Вы находитесь на странице: 1из 54

‘

S   
         



 


S
S



6  


{ {{
  


J 
   

¬  ¬ ¬     ¬


  ¬


 


 
  
 


   

      
  
  
!J" #$%&  

 

c
¬ 

 ¬¬    

  ¬¬   ¬    


1.1 Difusión elástica ................................ ................................ ................................ ................ 4
1.2 Difusión inelástica ................................ ................................ ................................ ............. 5
1.3 Emisión de electrones segundarios................................ ................................ ................. 7
1.4 Emisión rayos X ................................ ................................ ................................ .............. 15
1.5 Electrones retrodispersados................................ ................................ ........................... 17
Ô  ¬      Ô
2.1 Cámara de vacio ................................ ................................ ................................ .............. 20
2.2 Columna óptica................................ ................................ ................................ ................ 21
2.3 Dispositivo porta muestras ................................ ................................ ............................ 27
2.4 Detectores ................................ ................................ ................................ ........................ 28
2.5 Pilotaje del SEM por ordenador ................................ ................................ ................... 30
   ¬      
3.1 Montaje de la muestra................................ ................................ ................................ .....33
3.2 Contraste ................................ ................................ ................................ .......................... 34
ë  ¬ ¬   ¬       
     
4.1 Estudios basados en la emisión secundaria ................................ ................................ .36
w ¬       
5.1 Principio................................ ................................ ................................ ............................ 39
5.2 Detección ................................ ................................ ................................ ......................... 40
5.3 Análisis cualitativo ................................ ................................ ................................ ...........42
5.4 Ejemplos de aplicación ................................ ................................ ................................ ...44
5.5 Cartografía elemental X ................................ ................................ ................................ ..49
5.6 Análisis de las orientaciones cristalográficas (electrón back-scatter difraccion) ....50
 ¬ ¬     w
        wë

Ô
 ¬¬ 

El poder de ampliación de un microscopio óptico está limitado por la


longitud de onda de la luz visible, ningún detalle de dimensión superior a 0,2
m puede ser observado. Es así, que la utilización de partículas aceleradas de
longitudes de onda más cortapermite aumentar la ampliación. La elección de
los electrones acelerados para producir la radiación de longitud de onda corta,
está determinada por diversos criterios:

•‘ La masa ligera de estas partículas,que permiten ser aceleradas y


focalizadas por medio de un campo eléctrico o magnético
•‘ Gna fuente de electronesque esfácil de poner en marcha
•‘ Los electrones son más fáciles a focalizar que las partículas pesadas
•‘ La interacción de los electrones con la materia es más débil que para
las partículas pesadas.
La microscopia electrónica de barrido MEB (o SEM
ScanningElectronmicroscope) a través del análisis de señales emitidas durante
la interacción electrón-sólido, puede describir todos los aspectos sólidos de la
topografía, los enlaces químicos, la distancia entre los átomos vecinos
cercanos, las características de la polarización y la relajación dieléctrica.
Inicialmente utilizado por sus funciones para la observación, el MEB fue
desarrollado en combinación con otras técnicas de análisis y ha
encontradomuchas aplicaciones en metalurgia, en el ámbito de los
semiconductores, de la geología y la biología.

Los progresos recientes han abierto amplias perspectivas para su aplicación


MEB en todos los ámbitos de la tecnología que se apliquen aislantes.
La adición a esta unidad de un sistema experto para predecir las leyes de
conducta eléctrica, mecánica, térmica y de irradiación de esta clase de
materiales, orgánicos e inorgánicos, es ahora posible.

‘  ¬¬   ¬  

El resultado de la interacción de los electrones de energía primaria Ep con


la materia da lugar a una distribución de electrones n(E) yendo de la energía
del vacío (cero de las energías cinéticas) a la energía primaria (Figura 1).
Esta distribución se divide en varias áreas de interés incluyen:

]
ÿ‘ La banda elásticaque muestra la retrodispersión sin pérdida de energía
de los electronesprimarios;

ÿ‘ La banda de pérdidas de energía sufridas por los electrones primarios;

ÿ‘ Las bandas debido a la emisión de electrones secundarios y electrones


Auger;

ÿ‘ El fondo continuamente.

A estas emisiones electrónicas se añaden las de los fotones. El conjunto de


estas señales constituyen los elementos útiles en microscopia electrónica de
barrido que está en desarrollo creciente hace más de medio siglo.

I.‘ banda elástica (electrones retro


difundidos) y bandas de perdidas
II.‘ bandas de electrones de Auger
III.‘ bandas debidas a los electrones
segundarios
˜  ˜˜
 ˜
 ˜  ˜ 
 ˜ ˜
  ˜ 

   

˜
˜   ˜ 
 ˜˜‘
‘

‘  !"‘  #$%‘

La dispersión elástica de electrones [10] es afectada por la carga positiva


del núcleo y las cargas negativas de los electrones atómicos. Esta estádescrita
por una sección Ƴ(ƨ) teniendo la dimensión de una superficie. La expresión de
la sección eficazde Rutherford (en m2) es de la forma:

ë
‡ ͳ
ߪሺߠሻ ൌ ൤ ൨ ଶ ସ
ͶɎɂ଴ Ͷ •‹ ሺɅΤʹሻ

Donde e(1,6 x 10-19 C) carga del electrón


E (J) energía del electrón
Z numero atómico
ƥ0(8,854 x 10-12 F.m-1) permisividad del vacío,

Esta forma simplificada de ߪ ሺߠ ሻ no es aplicable a pequeños ángulos pues


ƨ ángulo bajo el cual medimos la sección eficaz de difusión

este no toma en cuenta el potencial nuclear. Introduciendo el apantallamiento


de la carga nuclear por los electrones del átomo, esta se transforma en:

‡ ୣ ͳ
ߪ ሺߠ ሻ ൌ ൬ ൰ቀ ቁ൬ ଶ ൰
ͶɎɂ଴ ԰ ሺԢ ൅ ρଶ ሻଶ

Ԣଶ
Donde ħ (1,0549 x 10-34 J.s) constante reducida de Planck,
(m-1) vector de onda difuso
Me (0,91 x 10-30 kg) masa del electrón en reposo
Ƭ (m-1) parámetro de pantalla

‘  !"‘"  #$%‘

La interacción electrón-materia estádefinida por la teoría que describela


interacción deuna onda electromagnética con un sólido [11].
La primera expresión teórica de la ley de desaceleración de los electrones en
los sólidos se debe a Bethe. Ladifusión inelástica puede ser descrita de una
permisividad compleja ƥdependiendo de la pulsación ƹ y de la transferencia de
momento q. Cuando q = 0, la permisividadse relaciona a las constantes
ópticas, al índice de refracción ƭ y al coeficiente de extinción Ʒ.

í ሺ߱ǡ Ͳሻ ൌ ሺ߭ ൅ ݅߯ሻଶ ൌ í íଶ ˜ 

í ൌ ߥଶ െ ߯ଶ
íଶ ൌ ʹߥ߯
Donde:

La ley de desaceleración está dada por la función de pérdida de energía:


ɂଶ
ሺͳȀɂሻ ൌ 
ɂଶ ൅ ɂଶଶ
(˜ )

w
Los ceros de íሺí ൌ Ͳǡ íଶ ൌ Ͳሻ corresponden a la excitación colectiva de los
electrones de valencia; los máximos de O corresponden a la excitación de
transición de inter bandas.
Bethe expresa la sección eficaz total de ionización de un nivel nl(definido por
los números cuánticos) por:

ʹߨ݁ ସ ܼ௡௟ ܾ௡௟ ‫ܥ‬௡௟ ‫ܧ‬௉


ߪ௡௟ ൌ ݈݊ ൬ ൰
݉௘ ܸ ଶ ‫ܧ‬௡௟ ‫ܧ‬௡௟
(˜ )

Donde: bnl y Cnl coeficientes de Bethe,


Ep energía de los electrones primarios,
V velocidad del electrón
Znl numero de electrones sobre el nivel de energía Enl

Este es mas practico escribir Ƴnl bajo la forma:

ߪ௡௟ ‫ܧ‬௡௟

ൌ ߨ݁ ଶ ܼ௡௟ ܾ௡௟ Žሺ‫ܥ‬௡௟ ܷ௡௟ ሻ Ȁܷ௡௟ (˜ )

Donde ܷ௡௟ ൌ ‫ܧ‬௣ Ȁ‫ܧ‬௡௟


Esta ley está bien comprobada en el dominio de Ͷ ൑ ܷ௡௟ ൑ ʹͷ
La comprobación experimental de la ley de Betheestáilustrada por las figuras 2
y 3 y los parámetros b y cpor los orbitales K y L23 mostrados en la tabla 1. Gn
espectro de pérdidas comprende una serie de bandas que corresponden a:

•‘ La excitación de los plasmones


•‘ La excitación de transición de interbandas;
•‘ La ionización de los niveles de centrales

La emisión segundaria una atención particular porque, a través de los


contrastes de imágenes, permite acceder a un gran número de propiedades del
blanco.
Las dificultades de estudiode la emisión secundaria provienen la importancia
de la superficie de la muestra (rugosidad, limpieza), de los mecanismos
involucrados y la espectroscopia de precisión requerida.
La emisión segundaria es descrita por el rendimiento de emisión Ƥ(relación
entre el número de electrones emitidos con la energía comprendida entre 0 y
50 eV y del número de electronesincidentes) y la distribución espectral n
(E).El fenómeno de emisión secundaria consta de tres etapas: una etapa de
creación, una fase de transporte dentro del sólido y una etapa de emisión
(Figura 5).

è
˜˜˜ 
˜
 
˜  ˜˜ ˜ ˜
˜ ˜  
  ˜ hƭ

I emisión del nivel de Fermi hacia los niveles desocupados


II transporte traduciéndose por una deformación de la distribución que se
transforma en más intensa a bajas energías cinéticas.
III salida dentro del vacio
El punteado sobre la curva III corresponde a la parte de la emisión que ha
sido reflejada por la barrera de superficie.

‘ & !"‘ ‘  $#'(" ‘ "%'( ‘

 
‘ '($$!"‘‘#'%" )('# ‘ ‘  $#'(" ‘ "%'( ‘
‘
Los electrones que emergen de la muestra tienen su origen en diversos
tipos de interacciones inelásticas de los electrones incidentes en el interior del
material, entre los que pueden citarse los siguientes:

)‘ Interacción con los electrones de la banda de conducción


)‘ Interacción con los electrones más ligados al átomo
)‘ Ionización de capas interiores de los átomos
)‘ Destrucción de los plasmones excitados por el haz
§
En el caso particular de los metales, resulta mayoritariamente aceptado que el
proceso que genera la mayor parte de electrones segundarios, corresponde a la
interacción del haz incidente con los electrones débilmente ligados de la banda
de conducción a los que se transfiere una pequeña cantidad de de energía,
típicamente entre 1 y 50 eV.
La teoría más simple ignora la distribución en energía de los electrones
secundarios y reposa en la hipótesis de la separación de los mecanismos de
producción y de emisión

üሺ‫ܧ‬௣ ൌ න ݂ ሺ‫ ݔ‬ሻ݊ሺ‫ݔ‬ǡ ‫ܧ‬௣ ݀‫ݔ‬ሻ (˜ !)

