent
VCE
VCEM Vclamp Lcoil (ICM) tr, tf < 10 ns
t2 ≈ Duty Cycle = 1.0%
Vclamp
RB and RC adjusted
TIME t2 for desired IB and IC
http://onsemi.com
487
MJE13009
APPLICATIONS INFORMATION FOR SWITCHMODE SPECIFICATIONS
INTRODUCTION In circuits A and D, inductive reactance is clamped by the

diodes shown. In circuits B and C the voltage is clamped by
The primary considerations when selecting a power the output rectifiers, however, the voltage induced in the
transistor for SWITCHMODE applications are voltage and primary leakage inductance is not clamped by these diodes
current ratings, switching speed, and energy handling and could be large enough to destroy the device. A snubber
capability. In this section, these specifications will be network or an additional clamp may be required to keep the
discussed and related to the circuit examples illustrated in turn–off load line within the Reverse Bias SOA curve.
Table 2.(1) Load lines that fall within the pulsed forward biased SOA
curve during turn–on and within the reverse bias SOA curve
VOLTAGE REQUIREMENTS during turn–off are considered safe, with the following
assumptions:
Both blocking voltage and sustaining voltage are 6. The device thermal limitations are not exceeded.
important in SWITCHMODE applications. 7. The turn–on time does not exceed 10 µs (see standard
Circuits B and C in Table 2 illustrate applications that pulsed forward SOA curves in Figure 1).
require high blocking voltage capability. In both circuits the 8. The base drive conditions are within the specified
switching transistor is subjected to voltages substantially limits shown on the Reverse Bias SOA curve (Figure
higher than VCC after the device is completely off (see load 2).
line diagrams at IC = Ileakage ≈ 0 in Table 2). The blocking
capability at this point depends on the base to emitter CURRENT REQUIREMENTS
conditions and the device junction temperature. Since the
highest device capability occurs when the base to emitter An efficient switching transistor must operate at the
junction is reverse biased (V CEV), this is the recommended required current level with good fall time, high energy
and specified use condition. Maximum I CEV at rated VCEV handling capability and low saturation voltage. On this data
is specified at a relatively low reverse bias (1.5 Volts) both sheet, these parameters have been specified at 8 amperes
at 25°C and 100C. Increasing the reverse bias will give which represents typical design conditions for these devices.
some improvement in device blocking capability. The current drive requirements are usually dictated by the
The sustaining or active region voltage requirements in VCE(sat) specification because the maximum saturation
switching applications occur during turn–on and turn–off. If voltage is specified at a forced gain condition which must be
the load contains a significant capacitive component, high duplicated or exceeded in the application to control the
current and voltage can exist simultaneously during turn–on saturation voltage.
and the pulsed forward bias SOA curves (Figure 1) are the
SWITCHING REQUIREMENTS
proper design limits.
For inductive loads, high voltage and current must be
sustained simultaneously during turn–off, in most cases, In many switching applications, a major portion of the
with the base to emitter junction reverse biased. Under these transistor power dissipation occurs during the fall time (tfi ).
conditions the collector voltage must be held to a safe level For this reason considerable effort is usually devoted to
at or below a specific value of collector current. This can be reducing the fall time. The recommended way to accomplish
accomplished by several means such as active clamping, RC this is to reverse bias the base–emitter junction during
snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these turn–off. The reverse biased switching characteristics for
devices is specified as a Reverse Bias Safe Operating Area inductive loads are discussed in Figure 11 and Table 3 and
(Figure 2) which represents voltage–current conditions that resistive loads in Figures 13 and 14. Usually the inductive
can be sustained during reverse biased turn–off. This rating load component will be the dominant factor in
is verified under clamped conditions so that the device is SWITCHMODE applications and the inductive switching
never subjected to an avalanche mode. data will more closely represent the device performance in
actual application. The inductive switching characteristics
In the four application examples (Table 2) load lines are are derived from the same circuit used to specify the reverse
shown in relation to the pulsed forward and reverse biased biased SOA curves, (See Table 1) providing correlation
SOA curves. between test procedures and actual use conditions.
(1) For detailed information on specific switching applications, see
ON Semiconductor Application Notes AN–719, AN–767.
http://onsemi.com
488
MJE13009

1K 2K
VCC = 125 V ts
700
IC/IB = 5
500 TJ = 25°C 1K
700
300 VCC = 125 V
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
500 IC/IB = 5
200 TJ = 25°C
tr
300
100 200
70 td @ VBE(off) = 5 V tf
50 100
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 5 7 10 20
IC IC
Vclamp
90% VCEM 90% IC
VCE
tsv trv tfi tti
VOLTAGE 50 V/DIV
CURRENT 2 A/DIV
tc
Vclamp
10%
VCEM 10%
IB ICM 2%
90% IB1 IC
IC
VCE
TIME TIME 20 ns/DIV
Figure 13. Inductive Switching Figure 14. Typical Inductive Switching Waveforms
Measurements (at 300 V and 12 A with IB1 = 2.4 A and VBE(off) = 5 V)
http://onsemi.com
489
MJE13009
Table 2. Applications Examples of Switching Circuits
CIRCUIT LOAD LINE DIAGRAMS TIME DIAGRAMS

SERIES SWITCHING TURN-ON (FORWARD BIAS) SOA
REGULATOR ton ≤ 10 ms
24 A IC
DUTY CYCLE ≤ 10%
Collector Current
TC = 100°C PD = 4000 W 2
350 V
A 12 A TURN-OFF (REVERSE BIAS) t
TURN- SOA TIME
VCE
ON 1.5 V ≤ VBE(off) ≤ 9.0 V
VCC VO TURN- DUTY CYCLE ≤ 10% VCC
OFF
VCC 400 V 1 700 V 1
COLLECTOR VOLTAGE t
TIME
RINGING CHOKE
INVERTER TURN-ON (FORWARD BIAS) SOA
24 A TURN-ON ton ≤ 10 ms IC
TURN-ON DUTY CYCLE ≤ 10%
Collector Current
TC = 100°C PD = 4000 W 2 toff

VCC VO
350 V ton
N 12 A TURN-OFF (REVERSE BIAS) SOA t
B
TURN-OFF TURN-OFF 1.5 V ≤ VBE(off) ≤ 9.0 V VCE LEAKAGE
TURN-OFF DUTY CYCLE ≤ 10% SPIKE
VCC+
TURN-ON
N(Vo)
VCC VCC
400 V 1 700 V 1
VCC + N(Vo) t
COLLECTOR VOLTAGE
PUSH–PULL
INVERTER/CONVERTER TURN-ON (FORWARD BIAS) SOA
24 A TURN-ON ton ≤ 10 ms IC
toff
PD = 4000 W 2
Collector Current
TC = 100°C ton
350 V t
VO
12 A TURN-OFF (REVERSE BIAS) SOA VCE
C
TURN-ON TURN-OFF 1.5 V ≤ VBE(off) ≤ 9.0 V
2 VCC
VCC TURN-OFF DUTY CYCLE ≤ 10%
TURN-OFF 2 VCC VCC

VCC 700 V 1
400 V 1
t
COLLECTOR VOLTAGE
SOLENOID DRIVER
TURN-ON (FORWARD BIAS) SOA
24 A TURN-ON ton ≤ 10 ms
IC
Collector Current
TC = 100°C PD = 4000 W 2
VCC ton toff
350 V
t
SOLENOID 12 A TURN-OFF (REVERSE BIAS) SOA
D TURN-OFF 1.5 V ≤ VBE(off) ≤ 9.0 V VCE
TURN-OFF DUTY CYCLE ≤ 10%
TURN-OFF
VCC
TURN-ON
VCC 400 V 1 700 V 1
COLLECTOR VOLTAGE t
http://onsemi.com
490
MJE13009
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Table 3. Typical Inductive Switching Performance
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
AMP
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TC
ÎÎÎÎ
C
tsv
ns
trv
ns
tfi
ns
tti
ns
tc
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3 25 770 100 150 200 240
100 1000 230 160 200 320
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
630
820
72
100
26
55
10
30
100
180
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
720
920
55
70
27
50
2
8
77
120
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
12 25 640 20 17 2 41
100 800 32 24 4 54
NOTE: All Data recorded In the Inductive Switching Circuit In Table 1.
SWITCHING TIME NOTES
loads which are common to SWITCHMODE power using the standard equation from AN–222:
supplies and hammer drivers, current and voltage PSWT = 1/2 VCCIC(tc) f
waveforms are not in phase. Therefore, separate Typical inductive switching waveforms are shown in
measurements must be made on each waveform to Figure 14. In general, trv + tfi tc. However, at lower test
determine the total switching time. For this reason, the currents this relationship may not be valid.
following new terms have been defined. As is common with most switching transistors, resistive
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% VCEM switching is specified at 25C and has become a benchmark
trv = Voltage Rise Time, 10–90% VCEM for designers. However, for designers of high frequency
tfi = Current Fall Time, 90–10% ICM converter circuits, the user oriented specifications which
tti = Current Tail, 10–2% ICM make this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive
tc = Crossover Time, 10% VCEM to 10% ICM switching speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100C.
An enlarged portion of the turn–off waveforms is shown
in Figure 13 to aid in the visual identity of these terms.
http://onsemi.com
491
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Plastic MJE15028*
Power Transistors MJE15030*
. . . designed for use as high–frequency drivers in audio amplifiers. PNP
• DC Current Gain Specified to 4.0 Amperes MJE15029*
hFE = 40 (Min) @ IC = 3.0 Adc
= 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc MJE15031*
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 120 Vdc (Min) — MJE15028, MJE15029
= 150 Vdc (Min) — MJE15030, MJE15031 8 AMPERE
• High Current Gain — Bandwidth Product POWER TRANSISTORS
fT = 30 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
SILICON
120–150 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
50 WATTS
MJE15028 MJE15030
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎRating Symbol MJE15029 MJE15031 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak 16
ÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
2.0
50
Adc
Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 0.016 W/C CASE 221A–09
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–220AB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA TC
3.0 60
2.0 40
TC
1.0 20 TA
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160


April, 2001 – Rev. 2 MJE15028/D
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0) MJE15028, MJE15029 120 —
MJE15030, MJE15031
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
150 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 120 Vdc, IB = 0) MJE15028, MJE15029 — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 150 Vdc, IB = 0) MJE15030, MJE15031 — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 120 Vdc, IE = 0)
(VCB = 150 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJE15028, MJE15029
MJE15030, MJE15031
ICBO
—
—
10
10
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 10 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 40 —
(IC = 2.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40 —
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 40 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 20 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain Linearity hFE Typ
(VCE From 2.0 V to 20 V, IC From 0.1 A to 3 A) 2
(NPN TO PNP)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) —
3
0.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
http://onsemi.com
493
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.07 0.05 RθJC = 1.56°C/W MAX
0.02
0.03
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)

16
10 100 µs a transistor: average junction temperature and second

dc operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
1.0 dissipation then the curves indicate.
BONDING WIRE LIMITED The data of Figures 3 and 4 is based on TJ(pk) = 150C;
THERMALLY LIMITED TC is variable depending on conditions. Second breakdown
SECOND BREAKDOWN pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.1 LIMITED @ TC = 25°C < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
MJE15028
MJE15029 Figure 2. At high case temperatures, thermal limitations will
MJE15030 reduce the power that can be handled to values less than the
MJE15031
2.0 5.0 10 20 50 120 150
http://onsemi.com
494
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
8.0 1000
500 Cib (NPN)

Cib (PNP)
C, CAPACITANCE (pF)
5.0 200
IC/IB = 10
TC = 25°C 100 Cob (PNP)
3.0 50
VBE(off) = 9 V
2.0 5V 30 Cob (NPN)
3V 20
1.0
1.5 V
0 0V 10
0 100 110 120 130 140 150 1.5 3.0 5.0 7.0 10 30 50 100 150
Figure 4. Reverse–Bias Switching Figure 5. Capacitances

Safe Operating Area
100 100
fT, CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

90 (PNP)
hfe , SMALL SIGNAL CURRENT GAIN
50
(NPN)
30 60
VCE = 10 V 50
20 IC = 0.5 A PNP
TC = 25°C
NPN
10
20
10
5.0 0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
f, FREQUENCY (MHz) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 6. Small–Signal Current Gain Figure 7. Current Gain–Bandwidth Product
http://onsemi.com
495
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
NPN — MJE15028 MJE15030 PNP — MJE15029 MJE15031
1K 1K
VCE = 2.0 V VCE = 2 V
500 500
TJ = 150°C

TJ = 150°C
200 200
150
TJ = 25°C TJ = 25°C
100 100
70 TJ = -55°C
50 TJ = -55°C 50
30
20 20
10 10
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
NPN PNP
TJ = 25°C 1.8 TJ = 25°C

1.6
1.4
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2
1.0 1.0
0.6 VBE(on) @ VCE = 2.0 V VBE(on) @ VCE = 2.0 V

0.4
VCE(sat) = IC/IB = 20
0.2 VCE(sat) = IC/IB = 20
IC/IB = 10 IC/IB = 10
0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
1.0 10
VCC = 80 V VCC = 80 V
IC/IB = 10 5.0 IC/IB = 10, IB1 = IB2
0.5
TJ = 25°C ts (NPN) TJ = 25°C
3.0
0.2 tr (PNP) td (NPN, PNP) 2.0
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
ts (PNP)
0.1 1.0
0.05 0.5 tf (PNP)
0.03 tr (NPN)
0.02 0.2 tf (NPN)
0.01 0.1
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 2.0 5.0 10
Figure 10. Turn–On Times Figure 11. Turn–Off Times
http://onsemi.com
496
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Plastic
MJE15032 *
Power Transistors
PNP
. . . designed for use as high–frequency drivers in audio amplifiers.
• DC Current Gain Specified to 5.0 Amperes
MJE15033 *
hFE = 50 (Min) @ IC = 0.5 Adc
= 10 (Min) @ IC = 2.0 Adc *ON Semiconductor Preferred Device
VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) — MJE15032, MJE15033
8.0 AMPERES
• High Current Gain — Bandwidth Product POWER TRANSISTORS
fT = 30 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
SILICON
250 VOLTS
50 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
MJE15032
MJE15033 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
— Peak
ÎÎÎ
IB
16
2.0 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.016
–65 to +150
W/C
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA TC
RθJA 62.5 C/W
3.0 60
2.0 40
TC
1.0 20 TA
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160


April, 2001 – Rev. 1 MJE15032/D
MJE15032 MJE15033
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0) MJE15032, MJE15033 250 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 150 Vdc, IE = 0) MJE15032, MJE15033 — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO µAdc
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
50
50
10
—
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
VBE(on) — 1.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.07 0.05 RθJC = 1.56°C/W MAX
0.02
0.03
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
498
MJE15032 MJE15033


50ms
250ms 10ms dissipation then the curves indicate.
1.0 The data of Figures 3 and 4 is based on TJ(pk) = 150C;
0.1 < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
1.0 10 100 1000
Figure 3. MJE15032 & MJE15033

Safe Operating Area
NPN — MJE15032 PNP — MJE15033
1000 1000
150°C 150°C
h FE, DC CURRENT GAIN
25°C
100 100
25°C
-55°C
-55°C
10 10
1.0 1.0
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
Figure 4. NPN — MJE15032 Figure 5. PNP — MJE15033

VCE = 5 V DC Current Gain VCE = 5 V DC Current Gain
10 10
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 -55°C 1.0 -55°C
25°C 25°C
150°C 150°C
0.1 0.1
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10

VCE = 5 V VBE(on) Curve VCE = 5 V VBE(on) Curve
http://onsemi.com
499
MJE15032 MJE15033
NPN — MJE15032 PNP — MJE15033
10 100
150°C 10
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 25°C
25°C
1.0
-55°C -55°C
0.1 150°C
0.1
0.01 0.01
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
VCE(sat) IC/IB = 10 VCE(sat) IC/IB = 10
100 100
150°C
10 150°C 10 25°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
-55°C
25°C
1.0 1.0
-55°C
0.1 0.1
0.01 0.01
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
VCE(sat) IC/IB = 20 VCE(sat) IC/IB = 20
10 10
V BE, BASE EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V BE, BASE EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.0 -55°C 1.0 -55°C
25°C 25°C
150°C 150°C
0.1 0.1
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
VBE(sat) IC/IB = 10 VBE(sat) IC/IB = 10
http://onsemi.com
500
ON Semiconductor
PNP
Complementary Plastic MJE171*
Silicon Power Transistors MJE172 *
NPN
MJE181*
. . . designed for low power audio amplifier and low current, high
speed switching applications.
VCEO(sus) = 60 Vdc — MJE171, MJE181 MJE182 *
= 80 Vdc — MJE172, MJE182 *ON Semiconductor Preferred Device
• DC Current Gain —
hFE = 30 (Min) @ IC = 0.5 Adc 3 AMPERE
= 12 (Min) @ IC = 1.5 Adc POWER TRANSISTORS
• Current–Gain — Bandwidth Product — COMPLEMENTARY
SILICON
fT = 50 MHz (Min) @ IC
60–80 VOLTS
= 100 mAdc 12.5 WATTS
• Annular Construction for Low Leakages —
ICBO = 100 nA (Max) @ Rated VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
MJE171
MJE181
MJE172
MJE182 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 3.0
6.0
Adc
CASE 77–09
TO–225AA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 12.5
0.1
Watts
W/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case θJC 10 C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient θJA 83.4 C/W

April, 2001 – Rev. 4 MJE171/D
MJE171 MJE172 MJE181 MJE182
TA TC
2.8 14
2.4 12

2.0 10
1.6 8.0 TC
1.2 6.0
0.8 4.0 TA
0.4 2.0
0 0
20 40 60 80 100 120 140 160
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0) MJE171, MJE181 60 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJE172, MJE182 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) MJE171, MJE181 — 0.1
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) MJE172, MJE182 — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0, TC = 150C) MJE171, MJE181 — 0.1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0, TC = 150C) MJE172, MJE182 — 0.1
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 0.1
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
50
30
12
250
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
— 0.3
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, IB = 150 mAdc) — 0.9
(IC = 3.0 Adc, IB = 600 mAdc) — 1.7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, IB = 150 mAdc)
VBE(sat)
— 1.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 600 mAdc) — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) MJE171/MJE172
Cob
— 60
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJE181/MJE182 — 40
http://onsemi.com
502
VCC
+30 V
1K
500 VCE = 30 V
RC IC/IB = 10
25 µs 300 tr
200 VBE(off) = 4.0 V
+11 V RB SCOPE TJ = 25°C
100
0
t, TIME (ns)
50
-9.0 V 51 D1
30
20 td
tr, tf ≤ 10 ns
-4 V 10
DUTY CYCLE =
1.0% 5
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS NPN MJE181/182
3
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 2 PNP MJE171/172
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES.
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 0.1 P(pk)
θJC(t) = r(t) θJC
0.05 θJC = 10°C/W MAX
0.03 0 (SINGLE PULSE) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
503

10 10
5.0 100µs 5.0
100µs

2.0 500µs 2.0
500µs
1.0 dc 1.0 5.0ms
5.0ms dc
0.5 0.5
TJ = 150°C TJ = 150°C
THERMALLY LIMITED @ THERMALLY LIMITED @
0.1 TC = 25°C (SINGLE PULSE) 0.1
TC = 25°C (SINGLE PULSE)
CURVES APPLY BELOW CURVES APPLY BELOW
0.02 MJE181
0.02 RATED VCEO MJE171 RATED VCEO MJE182
0.01 MJE172 0.01
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 5. MJE171, MJE172 Figure 6. MJE181, MJE182
a transistor — average junction temperature and second 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE Figure4. At high case temperature, thermal limitations will
limits of the transistor that must be observed for reliable reduce the power that can be handled to values less than the
10K 100
5K VCC = 30 V PNP MJE171/MJE172
IC/IB = 10 70 NPN MJE181/MJE182
3K
2K IB1 = IB2
TJ = 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
1K 50
Cib
TJ = 25°C
t, TIME (ns)
500
300 ts 30
200
100
tf 20
50
30 Cob
20 NPN MJE181/182
PNP MJE171/172
10 10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
http://onsemi.com
504
ON Semiconductor
SWITCHMODE MJE18002 *
For Switching Power Supply Applications *ON Semiconductor Preferred Device
The MJE18002 have an applications specific state–of–the–art die POWER TRANSISTOR

2.0 AMPERES
designed for use in 220 V line operated Switchmode Power supplies
1000 VOLTS
and electronic light ballasts. These high voltage/high speed transistors 50 WATTS
Fast Switching
• Standard TO–220
MAXIMUM RATINGS
CASE 221A–09
Collector–Emitter Breakdown Voltage VCES 1000 Vdc TO–220AB
Emitter–Base Voltage VEBO 9.0 Vdc MJE18002

– Peak(1) ICM 5.0
– Peak(1) IBM 2.0
Operating and Storage Temperature TJ, Tstg –65 to 150 °C
Thermal Resistance – Junction to Case RθJC 2.5 °C/W
– Junction to Ambient RθJA 62.5

May, 2001 – Rev. 4 MJE18002/D
MJE18002

OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) VCEO(sus) 450 – – Vdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) ICEO – – 100 µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) TC = 125°C ICES – – 100 µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = 800 V, VEB = 0) TC = 125°C – – 500
– – 100
Emitter Cutoff Current (VEB = 9.0 Vdc, IC = 0) IEBO – – 100 µAdc
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) VBE(sat) – 0.825 1.1 Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) – 0.92 1.25
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) – 0.2 0.5
@ TC = 125°C – 0.2 0.5
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) – 0.25 0.5
@ TC = 125°C – 0.3 0.6
DC Current Gain (IC = 0.2 Adc, VCE = 5.0 Vdc) hFE 14 – 34 –
@ TC = 125°C – 27 –
DC Current Gain (IC = 0.4 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 11 17 –
@ TC = 125°C 11 20 –
DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 6.0 8.0 –
@ TC = 125°C 5.0 8.0 –
DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) 10 20 –
Current Gain Bandwidth (IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT – 13 – MHz
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) Cob – 35 60 pF
Input Capacitance (VEB = 8.0 V) Cib – 400 600 pF
Dynamic Saturation: VCE(dsat) – 3.5 – Vdc
IC = 0.4 A 1.0 µs
@ TC = 125°C – 8.0 –
determined
d t 1 0 µs and
i d 1.0 d IB1 = 40 mA
– 1.5 –
3.0 µs after rising IB1 VCC = 300 V 3.0 µs
@ TC = 125°C – 3.8 –
reach 0.9 final IB1
(see Figure 18) – 8.0 –
IC = 1.0 A 1.0 µs
@ TC = 125°C – 14 –
IB1 = 0
0.2
2A
– 2.0 –
VCC = 300 V 3.0 µs
@ TC = 125°C – 7.0 –
(2) Proper strike and creepage distance must be provided.
http://onsemi.com
506
MJE18002
ELECTRICAL CHARACTERISTICS – continued (TC = 25°C unless otherwise noted)

Turn–On Time IC = 0.4 Adc ton – 200 300 ns
IB1 = 40 mAdc @ TC = 125°C – 130 –
IB2 = 0.2
0 2 Adc
Ad
VCC = 300 V
@ TC = 125°C – 1.5 –
Turn–On Time IC = 1.0 Adc ton – 85 150 ns
IB1 = 0.2 Adc @ TC = 125°C – 95 –
IB2 = 0.5
0 5 Adc
Ad
VCC = 300 V
@ TC = 125°C – 2.1 –
Fall Time IC = 0.4 Adc, IB1 = 40 mAdc, tfi – 125 200 ns
IB2 = 0.2 Adc @ TC = 125°C – 120 –
@ TC = 125°C – 0.8 –
@ TC = 125°C – 110 –
Fall Time IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.2 Adc, tfi – 110 175 ns
IB2 = 0.5 Adc @ TC = 125°C – 120 –
@ TC = 125°C – 2.25 –
@ TC = 125°C – 250 –
Fall Time IC = 0.4 Adc, IB1 = 50 mAdc, tfi – 140 200 ns
IB2 = 50 mAdc @ TC = 125°C – 185 –
@ TC = 125°C – 2.5 –
@ TC = 125°C – 220 –
http://onsemi.com
507
MJE18002
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
TJ = 125°C TJ = 125°C TJ = 25°C

