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CAB 1 CIRCUITOS AMPLIFICADORES BSICOS 1.

a) Calcule el punto de trabajo (IC, VEC) del transistor del circuito suponiendo IB 0 b) Halle el rango de valores de para el que la aproximacin anterior es vlida (considerando despreciable si 1<<50) c) Calcule el punto de trabajo para = 35 DATOS: VE 0,7 V; VEE = 10 V; RB1 = RB2 = 10 k; RC = 8 k; RE = 20 k

+VEE

RB1

RE

RB2

RC

2. Suponiendo |VBE| 0,7 V y , calcule la corriente que circula por todas las ramas del circuito y el voltaje en todos los nodos

+5V Q10 Q11

+10V Q1 Q3

+10V Q4

R5
1k

R2
2k

R1
10k +5V

R4
1k Q9 Q8 Q7 Q2

R3
1k Q6 Q5

-10V

-10V

3. Se quiere construir una fuente de corriente continua que suministre una corriente I0 = 1 mA segn indica la figura. Para ello se utilizan MOSFETs de acumulacin en la configuracin de espejo de corriente mostrada. a) Si todos los transistores del circuito son del mismo tipo, indicar cul ha de ser +VDD=5V ste (canal n o canal p) para que la fuente funcione correctamente. Justifique muy S S brevemente la respuesta. T1 T3 b) Demostrar que T1 y T2 trabajan en saturacin. G G D c) Si T1 y T2 son iguales (misma relacin de aspecto, Z/L), calcular las tensiones D VGS de ambos transistores (VGS1 y VGS2). d) Cul ha de ser la relacin de aspecto Z/L de T3 para que I0 = 1 mA? I0=1mA

S T2 D

DATOS: Todos los transistores tienen |VT| = 0,7 V y = 0,1 mA V -2 (=Z/L)

Actualizado Octubre 03

CAB 2 4. El circuito de la figura muestra una fuente de corriente compuesta por cuatro transistores pnp. Sabiendo que todos los transistores operan en activa, calcule: a) La corriente IREF suponiendo VEB2 VEB4 0,6V b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente I0 sea 5 veces menor que IREF. Desprecie las corrientes de base respecto a las dems del circuito. c) Las tensiones VEB1, VEB2, VEB3 y VEB4 con tres cifras significativas, considerando que para todos los transistores I C I S exp DATOS: R2 = 4,4 k VEE = 10 V VT = 0,025 V IS = 7,5.10-14A

VEE R1

VEE

Q1

Q2

VEB . VT
Q3 Io Vo Q4 IREF R2

5. El circuito de la figura permite medir el parmetro del transistor T3 a travs de la ganancia de tensin en pequea seal Av=vo/vs. Para ello se polariza un circuito en emisor comn con una corriente de base (IB3=IC2) fija, de 50 A, mediante un circuito Widlar. Dado que el transistor T3 es de tipo npn, para realizar esta polarizacin se requiere una fuente Widlar con transistores pnp. a) Calcular la corriente IC1 y la resistencia R2 para obtener esa corriente de base en T3. b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=vo/vs=-200, cul es el valor de del transistor T3?. Suponga en este apartado que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en pequea seal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T3 es infinita. c) Para el valor de obtenido en b) comprobar que, efectivamente, el transistor medido, T3, se encuentra en activa.

VEE R2 RC3 T1 I C1 RC1


O O

T2

I C2 T3 C vs Req
Amplificador EC

vo

Fuente Widlar

DATOS: 1 = 2 >>1; VEB1 = VBE3 = 0,7 V VEB2 (en activa); VCEsat=0,2 V; VT = 25 mV; RC1 = 4,65 k; RC3 = 1 k; VEE = 10 V; C = 100 F 6. El circuito de la figura 1 muestra un desplazador de nivel de continua. a) Si el nivel de continua a la entrada es VI=3 V, VDD calcular R1 para que el nivel de continua a la salida sea VO=0 V. Notar que en estas condiciones la corriente continua a travs de la carga RL es nula. b) Calcular entonces la ganancia de pequea seal, vI(t)= AV=vo/vi. La fuente de corriente continua es ideal. VI+ Vi sent c) Si la fuente de corriente se realiza con otro FET idntico al anterior como se ve en la figura 2, R1 calcular R2 para tener la corriente I0=2 mA.
IO=2 mA

