Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
наноматериалов
Лекция №1
А.Л.Васильев
1
Методы анализа материалов
AES-Atomic Emission Spectr.
EDS-Electron Dispersive X-ray
XPS-X-ray Photoelectron Sp.
ESCA-Electon Sp. for Chemic.
Analysis
FTIR-Fourier Transform
Infrared Spectr.
XRF-X-ray Fluoresence Sp.
RBS-Rutherford Backscat-
tering Spectr.
TOF-SIMS-Time-of-flight Sec
Ion Mass Spect.
TXRF Total Reflection X-ray
Fluorescence
GC/MS-Gas Chromatography
Mass Spectr.
GDMS-Glow Discharge Mass
Spect.
SPM-Scanning Probe Microsc.
TEM-Transmission Electron
Microscopy
SEM-Scanning Electron
Microscopy
2 21.03.11
Электронная
микроскопия
Изображен CTEM
ие
EELS
Химический
состав
EDXS
Структура
SAED CBED
HREM
3 21.03.11
0.2mm 0.2 µ m 0.2nm
1 meter
Human eye
100mm
10mm
1mm Sewing needle diameter
100µ m Razor blade edge thickness
Light
Microscopy 10µ m Most cells
µm Bacteria
Transmission 100nm
Viruses
Electron 10nm
Microscopy
1nm Macromolecules
0.1nm Atoms
21.03.11 4
Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)
21.03.11 5
1. Какие материалы могут быть исследованы с
помощью ПЭМ.
Традиционно:
• Металлы (сплавы)
• Керамики
• Стекла
• Полимеры
• Полупроводники
• Сверхпроводники
• Композиты
Нанотехнологические материалы:
• 1D
21.03.11 6
Углеродные нанотрубки
Изображение фулеренов в одностенной углеродной трубке.
8
Материалы: CdSe
частицы
10 21.03.11
Материалы: CdTeSe
тетраподы
11 21.03.11
Материалы: CdTe(Se)
тетраподы
12 21.03.11
1. Какие материалы могут быть исследованы с
помощью ПЭМ.
Традиционно:
• Металлы (сплавы)
• Керамики
• Стекла
• Полимеры
• Полупроводники
• Сверхпроводники
• Композиты
Нанотехнологические материалы:
• 1D нанотрубки, наночастицы, квантовые точки
• 2D Тонкие пленки, границы раздела графеновые слои
21.03.11 13
Преимущества Сs corrected в определении
размеров
HAADF STEM
image of
heterostructure
TITAN 80-300
300 kV
14 21.03.11
Исследование гетероструктур на
основе InGaAs-InAlAs-InP
TITAN 80-300
300 kV
Исследование гетероструктур на
основе InGaAs-InAlAs-InP
HAADF STEM
image of
heterostructure
TITAN 80-300
300 kV
Исследование гетероструктур на
основе InGaAs-InAlAs-InP
HAADF STEM
image of
heterostructure
TITAN 80-300
300 kV
17 21.03.11
1. Какие материалы могут быть исследованы с
помощью ПЭМ.
Традиционно:
• Металлы (сплавы)
• Керамики
• Стекла
• Полимеры
• Полупроводники
• Сверхпроводники
• Композиты
Нанотехнологические материалы:
• 1D нанотрубки, наночастицы, квантовые точки
• 2D Тонкие пленки, границы раздела графеновые слои
• 3D
Биообъекты (Life Science): Биоматериалы, гибридные схемы
21.03.11 18
Почему электроны.
Плюсы и минусы
• Wave Behaviour
– images and diffraction
e- patterns
– wavelength can be tuned
• Particle Behaviour
– electron specimen
21.03.11 interactions 19
Исторический экскурс.
21.03.11 23
Data Acquisition in
(S)TEM
• In TEM
SE detector
– TV / CCD camera
BS detector EDX
detector
Specimen
holder
– Energy Filter (EFTEM)
• In STEM
Image
– BF / DF deflection
coils
– HAADF Differential
Magnification
system
pumping aperture
• In STEM and TEM
– EDX
STEM
BF / DF
TV
PEELS /
Imaging Filter
24
Микроскопия и концепция разрешения
21.03.11 25
Microscopy and
Resolution
Rayleigh Criterion:
0.61λ
δ =
n sin α
δ
α Light microscopy:
n=1.5 (oil)
λ =400 nm
object plane α =60°
δ =200 nm
image plane
26
Microscopy and Resolution
• Light Microscopy:
δ ∝λ
– resolution limited by wavelength of
visible light
• Electron Microscopy:
– short wavelength of accelerated
electrons
δ~1.22λ/β
27
Electron Microscopy History
Ernst Abbé states that wavelength of light is
the resolution limiting factor
28
U Relativistic
100kV λ=0.0037 nm
120kV λ=0.0034 nm
200kV λ=0.0025 nm
300kV λ=0.0020 nm
1000 кv λ=0.0009 nm
3000 кv λ=0.0004 nm
21.03.11 29
Электронная
микроскопия
HREM
21.03.11
21.03.11 32
Высоковольтные ПЭМ
Повышение разрешения за счет увеличения
энергии электронов
JEOL ARM 1250 d(Scherzer) =0.12 нм
33
33 21.03.11
Сигналы генерируемые при взаимодействии
пучка электронов с тонким образцом
34
Современные методы электронно-
зондового микроанализа РЭМ+МА
(SEM+EDX)
Secondary Electrons X-rays (atom
specific)
Bremsstrahlung
Backscattered
Electrons
specimen
XHR SEM and
unprecedented surface
Before, low voltage meant low resolution.
sensitivity
The XHR SEM break that barrier and combines:
- very high spatial resolution
- significantly reduced beam penetration
or damage-free imaging exquisitely small surface details.
