1) Diferencie memória volátil e memória não volátil.

Cite
aplicações para cada uma delas.
2) Memórias voláteis
3) Memórias voláteis são as que requerem energia para manter a informação
armazenada. São fabricadas com base em duas tecnologias: dinâmica e estática.

4)
5)
6) Memória SRAM de 64MB
7) [editar] Memória dinâmica
8) A memória dinâmica é a mais barata delas e, portanto, a mais utilizada nos
computadores e são aquelas que foram popularizadas como memórias RAM.
Este atributo vem do nome inglês Randomic Acess Memory (memória de acesso
aleatório), que significa que os dados nela armazenados podem ser acessados a
partir de qualquer endereço. As memórias RAM se contrapõem com as de
acesso seqüencial, que exigem que qualquer acesso seja feito a iniciar pelo
primeiro endereço e, seqüencialmente, vai “pulando” de um em um até atingir o
objetivo. Na realidade, existem outras memórias de acesso aleatório nos
computadores, inclusive não voláteis, portanto, é importante ter o conhecimento
de que o nome RAM é apenas uma popularização do nome da memória principal
dos computadores, utilizada para armazenar os programas e dados no momento
da execução.
9) O nome dinâmica é referente à tecnologia utilizada para armazenar programas e
dados e não à forma de acessá-los. De modo simplista ela funciona como uma
bateria que deve ser recarregada sempre que apresentar carga insuficiente para
alimentar o equipamento.
10)Todas as vezes que a CPU (unidade de processamento central) for acessar a
memória, para escrita ou para leitura, cada célula dessa memória é atualizada. Se
ela tem 1 lógico armazenado, sua “bateria” será recarregada; se ela tem 0 lógico,
a “bateria” será descarregada. Este procedimento é chamado de refresco de
memória, em inglês, refresh.
11)[editar] Memória estática
12)A memória estática não necessita ser analisada ou recarregada a cada momento.
Fabricada com circuitos eletrônicos conhecidos como latch, guardam a
informação por todo o tempo em que estiver a receber alimentação.

13)
14)
 15) Memória PROM
16)[editar] Memórias não voláteis
17)São aquelas que guardam todas as informações mesmo quando não estiverem a
receber alimentação. Como exemplos, citam-se as memórias conhecidas por
ROM, FeRAM e FLASH, bem como os dispositivos de armazenamento em
massa, disco rígido, CDs e disquetes. As memórias somente para leitura, do tipo
ROM (sigla de Read Only Memory), permitem o acesso aleatório e são
conhecidas pelo fato de o usuário não poder alterar o seu conteúdo. Para gravar
uma memória deste tipo são necessários equipamentos específicos. Dentre as
memórias do tipo ROM destacam-se as seguintes:
Sigla Nome Tecnologia
Read Only Memory (memória
ROM Gravada na fábrica uma única vez
somente de leitura)
Programable Read Only
Memory (memória
PROM Gravada pelo usuário uma única vez
programável somente de
leitura)
Pode ser gravada ou regravada por meio de um
equipamento que fornece as voltagens
Erasable Programable Read
adequadas em cada pino. Para apagar os dados
Only Memory (memória
EPROM nela contidos, basta iluminar o chip com raios
programável e apagável
ultravioleta. Isto pode ser feito através de uma
somente de leitura)
pequena janela de cristal presente no circuito
integrado.
Electrically Erasable
Programable Read Only
Pode ser gravada, apagada ou regravada
Memory (memória
EEPROM utilizando um equipamento que fornece as
programável e apagável
voltagens adequadas em cada pino.
eletronicamente somente de
leitura)
18)A Flash é anterior a FeRAM, mas é uma variação do tipo Eprom. Tornaram-se
muito populares por dois motivos: a utilização de dispositivos de
armazenamento removíveis como os chamados pen drives, a aplicação em
equipamentos de som que reproduzem música no formato MP3 e os cartões de
memória das câmeras digitais. Os dados armazenados neste tipo de memória
permanecem ali sem a necessidade de alimentação. Sua gravação é feita em
geral através da porta USB que fornece 5 Volts para alimentação.
19)As memórias de massa podem armazenar grande quantidade de informação e
têm tido seu tamanho reduzido a cada dia. O disco rígido é o meio mais comum
neste tipo de memória, mas os disquetes ainda ocupam uma pequena parcela do
mercado. Não é tão rápida como a memória flash mas já é possível utilizá-la em
equipamentos de reprodução de música e filmes como os portáteis que
reproduzem videoclipes de música em vários formatos, como MPEG.

Fonte : http://pt.wikipedia.org/wiki/Mem%C3%B3ria_%28computador
%29

2) Qual a diferença entre uma memória de acesso aleatório e uma

memória de acesso seqüencial ?
Introdução
A memória RAM (Random Access Memory) é a forma
mais conhecida de memória de computador. A memória
RAM é considerada de "acesso aleatório" porque é
possível acessar diretamente qualquer célula da
memória se você conhece a linha e a coluna que cruzam
essa célula.

