TABLA 5.

1 Resumen de Ecuaciones Importantes del MOSFET

¾ Para dispositivos NMOS:

Región Óhmica (vGS ≥ VT, vDS ≤ vGS - VT)

 b  1 2  b
iD = kn'   (vGS − VT ) 2 − vDS  K = kn'  
 L  2  L
−1
vDS  ' b 
Para pequeño vDS: rDS ≡ = kn (vGS − VT )
iD  L 
Región de Saturación (vGS ≥ VT, vDS ≥ vGS - VT)

1 b
iD = kn'  (vGS − VT ) 2 (1 + λvDS )
2  L

kn' = µ nCox = µ n
ε ox
tx
VT = VT 0 + γ [φ f + | V SB | − 2φ f ]
γ = 2qN Aε s / C ox q = 1,6x10-19 C, εs = 1,04x10-12 F/cm

λ = 1/VA , VA ∝ αL

¾ Para dispositivos PMOS: VT, γ , λ y VA son negativos

Región Óhmica (vGS ≤ VT, y vDS ≥ vGS - VT)

Región de Saturación (vGS ≤ VT, vDS ≤ vGS - VT)

¾ Para dispositivos de agotamiento:

Canal n: VT es negativo
1 b
Canal p: VT es positivo I DSS = k '  VT2
2 L

Modelo para pequeña señal

| VA |
g m = 2k ' (b / L) I D ro =
ID
g m = k ' (b / L)(VGS − VT )
2I D
gm = VGS − VT ≡ Veff
VGS − VT

[
g mb = χg m , χ = γ / 2 2φ f + | VSB | ] C gs =
2
3
bLC ox + bLov C ox C gd = bLov C ox

Csbo Cdbo gm
Csb = Cdb = fT =
|V | |V | 2π (C gs + C gd )
1 + SB 1 + DB
Vo Vo