IO

vO(t)= VO+ Vo sent RL=10 k

R2

DATOS: Los transistores FET, de deplexin, son idnticos y trabajan siempre en saturacin, cumpliendo

-VDD
-VDD

I D = (VGS VT ) , con =0,5 mA/V2 y VT=4 V


2

Figura 1

Figura 2

Actualizado Octubre 03

CAB 3 7. En el circuito de la figura:

VCC VD + RC

RB vi

vO=Vo+vo

a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (IC, IB y VCE). El diodo Zner puede estar en tres estados posibles: comience el anlisis para el caso de que se encuentre en inversa con VD< VZ (valor absoluto de la tensin de disrupcin del diodo). b) Se aplica una seal vi variable con el tiempo. Obtenga la relacin vo/vi (suponga que el diodo no conduce). c) Para qu valor instantneo de vi se produce la ruptura inversa (Zner) del diodo? DATOS: VCC = 6 V; RC =2 k; RB =70 k; VZ=3 V; =100; VE = 0,6 V; VCEsat=0,2 V; VT = 25 mV; C.

8. El circuito de la figura muestra un amplificador en emisor comn con resistencia de emisor. Debido al condensador CE, la resistencia de emisor es diferente para el circuito de continua y para el circuito de alterna. Esto permite un mejor diseo del punto de trabajo y el margen dinmico. a) b) c) d) Calcule el punto de trabajo (IC y VCE) en funcin de RE = RE1+RE2 Determine el valor de RE para que VCE = 5 V. Calcule ahora el valor numrico de IC Calcule en alterna las relaciones ic/vce y vo/vce en funcin de RE1 Determine el valor de RE1 para que |vce|max = 3,5 V, siendo |vce|max la mxima excursin de vCE en torno al punto de trabajo tal que el transistor ni se corta ni se satura

VCC RC vo CC RB vi +

RE1

DATOS: RB = 10 k; RC = 1 k; VCC = 10 V; VBB = 3 V; CE = CC VE 0,7 V; VCE,sat 0; ro ; = 200 ( >> 1 para todos los clculos)

VBB

RE2

CE

V SS=15V R G =1M C G S iD D RD =10k RS =1k


9. La figura muestra un amplificador con MOSFET de canal p atacado por un generador vin(t) de pequea seal alterna y frecuencia media. Con el transistor saturado (activa) se ha medido la tensin instantnea en el nodo S, obtenindose:

+
vin (t)

vS(t) = 14 V + 0,9 vin(t) Se le pide: a) Calcular las tensiones que se mediran en los nodos D, O, G y S si O la seal fuera anulada (vin(t) = 0) C b) Razonar de qu tipo (acumulacin o deplexin) es el transistor R L=10k c) Calcular las tensiones alternas en los mismos nodos con la seal presente, en funcin de vin(t) d) Para qu valor instantneo de la tensin de salida vo(t) de pequea seal se corta el transistor?

Actualizado Octubre 03

CAB 4 10. Para el circuito amplificador de la figura: a) Calcule el punto de trabajo (VGS, ID, VDS) del transistor. Determine la regin de funcionamiento b) Dibuje el circuito equivalente de pequea seal, indicando los valores numricos de los parmetros del circuito equivalente del transistor c) Calcule la ganancia de tensin Av = vo/vi

VGG R1

VDD R3
D G S

VO+vo

DATOS: C ; VGG = -10 V; VDD = 10 V; R1 = 9,1 M; R2 = 0,9 M; R3= 5,9 k; R4 = 0,1 k En saturacin, el transistor JFET obedece la ecuacion iD = k (vGS-VT)2, con k = 1 mAV-2, |VT| = 2 V

C R2

R4 vi

11. Para el circuito de la figura: a) Calcule los valores de continua de IC y VCE suponiendo . Calcule a continuacin el valor mnimo de para que el error cometido en el clculo de IC sea menor de 2% y que la precisin en el clculo de VCE sea mejor que 0,1V b) Calcule la resistencia de entrada Ri y la ganancia de tensin vo/vs en pequea seal suponiendo DATOS: Vt = 0,025 V; VE 0,7 V; VA
RBC 100 k