O oposto da memória RAM é a memória de acesso

serial (SAM). A memória SAM armazena dados como
uma série de células de memória que podem somente
ser acessadas seqüencialmente (como uma fita cassete).
Se o dado não está na localização atual, cada célula da
memória é verificada até que os dados necessários sejam encontrados. A memória SAM
funciona muito bem para buffers de memória, onde os dados são normalmente
armazenados na ordem em que serão usados (um bom exemplo é a memória buffer de
textura em uma placa de vídeo). Os dados RAM, por outro lado, podem ser acessados
em qualquer ordem.
Neste artigo, você vai aprender tudo sobre o que é a memória RAM, que tipo deve
comprar e como instalá-la.
Fonte : http://informatica.hsw.uol.com.br/memoria-ram.htm

3) Quais são os barramentos de uma memória RAM de um

micromputador? Qual a função de cada um deles?

Memórias ROM e RAM

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Parte inferior do formulário

Introdução
No que se refere ao hardware dos computadores, entendemos como memória os
dispositivos que armazenam os dados com os quais o processador trabalha. Há,
essencialmente, duas categorias de memórias: ROM (Read-Only Memory), que permite
apenas a leitura dos dados e não perde informação na ausência de energia; e RAM
(Random-Access Memory), que permite ao processador tanto a leitura quanto a gravação
de dados e perde informação quando não há alimentação elétrica. Neste artigo, o
InfoWester apresenta os principais tipos de memórias ROM e RAM, assim como mostra
as características mais importantes desses dispositivos, como frequência, latência,
encapsulamento, tecnologia, entre outros.
Memória ROM
As memórias ROM (Read-Only Memory - Memória Somente de Leitura) recebem esse
nome porque os dados são gravados nelas apenas uma vez. Depois disso, essas
informações não podem ser apagadas ou alteradas, apenas lidas pelo computador,
exceto por meio de procedimentos especiais. Outra característica das memórias ROM é
que elas são do tipo não voláteis, isto é, os dados gravados não são perdidos na ausência
de energia elétrica ao dispositivo. Eis os principais tipos de memória ROM:
- PROM (Programmable Read-Only Memory): esse é um dos primeiros tipos de
memória ROM. A gravação de dados neste tipo é realizada por meio de aparelhos que
trabalham através de uma reação física com elementos elétricos. Uma vez que isso
ocorre, os dados gravados na memória PROM não podem ser apagados ou alterados;
- EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory): as memórias EPROM têm
como principal característica a capacidade de permitir que dados sejam regravados no
dispositivo. Isso é feito com o auxílio de um componente que emite luz ultravioleta.
Nesse processo, os dados gravados precisam ser apagados por completo. Somente
depois disso é que uma nova gravação pode ser feita;
- EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory): este tipo de
memória ROM também permite a regravação de dados, no entanto, ao contrário do que
acontece com as memórias EPROM, os processos para apagar e gravar dados são feitos
eletricamente, fazendo com que não seja necessário mover o dispositivo de seu lugar
para um aparelho especial para que a regravação ocorra;
- EAROM (Electrically-Alterable Programmable Read-Only Memory): as memórias
EAROM podem ser vistas como um tipo de EEPROM. Sua principal característica é o
fato de que os dados gravados podem ser alterados aos poucos, razão pela qual esse tipo
é geralmente utilizado em aplicações que exigem apenas reescrita parcial de
informações;
- Flash: as memórias Flash também podem ser vistas como um tipo de EEPROM, no
entanto, o processo de gravação (e regravação) é muito mais rápido. Além disso,
memórias Flash são mais duráveis e podem guardar um volume elevado de dados. É
possível saber mais sobre esse tipo de memória no artigo Cartões de memória Flash,
publicado aqui no InfoWester;
- CD-ROM, DVD-ROM e afins: essa é uma categoria de discos ópticos onde os dados
são gravados apenas uma vez, seja de fábrica, como os CDs de músicas, ou com dados
próprios do usuário, quando o próprio efetua a gravação. Há também uma categoria que
pode ser comparada ao tipo EEPROM, pois permite a regravação de dados: CD-RW e
DVD-RW e afins.