TJ = 25°C
TJ = -20°C
10 10
1 1
0.01
0.01 0.10
0.10 1.00
1.00 10.00
10.00 0.01
0.01 0.10
0.10 1.00
1.00 10.00
10.00
2 10.00
TJ = 25°C
1.00
1
2A
1.5 A IC/IB = 10
0.10
1A
0.4 A IC/IB = 5
TJ = 25°C
IC = 0.2 A TJ = 125°C
0 0.01
0.001
0.001 0.010
0.010 0.100
0.100 1.000
1.000 0.01
0.01 0.10
0.10 1.00
1.00 10.00
10.00
1.1 1000
1.0 Cib
TJ = 25°C
f = 1 MHz
V BE, VOLTAGE (VOLTS)
0.9
C, CAPACITANCE (pF)
100
0.8
TJ = 25°C
0.7
10
0.6 Cob
TJ = 125°C
0.5 IC/IB = 10
IC/IB = 5
0.4 1
0.01
0.01 0.10
0.10 1.00
1.00 10.00
10.00 11 10
10 100
100 1000
1000
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) VCE, COLLECTOR-EMITTER (VOLTS)
http://onsemi.com
508
MJE18002

2500 4500
IB(off) = IC/2 4000 IB(off) = IC/2
2000 VCC = 300 V IC/IB = 5 VCC = 300 V
PW = 20 µs 3500 PW = 20 µs
3000
1500 TJ = 125°C
t, TIME (ns)
TJ = 25°C
t, TIME (ns)
2500
TJ = 125°C
IC/IB = 5 2000 IC/IB = 10
1000
IC/IB = 10
TJ = 25°C 1500
500 1000
500
0 0
0.4
0.4 0.6
0.6 0.8
0.8 1.0
1.0 1.2
1.2 1.4
1.4 1.6
1.6 1.8
1.8 2.0
2.0 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
3000 2500
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V IC = 1 A IB(off) = IC/2
2500 VCC = 15 V
VZ = 300 V IC/IB = 5 2000
LC = 200 µH VZ = 300 V
t si, STORAGE TIME (ns)
2000 LC = 200 µH
t, TIME (ns)
1500
1500
1000
1000
500 IC/IB = 10 TJ = 25°C 500 IC = 0.4 A TJ = 25°C

TJ = 125°C
TJ = 125°C
0 0
0.4
0.4 0.6
0.6 0.8
0.8 1.0
1.0 1.2
1.2 1.4
1.4 1.6
1.6 1.8
1.8 2.0
2.0 55 77 99 11
11 13
13 15
15
Figure 9. Inductive Storage Time, tsi Figure 10. Inductive Storage Time
600 450
VCC = 15 V 400 VCC = 15 V tc
500 tc
VZ = 300 V VZ = 300 V
350 tfi
LC = 200 µH LC = 200 µH
400 300
t, TIME (ns)
tfi
t, TIME (ns)
250 TJ = 25°C
300 TJ = 125°C
200
tc
200 150 tc
tfi
100
100 TJ = 25°C tfi
TJ = 125°C 50
0 0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
1.8 2.0 0.4 1.2 1.4 1.6 1.8
0.6 0.8 1.0 1.4 1.6 1.8 2.0
Figure 11. Inductive Switching, tc and tfi, IC/IB = 5 Figure 12. Inductive Switching, tc and tfi, IC/IB = 10
http://onsemi.com
509
MJE18002

180 250
IB(off) = IC/2 230 IB(off) = IC/2
VCC = 15 V IC = 1 A
160 VCC = 15 V
VZ = 300 V 210
VZ = 300 V
TC, CROSSOVER TIME (ns)

LC = 200 µH 190 LC = 200 µH
140
170
IC = 0.4 A
120 150
130
100 IC = 1 A 110 IC = 0.4 A
90
80 TJ = 25°C TJ = 25°C
TJ = 125°C 70 TJ = 125°C
60 50
55 66 77 88 99 10
10 11
11 12
12 13
13 14
14 15
15 55 6 77 88 9 10 11
11 12 13 14 15
15

10.00 2.5
5ms 1ms 50µs 10µs 1µs
TC ≤ 125°C
I C, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
DC (MJE18002) 2.0 IC/IB ≥ 4

LC = 500 µH
1.00
1.5
1.0
0.10
0.5 VBE(off) = 0.5 V

0V
-1.5 V
0.01 0.0
10
10 100
100 1000
1000 0 200 400 600 800
800 1000 1200
1200

1.0
operating area curves indicate IC–VCE limits of the transistor that
SECOND must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not
0.8 BREAKDOWN be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data

power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty
0.6 cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second break-
down limitations do not derate the same as thermal limitations.
0.4 Allowable current at the voltages shown on Figure 15 may be found
at any case temperature by using the appropriate curve on Figure 17.
TJ(pk) may be calculated from the data in Figures 20 and NO TAG.
0.2 THERMAL
At any case temperatures, thermal limitations will reduce the power
DERATING
that can be handled to values less the limitations imposed by second
breakdown. For inductive loads, high voltage and current must be
0.0
20 40 60 80 100 120 140
140 160 sustained simultaneously during turn–off with the base to emitter
junction reverse biased. The safe level is specified as a reverse
lanche mode.
http://onsemi.com
510
MJE18002
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
TC 10% IC
VOLTS

-1 4
90% IB IB 90% IB1
-2 3
-3 1 µs 2
-4 3 µs 1
IB
-5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4
TIME 5 6 7 8
TIME
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω MTP8P10 100 µF
150 Ω
3V 3V VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 Rb1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω Rb2
MJE210
150 Ω MTP12N10
L = 10 µH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3V RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
-Voff

1.00
r(t) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
0.5
0.2
0.1
0.10
0.05
RθJC = °C/W MAX
t1
SINGLE PULSE POWER PULSE TRAIN
0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 1000.0
t, TIME (ms)
Figure 20. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for MJE18002
http://onsemi.com
511
ON Semiconductor
MJE18004D2

1000 VOLTS
The MJE18004D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar
hFE window.
Main features:
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)
Spreads CASE 221A–09
It’s characteristics make it also suitable for PFC application. TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Value
450
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCBO
VCES
1000
1000
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO
IC
12
5
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current — Peak (1) ICM 10
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
IBM
2
4
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance — Junction to Case RθJC 1.65
Thermal Resistance — Junction to Ambient RθJA 62.5
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TL 260 C

April, 2001 – Rev. 2 MJE18004D2/D
MJE18004D2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)f
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Breakdown Voltage VEBO 12 14 Vdc
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc) @ TC = 25°C 0.8 1
@ TC = 125°C 0.7 0.9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.9
0.8
1
0.9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc) @ TC = 25°C 0.38 0.5
@ TC = 125°C 0.55 0.75
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.45
0.75
0.75
1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 40 mAdc) @ TC = 25°C 0.9 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 25°C 0.25 0.5
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.28
ÎÎÎÎ
0.6
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ @ TC = 25°C
hFE
15 28
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 10 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc) @ TC = 25°C 6 8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 4 6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, VCE = 2.5 Vdc) @ TC = 25°C 18 28
@ TC = 125°C 14 20
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ @ 1 µs @ TC = 25°C VCE(dsat) 9 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 Adc @ TC = 125°C 16
Dynamic Saturation
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 100 mA
Voltage:
VCC = 300 V @ 3 µs @ TC = 25°C 3.1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 9
3 µs respectively
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
after rising IB1 @ 1 µs @ TC = 25°C 11
IC = 2 Adc @ TC = 125°C 18
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 IB1 = 0
0.4
4A
@ 3 µs @ TC = 25°C 1.4
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 300 V
@ TC = 125°C 8
http://onsemi.com
513
MJE18004D2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Forward Diode Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ VEC 1.5 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 1 Adc) @ TC = 25°C 0.96
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 0.72
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 2 Adc) @ TC = 25°C 1.15 1.7
@ TC = 125°C 0.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Forward Recovery Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tfr 440 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob 60 100 pF
ÎÎÎÎ
Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cib 450 750 pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–on Time IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc @ TC = 25°C ton 500 750 ns
IB2 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 100
150
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.6
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 120
500
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.5
0 5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.6
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (VCC = 15 V)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 2.5 Adc @ TC = 125°C 300
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 500 mAdc
Ad
IB2 = 500 mAdc
VZ = 350 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts 2.12
2.6
2.4 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
LC = 300 µH @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 355
750
500 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 230
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 2 Adc
IB1 = 400 mAdc
Ad
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 400 mAdc
@ TC = 125°C 2.9
VZ = 300 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
LC = 200 µH @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 300
700
450 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 100
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 1 Adc
IB1 = 100 mAdc
Ad
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 500 mAdc
@ TC = 125°C 1.05
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VZ = 300 V
Crossover Time LC = 200 µH @ TC = 25°C tc 75 120 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 125°C 160
http://onsemi.com
514
MJE18004D2
100 100
TJ = 125°C
VCE = 1 V VCE = 5 V
TJ = -20°C TJ = -20°C

TJ = 25°C TJ = 25°C
10 10
TJ = 125°C
1 1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
3 10
TJ = 25°C
IC/IB = 5 TJ = 125°C
5A
2
4A TJ = 25°C
3A 1
2A
1 1A
TJ = -20°C
IC = 500 mA
0 0.1
0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

Voltage
10 10
TJ = 125°C IC/IB = 20 TJ = 125°C
IC/IB = 10
TJ = -20°C
1 1
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = -20°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

Voltage Voltage
http://onsemi.com
515
MJE18004D2
10 10

1 TJ = -20°C 1 TJ = -20°C
TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = 125°C TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
10 10
25°C
1 1
TJ = -20°C
TJ = 125°C TJ = 25°C
125°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
1000 1200
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Cib (pF) TJ = 25°C TC = 25°C

f(test) = 1 MHz BVCER @ ICER = 10 mA
C, CAPACITANCE (pF)
1000
100
Cob 800
BVCER(sus) @
ICER = 200
mA,
Lc = 25 mH
10 600
1 10 100 10 100 1000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) BASE-EMITTER RESISTOR (Ω)
Figure 11. Capacitance Figure 12. BVCER = f(RBE)
http://onsemi.com
516
MJE18004D2
3200 5
IBon = IBoff
TJ = 25°C VCC = 300 V IC/IB = 10
VCC = 300 V
PW = 20 µs 4
2400 PW = 20 µs
IC/IB = 10
t, TIME (s)
3
t, TIME (ns)
µ
1600
2
800
1 TJ = 125°C
IC/IB = 5 TJ = 25°C IC/IB = 5
0 0
1 2 3 4 1 2 3 4
4 4
3 3
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
2 2

1 1
VCC = 15 V VCC = 15 V
TJ = 125°C VZ = 300 V TJ = 125°C VZ = 300 V
TJ = 25°C LC = 200 µH TJ = 25°C LC = 200 µH
0 0
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
1000 1000
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
800 800
IBon = IBoff IBoff = IBon
VCC = 15 V tc VCC = 15 V
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
600 VZ = 300 V 600 VZ = 300 V

LC = 200 µH LC = 200 µH
400 400
tfi
200 200
0 0
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
Figure 17. Inductive Switching Time, Figure 18. Inductive Switching Time,
tc and tfi @ IC/IB = 5 tfi @ IC/IB = 10
http://onsemi.com
517
MJE18004D2
1600 5
IBoff = IBon IC/IB = 10 IBon = IBoff TJ = 125°C
VCC = 15 V VCC = 15 V IC = 1 A TJ = 25°C
VZ = 300 V VZ = 300 V
1200 LC = 200 µH

LC = 200 µH
4
IC = 2 A
t, TIME (ns)
800
3
400
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0 2
0 1 2 3 4 0 5 10 15 20
Figure 19. Inductive Switching, tc @ IC/IB = 10 Figure 20. Inductive Storage Time
1000 2000
IBoff = IBon TJ = 125°C IC = 2 A IBon = IBoff TJ = 125°C
VCC = 15 V TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
800 VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH 1500 LC = 200 µH

IC = 2 A
600
IC = 1 A 1000
400
500
200
IC = 1 A
0 0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 2 8 14 20
4 420
IBon = IBoff
dI/dt = 10 A/µs
VCC = 15 V
VZ = 300 V TC = 25°C
IB = 50 mA
LC = 200 µH
3 380
t, TIME (s)
µ
2 340
IB = 100 mA
IB = 200 mA
IB = 500 mA I = 1 A
B
1 300
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 0 0.5 1 1.5 2
Figure 23. Inductive Storage Time, tsi Figure 24. Forward Recovery Time, TFR
http://onsemi.com
518
MJE18004D2
10
VCE 9 IC 90% IC
dyn 1 µs
8 tfi
dyn 3 µs tsi
7
6
0V 10% IC
VOLTS
5 Vclamp 10% Vclamp

tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
IB 1
3 µs
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
TIME

VFRM
VF
VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0 2 4 6 8 10
http://onsemi.com
519
MJE18004D2
+15 V
IC PEAK
100
150
Ω VCE PEAK
Ω
3W
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
+10 V MPF930 Iout
IB
A
50 Ω IB2
RB2
MJE210
150
L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF Ω
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
3W
1 µF IC(pk) = 100 mA RB1 selected for RB1 selected
-Voff desired Ib1 for
desired Ib1
100 6
TC ≤ 125°C
5 GAIN ≥ 5
10 1 µs LC = 2 mH
1 ms 10 µs 4
5 ms
DC EXTENDED
1 3
SOA
2 -5 V
0.1
1 0V -1.5
V
0.01 0
10 100 1000 200 400 600 800 1000
http://onsemi.com
520
MJE18004D2
There are two limitations on the power handling ability

1.0 of a transistor: average junction temperature and second
SECOND breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE
0.8 BREAKDOWN limits of the transistor that must be observed for reliable
DERATING operation; i.e., the transistor must not be subjected to

greater dissipation than the curves indicate. The data of
0.6
Figure 28 is based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable de-
pending on power level. Second breakdown pulse limits
0.4 are valid for duty cycles to 10% but must be derated when
TC > 25°C. Second breakdown limitations do not derate
0.2 THERMAL the same as thermal limitations. Allowable current at the
DERATING voltages shown on Figure 28 may be found at any case
temperature by using the appropriate curve on Figure 30.
0
20 40 60 80 100 120 140 160 TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 31. At
TC, CASE TEMPERATURE (°C) any case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limita-
Figure 30. Forward Bias Power Derating tions imposed by second breakdown. For inductive loads,
high voltage and current must be sustained simultaneously
during turn–off with the base–to–emitter junction reverse
biased. The safe level is specified as a reverse–biased safe
operating area (Figure 29). This rating is verified under
an avalanche mode.

1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1
PULSE TRAIN SHOWN
t1
SINGLE PULSE t2 READ TIME AT t1
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 31. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for MJE18004D2
http://onsemi.com
521
ON Semiconductor
MJE18004 *
SWITCHMODE MJF18004 *
NPN Bipolar Power Transistor *ON Semiconductor Preferred Device

POWER TRANSISTOR
5.0 AMPERES
The MJE/MJF18004 have an applications specific state–of–the–art 1000 VOLTS
die designed for use in 220 V line operated Switchmode Power 35 and 75 WATTS
supplies and electronic light ballasts. This high voltage/high speed
transistors offer the following:
Fast Switching
• Full Characterization at 125C
• MJF18004, Case 221D, is UL Recognized at 3500 VRMS: File
CASE 221A–09
#E69369
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–220AB
MAXIMUM RATINGS MJE18004
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
MJE18004
450
MJF18004 Unit
Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak(1) ICM 10
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak(1)
IB
IBM
2.0
4.0
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RMS Isolation Voltage(2) Test No. 1 Per Fig. VISOL — 4500 Volts
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
22a — 3500
(for 1 sec, R.H. Test No. 2 Per Fig. 22b — 1500
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
< 30%, TA = 25C) Test No. 3 Per Fig. 22c
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation (TC = 25C) PD 75 35 Watts CASE 221D–02
Derate above 25C 0.6 0.28 W/C ISOLATED TO–220 TYPE
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJF18004
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎRating Symbol MJE18004 MJF18004 Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance — Junction to Case RθJC 1.65 3.55 C/W
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Junction to Ambient RθJA 62.5 62.5
C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering TL 260

April, 2001 – Rev. 5 MJE18004/D
MJE18004 MJF18004
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise specified)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) (TC = 25C) ICES — — 100 µAdc
(TC = 125C) — — 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 800 V, VEB = 0) (TC = 125C) — — 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
VCE(sat)
— 0.25 0.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125C) — 0.29 0.6
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.4 Adc) 0.45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.3
(TC = 125C) — 0.36 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, IB = 0.5 Adc) — 0.5 0.75
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 2.5 Vdc) hFE 12 21 — —
(TC = 125C) — 20 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125C)
14
—
6.0
—
32
11
34
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(TC = 125C) —
10
7.5
22
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Dynamic Saturation Voltage: VCE(dsat) — 6.8 — Vdc
(IC = 1.0 Adc 1.0 µs
(TC = 125°C) — 14 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Determined 1 0 µs and
1.0 IB1 = 100 mAdc
3.0 µs respectively after — 2.4 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 300 V) 3.0 µs
rising IB1 reaches 90% of (TC = 125°C) — 5.6 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
final IB1 — 11.3 —
1.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(see Figure 18) (IC = 2.0 Adc (TC = 125°C) — 15.5 —
IB1 = 400 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 300 V) — 1.3 —
3.0 µs
(TC = 125°C) — 6.1 —
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle 10%. (continued)
http://onsemi.com
523
MJE18004 MJF18004
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25C unless otherwise specified)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. 10%, Pulse Width = 20 µs)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–On Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.1 Adc,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C)
ton —
—
210
180
300
—
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–Off Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C)
toff —
—
1.0
1.3
1.7
—
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–On Time (IC = 2.0 Adc, IB1 = 0.4 Adc, ton — 75 110 ns
IB1 = 1.0 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 90 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–Off Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ (TC = 125°C)
toff —
—
1.5
1.8
2.5
—
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–On Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc, VCC = 250 V) (TC = 125°C)
ton —
—
450
900
800
1400
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time ts — 2.0 3.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 2.2 3.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — 275 400 ns
(TC = 125°C) — 500 800
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.1 Adc, tfi — 100 150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc) (TC = 125°C) — 100 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 1.4 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ (TC = 125°C)
tc —
—
180
160
250
—
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB1 = 0.4 Adc,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1.0 Adc) (TC = 125°C)
tfi —
—
90
150
175
—
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 2.2 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 250 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc, (TC = 125°C)
tfi —
—
70
100
130
175
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(off) = –5.0
0 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 1.0 1.3
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 250 500
http://onsemi.com
524
MJE18004 MJF18004
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = -20°C TJ = -20°C TJ = 25°C
10 TJ = 25°C 10
1 1
0.01 0.10 1.00 10.00 0.01 0.10 1.00 10.00
2.0 10.00
TJ = 25°C
1.5
1.5 A 1.00
2A 3A 4A
1.0
1A 0.10 IC/IB = 10
0.5
IC/IB = 5
TJ = 25°C
IC = 0.5 A TJ = 125°C
0 0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 0.01 0.10 1.00 10.00
1.1 10000
TJ = 25°C
1.0 Cib f = 1 MHz
1000
0.9
C, CAPACITANCE (pF)
0.8 Cob
100
0.7 TJ = 25°C
0.6
TJ = 125°C 10
0.5 IC/IB = 10
IC/IB = 5
0.4 1
0.01 0.10 1.00 10.00 1 10 100
http://onsemi.com
525
MJE18004 MJF18004

1800 3000
IC/IB = 5
1600 TJ = 25°C
VCC = 300 V TJ = 25°C
TJ = 125°C 2500 VCC = 300 V
1400 PW = 20 µs TJ = 125°C
PW = 20 µs
1200 2000
IC/IB = 5
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
1000 IC/IB = 10
IC/IB = 10 1500
800
600 1000
400
500
200
0 0
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
3500 3500
VZ = 300 V VZ = 300 V
TJ = 25°C VCC = 15 V
3000 VCC = 15 V 3000
IC/IB = 5 TJ = 125°C IB(off) = IC/2
IB(off) = IC/2
2500 LC = 200 µH LC = 200 µH
t si, STORAGE TIME (ns)
2500
t, TIME (ns)
2000
2000
1500 IC = 2 A
1500
1000
500 TJ = 25°C 1000 IC = 1 A

TJ = 125°C
IC/IB = 10
0 500
0 1 2 3 4 5 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
300 250
TJ = 25°C
TJ = 125°C
250
200
200 tfi tc
150
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
tc
150
100
100
VZ = 300 V VZ = 300 V
VCC = 15 V 50 VCC = 15 V
50 TJ = 25°C
TJ = 125°C tfi
LC = 200 µH LC = 200 µH
0 0
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Figure 11. Inductive Switching, tc and tfi, IC/IB = 5 Figure 12. Inductive Switching, tc and tfi, IC/IB = 10
http://onsemi.com
526
MJE18004 MJF18004

160 300
TJ = 25°C VZ = 300 V VZ = 300 V
150 TJ = 125°C VCC = 15 V VCC = 15 V
IB(off) = IC/2 250 IC = 1 A IB(off) = IC/2
140
LC = 200 µH LC = 200 µH

130 IC = 2 A
200
120
110
150
100 IC = 2 A
90 100
TJ = 25°C
80
IC = 1 A TJ = 125°C
70 50
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

100 6.0
DC (MJE18004) TC ≤ 125°C

5.0 IC/IB ≥ 4
5ms 1ms 50µs 10µs 1µs LC = 500 µH
10
4.0
Extended
1.0 SOA
3.0
DC (MJF18004) 2.0
0.1
-5 V
1.0 VBE(off) = -1.5 V
0V
0.01 0
10 100 1000 400 500 600 700 800 900 1000 1100

1.0
operating area curves indicate IC–VCE limits of the transistor that
SECOND must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not
0.8 BREAKDOWN be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data

power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty
0.6 cycles to 10% but must be derated when TC ≥ 25°C. Second break-
down limitations do not derate the same as thermal limitations.
0.4 Allowable current at the voltages shown on Figure 15 may be found
at any case temperature by using the appropriate curve on Figure 17.
TJ(pk) may be calculated from the data in Figures 20 and 21. At any
0.2 THERMAL
case temperatures, thermal limitations will reduce the power that
DERATING
can be handled to values less the limitations imposed by second
0
breakdown. For inductive loads, high voltage and current must be
20 40 60 80 100 120 140 160 sustained simultaneously during turn–off with the base–to–emitter
TC, CASE TEMPERATURE (°C) junction reverse biased. The safe level is specified as a reverse–
lanche mode.
http://onsemi.com
527
MJE18004 MJF18004
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS

-1 4
90% IB IB 90% IB1
-2 3
-3 1 µs 2
-4 3 µs 1
IB
-5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4
TIME 5 6 7 8
TIME
+15 V
IC PEAK
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
-Voff
http://onsemi.com
528
MJE18004 MJF18004

1.00
D = 0.5
0.2

0.10 RθJC = 1.25°C/W MAX
POWER PULSE TRAIN
0.05 t1 SHOWN READ TIME AT t1
t2
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 1000 10000 100000
t, TIME (ms)

1.00
D = 0.5
0.2
0.10 0.1 RθJC = 3.12°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR
0.05
POWER PULSE TRAIN
0.02 t2
0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 1000
t, TIME (ms)
Figure 21. Typical Thermal Response for MJF18004
http://onsemi.com
529
MJE18004 MJF18004

CLIP PACKAGE CLIP PACKAGE PACKAGE
0.107″ MIN 0.107″ MIN
LEADS LEADS LEADS

0.110″ MIN
Figure 22a. Screw or Clip Mounting Figure 22b. Clip Mounting Position Figure 22c. Screw Mounting Position
Position for Isolation Test Number 1 for Isolation Test Number 2 for Isolation Test Number 3
4-40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK

Laboratory tests on a limited number of samples indicate, when using the screw and compression washer mounting technique, a
screw torque of 6 to 8 in . lbs is sufficient to provide maximum power dissipation capability. The compression washer helps to maintain
a constant pressure on the package over time and during large temperature excursions.
Additional tests on slotted 4–40 screws indicate that the screw slot fails between 15 to 20 in . lbs without adversely affecting the
package. However, in order to positively ensure the package integrity of the fully isolated device, ON Semiconductor does not recom-
mend exceeding 10 in . lbs of mounting torque under any mounting conditions.
http://onsemi.com
530
ON Semiconductor
MJE18006 *
SWITCHMODE
For Switching Power Supply Applications POWER TRANSISTOR

6.0 AMPERES
The MJE18006 has an applications specific state–of–the–art die 1000 VOLTS
designed for use in 220 V line–operated SWITCHMODE Power 100 WATTS
supplies and electronic light ballasts. This high voltage/high speed
transistor offers the following:
Fast Switching
•
Standard TO–220
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221A–09
Collector–Emitter Breakdown Voltage VCES 1000 Vdc TO–220AB
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak(1)
IC
ICM
6.0
15
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak(1) IBM 8.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
(TC = 25°C) PD 100
0.8
Watts
W/C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance — Junction to Case RθJC 1.25 C/W
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TL 260 C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125C) — — 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 800 V, VEB = 0) (TC = 125C) — — 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle 10%.