Donde " Probabilidadpara un electrón secundario producido a una


profundidad x de alcanzar la superficie y escapar#
"#" Número promedio de electrones secundarios producidos
por electrones primaria en un espesor ", a
unaprofundidad " en el sólido

La absorción de los electrones durante la pasada por la muestra se escribe "$


݂ ሺ‫ ݔ‬ሻ ൌ ‫݌ݔ݁ܤ‬ሺെ‫ݔ‬Ȁߣሻ‘ (˜ %)‘

Donde B constante (B>1)

ƫ el recorrido libre medio inelástico


Dentro del dominio de las bajas energías, el recorrido libre medio está
representado por una ley de tipo [13]:
‫ܧܥ‬
ߣൌ
ሺ‫ ܧ‬െ ‫ܧ‬ி ሻଶ
(˜ &)

Donde c constante,

EF energía de Fermi
Consideramos que el número de electrones segundarios, producidos dentro de
", es proporcional a la cantidad de energía perdida por electrón primario.

Si ¨E es La pérdida de energía media necesaria para la producción de un


electrón segundario, "# ) está dado por:
Ñ
ͳ ݀‫ܧ‬
݊ሺ‫ݔ‬ǡ ‫݌ܧ‬ሻ ൌ െ
ȟ‫ݔ݀ ܧ‬
(˜ ')

La disipación de energía es más o menos constante y tenemos:


ȟ‫’ ܧ‬
െ ൌ
†š 
(˜ ()

con R distancia total de penetración en el sólido.


Esto conduce a la expresión siguiente de Ƥ:

‫ߣ ݌ܧ‬
ü ሺ‫݌ܧ‬ሻ ൌ ‫ܤ‬ ሾͳ െ ‡š’ሺെ ܴ Τߣ ሻሿ
ȟ‫ܴ ܧ‬
(˜ ))

Gtilizando la relación:

ͳǡͳͷ ൈ ͳͲହ
ܴሺ݊݉ ሻ ൌ ሾ‫݌ܧ‬ሺܸ݇݁ሻሿ Ǥଷହ
(˜ )
ߩሺ݇݃Ǥ ݉ ିଷሻ

Podemos deducir las leyes Ƥ=Ƥ(Ep) ó Ƥ=Ƥ(R). Ƥ(Ep) pasa por n máximo Ƥm a
Epm, tenemos Ƥ=‫ܧ‬௉ି଴ǡଷହ .
La variación de Ƥ/Ƥm en función de Ep/Epm es independiente de B, ¨E y ߩ característico
del material estudiado. La curva reducida Ƥ/Ƥm tiene entonces forma universal descrita por:

ൌ ͳǡͳͳ‫ܧ‬௥ି଴ǡଷହ
ü
(˜ )
ü

Con Er=Ep/Epm.
El máximo de rendimiento segundario es obtenido por:

ܴ ൌ ʹǡ͵ߣ (˜ )

El máximo es alcanzado cuando R es aproximadamente igual a la profundidad


de escapatoria.
Dos relaciones (12) y (14), deducimos:

ü ȟ‫ܧ‬
ൌ ͲǡͶ
‫ܧ‬௣ ‫ܤ‬
(˜ )

Gtilizando los valores experimentales obtenidos para diferentes metales [28]


encontramos:

 ʹ ൈ ͳͲିଷ ܸ݁ ି
ü
‫ܧ‬௣

ȟ‫ܧ‬
ൌ ʹͲͲ‡


 ԑ %%‘ ‘( ‘  $#'(" ‘ "%'( ‘

Para que los electrones segundarios logren %#'%* %'‘ ‘ %‘ ) '$ , la
conservación de la energía y de la componente tangencial de la cantidad de
movimiento permite escribir:

7ଶ ݇௜ଶ Šଶ ଶୣ
െ ሺȰ ൅ ୊ ሻ ൌ ൌ ୱ
ʹ݉௘ ʹୣ
(˜ !)

Con ୱ energía de salida

 ୣ y ୧ vector de onda del electrón antes y después su salida

Ȱ trabajo de salida

El electrón solo puede salir cuando es emitido en un ángulo ƨ inferior a un


ánguloƨcdefinido por:

݇௜ଶ െ ݇௘ଶ
ܿ‫ߠ ݏ݋‬௖ ൌ

ൌ ‫ܧ‬଴ Ȁ‫ܧ‬
݇௜ଶ
(˜ %)

Con ‫ܧ‬଴ ൌ ‫ܧ‬ி ൅ Ȱ

El máximo de la emisión se sitúa a una energía vecina de ȰȀ͵.

c
La refracción de los electrones explica la forma en lóbulo de la distribución de
la emisión. La influencia del ángulo de incidencia varia en 1/cosơ, dondeơ es
el ángulo de entre el haz primario y y la normal a la muestra.
Sobre una muestra monocristalina, Ƥ(Ep) y Ƥ(ơ) presentan anomalías para cada
posición de Bragg. El ancho angular de la anomalía esta dado por:
݀
Kൌ
ߦ௚

Con d distancia interreticular

ߦ௚ distancia de extinción para la reflexión de Bragg considerada

La emisión segundaria es arbitrariamente delimitada por un dominio de


energías comprendidas entre 0 y 50 eV. En realidad, como esto ha sido
demostrado resolviendo la ecuación de transporte de electrones en el sólido,
puede ser representada por una ley simplificada:

݊ሺ‫ ܧ‬ሻ ൌ ‫ି ܧܣ‬௔ ‫ܧ‬௣ି௕ (˜ &)

Esta representa una intensidad superior a la intensidad retrodifundida hasta


energías que alcanzan muchos kiloelectronvoltios cuando Ep>10keV por
ejemplo. El punto de la representación log n(E)=log E, más allá de la cual la
alineación de la emisión ya no es posible, corresponde al dominio donde la
emisión retrodifundida llega a ser más intensa.

  ‘ & !"‘ "%'%‘ ‘( ‘% %(' ‘

Mientras que la producción de los electrones secundarios puede ser


también descrito por la función pérdida de energía (4), las leyes de transporte
y de salida son específicas a los aisladores y estrechamente vinculadas a los
fenómenos de carga eléctrica bajo el efecto del bombardeo por los electrones
incidentes. La descripción de la emisión secundaria de los aisladores
comprende entonces:

Ց En primer lugar, el mecanismo de carga, del cual una de las


consecuencias es el almacenamiento de energía, y los mecanismos de

cc
descarga cuya consecuencia mayor puede ser la ruptura de enlaces
desencadenada en el curso de la relajación dieléctrica;
Ց En segundo lugar, los resultados de simulación de la emisión,
simulación tomando en consideración los elementos físicos esenciales
de las interacciones electrón-aislador, la distribución espacial de las
cargas cogidas en la trampa y el efecto del campo de carga de espacio.
 ë‘  $#(‘ ‘$%'%‘ ‘( ‘% %(' ‘

Los materiales aisladores sometidos a un bombardeo de partículas cargadas


a menudo tienen tendencia a cargarse. Los parámetros macroscópicos que hay
que tomar en consideración son el signo y el flujo de las partículas primarias
que penetran en la muestra, el signo y el flujo de las partículas secundarias
emitidas que salen de la muestra (emisiones secundarias de electrones y de
iones) y la conductividad del material, que, por muy débil que sea, contribuye
a relajar las cargas. Las consecuencias de los efectos de carga son a menudo
muy graves para la explotación de los métodos de análisis. Entre los más
severos, señalaremos:

Ց El desplazamiento de haz primario;


Ց Distensión sobre la superficie de la muestra;
Ց Electro migración de ciertas especies (Na, K, Cl), que se presentan bajo
forma iónica dentro de los vidrios y de los materiales biológicos;
Ց El desplazamiento de los picos característicos en los métodos de
espectrometría de energía de electrones.
 w‘  %‘ ‘%‘ & !"‘  $#'!"$%‘ "%'%‘

Los efectos de carga y descarga complican considerablemente la teoría y


la medida de la emisión segundaria. Estos siendo específicos de los materiales
estudiados, no podrá haber para los aisladores una ley universal para Ƥ(E), a la
diferencia de los metales.

En el plano experimental, no existe aun resultados que tomen en cuenta toda


las precauciones impuestas por los mecanismos de entrampado y
desatrampado. Además de los efectos de retrodifusión, el espesor de la
muestra (por razones electrostáticas) va determinar la repartición de las cargas
y en consecuencia los campos. Es una razón suficiente para que las curvas de
rendimiento sean diferentes sobre un muestra masiva y sobre una lamina fina


(figura 6). Las experiencias deben también ser realizadas dentro de las
condiciones por las cuales:

Ց El rendimiento es constante durante la medida;


Ց La muestra no contenga ninguna carga antes de la medida, carga que
puede provenir de la preparación o de una medida anterior;
Ց Las condiciones de vacio no modifican las condiciones de vacío y en
consecuencia el de las cargas negativas. Efectivamente, por mecanismos
de trasferencia de energía potencial, puede existir intercambio de cargas
entre la superficie y las moléculas del vacío residual;
Ց Las condiciones de estabilidad de la carga de espacio son satisfechas
para evitar los fenómenos de descarga;
Ց Existe una estabilidad estructural del material: bajo el efecto del campo
de la carga de espacio y en relación con el aumento de energía del
aislador cargado, puede producir difusión de impurezas, nucleación de
fases nuevas o transición de fases.

˜ *  
 ˜ 
+, -!.

Las precauciones que deben ser tomadas se vuelven particularmente


importantes cuando nos apartamos (hacia las energías elevadas) de las
condiciones de estabilización de potencial (figura7). La modificación del
potencial de la superficie es atribuida a un efecto óhmico. Los electrones de
energía Ec1<E2<Ec2 punto F producen cargas positivas que aceleran los
electrones incidentes (punto G). Según este esquema, cualquiera que sea E2, el
potencial siempre debería terminar por estabilizarse en Ec2 (punto D). El

c]
recuadro describe la variación de Ƥ en función de E cuando el potencial de
superficie es positivo.
Cuando los electrones incidentes tiene una energía E>Ec2 (punto A), el
potencial de superficie es negativo pues Ƥ deviene inferior a la unidad. El
frenado de los electrones incidentes (desplazamiento hacia el punto C)
siempre debería conducir, para aisladores de resistividad muy elevada, a una
estabilización del potencial (punto D). En todo caso el potencial se debería
estabilizar, cosa que no se ha verificado experimentalmente. En general, el
potencial positivo no puede exceder algunos voltios mientras que el potencial
negativo puede avecinar el potencial de la fuente de electrones y así reflejar
haz.
Sin embargo, este esquema ha tenido un impacto considerable en la
interpretación del desborde de la superficie de los aisladores y, en este
dominio ha sido desde hace 30 años una fuente de controversia.