Memória RAM
As memórias RAM (Random-Access Memory - Memória de Acesso Aleatório)
constituem uma das partes mais importantes dos computadores, pois são nelas que o
processador armazena os dados com os quais está lidando. Esse tipo de memória tem
um processo de gravação de dados extremamente rápido, se comparado aos vários tipos
de memória ROM. No entanto, as informações gravadas se perdem quando não há mais
energia elétrica, isto é, quando o computador é desligado, sendo, portanto, um tipo de
memória volátil.
Há dois tipos de tecnologia de memória RAM que são muitos utilizados: estático e
dinâmico, isto é, SRAM e DRAM, respectivamente. Há também um tipo mais recente
chamado de MRAM. Eis uma breve explicação de cada tipo:
- SRAM (Static Random-Access Memory - RAM Estática): esse tipo é muito mais
rápido que as memórias DRAM, porém armazena menos dados e possui preço elevado
se considerarmos o custo por megabyte. Memórias SRAM costumam ser utilizadas
como cache (saiba mais sobre cache neste artigo sobre processadores);
- DRAM (Dynamic Random-Access Memory - RAM Dinâmica): memórias desse tipo
possuem capacidade alta, isto é, podem comportar grandes quantidades de dados. No
entanto, o acesso a essas informações costuma ser mais lento que o acesso às memórias
estáticas. Esse tipo também costuma ter preço bem menor quando comparado ao tipo
estático;
- MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory - RAM Magneto-resistiva): a
memória MRAM vem sendo estudada há tempos, mas somente nos últimos anos é que
as primeiras unidades surgiram. Trata-se de um tipo de memória até certo ponto
semelhante à DRAM, mas que utiliza células magnéticas. Graças a isso, essas memórias
consomem menor quantidade de energia, são mais rápidas e armazenam dados por um
longo tempo, mesmo na ausência de energia elétrica. O problema das memórias MRAM
é que elas armazenam pouca quantidade de dados e são muito caras, portanto, pouco
provavelmente serão adotadas em larga escala.

Aspectos do funcionamento das memórias RAM

As memórias DRAM são formadas por chips que contém uma quantidade elevadíssima
de capacitores e transistores. Basicamente, um capacitor e um transistor, juntos, formam
uma célula de memória. O primeiro tem a função de armazenar corrente elétrica por um
certo tempo, enquanto que o segundo controla a passagem dessa corrente.
Se o capacitor estiver armazenamento corrente, tem-se um bit 1. Se não estiver, tem-se
um bit 0. O problema é que a informação é mantida por um curto de período de tempo e,
para que não haja perda de dados da memória, um componente do controlador de
memória é responsável pela função de refresh (ou refrescamento), que consiste em
regravar o conteúdo da célula de tempos em tempos. Note que esse processo é realizado
milhares de vezes por segundo.
O refresh é uma solução, porém acompanhada de "feitos colaterais": esse processo
aumenta o consumo de energia e, por consequência, aumenta o calor gerado. Além
disso, a velocidade de acesso à memória acaba sendo reduzida.
A memória SRAM, por sua vez, é bastante diferente da DRAM e o principal
motivo para isso é o fato de que utiliza seis transistores (ou quatro
transistores e dois resistores) para formar uma célula de memória. Na
verdade, dois transistores ficam responsáveis pela tarefa de controle,
enquanto que os demais ficam responsáveis pelo armazenamento elétrico,
isto é, pela formação do bit.

A vantagem desse esquema é que o refresh acaba não sendo necessário, fazendo com
que a memória SRAM seja mais rápida e consuma menos energia. Por outro lado, como
sua fabricação é mais complexa e requer mais componentes, o seu custo acaba sendo
extremamente elevado, encarecendo por demais a construção de um computador
baseado somente nesse tipo. É por isso que sua utilização mais comum é como cache,
pois para isso são necessárias pequenas quantidades de memória.
Como as memórias DRAM são mais comuns, eles serão o foco deste texto a partir deste
ponto.

CAS e RAS
O processador armazena na memória RAM as informações com os quais trabalha,
portanto, a todo momento, operações de gravação, eliminação e acesso aos dados são
realizadas. Esse trabalho todo é possível graças ao trabalho de um circuito já citado
chamado controlador de memória.
Para facilitar a realização dessas operações, as células de memória são organizadas em
uma espécie de matriz, ou seja, são orientadas em um esquema que lembra linhas e
colunas. O cruzamento de uma certa linha (também chamada de wordline), com uma
determinada coluna (também chamada de bitline) forma o que conhecemos como
endereço de memória. Assim, para acessar o endereço de uma posição na memória, o
controlador obtém o seu valor de coluna, ou seja, o valor RAS (Row Address Strobe) e
o seu valor de linha, ou seja, o valor CAS (Column Address Strobe).