May, 2001 – Rev. 4 MJE18006/D
MJE18006
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25C unless otherwise specified)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.3 Adc, IB = 0.13 Adc) — 0.25 0.6
(TC = — 0.27 0.65
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
125C) — 0.35 0.7
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.6 Adc) 0.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.4
(TC =
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
125C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125C) — 32 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125C)
(TC = 25 to 125C)
6.0
5.0
11
10
8.0
17
—
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
10 22 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Dynamic Saturation Voltage: VCE(dsat) — 5.5 — Volts
1.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.3 Adc (TC = 125°C) — 12 —
1.0 IB1 = 130 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0 µs respectively after VCC = 300 V) — 3.0 —
3.0 µs
(TC = 125°C) — 7.0 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
rising IB1 reaches 90% of
final IB1 — 9.5 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(see Figure 18) (IC = 3.0 Adc 1.0 µs
(TC = 125°C) — 14.5 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 0.6
0 6 Adc
VCC = 300 V) — 2.0 —
3.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 7.5 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 1.5 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 100 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–Off Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C)
toff —
—
1.7
2.1
2.5
—
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.65 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 130 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 1.5 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB2 = 0.65 Adc) (TC = 125°C) — 120 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 1.9 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 230 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB1 = 0.6 Adc,
ÎÎÎ
IB2 = 1.5 Adc) (TC = 125°C)
tfi —
—
85
120
150
—
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C)
tsi —
—
2.15
2.75
3.2
—
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — 310 —
http://onsemi.com
532
MJE18006
100 100
TJ = 125°C VCE = 1 V TJ = 125°C VCE = 5 V

TJ = 25°C TJ = 25°C
TJ = -20°C TJ = -20°C
10 10
1 1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
2 10
TJ = 25°C
1.5
1
IC = 1 A 2A 3A 5A 6A
1
IC/IB = 10
0.1
0.5
IC/IB = 5 TJ = 25°C
TJ = 125°C
0 0.01
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
1.3 10000
TJ = 25°C
1.2
f = 1 MHz
1.1 Cib
1000
1
C, CAPACITANCE (pF)
0.9
100
0.8
Cob
0.7 TJ = 25°C
10
0.6
TJ = 125°C IC/IB = 5
0.5 IC/IB = 10
0.4 1
0.01 0.1 1 10 1 10 100 1000
http://onsemi.com
533
MJE18006

2000 4000
IB(off) = IC/2 TJ = 125°C IC/IB = 5 IB(off) = IC/2
TJ = 25°C
VCC = 300 V 3500 TJ = 125°C VCC = 300 V
PW = 20 µs PW = 20 µs
1500 3000
2500
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IC/IB = 10
1000 IC/IB = 5 2000
IC/IB = 10 TJ = 25°C
1500
500 1000
500
0 0
0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6
3500 5000
IC/IB = 5 4500
3000 VCC = 15 V TJ = 125°C VCC = 15 V
VZ = 300 V 4000 VZ = 300 V
LC = 200 µH LC = 200 µH
2500 3500
2000 3000
t, TIME (ns)
2500 IC = 1.3 A
1500
2000
1000 1500
1000
500 TJ = 25°C
IC/IB = 10 500 IC = 3 A
TJ = 125°C
0 0
0 1 2 3 4 5 6 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
350 250
tc
300
tc
200
250
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
200
tfi 150 VZ = 300 V
tfi
LC = 200 µH
150
100 IB(off) = IC/2 100

VCC = 15 V
50 VZ = 300 V TJ = 25°C TJ = 25°C
LC = 200 µH TJ = 125°C TJ = 125°C
0 50
0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6
http://onsemi.com
534
MJE18006

180 350
IB(off) = IC/2
160 300 IC = 3 A VCC = 15 V
VZ = 300 V
TC, CROSSOVER TIME (ns)

IC = 3 A IB(off) = IC/2 LC = 200 µH
140
VCC = 15 V 250
VZ = 300 V
120 LC = 200 µH
200
IC = 1.3 A
100 150 IC = 1.3 A
80 TJ = 25°C 100
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
60 50
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
http://onsemi.com
535
MJE18006
100 7
DC (MJE18006) TC ≤ 125°C
6 IC/IB ≥ 4

5 ms 1 ms 10 µs 1 µs
LC = 500 µH
10
5
EXTENDED
SOA 4
1
3
2
0.1
1 -5 V
VBE(off) = 0 V -1, 5 V
0.01 0
10 100 1000 0 200 400 600 800 1000

a transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
1,0
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation
SECOND BREAKDOWN
0,8
DERATING than the curves indicate. The data of Figure 15 is based on TC

= 25°C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second
0,6 breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but
must be derated when TC ≥ 25°C. Second breakdown limita-
tions do not derate the same as thermal limitations. Allowable
0,4
current at the voltages shown in Figure 15 may be found at
THERMAL DERATING any case temperature by using the appropriate curve on Fig-
0,2 ure 17. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 20.
At any case temperatures, thermal limitations will reduce the
0,0 power that can be handled to values less than the limitations
20 40 60 80 100 120 140 160 imposed by second breakdown. For inductive loads, high
TC, CASE TEMPERATURE (°C) voltage and current must be sustained simultaneously during
turn–off with the base–to–emitter junction reverse–biased.
The safe level is specified as a reverse–biased safe operating
area (Figure 16). This rating is verified under clamped condi-
tions so that the device is never subjected to an avalanche
mode.
http://onsemi.com
536
MJE18006
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS

-1 4
90% IB IB 90% IB1
-2 3
-3 1 µs 2
-4 3 µs 1
IB
-5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4
TIME 5 6 7 8
TIME
+15 V
IC PEAK
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
-Voff
1
D = 0.5
0.2
(NORMALIZED)

0.1 RθJC = 1.25°C/W MAX
t1 READ TIME AT t1
t2
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
537
ON Semiconductor
MJE18008 *
SWITCHMODE MJF18008 *

POWER TRANSISTOR
8.0 AMPERES
The MJE/MJF18008 have an applications specific state–of–the–art 1000 VOLTS
die designed for use in 220 V line–operated Switchmode Power 45 and 125 WATTS
supplies and electronic light ballasts. These high voltage/high speed
transistors offer the following:
Fast Switching
• MJF18008, Case 221D, is UL Recognized at 3500 VRMS: File
#E69369
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol MJE18008 MJF18008 Unit TO–220AB
MJE18008
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak(1)
IC
ICM
8.0
16
Adc
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak(1) IBM 8.0
RMS Isolation Voltage(2)
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Test No. 1 Per Fig. 22a
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(for 1 sec,] R.H. < 30%,
Test No. 1 Per Fig. 22b
VISOL —
—
4500
3500
Volts
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TC = 25C)
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Test No. 1 Per Fig. 22c — 1500 CASE 221D–02
ISOLATED TO–220 TYPE
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation (TC = 25°C) PD 125 45 Watts
Derate above 25C 1.0 0.36 W/C UL RECOGNIZED
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJF18008
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol MJE18008 MJF18008 Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance — Junction to Case
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC 1.0 2.78 C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Junction to Ambient RθJA 62.5 62.5
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ

April, 2001 – Rev. 3 MJE18008/D
MJE18008 MJF18008
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125C) — — 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 800 V, VEB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 9.0 Vdc, IC = 0)
(TC = 125C)
IEBO
—
—
—
—
100
100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.2 Adc)
VCE(sat)
— 0.3 0.6
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = 125C) — 0.3 0.65
(IC = 4.5 Adc, IB = 0.9 Adc) 0.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— 0.35
(TC = 125C) — 0.4 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = 125C)
hFE 14
—
—
28
34
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 4.5 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 6.0 9.0 —
(TC = 125C) 5.0 8.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 11 15 —
(TC = 125C) 11 16 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10 20 —
(continued)
http://onsemi.com
539
MJE18008 MJF18008
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol Min Typ Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
fT
Cob
—
—
13
100
—
150
MHz
pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Dynamic Saturation Voltage: ÎÎÎÎ
Input Capacitance (VEB = 8.0 V)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ 1.0 µs
Cib
VCE(dsat)
—
—
1750
5.5
2500
—
pF
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc (TC = 125°C) — 11.5 —
1.0 IB1 = 200 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.0 µs respectively after VCC = 300 V) — 3.5 —
3.0 µs
(TC = 125°C) — 6.5 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
rising IB1 reaches 90% of
final IB1 — 11.5 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(see Figure 18) (IC = 5.0 Adc 1.0 µs
(TC = 125°C) — 14.5 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB1 = 1.0
1 0 Adc
VCC = 300 V) — 2.4 —
3.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = 125°C) — 9.0 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 1.0 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 190 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–Off Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ (TC = 125°C)
toff —
—
1.2
1.5
2.5
—
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–On Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.5 Adc, IB1 = 0.9 Adc,
ÎÎÎÎ
IB2 = 2.25 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C)
ton —
—
100
250
180
—
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = 125°C) — 2.0 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 1.0 Adc) (TC = 125°C)
tsi
—
—
120
1.5
—
2.75 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = 125°C) — 1.9 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = 125°C) — 230 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.5 Adc, IB1 = 0.9 Adc,
IB2 = 2.25 Adc) (TC = 125°C)
tfi —
—
85
135
150
—
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = 125°C)
tsi —
—
2.0
2.6
3.2
—
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = 125°C) — 250 —
http://onsemi.com
540
MJE18008 MJF18008
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
10 TJ = -20°C 10 TJ = -20°C
1 1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
2 10
TJ = 25°C
1.5
1
IC = 1 A 3A 5A 8 A 10 A
1
IC/IB = 10
0.1
0.5
IC/IB = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0 0.01
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10

Voltage
1.3 10000
1.2 TJ = 25°C
Cib f = 1 MHz
1.1 1000
1
C, CAPACITANCE (pF)
0.9
100
0.8
Cob
0.7 TJ = 25°C
10
0.6
IC/IB = 5
0.5 TJ = 125°C IC/IB = 10
0.4 1
0.01 0.1 1 10 1 10 100 1000
http://onsemi.com
541
MJE18008 MJF18008

1500 4500
IB(off) = IC/2 IC/IB = 5 TJ = 25°C IB(off) = IC/2
VCC = 300 V 4000
TJ = 125°C VCC = 300 V
PW = 20 µs 3500 PW = 20 µs
1000 3000
TJ = 125°C
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IC/IB = 5 2500
IC/IB = 10 TJ = 25°C
2000 IC/IB = 10
500 1500
1000
500
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8
3500 5000
4500
3000 IC/IB = 5 VCC = 15 V TJ = 125°C VCC = 15 V
VZ = 300 V 4000 VZ = 300 V
LC = 200 µH LC = 200 µH
2500 3500
3000 IC = 2 A
2000
t, TIME (ns)
2500
1500
2000
1000 1500
1000
500 TJ = 25°C
TJ = 125°C IC/IB = 10 500
IC = 4.5 A
0 0
1 2 3 4 5 6 7 8 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
400 300
350 TJ = 125°C VCC = 15 V
tc 250 VZ = 300 V
300
LC = 200 µH
250 tfi
200
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
200 tfi tc
150 150
100 IB(off) = IC/2

VCC = 15 V 100
50 VZ = 300 V TJ = 25°C
LC = 200 µH TJ = 125°C
0 50
1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8
http://onsemi.com
542
MJE18008 MJF18008

400
160
150 350 IC = 2 A
VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V
TC , CROSSOVER TIME (ns)

140 IC = 2 A VZ = 300 V
300 LC = 200 µH
130 LC = 200 µH
120 250
110 200
100
IC = 4.5 A 150 IC = 4.5 A
90
80 100 TJ = 25°C
TJ = 25°C TJ = 125°C
70
TJ = 125°C 50
60 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
hFE, FORCED GAIN
hFE, FORCED GAIN
http://onsemi.com
543
MJE18008 MJF18008
100
9
DC (MJE18008)
TC ≤ 125°C
8
5 ms 1 ms 10 µs 1 µs IC/IB ≥ 4

10 7 LC = 500 µH
EXTENDED 6
SOA
1 5
4
DC (MJF18008)
3
0.1
2
-5 V
1 VBE(off) = 0 V
0.01 -1, 5 V
0
10 100 1000
0 200 400 600 800 1000
Figure 35. Forward Bias Safe Operating Area Figure 36. Reverse Bias Switching Safe
Operating Area
1,0 There are two limitations on the power handling ability of

a transistor: average junction temperature and second break-
SECOND BREAKDOWN down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
0,8
DERATING
the transistor that must be observed for reliable operation; i.e.,
the transistor must not be subjected to greater dissipation than
0,6
the curves indicate. The data of Figure 35 is based on TC =
25°C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second
0,4 breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but
must be derated when TC > 25°C. Second breakdown limita-
THERMAL DERATING
0,2
tions do not derate the same as thermal limitations. Allowable
current at the voltages shown in Figure 35 may be found at any
case temperature by using the appropriate curve on Figure 37.
0,0
20 40 60 80 100 120 140 160 TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 40 and 41. At
any case temperatures, thermal limitations will reduce the
imposed by second breakdown. For inductive loads, high volt-
Figure 37. Forward Bias Power Derating age and current must be sustained simultaneously during turn–
off with the base–to–emitter junction reverse–biased. The safe
level is specified as a reverse–biased safe operating area (Fig-
ure 36). This rating is verified under clamped conditions so
that the device is never subjected to an avalanche mode.
http://onsemi.com
544
MJE18008 MJF18008
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS

-1 4
90% IB IB 90% IB1
-2 3
-3 1 µs 2
-4 3 µs 1
IB
-5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4
TIME 5 6 7 8
TIME
+15 V
IC PEAK
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
-Voff
http://onsemi.com
545
MJE18008 MJF18008
1
D = 0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 0.05 RθJC = 1.0°C/W MAX
t1 READ TIME AT t1
t2
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
1
D = 0.5
0.2
(NORMALIZED)

0.1 0.1 RθJC = 2.78°C/W MAX
t1 READ TIME AT t1
t2
0.02
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 100000
t, TIME (ms)
Figure 41. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for MJF18008
http://onsemi.com
546
MJE18008 MJF18008

CLIP FULLY ISOLATED FULLY ISOLATED FULLY ISOLATED
CLIP 0.107″ MIN 0.107″ MIN
PACKAGE PACKAGE PACKAGE
LEADS LEADS LEADS
0.110″ MIN
Figure 22a. Screw or Clip Mounting Position Figure 22b. Clip Mounting Position Figure 22c. Screw Mounting Position
for Isolation Test Number 1 for Isolation Test Number 2 for Isolation Test Number 3
4-40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK

Laboratory tests on a limited number of samples indicate, when using the screw and compression washer mounting
technique, a screw torque of 6 to 8 in . lbs is sufficient to provide maximum power dissipation capability. The compres-
sion washer helps to maintain a constant pressure on the package over time and during large temperature excursions.
Destructive laboratory tests show that using a hex head 4–40 screw, without washers, and applying a torque in excess
of 20 in . lbs will cause the plastic to crack around the mounting hole, resulting in a loss of isolation capability.
Additional tests on slotted 4–40 screws indicate that the screw slot fails between 15 to 20 in . lbs without adversely
affecting the package. However, in order to positively ensure the package integrity of the fully isolated device, ON Semi-
conductor does not recommend exceeding 10 in . lbs of mounting torque under any mounting conditions.
http://onsemi.com
547
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Power MJE200 *
PNP
Plastic Transistors MJE210 *
. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier

5 AMPERE
VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
POWER TRANSISTORS
• High DC Current Gain — COMPLEMENTARY
hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc SILICON
= 45 (Min) @ IC = 2.0 Adc 25 VOLTS
= 10 (Min) @ IC = 5.0 Adc 15 WATTS
= 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc
• High Current–Gain — Bandwidth Product —
= 100 mAdc
• Annular Construction for Low Leakage —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–09
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VCEO
40
25
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 10
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
1.0
15
Adc
Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ

MJE200 MJE210
16 1.6

12 1.2
8.0 0.8
TA
TC
4.0 0.4
0 0
20 40 60 80 100 120 140 160
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 40 Vdc, IE = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO
— 100 nAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 40 Vdc, IE = 0, TJ = 125C) — 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO nAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 8.0 Vdc, IC = 0) — 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) 70 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 45 180
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) — 0.3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc) — 0.75
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc) — 1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
VBE(on) — 1.6 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) MJE200 — 80
MJE210 — 120
http://onsemi.com
549
MJE200 MJE210
VCC
+30 V
1K
500 td
RC 300
25 µs 200
+11 V RB SCOPE
100
0
t, TIME (ns)
50
-9.0 V 51 D1
30 tr
20 VCC = 30 V
tr, tf ≤ 10 ns IC/IB = 10
-4 V 10
DUTY CYCLE = 1.0% TJ = 25°C
5
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS MJE200
3
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 2 MJE210
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk)
θJC(t) = r(t) θJC
0.05 θJC = 8.34°C/W MAX
0.1
0 (SINGLE PULSE) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
550
MJE200 MJE210

7.0 1.0ms 500µs 100µs
5.0

3.0 dc 5.0ms limits of the transistor that must be observed for reliable
2.0 operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
1.0 TJ = 150°C
(SINGLE PULSE) limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.3 SECOND BREAKDOWN LIMITED 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
0.2 CURVES APPLY BELOW Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
10K 200
5K ts VCC = 30 V
TJ = 25°C
3K IC/IB = 10
2K IB1 = IB2 Cib
C, CAPACITANCE (pF)
1K TJ = 25°C 100
t, TIME (ns)
500 70
300
200
50
100 tf Cob
50
30 MJE200 30 MJE200 (NPN)
20 MJE210 MJE210 (PNP)
10 20
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40
http://onsemi.com
551
MJE200 MJE210
NPN PNP
MJE200 MJE210
400 400
TJ = 150°C
25°C TJ = 150°C
200 200

25°C
-55°C
100 100
80 80 -55°C
60 60
40 VCE = 1.0 V 40
VCE = 2.0 V VCE = 1.0 V
VCE = 2.0 V
20 20
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2

0.8 0.8

0.4 0.4
0 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
+2.5 +2.5
+1.5 +1.5
+1.0 +1.0 25°C to 150°C
+0.5 25°C to 150°C +0.5
θVC for VCE(sat) *θVC for VCE(sat)
0 0 -55°C to 25°C
-55°C to 25°C
-0.5 -0.5
-1.0 -1.0 25°C to 150°C
25°C to 150°C
-1.5 -1.5 θVB for VBE -55°C to 25°C
θVB for VBE
-2.0 -55°C to 25°C -2.0
-2.5 -2.5
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
http://onsemi.com
552
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Power MJE243 *
PNP
Plastic Transistors MJE253 *
. . . designed for low power audio amplifier and low–current,
high–speed switching applications. *ON Semiconductor Preferred Device
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — MJE243, MJE253 4 AMPERE
POWER TRANSISTORS
• High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc COMPLEMENTARY
hFE = 40–200 SILICON
= 40–120 — MJE243, MJE253 100 VOLTS
15 WATTS
• High Current Gain Bandwidth Product —
• Annular Construction for Low Leakages
ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB
CASE 77–09
TO–225AA
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEO
VCB
100
100
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VEB
IC
7.0
4.0
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Peak 8.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C PD
0.12
1.5
W/ac
Watts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Derate @ 25C 0.012 W/C
C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ

MJE243 MJE253
16 1.6

12 1.2
8.0 0.8
TA
TC
4.0 0.4
0 0
20 40 60 80 100 120 140 160
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO
— 0.1
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, IE = 0, TC = 125C) — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 0.1 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) 40 180
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 15 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
— 0.3
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc) — 0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
http://onsemi.com
554
MJE243 MJE253
VCC
+30 V
1K
500
RC 300 tr
25 µs 200
+11 V SCOPE
RB
100
0
t, TIME (ns)
50
-9.0 V 51 D1
30
20
tr, tf ≤ 10 ns td VCC = 30 V
-4 V 10
DUTY CYCLE = 1.0% IC/IB = 10
5 TJ = 25°C
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS NPN MJE243
3
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 2 PNP MJE253
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
P(pk)
0.1
0.02
0.01 t1
READ TIME AT t1 t2
0.03
0 (SINGLE PULSE) TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
t, TIME (ms)

100µs
5.0 500µs a transistor: average junction temperature and second
1.0ms
2.0
TJ = 150°C
THERMALLY LIMITED @ 5.0ms The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
0.2
TC = 25°C (SINGLE PULSE) variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.1 SECOND BREAKDOWN LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.05 CURVES APPLY BELOW 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
RATED VCEO
0.02
MJE243/MJE253
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
http://onsemi.com
555
MJE243 MJE253
10K 200
5K VCC = 30 V TJ = 25°C
3K ts IC/IB = 10
2K IB1 = IB2 100
TJ = 25°C Cib
C, CAPACITANCE (pF)
1K 70
t, TIME (ns)
500
50
300
200
30
100
50 Cob
20
30 tf MJE243 (NPN)
20 NPN MJE243
PNP MJE253 MJE253 (PNP)
10 10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
http://onsemi.com
556
MJE243 MJE253
NPN PNP
MJE243 MJE253
500 200
TJ = 150°C VCE = 1.0 V TJ = 150°C VCE = 1.0 V
300 VCE = 2.0 V
VCE = 2.0 V 100
200
70 25°C

25°C 50
100
-55°C -55°C
70 30
50 20
30
10
20
7.0
5.0
10
7.0 3.0
5.0 2.0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
1.4 1.4
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.2 1.2
1.0 1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.8
0.6 VBE @ VCE = 1.0 V 0.6 VBE @ VCE = 1.0 V
0.4 IC/IB = 10 0.4 IC/IB = 10

5.0 5.0
0.2 0.2
VCE(sat) VCE(sat)
0 0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
+2.5 +2.5
+1.5 +1.5
+1.0 +1.0 25°C to 150°C
+0.5 25°C to 150°C +0.5 *θVC FOR VCE(sat)
*θVC FOR VCE(sat)
0 0
-55°C to 25°C -55°C to 25°C
-0.5 -0.5
-1.0 25°C to 150°C -1.0 25°C to 150°C
-1.5 -1.5
-55°C to 25°C θVB FOR VBE
θVB FOR VBE -55°C to 25°C
-2.0 -2.0
-2.5 -2.5
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
http://onsemi.com
557
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Power MJE270
PNP
Transistors MJE271
. . . designed specifically for use with the MC3419 Solid–State
Subscriber Loop Interface Circuit (SLIC).
• High Safe Operating Area
2.0 AMPERE
IS/B @ 40 V, 1.0 s = 0.375 A — TO–126
COMPLEMENTARY
• Collector–Emitter Sustaining Voltage POWER DARLINGTON
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) TRANSISTORS
• High DC Current Gain 100 VOLTS
hFE @ 120 mA, 10 V = 1500 (Min) 15 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 2.0 Adc CASE 77–09
— Peak 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 15
0.12
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 1.5
0.012
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ

MJE270 MJE271
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b 375 — Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, t = 1.0 s, non–repetitive)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 mAdc, VCE = 3.0 Vdc) 500 —
(IC = 120 mAdc, VCE = 10 Vdc) 1500 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 mAdc, IB = 0.2 mAdc)
VCE(sat)
— 2.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 120 mAdc, IB = 1.2 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (2)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 6.0 — MHz
NOTES:
10,000 10
7000 VCE = 3.0 V 5.0
150°C
5000
3000
1.0 dc
25°C
-55°C 0.5
1000
700 MJE270/MJE271
500 0.1
BONDING WIRE LIMIT
300 0.05
(SINGLE PULSE)
100 0.01
0.015 0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 1.5 1.0 3.0 7.0 10 30 70 100
Figure 1. DC Current Gain Figure 2. Safe Operating Area
http://onsemi.com
559
ON Semiconductor
PNP
Complementary Silicon Plastic MJE2955T *
NPN
Power Transistors MJE3055T *
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching
• DC Current Gain Specified to 10 Amperes

10 AMPERE
• High Current Gain — Bandwidth Product — COMPLEMENTARY
fT = 2.0 MHz (Min) @ IC SILICON
= 500 mAdc POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
60 VOLTS
75 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C PD† 75 Watts
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJE3055T, MJE2955T
0.6
–55 to +150
W/C
C CASE 221A–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
†Safe Area Curves are indicated by Figure 1. Both limits are applicable and must be observed.