˜ /"˜ 0˜



  ˜˜ ˜˜  
˜ 0˜ 
 ˜
ߪ ൌ ü ൅ ߟ

La emisión secundaria de los aisladores parece entonces mucho más compleja


a describir y más difícil de medir de lo que suponemos hasta entonces, pero
nada se opone para que resultados fiables vean la luz rápidamente.El estado
actual de los conocimientos de los mecanismos de polarización y de relajación
dieléctrica, así como mecanismos de interacción electrón-aislador, ya nos
permite desarrollar un método de aplicación del SEM a la caracterización de
este tipo de materiales, orgánicos y minerales. El interés del método ha sido
demostrado en varios sectores tecnológicos.


‘ & !"‘'%( ‘‘

Cuando un haz electrónico suficientemente acelerado, incide en la


superficie de un sólido, se produce, entre otros fenómenos, la ionización de
los átomos presentes en el mismo; esto es la perdida de electrones internos.
Cuando una átomo de encuentra en este estado, otro electros de la capa mas
externa salta inmediatamente a la capa deficitaria, y rellena el hueco
producido. Este salto implica la liberación de energía, cuyo valor es igual a la
diferencia entre las energías que tenia cada electrón en su orbital
correspondiente. Dicha energía se manifiesta de dos formas: mediante emisión
de de una radiación electromagnética (rayos X) o por emisión de otro electrón
de un orbital exterior (electrón Auger). La probabilidad que tenga lugar una y
otra emisión está determinada por el rendimiento de fluorescencia.

Si la intensidad de la radiación se representa frente a su longitud de onda (o a


su energía), se obtiene el espectro de rayos X (figura ¿?) como puede
observarse, este espectro está constituido por una serie de picos, designados
indistintamente como líneas, a los que se denomina indistintamente rayos X
característicos, que esta superpuesto a un fondo continuo de menos
intensidad (rayos X continuos). En algunos casos, aparecen además unas
líneas satélites, asociadas a las líneas características.

˜ ! 1 ˜˜ ˜ 


˜ ˜2˜     34 
  ˜ /5
 ˜
 ˜  6˜ "˜# ˜  ˜  ˜
Las transiciones radiativas permitidas están ilustradas en la figura ¿?. Dentro
del formalismo del modelo en capas atómicas, solo ciertas transiciones

cw
electromagnéticas, de tipo dipolar eléctrico, son autorizadas por las reglas de
selección:

ȟ݊ ‫ͳ ؤ‬ǡȟ݈ ൌ േͳ‫ݕ‬ȟ‫ ܬ‬ൌ േͳ×Ͳ


Donde ,
y 7 respectivamente el numero cuántico principal y los números
cuánticos asociados a los momentos angulares orbital y total.

˜ %
Si la ionización del átomo se produce por la expulsión de un electrón de capa
K la emisión resultante se identifica como radiación K, si la ionización se
produce por la expulsión de un electrón L o M, los rayos X resultantes dan
lugar a las líneas L y K, respectivamente. Cada una de las familias, está
integrada por una serie de líneas, puesto que el electrón que ocupa el hueco
dejado por el expulsado, puede proceder de distintos orbitales. Así, si la
ionizaciónse ha producido en la capa K, la vacante puede completar por la
transición de un electrón de la capa L (lo que daría lugar a las líneas Kơ) o de
la capa M (lo que daría lugar a la líneas KƢ). Además, en el caso de las líneas L,
M, etc., el electrón expulsado puede proceder de los distintos orbitales (3 en el
caso de la capa L, 5 en el de la capa M, etc.) existen en cada una de estas
capas.


La nomenclatura para designar las líneas de un espectro de rayos X, emplea la
letra de capa inicialmente ionizada (K, L, M, etc.)para designar series de líneas
o familias. Dentro de cada una de estas, las letras griegas designan series de
líneas de similar longitud de onda, y el numero que figura como subíndice (1,
2, 3, etc.) expresa la intensidad relativa de cada una de las líneas de la misma
seria.
Obviamente, el espectro de rayos X de los distintos elementos es más
complejo a medida que aumenta el número atómico. No obstante, como no se
producen todas las transiciones posibles o son extremadamente infrecuentes,
algunas líneas son tan débiles que son difícilmente observables, en realidad el
espectro característico de cualquier elemento está constituido por un número
relativo de líneas. Las líneas habitualmente utilizadas en microanálisis son Kơ2,
Lơ1 ² Lơ2 (que forman un doblete).
Las energías de las principales líneas son mostrados figura ¿? En función del
número atómico Z del átomo emisor. Para un átomo emisor Z dado, las líneas
las mas energéticas son las líneas K; vienen enseguida las líneas L luego M.

˜ &˜ ˜˜˜ 


˜
˜ 8# 4 2 +   
9 ˜ :
-.

‘  $#'(" ‘' #'( ) ' %( ‘

Dentro de la compleja sucesión de interacciones que los electrones


incidentes tienen en el interior de la muestra, existe una razonable posibilidad
de que alguno de ellos, mediante sucesivas interacciones elásticas, sufra una
grande desviación respecto de la dirección incidente y sean por tanto


éreflejadosµ hacia atrás. Parte de estos electrones serán capaces de alcanzar
nuevamente la superficie de la muestra antes de haber perdido totalmente su
energía y podrán en consecuencia salir al exterior.
Desde el punto de vista de la mecánica cuántica, la identificación del electrón
retrodispersado como un electrón del haz incidente resulta inadecuada, ya que
una vez que se ha producido la interacción entre un electrón incidente resulta
inadecuada, ya que un aves que se ha producido una interacción entre un
electrón incidente y otro de la muestra, no resulta posible la identificación
posterior de los mismos. No obstante, y dado que en la mayor parte de las
interacciones electrón-electrón la transferencia de energía es pequeña, puede
identificarse por convenio como electrón aquel que, tras la interacción queda
con mayor cantidad de energía.

Dada la simplicidad física de la interpretación, y su interés práctico de cara a


explicar el comportamiento de estos electrones, suele admitirse, a pesar de la
limitación indicada en el párrafo anterior, que los electrones retrodispersados
son, o se comportan como si fuera, electrones del haz incidente que vuelven a
salir de la muestra. Estos electrones pueden emerger de con cualquier energía
entre cero y la energía inicial E0.
La figura ¿? Nos muestra un espectro típico de emisión de los electrones por
parte de una muestra que es excitada con un haz incidente de energía E0. En
principio cualquier electrón incidente puede ser, con independencia de su
energía, secundario o retrodispersado.

˜ '  ˜ 


 
   ˜ ˜

De define no obstante por convección como electrón secundario aquel cuya


energía resulta inferior a 50 eV, de manera que todos los electrones cuya

energía este por encima de ese límite serán considerados en la práctica como
retrodispersados, con la única excepción de los correspondientes a unos
pequeños picos de emisión, que aparecen a energías relativamente bajas, y que
reciben el nombre de electrones Auger. Será por tanto en la práctica un
criterio de energía d electrón el que se usara para definir la señal de
retrodispersados. La cantidad de electrones retrodispersados es proporcional
al número de electrones incidentes y definimos como écoeficiente de emisión
de electrones retrodispersadosµ Ƨ a la relación:
݊଴ ݈݁݁ܿ‫݌ݏ݅݀݋ݎݐ݁ݎݏ݁݊݋ݎݐ‬Ǥ ݅݊‫݁ݏ ݀ܽ݀݅ݏ݊݁ݐ‬Ó݈ܽ ‫݌݅݀݋ݎݐ݁ݎ‬Ǥ
ߟൌ ଴ ൌ
݊ ݈݁݁ܿ‫݈݁݀݀ܽ݀݅ݏ݊݁ݐ݊݅ ݏ݁ݐ݊݁݀݅ܿ݊݅ݏ݁݊݋ݎݐ‬7ܽ‫݁ݐ݊݁݀݅ܿ݊݅ݖ‬

La tasa de producción de electrones retrodifundidos Ƨ es poco dependiente de


de la energía de los electrones primarios, esta crece con el numero atómico Z
(figura 13a) y con el ángulo entre el haz incidente y la normal a la muestra. La
distribución angular de los electrones retrodifundidos es vecina de una ley de
cosenos, para una incidencia normal, y se deforma en un bulto alargado para
las incidencias oblicuas (figura 13 b).


˜ (  
 
  
‘ ‘

c
Ô ‘  ¬ ‘ ‘‘

Gn microscopio electrónico de barrido (MEB) comprende una cámara de


vacío, una columna óptica, un conjunto de detectores y un dispositivo porta
muestras (fig. ¿¿¿?).

‘
˜ );˜ 
 
  ˜‘

‘ ¬&%'%‘ ‘*%$(‘

El vacio es un requisito necesario en un MEB para evitar que los


elementos sufran dispersión por choques con las moléculas que habría en el
interior de la columna, y preservar, dentro de los límites razonables, la
contaminación a que se ven sometidas las superficies por fenómenos de
adsorción.

Ô
En muchos microscopios, la presión en la cámarade análisis es del orden de
10-7Pa. Esto el alcanzado después de un entubamiento de la instalación a cerca
de 250ºC durante muchas horas.

‘ ¬(&"%‘!)#$%‘




‘ ¬%+!"‘ ‘  $#'(" ‘

El principio del cañón de electrones es de extraer los electrones de un


material conductor (que es una reserva prácticamente inagotable) hacia el
vacio donde estos son acelerados por un campo eléctrico al potencial deseado.
El haz de electrones así obtenido es tratado por la columna electrónica que
hace de una sonda fina de barrido sobre la muestra.

