Вы находитесь на странице: 1из 399

К.В.

Шалимова
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
М.: Энергоатомиздат, 1985. — 392 с., ил.
Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности,
даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки,
изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния
носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф
неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления
в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Второе издание
учебника вышло в 1976 г. Третье издание отличается некоторыми изменениями
главным образом методического характера.
Учебник может быть полезен инженерно-техническим работникам.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие 3
Список основных обозначений 4
Глава первая. Полупроводники. Элементарная теория электропроводности 7
1.1. Классификация веществ по удельной электрической проводимости 7
Полупроводники
1.2. Модельные представления о механизме электропроводности 12
собственных полупроводников
1.3. Модельные представления о механизме электропроводности 18
примесных полупроводников
1.4. Элементарная теория электропроводности полупроводников 20
Глава вторая. Основы зонной теории полупроводников 22
2.1. Уравнение Шредингера для кристалла 22
2.2. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация 24
2.3. Одноэлектронное приближение 25
2.4. Приближение сильно связанных электронов 29
2.5. Число состояний электронов в энергетической зоне 35
2.6. Квазиимпульс 37
2.7. Зоны Бриллюэна 38
2.8. Возможное заполнение электронных состояний валентной зоны 40
2.9. Зависимость энергии электрона от волнового вектора у дна и потолка 42
энергетической зоны
2.10. Движение электронов в кристалле под действием внешнего 45
электрического поля
2.11. Эффективная масса носителей заряда 51
2.12. Циклотронный резонанс 57
2.13. Зонная структура некоторых полупроводников 59
2.14. Метод эффективной массы 64
2.15. Элементарная теория примесных состояний 66
Глава третья. Колебания атомов кристаллической решетки 69
3.1. Одномерные колебания однородной струны 69
3.2. Колебания одноатомной линейной цепочки 70
3.3. Энергия колебаний атомов одномерной решетки. Нормальные 74
координаты
3.4. Колебания двухатомной линейной цепочки 76
3.5. Колебания атомов трехмерной решетки 79
3.6. Статистика фононов 82
3.7. Теплоемкость кристаллической решетки 84
3.8. Термическое расширение и тепловое сопротивление твердого тела 90
Глава четвертая. Статистика электронов и дырок в полупроводниках 92
4.1. Плотность квантовых состояний 92
4.2. Функция распределения Ферми — Дирака 96
4.3. Степень заполнения примесных уровней 98
4.4. Концентрации электронов и дырок в зонах 100
4.5. Примесный полупроводник 103
4.6. Собственный полупроводник 109
4.7. Зависимость уровня Ферми от концентрации примеси и температуры 113
для невырожденного полупроводника
4.8. Зависимость уровня Ферми от температуры для невырожденного 120
полупроводника с частично компенсированной примесью
4.9. Примесные полупроводники при очень низких температурах 124
4.10. Некристаллические полупроводники I. 127
Глава пятая. Рассеяние электронов и дырок в полупроводниках 131
5.1. Механизмы рассеяния электронов и дырок 131
5.2. Кинетическое уравнение Больцмана 133
5.3. Равновесное состояние 139
5.4. Время релаксации 140
5.5. Рассеяние на ионах примеси 143
5.6. Рассеяние на атомах примеси и дислокациях 147
5.7. Рассеяние на тепловых колебаниях решетки 148
Глава шестая. Кинетические явления в полупроводниках 154