VCC
I0 0,5 mA

vo C Ri
RS 50 RL 1 k

vs

12. Para el circuito seguidor de emisor (colector comn) de la figura: a) Calcular RB para que la impedancia de entrada Ri = vi/ii = 500 k. Suponer que RL >> r Con este valor de RB: b) Determinar el punto de trabajo del transistor VCE, IC, IB c) Obtener el margen dinmico (mxima amplitud de la seal senoidal a la salida sin distorsin) DATOS: VCC = 15 V; RC = 2,8 k; RL = 10 k; C ; VT = 0,025 V Transistor: = 100; VE 0,7 V; VCE,sat 0,2 V; ro

VCC RB RC C

Ii C Vo RL

vi

13. Para el amplificador en colector comn de la figura, se pide: VCC

ii(t) C vi(t)

R1 R3 R2 C RE vO(t)

a) Calcular la corriente de colector de polarizacin IC b) Dibujar el circuito equivalente de pequea seal, dando el valor de los parmetros gm y r c) Calcular la resistencia de entrada que ofrece el circuito a frecuencias medias, Ri = vi(t)/ii(t) DATOS: C ;

R1 = R2 = 20 k; R3 = 10 k; RE = 2 k; VCC = 12 V BJT: = 100; VE = 0.7 V; Vt = 0.025 V; desprecie el efecto Early (ro , VA ) NOTA: en este circuito r << R3 de forma que r || R3 r, aproximacin que puede usar si lo juzga conveniente

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CAB 5

14. El circuito de la figura es un amplificador seguidor de fuente realizado con JFETs en el que Q2 acta como fuente de corriente. Considerando que ambos transistores son idnticos y trabajan en saturacin, se pide: Valor de continua de la corriente de drenador ID2 y de la tensin puerta a fuente VGS de cada uno de los transistores (ignore el efecto Early, slo en este apartado) b) En pequea seal, resistencia equivalente de la fuente de corriente Q2 vista desde su drenador c) Ganancia de tensin de pequea seal vo/vi d) Resistencia de salida en pequea seal, Ro a) DATOS: k = 1 mAV ; |VT| = 1 V; tensin de Early VA = 50 V
-2

+VDD
D G Q1 S D G Q2 S

vi

vo Ro

-VSS
15. Calcule la ganancia vo/vg y el margen dinmico del amplificador de dos etapas de la figura. DATOS: VCC = 15 V; Rg = RL = 1 k; RB = 1,43 M; RC = 4 k = 200; VE = 0,7 V; VA ;VCE,sat 0 V

+VCC

RB Rg C vg

RC RB C

RC vo C RL

16. La seal alterna vi, de pequea amplitud, es amplificada por el circuito de la figura. Se pide:
8R

+VCC=12V RC=5k vo TN

a) b) c) d) e) f)

Calcular el punto de trabajo de los transistores Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequea seal Decir en qu configuracin trabaja cada transistor Calcular la ganancia de pequea seal Av = vo/vi Calcular la impedancia de entrada al amplificador, Ri Calcular el margen dinmico del amplificador
vi

R=2,4k

RE =0,5k

DATOS: Para ambos transistores: = 100; VBE(ON) = VEB(ON) = 0,7 V; VCE,sat = VEC,sat 0 V; VA A la frecuencia de la seal los condensadores pueden tratarse como cortocircuitos

TP Ri R -VCC =-12V

17. Para el circuito de la figura 1, se pide: a) Expresar el valor de r/R b) Expresar la relacin |Z| = |Vg/Id| de pequea seal en funcin de la frecuencia, siendo Vg e Id las amplitudes complejas (fasores) de vg e id y sabiendo que VCC - VBE >> kT/e c) Expresar y dibujar aproximadamente en la grfica de la Figura 2 la funcin |Z|/R en la regin en que se cumple 0 << << 0, donde 0 = 1/rC DATOS: >> 1; ro ; los efectos capacitivos en el transistor son despreciables

iD vg VCC

log(Z R )

C
log( 0 )
Figura 2

Figura 1 Actualizado Octubre 03

CAB 6

SOLUCIONES 1

RB 2 V VE = 5,7 V IE=IC= EE = 215 A, VEC=3,98 V. RE RB1 + RB 2 I VEE I I b) IB <<IC C 50 50; IB <<IB1(= IB2) 50 = 50 21,5 ; IB IB I C (RB1 + RB 2 )I C La ms restrictiva, 50. V VE = 5,97 A IC=209 A, VEC=4,03 V c) Ahora no puedo suponer IB <<IC, pero s IB <<I, luego VE=5,7 V, I B = EE RE ( + 1)
a) VE = VEB + VB = VE + VEE 2