7.0 100µs
5.0 ms 1.0ms a transistor: average junction temperature and second
5.0
dc breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE

1.0 The data of Figure 1 is based on TJ(pk) = 150C. TC is
0.7
TJ = 150°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.5
SECOND BREAKDOWN LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.3 BONDING WIRE LIMITED 150C. At high case temperatures, thermal limitations
0.2 THERMALLY LIMITED
TC = 25°C (D = 0.1)
the limitations imposed by second breakdown. (See
0.1 AN415A)
5.0 7.0 10 20 30 50 60

April, 2001 – Rev. 3 MJE2955T/D
MJE2955T MJE3055T
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 200 mAdc, IB = 0) VCEO(sus) 60 — Vdc
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0) ICEO — 700
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
—
—
1.0
5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 70 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
(VCB = 70 Vdc, IE = 0, TC = 150C) — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
IEBO — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4 0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
20 100
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 5.0 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 0.4 Adc) — 1.1
(IC = 10 Adc, IB = 3.3 Adc) — 8.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1) (IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain–Bandwidth Product (IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 kHz) fT 2.0 — MHz
http://onsemi.com
561
MJE2955T MJE3055T
500 90
300 VCE = 2.0 V 80

200 TJ = 150°C 70
100 60
25°C
50
50
40 MJE3055T
-55°C
30 MJE2955T
20 30
20
10
10
5.0 0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0 25 50 75 100 125 150 175
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Power Derating
MJE2955T MJE3055T
2.0 1.4
TJ = 25°C 1.2 TJ = 25°C

1.6
1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.6 VBE @ VCE = 2.0 V

0.8
VBE @ VCE = 3.0 V 0.4

0.4
0.2
0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10
http://onsemi.com
562
ON Semiconductor
MJE340
Plastic Medium Power NPN
Silicon Transistor 0.5 AMPERE
. . . useful for high–voltage general purpose applications. POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
• Suitable for Transformerless, Line–Operated Equipment 300 VOLTS
• Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating 20 WATTS
for High Reliability
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Value
300
Unit
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
3.0
500
Vdc
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 20
0.16
Watts
W/C
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO — 100
(VCB = 300 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO — 100 µAdc
DC Current Gain ÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
hFE 30 240 —

MJE340
32 1.0
28 TJ = 25°C

24
V, VOLTAGE (VOLTS)
20 0.6 VBE @ VCE = 10 V
16
12 0.4
MJE340 VCE(sat) @ IC/IB = 10

8.0
0.2
4.0 IC/IB = 5.0
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 10 20 30 50 100 200 300 500
TC, CASE TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 5. Power Temperature Derating Figure 6. “On” Voltages
1.0
10 µs
0.5
0.3 TJ = 150°C 500 µs

0.2 dc 1.0ms
0.1
0.05
SINGLE PULSE
0.01
10 20 30 50 70 100 200 300
Figure 7. MJE340
There are two limitations on the power handling ability of The data of Figure 7 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
a transistor: average junction temperature and second variable depending on conditions. Second breakdown pulse
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
limits of the transistor that must be observed for reliable 150C. At high case temperatures, thermal limitations will
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater reduce the power that can be handled to values less than the
dissipation than the curves indicate. limitations imposed by second breakdown.
http://onsemi.com
564
MJE340
300
200 VCE = 10 V
VCE = 2.0 V
100 TJ = 150°C
70
+100°C
50
+25°C
30
20 -55°C
10
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
http://onsemi.com
565
ON Semiconductor
MJE3439
NPN Silicon High-Voltage
Power Transistors 0.3 AMPERE
. . . designed for use in line–operated equipment requiring high fT. POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
• High DC Current Gain 350 VOLTS
hFE = 40–160 @ IC 15 WATTS
= 20 mAdc
• Current Gain Bandwidth Product —
= 10 mAdc
• Low Output Capacitance
Cob = 10 pF (Max) @ f
= 1.0 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ CASE 77–09
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol Value Unit TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

MJE3439
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 300 Vdc, IB = 0)
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX — 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 350 Vdc, IE = 0)
ICBO — 20 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 mAdc, VCE = 10 Vdc) 30 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 mAdc, VCE = 10 Vdc) 15 200
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 0.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe 25 — —
1.0 The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits

0.7
0.5 below which the device will not enter secondary breakdown.
0.3 Collector load lines for specific circuits must fall within the
0.2
applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.
0.1 To insure operation below the maximum TJ,
0.07
0.05 power–temperature derating must be observed for both
0.02
0.01
0.007
0.005
0.003
0.002 MJE3439
0.001
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 1000
http://onsemi.com
567
ON Semiconductor
MJE344
Plastic NPN Silicon
Medium-Power Transistor
. . . useful for medium voltage applications requiring high fT such as 0.5 AMPERE
converters and extended range amplifiers. POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
150–200 VOLTS
20 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 500 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–09
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to +150 C TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
θJC 6.25 C/W
500µs
0.5
1.0ms ALL
0.2 TJ = 150°C ALL
0.1 dc
0.05
BONDING WIRE LIMIT
0.01
10 20 30 40 60 100 200 300
There are two limitations on the power handling ability of The data of Figure 1 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
a transistor: average junction temperature and second variable depending on conditions. Second breakdown pulse
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
limits of the transistor that must be observed for reliable 150C. At high case temperatures, thermal limitations
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater will reduce the power that can be handled to values less then
dissipation then the curves indicate. the limitations imposed by second breakdown.

May, 2001 – Rev. 0 MJE344/D
MJE344
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0) 200 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, IB = 0) — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 200 Vdc, IE = 0) — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
— 0.1
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc) 30 300
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
— 1.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎ
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz)
Cob — 15 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe 25 — —
300 1.0
VCE = 2.0 V
200 VCE = 10 V
TJ = +150°C 0.8
hFE, CURRENT GAIN
100
VOLTAGE (VOLTS)
+100°C
0.6 VBE @ VCE = 10 V
70
+25°C
50
0.4
30 -55°C
20 0.2 TJ = +25°C
IC/IB = 5.0
10 0
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 50 70 100 200 300 500 10 20 30 50 100 200 300 500
http://onsemi.com
569
ON Semiconductor
Plastic Medium Power PNP MJE350

Silicon Transistor
. . . designed for use in line–operated applications such as low
power, line–operated series pass and switching regulators requiring 0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
PNP capability.
PNP SILICON
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage — 300 VOLTS
VCEO(sus) = 300 Vdc @ IC 20 WATTS
= 1.0 mAdc
• Excellent DC Current Gain —
hFE = 30–240 @ IC
= 50 mAdc
• Plastic Thermopad Package
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Value
300
Unit
Vdc
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
3.0
500
Vdc
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 20
0.16
Watts
W/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg –65 to +150 C
Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 300 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ICBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

June, 2001 – Rev. 11 MJE350/D
MJE350
200 1.0
TJ = 150°C
TJ = 25°C
25°C 0.8
100
V, VOLTAGE (VOLTS)
70
-55°C 0.6 VBE @ VCE = 10 V
50
30 0.4 IC/IB = 10
20 VCE = 2.0 V 0.2

VCC = 10 V
VCE(sat)
IC/IB = 5.0
10 0
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
1000 +1.2

700 100µs +0.8 *APPLIES FOR IC/IB < hFE/4 +100°C to +150°C
500 +25°C to +100°C
+0.4
300 dc 0
200 *θVC for VCE(sat)
-0.4 -55°C to +25°C
1.0ms
100 -0.8
500µs +25°C to +150°C
70 -1.2
50 TJ = 150°C
-1.6
30 BONDING WIRE LIMITED θVB for VBE
-2.0
20 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C -55°C to +25°C
SECOND BREAKDOWN LIMITED -2.4
10 -2.8
20 30 50 70 100 200 300 400 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. Active–Region Safe Operating Area Figure 4. Temperature Coefficients

breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE 16

12
variable depending on conditions. Second breakdown pulse 8.0
4.0
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
571
ON Semiconductor
MJE371
Plastic Medium-Power PNP
Silicon Transistors 4 AMPERE
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching POWER TRANSISTOR
circuits. Recommended for use in 5 to 20 Watt audio amplifiers PNP SILICON
utilizing complementary symmetry circuitry. 40 VOLTS
40 WATTS
• DC Current Gain —
hFE = 40 (Min) @ IC
= 1.0 Adc
• MJE371 is Complementary to NPN MJE521
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
CASE 77–09
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 40 Vdc TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak 8.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 40
320
Watts
mW/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature
Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector–Base Cutoff Current
ÎÎÎÎ
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ICBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 4.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
IEBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (1) hFE 40 — —
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)

MJE371

5.0 1.0ms

3.0 5.0ms limits of the transistor that must be observed for reliable
dc dissipation than the curves indicate.
1.0 TJ = 150°C The data of Figure 1 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
0.5
BONDING WIRE LIMIT limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.3 SECOND BREAKDOWN LIMIT 150C. At high case temperatures, thermal limitations
0.2 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
will reduce the power that can be handled to values less then
0.1
2.0 4.0 6.0 8.0 10 20 40 60
10 2.0
7.0
hFE, DC CURRENT GAIN, NORMALIZED
150°C TJ = 25°C
5.0
VCE = 1.0 Vdc 1.6 TJ = 25°C
3.0
VOLTAGE (VOLTS)
2.0
-55°C 1.2
1.0
0.7 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1 0
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2 P(pk)
θJC(t) = r(t) θJC
0.1
0.02 t1
0.02
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
http://onsemi.com
573
ON Semiconductor
NPN
High-Voltage High Power MJE4343
PNP
Transistors MJE4353
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and
high voltage switching regulator circuits.
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage — 16 AMPERE
NPN PNP POWER TRANSISTORS
VCEO(sus) = 160 Vdc — MJE4343 MJE4353 COMPLEMENTARY
• High DC Current Gain — @ IC = 8.0 Adc
SILICON
160 VOLTS
hFE = 35 (Typ)
= 8.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 340D–02
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 16 Adc TO–218 TYPE
Peak (1) 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
5.0
125
Adc
Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width 5.0 µs, Duty Cycle 10%.
RθJC 1.0 C/W
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0 25 50 75 100 125 150

TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Reference: Ambient Temperature

MJE4343 MJE4353
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 160 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEO µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) — 750
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEX — 1.0 mAdc
(VCE = Rated VCB, VEB(off) = 1.5 Vdc) — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Cutoff Current ICBO — 750 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Cutoff Current IEBO — 1.0 mAdc
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 15 35 (Typ)
(IC = 16 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
8.0 15 (Typ)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 800 mA) — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, IB = 2.0 Adc) — 3.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, IB = 2.0 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
http://onsemi.com
575
MJE4343 MJE4353
VCC
+30 V
3.0
2.0 TJ = 25°C
RC IC/IB = 10
25 µs VCE = 30 V
SCOPE 1.0
+11 V RB 0.7
0 0.5 tr
t, TIME (s)
µ
-9.0 V 51 D1
0.3
0.2
tr, tf ≤ 10 ns
-4 V
DUTY CYCLE = 1.0%
0.1
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS td @ VBE(off) = 5.0 V
0.07
0.05
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA 0.03
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
Note: Reverse polarities to test PNP devices.
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Typical Turn–On Time
5.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
IC/IB = 10
3.0 ts IB1 = IB2 1.6
VCE = 30 V
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 1.2
t, TIME (s)
µ
0.8
1.0 VBE @ VCE = 2.0 V
tf 0.4
0.7
0.5 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
Figure 4. Turn–Off Time Figure 5. On Voltages
http://onsemi.com
576
MJE4343 MJE4353
DC CURRENT GAIN
1000 1000

100 100
50 VCE = 2 V VVCE
CE==22VV
TJ = 150°C TTJJ==150°C
150°C
25°C 25°C
25°C
20 -55°C --555°C
5°C
10 10
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
Figure 6. MJE4340 Series (NPN) Figure 7. MJE4350 Series (PNP)
2.0
TJ = 25°C
1.6
IC = 4.0 A 8.0 A 16 A
1.2
0.8
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
IB, BASE CURRENT (AMP)
1.0
D = 0.5
0.5
0.2
0.2
0.1
P(pk)
θJC(t) = r(t) θJC
0.1 0.05 θJC = 1.0°C/W MAX
READ TIME AT t1 t2
0.01
0.02 SINGLE DUTY CYCLE, D = t1/t2
PULSE
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
577
MJE4343 MJE4353


20
5.0 dc dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 10 is based on TC = 25C; TJ(pk) is
2.0
1.0 pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
0.5 derated when TC ≥ 25C. Second breakdown limitations do
SECONDARY BREAKDOWN LIMITED not derate the same as thermal limitations. Allowable
BONDING WIRE LIMITED current at the voltages shown on Figure 10 may be found at
0.1 any case temperature by using the appropriate curve on
3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 150 200
Figure 9.
Figure 10. Maximum Forward Bias Safe 20

Operating Area

REVERSE BIAS 16 TJ = 100°C
VBE(off) ≤ 5 V
For inductive loads, high voltage and high current must be 12

with the base to emitter junction reverse biased. Under these
8.0
conditions the collector voltage must be held to a safe level
at or below a specific value of collector current. This can be
accomplished by several means such as active clamping, RC 4.0
snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
20 40 60 80 100 120 140 160 180
devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
and represents the voltage–current conditions during
reverse biased turn–off. This rating is verified under Figure 11. Maximum Reverse Bias Safe
clamped conditions so that the device is never subjected to Operating Area
an avalanche mode. Figure 11 gives RBSOA characteristics.
http://onsemi.com
578
ON Semiconductor
MJE521
Plastic Medium-Power NPN
Silicon Transistor
4 AMPERE
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching POWER TRANSISTOR
circuits. Recommended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers NPN SILICON
utilizing complementary symmetry circuitry. 40 VOLTS
• DC Current Gain — 40 WATTS
hFE = 40 (Min) @ IC
= 1.0 Adc
• Complementary to PNP MJE371
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
CASE 77–09
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak 8.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
PD 40
0.32
Watts
W/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature
Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector–Base Cutoff Current
ÎÎÎÎ
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ICBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 4.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
IEBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (1) hFE 40 — —
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)

MJE521
10 The data of Figure 1 based on TJ(pk) = 150C; TC is

1.0ms
5.0
limits are valid for duty cycles to 10% provided (T Jpk )

3.0 5.0ms 150C. At high case temperatures, thermal limitations
dc the limitations imposed by second breakdown.
1.0 TJ = 150°C There are two limitations on the power handling ability of
0.2 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
0.1
2.0 3.0 5.0 10 20 30 40
1000 1.5
700
500 VCE = 1.0 V 1.2 TJ = 25°C
300 VOLTAGE (VOLTS)

200 TJ = 150°C
0.9

25°C
70 0.6 VBE @ VCE = 2.0 V
50
-55°C
30 0.3
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
θJC = 5.0°C/W MAX
0.1 0.05
0.05 0.01
READ TIME AT t1 t2
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
580
ON Semiconductor
MJE5730
High Voltage PNP Silicon MJE5731
Power Transistors MJE5731A
. . . designed for line operated audio output amplifier,
SWITCHMODE power supply drivers and other switching
applications. 1.0 AMPERE
POWER TRANSISTORS
• 300 V to 400 V (Min) — VCEO(sus) PNP SILICON
• 1.0 A Rated Collector Current 300–350–400 VOLTS
• Popular TO–220 Plastic Package 40 WATTS
• PNP Complements to the TIP47 thru TIP50 Series
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol MJE573
0
MJE573
1
MJE573
1A
Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 300 350 375 Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 1.0 Adc CASE 221A–09
Peak 3.0 TO–220AB
ÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
1.0 Adc
ÎÎÎ
@ TC = 25C
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C
40
0.32
Watts
W/C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Unclamped Inducting Load Energy
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(See Figure 10)
E 20 mJ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
Symbol
RθJC
Max
3.125
Unit
C/W
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

MJE5730 MJE5731 MJE5731A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0) MJE5730 300 —
MJE5731
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
350 —
MJE5731A 375 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, IB = 0) MJE5730
ICEO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 250 Vdc, IB = 0) MJE5731 — 1.0
(VCE = 300 Vdc, IB = 0) MJE5731A — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 300 Vdc, VBE = 0) MJE5730
ICES
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 350 Vdc, VBE = 0) MJE5731 — 1.0
(VCE = 400 Vdc, VBE = 0) MJE5731A — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎ hFE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.3 Adc, VCE = 10 Vdc) 30 150 —
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
200 1.4
VCE = 10 V
100 TJ = 150°C 1.2
50 25°C 1
TJ = 25°C
30 -55°C 0.8
20
0.6
10 -55°C
0.4 150°C
5.0
0.2 VCE(sat)) @ IC/IB = 5.0
3.0
2.0 0
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0
Figure 1. DC Current Gain Figure 2. Collector–Emitter Saturation Voltage
http://onsemi.com
582
1.4 1.0
1.2 SECOND BREAKDOWN

0.8 DERATING
1.0 TJ = - 55°C
DERATING FACTOR
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0
V, VOLTAGE (V)
0.8 0.6
25°C THERMAL
0.6 DERATING
150°C 0.4
0.4
0.2
0.2
0 0
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 0 25 50 75 100 125 150 175
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 3. Base–Emitter Voltage Figure 4. Normalized Power Derating

5.0 a transistor: average junction temperature and second

2.0 1.0ms 100 µs
1.0 500 µs operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
TC = 25°C dc
0.2
0.1 BONDING WIRE LIMIT limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.05 THERMAL LIMIT 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure
SECOND BREAKDOWN LIMIT MJE5730
6. At high case temperatures, thermal limitations will reduce
0.02 MJE5731
MJE5732 the power that can be handled to values less than the
5.0 10 20 30 50 100 200 300 500
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.05
0.07 RθJC = 3.125°C/W MAX
0.03
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1k
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
583
TURN-ON PULSE
t1
VBE(off)
Vin 0V
VCC
RC
APPROX t1 ≤ 7.0 ns SCOPE
. 100 ≤ t2 < 500 µs RB
-11 V t3 < 15 ns Vin
t2 t3
51 Cjd << Ceb
APPROX. +9.0 V +4.0 V

DUTY CYCLE ≈ 2.0%
TURN-OFF PULSE
Figure 7. Switching Time Equivalent Circuit
1.0 5.0
3.0 ts TJ = 25°C
TJ = 25°C
0.5 tr VCC = 200 V
VCC = 200 V 2.0 IC/IB = 5.0
0.3 IC/IB = 5.0
tf
0.2 td 1.0
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
0.1 0.5
0.3
0.05
0.2
0.03
0.02 0.1
0.01 0.05
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0
Figure 8. Turn–On Resistive Switching Times Figure 9. Resistive Turn–Off Switching Times
Test Circuit Voltage and Current Waveforms

tw ≈ 3 ms
VCE MONITOR (SEE NOTE 1)
0V
INPUT
RBB1 = TUT VOLTAGE
MJE171 150 Ω 100 mH -5 V
50 + 100 ms
INPUT VCC = 20 V 0.63 A
- IC MONITOR COLLECTOR
50 RBB2 = CURRENT 0 V
100 Ω
+ VBB2 = RS = VCER
VBB1 = 10 V 0 0.1 Ω COLLECTOR
-
VOLTAGE
10 V
VCE(sat)
Figure 10. Inductive Load Switching
http://onsemi.com
584
ON Semiconductor
NPN Silicon Power MJE5740

Darlington Transistors MJE5742 *
The MJE5740 and MJE5742 Darlington transistors are designed for
high–voltage power switching in inductive circuits. They are
particularly suited for operation in applications such as:
POWER DARLINGTON
• Small Engine Ignition TRANSISTORS
• Switching Regulators 8 AMPERES
300, 400 VOLTS
• Inverters 80 WATTS
• Solenoid and Relay Drivers
• Motor Controls
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol MJE5740 MJE5742 Unit
Collector–Emitter Voltage VCEO(sus) 300 400 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEV
VEB
600
8
800 Vdc
Vdc
≈ 100 ≈ 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
– Peak (1)
IC
ICM
8
16
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
– Peak (1) IBM 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
@ TA = 25C
ÎÎÎÎ
PD
2 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25C 80 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle = 10%.
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS CASE 221A–06
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
RθJC
Max
1.56
Unit
C/W
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ

May, 2001 – Rev. 4 MJE5740/D
MJE5740 MJE5742
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage MJE5740 VCEO(sus) 300 – – Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mA, IB = 0) MJE5742 400 – –
Collector Cutoff Current (VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) ICEV – – 1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 8 Vdc, IC = 0) IEBO
–
–
–
–
5
75 mAdc
ÎÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b See Figure 6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased RBSOA See Figure 7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 5 Vdc) hFE 50 100 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 4 Adc, IB = 0.2 Adc) VCE(sat)
200
–
400
–
–
2 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 8 Adc, IB = 0.4 Adc) – – 3
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 4 Adc, IB = 0.2 Adc, TC = – – 2.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 4 Adc, IB = 0.2 Adc) VBE(sat) – – 2.5 Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 8 Adc, IB = 0.4 Adc) – – 3.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 4 Adc, IB = 0.2 Adc, TC = 100C) – – 2.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Diode Forward Voltage (4) (IF = 5 Adc) Vf – – 2.5 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Typical Resistive Load (Table 1)
Delay Time td – 0.04 – µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rise Time
Storage Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCC = 250 Vdc, IC(pk)
ÎÎÎ
IB1 = IB2 = 0.25
( )=6A
A tp = 25 µs,
0 25 A,
Duty Cycle 1%)
µs
tr
ts
–
–
0.5
8
–
–
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf – 2 – µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage Storage Time (IC(pk) = 6 A, VCE(pk) = 250 Vdc tsv – 4 –
Crossover Time IB1 = 0.06 A, VBE(off) = 5 Vdc) tc – 2 – µs
(2) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%. (continued)
(3) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle = 2%.
(4) The internal Collector–to–Emitter diode can eliminate the need for an external diode to clamp inductive loads. Tests have shown that
the Forward Recovery Voltage (Vf) of this diode is comparable to that of typical fast recovery rectifiers.
http://onsemi.com
586
MJE5740 MJE5742
100
IC(pk)
VCE(pk)
80 SECOND BREAKDOWN DERATING

90% VCE(pk) 90% IC

IC tsv trv tfi tti
60
THERMAL DERATING tc
40 VCE 10% VCE(pk) 10%
IB 90% IB1 IC(pk) 2% IC
20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 TIME
Figure 11. Power Derating Figure 12. Inductive Switching Measurements
2000 2.4

150°C 2.2 hFE = 20
1000
2
VCE = 5 V
+25°C 1.8
-55°C
1.6
1.4 +25°C
-55°C
100 1.2
1 +150°C
0.8
0.6
10 0.4
0.1 1 2 5 10 0.2 0.5 1 2 5 10
Figure 13. DC Current Gain Figure 14. Base–Emitter Voltage
http://onsemi.com
587
MJE5740 MJE5742
RESISTIVE
SWITCHING
+5 V
VCC
1N493 33 +VCC
3 MJE21
L
0.001 µF 0 MR826
RC
33 1N493 *
TEST CIRCUITS
3 TUT
PW 2N222 IC Vclamp RB SCOPE
RB
1 2
k
tr, tf ≤ 10 ns 1 IB 5.1 D
+5 Vk k VCE 1
51
1N493 1 T.U.T. -4 V
3 k 2N2905
NOTE: 0.02 µF 270 47
MJE20
100 0
PW and VCC Adjusted for Desired IC
1/2
RB Adjusted for Desired IB1
W -VBE(off)
CIRCUIT
VALUES
COIL DATA: VCC = 30 V

