Chapitre 1 : ELEMENTS DE PHYSIQUE DES

SEMICONDUCTEURS

I- Bandes d’énergie - Notion de semi-conducteur

Pour un atome isolé, on sait que les électrons, gravitant autour du noyau, ne
peuvent prendre que des énergies discrètes bien déterminées correspondant à des
orbites données séparées par des bandes d’énergie interdites.
Dans un solide cristallin, les différentes interactions entre les atomes font que ces
énergies discrètes se regroupent en bandes d’énergie autorisées pour les électrons
séparées par des bandes d’énergie interdite.
A basse température, les électrons d’un solide vont remplir les bandes profondes.
La dernière bande autorisée remplie d’électrons porte le nom de bande de valence, le
maximum d’énergie correspondant à cette bande est désigné par Ev. La bande d’énergie
autorisée immédiatement supérieure est la bande de conduction, le minimum d’énergie
correspondant à cette bande est noté Ec. Entre ces deux bandes, il y a une bande
interdite (ou gap) de hauteur Eg variable suivant les matériaux. Eg = Ec-Ev.
E(eV) Bande de
conduction
Ec

Eg Bande interdite

Ev Bande de
valence

Diagramme de bandes d’énergie

Deux cas peuvent alors se produire : La bande de conduction est ou vide ou

partiellement remplie. Dans le 1ier cas, on n’a pas de conduction électronique (matériau
isolant). Dans le second cas, on a un matériau qui conduit. En effet, pour qu’un matériau
puisse conduire de l’électricité, il faut que les électrons de ce matériau puissent se
déplacer. Or les électrons de bande de valence (qui participent aux liaisons de valence)
ne peuvent se déplacer car cette bande est pleine d’électrons. Donc si la bande de
conduction est vide, nous aurons un matériau isolant, alors que si elle est partiellement
remplie il y aura des électrons et de "la place" pour que ces derniers puissent se
déplacer.
Selon la hauteur de la bande interdite séparant la bande de valence et de
conduction, on peut donc envisager 3 types de matériaux :

1- Conducteurs :
La bande interdite est faible. A la température ambiante (300 K), beaucoup
d’électrons de la BV (bande de valence) ont reçu assez d’énergie (thermique) pour
atteindre la BC (bande de conduction). Ces électrons délocalisés sont appelés électrons
libres et peuvent se déplacer dans le réseau d’un atome à un autre. C’est le cas de
l’étain (Sn) qui à température ambiante est un bon conducteur. Pour ce matériau, la BI
(bande interdite) est de l’ordre de 0,07 eV ( 1 eV ou électron volt = 1,6 10-19J)

2- Isolants :

1
 Comme nous l’avions souligné, la bande de conduction est vide, la bande de
valence est pleine, tous les électrons de la couche de valence participent aux liaisons.
La bande interdite est grande (de l’ordre de 8 eV par exemple, c’est le cas du
carbone sous forme de diamant qui a un gap E g = 5,47 eV) et à la température ambiante
aucun électron de la BV ne peut franchir cette BI pour atteindre la BC. On a à faire à un
isolant.

3- Semiconducteurs :
La distinction entre isolants et semiconducteurs est purement quantitative. Pour
ces derniers, la hauteur de la BI est moyenne (de l’ordre de 1 eV).

A 0°K, la bande de conduction est vide, la bande de valence est pleine car à cette
température les électrons restent attachés à leurs atomes. Le Sc se comporte comme un
isolant.

A température ambiante, quelques électrons de cette BV sont délocalisés vers la

BC. Il pourra donc y avoir conduction électronique dans la BC grâce à l’électron
délocalisé dans cette bande et dans la BV grâce à "la place" laissée vide par l’électron.

Il existe une très grande variété de matériaux semiconducteurs, construits avec

des liaisons covalentes (éléments du groupe IV du tableau de classification périodique).
Le germanium (Ge) (Eg = 0,66 eV) a été le premier semiconducteur utilisé. Depuis, le
silicium (Si) ayant un gap Eg = 1,2 eV est devenu le matériau prédominant (98 % des
composants actuels).

atome tétravalent (Si)

liaison covalente

électrons de valence

Des propriétés semiconductrices existent aussi dans des structures composés

d’un élément du groupe III avec un élément du groupe V, exemple : l’arséniure de
gallium GaAs, le phosphore d'indium InP, etc… ou bien d’un élément du groupe II avec
un élément du groupe V, exemple : CdTe, ZnTe…