La emisión de produce ya sea por efecto termoiónico (ley de Dusham-


Richadson), ya sea por efecto de campo (ley de Fowler-Nordhem).
El brillo Ƣ es un orden de grandeza característico del haz definido por:
‫ܬ‬଴
&ൌ
ߨK ଶ
(˜ ')

Donde 7) densidad de corriente a través del cross-over (figura 17)

2ơ ángulo de abertura del haz

˜    0 2 


5
  ˜˜

Ôc
Entre el diámetro de la sonda focalizada y la intensidad máxima de corriente
electrónica i0, existe una relación haciendo intervenir el brillo Ƣy ángulo medio
ángulo de apertura:
Ͷ݅଴
݀௖௘


ߨ ଶ &K ଶ
‘





‘ & !"‘# '&(!"$%,‘%& "#(‘ ‘#" # "(‘‘)"#%‘ ‘
%‘

Los materiales tales como el tungsteno y el hexaboruro de lantano (LaB6)


son utilizados debido función de trabajo muy bajo, es decir de la energía
necesaria para extraer un electrón del cátodo, y a la vez que su emisión es
bastante estable. En realidad, esta energía es proporcionada bajo forma de
energía térmica calentando el cátodo a una temperatura suficientemente
elevada para que una cierta cantidad de electrones adquiera la energía
suficiente para vencer la frontera de potencial que les mantiene dentro del
sólido. En la figura ¿¿ se ilustra el modelo energético para la emisión
termoiónica.
En la práctica, se puedeutilizar un filamento de tungsteno, en forma de
horquilla, que es calentado por efecto Joule, al igual que en una bombil la
eléctrica. El filamento es así elevado a una temperatura por encima de 2200 °
C, por lo general, 2700 ° C.
Los cátodos en el LaB6 deben ser calentados a temperaturas menos elevadas
pero la tecnología de fabricación del cátodo es un poco más complicada
debido a que el LaB6 no puede ser formado en filamento. De hecho, se
engancha una punta de monocristalde LaB6 a un filamento en carbono. El
cristal de hexaboruro de lantano es elevado a cerca de 1500°C para permitir la
emisión de electrones. Este cátodo necesita un vacío más empujado que para
un filamento de tungsteno (del orden de 10-6 en 10-7 tipos de Pascales contra
10-5). Los cátodos hexaboruro de Cerio (CeB6) tienen propiedades muy
próximas

ÔÔ
˜ <˜ 
˜=  
    




ԑ ¬%+!"‘%‘ & !"‘ ‘$%&)(‘

El principio de un cañón a emisión de campo consiste en utilizar un cátodo


metálico en forma de punta muy fina y aplicar una tensión del orden de 2000
sobre 7000 voltios entre la puntay el ánodo. Producimos así, por "efecto de
punta", un campo eléctrico muy intenso, del orden de 107 V.cm-1, a la
extremidad del cátodo. Los electrones son entonces extraídos de la punta por
efecto túnel. Existen dos tipos de cañones a emisión de campo (FEG en
inglés por Field EmissionGun):

•‘ La emisión de campo en frío (CFE en inglés). La punta se queda a


temperatura ambiente.
•‘ La emisión de campo asistida térmicamente(TFE en inglés). La punta
entonces es llevada a una temperatura típica de 1800 °K.
La gran ventaja de los cañones a emisión de campo es una brillantez teórica
que puede ser 100 veces más importante que el del cátodo LaB6. El segundo
tipo de cañón (asistido térmicamente) es cada vez más utilizado, porque para
un sacrificio en brillantez muy pequeñapermite controlarmejor la estabilidad
de la emisión. La corriente disponible es también más elevada. En efecto,
según el constructor Zeiss, con un cañón a emisión de campo frío, la corriente
disponible para la muestra es jamás superior a 1 nA, mientras que con la
asistencia térmica, puede acercar los 100 nA.
Otra diferencia importante entre los cañones a emisión de campo y los
cañones termoiónicos es que la fuente virtual es mucho más pequeña. Esto
Ô]
proviene del hecho de que todas las trayectorias son normales para la
superficie de la punta, que es una esfera de aproximadamente 1 m. Las
trayectorias parecen así provenir de un punto. Así es como se consiguen
brillanteces muy elevadas (109 (cm2 sr) para los cátodos fríos y (108 (cm2 sr)
para los cátodos a emisión de campo calentados. Sobre la muestra, la
brillantez siempre se degrada.
El diámetro muy pequeño de la fuente virtual necesita menos pisos de
reducción, pero un inconveniente es que la fuente, menos reducida es más
sensible a las vibraciones.
‘ & !"# '&(!"$% & !"‘ ‘$%&)(
+˜˜
 > 4˜?% 3@ A@
?

˜ ˜ 105


106
107 108
>˜˜ BA 1700 -2400 1500 1500 ambiente
5 
˜ ˜ 50 000 10 000 100 - 200 20 - 30
>˜˜= 
˜
30 000-100 000 5 000-50 000 15-30 <5
C˜
   D/ 100 -200 50 50 10
˜  0˜ 6˜ 40 -100 200-1 000 >1 000 >1 000
E˜ ˜ 10-2 10-4 10-6 10-8



ԑ "# ‘

En el MEB el conjunto de las lentes tiene como principal objetivo


reducir el diámetro del haz de las 5-50 Ƭm que tiene en el punto de cruce a los
2-20nm que se utiliza en la sonda que barre la muestra. El sistema de lentes
está compuesto por una lente condensadora o conjunto de lentes
condensadoras, y por la lente objetivo.
Las lentes utilizadas son electromagnéticas, de tipo convencional, y se basan
en la interacción de los campos electromagnéticos con carga eléctrica en
movimiento de los electrones del haz.

Gna lente electromagnética (figura???) tiene simetría cilíndrica. Está formada


por un envolvente de hierro dulce denominada pieza polar, abierta en la parte
interior, en la que se aloja una bobina, de modo que en la practica el campo
magnético quede en el interior del cilindro y los extremos de la abertura. Estas
lentes permiten conservar la energía y la velocidad del haz, son únicamente

Ôë
lentes convergentes, imposibilidad de espejo, la trayectoria de los electrones es
helicoidal y se tiene sobre las bobinas el fenómeno histéresis.

˜ <˜  
˜F˜



Ô
‘ '"$)% ‘%- ''%$(" ‘

%‘ - ''%$!"‘ ‘%) '#'%: depende del coeficiente de aberración esférica ܿ௦


de la lente final; la distancia focal disminuye cuando la trayectoria se aleja
del eje óptico. La imagen de un objeto puntual es una mancha (círculo de
menor confusión) la que el diámetro ݀௦ es dado por:

-‘ - ''%$!"‘ $'(&#$%‘ ý ,los electrones de una energía un poco


diferente, por ejemplo superiores de ȟ‫ ܧ‬al valor nominal ȟ‫ ܧ‬, son
focalisados mas lejos de las lentes.

contribuciones tendría entonces un diámetro †ୡ igual a:


La mancha en el plano focal que resultaría en ausencia de otras

Ôw
‘
‘
'%$$!"‘  $#'!"$%,‘ a un electrón de energía E está asociada una
longitud de onda ƫy, con un haz extremadamente fino, obtenemos una
mancha de difracción donde la densidad de los electrones varía en función
del radio  alrededor de la mancha como:

‫ ܬ‬ቀ ቁ
గఈ௥

B ఒ
గఈ௥ ቏

గఈ௥
‫ ܬ‬ቀ ቁfunción de Bessel de ߨK‫ݎ‬Ȁߣ (máximo para ‫ ݎ‬ൌ

Donde
Ͳy nulo para ‫ ݎ‬ൌ ‫ݎ‬଴)

Para la parte principal de la distribución de cero a ‫ݎ‬଴ , el diámetro de la


mancha de difracción es igual a:

$ ‘ - ''%$!"‘  ‘ % #&%# &(,‘ de forma tacita se asume que las lentes


electromagnéticas son perfectamente simétricas, pero no es así, la simetría
en el campo magnético de la lente se deben a heterogeneidades en el
comportamiento magnético de las piezas polares, orificios de estas piezas
con sección transversal ligeramente elíptica, acumulación de carga en los
bordes de estos orificios o en los bordes de estos orificios o en los
diafragmas de apertura. Debido a estas simetrías los electrones que inciden
en la lente según un plano sagital o meridional se focalizan a distancias
diferentes de la lente, formando las líneas focales FS y FM separadas por las

Ôè
distancia ¨FA(figura 2.12). El diámetro del édisco de menor confusiónµ
debido a este efecto viene dado por dA=¨FAơ.
El efecto de astigmatismo axial es análogo al que se obtiene en la óptica
clásica al añadir una lente cilíndrica a una lente esférica. En este caso, se
puede compensar añadiendo otra lente cilíndrica girada 90º respecto a la
distorsión que causa el astigmatismo.
En la óptica electrónica el efecto compensador del astigmatismo se puede
conseguir con un par de lentes cuadripolares situadas cerca de la pieza
polar. Para corregir este astigmatismo tiene que ser de potencia y simetría
variables.

˜ /˜ ˜"˜


‘  )( #*(‘)('#%‘& #'% ‘

Este dispositivo es una pieza clave de la instalación. Se caracteriza por


varios grados de libertad: traslación, rotación, desplazamiento del objeto sobre
el eje óptico de la columna, inclinación del objeto. Lo ideal consiste en poder
inclinar la muestra sin mover su posición sobre el eje óptico. Esto facilita el
examen de la muestra, pero igualmente la realización de su posicionamiento
en el punto focal del analizador de electrones.

Es útil poder calentar o enfriar la muestra. Gn calentamiento hasta 1000-1500


K permite preparar superficies limpias, estudiar in situ fenómenos de difusión,
de segregación, etc.
Cuando estas temperaturas son incompatibles con movimientos mecánicos de
alta precisión, los tratamientos de muestra son efectuados en una cámara de
preparación adjunta.

Ô§
‘  # $#(' ‘

Los electrones emitidos por la muestra alcanzan un multiplicador de


electrones o caen sobre una capa fotosensible (ZnS); los fotones entonces son
guiados, por una guía de luz, hacia un fotomultiplicador.
Las & " ‘ ‘#)(‘  $#'(" ‘ $"%'( son formadas esencialmente
por electrones de bajas energías porque la parte más importante de la emisión
se produce a una energía de algunos eV.Estos electrones secundarios son en
general post-acelerados para aumentar el ángulo sólido de colección. Las
imágenes son obtenidas con intensidades primarias del orden de 10-11 A.
Las imágenes del tipo electrones retrodifundidos son formadas por los
electrones más energéticos de la distribución n(E). El detector puede ser un
fotomultiplicador, ó un detector de semiconductor. Cabe señalar que existen
dispositivos donde la muestra es colocada en el centro del objetivo; los
electrones emitidos son guiados a lo largo del eje óptico por efecto ciclotrón,
antes de ser recolectados por el detector de electrones. En este caso, además
de un alto rendimiento de colección del detector, los electrones emitidos por
las paredes no son recolectados.
El detector Everhart-Thornleyconstade un centellador que emite fotones bajo
el impacto de electrones a alta energía. Estos fotones son recolectados por un
guía de luz y transportados hacia un fotomultiplicador para la detección. El
centellador es llevado a una tensión de varios kilovoltios con el fin de
comunicar la energía a los electrones secundarios detectados, de hecho se
tratade un procedimiento de amplificación. Para que este potencial no
perturbe los electrones incidentes, es necesario disponer de una rejilla. Algo
como una jaula de Faradio una, para blindar el centellador.

Enfuncionamiento normal, la rejilla es polarizada a unos +200 voltios con


relación a la muestra para crear en la superficie de la muestra un campo
eléctrico que basta para drenar los electrones secundarios, pero bastante débil
para no crear aberraciones sobre el haz incidente.