Temporização e latência das memórias

Os parâmetros de temporização e latência indicam quanto tempo o controlador de
memória gasta com as operações de leitura e escrita. Em geral, quanto menor esse
valores, mais rápidas são as operações.
Para que você possa entender, tomemos como exemplo um módulo de memória que
informa os seguintes valores em relação à latência: 5-4-4-15-1T. Esse valor está escrito
nesta forma: tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR. Vejamos o que cada um desses parâmetros
significa:
- tCL (CAS Latency): quando uma operação de leitura de memória é iniciada, sinais são
acionados para ativar as linhas (RAS) e as colunas (RAS) correspondentes, determinar
se a operação é de leitura ou escrita (CS - Chip Select) e assim por diante. O parâmetro
CAS Latency indica, em ciclos de clock (saiba mais sobre clock nesta matéria sobre
processadores), qual o período que há entre o envio do sinal CAS e a disponibilização
dos respectivos dados. Em outras palavras, é o intervalo existente entre a requisição de
um dado pelo processador e a entrega deste pela memória. Assim, no caso do nosso
exemplo, esse valor é de 5 ciclos de clock;
- tRCD (RAS to CAS Delay): esse parâmetro indica, também em ciclos de clock, o
intervalo que há entre a ativação da linha e da coluna de um determinado dado. No
exemplo acima, esse valor corresponde a 4;
- tRP (RAS Precharge): intervalo em clocks que informa o tempo gasto entre desativar
o acesso a uma linha e ativar o acesso a outra. Em nosso exemplo, esse valor é de 4
ciclos;
- tRAS (Active to Precharge Delay): esse parâmetro indica o intervalo, também em
clocks, necessário entre um comando de ativar linha e a próxima ação do mesmo tipo.
Em nosso exemplo, esse valor é de 15 ciclos de clock;
- CR (Command Rate): intervalo que há entre a ativação do sinal CS e qualquer outro
comando. Em geral, esse valor é de 1 ou 2 ciclos de clock e é acompanhado da letra T.
No nosso exemplo esse valor é de 1 ciclo.
Esses parâmetros costumam ser informados pelo fabricante em um etiqueta colada ao
pente de memória (muitas vezes, o valor de CMD não é informado). Quando isso não
ocorre, é possível obter essa informação através de softwares específicos (como o
gratuito CPU-Z, para Windows, mostrado abaixo) ou mesmo pelo setup do BIOS.

CPU-Z exibindo dados sobre memória

Os parâmetros de temporização fornecem uma boa noção do tempo de acesso das

memórias. Note que, quando falamos disso, nos referimos ao tempo que a memória leva
para fornecer os dados requisitados. O que não foi dito acima é que esse tempo é
medido em nanossegundos (ns), isto é, 1 segundo dividido por 1.000.000.000.
Assim, para se ter uma noção de qual é a frequência máxima utilizada pela memória,
basta dividir 1000 pelo seu tempo de acesso em nanossegundos (essa informação pode
constar em uma etiqueta no módulo ou pode ser informada através de softwares
especiais). Por exemplo: se um pente de memória trabalha com 15 ns, sua frequência é
de 66 MHz, pois 1000/15=66.

Outros parâmetros
Algumas placas-mãe atuais ou direcionadas ao público que faz overclock (em poucas
palavras, prática onde dispositivos de hardware são ajustados para que trabalhem além
das especificações de fábrica) ou, ainda, softwares que detalham as características do
hardware do computador, costumam informar outros parâmetros, além dos mencionados
acima. Geralmente, estes parâmetros adicionais são informados da seguinte forma: tRC-
tRFC-tRRD-tWR-tWTR-tRTP (por exemplo: 22-51-3-6-3-3), também considerando
ciclos de clock. Vejamos o que cada um significa:
- tRC (Row Cycle): consiste no tempo necessário para que se complete um ciclo de
acesso a uma linha da memória;
- tRFC (Row Refresh Cycle): consiste no tempo necessário para a execução dos ciclos
de refresh da memória;
- tRRD (Row To Row Delay): semelhante ao tRP, mas considera o tempo que o
controlador necesita esperar após uma nova linha ter sido ativada;
- tWR (Write Recovery): informa o tempo necessário para que o controlador de
memória comece a efetuar uma operação de escrita após realizar uma operação do
mesmo tipo;
- tWTR (Write to Read Delay): consiste no tempo necessário para que o controlador de
memória comece a executar operações de leitura após efetuar uma operação de escrita;
- tRTP (Read to Precharge Delay): indica o tempo necessário entre uma operação de
leitura efetuada e ativação do próximo sinal.

Voltagem
Em comparação com outros itens de um computador, as memórias são um dos
componentes que menos consomem energia. O interessante é que esse consumo
diminuiu com a evolução da tecnologia. Por exemplo, módulos de memória DDR2
(tecnologia que ainda será abordada neste texto), em geral, exigem entre 1,8 V e 2,5 V.
É possível encontrar pentes de memória DDR3 (padrão que também será abordado neste
artigo) cuja exigência é de 1,5 V. Módulos de memória antigos exigiam cerca de 5 V.
Algumas pessoas com bastante conhecimento no assunto fazem overclock nas memórias
aumentando sua voltagem. Com esse ajuste, quando dentro de certos limites, é possível
obter níveis maiores de clock.