6.1. Неравновесная функция распределения 154
6.2. Удельная электрическая проводимость полупроводников 157
6.3. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры 160
6.4. Эффект Холла
6.5. Эффект Холла в полупроводниках с двумя типами носителей заряда 167
6.6. Магниторезистивный эффект 172
6.7. Термоэлектрические явления 177
6.8. Теплопооводность полупроводников 183
6.9. Электропроводность полупроводников в сильном электрическом поле
6.10. Эффект Ганна
6.11. Ударная ионизация
6.12. Туннельный эффект и электростатическая ионизация 197
Глава седьмая. Генерация и рекомбинация электронов и дырок 199
7.1. Равновесные и неравновесные носители заряда 199
7.2. Биполярная оптическая генерация носителей заряда 202
7.3. Монополярная оптическая генерация носителей заряда. 204
Максвелловское время релаксации
7.4. Механизмы рекомбинации 205
7.5. Межзонная излучательная рекомбинация 206
7.6. Межзонная ударная рекомбинация 211
7.7. Рекомбинация носителей заряда через ловушки 213
7.8. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда при 219
рекомбинации через ловушки
7.9. Центры захвата и рекомбинационные ловушки 222
Глава восьмая. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда 224
8.1. Уравнение непрерывности 224
8.2. Диффузионный и дрейфовый токи 226
8.3. Соотношение Эйнштейна
8.4. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда в случае 229
монополярной проводимости
8.5. Диффузия и дрейф неосновных избыточных носителей заряда в 232
примесном полупроводнике
8.6. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда в полупроводнике 236
с проводимостью, близкой к собственной
Глава девятая. Контактные явления в полупроводниках 240
9.1. Полупроводник во внешнем электрическом поле 240
9.2. Термоэлектронная работа выхода 244
9.3. Контакт металл — металл. Контактная разность потенциалов 246
9.4. Контакт металл — полупроводник 248
9.5. Выпрямление тока в контакте металл — полупроводник 253
9.6. Диодная теория выпрямления тока 256
9.7. Диффузионная теория выпрямления тока 258
9.8. Контакт электронного и дырочного полупроводников 260
9.9. Выпрямление тока в p-n переходе 264
9.10. Теория тонкого p-n перехода 266
9.11. n+-n и p+-p переходы 271
9.12. Гетеропереходы 275
9.13. Контакт вырожденных электронного и дырочного полупроводников. 277
Туннельный диод
9.14. Омический переход 281
Глава десятая. Поверхностные явления в полупроводниках 282
10.1. Природа поверхностных уровней 282
10.2. Теория слоя пространственного заряда 285
10.3. Эффект поля 290
10.4. Скорость поверхностной рекомбинации 297
10.5. Влияние поверхностной рекомбинации на время жизни носителей 300
заряда в образцах конечных размеров
Глава одиннадцатая. Поглощение света полупроводниками 302
11.1. Спектр отражения и спектр поглощения 302
11.2. Собственное поглощение при прямых переходах 304
11.3. Собственное поглощение при непрямых переходах 309
11.4. Поглощение сильно легированного и аморфного полупроводников 313
11.5 Влияние внешних воздействий на собственное поглощение 316
полупроводников
11.6. Экситонное поглощение 323
11.7. Поглощение свободными носителями заряда 327
11.8. Примесное поглощение 333
11.9. Решеточное поглощение 334
Глава двенадцатая. Люминесценция полупроводников 336
12.1. Типы люминесценции 336
12.2. Мономолекулярное свечение твердых тел 337
12.3. Рекомбинационное излучение полупроводников при 337
фундаментальных переходах
12.4. Рекомбинационное излучение при переходах между зоной и 341
примесными уровнями