Matériau Gap (Eg (eV)) A T = 300k

Dioxyde de silicium (SiO2) 9 isolant
Silicium (Si) 1,12 SC
Germanium (Ge) 0,66 SC
Arséniure de gallium 1,43 SC
(GaAs)
Etain (Sn) 0,07 Conducteur
Plomb (Pb) 0,01 Conducteur

Hauteur de la bande interdites de quelques matériaux

2
II- Propriétés électroniques des semiconducteurs :

1- Porteurs libres :

Nous avons souligné dans le paragraphe précédent que sous l'effet de l'agitation
thermique, un électron de la BV, normalement lié au noyau de l’atome, peut être projeté
dans la BC. Dans cette bande, il est si éloigné de l’attraction du noyau qu’il peut se
déplacer librement. Les e- de la BC sont appelés électrons libres.
En quittant la BV, l’e- laisse derrière lui une place vide sur une liaison de
covalence entre des atomes. L'atome qui a perdu l'un de ses électrons périphériques est
devenu positif. La place vacante est appelée trou. Sous l'effet de l'agitation thermique,
un électron d'une liaison voisine peut passer sur une liaison vide. Par conséquent le trou
se déplace d'atome en atome. C'est pour cela que l'on peut le considérer comme une
particule positive qui se déplace dans le réseau.
Les e- de la BC et les trous de la BV sont des porteurs de charge libres (ou
mobiles), ils participent à la conduction électronique dans le semiconducteur.

2- Occupation des porteurs :

a- Densité d’états d’énergie :
Dans un cristal, on montre que la densité d’états (nombre d’états disponibles à
l’énergie E par unité de volume) est :

D(E) = 0 dans la bande interdite,

(cm-3) dans la BC,

(cm-3) dans la BV,

me et mh sont respectivement les masses effectives des électrons et des trous.

b- Fonction de Fermi :

Sur un niveau d’énergie donné, soit il y a un électron, soit il y a un trou. La

probabilité pour qu’à la température T un électron occupe un niveau d'énergie E
(probabilité d’occupation) est donnée par la fonction de FERMI-DIRAC :

f n(E)= 1
(E −EF )
1+exp
kT

EF est le niveau de FERMI ; k est la constante de BOLTZMANN, k = 1.38 10-23 J.K-1, T

est la température toujours exprimée en degrés Kelvin.

A T0 = 300 k : la température ambiante, kT0 ≈ 4.04 10-21 J. ≈ 0,025 eV, soit kT0/q ≈ 25
mV

3
fn(E) est une probabilité donc : 0 < fn(E) < 1.

fn (E)
T=0
1
T>0

1/2

0 E
EF
Variation de la fonction d’occupation f n (E) pour 2 températures différentes

L’examen de fn(E) montre que :

• A T = 0 K, fn(E) = 1 pour E < EF; fn(E) = 0 pour E > EF. Tous les états d'énergie en
dessous du niveau de FERMI sont occupés, tous les états situés au dessus sont
vides.
• La probabilité pour qu'un état situé à l'énergie E ne soit pas occupé par un
électron est donnée par : fp(E) = 1 - fn(E) ; c’est la probabilité d'avoir un trou à
l'énergie E.

3- Densité des électrons libres dans la BC :

Dans cette bande et dans l’intervalle d’énergie compris entre E et E + dE, le

nombre d’électrons par unité de volume est donné par : dn = 2fn(E)Dn(E)dE.
∞

∫
La densité d’électrons dans la BC est donc : n = dn , n est en cm-3.
Ec
Après intégration, on obtient :
n=N c exp( −Ec −EF )
kT
3/ 2
 
avec N c =2. 2πme2KT  : est la densité équivalente d’états dans la BC, elle
 
 h 
représente en quelque sorte le nombre de places disponibles pour les électrons à
l’énergie Ec.

A partir de la densité des électrons dans la BC, on peut déduire la position du

niveau de Fermi : Ec – EF = KT log(Nc/n).
On peut remarquer que plus la densité des électrons dans la BC augmente, plus
le niveau de Fermi se rapproche de la BC.

4- Densité des trous dans la BV :

De la même manière, on peut démontrer que la densité des trous dans la BV p
(cm-3) est donnée par :

4
 3/ 2
 
avec N v =2. 2πmh2KT  : est la densité équivalente d’états dans la BV, elle
 
 h 
représente en quelque sorte le nombre de places disponibles pour les trous à l’énergie
Ev.
A partir de la densité des trous dans la BV, on peut déduire la position du niveau
de Fermi : EF – Ev = KT log(Nv/p).
On peut remarquer que plus la densité des trous dans la BV augmente, plus le
niveau de Fermi se rapproche de la BV.