Monte Carlo simulations of electron scattering in silicon illustrate the effect of beam
energy on interaction volume over two orders of magnitude. Primary electrons are
blue, back-scattered electrons are red.
36
XHR SEM
Magellan XHR SEM
and S/TEM TM
1Å
TEM
Best image resolution
5Å
UHR SEM
SEM
Minutes Hours
From bulk sample to image in
37
Элементный анализ
• Ba – Pb – микрочастиц
Sb phases
Построение карт распределения элементов
– Ba – Pb – Sb elemental maps
Устойчивость покрытия на основе
YSZ+Al+Ti: карты EDX. (Блокирование
расплава песка)
Время набора карты
10-20 мин.
Скорость счета
Appollo (EDAX, США)
~ 106 сек-1 . Набор 2-х
мерной карты < 10 c.
задачи 3-х мерного
распределения
элементов, фазового
анализа. (Безазотный)
40
EFTEM - Elemental
mapping
Green: N
Blue: O
Zero-loss 1 µm C map Red: C
N map O map
200 kV FEG U-Twin
41
Устойчивость покрытия на основе
YSZ+Al+Ti: EDX сканирование по линии.
42
Глубина поля и глубина фокуса
Dim =Dob M2
21.03.11 43
21.03.11 44
Исследование поперечного среза
45
Дифракция.
21.03.11 46
Исследование упорядочения катионов
PbZr0.2 Ti0.8 O3
Plan-view дополнительные
максимумы
в позициях
1/2 h, 1/2k, 0
Cross-section
47
Microstructure of the Powder: TEM Study
EMMM-2007: 9/3-7/2007 49
Ограничения ПЭМ.
1. Образцы
• Очень маленькая часть объекта
Von Heimendahl (1980) reported a calculation by Swann around 1970
estimating that all TEMs, since they first became available commercially
(15 years), had only examined 0.3 mm3 of material! Extending that
calculation to the present time probably increases this volume to no
more than 103 mm 3
21.03.11 50
Ограничения ПЭМ.
3D-2D
21.03.11 51
Радиационные повреждения
21.03.11 52
Приготовление образцов
Thinner is better
Al- 1мкм
Сталь- <300 нм
ВРЭМ < 50 нм
Артефакты при приготовлении
21.03.11 53
21.03.11 54
Use of electrons
Advantages
-e
Low mass Not destructive for specimen
Disadvantages
-e
Low mass Excellent vacuum and
Thin specimen are required
55
Различные виды ПЭМ
21.03.11 56
Различные виды ПЭМ
21.03.11 57
Различные виды ПЭМ
21.03.11 58
Длина волны электронов
21.03.11 59
21.03.11 60
A Microscopy and Analysis-Related Web
Sites
http://www.amc.anl.gov
http://microscopy.com/MicroscopyListserver
http://cimewww.epfl.ch/EMYP/emyp.html
http://cimesg1.epfl.ch/CIOL/ and
http://cimesg1.epfl.ch/CIOL/summary.html
http://iucr.org/resources/commissions
21.03.11 61
Принцип 3-х мерной характеризации
объектов
Точка
совпадения
пучков
62
Q. What is EBSD? A. Electron
Backscatter Diffraction
• EBSD is a scanning electron based
technique
EDS Spectrum
Fe2TiO4
Candidate Phases
Database
EBSD Patterns
The configuration of
the bands in EBSD
patterns are typical for
the different crystal
structures and allow
determination of
• crystal orientation
• phase
α -iron
(Fe, body centered cubic)
quartz
(SiO2, trigonal)
Phase ID
O
Phase ID
68
3D карты (Ag в цеолите)
69
EFTEM - Elemental
mapping
70
Data Acquisition in
(S)TEM
• In TEM
SE detector
– TV / CCD camera
BS detector EDX
detector
Specimen
holder
– Energy Filter (EFTEM)
• In STEM
Image
– BF / DF deflection
coils
– HAADF Differential
Magnification
system
pumping aperture
• In STEM and TEM
– EDX
STEM
BF / DF
TV
PEELS /
Imaging Filter
71
Erbium in SiC
HR-STEM on Titan 80-300 without Cs-corrector
2 nm 500 pm
72
Atomic site location by
channelling enhanced
microanalysis (ALCHEMI)
Ni79 Al15 Cr6
73
C.H. Liebscher et al. / Acta Materialia 56 (2008) 4267–4276
Коррекция аберраций
Max Haider CEOS GmbH Im Neuenheimer Feld 519, D-69 120 Heidelberg
76 21.03.11
Рассеяние электронов и
высокоугловой темнопольный
детектор
77 21.03.11