SPD (Serial Presence Detect)

O SPD é um pequeno chip (geralmente do tipo EEPROM) inserido nos módulos de
memória que contém diversas informações sobre as especificações do dispositivo, como
tipo (DDR, DDR2, etc), voltagem, temporização/latência, fabricante, número de série,
etc.
Chip SPD
Muitas placas-mãe contam com um setup de BIOS que permite uma série de ajustes de
configuração. Nesses casos, um usuário experimente pode definir os parâmetros da
memória, no entanto, quem não quiser ter esse trabalho, pode manter a configuração
padrão. Algumas vezes, essa configuração é indicada por algo relacionado ao SPD,
como mostra a imagem abaixo:

Exemplo de ajuste de memória em setup de BIOS baseado em SPD

Detecção de erros
Alguns mecanismos foram desenvolvidos para ajudar na detecção de erros da memória,
falhas essas que podem ter várias causas. Esses recursos são especialmente úteis em
aplicações de alta confiabilidade, como servidores de missão crítica, por exemplo.
Um desses mecanismos é a paridade, capaz apenas de ajudar a detectar erros, mas não
de corrigí-los. Nesse esquema, um bit é adicionado a cada byte de memória (lembre-se:
1 byte corresponde a 8 bits). Esse bit assume o valor 1 se a quantidade de bits 1 do byte
for par e assume o valor 0 (zero) se a referida quantidade por ímpar (o contrário também
pode acontecer: 1 para ímpar e 0 para par). Quando a leitura de dados for feita, um
circuito verificará se a paridade corresponde à quantidade de bits 1 (ou 0) do byte. Se
for diferente, um erro foi detectado.
A paridade, no entanto, pode não ser tão precisa, pois um erro em dois bits, por
exemplo, pode fazer com que o bit de paridade corresponda à quantidade par ou ímpar
de bits 1 do byte. Assim, para aplicações que exigem alta precisão dos dados, pode-se
contar com memórias que tenham ECC (Error Checking and Correction), um
mecanismo mais complexo capaz de detectar e corrigir erros de bits.

Tipos de encapsulamento de memória

O encapsulamento correspondente ao artefato que dá forma física aos chips de memória.
Eis uma breve descrição dos tipos de encapsulamento mais utilizados pela indústria:
- DIP (Dual In-line Package): um dos primeiros tipos de encapsulamento usados em
memórias, sendo especialmente popular nas épocas dos computadores XT e 286. Como
possui terminais de contato - "perninhas" - de grande espessura, seu encaixe ou mesmo
sua colagem através de solda em placas pode ser feita facilmente de forma manual;

Encapsulamento DIP - Imagem por Wikipedia

- SOJ (Small Outline J-Lead): esse encapsulamento recebe este nome porque seus
terminais de contato lembram a letra 'J'. Foi bastante utilizado em módulos SIMM
(vistos mais à frente) e sua forma de fixação em placas é feita através de solda, não
requerendo furos na superfície do dispositivo;
Encapsulamento SOJ
- TSOP (Thin Small Outline Package): tipo de encapsulamento cuja espessura é
bastante reduzida em relação aos padrões citados anteriormente (cerca de 1/3 menor que
o SOJ). Por conta disso, seus terminais de contato são menores, além de mais finos,
diminuindo a incidência de interferência na comunicação. É um tipo aplicado em
módulos de memória SDRAM e DDR (que serão abordados adiante). Há uma variação
desse encapsulamento chamado STSOP (Shrink Thin Small Outline Package) que é
ainda mais fino;

Encapsulamento TSOP
- CSP (Chip Scale Package): mais recente, o encapsulamento CSP se destaca por ser
"fino" e por não utilizar pinos de contato que lembram as tradicionais "perninhas". Ao
invés disso, utiliza um tipo de encaixe chamado BGA (Ball Grid Array). Esse tipo é
utilizado em módulos como DDR2 e DDR3 (que serão vistos à frente).
Encapsulamento CSP