5- Loi d’action de masse :

En multipliant la densité des électrons libres par la densité des trous, on obtient :
( kT
) (
n. p =N c exp −Ec −EF ×N v exp −EF −Ev =N c N v .exp −
kT
)  Ec −Ev 
 kT 

(cm-6)

soit n. p =N c N v .exp 
−
Eg 

 kT 
En tenant compte des expressions de Nc et Nv, on peut mettre la loi d’action des

masses sous la forme : n. p =AT 3 exp −
Eg 

 kT 
On constate que le produit de la densité des électrons par la densité des trous, à
l'équilibre thermodynamique, est indépendant de la position du niveau de Fermi. Il est
déterminé par les densités équivalentes d'états de la BC et de la BV (N c et Nv), de la
hauteur de la bande interdite (Eg) et de la température absolue (T).

6- Semiconducteur intrinsèque :
Un semi-conducteur intrinsèque est un semi-conducteur pur ne contenant ni
défaut de structure ni impureté. Dans la réalité, un tel semi-conducteur n’existe pas.
Dans un semi-conducteur intrinsèque, les seuls porteurs de charge mobiles
(électrons ou trous) sont ceux qui proviennent de l’agitation thermique. En effet,
lorsqu’un électron de la BV est excité thermiquement, s’il acquiert une énergie > E g, il
passe dans la BC et laisse un trou dans la BV. A chaque e- de la BC correspond un trou
de la BV. On peut donc écrire :
n = p = ni
En remplaçant n et p par leur expression, on trouve :

EFi =
Ec +Ev kT
2
+ log Nv
2 Nc
( )
EFi est la position du niveau de Fermi dans un semi-conducteur intrinsèque.

Remarques :
• A T = 0, le niveau de Fermi est exactement au milieu de la bande interdite.
Lorsque la température augmente, le niveau de Fermi s’éloigne légèrement du
milieu de la BI.
• D’après la loi d’action de masse, on obtient :

n. p =N c N v .exp 
−
Eg 
 = ni2 ⇒ n i = N c N v .exp 
−
Eg 

 kT   kT 
2

5
 • On retrouve que plus Eg est grand, plus ni est faible et que, plus T est grand, plus
ni est grand. A T = 300k, kT = 25 meV ⇒ ni = 8x109 cm-3 pour le Si, ni = 1013 cm-3
pour le Ge et ni = 107 cm-3 pour le GaAs.
Ces nombres paraissent importants mais il faut les comparer au nombre d’atomes
par cm3. Dans 1 cm3 de silicium, il y a 5x1022 atomes. La proportion d’atomes ayant
8× 10 9
perdu un électron est 5× = 1 12 . Seulement 1 atome sur 6000 milliards
10 22 6× 10
fournit 1 électron et 1 trou.
Il faut aussi comparer avec le nombre d’électrons libres d’un métal qui est de l’ordre
de 1022 cm-3 (un électron par atome).

7- Semiconducteur extrinsèque :
Un semiconducteur extrinsèque est un SC dans lequel on introduit volontairement
des impuretés (atomes autres que ceux du SC). Cette opération, qui s’appelle dopage, a
des conséquences très importantes sur les propriétés électroniques du SC : elle permet
d’augmenter le nombre de porteurs de charges libres et de contrôler ainsi la conductivité
du Sc, elle permet aussi de privilégier un type de conduction par rapport à l’autre.
La diffusion et l'implantation ionique sont les procédés les plus importants de
dopage en technologie des composants semiconducteurs.

A- Semiconducteur de type "N" :

Dans un semi-conducteur de la colonne IV (silicium : Si), on introduit une
impureté de la V colonne (Phosphore : P : atome pentavalent), le cinquième électron se
retrouve avec une énergie de liaison très faible.

A la température ambiante, cet électron est libéré dans le réseau et l'atome

d'impureté qui était neutre devient une charge positive fixe selon la relation (cas du
phosphore) :
P → P+ + 1e- dans la BC
P : atome de phosphore neutre, P+ : phosphore ionisé positif.
Cet atome de la cinquième colonne a engendré un électron libre dans le cristal de
silicium, on l'appelle un atome donneur et sa densité sera notée ND.
Les états électroniques correspondants à ces impuretés sont répartis de façon
discrète dans la bande interdite. Pour une densité de ND atomes donneurs, il existe ND
états dans la bande interdite situés à une énergie voisine de ED

6
 électrons libres

Ec atomes donneurs
+++++++++ ionisés
ED
Eg

Ev
Diagramme de bandes pour un Sc N

a- Densité des électrons libres :