GAP FOR 200 µH/20 A VCC = 250 V
FERROXCUBE CORE #6656 VCE(pk) = 250 Vdc
Lcoil = 200 µH D1 = 1N5820 OR EQUIV.
FULL BOBBIN (~16 TURNS) #16 IC(pk) = 6 A
OUTPUT WAVEFORMS
+10 V 25 µs
IC
TEST WAVEFORMS
tf
CLAMPED t1 ADJUSTED TO
IC(pk)
OBTAIN IC 0
t TEST EQUIPMENT
Lcoil (IC )
t1 tf pk
t1 ≈ SCOPE-TEKTRONICS -9.2 V
VCC
475 OR EQUIVALENT
VCE VCEOR Lcoil (IC ) tr, tf < 10 ns
pk
Vclamp t2 ≈ DUTY CYCLE = 1%
t Vclamp
TIM t2 RB AND RC ADJUSTED
E FOR DESIRED IB AND IC
1.8
1.6 hFE = 20
1.4
1.2
1 -55°C
0.8 +25°C
0.6 +150°C
0.4
0.2
0.1
0.2 0.5 1 2 5 10
http://onsemi.com
588
MJE5740 MJE5742
SAFE OPERATING AREA INFORMATION
The data of Figure 16 is based on TC = 25C; TJ(pk) is snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
variable depending on power level. Second breakdown devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be and represents the voltage–current condition allowable
derated when TC ≥ 25C. Second breakdown limitations do during reverse biased turnoff. This rating is verified under
not derate the same as thermal limitations. Allowable clamped conditions so that the device is never subjected to
current at the voltages shown on Figure 16 may be found at an avalanche mode. Figure 17 gives the complete RBSOA
any case temperature by using the appropriate curve on characteristics.
Figure 11.
The Safe Operating Area figures shown in Figures 6 and 7 are specified ratings for these devices under the test conditions shown.
16
16
10 14
8
100 µs
3 12
10 µs
5ms 10
1
8
0.3 1ms VBE(off) ≤ 5 V
THERMAL LIMIT dc 6
TJ = 100°C
(SINGLE PULSE)
0.1 SECOND BREAKDOWN LIMIT 4 MJE5742
MJE5742 MJE5740
0.05 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO MJE5740 2
0.02 0
5 10 20 50 100 200 400 0 100 200 300 400 500
10
1 tr 7 ts
0.7 5
0.5
3
t, TIME (s)
t, TIME (s)
0.3
µ
2
0.2 VCC = 250 V
td
IB1 = IB2
0.1 IC/IB = 20 1 VCC = 250 V
0.07 0.7 IB1 = IB2
0.5 tf IC/IB = 20
0.05
0.03 0.3
0.02 0.2
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
http://onsemi.com
589
ON Semiconductor
MJE5850
SWITCHMODE Series MJE5851 *
PNP Silicon Power Transistors MJE5852 *
The MJE5850, MJE5851 and the MJE5852 transistors are designed *ON Semiconductor Preferred Device
for high–voltage, high–speed, power switching in inductive circuits
where fall time is critical. They are particularly suited for line operated 8 AMPERE
SWITCHMODE applications such as: PNP SILICON
POWER TRANSISTORS
• Switching Regulators 300, 350, 400 VOLTS
• Inverters 80 WATTS
• Solenoid and Relay Drivers
• Motor Controls
• Deflection Circuits
Fast Turn–Off Times
100 ns Inductive Fall Time @ 25C (Typ)
125 ns Inductive Crossover Time @ 25°C (Typ)
Operating Temperature Range –65 to +150C
100C Performance Specified for:
Reversed Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages CASE 221A–09
Leakage Currents TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol MJE5850 MJE5851 MJE5852 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO(sus) 300 350 400 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEV 350 400 450 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Base Voltage VEB 6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Peak (1) ICM 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Peak (1)
ÎÎÎÎ
IB
IBM
4.0
8.0
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25C ÎÎÎÎ
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
PD 80 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.640 W/C
C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to 150
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎCharacteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC
TL
1.25
275
C/W
C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

MJE5850 MJE5851 MJE5852
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage MJE5850 VCEO(sus) 300 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mA, IB = 0) MJE5851 350 — —
MJE5852 400
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) — — 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100C) — — 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEV, RBE = 50 Ω, TC = 100C)
ICER — — 3.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — — 1.0 mAdc
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Clamped Inductive SOA with base reverse biased
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS
RBSOA See Figure 13
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
15 — —
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 5 Vdc) 5 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc) — — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 3.0 Adc) — — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100C) — — 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 1.5
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100C) — — 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1.0 kHz)
Cob — 270 — pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time (VCC = 250 Vdc, IC = 4.0 A, IB1 = 1.0 A, td — 0.025 0.1 µs
tp = 50 µs, Duty Cycle 2%)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time tr — 0.100 0.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time (VCC = 250 Vdc, IC = 4.0 A, IB1 = 1.0 A, ts — 0.60 2.0 µs
VBE(off) = 5 Vdc, tp = 50 µs, Duty Cycle 2%)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — 0.11 0.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time tsv — 0.8 3.0 µs
(ICM = 4 A,
A VCEM = 250 V V, IB1 = 1
1.0
0AA,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time tc — 0.4 1.5 µs
VBE(off) = 5 Vdc, TC = 100
100C)C)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time tsv — 0.5 — µs
(ICM = 4 A,
A VCEM = 250 V V, IB1 = 1
1.0
0AA,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time tc — 0.125 — µs
VBE(off) = 5 Vdc, TC = 25
25C)
C)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Pulse Test: PW = 300 µs. Duty Cycle 2%
http://onsemi.com
591
MJE5850 MJE5851 MJE5852
200 2.0

100 TJ = 150°C
1.6
70
50 TJ = 25°C IC = 0.25 A
30 1.2 1.0 A 2.5 A 5.0 A

20
VCE = 5 V 0.8 TJ = 25°C
10
7.0
5.0 0.4
3.0
2.0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (AMPS)
2.0 2.0
1.6 1.6 IC/IB = 4

V, VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 4
1.2 1.2
0.8 TJ = 150°C 0.8 TJ = 25°C
0.4 0.4
TJ = 150°C
TJ = 25°C
0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage Figure 4. Base–Emitter Voltage
105 3000
2000
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (nA)
104
1000 Cib
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C
103 500
100°C Cob
102 200
VCE = 200 V
REVERSE FORWARD 100
101
25°C 50
100 30
+0.2 +0.1 0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 0.1 0.2 0.5 1.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
http://onsemi.com
592
MJE5850 MJE5851 MJE5852

VCEO(sus) RBSOA AND INDUCTIVE SWITCHING RESISTIVE SWITCHING
+V
50 µF
+ -
0.0025 µF
0.2 µF 0.1 µF TURN–ON TIME

-10 V 1 500 Ω
20 MJE15029 1
1/2 W
CONDITIONS
0 500 Ω 2
1N4934 IB1
1/2 W
INPUT
0.1 µF
2 INPUT 0.0033 µF
IB1 adjusted to
+V 500 Ω 1 obtain the forced
PW Varied to Attain 0 1/2 W 1Ω2W hFE desired
IC = 100 mA
50 Ω 500 Ω 2
2W MJE15028 TURN–OFF TIME
0.2 µF 1/2 W 0.1 µF Use inductive switching

driver as the input to
the resistive test circuit.
- +
–V adjusted to obtain desired IB1 50 µF
+V adjusted to obtain desired VBE(off) -V
CIRCUIT
VALUES
Lcoil = 180 µH VCC = 250 V

Lcoil = 80 mH, VCC = 10 V Vclamp = 250 V
Rcoil = 0.05 Ω RL = 62 Ω
Rcoil = 0.7 Ω RB adjusted to attain desired IB1
VCC = 20 V Pulse Width = 10
µs
INDUCTIVE TEST CIRCUIT OUTPUT WAVEFORMS RESISTIVE TEST CIRCUIT

t1 Adjusted to
TEST CIRCUITS
IC Obtain IC
TUT
1 Rcoil ICM tf Lcoil (ICM)
1N4937 TUT
Clamped t1 ≈
OR t VCC
IN Lcoil 1 RL
EQUIVALENT t1 tf
PUT Lcoil (ICM) 2
SEE ABOVE FOR t2 ≈ VCC
Vclamp VCC VClamp
DETAILED CONDITIONS VCE
VCEM Vclamp
RS = Test Equipment
0.1 Ω t Scope — Tektronix
TIM t2
E 475 or Equivalent
1.0 3.0
tc 100°C IC = 4 A 2.7
IC/IB = 4 t sv, VOLTAGE STORAGE TIME (µs)
0.8 2.4
TJ = 25°C
t c , CROSSOVER TIME (µs)
2.1
10% tc 10% 2% tsv 100°C
IB 90% IB1 VCEM ICM ICM 0.6 tsv 25°C 1.8
tfi
VCE 1.5
tsr trv tti
0.4 1.2
IC
0.9
90% 0.2 tc 25°C 0.6

ICM
Vclamp 0.3
ICM VCEM
0 0
TIME 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Figure 7. Inductive Switching Measurements Figure 8. Inductive Switching Times
http://onsemi.com
593
MJE5850 MJE5851 MJE5852
SWITCHING TIMES NOTE
loads which are common to SWITCHMODE power using the standard equation from AN–222A:
supplies and hammer drivers, current and voltage PSWT = 1/2 VCCIC(tc)f
waveforms are not in phase. Therefore, separate In general, trv + tfi tc. However, at lower test currents
measurements must be made on each waveform to this relationship may not be valid.
determine the total switching time. For this reason, the As is common with most switching transistors, resistive
following new terms have been defined. switching is specified at 25°C and has become a benchmark
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% VCEM for designers. However, for designers of high frequency
trv = Voltage Rise Time, 10–90% VCEM converter circuits, the user oriented specifications which
tfi = Current Fall Time, 90–10% ICM make this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive
tti = Current Tail, 10–2% ICM switching speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100C.
tc = Crossover Time,10% VCEM to 10% ICM
An enlarged portion of the inductive switching waveform
is shown in Figure 7 to aid on the visual identity of these
terms.
1.0 10
0.7
VCC = 250 V 0.7
0.5
IC/IB = 4
ts
0.3 TJ = 25°C
0.2
0.4
t, TIME (s)
t, TIME (s)
tr
µ
0.1 0.3 VCC = 250 V

0.07 IC/IB = 4
0.05 VBE(off) = 5 V
0.2 TJ = 25°C
0.03
0.02 td
tf
0.01 0.1
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 4.0 7.0 10
Figure 9. Turn–On Switching Times Figure 10. Turn–Off Switching Time
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk)
0.1 ZθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 0.05 RθJC = 1.25°C/W MAX
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1k
t, TIME (ms)
http://onsemi.com
594
MJE5850 MJE5851 MJE5852
The Safe Operating Area figures shown in Figures 12 and 13 are SAFE OPERATING AREA INFORMATION
specified for these devices under the test conditions shown.
FORWARD BIAS
20
10 100 µs There are two limitations on the power handling ability of
5.0 a transistor average junction temperature and second

5 ms 1 ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
2.0 TC =
dc
1.0 25°C operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
BONDING WIRE LIMIT The data of Figure 12 is based on TC = 25C; TJ(pk) is
0.2
THERMAL LIMIT variable depending on power level. Second breakdown
0.1 (SINGLE PULSE) pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
0.05 SECOND BREAKDOWN LIMITMJE5850 derated when TC ≥ 25C. Second breakdown limitations do
MJE5851
MJE5852 not derate the same as thermal limitations. Allowable
0.02
7.0 10 20 40 70 100 200 300 400 500 current at the voltages shown on Figure 12 may be found at
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) any case temperature by using the appropriate curve on
Figure 15.
Figure 12. Maximum Forward Bias TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 11. At
Safe Operating Area high case temperatures, thermal limitations will reduce the
8.0 imposed by second breakdown.
7.0
REVERSE BIAS
6.0 IC/IB = 4
VBE(off) = 2 V to 8 V For inductive loads, high voltage and high current must be
5.0 TJ = 100°C
4.0 with the base to emitter junction reverse biased. Under these
MJE5850 conditions the collector voltage must be held to a safe level
3.0 at or below a specific value of collector current. This can be
MJE5851
2.0 MJE5852 accomplished by several means such as active clamping, RC
snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
1.0 devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
0 and represents the voltage–current condition allowable
100 200 300 400 500 during reverse biased turn–off. This rating is verified under
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) clamped conditions so that the device is never subjected to
Figure 13. RBSOA, Maximum Reverse Bias an avalanche mode. Figure 13 gives the RBSOA
Safe Operating Area characteristics.
3.5 1
SECOND BREAKDOWN
3.0 IC = 4 A 0.8 DERATING
IB1 = 1 A
TJ = 25°C
IB2(pk) (AMPS)
2.5 0.6
THERMAL
DERATING
2.0 0.4
1.5 0.2
1.0 0
0 2 4 6 8 20 40 60 80 100 120 140 160
VBE(off), BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 14. Peak Reverse Base Current Figure 15. Forward Bias Power Derating
http://onsemi.com
595
ON Semiconductor
PNP
Plastic Darlington MJE700
Complementary Silicon Power MJE702
Transistors
MJE703
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed NPN
switching applications. MJE800
hFE = 2000 (Typ) @ IC MJE802
= 2.0 Adc
• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Resistors to
Limit Leakage
MJE803
Multiplication
• Choice of Packages — 4.0 AMPERE
MJE700 and MJE800 series DARLINGTON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJE702
40 WATT
MJE703
50 WATT
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJE700 MJE802
Rating Symbol MJE800 MJE803 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO 60 80 Vdc
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
60
5.0
80 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
IC
IB
4.0
0.1
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C PD
CASE 77
40 Watts CASE 77–08
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25C 0.32 W/C TO–225AA TYPE
MJE700–703
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg –55 to +150 C MJE800–803
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC C/W
CASE 77 3.13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–220 2.50

May, 2001 – Rev. 6 MJE700/D
MJE700 MJE702 MJE703 MJE800 MJE802 MJE803
50

40
TO-220AB
30
TO-126
20
10
0
25 50 75 100 125 150
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1) MJE700, MJE800 V(BR)CEO 60 — Vdc
(IC = 50 mAdc, IB = 0) MJE702, MJE703, MJE802, MJE803 80 —
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
(VCE = 80 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJE700, MJE800
MJE702, MJE703, MJE802, MJE803
ICEO
—
—
100
100
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCB = Rated BVCEO, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCB = Rated BVCEO, IE = 0, TC = 100C)
ICBO —
—
100
500
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
MJE703, MJE803
All devices
750
750
100
—
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, IB = 30 mAdc)
(IC = 2.0 Adc, IB = 40 mAdc)
MJE703, MJE803
VCE(sat)
—
—
2.5
2.8
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
All devices
VBE(on)
— 3.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) MJE700, MJE702, MJE800, MJE802 — 2.5
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) MJE703, MJE803 — 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) All devices — 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) hfe 1.0 — —
http://onsemi.com
597
4.0
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
VCC VCC = 30 V IB1 = IB2
-30 V ts IC/IB = 250 TJ = 25°C
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
RC
TUT
tf
t, TIME (s)
V2 RB
µ
APPROX 1.0
+8.0 V 0.8
51 D1 ≈ 6.0 k ≈ 150 tr
0 0.6
V1
APPROX 0.4
+ 4.0 V
-12 V
25 µs td @ VBE(off) = 0
For td and tr, D1 id disconnected
PNP
and V2 = 0, RB and RC are varied
tr, tf ≤ 10 ns NPN
DUTY CYCLE = 1.0%
to obtain desired test currents.
0.2
For NPN test circuit, reverse diode, 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
polarities and input pulses.
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk)
θJC(t) = r(t) θJC
0.05 θJC = 3.12°C/W MAX
0.1
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
Figure 4. Thermal Response (MJE700, 800 Series)
http://onsemi.com
598

10 10
7.0 7.0
5.0 5.0ms 1.0ms 100µs 5.0 5.0ms 1.0ms

100µs
3.0 3.0
2.0 dc 2.0 dc
1.0 TJ = 150°C 1.0 TJ = 150°C

0.5 THERMALLY LIMITED 0.5 THERMALLY LIMITED
0.2 0.2
MJE702, 703 MJE802, 803
MJE700 MJE800
0.1 0.1
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 5. MJE700 Series Figure 6. MJE800 Series
a transistor: average junction temperature and second < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE 4. At high case temperatures, thermal limitations will reduce
limits of the transistor that must be observed for reliable the power that can be handled to values less than the
The data of Figures 5 and 6 are based on TJ(pk) = 150C;
http://onsemi.com
599
PNP NPN
MJE700 Series MJE800 Series
6.0 k 6.0 k
TJ = 125°C VCE = 3.0 V TJ = 125°C VCE = 3.0 V
4.0 k 4.0 k
3.0 k 25°C 3.0 k

2.0 k 2.0 k 25°C
-55°C -55°C
1.0 k 1.0 k
800 800
600 600
400 400
300 300
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
3.4 3.4

TJ = 25°C IC = TJ = 25°C
3.0 3.0
0.5 A
IC = 1.0 A 2.0 A 4.0 A 1.0 A 2.0 A 4.0 A
2.6 0.5 A 2.6
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.6 0.6
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
2.2 2.2
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.8 1.8
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE @ VCE = 3.0 V VBE(sat) @ IC/IB = 250

1.4 1.4 VBE @ VCE = 3.0 V
1.0 1.0
0.6 0.6
0.2 0.2
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
http://onsemi.com
600
ON Semiconductor
NPN
Complementary Power MJF122
PNP
Darlingtons MJF127
For Isolated Package Applications
Designed for general–purpose amplifiers and switching
applications, where the mounting surface of the device is required to COMPLEMENTARY
be electrically isolated from the heatsink or chassis. SILICON
• Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127 POWER DARLINGTONS
5 AMPERES
• 100 VCEO(sus) 100 VOLTS
• 5 A Rated Collector Current 30 WATTS
• No Isolating Washers Required
• Reduced System Cost
• High DC Current Gain — 2000 (Min) @ IC = 3 Adc
•
UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMS Isolation
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎ
VCEO
VCB
100
100
Vdc
Vdc
CASE 221D–02
TO–220 TYPE
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
RMS Isolation Voltage (1) Test No. 1 Per Fig. 14
VEB
VISOL
5
4500
Vdc
VRM
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(for 1 sec, R.H. < 30%, Test No. 2 Per Fig. 15 3500 S
TA = 25C) Test No. 3 Per Fig. 16 1500
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Peak

IC 5
8
Adc
ÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Total Power Dissipation* @ TC = 25C
IB
PD
0.12
30
Adc
Watt
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Derate above 25C 0.24 s
W/
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C PD 2
C
Watt
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Derate above 25C 0.016 s
W/
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg –65 to
C
IC
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
+150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case*
RθJA
RθJC
62.5
4.1
C/W
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering Purpose TL 260 C
*Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface (in a location beneath the die), the device mounted
on a heatsink with thermal grease and a mounting torque of ≥ 6 in. lbs.

April, 2001 – Rev. 2 MJF122/D
MJF122 MJF127
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO — 10
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 2 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 3 Vdc) hFE 1000 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 3 Adc, VCE = 3 Vdc) 2000 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 3 Adc, IB = 12 mAdc) VCE(sat) — 2 Vdc
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 20 mAdc) — 3.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 3 Adc, VCE = 3 Vdc) VBE(on) — 2.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 MHz) hfe 4 — —
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
MJF127
MJF122
Cob —
—
300
200
pF
5
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS ts
VCC 3
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.,
-30 V 2
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA RC
SCOPE
TUT 1 tf
t, TIME (s)
V2 RB 0.7
µ
APPROX.
+8 V
0.5
51 D1 ≈8 k ≈120
0 0.3 td @ VBE(off) = 0 V
tr
V1 0.2
APPROX. VCC = 30 V
+4 V IC/IB = 250
-12 V 25 µs 0.1 IB1 = IB2 PNP
0.07 TJ = 25°C NPN
0.05
DUTY CYCLE = 1% AND V2 = 0 0.1 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
0.2 0.3
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES.
Figure 10. Switching Times Test Circuit Figure 11. Typical Switching Times
http://onsemi.com
602
MJF122 MJF127
TA TC
4 80

3 60
TC
2 40
1 20 TA
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 12. Maximum Power Derating
0.5
0.3
0.2
0.1
SINGLE PULSE
0.03
0.02
0.01
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1K 2K 3K 5K 10K
t, TIME (ms)
10
100 µs There are two limitations on the power handling ability of

3 1ms breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
TJ = 150°C
2 d
5 ms
c operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
0.5 CURRENT LIMIT
variable depending on conditions. Secondary breakdown
SECONDARY BREAKDOWN
0.3 LIMIT pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.2 THERMAL LIMIT @ < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
TC = 25°C (SINGLE PULSE) At high case temperatures, thermal limitations will reduce
1 2 3 5 10 20 30 50 100
limitations imposed by secondary breakdown.

Safe Operating Area
http://onsemi.com
603
MJF122 MJF127
10,000 300
5000 TJ = 25°C
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000 Cob
500 TC = 25°C
300 100
VCE = 4 Vdc
200 IC = 3 Adc
70 Cib
100
50 50
30 PNP PNP
20
NPN NPN
10 30
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
Figure 15. Typical Small–Signal Current Gain Figure 16. Typical Capacitance
NPN PNP
MJF122 MJF127
20,000 20,000
VCE = 4 V VCE = 4 V
10,000 10,000
7000
5000 TJ = 150°C 5000 TJ = 150°C

3000 3000
2000 2000 25°C
25°C
1000 1000
700
500 -55°C 500 -55°C
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
Figure 17. Typical DC Current Gain
3 3
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 2.6
IC = 2 A 4A 6A IC = 2 A 4A 6A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1 1
0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30
Figure 18. Typical Collector Saturation Region
http://onsemi.com
604
MJF122 MJF127
NPN PNP
MJF122 MJF127
3 3
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2 2

1.5 1.5 VBE @ VCE = 4 V
VBE @ VCE = 4 V VBE(sat) @ IC/IB = 250

1 1
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
Figure 19. Typical “On” Voltages
+5 θV, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/°C) +5

θV, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV°C)
+4 *IC/IB ≤ hFE 3 +4 *IC/IB ≤ hFE 3

+3 +3 25°C to 150°C
25°C to 150°C
+2 +2
- 55°C to 25°C
+1 +1
0 0
-1 *θVC FOR VCE(sat) -1 *θVC FOR VCE(sat)
-2 -2
- 55°C to 25°C
-3 25°C to 150°C -3 θVB FOR VBE
-4 - 55°C to 25°C -4 25°C to 150°C
θVB FOR VBE - 55°C to 25°C
-5 -5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 7 10
Figure 20. Typical Temperature Coefficients
105 105
104 104

µ
VCE = 30 V VCE = 30 V
103 103
102 102
TJ = 150°C
TJ = 150°C
101 101
100°C
100 100°C 100
25°C 25°C
10-1 10-1
-0.6 - 0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1 +1.2 +1.4 +0.6 +0.4 +0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4
http://onsemi.com
605
MJF122 MJF127
NPN PNP
MJF122 MJF127
COLLECTOR COLLECTOR
BASE BASE
≈8k ≈ 120 ≈8k ≈ 120
EMITTER EMITTER
http://onsemi.com
606
MJF122 MJF127

CLIP PACKAGE CLIP PACKAGE PACKAGE 0.107" MIN
0.107" MIN
LEADS LEADS
LEADS

0.110" MIN
Figure 23. Clip Mounting Position Figure 24. Clip Mounting Position Figure 25. Screw Mounting Position
MOUNTING INFORMATION
4-40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK
Figure 26. Typical Mounting Techniques*
Laboratory tests on a limited number of samples indicate, when using the screw and compression washer mounting technique, a screw
torque of 6 to 8 in . lbs is sufficient to provide maximum power dissipation capability. The compression washer helps to maintain a con-
stant pressure on the package over time and during large temperature excursions.
Additional tests on slotted 4–40 screws indicate that the screw slot fails between 15 to 20 in . lbs without adversely affecting the pack-
age. However, in order to positively ensure the package integrity of the fully isolated device, ON Semiconductor does not recommend
exceeding 10 in . lbs of mounting torque under any mounting conditions.
http://onsemi.com
607
ON Semiconductor
NPN
Complementary Power MJF15030
PNP
Transistors MJF15031
Designed for general–purpose amplifier and switching applications,
where the mounting surface of the device is required to be electrically COMPLEMENTARY
isolated from the heatsink or chassis. SILICON
POWER TRANSISTORS
• Electrically Similar to the Popular MJE15030 and MJE15031 8 AMPERES
150 VOLTS
• 150 VCEO(sus) 36 WATTS
• High Current Gain–Bandwidth Product
= 500 mAdc
• UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMS Isolation
CASE 221D–02
TO–220 TYPE

April, 2001 – Rev. 2 MJF15030/D
MJF15030 MJF15031
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RMS Isolation Voltage (1) Test No. 1 Per Fig. 11 VISOL 4500 VRMS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(for 1 sec, R.H. < 30%, Test No. 2 Per Fig. 12 3500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
— Peak
ÎÎÎ
IC 8
16
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation* @ TC = 25C PD 36 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C PD 2 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 62.5
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case* RθJC 3.5
Lead Temperature for Soldering Purpose TL 260 C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 10 mAdc, IB = 0) VCEO(sus) 150 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCB = 150 Vdc, IE = 0)
ICEO
ICBO
—
—
10
10
µAdc
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 10 µAdc
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 0.1 Adc, VCE = 2 Vdc) hFE 40 — —
(IC = 2 Adc, VCE = 2 Vdc) 40 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40
20
—
—
Typ
DC
C Cu
Current
e GaGain Linearity
ea y hFE 2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(VCE from 2 V to 20 V, IC from 0.1 A to 3 A) (NPN to PNP)
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 1 Adc, IB = 0.1 Adc) VCE(sat) —
3
0.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 1 Adc, VCE = 2 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1 Vdc
ÎÎÎ
Current Gain–Bandwidth Product (2) (IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz) fT 30 — MHz
NOTES:
1. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.
2. fT = hfe• ftest.
http://onsemi.com
609
MJF15030 MJF15031

1
0.5
0.3
0.2
0.1 SINGLE PULSE

0.05
0.03
0.02
0.01
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1K 2K 3K 5K 10K
t, TIME (ms)