10 VEB1 VEB 2 + 10 = I C1 = I C 2 = 1,86 mA . Todas las corrientes de colector son iguales entre s e iguales a 1,86 mA. R1
Resolviendo mallas calculamos el resto de corrientes y tensiones: IR4=3,72 mA. VC1=9,3 V; VC2=-9,3 V; VC3=3,72 V; VC4= VC5=0,7 V; VC6=3,14 V; VC7= VC8=-1,86 V; VC9= VC10=4,3 V; VC11=1,86 V. 3 a) Si ha de entregar corriente, el transistor cuyo drenador proporciona la corriente constante ha de ser de canal p b) Siendo de canal p y de acumulacin, los transistores presentarn VT = VSG (umbral ) = 0,7 V . En ambos transistores

VSD = VSG > VSG VT = VSD , sat


c) Como ambos transistores son iguales (1 = 2) y ID1 = ID2, se tiene que VSG1=VSG2. Al ser VSG1+VSG2=VDD resulta:

VSG1 = VSG 2 =
d) Puesto que VSG3 = VSG1 =2,5V e ID3 = I0 = 1 mA, se tendr:

VDD = 2,5 V 2

I D3 =
4 a) b)

I D3 Z 1 (VSG 3 VT )2 Z = = 3,1 L 3 (VSG 3 VT )2 0,1 1,8 2 L3

I REF =

VEE VEB 2 VEB 4 10 0,6 0,6 = = 2 mA R2 4,7k

V EB 2 = VEB1 + I 0 R1 I I 0 R1 = VT ln REF I I0 V EB 2 = VT ln REF VT I REF IS R = = 100,6 ln 1 I0 I0 I V EB1 = VT ln 0 IS I c) v EB1 = v EB 3 = VT ln 0 = 0,560 V IS I v EB 2 = VEB 4 = VT ln REF = 0,600 V IS

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CAB 7 5 a) I C1 =

VEE VEB1 = 2 mA; RC1

VEB1 = VEB 2 + I E 2 R2 = VEB 2 +

2 +1 I C 2 R2 VEB 2 + I C 2 R2 2

I R V VEB 2 I C1 = exp C 2 2 R2 = 1,84 k exp EB1 V IC2 VT T


b)

i=0 + vs Req ib r

ib RC3
-

vo

vo = RC 3ib vo AV = = RC 3 vs = r ib vs r r 0,025 r = = 0,5 k = AV = 100 I B3 RC 3

c) I C 3 = I B 3 = 5 mA; VCE = VEE I C 3 RC 3 = 5 V > VCEsat

6 Al ser transistores de canal n deplexin, VT=VGsumbral=-4 V


2

a) I RL = 0 I R1 = 2 mA = I D = (VGS VT ) = (V I I D R1 VT ) R1 = 2,5 k , pues la otra solucin no hace VGS>VT d g vi b) Circuito equivalente: gmvgs vo = g m v gs RL s
2

R1 + RL v o -

vo g m RL = vi 1 + g m ( R1 + RL ) vi = v gs + v s = v gs (1 + g m ( R1 + RL )) v Como gm=2(VGS-VT)=2 mS o = 0,706 vi v s = g m v gs ( R1 + RL )

c) I D = (VGS VT ) ; VG = V DD ; VS = V DD + I D R2 R2 = 1 k
2

7 a) Diodo cortado ID=0, VCC = ( I C + I B ) RC + I B RC + V BE ; I C = I B , luego I B = 0,02 mA, I C = 2 mA Comprobamos transistor en activa: I B > 0; VCE = VCC ( I C + I B ) RC = 2 V > 0,2 Comprobamos diodo cortado: VD = VBE VCE = 1,4 V < 0, sin llegar a ruptura. b) Circuito equivalente:

vi v o RC ib RC RB RC RC vo RC + vo 1 + R = vi R r v = 155,5 v B i B i b r vo vi ib = i ib R C r 0,025 donde r = = 1,25 k IB c) VD = vCE v BE = (VCE + vce ) (VBE + vbe ), con VCE = 2 V ; vce = vo ; VBE = 0,6 V ; vbe = vi ; y adems vo = 155,5vi Cuando VD = VZ = 3 V se produce la ruptura, sustituyendo 3 = 1,4 156,5vi vi = 10,2 mV

vo =

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CAB 8 8.