Módulos de memória
Entendemos como módulo ou, ainda, pente, uma pequena placa onde são instalados os
encapsulamentos de memória. Essa placa é encaixada na placa-mãe por meio de
encaixes (slots) específicos para isso. Eis uma breve descrição dos tipos mais comuns de
módulos:
- SIPP (Single In-Line Pins Package): é um dos primeiros tipos de módulos que
chegaram ao mercado. É formato por chips com encapsulamento DIP. Em geral, esses
módulos eram soldados na placa-mãe;
- SIMM (Single In-Line Memory Module): módulos deste tipo não eram soldados, mas
encaixados na placa-mãe. A primeira versão continha 30 terminais de contato (SIMM
de 30 vias) e era formada por um conjunto de 8 chips (ou 9, para paridade). Com isso,
podiam transferir um byte por ciclo de clock. Posteriormente surgiu uma versão com 72
pinos (SIMM de 72 vias), portanto, maior e capaz de transferir 32 bits por vez. Módulos
SIMM de 30 vias podiam ser encontrados com capacidades que iam de 1 MB a 16 MB.
Módulos SIMM de 72 vias, por sua vez, eram comumente encontrados com capacidades
que iam de 4 MB a 64 MB;
- DIMM (Double In-Line Memory Module): os módulos DIMM levam esse nome por
terem terminais de contatos em ambos os lados do pente. São capazes de transmitir 64
bits por vez. A primeira versão - aplicada em memória SDR SDRAM - tinha 168 pinos.
Em seguida, foram lançados módulos de 184 vias, utilizados em memórias DDR, e
módulos de 240 vias, utilizados em módulos DDR2 e DDR3. Existe um padrão DIMM
de tamanho reduzido chamado SODIMM (Small Outline DIMM), que são utilizados
principalmente em computadores portáteis, como notebooks;
- RIMM (Rambus In-Line Memory Module): formado por 168 vias, esse módulo é
utilizado pelas memórias Rambus, que serão abordadas ainda neste artigo. Um fato
curioso é que para cada pente de memória Rambus instalado no computador é
necessário instalar um módulo "vazio", de 184 vias, chamado de C-RIMM (Continuity-
RIMM).
Módulo de memória inserido em um slot

Tecnologias de memórias
Várias tecnologias de memórias foram (e são) criadas com o passar do tempo. É graças
a isso que, periodicamente, encontramos memórias mais rápidas, com maior capacidade
e até memórias que exigem cada vez menos energia. Eis uma breve descrição dos
principais tipos de memória RAM:
- FPM (Fast-Page Mode): uma das primeiras tecnologias de memória RAM. Com o
FPM, a primeira leitura da memória tem um tempo de acesso maior que as leituras
seguintes. Isso porque são feitos, na verdade, quatro operações de leitura seguidas, ao
invés de apenas uma, em um esquema do tipo x-y-y-y, por exemplo: 3-2-2-2 ou 6-3-3-3.
A primeira leitura acaba sendo mais demorada, mas as três seguintes são mais rápidas.
Isso porque o controlador de memória trabalha apenas uma vez com o endereço de uma
linha (RAS) e, em seguida, trabalha com uma sequência de quatro colunas (CAS), ao
invés de trabalhar com um sinal de RAS e um de CAS para cada bit. Memórias FPM
utilizavam módulos SIMM, tanto de 30 quanto de 72 vias;
- EDO (Extended Data Output): a sucessora da tecnologia FPM é a EDO, que possui
como destaque a capacidade de permitir que um endereço da memória seja acessado ao
mesmo tempo em que uma solicitação anterior ainda está em andamento. Esse tipo foi
aplicado principalmente em módulos SIMM, mas também chegou a ser encontrado em
módulos DIMM de 168 vias. Houve também uma tecnologia semelhante, chamada
BEDO (Burst EDO), que trabalhava mais rapidamente por ter tempo de acesso menor,
mas quase não foi utilizada, pois tinha custo maior por ser de propriedade da empresa
Micron. Além disso, foi "ofuscada" pela chegada da tecnologia SDRAM;
Módulo de memória EDO
- SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory): as memórias FPM e EDO
são assíncronas, o que significa que não trabalham de forma sincronizada com o
processador. O problema é que, com processadores cada vez mais rápidos, isso
começou a se tornar um problema, pois muitas vezes o processador tinha que esperar
demais para ter acesso aos dados da memória. As memórias SDRAM, por sua vez,
trabalham de forma sincronizada com o processador, evitando os problemas de atraso. A
partir dessa tecnologia, passou-se a considerar a frequência com a qual a memória
trabalha para medida de velocidade. Surgiam então as memórias SDR SDRAM (Single
Data Rate SDRAM), que podiam trabalhar com 66 MHz, 100 MHz e 133 MHz (também
chamadas de PC66, PC100 e PC133, respectivamente). Muitas pessoas se referem a
essa memória apenas como "memórias SDRAM" ou, ainda, como "memórias DIMM",
por causa de seu módulo. No entanto, a denominação SDR é a mais adequada;