ÔÑ
‘ ‘
a‘ ‘
  
 ˜ ! ˜ > 
 ˜       ˜    ˜ ˜‘
  
a  a a‘a‘250‘vt ‘‘ a
‘a‘a‘ ta ‘(f
 a‘‘a) ‘a‘ 
a‘ata ‘
a‘ at ‘  ‘ ‘  t ‘   a
‘
t
‘ ‘ a‘ ta‘ a‘ ‘

at‘  ‘ a‘ 
a
‘  ‘  t ‘ t‘ ‘  ‘ ‘ a ‘ t
‘
  a‘ ‘ a‘  a‘  ‘ aa
‘ ‘ f t t ‘ 

t
‘  ‘  
t ‘
t  ‘ ‘ f t‘ ‘ 
v ‘

C a‘a‘ 
a‘ ‘a
aa‘ at
va t ‘t 
a t ‘a‘ ‘50‘vt
‘(f
 a‘
‘ )‘ ‘  t t‘  aa‘ ‘  
a‘  ‘ ‘  t ‘   a
‘  a‘
 a‘


a‘ ‘a‘  ‘
f 
‘a‘10‘ ‘‘ t t‘v at  ‘ ‘
 ta‘ t ‘ ‘ ‘ t t‘ ‘  t ‘ t
f 
‘

c c‘   $( ‘ ‘ (‘ ‘

S‘t
‘ ‘ t t ‘  ‘ ‘ t

a ‘

)‘   $( ‘) 
(‘ ‘( ‘ ‘ (  ‘ t ‘  a‘ 
t ‘
aa
a‘ ‘ 
‘ X‘
t
‘ ‘ a‘ ta‘ !a‘ t

a
‘  ‘ ‘ ta‘

a‘aa‘a‘ t 
‘X‘ta‘a‘ 
‘(a ‘+‘ ta)‘
‘ 
t ‘ ‘  ‘ ‘

 ‘ ‘ tava‘
)‘   $( ‘  ‘) 
(‘ ‘  ‘ t ‘ t t‘  ‘ ‘  a‘
a‘ tava‘!‘ft ‘‘a
‘‘ f t‘ft t
‘ ‘
‘  t‘ f ‘  ‘ 


‘ ‘ " ‘ 
‘  ‘ a ‘  t 
‘ aa‘va ‘

,
௚
‘ (î ˜   ()‘
S ‘  ‘  a‘ ‘ft ‘‘
 a‘

‘ ‘ ௚ ‘ 
t ‘ ‘aa‘ ‘  a‘

a‘(=38 ‘a‘77‘#)‘

Ô
Las cargas son colectadas por aplicación de un campo suficientemente débil
por su contribución a la creación de pares sea insignificante (minimización de
corriente de fuga).

El preamplificador transforma la variación de capacidad ‫ܥ‬௙ del detector en


una variación de tensión:
‫ܧ‬଴ ݁
ܸൌ
‫ܧ‬ଶ ‫ܥ‬௙
(˜ ))

V es de algunas centenas de microvoltios.Tan pronto como la suma de estas

limite, desencadenamos la descarga de ‫ܥ‬௙ .


variaciones correspondiente a la llegada de fotones sucesivos alcanza un valor

La señal es ampliada luego derivada dos veces; obtenemos trenes de impulsos


de forma semi-gaussiana. La altura de los impulsos es proporcional a la
energía del fotón incidente.

‘ (#%. ‘ ‘‘)('‘(' "%('‘

El pilotaje se hace a tres niveles: arreglo de columna, control de los


accesorios y de la porta-muestra, el proceso de datos.

ú‘ El )(#%. ‘  ‘ %‘ $(&"% es de un interés mayor en particular en la


caracterización de los aisladores ya que la experiencia consiste en pasar de
tensiones elevadas de aceleración (30 kV) a tensiones muy bajas(100 V) sin
perturbación de la alineación óptica. Esta operación necesita poner en
memoria todas las condiciones de arreglo de las diferentes lentes.
ú‘ El )(#%. ‘  ‘ ( ‘ %$$ ('( es particularmente importante para el
control del tiempo de implantación, el cual puede variar, según las
necesidades, del microsegundo (o menos) a varios segundos. Control de
temperatura, calibración de los detectores de electrones secundarios y
retrodifundidos, son también unas funciones necesarias para la
caracterización de los aisladores.
ú‘ Aparte de los softwares de análisis X, ‘#'%#%& "#(‘ ‘%#( se limitaba
hasta ahora al análisis de imagen. La puesta a punto de una técnica
cuantitativa de caracterización de los aisladores permite contemplar la
próxima incorporación en el MEB de un "sistema experto" cuyas
]
funciones serán, a partir de criterios de selección de los materiales, predecir
su probabilidad de averías en curso de explotación, es decir cuando están
colocados en un conjunto de limitaciones dadas.

ë
‘ ¬("$(" ‘!)#&% ‘ ‘#'%-%.(‘

A la hora de utilizar el microscopio electrónico de barrido, tenemos al


menos estas tres variables de trabajo:

•‘ Tensión de aceleración.
•‘ Intensidad del haz.
•‘ Distancia de trabajo

Eligiendo de manera adecuada los valores de de esta variables, conseguiremos


extraer de la imagen la mayor cantidad de información.
No pueden indicarse reglas estrictas al respecto, puesto que las condiciones
idóneas de trabajo dependen de diversas variables, entre las cuales merecen
citarse especialmente el tipo de muestra a examinar (su composición y
capacidad de generar contraste), y el nivel de aumento al que precisamos
trabajar.Procederemos no obstante en líneas generales de actuación de cara a
obtener a obtener una adecuada imagen de electrones secundarios.


ë

‘  #%"$% ‘ ‘#'%-%.(‘

La distancia entre la superficie de la muestra y la pieza polar de la lente


objetivo influye en la resolución y la profundidad del campo (figura ¿??).

˜ %˜˜  ˜ ˜ # GH˜ GI ˜˜  0 J ˜ 2



5
  0˜ 
6˜  


]c
Gna gran distancia de trabajo proporciona una excelente profundidad de
campo, lo que resulta necesario para la observación de muestras de gran
relieve, pero el tamaño del haz incidente aumenta considerablemente y, por
tanto, no se podrá realizar la observación a elevados aumentos (figura ¿?? a).

˜ &˜˜  ˜ ˜  G# ˜ ˜#   <=


Por el contrario, una distancia de trabajo pequeño favorece la obtención de
menores tamaños de haz y permite tener una mayor resolución en la imagen.
Como contrapartida, la profundidad de campo disminuye de forma drástica,
de manera que no puede enfocarse uniformemente una muestra con fuerte
relieve (figura ¿?? b).


ë
ԑ  " !"‘ ‘%$  '%$!"‘

La tensión de aceleración aplicada al haz de electrónico, que fija, en


definitiva, la energía de los electrones incidentes, tiene una notable influencia
sobra la calidad final de la imagen.

Para alcanzar la máxima resolución posible en el microscopio se deberá usar


en principio una elevada tensión, ya que conlleva una un menos tamaño del
haz sobre la muestra. Ello resulta especialmente claro en ciertos tipos de
muestras, como por ejemplo las biológicas metalizadas superficialmente, pero


no es tan evidente en otros muchos casos. Téngase en cuenta que una tensión
de aceleración elevada se traduce en los siguientes efectos.

ÿ‘ Disminución del tamaño del haz,


ÿ‘ Disminución de la emisión secundaria,
ÿ‘ Aumento de la profundidad de penetración del haz.
ÿ‘ Aumento de la influencia de la zona subsuperficial de la muestra sobre la
señal emitida.

A la vista de esta relación, queda claro que una tensión de aceleración elevada
conlleva simultáneamente ventajas e inconvenientes, cuya importancia relativa
va ha depender de la muestra examinada.
La principal ventaja de usar una tensión elevada consiste en la disminución del
tamaño del haz

 ‘  ‘¬  ‘‘‘‘

‘ ("#%. ‘ ‘%‘& #'%‘

Las prácticas corrientes del SEM consisten:

ÿ‘ metalizar los aislantes para evitar efectos de carga


ÿ‘ fijar la muestra con algún tipo de adhesivo sobre el portamuestras, para
asegurar un buen contacto eléctrico a tierra y evitar desplazamientos de la
imagen que puedan perturbar tanto la obtención de micrografías como la
realización de microanálisis.

Estas prácticas presentan varios inconvenientes para observaciones de alta


resolución:

ÿ‘ Las cargas implantadas bajo las capas metalizadas son una causa de
pérdida de resolución y una causa de daños de irradiación;
ÿ‘ Las colas conductoras y las metalizaciones son unas fuentes de
contaminación que se traducen en general por una pérdida de
resolución espacial y por una disminución de la brillantez de la imagen.
Esta disminución de brillantez es ya sea permanente sobre las muestras
metálicas o los semiconductores, o ya sea pasajera sobre aisladores
observados a baja tensión.

]]
Con metales es recomendable someter la muestra aunaerosión en argón por
ejemplo, luego engastarlo entre mandíbulas metálicas. La erosión tiene por
resultado de corroer las capas superficiales de contaminación (10 nm), lo que
reduce de modo notable el ennegrecimiento de la zona observada.
El ennegrecimiento permanente de los metales y los semiconductores es el
resultado de daños de irradiación que pueden tener orígenes diversos:
expulsión o adsorción estimulada por electrones.
El ennegrecimiento no permanente de los aisladores observados a baja tensión
(1-3 kV) es debido a una acumulación de cargas positivas en la superficie,
cargas que son trasladadas a las moléculas del vacío residual cuando la
observación está detenida. Ninguna aplicación había sido encontrada hasta
entonces en estas variaciones de brillantez que eran sentidascomo una
molestia. El análisis sistemático de su origen representó una aportación
considerable para la caracterización de los aisladores.

‘ ¬("#'% # ‘

Llamamos contraste C a la variación relativa de la señal vídeo entre dos


puntos vecinos de la imagen [23]; si S1 designa la amplitud de la señal en un
punto y S2 la amplitud en un punto vecino, tenemos:

ȟܵ ʹሺܵ െ ܵଶሻ
‫ܥ‬ൌ ൌ
(˜ )
ܵ௣௥௢ ௘ௗ௜௢ ܵ ൅ ܵଶ

En el caso donde C estávinculado sólo al número  de electrones emitidos, la


señal es proporcionalay al ruido „݊ . Consideramos en general que el
contraste debe ser cinco veces más importante que la amplitud del ruido
entonces:

„݊ ʹͷ
‫ܥ‬൒ͷ ×݊ ൒ ଶ
݊ ‫ܥ‬

Gn contraste de 1%, por ejemplo corresponde a cerca de ʹͷ ൈ ͳͲସ electrones


por punto imagen (pixel). Para una imagen de 65 536 pixeles (256 x 256)
registrado en 100 s (1, 53 ms por pixel), será necesaria una sonda de alrededor
ͳͲ ି ଶ A.