VCC RC

RB
RB

r ib

ve

v o= v c

vi
RE1 RE2

RE1

ib

RC

VBB

Circuito de continua a) En continua, con RE = RE1 + RE 2 , las ecuaciones del circuito:

Circuito de alterna

VBB = I B RB + VBE + (I C + I B )RE

VCC = I C RC + VCE + (I C + I B )RE

Suponiendo el transistor en activa directa I C = I B :

VBB =

IC

(RB + ( + 1)RE ) + VBE I C


IC

VCE = VCC

(RC + ( + 1)RE ) = VCC RC + ( + 1)RE (VBB VBE ) VCC RC + RE (VBB VBE ) RB + RE RB + ( + 1)RE

VBB VBE V VBE BB RB + ( + 1)RE RB + RE

b) Despejando RE de la ltima frmula:

VCC VCE RB RC V VBE = 0,76 k I C 2,84 mA RE BB VCC VCE 1 V V BB BE

c) En alterna, dado que ic = ib >> ib:

RC + RE1 vo vce = vc ve = (RC + RE1 )ic = ve = RE1 (ic + ib ) RE1ic RC


De donde:

vo = vc = RC ic

ic v RC 1 = ; o = vce RC + RE1 vce RC + RE1


d) La condicin de que el transistor no se sature:

vCE = VCE + vce VCE , sat vce


Y de que no se corte:

max, saturacin

VCE VCE , sat = vce

max, saturacin

=5V = I C (RC + RE1 )

iC = I C + i c 0 i c =

vce I C vce I C (RC + RE1 ) vce RC + RE1 vce


max

max,corte

Como la saturacin no limita, hay que fijarse en el corte:

I C (RC + RE1 ) = vce

max

RE1 =

IC

RC = 0,23 k

Y de aqu R E 2 = R E RE1 = 0,53 k

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CAB 9 9.
VSS RG IG=0 G D RD S RS ID VS ID

a) En continua, como IG = 0, VG = VSS = 15 V. De la medida de VS = 14 V ID = (VSS-VS)/RS = 1 mA. Como no hay corriente por RL: VO = 0 V. Entonces ID circula por RD y VD = IDRD = 10 V
O RL

b) El transistor, de canal p, est conduciendo con VSG = VS-VG = -1 V < 0. Por tanto ha de ser de deplexin

D=O ig=0 G id S id RG RS RD RL

c) Del circuito vg(t) = vin(t) y de la medida vs(t) = 0,9 vin(t) id(t) = -vs(t)/RS vo (t ) = vd (t ) = id (t ) R D R L = v s (t ) d) La corriente total de drenador es:

RD RL RS

= 4,5vin (t )

+
vin (t)

i D (t ) = I D +

vo (t ) VSS VS v (t ) v (t ) = + o = 1 mA + o 5 k RD RL RS RD RL

Cuando la corriente iD se anula vo(t) = 1 mA 5 k = 5 V 10

VGG R1

VDD R3
D G S

Los transistores JFET son de deplexin. Pero adems en este circuito VG < 0 mientras que VS > 0, lo que quiere decir que el transistor funciona con tensiones VGS negativas y ha de ser por tanto VT = -2 V a) Las ecuaciones del circuito de continua son, puesto que no hay corriente de puerta,:

VG = VGG
VO

Por otra parte si el transistor est saturado I D = k (VGS VT ) que introducido en la primera de las ecuaciones precedentes conduce a:
2

VDD = VDS + I D (R3 + R4 )

R2 = VGS + I D R4 R1 + R2

R2

R4

VG = VGS + kR4 (VGS VT ) VG VT = VGS VT + kR4 (VGS VT )


2 2

kR4 (VGS VT ) + VGS VT (VG VT ) = 0


2

VGS VT =

1 1 + 4kR4 (VG VT ) 2kR4

1 + 1 + 4 1 0,1 ( 0,9 + 2) =1V 2 1 0,1

La raz negativa se ha desechado desde el principio pues llevara a VGS-VT negativo, incompatible con la suposicin de que el transistor conduce. Con este valor:

I D = 1 mA;VDS = VDD I D (R3 + R4 ) = 4 V > 1 V = VGS VT

As que efectivamente est saturado.