Módulo de memória SDR SDRAM -

Observe que neste tipo há duas divisões entre os terminais de contato
- DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM): as memórias DDR apresentam evolução
significativa em relação ao padrão SDR, isso porque elas são capazes de lidar com o
dobro de dados em cada ciclo de clock (memórias SDR trabalham apenas com uma
operação por ciclo). Assim, uma memória DDR que trabalha à frequência de 100 MHz,
por exemplo, acaba dobrando seu desempenho, como se trabalhasse à taxa de 200 MHz.
Visualmente, é possível identificá-las facilmente em relação aos módulos SDR, porque
este último contém duas divisões na parte inferior, onde estão seus contatos, enquanto
que as memórias DDR2 possuem apenas uma divisão. Você pode saber mais sobre essa
tecnologia na matéria Memória DDR, publicada aqui no InfoWester;
- DDR2 SDRAM: como o nome indica, as memórias DDR2 são uma evolução das
memórias DDR. Sua principal característica é a capacidade de trabalhar com quatro
operações por ciclo de clock, portanto, o dobro do padrão anterior. Os módulos DDR2
também contam com apenas uma divisão em sua parte inferior, no entanto, essa abertura
é um pouco mais deslocada para o lado. Saiba mais sobre essa tecnologia na matéria
Memória DDR2, disponibilizada aqui no InfoWester;
Memória DDR2 acima e DDR abaixo -
Note que a posição da divisão entre os terminais de .: Livros sugeridos :.
contato é diferente
- DDR3 SDRAM: as memórias DDR3 são, obviamente, :: Arquitetura de
uma evolução das memórias DDR2. Novamente, aqui computadores
dobra-se a quantidade de operações por ciclo de clock,
desta vez, de oito. Uma novidade aqui é a possibilidade :: Hardware na prática
de uso de Triple-Channel. Saiba mais sobre esse tipo
:: Hardware: o guia
neste artigo sobre DDR3;
definitivo

- Rambus (Rambus DRAM): as memórias Rambus Via Shopping UOL

recebem esse nome por serem uma criação da empresa
Rambus Inc. e chegaram ao mercado com o apoio da
Intel. Elas são diferentes do padrão SDRAM, pois trabalham apenas com 16 bits por
vez. Em compensação, memórias Rambus trabalham com frequência de 400 MHz e
com duas operações por ciclo de clock. Tinham como desvantagens, no entanto, taxas
de latência muito altas, aquecimento elevado e maior custo. Memórias Rambus nunca
tiveram grande aceitação no mercado, mas também não foram um total fiasco: foram
utilizadas, por exemplo, no console de jogos Nintendo 64. Curiosamente, as memórias
Rambus trabalham em pares com "módulos vazios" ou "pentes cegos". Isso significa
que, para cada módulo Rambus instalado, um "módulo vazio" tem que ser instalado em
outro slot. Essa tecnologia acabou perdendo espaço para as memórias DDR.

Finalizando
Com o passar do tempo, a evolução das tecnologias de memórias não somente as torna
mais rápidas, mas também faz com que passem a contar com maior capacidade de
armazenamento de dados. Memórias ROM do tipo Flash, por exemplo, podem
armazenar vários gigabytes. No que se refere às memórias RAM, o mesmo ocorre. Por
conta disso, a pergunta natural é: quanto utilizar? A resposta depende de uma série de
fatores, no entanto, a indústria não para de trabalhar para aumentar ainda mais a
velocidade e a capacidade desses dispositivos. Portanto, não se espante: quando menos
você esperar, vai ouvir falar de uma nova tecnologia de memória que poderá se tornar
um novo padrão de mercado :)
 Fonte : http://www.infowester.com/memoria.php

4) Diferencie memória estática e memória dinâmica considerando forma de

armazenamento das informações, capacidade, velocidade, consumo de
energia e custo. Cite exemplos de aplicações para cada uma delas.

RAM dinâmica
Semelhante a um microprocessador, um chip de memória é um circuito integrado (CI),
feito de milhões de transistores e capacitores. Na forma mais comum de memória de
computador, a memória de acesso aleatório dinâmico (DRAM), um transistor e um
capacitor são unidos para criar uma célula de memória, que representa um único bit de
dados. O capacitor mantém o bit de informação: um 0 ou um 1 (veja Como funcionam
os bits e os bytes para mais informações sobre bits). O transistor age como uma chave
que permite ao circuito de controle no chip de memória ler o capacitor ou mudar seu
estado.
Um capacitor é como um pequeno balde capaz de armazenar elétrons. Para armazenar
um 1 na célula de memória, o balde é preenchido com elétrons. Para armazenar um 0,
ele é esvaziado. O problema com o balde do capacitor é que ele tem um vazamento. Em
questão de poucos milésimos de segundos, um balde cheio fica vazio. Portanto, para a
memória dinâmica funcionar, a CPU ou o controlador de memória tem de carregar
todos os capacitores mantendo um 1 antes que eles descarreguem. Para isto, o
controlador de memória lê a memória e então grava nela de volta. Esta operação de
atualização (mais conhecida como refrescamento) acontece automaticamente, milhares
de vezes por segundo.

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O capacitor em uma célula de memória DRAM é como um balde furado.
Ele precisa ser refrescado periodicamente ou descarregará para 0
O nome DRAM vem desta operação de refrescamento. A memória DRAM tem de ser
refrescada de forma dinâmica, constantemente, ou perde o que está guardando. O
aspecto negativo de todo esse refrescamento é que leva tempo e deixa a memória lenta.
As células de memória são gravadas em uma pastilha de silício em uma série de colunas
(bitlines) e linhas (wordlines). O cruzamento de um bitline e um wordline constitui o
endereço da célula de memória.