Ô

‘  ' "# ‘#)( ‘ ‘$("#'% # ‘

El A˜ 5 cuantitativamente el más importante sobre una


muestra no pulida, encuentra su origen en la emisión electrónica segundaria. Si
ü଴ es el rendimiento de la emisión bajo incidencia normal, bajo incidencia ƨ,
se tiene:

ü ൌ ü଴ Ȁ …‘• ߠ
୼ௌ
‫ܥ‬ൌ ൌ –ƒ ߠ݀ߠ

(ƨ en radianes)

Para una incidencia vecina de 60º, una variación de incidencia de 1º origina un


contraste de 3%

En el caso de los electrones retrodifundidos, podemos admitir que la


retrodifusión se produce luego de un recorrido R del haz primario en la
muestra; si Ƭ es el coeficiente de absorción medio de los electrones
retrodifundidos, Ƨ es:

ߟ ൌ ߟ଴ ‡š’ሾߤܴሺͳ െ …‘• ߠሻሿ (˜ )

Donde ߟ଴ tasa de retrodifusión bajo incidencia normal


El ˜ < depende del número atómico del material ya que Ƨ es una
función creciente de Z.
El ˜ ˜
aparece cuando la superficie de la muestra no es
)(# "$%‘

El˜ ˜F permite la observación de muestras magnéticas, se


ሬԦ (‫ܤ‬
clasifican en dos tipos según la dirección del vector de inducción ‫ܤ‬ ሬԦ normal
ሬԦ paralelo a la superficie).
a la superficie y ‫ܤ‬

El ˜ ˜
5  está ligado al efecto de canalización electrónica. La
variación I/I0 de la intensidad retrodifundida a proximidad de BraggƨB para
una familia de planos reticulares puede ser obtenido en teoría dinámica con
una aproximación a dos ondas:

]w
ë ‘  ¬ ¬ ‘ ‘ ‘  ¬ ‘ ‘  ‘
  ‘‘  ‘

‘  #( ‘-% %( ‘ "‘%‘ & !"‘ $"%'%‘

 
‘ ()('%/%‘

La resolución de las imágenes (5 a 7nm) formados por los electrones


segundarios y la profundidad del campo del SEM son el origen de su
desarrollo. La apertura angular ơ del haz sobre la muestra, comprendida entre
10-2 y 10-3 rad, es mucho más pequeño que en los microscopios ópticos (ơ=1).

La profundidad de campo, medida en dirección al haz, es la distancia sobre la


cual la resolución (diámetro del disco de menor confusión) no es alterada (de
menos de un factor 2 por ejemplo). Esta profundidad de campo es de 100 a
1000 veces el valor de la resolución.
Las aplicaciones técnicas solo al nivel de la imagen en electrones secundarios
prácticamente tocan todos los sectores: metalurgia, química, biología, etc.
(figura19).

˜ '*˜ 5


  ˜ ˜ )4 ˜
˜ $ ))

En & #%('%/%, el MEB se hizo un instrumento de uso industrial. Permite,


por ejemplo, el examen, sin preparación especial, de una muestra de volumen
que importa (varios centímetros cúbicos) y de superficie rugosa. Este examen
puede ser acompañado por un análisis X de la composición del material. Las
observaciones son hechas a aumentos que van corrientemente de 50 a 10 000
(figura 20). Sobre superficies pulidas luego atacadas químicamente, el MEB


permite observar y analizar fases, precipitados, inclusiones, zonas de
corrosión, etc.
Cuando el metal contiene proporciones fuertes de materiales no metálicos (no
conductores), una metalización de la superficie es necesaria.

˜ (+˜ ˜ 
˜ ˜˜  ˜ 
˜˜ 4?G
 ԑ %'%$!"‘ ‘)(# "$%‘

Para ser emitido y luego detectado, los electrones segundarios deben


vencer la barrera de potencial que presenta la superficie. Si disponemos de una
muestra conductora perfectamente limpia, la superficie es equipotencial. Pero
esta situación puede ser perturbada por una contaminación (capa de oxido
local, o deposito de productos hidrocarbonados que vienen de la bomba de
difusión) que va modificar localmente la barrera de potencia, y por ende la
emisión electrónica secundaria: habrá entonces contraste de potencial.

Tal como un polvo aislante colocado sobre un conductor que acumula exceso
de carga creando una perturbación en las líneas de campo al exterior del
material. La superficie de un circuito semiconductor, expulsada de su capa
aislante de protección, presenta zonas separadas por cruces y entonces
susceptibles de ser polarizados a diferentes tensiones: el resultado es un
contraste de potencial.


Gna aplicación de la emisión secundaria para la caracterización de los
semiconductores ha sido hecha por filtración en energía. La filtración puede
ser o sea del tipo paso-altura, o ya sea del tipo paso-banda utilizando un
analizador hemisférico por ejemplo. La filtración paso-altura permite
estudiarles la repartición de los potenciales de dispositivos con
semiconductores en funcionamiento, alimentados del exterior por el
microscopio (figura21).

˜ )0   0˜  


0  ˜

La observación de la variación de los contrastes de potencial con en función


de los diversos parámetros (preparación de muestra, arreglos del haz) ha
aportado mucho a la orientación de las búsquedas sobre los fenómenos de
carga y su relación con las propiedades de los materiales [25, 26]. Así sobre
Y2O3policristalinaestequiométrica, las fronteras de grano no aparecen, esto
significa entonces que el potencial es uniforme en toda la zona observada.
Estos aparecen en cambio sobre la misma muestra trasformadola a no
estequiométrica por tratamiento térmico al vacío (1 200 ºC durante 2 h). El

contraste entre el interior de los granos y las fronteras de grano depende
entonces de las condiciones de observación. Fue posible así observar
inversiones de contraste (figura 23).
De estos contrastes, se desprende que:
Ɇ‘ En función de la dosis, las cargas, estáticas con dosis débil, fluyen con
dosis más elevada;
Ɇ‘ Habiendo alcanzado el régimen de flujo, existe variación de temperatura de
la muestra y redistribución de la carga de espacio, estos dos fenómenos
conducen a oscilaciones del potencial.

˜ ;0 
˜  ˜
< 0
˜
˜ ˜  ˜  
˜˜  K,
˜
˜

w ‘ ¬  ‘‘

‘ '"$)(‘

La muestra es bombardeada por un haz de electrones de energía del orden de


10 - 40 keV (en práctica, a menudo en un microscopio electrónico de barrido
estándar). El impacto provoca la emisión de los rayos X característicos de los
elementos que constituyen la muestra (figura 16). La emisión se produce en
una "pera" de dimensiones del orden del micrómetro (ver figura 7), con dos
consecuencias:

ÿ‘ La resolución espacial del análisis es del orden del m.

]
ÿ‘ La profundidad analizada también es del orden del micrón, lo que puede
plantear problemas particulares para el análisis de pequeñas partículas o de
películas delgadas.
La fuente también puede ser un haz "blanco" de rayos X (fondo continuo) de
alta energía ("análisis por fluorescencia X"). En este caso, la resolución
espacial se vuelve milimétrica y la profundidad de penetración muy
importante.

‘  # $$!"‘

Para la detección se distinguen los detectores en espectroscopia de


energía y en espectroscopia de longitud de onda.
ë

‘  ) $#'(& #'/%‘ "‘ " '/%‘" ' ) ' * ) $#'(& #'‘

El detector EDS es un monocristal de silicio, dopado al litio y


polarizado (figura 17 a). Gn fotón X de energía E0 produce en el cristal un

E0/3,8, siendo la energía de ionización de Si que de 3,8 eV, Æ ൌ ‫ܧ‬଴ Ȁ͵ǡͺ es la


número N de pares electrones-hoyos proporcional a la energía del fotón: N =

carga recolectada por los electrodos ܸ ൌ ÆȀ‫ ܥ‬recolectada a los límites de una
capacidad en serie con el preamplificador es entonces también proporcional a
la energía del fotón incidente. Gn analizador multicanales permite clasificar el
número de acontecimientos en funciónde su energía, y en consecuencia
reconstituir el espectro de emisión de la muestra (figura 17).

˜ ˜ 3$ ˜




ë
El criostato en el cual el cristal es mantenido a la temperatura del nitrógeno
líquido está representado sobre la figura 18.
Es necesario mantener el detector a temperatura baja por dos razones:

ÿ‘ Tener una conductividad eléctrica mínima del semiconductor aparte de la


presencia de pares electrones-hoyos.
ÿ‘ Reducir como máximo el ruido de la cadena de adquisición; el
preamplificador, constituido por un transistor a efecto de campo (FET) es
también enfriado por otra parte.
El criostato, mantenido al vacío, es cerrado por una ventana que debe quedar
transparente a los fotones X: puede ser en berilio (permitiendo la detección de
los elementos a partir del sodio) o en polímero ultrafino (permitiendo la
detección a partir del bore). El inconveniente de este último tipo de ventana
es sufragilidad extrema.

˜ 4    


 3 A26 ,"  ;
La electrónica asociada contiene un dispositivo de desestimación de
apilamiento: en efecto, si dos fotones llegan casi simultáneamente en el cristal,
los pares electrón-hoyo creados por ambos fotones se suman y el sistema
detecta un fotón falso de energía igual a la suma de ambos fotones incidentes.
Para evitar este artefacto, la cadena electrónica elimina sistemáticamente
ambas medidas si la llegada de un nuevo fotón es detectada antes de que la
disminución del número de pares creados por el primero sea completa.
Resulta un bloqueo de la cadena correspondiente a un "tiempo muerto"
(exprimido en porcentaje del tiempo de adquisición).
Este tiempo muerto es vinculado a la densidad del haz incidente:

ëc
ÿ‘ Si la corriente de haz es muy débil, los fotones llegan estadísticamente a
intervalos de los tiempos importantes y el tiempo muerto es nulo o muy
débil; en cambio la estadística de cuenta es mala.
ÿ‘ Si al contrario la corriente de haz es demasiado fuerte, la probabilidad de
colectar casi simultáneamente varios fotones aumenta, el tiempo muerto se
vuelve muy importante y hasta podemos acabar en un bloqueo completo
del sistema. Además aumentamos también la probabilidad de
acontecimientos simultáneos a la escala de las constantes del tiempo de la
cadena, que los considera entonces como el que proviene de un fotón
único: esto conduce a la aparición de picos "suma" no rechazados.
ÿ‘ Gn buen compromiso es trabajar con un tiempo muerto del orden del 30%
que es controlando jugando sobre la corriente del haz con la ayuda de la
bobina condensador del MEB.

La relación (" k-ratio ") de la intensidad de un pico de emisión (altura o área)


de la muestra a la de un marco puro da en principio la concentración ponderal
de este elemento en la muestra. De hecho, el problema es más complejo:

ÿ‘ El rendimiento de emisión varía de un elemento al otro.


ÿ‘ El brillo emitido por un elemento es absorbido por la matriz. Además, los
espectros de absorción de rayos X presentan discontinuidades.‘

‘ "  ‘$%#%#*(‘

Se trata en este caso de registrar el espectro de emisión de manera a


identificar el conjunto de las líneas discretas y entonces reconocerla naturaleza
de los átomos fuente presentes en la dentro del volumen excitado por la
sonda.
A priori sin dificultades notorias, este examen debe evitar ciertas trampas. Se
debe recordar por ejemplo:

ÿ‘ que un espectrómetro tiene una resolución espectral limitada, en


especial los espectrómetros de energía, de aquí la eventual confusión de
líneas vecinas;
ÿ‘ que para las líneas correspondientes a transiciones desde niveles de
energía externos, en particular los elementos ligeros, puede existir en
función de entorno del átomo una modificación de energía (y de
longitud de onda) del fotón x (éshift químicoµ)
ëÔ
Si el reconocimiento de las líneas las más intensas es fácil, el caso de líneas
que apenas emergen de ruido puede llegar a ser delicado. En principio
ninguna línea debe quedar incomprensible, y todo elemento reconocido
presenta su conjunto normal de líneas.
ëÔ
‘ "  ‘$%"##%#*(‘

La relación ("k-ratio") de la intensidad de una línea de emisión (altura o


área) de la muestra con la de un patrón puro proporciona en principio la
concentración ponderal de este elemento en la muestra. De hecho, el
problema es más complejo pues:

ÿ‘ El rendimiento de emisión varía de un elemento al otro.