10 100 µs a transistor: average junction temperature and second

3 5 ms limits of the transistor that must be observed for reliable
2 operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
dc
0.5 The data of Figures 2 and 3 is based on TJ(pk) = 150C;
0.3 TC is variable depending on conditions. Second breakdown
0.2 WIREBOND LIMIT pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
0.1 THERMAL LIMIT < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
SECONDARY BREAKDOWN
0.05 LIMIT @ TC = 25°C
2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 150 200
http://onsemi.com
610
MJF15030 MJF15031
8 1000
Cib (NPN)
500
Cib (PNP)
C, CAPACITANCE (pF)
200
5
100
Cob (PNP)
3 50
VBE(off) = 9 V
2 IC/IB = 10
5V 30 Cob (NPN)
TC = 25°C
3V 20
1
1.5 V
0 0V 10
0 100 110 120 130 140 150 1.5 3 5 7 10 30 50 100 150
Figure 3. Reverse Bias Switching Safe Figure 4. Capacitances

Operating Area
f T, CURRENT GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

100 100
90 (PNP)
50
30 60 (NPN)
PNP
VCE = 10 V 50
20
IC = 0.5 A
NPN
TC = 25°C
10
20
10
5 0
0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
f, FREQUENCY (MHz) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 5. Small–Signal Current Gain Figure 6. Current Gain — Bandwidth Product
DC CURRENT GAIN
1K 1K
500 VCE = 2 V 500

VCE = 2 V
TJ = 150°C
TJ = 150°C
200 200
150
TJ = 25°C TJ = 25°C
100 100
70 TJ = -55°C
50 TJ = -55°C 50
30
20 20
10 10
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
Figure 7a. MJF15030 NPN Figure 7b. MJF15031 PNP
http://onsemi.com
611
MJF15030 MJF15031
“ON” VOLTAGE
TJ = 25°C 1.8
1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.4
1.2
1 1
0.6 VBE(on) @ VCE = 2 V
0.4
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 20 VBE(sat) @ IC/IB = 20
IC/IB = 10 IC/IB = 10
0
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
Figure 8a. MJF15030 NPN Figure 8b. MJF15031 PNP
1 10
VCC = 80 V VCC = 80 V
0.5 IC/IB = 10 5 IC/IB = 10, IB1 = IB2
TJ = 25°C ts (NPN) TJ = 25°C
3
td (NPN, PNP)
0.2 2
t, TIME (s)
t, TIME (s)
tr (PNP) ts (PNP)
µ
0.1 1
0.05 0.5 tf (PNP)

0.03 tr (NPN)
0.02 0.2 tf (NPN)
0.01 0.1
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 5 10
Figure 9. Turn–On Times Figure 10. Turn–Off Times
http://onsemi.com
612
MJF15030 MJF15031

0.107" MIN
LEADS LEADS
LEADS

0.110" MIN
4-40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK
Laboratory tests on a limited number of samples indicate, when using the screw and compression washer mounting technique, a screw torque of 6 to
8 in . lbs is sufficient to provide maximum power dissipation capability. The compression washer helps to maintain a constant pressure on the package
over time and during large temperature excursions.
Destructive laboratory tests show that using a hex head 4–40 screw, without washers, and applying a torque in excess of 20 in . lbs will cause the
plastic to crack around the mounting hole, resulting in a loss of isolation capability.
Additional tests on slotted 4–40 screws indicate that the screw slot fails between 15 to 20 in . lbs without adversely affecting the package. However,
in order to positively ensure the package integrity of the fully isolated device, ON Semiconductor does not recommend exceeding 10 in . lbs of mount-
ing torque under any mounting conditions.
http://onsemi.com
613
ON Semiconductor
NPN
Complementary MJF3055
PNP
Silicon Power Transistors MJF2955
. . . specifically designed for general purpose amplifier and
• Isolated Overmold Package (1500 Volts RMS Min)
COMPLEMENTARY
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T and MJE2955T SILICON
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) 90 Volts POWER TRANSISTORS
• 10 Amperes Rated Collector Current 10 AMPERES
90 VOLTS
• No Isolating Washers Required 30 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Voltage VEBO 5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221D–02
TO–220 TYPE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA = 25C)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Test No. 3 Per Fig. 6
Total Power Dissipation @ TC = 25C (2) PD
1500
30 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg –55 to +150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance — Junction to Case (2) RθJC 4 C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance — Junction to Ambient RθJA 62.5 C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering Purposes TL 260 C
(2) Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated surface (in a location beneath the die), the devices moun ted on
a heatsink with thermal grease and a mounting torque of ≥ 6 in. lbs.

MJF3055 MJF2955
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 200 mAdc, IB = 0) VCEO(sus) 90 — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 90 Vdc, VBE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 90 Vdc, IE = 0)
ICES
ICBO
—
—
1
1
µAdc
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter–Base Leakage (VEB = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (ICE = 4 Adc, VCE = 4 Vdc) hFE 20 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (ICE = 10 Adc, VCE = 4 Vdc) 5 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4 Adc, IB = 0.4 Adc) — 1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 3.3 Adc) — 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 4 Adc, VBE = 4 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Current–Gain–Bandwidth Product
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 10 Vdc, IC = 0.5 Adc, ftest = 500 kHz)
fT 2 — MHz
http://onsemi.com
615
MJF3055 MJF2955
20 500
300 VCE = 2 V
10 100 µs 200 TJ = 150°C
5 ms

5 100 25°C
3 TJ = 150°C dc 1 ms
2 50
-55°C
30
1 CURRENT LIMIT 20
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
0.5 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C 10
0.3 (SINGLE PULSE)
0.2 5
1 2 3 5 10 20 30 50 100 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 7. Maximum Forward Bias Safe Figure 8. DC Current Gain

Operating Area
PNP PNP
MJF2955 MJF3055
2 1.4
TJ = 25°C
1.2 TJ = 25°C
1.6
1
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.6 VBE @ VCE = 2 V
VBE @ VCE = 3 V 0.4

0.4
0.2
0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
http://onsemi.com
616
MJF3055 MJF2955

0.107" MIN
LEADS LEADS
LEADS

0.110" MIN
4-40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK
http://onsemi.com
617
MJF44H11 (NPN),
MJF45H11 (PNP)
Preferred Devices
Complementary
Power Transistors
http://onsemi.com
output or driver stages in applications such as switching regulators,
converters and power amplifiers. SILICON POWER
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage – TRANSISTORS
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A 10 AMPERES
• Fast Switching Speeds 80 VOLTS
• Complementary Pairs Simplifies Designs 50 WATTS
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Value
80
Unit
Vdc
MARKING DIAGRAM
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
5
10
Vdc
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
– Peak
20
F4xH11
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25C 50 Watts 1 LLYWW
Derate above 25C 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.67 W/C 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ISOLATED TO–220
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221D
Derate above 25C 0.016 W/C PLASTIC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg –55 to
150
C
F4xH11
x
= Specific Device Code
= 4 or 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS LL = Location Code
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit Y = Year
WW = Work Week
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MJF44H11 TO–220 50 Units/Rail
MJF45H11 TO–220 50 Units/Rail


February, 2001 – Rev. 0 MJF44H11/D
MJF44H11 (NPN), MJF45H11 (PNP)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mA, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICES – – 1.0 µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO – – 10 µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) – – 1.0 Vdc
(IC = 8 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc)
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) – – 1.5 Vdc
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE 60 – – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain 40 – –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1 MHz) MJF44H11
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 130 –
MJF45H11 – 230 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz) MJF44H11
fT
– 50 –
MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJF45H11 – 40 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING TIMES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc) MJF44H11 – 300 –
MJF45H11 – 135 –
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) MJF44H11
ts
– 500 –
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJF45H11 – 500 –
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) MJF44H11 – 140 –
MJF45H11 – 100 –
http://onsemi.com
619
1.0
0.7
D = 0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.07 0.05 RθJC = 1.56°C/W MAX
0.02
0.03
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)


20 1.0 ms
10 10 µs operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
2.0 TC ≤ 70° C dc variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.2
MJF44H11/MJF45H11 reduce the power that can be handled to values less than the
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100

Safe Operating Area
TA TC
3.0 60
2.0 40
TC
1.0 20 TA
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
620
1000 1000

VCE = 4 V
VCE = 4 V
100 100
1V
VCE = 1 V
TJ = 25°C TJ = 25°C
10 10
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 4. MJF44H11 DC Current Gain Figure 5. MJF45H11 DC Current Gain
1000 1000
TJ = 125°C
hFE , DC CURRENT GAIN 25°C

TJ = 125°C
-40°C
25°C
100 100
-40°C
VCE = 1 V
VCE = 1 V
10 10
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 6. MJF44H11 Current Gain Figure 7. MJF45H11 Current Gain

1.2 1.2
0.8 0.8
0.6 0.6
IC/IB = 10 IC/IB = 10
0.4 TJ = 25°C 0.4 TJ = 25°C
VCE(sat)
0.2 VCE(sat) 0.2
0 0
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 8. MJF44H11 On–Voltages Figure 9. MJF45H11 On–Voltages
http://onsemi.com
621
ON Semiconductor
MJF47
High Voltage Power Transistor
Isolated Package Applications
NPN SILICON
Designed for line operated audio output amplifiers, switching power POWER TRANSISTOR
1 AMPERE
supply drivers and other switching applications, where the mounting
250 VOLTS
surface of the device is required to be electrically isolated from the 28 WATTS
heatsink or chassis.
• Electrically Similar to the Popular TIP47
• 250 VCEO(sus)
CASE 221D–02
TO–220 TYPE
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Peak 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol
RθJA
Max
62.5
Unit
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJC
TL
4.4
260
C/W
C

MJF47
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 150 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES — 0.1 mAdc
(VCE = 350 Vdc, VBE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
IEBO — 1 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.3 Adc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30 150
(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
VCE(sat) — 1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.2 Adc, VCE 10 Vdc, f = 2 MHz)
200 1.4
VCE = 10 V
100 1.2
TJ = 150°C
60
1
V, VOLTAGE (VOLTS)
40 25°C
0.8
20
-55°C VBE(on) @ VCE = 4 V
0.6
10
0.4 TJ = 25°C
6
4 0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 5 V
2 0
0.02 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2 0.02 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1 2
http://onsemi.com
623
MJF47
1 5
TJ = 25°C
ts VCC = 200 V
0.5 TJ = 25°C
tr 2 IC/IB = 5
VCC = 200 V
IC/IB = 5
0.2 1
t, TIME (s)
t, TIME (s)
µ
µ
0.1 td 0.5
0.05 tf
0.2
0.02 0.1
0.01 0.05
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
TURN-ON PULSE VCC

APPROX RC
+11 V
Vin SCOPE
Vin 0
RB
VEB(off) 51
t1
t3 Cjd << Ceb

APPROX
+11 V t1 ≤ 7 ns -4 V
100 < t2 < 500 µs
Vin t3 < 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2%
t2 APPROX -9 V
TURN-OFF PULSE RB and RC VARIED TO OBTAIN
DESIRED CURRENT LEVELS.
Figure 5. Switching Time Equivalent Circuit

0.5
0.3
0.2
0.1 SINGLE PULSE

0.05 RθJC = 4.4°C/W MAX
0.02
0.01
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1K 2K 3K 5K 10 K
t, TIME (msec)
http://onsemi.com
624
MJF47

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 2 100 µs a transistor: average junction temperature and second
1
0.5
dc dissipation than the curves indicate.
0.2 variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.1 CURRENT LIMIT
150°C. TJ(pk) may be calculated from the data in
0.05 SECONDARY BREAKDOWN LIMIT Figure 6. At high case temperatures, thermal limitations will
10 20 30 50 100 200 300
Figure 7. Maximum Forward Bias Safe

Operating Area
40 2
PD(AV), AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
PD(AV), AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
30 1.5
20 1
10 0.5
0 0
0 50 100 150 200 0 50 100 150 200
TC, CASE TEMPERATURE (°C) TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 8. Power Derating Figure 9. Power Derating
http://onsemi.com
625
MJF47

0.107" MIN
LEADS LEADS
LEADS

0.110" MIN
4-40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK
http://onsemi.com
626
ON Semiconductor
NPN
Complementary Power MJF6388 *
PNP
Darlingtons MJF6668 *
*ON Semiconductor Preferred Devices
Designed for general–purpose amplifiers and switching

applications, where the mounting surface of the device is required to COMPLEMENTARY
be electrically isolated from the heatsink or chassis. SILICON
POWER DARLINGTONS
• Isolated Overmold Package, TO–220 Type 10 AMPERES
• Electrically Similar to the Popular 2N6388, 2N6668, TIP102 and 100 VOLTS
TIP107 40 WATTS
• 100 VCEO(sus)
• High DC Current Gain — 1000 (Min) @ IC = 5.0 Adc
• High Isolation Voltage (up to 4500 VRMS)
• Case 221D is UL Recognized at 3500 VRMS: File #E69369
CASE 221D–02
UL RECOGNIZED
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RMS Isolation Voltage (1) Test No. 1 Per Figure 14 VISOL 4500 V
(for 1 sec, R.H. < 30%, TA = 25C) Test No. 2 Per Figure 15 3500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Test No. 3 Per Figure 16
IC
1500
10 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak(2) 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Derate above 25C ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C PD 2.0
0.016
Watts
W/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol
RθJC
Max
3.2
Unit
C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TL 260 C
*Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface of the package (in a location beneath the die), the
device mounted on a heatsink, thermal grease applied and a mounting torque of 6 to 8 inlbs.

MJF6388 MJF6668
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, IB = 0)
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 100 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) ICEX — 10
Collector Cutoff Current (VCE = 100 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) — 3.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO — 10 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) hFE 3000 15000 —
DC Current Gain (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 1000 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
200
100
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 6.0 mAdc) VCE(sat) — 2.0 Vdc
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5.0 Adc, IB = 0.01 Adc) — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 8.0 Adc, IB = 80 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc)
—
—
2.5
3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 5.0 Adc, IB = 0.01 Adc) VBE(sat) — 2.8 Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc) — 4.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) MJF6388
|hfe|
Cob
20
—
—
200
—
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJF6668 300
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Insulation Capacitance (Collector–to–External Heatsink) Cc–hs — 3.0 Typ pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 1000 — —
NPN PNP
MJF6388 MJF6668
COLLECTOR COLLECTOR
BASE BASE
≈8k ≈ 120 ≈8k ≈ 120
EMITTER EMITTER
http://onsemi.com
628
MJF6388 MJF6668
VCC
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
+30 V
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.,
MUR110 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA RC
SCOPE
TUT
V1 RB
APPROX.
+12 V
51 D1 ≈8 k ≈120
V2
APPROX.
-4 V
-8 V 25 µs

DUTY CYCLE = 1% AND V2 = 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES.
NPN PNP
MJF6388 MJF6668
7 10
5 7 VCC = 30 V
5 IC/IB = 250
3 ts tr
IB1 = IB2
3 TJ = 25°C
tf 2
t, TIME (s)
t, TIME (s)
1
µ
ts
0.7 tr 1
0.7
0.5
0.3 VCC = 30 V
0.2 IC/IB = 250 td 0.3 td
IB1 = IB2 0.2 tf
0.1 TJ = 25°C
0.07 0.1
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
Figure 3. Typical Switching Times
20
10 100 µs
5
3 1ms
TJ = 150°C dc
2
1 5 ms
0.5
0.3
0.2 CURRENT LIMIT
0.1 SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
0.05 (SINGLE PULSE)
0.03
0.02
1 2 3 5 10 20 30 50 100

Safe Operating Area
http://onsemi.com
629
MJF6388 MJF6668
1
D = 0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
RθJC = °C/W MAX
0.02
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1K 2K 3K 5K 10K 20K 30K 50K 100K
t, TIME (ms)

SECOND BREAKDOWN
DERATING
0.8

0.6 The data of Figure 4 is based on TJ(pk) = l50C; TC is
THERMAL variable depending on conditions. Secondary breakdown
DERATING pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
0.4
< 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 5.
limitations imposed by secondary breakdown.
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 6. Maximum Power Derating
NPN PNP
MJF6388 MJF6668
10,000 10,000
5000 5000
hFE , SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN
3000
2000 2000
1000 1000
500 TC = 25°C 500 TC = 25°C
300 VCE = 4 Vdc VCE = 4 VOLTS
200 200
IC = 3 Adc IC = 3 AMPS
100 100
50 50
30
20 20
10 10
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200 300 500 1000
f, FREQUENCY (kHz) f, FREQUENCY (kHz)
Figure 7. Typical Small–Signal Current Gain
http://onsemi.com
630
MJF6388 MJF6668
NPN PNP
MJF6388 MJF6668
300 300
TJ = 25°C TJ = 25°C
200 200
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
Cib Cob
100 Cob 100
70 70
Cib
50 50
30 30
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
Figure 8. Typical Capacitance
20,000 20,000
VCE = 4 V VCE = 4 V
10,000 10,000
TJ = 150°C 7000
5000 5000 TJ = 150°C

3000 3000
2000 25°C 2000
25°C
1000 -55°C 1000
700
500 500 -55°C
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
Figure 9. Typical DC Current Gain
3 3
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 IC = 2 A 4A 6A 2.6 IC = 2 A 4A 6A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1 1
0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30
Figure 10. Typical Collector Saturation Region
http://onsemi.com
631
MJF6388 MJF6668
NPN PNP
MJF6388 MJF6668
3 3
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2 2

1.5 1.5 VBE @ VCE = 4 V
VBE @ VCE = 4 V VBE(sat) @ IC/IB = 250
1 1
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
Figure 11. Typical “On” Voltages
+5 +5

+4 *IC/IB ≤ hFE/3 +4 *IC/IB ≤ hFE/3
+3 +3
+2 25°C to 150°C +2 25°C to 150°C
+1 -55°C to 25°C +1 -55°C to 25°C
0 0
-1 -1
*θVC for VCE(sat) *θVC for VCE(sat)
-2 -2
-3 25°C to 150°C -3 25°C to 150°C
θVB for VBE θVB for VBE
-4 -55°C to 25°C -4 -55°C to 25°C
-5 -5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
Figure 12. Typical Temperature Coefficients
105 105
104 104

µ
VCE = 30 V VCE = 30 V
103 103
102 102
TJ = 150°C
TJ = 150°C
101 101
100°C
100 100°C 100
25°C 25°C
10-1 10-1
-0.6 - 0.4 -0.2 0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1 +1.2 +1.4 +0.6 +0.4 +0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4
http://onsemi.com
632
MJF6388 MJF6668

0.107" MIN
LEADS LEADS
LEADS

0.110" MIN
4-40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK
http://onsemi.com
633
ON Semiconductor
PNP
Complementary Darlington MJH11017 *
Silicon Power Transistors MJH11019 *
. . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency
switching and motor control applications. MJH11021 *
• High DC Current Gain @ 10 Adc — NPN
hFE = 400 Min (All Types) MJH11018 *
• Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) — MJH11018, 17 MJH11020 *
= 200 Vdc (Min) — MJH11020, 19
= 250 Vdc (Min) — MJH11022, 21 MJH11022 *
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A *ON Semiconductor Preferred Device
= 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A
• Monolithic Construction
15 AMPERE
DARLINGTON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
COMPLEMENTARY SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ MJH 150, 200, 250 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
150 WATTS
11018 11020 11022
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 11017 11019 11021 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 150 200 250 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1)
IC 15
30
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate Above 25C 1.2 W/C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
CASE 340D–02
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance. Junction to Case RθJC 0.83 C/W

April, 2001 – Rev. 3 MJH11017/D
MJH11017 MJH11019 MJH11021 MJH11018 MJH11020 MJH11022
160
140

120
100
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
http://onsemi.com
635
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) MJH11017, MJH11018 150 —
MJH11019, MJH11020 200 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJH11021, MJH11022 250 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 75 Vdc, IB = 0)
(VCE = 100 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJH11017, MJH11018
MJH11019, MJH11020
ICEO
—
—
1.0
1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 125 Vdc, IB = 0) MJH11021, MJH11022 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TJ = 150C)
ICEV
— 0.5
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 5.0
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc IC = 0) IEBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc) hFE 400 15,000 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 15 Adc
Adc, VCE = 5.0
5 0 Vdc) 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 10 Adc, IB = 100 mA) VCE(sat) — 2.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 15 Adc, IB = 150 mA) — 4.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 A, VCE = 5.0 Vdc) VBE(on) — 2.8 Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 15 Adc, IB = 150 mA) VBE(sat) — 3.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product fT 3.0 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance MJH11018, MJH11020, MJH11022 Cob — 400 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) MJH11017, MJH11019, MJH11021 — 600
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 75 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Characteristic Symbol NPN
Typical
PNP Unit
Delay Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
Rise Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ (VCC = 100 V, IC = 10 A, IB = 100 mA
td
tr
150
1.2
75
0.5
ns
µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ µs
Storage Time VBE(off) = 5.0 V) (See Figure 2) ts 4.4 2.7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf 2.5 2.5 µs
VCC
100 V
RC SCOPE
TUT
RB & RC varied to obtain desired current levels V2 RB
D1, must be fast recovery types, e.g.: APPROX
1N5825 used above IB ≈ 100 mA +12 V
MSD6100 used below IB ≈ 100 mA 0 51 D1
V1
APPROX
+4.0 V
-8.0 V 25 µs
For td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
tr, tf ≤ 10 ns
Duty Cycle = 1.0% For NPN test circuit, reverse diode and voltage polarities.
http://onsemi.com
636
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 0.83°C/W MAX
0.05
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
30

30 0.1 ms L = 200 µH
20
IC/IB1 ≥ 50
10 0.5 ms TC = 100°C
20
VBE(off) = 0-5.0 V
5.0 1.0 ms
RBE = 47 Ω
5.0 ms DUTY CYCLE = 10%
2.0 dc
WIRE BOND LIMIT
1.0 THERMAL LIMIT 10
0.5 SECOND BREAKDOWN LIMIT MJH11017, MJH11018
MJH11017, MJH11018 MJH11019, MJH11020
0.2 MJH11019, MJH11020 MJH11021, MJH11022
MJH11021, MJH11022
0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 150 250 0
0 20 60 100 140 180 220 260
Figure 4. Maximum Rated Forward Bias Figure 5. Maximum Rated Reverse Bias
Safe Operating Area (FBSOA) Safe Operating Area (RBSOA)
The data of Figure 4 is based on TJ(pk) = 150C; TC is snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
variable depending on conditions. Second breakdown pulse devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) and represents the voltage–current conditions during
150C. TJ(pk) may be calculated from the data in reverse biased turn–off. This rating is verified under
Figure 3. At high case temperatures, thermal limitations will clamped conditions so that the device is never subjected to
reduce the power that can be handled to values less than the an avalanche mode. Figure 5 gives RBSOA characteristics.
http://onsemi.com
637
PNP NPN
10,000 10,000
7000
VCE = 5.0 V VCE = 5.0 V
5000 5000
3000 TC = 150°C

2000 TC = 150°C 2000
1000 25°C 1000 25°C
500 500
-55°C
200 -55°C 200
100 100
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0 5.0 10 15 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0 5.0 7.0 10 15
PNP NPN
4.5 4.5
4.0 TJ = 25°C VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TJ = 25°C

4.0
3.5 3.5
3.0 3.0
IC = 15 A
2.5 2.5
IC = 15 A
2.0 2.0
IC = 10 A
1.5 IC = 10 A
1.5
IC = 5.0 A IC = 5.0 A
1.0 1.0
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
PNP NPN
4.0 4.0
3.5 TJ = 25°C 3.5 TJ = 25°C
3.0 3.0
VOLTAGE (VOLTS)
VOLTAGE (VOLTS)
2.5 2.5
1.5 1.5
1.0 1.0
0.5 0.5
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.5 0.7 1.0 2.0 5.0 10 20
http://onsemi.com
638
PNP NPN
MJH11017 COLLECTOR MJH11018 COLLECTOR

MJH11019 MJH11020
MJH11021 MJH11022
BASE BASE
EMITTER EMITTER
http://onsemi.com
639
ON Semiconductor
NPN
Darlington Complementary MJH6284
PNP
Silicon Power Transistors MJH6287
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed
switching motor control applications. ON Semiconductor Preferred Devices
• Similar to the Popular NPN 2N6284 and the PNP 2N6287

DARLINGTON
• Rugged RBSOA Characteristics 20 AMPERE
• Monolithic Construction with Built–in Collector–Emitter Diode COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
100 VOLTS
160 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
Max
100
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
100
5.0
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 20
40
Adc
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @
IB
PD
0.5 Adc
Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TC = 25C 160
Derate above 25C 1.28 W/C CASE 340D–02
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
160
140
PD , POWER DISSIPATION (WATTS)
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