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Nesta figura, as células vermelhas representam os 1s e as células brancas
representam os 0s.
Na animação, uma coluna é selecionada e então as linhas são carregadas
para gravar os dados na coluna específica.

A memória DRAM funciona enviando uma carga através da coluna apropriada (CAS)
para ativar o transistor de cada bit na coluna. Ao gravar, as linhas contêm o estado que o
capacitor deve assumir. Ao ler, um amplificador de sinal, determina o nível de carga no
capacitor. Se for maior que 50%, ele o lê como um 1, caso contrário, ele o lê como um
0. Um contador guarda a seqüência de refrescamento baseado na ordem na qual as
linhas foram acessadas. A duração de tempo necessária para fazer tudo isso é tão curta
que é expressada em nanosegundos (bilionésimos de um segundo). Um chip de
memória de 70 ns leva 70 nanosegundos para ler e recarregar completamente cada
célula.
As células de memória sozinhas seriam inúteis se não houvesse alguma maneira de
obter e inserir informações nelas. As células de memória têm uma estrutura inteira de
apoio composto por outros circuitos especializados. Esses circuitos realizam funções
como:
• identificar cada linha e coluna (selecionar o endereço da linha e
selecionar o endereço da coluna);
 • manter atualizada a seqüência de refrescamento (contador);
• ler e rearmazenar o sinal de uma célula (amplificador de sinal);
• dizer a uma célula se deve levar uma carga ou não (habilitador de
gravação);
Outras funções do controlador de memória abrangem uma série de tarefas como
identificação do tipo, velocidade e quantidade de memória e a verificação de erros.
Fonte1: http://informatica.hsw.uol.com.br/memoria-ram1.htm

RAM estática
A RAM estática usa uma tecnologia totalmente diferente. Na RAM estática, uma forma
de flip-flop contém cada bit de memória (veja Como funciona a lógica booleana para
mais detalhes sobre flip-flops). Um flip-flop para uma célula de memória utiliza 4 ou 6
transistores mais alguns fios, mas nunca tem de ser refrescado. Isto torna a RAM
estática significativamente mais rápida que a RAM dinâmica. Entretanto, como ela tem
mais componentes, ocupa também muito mais espaço em um chip que uma célula de
memória dinâmica. Portanto, você pode ter menos memória por chip, o que torna a
RAM estática muito mais cara.
A RAM estática é rápida e cara, enquanto a DRAM é mais barata e mais lenta. A RAM
estática é usada para se criar cache de velocidade compatível com a CPU, enquanto a
DRAM se constitui no grande sistema de memória RAM.
Originalmente, os chips de memória nos computadores de mesa (desktops) usavam uma
configuração de pinos chamada de encapsulamento em linha dupla (DIP - Dual Inline
Packcage). Esta configuração de pinos podia ser soldada em orifícios na placa-mãe do
computador ou encaixada a um soquete soldado à placa-mãe. Este método funcionou
muito bem enquanto os computadores operavam com alguns megabytes ou menos de
memória RAM. Mas como a necessidade de memória cresceu, o número de chips
buscando espaço na placa-mãe aumentou.
A solução foi colocar os chips de memória, assim como todos os componentes de apoio,
em uma placa de circuito impresso (PCB - Printed Circuit Board) separada, que
pudesse ser encaixada a um conector especial (banco de memória) na placa-mãe. A
maioria desses chips usa uma configuração de pinos do tipo SOJ (Small Outline J-lead),
mas alguns poucos fabricantes também usam a configuração de TSOP (Thin Small
Outline Package). A diferença-chave entre estes tipos de pinos mais recentes e a
configuração DIP original é que os chips SOJ e TSOP são montados na superfície da
PCB. Em outras palavras, os pinos são soldados diretamente na superfície da placa e
não inseridos nos orifícios ou soquetes.
Em geral, os chips de memória estão disponíveis apenas como parte de uma placa
chamada módulo. Você provavelmente já viu uma memória descrita como 8x32 ou
4x16. Estes números representam o número de chips multiplicado pela capacidade
individual de cada chip, medida em megabits (Mb), ou um milhão de bits. Pegue o
resultado e divida-o por 8 para chegar ao número de megabytes nesse módulo. Por
exemplo, 4x32 significa que o módulo tem 4 chips de 32 megabits. Multiplique 4 por 32
e obterá 128 megabits. Já que sabemos que um byte tem 8 bits, precisamos dividir nosso
resultado de 128 por 8. Nosso resultado é 16 megabytes.
Na próxima seção, vamos dar uma olhada em outros tipos comuns de memória RAM.
Fonte2: http://informatica.hsw.uol.com.br/memoria-ram2.htm