Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ
НА ОСНОВЕ УПОРЯДОЧЕННЫХ МАССИВОВ
УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК ДЛЯ СВЧ-ТЕХНИКИ
И СЕНСОРИКИ
радиоэлектроники, Минск
3 Белорусский национальный технический университет, Минск
Этап I – формирование Ni
SiO2 пленки в рабочей области
ПАВ структуры
металлизация
Этап II –
нанокластеризация Ni
пленки в процессе
термического отжига
подложка
Ar+С8Н10
массив УНТ
Этап III – формирование
массива вертикально
ориентированных УНТ
методом ХПО.
Примеры селективного роста УНТ на топологии электродной системы в условиях вариации параметров ХПО
синтеза в процессе дозированной инжекции ферроцена (Fe(C5H5)2) в р-ксилоле (С8Н10) в CVD-реактор.
3-5 декабря 2008, Москва Международный форум по нанотехнологиям 4
300 нм
Структура разреженного
массива УНТ, полученного в
процессе атмосферного
каталитического пиролиза о-
ксилола на подложке оксида 10 мкм
алюминия (РЭМ)
3-5 декабря 2008, Москва Международный форум по нанотехнологиям 6
Частота, см-1
Трубка (9,3)
Частота, см-1
Потенциал ММ3
3-5 декабря 2008, Москва Международный форум по нанотехнологиям 10
C S
O P
Модули упругости
поперечно изотропной
Молекулярные силовые среды для цилиндра с
постоянные толщиной стенки 3 A
С33=1.25•1012 N/m2
С13=1.42•1011 N/m2
С11=0.39•1011 N/m2
С12=0.21•1011 N/m2
С44=0.90•1010 N/m2
3-5 декабря 2008, Москва Международный форум по нанотехнологиям 12
х10 ГГц
D=20 нм, t=0,6 нм D=40 нм, t=0,6 нм D=40 нм, t=0,9 нм
х10 ГГц
Гистограммы числа собственных частот УНТ длиной 200 нм с закрепленным концом
в диапазоне до 0-70 ГГц с интервалом разбиения 200 МГц
3-5 декабря 2008, Москва Международный форум по нанотехнологиям 13
55292
собственные
частоты
х10 ГГц
Гистограммы числа собственных частот УНТ длиной 100 мкм, D=40 нм, t= 0,9 нм
с закрепленным концом в диапазоне до 0-70 ГГц с интервалом разбиения 200 МГц
х10 ГГц
Резонансная
характеристика
массива, по
Радионовой В.Л.,
Институт ядерных
проблем БГУ
80
70
60
40
30
20
10
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
Частота, МГц
F=1000 MГц
F=430 MГц
0.1
-0.1 Дисперсионные
-0.2 зависимости ПАВ-
структур со слоем
КДЧ
-0.3
-0.4 вертикально
-0.5
ориентированных
-0.6
УНТ
-0.7
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
kh for
3-5 декабря 2008, CNT array
Москва Международный форум по нанотехнологиям 27
FEM Simulation
of constructions
Generator of
(LS-DYNA nanoelements of
OpenFOAM) the construction
USERS
Assembler of
finite element NWChem
properties from QM/MD calculation
Experimental nanoelements’ of nanoelements
studies of properties properties
constructions
3-5 декабря 2008, Москва Международный форум по нанотехнологиям 31