12.5. Релаксация люминесценции полупроводников 345
12.6. Температурное тушение люминесценции полупроводников 346
12.7. Спонтанное и вынужденное излучение атома 347
12.8. Стимулированное излучение твердых тел 352
Глава тринадцатая. Фотоэлектрические явления в полупроводниках 357
13.1. Внутренний фотоэффект 357
13.2. Фотопроводимость 360
13.3. Релаксация фотопроводимости 362
13.4. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и 364
диффузии носителей заряда
13.5. Эффект Дембера 366
13.6. Фотоэлектромагнитный эффект 368
13.7. Фотоэффект в p-n переходе 371
13.8. Фотоэффект на барьере Шоттки 374
13.9. Внешний фотоэффект 375
Приложения:
I. Свойства Ge, Si и GaAs (при 300 К) 378
II. Свойства полупроводников 379
III. Физические константы 382
Предметный указатель 383
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
А Амбиполярная диффузионная
Адиабатическое приближение 24 подвижность 239
Аккумуляция носителей заряда 236 — дрейфовая подвижность 238
Акустические ветви колебаний Ангармонизм колебаний 91
решетки 78 Ангармонический осциллятор 92
Акцептор, определение 18 Антизапорный слой 250
Акцепторный полупроводник 18, 119 Б
Барьер Шотгки 285 — — максвелловское 205
Барьерная емкость 264 — — при рассеянии на ионах
Бимолекулярное рекомбинационное примеси 160
свечение 345 — — — решеточном рассеянии 160
Биолюминесценция 336 Выпрямление на контакте металл —
Биполярная оптическая генерация полупроводник 253
носителей заряда 202 — — p-n переходе 264
В Вырожденный примесный
Вероятность переходов 135 полупроводник 106
— поглощения фонона 209, 306 — собственный полупроводник 112
— рассеяния 135 Г
— релаксации 147 Гармонический осциллятор 76, 81
Вертикальные переходы 305 Генерация носителей заряда 13 ,199
Виды рекомбинации 336 — — — биполярная 202
Влияние давления 317 — — — монополярная 204
— поля магнитного 318 Гетеропереход 275
— — электрического 318 Д
— температуры 316 Демаркационный уровень 223
Внешний фотоэффект 375 Дефекты 142
Внешняя контактная разность — линейные 142
потенциалов 248 — точечные 142
Внутренний фотоэффект 357 Диодная теория выпрямления тока
Внутренняя контактная разность 256
потенциалов 247 Дислокации 142
Водородоподобные центры 66 Диффузионная длина 234
Волновое число 28, 71 — скорость 234
Волновой вектор пакета 48 — теория выпрямления тока 258
— — решетки 72 Диффузионное рассеяние 292
Волновой вектор фонона 83 Диффузионный ток 226
— — электрона 28 Диффузия носителей заряда 224, 229.
Вольт-амперная характеристика Диэлектрическое время релаксации
контакта металл— 205
полупроводник 255, 260 Длина диффузионная 234
— — — p-n перехода 266 — дрейфа 235
Время жизни дырки 208, 217 — затягивания 234
— — мгновенное 204, 212 — свободного пробега носителей
— — неравновесных носителей заряда 14, 142, 147, 152, 153
заряда 203, 208, 212, 218 — — — фонона 210, 306
— — температурная зависимость 219 — экранирования 231, 243
— — фотона 210, 306 Долины 60 Домен 192
— — электрона 208, 212, 217 Донорно-акцепторные пары 344
— — электронно-дырочной пары Донорный полупроводник 19, 114
203, 212, 217 Доноры, определение 19
— релаксации 139, 152, 153 Дрейфовая скорость носителей
заряда 15, 21, 48 Квантовый выход излучения 346
Дрейфовый ток 226 — — фотоионизации 361
Дырки 13, 17 Кинетическая энергия решетки 75
— легкие 62, 63 Кинетическое уравнение Больцмана
— тяжелые 62, 63 133
Е Ковалентные кристаллы 12
Емкость контакта металл— Колебания атомов решетки 69, 70, 76
полупроводник 252 — струны 69
— p-n перехода 264 Компоненты тензора 52
3 Контакт вырожденных электронного