A l'équilibre thermodynamique, la densité des porteurs libres d'un semiconducteur

dopé par ND atomes donneurs (supposés tous ionisés) est déterminée par 2 lois
fondamentales :

- la loi d'action de masse : n p = n i2 (1)

- la neutralité électrique de l'échantillon (la somme algébrique des charges est nulle)

Bilan de charges :
Charges positives :
+qp : p trous libres dans la bande de valence,
+qND : ND atomes donneurs ionisés positivement après avoir libérés 1 e- dans la BC,
charges négatives :
-qn : n électrons libres dans la BC, formés par les électrons libérés par les atomes
donneurs et par les électrons venant de la BV suite à l’agitation thermique.
Donc : nbre de charges positives = nbre de charges négatives ⇒
qp + qND = qn (2)
En associant ces les deux relations (1) et (2) et en ne tenant compte que de la solution
physique (n est toujours positif) on trouve :

(cm-3)
Dans les conditions d’utilisation normales du SC, on a : ND2 >> 4ni2, l’expression de n se
simplifie et on obtient n ≈ ND.

p =ni , soit
2
Par ailleurs, la loi d’action de masse donne la densité de trous :
n
p = ni
2

ND
Le SC est de type N, Les électrons libres sont plus nombreux, ils sont appelés porteurs
majoritaires. Les trous sont appelés porteurs minoritaires.

Remarque :
Le terme ND est indépendant de la température, alors que ni2 évolue très
rapidement. L'évolution de la densité des électrons libres n par rapport à la densité des
impuretés (ND) en fonction de la température montre les caractéristiques suivantes :

7
 1. Pour les très basses températures (régime de gel), les impuretés ne sont
pas toutes ionisées et la densité des électrons augmente très rapidement.
2. Dans une large gamme de températures (régime d'épuisement), la
densité des électrons est égale à la densité des impuretés (ND2 >> 4ni2). C'est le domaine
de fonctionnement "normal" des dispositifs.
3. Pour les températures supérieures, l'agitation thermique engendre plus de
paires électron-trou qu'il y a d'impuretés donneuses (ND2 << 4ni2), c'est le régime
intrinsèque.

b- Position du niveau de Fermi :

Dans un SC de type N, la densité des électrons libres est donnée par :

Ec −EFn 
n =N c exp 
− kT , EFn est la position du niveau de Fermi dans le SC de type
 
N.

En tenant compte de n= ND à température de fonctionnement normal, on obtient :

Ec − EFn =kT log Nc

ND
( )
On peut également exprimer la position du niveau de Fermi en fonction du niveau de
Fermi intrinsèque, en effet :

Ec −EFn   Ec −EFi ×exp −EFi −EFn  =ni exp −EFi −

N D =N c exp 
− kT = N c exp − kT    
     kT   kT

d’où : ( )
EFn −EFi =kT log N D
ni
Dans un SC de type N, plus la concentration des atomes donneurs augmente, plus son
niveau de Fermi se rapproche de la BC.

B- Semiconducteur de type "P" :

Cet atome de la troisième colonne a engendré un porteur positif (trou) dans le

cristal de silicium en capturant un électron d'une liaison de valence, on l'appelle un
atome accepteur et sa densité sera notée NA.
Les états électroniques correspondants à ces impuretés sont répartis de façon
discrète dans la bande interdite. Pour une densité de NA atomes donneurs, il existe NA
états dans la bande interdite situés à une énergie voisine de EA

8
 Ec

Eg

EA atomes accepteurs
-- -- ----- ionisés
Ev
électrons libres

Diagramme de bandes pour un Sc P

a- Densité des trous :

De la même façon que dans un SC de type N, à l'équilibre thermodynamique, la

densité des porteurs libres d'un SC dopé par NA atomes accepteurs (supposés tous
ionisés) est déterminée par 2 lois fondamentales :

- la loi d'action de masse : n p = n i2 (1)

- la neutralité électrique de l'échantillon (la somme algébrique des charges est nulle)

Bilan de charges :

Charges positives :
+qp : p trous libres dans la bande de valence, englobant les trous engendrés par le
dopage et ceux par l’agitation thermique.
charges négatives :
-qNA : NA atomes accepteurs ionisés négativement après avoir capturés 1 e- de la BV,
-qn : n électrons libres dans la BC.
Donc : nbre de charges positives = nbre de charges négatives ⇒
qp = qNA + qn (2)
En associant ces les deux relations (1) et (2) et en ne tenant compte que de la solution
physique (p est toujours positif) on trouve :

(cm-3)
Dans les conditions d’utilisation normales du SC, on a : NA2 >> 4ni2, l’expression de p se
simplifie et on obtient p ≈ NA.
ni2
Par ailleurs, la loi d’action de masse donne la densité de électrons : n= , soit
p

n= ni
2

NA
Le SC est de type P, Les trous sont plus nombreux, ils sont appelés porteurs
majoritaires. Les électrons sont appelés porteurs minoritaires.

b- Position du niveau de Fermi :

9
 Dans un SC de type P, la densité des électrons libres est donnée par :
EFp −Ev 
p =N v exp 
− kT  , EFp est la position du niveau de Fermi dans le SC de
 
type P.