ÿ‘ La radiación emitida por un elemento es absorbido por la matriz. Además,
los espectros de absorción de rayos X presentan discontinuidades.
ÿ‘ Las condiciones de funcionamiento del aparato juega un papel
fundamental en la calidad de los resultados.
La concentración aparente KA corresponde a la relación de intensidades
características del elemento A, medido dentro de las condiciones sobre la
muestra estudiada (IA) y sobre un patrón (I(A)). Este patrón puede ser una
muestra de composición conocida (teniendo si es posible parentesco de
composición con la muestra estudiada).

݇஺ ൌ ‫ܫ‬஺ Ȁ‫ܫ‬ሺ஺ሻ (˜ )

La medida de la intensidad de una línea característica deberá hacerse pensando

contienen muchas especies atómicas, la intensidad ݇஺‫ כ‬emergente del volumen


en sustraer el fondo continuo de donde emerge la línea. En una muestra que

excitado depende del número de átomos A, y en consecuencia de la


concentración CA del elemento A en la muestra, pero también los otros
elementos presentes. Este éefecto de matrizµ debe ser evaluado por un
término que lo llamaremos‫ ׯ‬. Entonces tendremos una relación entre kA, la
concentración CA y‫ ׯ‬:

‫ܭ‬஺ ൌ ‫ܥ‬஺ Ǥ ‫ׯ‬ (˜ )

ë]
Diversos métodos han sido propuestos, pero el mas expandido es el método
de corrección éZAFµ que hace intervenir dentro de ‫ ׯ‬ǣ

ÿ‘ Gn término Z ligado al número atómico Z, relativo a la intensidad X


primaria.
ÿ‘ Gn término F ligado a los efectos de fluorescencia (intensidad de la
emisión X segundaria)
ÿ‘ Gn término A ligado a la absorción de los fotones X entre su punto de
emisión y la salida de la muestra en la dirección del detector.
‫ܥ‬௜ ‫ܫ‬஺
ሾܼ ൈ ‫ ܣ‬ൈ ‫ ܨ‬ሿ ൌ ൌ ݇௜
‫ܥ‬ሺ஺ሻ ‫ܫ‬ሺ஺ሻ
(˜ !)

El éxito de este método éZAFµ justifica su integración en los programas de


análisis que forman parte de los sistemas de análisis X.
Sin embargo los constructores también proponen procesos ésin patronesµ,
utilizando una base de datos puesta en la memoria por el fabricante. Este tipo
de programas permite una ganancia del tiempo considerable y da resultados
excelentes para los elementos clásicos de la metalurgia. Para los elementos
más exóticos, presentan a veces sorpresas. El mayor inconveniente de los
programas ésin marcosµ es que normaliza sistemáticamente la suma de los
elementos analizados al 100 %: si hay elementos olvidados o no dosificables
(por ser demasiado ligeros), no se puede detectar (al contrario, con un
programa con patrón, la suma no alcanza el 100 %).

‘ . &)( ‘ ‘%)$%$!"‘

ë 
‘  %$!"‘ ‘ ‘ ‘ !"‘

La imagen en modo electrónretrodifundido (figura 20) de una muestra


trozada y pulida muestra la presencia de tres fases, a partir de contraste de
imagen.

Gn análisis cualitativo (tiempo de adquisición de 50 segundos) muestra la


presencia de dos elementos Al y Ni (figura 21) con la exclusión decualquier
otro elemento detectable bajo umbral de sensibilidad del método.

ëë
˜ ;˜ 
    /5
 ˜˜0  ˜˜
˜ 
˜  ˜

(b)
˜ !;˜   /5
 ˜˜0  ˜ ˜
˜  /
C   0˜
˜
˜   ˜
Los análisis en modo puntual de las zonas de diferentes contrastes: los
resultados son presentados sobre la figura 2 y comparados con los valores del
diagrama de fases (figura ???). Se observa que los resultados son muy realistas.

ëw
ë ԑ J ‘ ‘$ ) ‘ ‘!0(‘ (  (‘(- ‘ ‘  $( ‘ ‘
 ‘ ‘c ‘‘1 ‘

‘  t
v‘  ‘ t ‘ t 
‘ ‘  ‘
 t
f
a‘  ‘ a a‘  f
a‘ a‘
 

‘  ta‘  ‘ ‘ 
ta ‘  ‘ f a‘ at ‘  ‘ a‘ aa‘  ‘  ‘
$
‘ ta‘ aat 
a
‘ a‘ 
‘  a
aa‘  ‘ a‘  
a $tat
va‘
aaa‘ a‘ at
‘  ‘ aa‘  ‘ $
‘ f a‘  ‘ a‘   f

‘  ‘ a‘
a a
 ‘600‘690‘‘800‘ 
‘a‘1 ‘ $ t‘ ‘ 
‘va‘ at ‘50‘a‘
a‘400‘%C‘

!a‘ 
f  t ‘ aá

‘ f t a‘ a‘ 
‘  at
f
a‘  ‘ a‘ a a‘


t ‘ &C‘ +‘ & ‘ +‘ &'
‘ =‘ 100‘ &‘ at‘ !‘   ta‘ t 
‘ tá‘
   ta‘ ‘f 
‘ ‘a‘taa‘ ‘‘
ta ‘

( ‘  ‘ va‘ ‘a‘aa‘ ‘ $


‘
t ‘ ‘a‘a a
 ‘600‘‘690‘
  ta‘ ‘  ‘  ‘ a a‘   a‘  ‘ a t‘ t ‘ a‘  )a‘
 

a‘ ‘ 
‘ *‘ ta
‘ a‘ taa‘  ‘ ‘ 
ta ‘ a
‘ (a a‘
 t a‘ ‘a t)‘aa‘ta‘a‘a a
 ‘ t 
aa‘ 
t ‘t  ‘
a‘  )a‘ á‘
t a‘ !a‘ f
 a‘ 27‘ 28‘ ‘ 29‘ ta‘ a‘ a
a
‘  ‘

ta‘  taa‘ SX‘  a
a‘  ‘ ‘ 
ta ‘ 
 ‘ ‘ a‘ aa‘  ‘

t a‘t
 a‘ ‘a‘
f  t ‘a a
 ‘ t 
aa‘
‘
¬ ¬  


‘
‘ ¬

‘




¬
¬

 
¬  ¬


     

    ¬   




  ‘
()‘
¬ ¬ 





¬




¬
¬


 
‘ ¬ ¬

(a)‘

    ¬   



     

 ‘
()‘
# &' & (  ˜˜˜ %)) )*# L # 
 ˜ %! "˜ + $ ˜ %  ˜ î˜F ˜ +
  ˜˜ ˜˜ ˜,    ˜  ˜*F  - 

ëè
‘
Spectrum 5

Cr Spec tre 1
C Cu

‘ O Ni
Cr Cu Spec tre 1
O O Ni
‘ Cr
Fe
‘ C
Fe
Ni Fe
Ni
C
Cr Fe
Ni
Si
Cu
Si Cr
Fe
Cr Ni Cu
Al Fe Ni
Fe
Cr Ni
Cr Fe
Cu
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

0 1 2
Al
Pleine échelle 410 cps Curseur : -0.033 keV (297 cps )
3 4 5 6 Cr 7
Fe
8
Ni
9 Cu 10
keV ‘
Pleine éc helle 452 c ps Curs eur : 0.000 keV
0 1 2 3 4
()‘ 5 6 7 8 9 10
keV

Cr Ni éc helle 452 c ps Curs eur : 0.000 keV Spectrum 6


Pleine keV
O
Cr Cu Spec tre 1

O Ni
Cr Cu Spec tre 1
O Ni

Fe

CC
Fe
Fe Fe
Ni
C
Fe
Ni
Si
Fe
Cu
Cr Ni
Si Cr

‘ Al Cr
Cr
Fe
Fe Ni
Ni
Cu

(a)‘ 0 1 2 Al 3 4
Pleine échelle 410 cps Curseur : -0.033 keV (267 cps )
5
Cr
6 7

Fe
8
Cu
9
Ni
10
keV
‘
0 1 2 3 4 5 6 Cr 7 8 9 Cu 10
Pleine éc helle 452 c ps Curs eur : 0.000 keV
0 1 2 3 4
()‘ 5 6 7 8 9
keV
10

 ˜&.˜
˜ ˜ î˜F ˜/  ˜˜˜ %()  
Pleine éc helle 452 c ps Curs eur : 0.000 keV keV

   0˜  ˜ ˜˜ ˜        0˜    ˜ 1F ˜
 2
‘
Spectre 3
Cr
O Cu
Cr Spec tre 1

O Ni
‘ Cr Cu Spec tre 1
O Ni
‘ Fe

‘ C
Fe
Fe
C Ni
Fe C
Ni Fe
Ni
Si Fe
Cr
Cu
Si Cr

Al Cr Fe Ni Cu
Ni
Cr Ni
Cr Fe
Cu
0 1 2 Al 3 4 5 6 7 8 9 10

0
Pleine échelle 2019 cps Curseur : 0.086 keV (20 cps )
1 2 3 4 5 6 Cr 7
Fe
8
Ni
9 Cu 10
keV ‘
Pleine éc helle 452 c ps Curs eur : 0.000 keV
0 1 2 3 4
()‘ 5 6 7 8 9
keV
10
Cr Pleine éc helle 452 c ps Curs eur : 0.000 keV Spectre 2 keV

O Spec tre 1
Cr Cu
O Ni
Cr Cu Spec tre 1

O Ni

Fe
Fe
Ni
C Fe
Fe
Fe
Ni
C
C
Fe
Ni
Si
Cu
Si Cr
Cr Fe
‘ Al Cr
Cr
Fe
Ni Ni
Ni
Cu

(a)‘ 0 1 2 Al 3 4
Pleine échelle 2019 cps Curseur : 0.086 keV (21 cps )
5
Cr
6 7
Fe
8 Cu
9
Ni
10
keV ‘
0 1 2 3 4 5 6 Cr 7 8 9 Cu 10
Pleine éc helle 452 c ps Curs eur : 0.000 keV

0 1 2 3 4
()‘ 5 6 7 8 9
keV

10

 ˜'‘.˜
˜ ˜ îF ˜/  ˜˜˜ '))  
Pleine éc helle 452 c ps Curs eur : 0.000 keV keV

   0˜  ˜ ˜˜ ˜       0˜  ˜  ˜ 1F 
 2
‘

ë§
ë Ô
‘ ¬' #% ‘ ) ' ( ‘ ‘%‘$%)%‘ # '"%‘

El análisis EDS realizado sobre las aleaciones 600 y 690 están consignados en
la tabla 9. Los resultados indican que los cristales dispersos son globalmente
enriquecidos en hierro en relación a la matriz y presentan una composición
atómica media de 11% en Cr, 36% en Fe para la aleación 600 yde 21% en Cr,
41% en Fe, 38% en Ni para la aleación 610. Por el contrario, el análisis EDX
de los cristales dispersos de la aleación 800 muestran que están son ricas en
hierro.