April, 2001 – Rev. 2 MJH6284/D
MJH6284 MJH6287
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 100 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.5
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE 750
100
18,000
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 10 Adc, IB = 40 mAdc) VCE(sat) — 2.0 Vdc
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc) VBE(on) — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc) VBE(sat) — 4.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product (IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 4.0 — MHz
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) MJH6284
Cob
— 400
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJH6287 — 600
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 300 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Typical
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Resistive Load Symbol NPN PNP Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time td 0.1 0.1 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time VCC = 30 Vdc, IC = 10 Adc tr 0.3 0.3
IB1 = IB2 = 100 mA
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time Duty Cycle = 1.0% ts 1.0 1.0
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf 3.5 2.0
(1) Pulse test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS NPN PNP

VCC
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.: -30 V
MJH6284 MJH6287
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA COLLECTOR COLLECTOR
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA RC SCOPE
TUT
V2 RB
APPROX BASE BASE
+12 V
51 D1 ≈ 8.0 k ≈ 50
0
V1
APPROX +4.0 V
-8.0 V 25 µs
EMITTER EMITTER
tr, tf, ≤ 10 ns for td and tr, D1 is disconnected
DUTY CYCLE = 1.0% and V2 = 0
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Darlington Schematic
http://onsemi.com
641
MJH6284 MJH6287
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 0.78°C/W MAX
0.05
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
FBSOA, FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

50
0.1 ms
20
10 0.5 ms
5.0 1.0 ms
5.0 ms
dc
2.0
1.0 TJ = 150°C
0.5
0.1 THERMAL LIMITATION

@TC = 25°C (SINGLE PULSE)
0.05
2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 5. MJH6284, MJH6287
50 FORWARD BIAS
40
DUTY CYCLE = 10%
20 The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
L = 200 µH
IC/IB ≥ 100 variable depending on conditions. Second breakdown pulse
TC = 25°C limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
10 VBE(off) = 0-5.0 V 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
RBE = 47 Ω Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
0 reduce the power that can be handled to values less than the
0 10 20 30 40 60 80 100 110
Figure 6. Maximum RBSOA, Reverse Bias

Safe Operating Area
http://onsemi.com
642
MJH6284 MJH6287
NPN PNP
3000 5000
VCE = 3.0 V VCE = 3.0 V
2000
3000 TJ = 150°C
TJ = 150°C

2000 25°C
1000
25°C
500 1000
700 -55°C
300
500
200 -55°C
150 300
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
2.8 2.8
2.6 VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 2.6

2.4 TJ = 25°C 2.4
2.2 2.2
2.0 2.0
1.8 1.8 IC = 15 A
1.6 IC = 15 A 1.6
1.4 1.4 IC = 10 A
1.2 IC = 10 A 1.2
1.0 IC = 5.0 A 1.0 IC = 5.0 A
0.8 0.8
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
3.0 3.0
2.5 TJ = 25°C 2.5 TJ = 25°C

V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.5 VBE @ VCE = 3.0 V 1.5 VBE(on) @ VCE = 3.0 V

1.0 1.0
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
http://onsemi.com
643
ON Semiconductor
PNP
MJL21193*
The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter MJL21194*
technology and are specifically designed for high power audio output, *ON Semiconductor Preferred Device
disk head positioners and linear applications.
16 AMPERE
• Total Harmonic Distortion Characterized COMPLEMENTARY
hFE = 25 Min @ IC TRANSISTORS
= 8 Adc 250 VOLTS
200 WATTS
• Excellent Gain Linearity
• High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second
MAXIMUM RATINGS
Symb
Rating ol Value Unit
CASE 340G–02
Collector–Base Voltage VCBO 400 Vdc TO–3PBL
Base Current – Continuous IB 5 Adc
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, – 65 to °C
Tstg +150
Sym-
Characteristic bol Max Unit

OFF CHARACTERISTICS
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
(VCE = 200 Vdc, IB = 0)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 µs, Duty Cycle ≤10%. (continued)

April, 2001 – Rev. 2 MJL21193/D
MJL21193 MJL21194

OFF CHARACTERISTICS
(VCE = 5 Vdc, IC = 0)
SECOND BREAKDOWN
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) 25 — 75
(IC = 16 Adc, IB = 5 Adc) 8 — —
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc) — — 1.4
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) — — 4
unmatched — 0.8 —
(Matched pair hFE = 50 @ 5 A/5 V) hFE
matched — 0.08 —
PNP MJL21193 NPN MJL21194

6.5 8.0
VCE = 10 V
6.0 7.0
10 V
5.5 6.0
5V
5.0
5.0 VCE = 5 V
4.0
4.5
3.0
4.0 2.0
3.5 TJ = 25°C TJ = 25°C
1.0
3.0 0
f,
f,
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10


http://onsemi.com
645
MJL21193 MJL21194
1000 1000
TJ = 100°C

TJ = 100°C
25°C 25°C
100 100
-25°C
-25°C
VCE = 20 V VCE = 20 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

1000 1000
TJ = 100°C
TJ = 100°C
25°C 25°C
100 100
-25°C -25°C
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

30 35
1.5 A IB = 2 A
IB = 2 A 30
25
1.5 A
25
20 1A 1A
20
15
0.5 A 15 0.5 A
10
10
5.0 5.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0 5.0 10 15 20 25 0 5.0 10 15 20 25
Fi 7 T i lO t t Ch t i ti Fi 8 T i lO t t Ch t i ti
http://onsemi.com
646
MJL21193 MJL21194
3.0 1.4
1.2 TJ = 25°C
2.5 TJ = 25°C IC/IB = 10

IC/IB = 10
1.0
2.0
0.8 VBE(sat)
1.5 0.6
1.0 VBE(sat) 0.4
0.5 0.2
VCE(sat) VCE(sat)
0 0
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

10 10
TJ = 25°C TJ = 25°C
VCE = 20 V (SOLID)
1.0 1.0 VCE = 5 V (DASHED)
0.1 0.1
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
100

1 SEC
TC = 25°C dissipation than the curves indicate.
0.1 down.
1.0 10 100 1000
http://onsemi.com
647
MJL21193 MJL21194
10000 10000
TC = 25°C
Cib TC = 25°C
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000 1000
Cob
f(test) = 1 MHz) Cob

f(test) = 1 MHz)
100 100
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 14. MJL21193 Typical Capacitance Figure 15. MJL21194 Typical Capacitance
1.2
1.1
T , TOTAL HARMONIC
DISTORTION (%)
1.0
0.9
0.8
HD
0.7
0.6
10 100 1000 10000 100000
FREQUENCY (Hz)
+50 V
AUDIO PRECISION
DISTORTION
ANALYZER
0.5 Ω
0.5 Ω 8.0 Ω
DUT
-50 V
http://onsemi.com
648
ON Semiconductor
PNP
MJL21195 *
The MJL21195 and MJL21196 utilize Perforated Emitter MJL21196 *
technology and are specifically designed for high power audio output, *ON Semiconductor Preferred Device
16 AMPERE
• Total Harmonic Distortion Characterized COMPLEMENTARY
• High DC Current Gain – hFE = 25 Min @ IC = 8 Adc SILICON POWER
• Excellent Gain Linearity TRANSISTORS
250 VOLTS
• High SOA: 2.50 A, 80 V, 1 Second 200 WATTS
MAXIMUM RATINGS
Symbo
Rating l Value Unit
Collector–Emitter Voltage – 1.5 V VCEX 400 Vdc CASE 340G–02
TO–3PBL
Base Current – Continuous IB 5 Adc
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to °C
+150
Sym-
Characteristic bol Max Unit

April, 2001 – Rev. 1 MJL21195/D
MJL21195 MJL21196

OFF CHARACTERISTICS
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
(VCE = 200 Vdc, IB = 0)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 µs, Duty Cycle ≤10%.

OFF CHARACTERISTICS
(VCE = 5 Vdc, IC = 0)
SECOND BREAKDOWN
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) 25 — 100
(IC = 16 Adc, IB = 5 Adc) 8 — —
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc) — — 1.4
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) — — 4
unmatched — 0.8 —
matched — 0.08 —
http://onsemi.com
650
MJL21195 MJL21196

6.5 7.5
F T, CURRENT BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

7.0
6.0 VCE = 10 V
VCE = 10 V 6.5
5.5 6.0
5.0 5.5
5.0 VCE = 5 V
VCE = 5 V
4.5 4.5
4.0 4.0
3.5
3.5 3.0
TJ = 25°C 2.5 TJ = 25°C
3.0
2.0
2.5 1.5
2.0 1.0
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10

http://onsemi.com
651
MJL21195 MJL21196
1000 1000
TJ = 100°C
100 100 TJ = 100°C
25°C 25°C
-25°C -25°C
VCE = 20 V VCE = 20 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

1000 1000
TJ = 100°C
100 100 TJ = 100°C
25°C 25°C
-25°C
-25°C
VCE = 5 V VCE = 5 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

30 30
2.0 A
2.0 A 1.5 A
25 25
1.5 A 1.0 A
20 1.0 A 20
IB = 0.5 A
IB = 0.5 A
15 15
10 10
5.0 5.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0 5.0 10 15 20 25 0 5.0 10 15 20 25
http://onsemi.com
652
MJL21195 MJL21196
3.0
1.4
2.5 TJ = 25°C TJ = 25°C

IC/IB = 10 1.2 IC/IB = 10
2.0 1.0 VBE(sat)
0.8
1.5
VBE(sat) 0.6
1.0
0.4
VCE(sat)
0.5
0.2
VCE(sat)
0 0
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

10 10
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.0 1.0
VCE = 20 V VCE = 20 V
VCE = 5 V VCE = 5 V
0.1 0.1
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
100

10 ms a transistor; average junction temperature and secondary
1 Sec limits of the transistor that must be observed for reliable
50 ms operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
250 ms able depending on conditions. At high case temperatures,
TJ = 25°C thermal limitations will reduce the power than can be handled
0.1 down.
1.0 10 100 1000
http://onsemi.com
653
MJL21195 MJL21196
10000 10000
Cib
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000 1000
Cob
TJ = 25°C TJ = 25°C Cob

100 100
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 14. MJL21195 Typical Capacitance Figure 15. MJL21196 Typical Capacitance
1.2
1.1
T , TOTAL HARMONIC
DISTORTION (%)
1.0
0.9
0.8
HD
0.7
0.6
10 100 1000 10000 100000
FREQUENCY (Hz)
+50 V
AUDIO PRECISION
DISTORTION
ANALYZER
0.5 Ω
0.5 Ω 8.0 Ω
DUT
-50 V
http://onsemi.com
654
ON Semiconductor
NPN
MJL3281A*
Complementary NPN-PNP PNP
Silicon Power Bipolar MJL1302A*
Transistor *ON Semiconductor Preferred Device
The MJL3281A and MJL1302A are PowerBase power transistors 15 AMPERE

COMPLEMENTARY
for high power audio, disk head positioners and other linear
SILICON POWER
applications. TRANSISTORS
• Designed for 100 W Audio Frequency 200 VOLTS
• Gain Complementary: 200 WATTS
Gain Linearity from 100 mA to 7 A
High Gain — 60 to 175
hFE = 45 (Min) @ IC = 8 A
• Low Harmonic Distortion
• High Safe Operation Area — 1 A/100 V @ 1 Second
• High fT — 30 MHz Typical
CASE 340G–02, STYLE 2

TO–264
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)

Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to +150 °C

OFF CHARACTERISTICS
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 200 — —
Emitter–Base Voltage VEBO Vdc
(IE = 100 Adc, IC = 0) 7 — —
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 10%. (continued)

April, 2001 – Rev. 3 MJL3281A/D
MJL3281A MJL1302A

OFF CHARACTERISTICS
(VCB = 200 Vdc, IE = 0) — — 50
(VEB = 5 Vdc, IC = 0) — — 5
(VEB = 7 Vdc, IC = 0) — — 25
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector with Base Forward Biased IS/b Adc
(VCE = 50 Vdc, t = 1 s (non–repetitive) 4 — —
(VCE = 100 Vdc, t = 1 s (non–repetitive) 1 — —
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE
(IC = 100 mAdc, VCE = 5 Vdc) 60 125 175
(IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc) 60 — 175
(IC = 3 Adc, VCE = 5 Vdc) 60 — 175
(IC = 5 Adc, VCE = 5 Vdc) 60 — 175
(IC = 7 Adc, VCE = 5 Vdc) 60 115 175
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) 45 — —
(IC = 15 Adc, VCE = 5 Vdc) 12 35 —
(IC = 10 Adc, IB = 1 Adc) — — 3
Current–Gain — Bandwidth Product fT MHz
(IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, ftest = 1 MHz) — 30 —
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1 MHz) — — 600
PNP MJL1302A NPN MJL3281A

50 60
VCE = 10 V
VCE = 10 V
50
40
5V
5V 40
30
30
20
20
10 TJ = 25°C TJ = 25°C
10
f,
f,
0 0
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
http://onsemi.com
656
MJL3281A MJL1302A

1000 1000
25°C
TJ = 100°C 25°C TJ = 100°C
100 100
-25°C
-25°C
VCE = 20 V
VCE = 20 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

1000 1000
25°C
TJ = 100°C
TJ = 100°C
25°C
100 100
-25°C
-25°C
VCE = 5 V
VCE = 5 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

45 45
1.5 A IB = 2 A
40 IB = 2 A 40
1.5 A
35 35
1A
30 30
1A 0.5 A
25 25
0.5 A
20 20
15 15
10 10
5.0 TJ = 25°C 5.0 TJ = 25°C

0 0
0 5.0 10 15 20 25 0 5.0 10 15 20 25
http://onsemi.com
657
MJL3281A MJL1302A
3.0 2.5
TJ = 25°C
2.5 TJ = 25°C

IC/IB = 10 2.0
IC/IB = 10
2.0
VBE(sat) 1.5
1.5 VBE(sat)
1.0
1.0
0.5
0.5
VCE(sat) VCE(sat)
0 0
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

10 10

TJ = 25°C
TJ = 25°C
VCE = 5 V (DASHED)
VCE = 5 V (DASHED)
1.0 1.0
VCE = 20 V (SOLID) VCE = 20 V (SOLID)
0.1 0.1
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
100

10 ms
10
50 ms operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
1 sec dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 30 is based on TJ(pk) = 200°C; TC is vari-
1.0
250 ms thermal limitations will reduce the power than can be handled
TJ = 25°C to values less than the limitations imposed by second break-
0.1 down.
1.0 10 100 1000
http://onsemi.com
658
MJL3281A MJL1302A
10000 10000
Cib
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000 Cob 1000

Cob
TJ = 25°C TJ = 25°C
100 100
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 31. MJL1302A Typical Capacitance Figure 32. MJL3281A Typical Capacitance
http://onsemi.com
659
ON Semiconductor
NPN
Complementary Silicon Plastic
MJW21192
Power Transistors
PNP
Specifically designed for power audio output, or high power drivers
in audio amplifiers. MJW21191
• DC Current Gain Specified up to 8.0 Amperes at Temperature
• All On Characteristics at Temperature
• High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms
• TO–247AE Package 8.0 AMPERES
POWER TRANSISTORS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
COMPLEMENTARY SILICON
150 VOLTS
125 WATTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJW21191
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol MJW21192 Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak
IC 8.0
16
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C PD 125 Watts 1
Derate above 25C 0.65 W/C 2
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3
Operating and Storage Junction TJ, Tstg –65 to +150 C TO–247
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range CASE 340K
STYLE 3
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MARKING DIAGRAM
C/W
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJW
2119x
LLYWW
1000
1 BASE 3 EMITTER
PNP 2 COLLECTOR
NPN
C, CAPACITANCE (pF)
100 MJW2119x = Device Code

x = 1 or 2
LL = Location Code
Y = Year
WW = Work Week
10
1.0
1.0 10 100 1000
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 1. Typical Capacitance @ 25°C

May, 2001 – Rev. 1 MJW21192/D
MJW21192 MJW21191
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0) 150 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 250 Vdc, IE = 0) — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) — 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
15
5.0
—
—
100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 0.4 Adc) — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 1.6 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on)
—
—
2.0
2.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (2) fT 4.0 — MHz
1.0
DUTY
D = 0.5 CYCLE,
P(pk) D = t1/t2
TRANSIENT THERMAL
0.2
t1
0.1
0.1 t2
0.05
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1.0 10 100 1000
t, TIME (s)
a transistor: average junction temperature and second < 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE Figure 2. At high case temperatures, thermal limitations will
limits of the transistor that must be observed for reliable reduce the power that can be handled to values less than the
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater limitations imposed by second breakdown.
dissipation then the curves indicate.
http://onsemi.com
661
MJW21192 MJW21191
NPN — MJW21192 PNP — MJW21191
100 100
10 ms

10ms
100 ms 100 ms
10 10
250ms 250 ms
1.0 1.0
0.1 0.1
1.0 10 100 1000 1.0 10 100 1000
Figure 3. NPN — MJW21192 Figure 4. PNP — MJW21191

Safe Operating Area Safe Operating Area
1000 1000
50°C
50°C 100°C
100°C
100 100
25°C
25°C
10 10
1.0 1.0
0.01 0.1 1.0 10 100 0.01 0.1 1.0 10 100

VCE = 2.0 V DC Current Gain VCE = 2.0 V DC Current Gain
http://onsemi.com
662
MJW21192 MJW21191
1000 1000
50°C
50°C 100°C
100°C
100 100
25°C
25°C
10 10
1.0 1.0
0.01 0.1 1.0 10 100 0.01 0.1 1.0 10 100
VCE = 5.0 V DC Current Gain VCE = 5.0 V DC Current Gain
1.0 1.0
100°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
25°C
0.1 0.1
100°C
25°C
0.01 0.01
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
VCE(sat) IC/IB = 5.0 VCE(sat) IC/IB = 5.0
1.0 10
100°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
25°C 1.0
0.1
0.1
100°C
25°C
0.01 0.01
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
VCE(sat) IC/IB = 10 SPACE VCE(sat) IC/IB = 10
http://onsemi.com
663
MJW21192 MJW21191
10 10
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 1.0
50°C 50°C
25°C 25°C
100°C 100°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1.0 10 0.001 0.01 0.1 1.0 10
VCE = 2.0 V VBE(on) Curve VCE = 2.0 V VBE(on) Curve
http://onsemi.com
664
MJW21193 (PNP)
MJW21194 (NPN)
Preferred Devices

The MJW21193 and MJW21194 utilize Perforated Emitter
technology and are specifically designed for high power audio output,
http://onsemi.com
• Total Harmonic Distortion Characterized
• High DC Current Gain – 16 AMPERES
hFE = 20 Min @ IC = 8 Adc
• Excellent Gain Linearity COMPLEMENTARY
• High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second SILICON POWER
TRANSISTORS
MAXIMUM RATINGS 250 VOLTS
Rating Symbol Value Unit 200 WATTS
Collector Current – Continuous IC 16 Adc 1
Collector Current – Peak (Note 1.) 30 2
3
Base Current – Continuous IB 5.0 Adc TO–247
CASE 340K
Total Power Dissipation @ TC = 25°C PD 200 Watts STYLE 3
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 65 to °C MARKING DIAGRAM
Characteristic Symbol Max Unit MJW
Thermal Resistance, RθJC 0.7 °C/W 2119x
Junction to Case LLYWW
Thermal Resistance, RθJA 40 °C/W

1 BASE 3 EMITTER
Junction to Ambient
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 s, Duty Cycle ≤ 10%. 2 COLLECTOR
MJW2119x = Device Code

x = 3 or 4
LL = Location Code
Y = Year
WW = Work Week
MJW21193 TO–247 30 Units/Rail


May, 2001 – Rev. 0 MJW21193/D
MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN)

OFF CHARACTERISTICS
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
Collector Cutoff Current ICEO – – 100 µAdc
(VCE = 200 Vdc, IB = 0)
Emitter Cutoff Current IEBO – – 100 µAdc
(VCE = 5 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current ICEX – – 100 µAdc
SECOND BREAKDOWN
(VCE = 50 Vdc, t = 1 s (non–repetitive) 4.0 – –
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) 20 – 60
(IC = 16 Adc, IB = 5 Adc) 8 – –
Base–Emitter On Voltage VBE(on) – – 2.2 Vdc
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc) – – 1.4
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) – – 4
unmatched – 0.8 –
matched – 0.08 –
Current Gain Bandwidth Product fT 4 – – MHz
Output Capacitance Cob – – 500 pF
PNP MJW21193 NPN MJW21194

6.5 8.0
VCE = 10 V
6.0 7.0
10 V
5.5 6.0
5V
5.0
5.0 VCE = 5 V
4.0
4.5
3.0
4.0 2.0
3.5 TJ = 25°C TJ = 25°C
1.0
3.0 0
f,
f,
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10


http://onsemi.com
666
1000 1000
TJ = 100°C

TJ = 100°C
25°C 25°C
100 100
-25°C
-25°C
VCE = 20 V VCE = 20 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

1000 1000
TJ = 100°C
TJ = 100°C
25°C 25°C
100 100
-25°C -25°C
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

30 35
1.5 A IB = 2 A
IB = 2 A 30
25
1.5 A
25
20 1A 1A
20
15
0.5 A 15 0.5 A
10
10
5.0 5.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0 5.0 10 15 20 25 0 5.0 10 15 20 25
http://onsemi.com
667
3.0 1.4
1.2 TJ = 25°C
2.5 TJ = 25°C IC/IB = 10

IC/IB = 10
1.0
2.0
0.8 VBE(sat)
1.5 0.6
1.0 VBE(sat) 0.4
0.5 0.2
VCE(sat) VCE(sat)
0 0
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

10 10
TJ = 25°C TJ = 25°C
VCE = 20 V (SOLID)
1.0 1.0 VCE = 5 V (DASHED)
0.1 0.1
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

100 100
10 mSec 10 mSec
100 mSec 100 mSec
10 10
1 Sec 1 Sec
1.0 1.0
0.1 0.1
1.0 10 100 1000 1.0 10 100 1000
VCE, COLLECTOR EMITTER (VOLTS) VCE, COLLECTOR EMITTER (VOLTS)
Figure 13. Active Region Safe Operating Area Figure 14. Active Region Safe Operating Area
http://onsemi.com
668
There are two limitations on the power handling ability of The data of Figure 13 is based on TJ(pk) = 200°C; TC is
a transistor; average junction temperature and secondary variable depending on conditions. At high case
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE temperatures, thermal limitations will reduce the power than
limits of the transistor that must be observed for reliable can be handled to values less than the limitations imposed by
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater second breakdown.
10000 10000
TC = 25°C
Cib TC = 25°C
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000 1000
Cob
f(test) = 1 MHz) Cob

f(test) = 1 MHz)
100 100
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 15. MJW21193 Typical Capacitance Figure 16. MJW21194 Typical Capacitance
1.2
1.1
T , TOTAL HARMONIC
DISTORTION (%)
1.0
0.9
0.8
HD
0.7
0.6
10 100 1000 10000 100000
FREQUENCY (Hz)
http://onsemi.com
669
+50 V
AUDIO PRECISION
DISTORTION
ANALYZER
0.5 Ω
0.5 Ω 8.0 Ω
DUT
-50 V
http://onsemi.com
670
MJW21195 (PNP)
MJW21196 (NPN)
Preferred Devices

The MJW21195 and MJW21196 utilize Perforated Emitter
technology and are specifically designed for high power audio output,
http://onsemi.com
• Total Harmonic Distortion Characterized
• High DC Current Gain – 16 AMPERES
hFE = 20 Min @ IC = 8 Adc
• Excellent Gain Linearity COMPLEMENTARY
• High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second SILICON POWER
TRANSISTORS
MAXIMUM RATINGS 250 VOLTS
Rating Symbol Value Unit 200 WATTS
Collector Current – Continuous IC 16 Adc 1
Collector Current – Peak (Note 1.) 30 2
3
Base Current – Continuous IB 5.0 Adc TO–247
CASE 340K
Total Power Dissipation @ TC = 25°C PD 200 Watts STYLE 3
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 65 to °C MARKING DIAGRAM
Characteristic Symbol Max Unit MJW
Thermal Resistance, RθJC 0.7 °C/W 2119x
Junction to Case LLYWW
Thermal Resistance, RθJA 40 °C/W

1 BASE 3 EMITTER
Junction to Ambient
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 s, Duty Cycle ≤ 10%. 2 COLLECTOR
MJW2119x = Device Code

x = 5 or 6
LL = Location Code
Y = Year
WW = Work Week


June, 2001 – Rev. 0 MJW21195/D

OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mAdc, IB = 0) VCEO(sus) 250 – – Vdc
Collector Cutoff Current (VCE = 200 Vdc, IB = 0) ICEO – – 100 µAdc