Закон Ома 186 и дырочного полупроводников
— сохранения квазиимпульса 304 277
— — энергии 304 — металл—металл 246
Запорный слой 250 — металл—полупроводник 248
Зона Бриллюэна, первая 39 — электронного и дырочного
— валентная 16 полупроводников 260
— запрещенная 16 Контактная разность потенциалов
— примесной проводимости 124 179, 247, 248, 249
— проводимости 16 Концентрация дырок 102, 104, 107
Зонная структура энтимонида индия — носителей заряда 93, 101
64 — — — вырождения 108
— — арсенидз галлия 60 — — — зависимость от температуры
— — германия 60 111, 118
— — кремния 60 — электронов 101, 104, 107
И Коэффициент амбиполярной
Избыточная концентрация носителей диффузии 238
заряда 201 — диффузии 227
Изгиб зон 241 — захвата 214
Изоэнергетические поверхности 54 — ионизации 214
— — сферические" 55 — отражения 302
— — эллипсоидальные 54, 55 — Пельтье 181
Импульс фотона 209 — поглощения 210
— электрона 50 — пропускания 303
Инверсная заселенность 352 — рекомбинации 200
Инверсный слой 242 — теплового расширения 91
Индукция магнитная 164 — теплопроводности 183
Инжекция 236, 265 — Томсона 181
Интеграл столкновения 137 — Холла 166, 170
Ионизация примесей 116 — экстинкции 328
К Л
Катодолюминесценция 336, Лавинный пробой 270
Квазиимпульс 37 Лазеры 353
Квазиуровень Ферми 201, 253 Ловушки захвата 213, 222
Квантовые генераторы 353 — рекомбинации 213, 222
Люминесценция 336 — тока 20
— гашение 346 — — дырочного 157
— мономолекулярная 337 — — электронного 157
— рекомбинационная 337 p-n переход 260
М — — физический 250
Магнитная проницаемость 328 p+-n переход 271
Максвелловское время релаксации Поверхностная проводимость 290
204 — рекомбинация 297
МДП-структура 293 Поверхностные состояния 296
Н — — быстрые 296
Наклон зон 46, 107 — — медленные 296
Невырожденный примесный — уровни 282
полупроводник 8, 104 — явления 282
Невырожденный собственный Поверхностный потенциал 286
полупроводник 109 Поглощение примесное 304, 333
Некристаллические полупроводники — решеточное 304, 334
Непрямые переходы 309 — света 303
Неравновесная функция — свободными носителями заряда
распределения 133, 154 327
Неравновесные носители заряда 200 — собственное 304, 309
n+-n переход 271 — — при непрямых переходах 309
Нормальные координаты решетки 74 — — — прямых переходах 304
О Подвижность носителей заряда 21,
Область ионизации примеси 117 159, 160
— — сильной 117 — — при эффекте поля 292
— — слабой 116 — Холла 171
Обменный интеграл 32 Показатель поглощения 328
Образование хвостов плотности — преломления 328
состояния 126 — — комплексный 328
Обращенный слой 242 Поле Холла 166
Одноэлектронное приближение 25 Полупроводник 8
Омический контакт 281 — акцепторный 19
Оператор Гамильтона 23 — вырожденный 106, 112
Оптические ветви колебаний — донорный 19
решетки 77 — компенсированный 12
П — — частично 120
Переходы вертикальные 305 — невырожденный 8, 104
— внутризонные 332 — примесный 103
— межзонные 304 — собственный 109
— непрямые 309 — — вырожденный 112
— прямые 304 — — невырожденный 109
Периодический потенциал решетки Поляризуемость 330
31 Постоянная Больцмана 96
Плотность состояний 92 — Планка 23
Потенциальная энергия решетки 75 Рекомбинация безызлучательная 206
Правило отбора 305 — донорно-акцепторных пар 344
Приведенная масса 306 — излучательная 206
Приведенный квазиуровень Ферми — межзонная 211
201 — Оже 206
— уровень Ферми 101 — поверхностная 297
Примесные зоны 126 — при переходе зона—примесь 342
Принцип детального равновесия 137 — ударная 211