 ‘  ‘ 1 ‘ ë‘
(% atómico) (% atómico) (% atómico) (% atómico)
Cr Fe Ni Cr Fe Ni Cr Fe Ni Cr Fe Ni
11,1 37,7 51,3 17,7 42,5 39,8 15,7 75,6 8,7 2,2 60,4 37,5
12,8 33,4 53,8 16,1 41,9 42,0 13,7 79,3 7,0 2,7 67,0 30,4
10,1 35,3 54,5 24,2 41,0 34,8 14,2 80,0 5,8 3,5 60,3 36,2
11,8 35,2 53,1 21,8 39,1 39,1 14,5 76,2 9,3 3,0 60,8 36,2
11,7 35,6 52,7 19,5 39,0 41,6 14,2 77,1 8,7 2,8 61,2 36,0
10,7 40,7 48,6 27,9 40,2 31,9 13,7 79,0 7,3

ë‘  ‘ wÔ ‘ Ô
ԑ ë ‘ 1ԑ
ë ‘ ‘ 1‘ Ô1‘ 
‘ w ‘

˜. C <˜  M ˜  ˜
   ˜˜  " ˜  
˜
˜
˜ %))# %()# '))# )4   0˜ ‘

ë ÔÔ ‘ ¬%)%‘ ‘((‘$("#"%‘

Los análisis locales de la capa interna están representados en la tabla 10. Estos
resultados sobre la aleación 600 muestran netamente un contenido atómico
medio en Cr de 21%, lo que es próximo al de la matriz pero igualmente se
observa un ligero enriquecimiento. Al contrario para la aleación 690, los
análisis EDX ponen en evidencia el enriquecimiento en cromo de la capa
interna con contenidos que pueden alcanzar el 86%. Este resultado sugiere la
presencia del tipo espinel ya que la estructura de tipo espinel no acepta más
que 67% en Cr máximo.En lo respecta la aleación 800, los análisis muestran
un enriquecimiento moderado en cromo de la capa interna (29% Cr).

ëÑ
 ‘  ‘ 1 ‘ ë‘
(% atómico) (% atómico) (% atómico) (% atómico)
Cr Fe Ni Cr Fe Ni Cr Fe Ni Cr Fe Ni
20,5 7,9 71,6 83,9 4,5 11,6 33,1 50,9 16,0 20,5 76,6 3,0
24,1 6,9 69,0 87,9 4,4 7,7 25,5 63,6 10,9 20,0 78,4 1,6
21,7 7,7 70,6 84,1 5,2 10,7 22,0 67,3 10,6 22,1 75,9 2,0
24,6 6,7 68,7 79,1 5,9 15,0 33,7 53,0 13,2 23,7 72,5 3,8
18,0 8,4 73,6 89,3 4,4 6,3 32,9 53,4 13,7 22,2 76,3 1,5
20,1 8,0 71,9 89,6 2,8 7,6 32,2 53,7 14,2 20,9 76,7 2,4
21,5 8,6 69,9 89,2 3,2 7,6 - - - 24,5 75,5 0,0
Ô
w‘ ‘  1‘ 1w‘ ‘ w‘ Ô‘ w ‘

‘ Ô
‘  ‘ Ô ‘

˜. A 6<  M ˜  6N"2 F 
 ˜

˜ %))#
%()# '))# ) 4  
0˜ ‘

‘ ¬%'#('%/%‘  & "#%‘‘

En una primera etapa, la información nueva reside en la determinación


de la composición química punto por punto de la muestra. Obtenida por
análisis de la emisión X. En este caso se realizan medidas cuantitativas de
concentraciones elementales, que se trata de presentar en forma de imágenes
cuando la muestra es explorada punto por punto. Es lo que designamos bajo
la denominación écartografía químicaµ. Esta permite aprehender por simple
observación la distribución de un elemento dado o las correlaciones entre
varios elementos.
Consideremos primero el caso de una cartografía X. La sonda permanece en
cada punto de la muestra, un cierto tiempo, de una a varios segundos, en el
curso del cual todo el espectro X es acumulado. Gn cierto número de
ventanas es definido por el software, que corresponden a la posición de las
líneas de emisión de los elementos que hay que medir. Las señales recibidas
luego son clasificadas para realizar mapas de distribución del número de
golpes para cada uno de ellos. Para presentar los resultados atribuimos en
general un color diferente a cada elemento. La intensidad del alumbrado en
cada uno de estos colores da una idea aproximada del valor absoluto de la
señal medida.
En este punto de la presentación, la información puede sólo ser semi-
cuantitativa; podemos mejorar la calidad de la medida si nos satisfacemos con
un perfil entre dos puntos de la muestra, a en cuyo caso es posible superponer
los comportamientos de las concentraciones entre los diferentes

ë
elementos.Estos aspectos son ilustrados sobre la figura VI.9 relativa al análisis
de un mineral en microscopía a barrido equipada de un detector EDX.

˜ ( A˜˜ ˜ 1 
˜
˜ ˜  ˜ ˜  ˜
 A  2 
A ˜
 
2˜  A6˜ ˜  O ˜  ˜˜  
˜ ˜
0˜ 
 
 A# A 2 3  
˜ ˜ ˜ ˜  ˜ ˜  ˜ 

 ˜ /5
˜ 
˜ 
 
 0  ˜
0˜
˜ ˜˜ 
˜˜ 2  ˜ ˜
˜   
   
>
˜2# ,˜2

‘ "  ‘ ‘% ‘(' "#%$(" ‘$' #%('$% ‘  $#'!"‘-%$2


$%## ''%$$("‘

El EBSD (Electrón Back-ScatterDifraccion) es una técnica de


superficie intermedia entre la difracción de rayos X y la microscopia
electrónica de transmisión. El EBSD nos permite conocer la orientación
cristalina a escala mesoscópica.

Bajo una tensión superior a 10 kV, los electrones incidentes penetran dentro
del material y difractan sobre los planos cristalinos satisfaciendo la ley de
Bragg (ecuación cc).

w
4  3 ñ G $‘
‘
* 

Los electrones retrodifundidos provenientes del último choque elástico


forman entonces dos conos de difracción cuyos parámetros es ƨB(ángulo de
difracción de Bragg). La intersección de estos dos conos con una pantalla
sensible a los electrones (típicamente de fosforo) conduce a la formación de
dos rectas llamada líneas de Kikuchi como se muestra en la figura ¿??(la
abertura del cono es grande ya que ƨBes muy pequeño y la pantalla está alejada
de la fuente (~25mm)). Se obtiene la orientación cristalina local por medio de
tres ángulos ê  a llamados ángulos de Euler. Estos ángulos permiten
pasar de las coordenadas del cristal a las coordenadas de la muestra.

˜ )  
?3 
 ?˜H3˜  ˜
Como ejemplo de aplicación tenemos la caracterización de la microestructura
de las aleaciones 600 y 690 en estado bruto.
Las cartografías de orientación asociadas a un triangulo estándar, permiten
determinar cualitativamente la existencia de una eventual textura. En efecto la
lectura de estos datos se hace por medio de un código de color representativo
de los ejes del cristal: <100> en rojo, <111> en azul y <101> en verde.

Las cartografías de orientación ponen en evidencia que las dos aleaciones 600
y 690 en estado de recepción, no muestran una orientación preferencial en las
regiones caracterizadas. Sin embargo, remarcamos claramente una diferencia
de microestructura. Los granos de la aleación 690 son más voluminosos y mas

wc
 f a‘ ‘‘ ‘a‘a a
‘600‘( ‘ ‘ ‘ ‘ t ‘ t
‘ ‘a
t ‘
 ‘‘ ‘ ‘
t 
‘ ‘‘a‘ á‘ 
a)‘
‘

x

 
 
‘
7 7 ‘
 ˜56˜˜ 8˜   ˜   ˜5 ˜ 9 > :  ˜    ˜˜ 
%)) ˜ 5‘
‘

x

 
 
‘

7 7 ‘
 ˜5 ˜˜ 8˜ ˜   ˜5 ˜9> :˜ ˜˜ 
%() ˜ 5‘


 ‘ ¬ ¬  ‘

Cerca de cien años después del descubrimiento del electrón por J.J. Thomson
en 1897, hay que reconocer bien que, domesticada en el recinto del
microscopio electrónico, esta partícula contribuyó al progreso de nuestros
conocimientos casi en todos los sectores de la actividad humana. Sería fácil
constituir un catálogo,haciendo la lista de todos los tipos de muestras
sometidos a la observación en microscopía electrónica. Al azar podemos
enumerarlos nuevos diamantes sintéticos, una aleación magnética de
composición Sm11,6Co58,6Fe23Cu4,6Zr2,1, las bolsas de basura biodegradables, la
localización de la nicotina en las hojas de tabaco o el estudio del parásito de la
malaria en las glándulas salivales del mosquito.

Más allá de la anecdota, sobre todo es necesario recordar cómo el microscopio


electrónico se hizo en el curso de los últimos años el instrumento ineludible
para comprender la estructura y la química de los materiales a la última escala,
elemento indispensable para nuestra comprensión de los comportamientos
diversos de la materia. En metalurgia, son las propiedades plásticas y
mecánicas el foco de las observaciones. Las dislocaciones en los metales y las
aleaciones han sido vistas primero en microscopía electrónica y conocemos su
papel que determina el origen de los desfallecimientos mecánicos. En todas las
industrias a componentes tecnológicos de punta el microscopio electrónico se
implantó bajo todas sus formas. El microscopio de barrido ahora es
introducido en las cadenas de producción de los componentes
semiconductores.

w]
 ‘     ‘

[9] R. BERNARD et F. DAVOINE. Le microscope électronique à balayage,


Ann. Gniversité de Lyon. Ser. 3 Sci. B, 10 (1957) p. 78-86.
[10]P. REZ. Elastic scattering of electrons by atoms dans Electron beams
interaction with solids for microscopy, microanalysis and
microlithography. Edited by KYSER (D.F.), NEIDRIG (H.), NEWBGRY
(D.E.), SHIMIZG (R.). SEM Inc. AMF O·Hare (GSA).
[11] J. C. POWELL. Inelastic scattering of electrons in solid. p. 19-31 en
Electron beam interactions with solids for microscopy, microanalysis and
microlithography. Edited by KYSER (D.F.), NEIDRIG (H.), NEWBGRY
(D.E.), SHIMIZG (R.) (1982). Scanning Electrón Microscopy. SEM Inc.
AMF O·Hare (GSA).
[12] H. SEILER. Secondary electron emission. Electron beam Interactions
with solids. (1982) p. 33-42 cf. [36].
[13] M. ABALLE, J. LOPEZ RGIZ, J. M. BADIA. Microscopia electrónica
de barrido y microanálisis por yayos X. consejo superior de investigaciónes
científicas (csic). 1996, Editorial Rueda, S. L. Madrid, 1996