OFF CHARACTERISTICS
Emitter Cutoff Current (VCE = 5 Vdc, IC = 0) IEBO – – 50 µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = 250 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) ICEX – – 50 µAdc
SECOND BREAKDOWN
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) 20 – 80
(IC = 16 Adc, IB = 5 Adc) 8 – –
Base–Emitter On Voltage (IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) VBE(on) – – 2.0 Vdc
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc) – – 1.0
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) – – 3
unmatched – 0.8 –
matched – 0.08 –
Current Gain Bandwidth Product fT 4 – – MHz
Output Capacitance Cob – – 500 pF

6.5 7.5
7.0
6.0 VCE = 10 V
VCE = 10 V 6.5
5.5 6.0
5.0 5.5
5.0 VCE = 5 V
VCE = 5 V
4.5 4.5
4.0 4.0
3.5
3.5 3.0
TJ = 25°C 2.5 TJ = 25°C
3.0
2.0
2.5 1.5
2.0 1.0
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10

http://onsemi.com
672
1000 1000
TJ = 100°C
100 100 TJ = 100°C
25°C 25°C
-25°C -25°C
VCE = 20 V VCE = 20 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

1000 1000
TJ = 100°C
100 100 TJ = 100°C
25°C 25°C
-25°C
-25°C
VCE = 5 V VCE = 5 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

30 30
2.0 A
2.0 A 1.5 A
25 25
1.5 A 1.0 A
20 1.0 A 20
IB = 0.5 A
IB = 0.5 A
15 15
10 10
5.0 5.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0 5.0 10 15 20 25 0 5.0 10 15 20 25
http://onsemi.com
673
3.0
1.4
2.5 TJ = 25°C TJ = 25°C

IC/IB = 10 1.2 IC/IB = 10
2.0 1.0 VBE(sat)
0.8
1.5
VBE(sat) 0.6
1.0
0.4
VCE(sat)
0.5
0.2
VCE(sat)
0 0
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

10 10
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.0 1.0
VCE = 20 V VCE = 20 V
VCE = 5 V VCE = 5 V
0.1 0.1
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
http://onsemi.com
674
There are two limitations on the power handling ability of The data of Figure 13 is based on TJ(pk) = 200°C; TC is
a transistor; average junction temperature and secondary variable depending on conditions. At high case
100 100

10 ms 10 ms
10 100 ms 10 100 ms
1 Sec
1 Sec
1 1
0.1 0.1
1 10 100 1000 1 10 100 1000
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
http://onsemi.com
675
10000 10000
Cib
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000 1000
Cob
TJ = 25°C TJ = 25°C Cob

100 100
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 15. MJW21195 Typical Capacitance Figure 16. MJW21196 Typical Capacitance
1.2
1.1
T , TOTAL HARMONIC
DISTORTION (%)
1.0
0.9
0.8
HD
0.7
0.6
10 100 1000 10000 100000
FREQUENCY (Hz)
+50 V
AUDIO PRECISION
DISTORTION
ANALYZER
0.5 Ω
0.5 Ω 8.0 Ω
DUT
-50 V
http://onsemi.com
676
MJW3281A (NPN)
MJW1302A (PNP)
Preferred Devices
Complementary NPN-PNP
Silicon Power Bipolar
Transistors
http://onsemi.com
The MJW3281A and MJW1302A are PowerBase power
transistors for high power audio, disk head positioners and other linear
applications. 15 AMPERES
• Designed for 100 W Audio Frequency COMPLEMENTARY
• Gain Complementary: SILICON POWER
Gain Linearity from 100 mA to 7 A TRANSISTORS
hFE = 45 (Min) @ IC = 8 A 230 VOLTS
• Low Harmonic Distortion
200 WATTS
• High Safe Operation Area – 1 A/100 V @ 1 Second
• High fT – 30 MHz Typical
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)

Collector–Emitter Voltage VCEO 230 Vdc 1
2
Collector–Base Voltage VCBO 230 Vdc 3 TO–247
CASE 340K
STYLE 3
Collector Current – Continuous IC 15 Adc MARKING DIAGRAM
Collector Current – Peak (Note 1.) 25
Total Power Dissipation @ TC = 25°C PD 200 Watts MJW
Derate Above 25°C 1.43 W/°C xxxxA
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 65 to °C LLYWW
1 BASE 3 EMITTER
Characteristic Symbol Max Unit 2 COLLECTOR
Thermal Resistance, RθJC 0.7 °C/W

Junction to Case MJWxxxxA = Device Code
xxxx = 3281 OR 1302
Thermal Resistance, RθJA 40 °C/W LL = Location Code
Junction to Ambient Y = Year
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 10%. WW = Work Week
MJW3281A TO–247 30 Units/Rail
MJW1302A TO–247 30 Units/Rail


May, 2001 – Rev. 0 MJW3281A/D
MJW3281A (NPN) MJW1302A (PNP)

OFF CHARACTERISTICS
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 230 – –
(VCB = 230 Vdc, IE = 0) – – 50
(VEB = 5 Vdc, IC = 0) – – 5
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector with Base Forward Biased IS/b Adc
(VCE = 50 Vdc, t = 1 s (non–repetitive) 4 – –
(VCE = 100 Vdc, t = 1 s (non–repetitive) 1 – –
ON CHARACTERISTICS
(IC = 100 mAdc, VCE = 5 Vdc) 50 125 200
(IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc) 50 – 200
(IC = 3 Adc, VCE = 5 Vdc) 50 – 200
(IC = 5 Adc, VCE = 5 Vdc) 50 – 200
(IC = 7 Adc, VCE = 5 Vdc) 50 115 200
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) 45 – –
(IC = 15 Adc, VCE = 5 Vdc) 12 35 –
(IC = 10 Adc, IB = 1 Adc) – 0.4 2
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) – – 2
Current–Gain – Bandwidth Product fT MHz
(IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, ftest = 1 MHz) – 30 –
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1 MHz) – – 600
PNP MJW1302A NPN MJW3281A

50 60
VCE = 10 V
VCE = 10 V
50
40
5V
5V 40
30
30
20
20
10 TJ = 25°C TJ = 25°C
10
f,
f,
0 0
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
http://onsemi.com
678
1000 1000
25°C
TJ = 100°C 25°C TJ = 100°C
100 100
-25°C
-25°C
VCE = 20 V
VCE = 20 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

1000 1000
25°C
TJ = 100°C
TJ = 100°C
25°C
100 100
-25°C
-25°C
VCE = 5 V
VCE = 5 V
10 10
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

45 45
1.5 A IB = 2 A
40 IB = 2 A 40
1.5 A
35 35
1A
30 30
1A 0.5 A
25 25
0.5 A
20 20
15 15
10 10
5.0 TJ = 25°C 5.0 TJ = 25°C

0 0
0 5.0 10 15 20 25 0 5.0 10 15 20 25
http://onsemi.com
679
3.0 2.5
TJ = 25°C
2.5 TJ = 25°C

IC/IB = 10 2.0
IC/IB = 10
2.0
VBE(sat) 1.5
1.5 VBE(sat)
1.0
1.0
0.5
0.5
VCE(sat) VCE(sat)
0 0
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

10 10

TJ = 25°C
TJ = 25°C
VCE = 5 V (DASHED)
VCE = 5 V (DASHED)
1.0 1.0
VCE = 20 V (SOLID) VCE = 20 V (SOLID)
0.1 0.1
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100

100 100
10 mSec 10 mSec
10 10
100 mSec 100 mSec
1 Sec 1 Sec
1.0 1.0
0.1 0.1
1.0 10 100 1000 1.0 10 100 1000
VCE, COLLECTOR EMITTER (VOLTS) VCE, COLLECTOR EMITTER (VOLTS)
http://onsemi.com
680
There are two limitations on the power handling ability of The data of Figures 31 and 32 is based on TJ(pk) = 200°C;
a transistor; average junction temperature and secondary TC is variable depending on conditions. At high case
10000 10000
Cib
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000 Cob 1000

Cob
TJ = 25°C TJ = 25°C
100 100
0.1 1.0 10 100 0.1 1.0 10 100
Figure 33. MJW1302A Typical Capacitance Figure 34. MJW3281A Typical Capacitance
http://onsemi.com
681
ON Semiconductor
MMDJ3N03BJT
Plastic Power Transistors ON Semiconductor Preferred Device
SO–8 for Surface Mount Applications

DUAL BIPOLAR
• Collector –Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) POWER TRANSISTOR
= 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc NPN SILICON
30 VOLTS
• High DC Current Gain — 3 AMPERES
hFE= 85 (Min) @ IC = 0.8 Adc
= 60 (Min) @ IC = 3.0 Adc
• Low Collector –Emitter Saturation Voltage —
= 0.45 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Miniature SO–8 Surface Mount Package – Saves Board Space
CASE 751–07, Style 16
E C (SO–8)
B
Emitter-1 1 8 Collector-1
E C
Base-1 2 7 Collector-1
B
Schematic Base-2 4 5 Collector-2
Top View
Pinout
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB ±6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IC 3.0
5.0
Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance – Junction to Ambient on 1″ sq. (645 sq. mm)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector pad on FR–4 board material with one die operating.
RθJA
100
C/W
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance – Junction to Ambient on 0.012″ sq. (7.6 sq. mm)
Collector pad on FR–4 board material with one die operating. 185
ÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C mounted on 1″ sq. (645 sq. mm)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD
1.25 Watts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Maximum Temperature for Soldering TL 260 C

April, 2001 – Rev. 4 MMDJ3N03BJT/D
MMDJ3N03BJT
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc) 30 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 50 Adc, IC = 0 Adc)
ÎÎÎ
VEBO
6.0 — —
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 25 Vdc, RBE = 200 )
ÎÎÎ
(VCE = 25 Vdc, RBE = 200 , TJ = 125°C)
ICER
—
—
—
—
20
200
µAdc
(VBE = 5.0 Vdc)ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO
— — 10
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc)
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
—
—
—
0.105
—
—
0.15
0.18
0.45
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
VBE(sat)
— — 1.25
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on)
— — 1.10
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 85 195 —
(IC = 1.2 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 80 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 60 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz)
Cob
— 85 135
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Input Capacitance Cib pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 8.0 Vdc) — 200 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product(2) fT MHz
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, Ftest = 1.0 MHz) — 72 —
(1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2%.
(2) fT = |hFE| ftest
http://onsemi.com
683
MMDJ3N03BJT
1.00 0.25
VCE(sat), COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)

0.20
0.75
IC = 3.0 A 0.15
IC = 1.2 A
0.50
1.2 A
0.10 0.8 A
0.8 A 0.5 A
0.25
0.05 0.25 A
0.5 A
0.25 A
0 0
1.0 10 100 1000 1.0 10 100 1000
1000 1000
150°C 150°C
HFE, DC CURRENT GAIN
25°C 25°C
100 100
-55°C -55°C
VCE = 1.0 V VCE = 4.0 V
10 10
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
10 1.0
IC/IB = 10
VBE(sat)
1.0
V, VOLTAGE (V)
V, VOLTAGE (V)
VBE(sat)
0.1
0.1 VCE(sat)
VCE(sat)
IC/IB = 50
0.01 0.01
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
http://onsemi.com
684
MMDJ3N03BJT
1.2 1000
-55°C
C, CAPACITANCE (pF)
0.8 100
V, VOLTAGE (V)
25°C
Cob
150°C
0.4 10
VCE = 4.0 V
0 0
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10 100
IC, COLLECTOR CURRENT (A) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 7. VBE(on) Voltage Figure 8. Capacitance
100 10
f t , CURRENT-GAIN BANDWIDTH PRODUCT
0.5 ms

1.0
5.0 ms
100 ms
0.1
VCE = 10 V
ftest = 1.0 MHz 0.01 BONDING WIRE LIMIT
TA = 25°C THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE)
10 0.001
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10 100
IC, COLLECTOR CURRENT (A) VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 9. Current–Gain Bandwidth Product Figure 10. Active Region Safe Operating Area

a transistor: average junction temperature and secondary
PD, POWER DISSIPATION (W)

1.0 pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
TA 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 12. At high case temperatures, thermal limitations
the limitations imposed by secondary breakdown.
0
25 50 75 100 125 15
http://onsemi.com
685
MMDJ3N03BJT
1.0
r (t) , EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED) D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01 P(pk)
0.01 RθJA(t) = r(t) θJA
θJA = 185°C/W
SINGLE PULSE D CURVES APPLY FOR POWER
0.001
READ TIME AT t1 t2
TJ(pk) - TA = P(pk) θJA(t)
0.0001
0.0001 0.001 0.01 0.1 1.0 10 100 1000
t, TIME (seconds)
http://onsemi.com
686
ON Semiconductor
MMDJ3P03BJT
Plastic Power Transistors ON Semiconductor Preferred Device
SO–8 for Surface Mount Applications

DUAL BIPOLAR
• Collector –Emitter Sustaining Voltage — POWER TRANSISTOR
VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc PNP SILICON
30 VOLTS
• High DC Current Gain — 3 AMPERES
hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc
= 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc
= 0.55 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Miniature SO–8 Surface Mount Package – Saves Board Space
E C CASE 751–07, Style 16
(SO–8)
B
E C
B
Schematic Emitter-2 3 6 Collector-2
Top View
Pinout
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB ±6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IC 3.0
5.0
Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance – Junction to Ambient on 1″ sq. (645 sq. mm)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJA
100
C/W
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance – Junction to Ambient on 0.012″ sq. (7.6 sq. mm)
Collector pad on FR–4 board material with one die operating. 185
ÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C mounted on 1″ sq. (645 sq. mm)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD
1.25 Watts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Maximum Temperature for Soldering TL 260 C

April, 2001 – Rev. 4 MMDJ3P03BJT/D
MMDJ3P03BJT
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc) 30 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEBO
6.0 — —
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 25 Vdc, RBE = 200 )
ÎÎÎ
(VCE = 25 Vdc, RBE = 200 , TJ = 125°C)
ICER
—
—
—
—
20
200
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO
— — 10
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc)
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
—
—
—
0.15
—
—
0.21
0.24
0.55
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
VBE(sat)
— — 1.25
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on)
— — 1.10
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 125 260 —
(IC = 1.2 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 110 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 90 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob
— 100 150
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 8.0 Vdc) — 135 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mA, VCE = 10 V, Ftest = 1.0 MHz) — 110 —
http://onsemi.com
688
MMDJ3P03BJT
1.00 0.25

IC = 1.2 A
0.75
IC = 3.0 A 0.8 A
0.50 0.125
0.5 A
1.2 A
0.8 A
0.25
0.25 A
0.5 A
0.25 A
0 0
1.0 10 100 1000 1.0 10 100 1000
1000 1000
150°C
150°C
25°C
25°C
100 100
-55°C
-55°C
VCE = 1.0 V VCE = 4.0 V
10 10
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
10 1.0
IC/IB = 10
VBE(sat)
1.0
V, VOLTAGE (V)
V, VOLTAGE (V)
VBE(sat)
0.1
VCE(sat)
0.1
VCE(sat)
IC/IB = 50
0.01 0.01
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
http://onsemi.com
689
MMDJ3P03BJT
1.2 1000
-55°C
C, CAPACITANCE (pF)
0.8
V, VOLTAGE (V)
25°C
Cob
100
150°C
0.4
VCE = 4.0 V
0 10
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10 100
IC, COLLECTOR CURRENT (A) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 7. VBE(on) Voltage Figure 8. Output Capacitance
1000 10
f t , CURRENT-GAIN BANDWIDTH PRODUCT
VCE = 10 V 0.5 ms
ftest = 1.0 MHz
TA = 25°C IC , COLLECTOR CURRENT (A)
1.0
5.0 ms
100 ms
100 0.1

THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE)
10 0.001
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10 100
IC, COLLECTOR CURRENT (A) VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 9. Current–Gain Bandwidth Product Figure 10. Active Region Safe Operating Area

a transistor: average junction temperature and secondary
PD, POWER DISSIPATION (W)

1.0 pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
TA 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 12. At high case temperatures, thermal limitations
the limitations imposed by secondary breakdown.
0
25 50 75 100 125 150
http://onsemi.com
690
MMDJ3P03BJT
1.0
r (t) , EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
0.01 0.01 RθJA(t) = r(t) θJA
θJA = 185°C/W
SINGLE PULSE D CURVES APPLY FOR POWER
TJ(pk) - TA = P(pk) θJA(t)
0.0001
0.0001 0.001 0.01 0.1 1.0 10 100 1000
t, TIME (seconds)
http://onsemi.com
691
ON Semiconductor
Bipolar Power Transistors MMJT350T1

PNP Silicon
. . . designed for use in line–operated applications such as low 0.5 AMPERE
power, line–operated series pass and switching regulators requiring POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
PNP capability.
300 VOLTS
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage — 2.75 WATTS
VCEO(sus) = 300 Vdc @ IC
= 1.0 mAdc
• Excellent DC Current Gain —
hFE = 30–240 @ IC
= 50 mAdc
C 2,4
CASE 318E–04, Style 1
4
C
B1 E3
Schematic
B C E
1 2 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Top View Pinout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
IC
3.0
0.5
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current — Peak 0.75
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C PD 2.75 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total PD @ TA = 25C mounted on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR–4 bd material 1.40 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total PD @ TA = 25C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR–4 bd 0.65 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
material
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Thermal Resistance – Junction to Case
ÎÎÎÎ
– Junction to Ambient on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR–4 bd material
– Junction to Ambient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR–4 bd
RθJC
RθJA
RθJA
45
85
190
C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
material
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 5 seconds TL 260 C

June, 2001 – Rev. 0 MMJT350T1/D
MMJT350T1
200 1.0
TJ = 150°C
TJ = 25°C
25°C 0.8
100
V, VOLTAGE (VOLTS)
70
-55°C 0.6 VBE @ VCE = 10 V
50
30 0.4 IC/IB = 10
20 VCE = 2.0 V 0.2

VCC = 10 V
VCE(sat)
IC/IB = 5.0
10 0
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
1000 +1.2

700 100µs +0.8 *APPLIES FOR IC/IB < hFE/4 +100°C to +150°C
500 +25°C to +100°C
+0.4
300 dc 0
200 *θVC for VCE(sat)
-0.4 -55°C to +25°C
1.0ms
100 -0.8
500µs +25°C to +150°C
70 -1.2
50 TJ = 150°C
-1.6
30 BONDING WIRE LIMITED θVB for VBE
-2.0
20 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C -55°C to +25°C
SECOND BREAKDOWN LIMITED -2.4
10 -2.8
20 30 50 70 100 200 300 400 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. Active–Region Safe Operating Area Figure 4. Temperature Coefficients
There are two limitations on the power handling ability of 4.0

PD , POWER DISSIPATION (WATTS)

limits of the transistor that must be observed for reliable 3.0
dissipation than the curves indicate. TC
The data of Figure 3 is based on TJ(pk) = 150C; TC is 2.0
150C. At high case temperatures, thermal limitations 1.0
will reduce the power that can be handled to values less than TA
0
25 50 75 100 125 150
http://onsemi.com
693
ON Semiconductor
MMJT9410
Bipolar Power Transistors ON Semiconductor Preferred Device
NPN Silicon
POWER BJT
• Collector –Emitter Sustaining Voltage — IC = 3.0 AMPERES
VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc BVCEO = 30 VOLTS
• High DC Current Gain — VCE(sat) = 0.2 VOLTS
hFE = 85 (Min) @ IC = 0.8 Adc
= 60 (Min) @ IC = 3.0 Adc
= 0.45 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• SOT–223 Surface Mount Packaging C 2,4
CASE 318E–04, Style 1
4
C
B1 E3
Schematic
B C E
1 2 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Top View Pinout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB ± 6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
IC
1.0
3.0
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current — Peak 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C PD 3.0 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total PD @ TA = 25C mounted on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR–4 bd material 1.7 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total PD @ TA = 25C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR–4 bd 0.75
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
material
C
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg –55 to +150
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance – Junction to Case RθJC 42 C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
– Junction to Ambient on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR–4 bd material RθJA 75
– Junction to Ambient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR–4 bd RθJA 165
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
material
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
TL 260 C

April, 2001 – Rev. 3 MMJT9410/D
MMJT9410
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc) 30 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEBO
6.0 — —
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 25 Vdc, RBE = 200 )
ÎÎÎ
(VCE = 25 Vdc, RBE = 200 TJ = 125°C)
ICER
—
—
—
—
20
200
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO
— — 10
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc)
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
—
—
—
0.105
0.150
—
0.150
0.200
0.450
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
VBE(sat)
— — 1.25
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on)
— — 1.10
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 85 200 —
(IC = 1.2 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 80 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 60 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob
— 85 135
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 8.0 Vdc) — 200 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mA, VCE = 10 Vdc, Ftest = 1.0 MHz) — 72 —
http://onsemi.com
695
MMJT9410
1.0 0.25

0.20
0.75
0.15
0.50 1.2 A
IC = 3.0 A
0.10
1.2 A 0.8 A
0.8 A
0.25 0.5 A
0.5 A 0.05
IC = 0.25 A
0.25 A
0 0
1.0 10 100 1000 1.0 10 100 1000
1000 1000
150°C 150°C
25°C 25°C
100 100
-55°C -55°C
VCE = 1.0 V VCE = 4.0 V
10 10
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
10 1.0
IC/IB = 10
VBE(sat)
1.0
V, VOLTAGE (V)
V, VOLTAGE (V)
VBE(sat)
0.1
VCE(sat)
0.1
VCE(sat)
IC/IB = 50
0.01 0.01
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10
http://onsemi.com
696
MMJT9410
1.2 1000
-55°C
CAPACITANCE (pF)
0.8 100
V, VOLTAGE (V)
25°C
Cob
150°C
0.4 10
VCE = 4.0 V
0 1.0
0.1 1.0 10 0.1 1.0 10 100
IC, COLLECTO

Bi-Polar Power Transistor Data Book

Загружено:

Сведения о документе

Исходное описание:

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Bi-Polar Power Transistor Data Book

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

DL111/D

Bipolar Power Transistor Data

PUBLICATION ORDERING INFORMATION

Chapter 1. Selector Guide Chapter 2. Data Sheets

TO-204AA 4.0-30 40-250 115-250

TO-204AE 30–60 60-120 150-300

DPAK 0.5-10 40-450 12.5-20

DPAK 0.5-10 40-450 12.5-20

TO-220AB 0.5-15 60-400 30-125

Isolated 1.0-12 60-450 20-45

TO-225AA 0.3-5.0 25-400 12.5-40

SOT–223 3.0 30 2.0 (Note 1.)

SO–8 3.0 30 2.0 (Note 2.)

TO-264 15-16 200-250 250

D2PAK 5.0–8.0 80–450 50–65

TO–247 8.0–16 150–250 200

TO–218 5.0–10 60–350 125–150

1. Tested on 1″ sq. FR4 Board

Device Type Resistive Switching

Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor preferred devices.

Device Type Resistive Switching

Device Type Resistive Switching

Device Type Resistive Switching

Device Type Resistive Switching

Large Plastic TO-264

Device Type Resistive Switching

Device Type Resistive Switching

Device Type Resistive Switching

Device Type Resistive Switching

Device Type Resistive Switching

Device Type Inductive Switching

Device Type Inductive Switching

Device Type Inductive Switching

SO–8 (Dual Transistors)

Device Type Inductive Switching

*Available in Q2, 2001.

PEAK OUTPUT CURRENT (AMPS)

Recommended Power Transistors for Audio/Servo Loads

MJE15032 MJE15033 TO–220 50 250 50 min 1.0 30 50/1.0 497

25 to 50 W 2N3055A MJ2955A TO–204 120 120 20/70 4.0 3.0 60/2.0 25

MJ15020 MJ15021 TO–204 150 250 30 min 1.0 30 50/3.0 344

ICCont VCEO(sus) VCES IC hFE min Inductive Switching PD (Case)

Plastic (Isolated TO-220 Type)

ICCont VCEO(sus) VCES IC hFE min Inductive Switching PD (Case)

Surface Mount Power Packages – DPAK

ICCont VCEO(sus) VCES IC hFE min Inductive Switching PD (Case)

Surface Mount Power Packages – DPAK

Device Type Inductive Switching

Device Type Inductive Switching

Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type)

ICCont VCEO(sus) VCES IC hFE min Inductive Switching PD (Case)

36. Case 77, Style 3

• Current–Gain — Bandwidth–Product @ IC = 1.0 Adc 15 AMPERE

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001 25 Publication Order Number:

PD(AV), AVERAGE POWER DISSIPATION (W)

Figure 1. Power Derating

*Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)

VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Collector Saturation Region

T CURRENT-GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

Figure 6. Switching Times Test Circuit Figure 7. Turn–On Time

Figure 8. Turn–Off Times Figure 9. Capacitances

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle 10%.