— макроскопической обратимости — фононная 206
137 — фотонная 206
— Паули 37 — через ловушки 213
Проводимость 7, 157 Релаксация люминесценции 345
Процессы в p-n переходе при — фотопроводимости 362
обратном смещении 265 С
— — — — — прямом смещении 264 Скорость генерации 225
— генерации 225 — групповая 270
— переноса 134, 141 — звуковая 270
— рассеяния 137 — поверхностной рекомбинации 297
Р — рекомбинации 225
Работа выхода 244, 245, 246 — фазовая 270
— — из акцепторного — фононная 270
полупроводника 246 — фотонная 306
— — — собственного Слой объемного заряда p-n перехода
полупроводника 246 263
— — — электронного Собственная концентрация 110
полупроводника 246 Соотношение Эйнштейна 228
Равновесная концентрация носителей Соударения неупругие 141
заряда 107 — упругие 141
Равновесное состояние 138 Спектр излучения 337
Равновесные носители заряда 9, 199 — отражения 302
Радиолюминесценция 336 — поглощения 303
Разогрев электронно-дырочного газа Спонтанное излучение 347
186 Статистика Бозе—Эйнштейна 83
Рассеяние диффузное 292 — Больцмана 98 * —
— междолинное 190 — Ферми—Дирака 96
— на акустических фононах 151 — фононов 82
— — атомах примеси 147 Степень вырождения 100
— — дислокациях 147 Стимулированное излучение 349, 352
— — ионах примеси 143 Сферические поверхности равной
— — оптических фононах 153 энергии 55
— — тепловых колебаниях решетки Т
48 Температура вырождения 108
— типы 132 — Дебая 87, 88, 89
— угол 144 — насыщения 117
— появления собственной Циклотронная частота 58
проводимости 117 Циклотронный резонанс 57
Теория выпрямления тока 253 Ч
— — — диодная 256 Число состояний 35
— — — диффузионная 258 Ш
Тепловое расширение 90 Ширина запрещенной зоны 16, 112,
— сопротивление 90 306
Теплоемкость 84 — — — зависимость от давления 317
Теплопроводность 183 — — — — — температуры 316
Ток насыщения 255, 258, 269 ЭДС Дембера 367
Толщина объемного заряда 252, 255 — термоэлектродвижущая 177
Триболюминесценция 336 Экситонное излучение 340
Туннельный диод 277 — поглощение 323
— эффект 257 Экситонные комплексы 326
У Экситоны 323
Угол Холла 167 — непрямые 326
Ударная ионизация 186, 194 — прямые 326
— рекомбинация 211 — свободные 325
Уровень Ферми 113, 248 — связанные 326
— — зависимость от температуры Эксклюзия носителей заряда 236
113 Экстракция носителей заряда 236
Уровни глубокие 69 Электролюминесценция 336
— Ландау 321 Электропроводность примесного
— Тамма 282 полупроводника 18
Условие цикличности Борна— — собственного полупроводника 12
Кармана 35 Электростатическая ионизация 186,
Ф 197
Фононы 82 Элементы тензора 52
— акустические 84 Эллипсоидальные поверхности
— оптические 84 равной энергии 54, 93
Фотолюминесценция 336 Энергетическая структура p-n
Фотопроводимость 360 перехода 261
Фотоэлектромагнитный эффект 368 — щель 16
Фотоэффект 371 Энергия активации 106, 111
— внешний 375 — гармонического осциллятора 76
— внутренний 357 — ионизации примеси 67
Функция Блоха 29 — связи экситона 324
— Больцмана 98 — Ферми 96
— Ферми—Дирака 96 — фонона 83
X — электронного сродства 244
Хвосты зон 126 Эффект Ганна 186, 190
Хемилюминесценция 336 — Дембера 370
Холл-фактор 170 Эффект Зеебека 177
Ц — магнетопоглощения 322
— магниторезистивный 172 — — дырки 62
— Пельтье 177 — — — легкой 63
— поля 290 — — — тяжелой 63
— Томсона 177 — — плотности состояний 101, Г02
— фононного увлечения 180 — — поперечная 61
— фотоэлектромагнитный 368 — — продольная 61
— Франца—Келдыша 318 Эффективное сечение захвата 217
— Холла 164, 167 — — проводимости 145
Эффективная масса 51 — — рассеяния 131