En tenant compte de p= NA à température de fonctionnement normal, on obtient :

EFp −Ev =kT log N v

NA
( )
On peut également exprimer la position du niveau de Fermi en fonction du niveau de
Fermi intrinsèque, en effet :

EFp −Ev = N v exp −EFi −Ev ×exp −EFp −EFi  =ni exp −EFp −
N A =N v exp 
− kT      
   kT   kT   kT

d’où : ( )
EFp −EFi =kT log N A
ni
Dans un SC de type P, plus la concentration des atomes accepteurs augmente, plus son
niveau de Fermi se rapproche de la BV.

III- Phénomènes de transport dans un semiconducteur :

Les propriétés relatives au déplacement des porteurs (électrons ou trous) sous

l'influence de forces appliquées sont appelées phénomènes de transport. Le courant
→
résultant de ce déplacement est dû soit à l’application d’un champ électrique E , soit à
la présence d’un gradient de concentrations de porteurs.

1- Courant de conduction :

A l’équilibre thermique, en l’absence de perturbation extérieure, le mouvement

des porteurs est désordonné : ils vont de collision en collision acquérant et perdant
successivement de l’énergie, mais leur vitesse moyenne dans une direction donnée est
nulle.

→
Si on applique un champ électrique E , les électrons sont soumis à une force
→ →
électrique. Pour un électron, F = −q E . Chaque porteur prend une vitesse moyenne
qui est proportionnelle au champ. On traduit ce phénomène en écrivant :

→ → qτn
vn =−µnE pour les électrons, µn =
me

µp =qτp
→ →
vp =µp E pour les trous,
mp

10
µn et µp sont respectivement les mobilités des électrons et des trous, elles s’expriment en
cm2V-1s-1.

Les densités de courant dues à n électrons ou à p trous s’écrivent :

µE =
σE
→ → → →
jcn =−q
n vn =q
n n n

µE =
σE
→ → → →
jcp =q
p vp =q
p p p

où σ n et σ p sont les conductivités électriques dues aux électrons et aux trous, elles
s’expriment en (Ω -1cm-1).

Le courant de conduction total dans le SC est la somme des courants des électrons
dans la BC et des trous dans la BV :

→ → → →
cj =jcn +jcp =(qn µn +qp µp ) E

→ →
Comme jc =σE , nous pouvons écrire : σ=q(nµn +pµp)

La conductivité σ est l’inverse de la résistivité ρ (Ω cm).

Pour un SC intrinsèque ⇒ n = p = ni, donc : σ i = qni (µ n + µ p)

2- Courant de diffusion :

Si dans un SC les porteurs ne sont pas distribués de façon homogène alors les
porteurs en surplus auront tendance à diffuser vers les régions de faible concentration. Il
en résulte des densités de courant de diffusion des électrons et des trous, qui s’écrivent
(à une dimension) :

Jdn (x) = q Dn dn(x)/dx (A/cm2)

Jdp (x) = - q Dp dp(x)/dx (A/cm2)

A trois dimensions, on a :

et

Dn et Dp sont les constantes de diffusion des électrons et des trous dans le matériau.

Remarque :

Les constantes de diffusion Dn et Dp représentent l’aptitude des porteurs à se

déplacer sous l'effet d'un gradient de la densité des porteurs. Les mobilités µn et µp
reflètent cette aptitude à se déplacer sous l'effet d'un champ électrique.

Ces deux effets ne sont pas indépendants, ils sont reliés par la relation d’Einstein.

11
 Dn =D p =kT
µn µp q

Ces relations sont valables uniquement pour les semi-conducteurs non dégénérés
soumis à des champ électriques faibles.

3- Courant total dans le SC :

Si dans le semi-conducteur, il existe à la fois un champ électrique et des

phénomènes de diffusion, le courant total est donné par la somme du courant de
conduction et celui de diffusion :

→ → → →
j =jcn +jdn =qn µn E +qD n dn
n
dx
→ → → → dp
j =jcp +jdp =qp µp E +qD p
p
dx

12