R4 vi

gmvgs
S D

vo R3

b) En pequea seal la puerta est a tierra por efecto del condensador C. ro no est presente (es infinita) pues en la expresin de la corriente de drenador no aparece el efecto Early.

g m = 2k (VGS VT ) = 2 m -1

c)

g m v gs = g m (v g v s ) = g m v s v s = vi + g m R4 v gs = vi g m R4 v s vi = (1 + g m R4 )v s vo g m R3 = = 9,83 vo = g m R3 v gs = g m R3 v s v i 1 + g m R4

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CAB 10

11.
VCC
I0

a) En el colector del transistor, en continua y activa directa,y con arbitrariamente grande:

I0 = I B + IC IC
El error cometido en el clculo de IC:
VO RL

RBC

I C , real I C , aprox I C IB 1 = = = 0,02 50 IC I C , real I C , real


Una ecuacin de malla para calcular VCE:

VCE = V BE + I B R BC > V BE > VCE , sast I0

RS

El transistor no puede estar saturado. El valor de VCE:

VCE = V BE +

R BC V BE 0,7 V

Si es muy grande. Para que el error cometido en VCE por despreciarIB fuera menor de 0,1 V (que es ms o menos la precisin que se tiene en VBE y por tanto no merece la pena afinar ms):

VCE =

I 0 R BC

< 0,1 V >

I 0 R BC 0,5 100 = = 500 0,1 V 0,1


b) En pequea seal por efecto de los condensadores la base queda a tierra y RBC en paralelo con RL. La fuente ideal de corriente continua es un circuito abierto. Los elementos del circuito equivalente del transistor:

Ri RS vs ib

ib=gmvbe
E C

vo RBC||RL

Esto quiere decir que ib es tambin muy pequea en alterna, ib 0, pero desde luego no implica que ic sea nula: el producto ib est indeterminado Una solucin es trabajar con gm que tiene un valor finito:
B

r = Vt I B = Vt I C

g m = I C Vt = 20 m -1 Un BJT con una muy grande se parece pues en alterna a un JFET: la base est en circuito abierto y el generador de
corriente est gobernado por la tensin base emisor. Entonces, puesto que ib = 0,:

g m R L R BC v be g m R L R BC v e g m R L R BC vs v ; o = = = 10 ve = v e = v x + g m R S v be vs vs 1 + g m RS v s 1 + g m RS v be Ri = = 1 g m = 50 g m v be Otra solucin es trabajar con ib, r y normalmente como si tuvieran valor finito y derivar las frmulas. Al final, se hacen tender r y a infinito teniendo en cuenta que su cociente es finito. Por ejemplo: vs v e = ib r = v s + R S ( + 1)ib ib = r + ( + 1)R S
g m v be = g m v e

R L R BC R L R BC R L R BC R L R BC v o R L R BC ib = = = = 10 vs vs r + ( + 1)R S r + (1 + 1 )R S r + R S 1 g m + R S
12. a) El circuito equivalente de pequea seal queda:
Ii Vi RB r Ib Ib RL

de donde Ri =

vi = RB (r + ( + 1) RL ) RB RL con lo que RB = 1 M ii

Actualizado Octubre 03

CAB 11

VCC RB RC

b) En continua:

VCC = I B R B + V BE + ( + 1)I B R L I C = I B = I B = 7,15 A; VCE = VCC I C ( RC +


c) Margen al corte:

VCC V BE 143 = 0,715 mA R B + ( + 1)R L 2000

+1 R L ) 15 0,715 12,8 5,85 V > VCE , sat


I C R L ( + 1)

iC = I C + i c = I C + v o
RL

( + 1)RL

0 vo

I C R L = 7,15 V

Margen a la saturacin:

v CE = VCE + v ce = VCE v o VCE ,sat v o VCE VCE ,sat = 5,85 0,2 = 5,65 V

Las relaciones entre las magnitudes de pequea seal se obtienen del circuito equivalente (apartado a)) Luego la mxima amplitud de la seal de salida simtrica es 5,65 Vp (11,3 Vpp)

13.

VCC

a) Para el circuito de continua se puede utilizar la expresin habitual:

R1 R3 R2 RE

Donde V BB = VCC

V BB V BE 2,4 mA R B + ( + 1)R E R2 RR = 6 V y R B = R3 + 1 2 = 20 k son la tensin y la resistencia R1 + R2 R1 + R2 IC =

equivalentes de Thvenin, respectivamente, del circuito que polariza la base

b) El circuito de pequea seal queda:

ii(t) vi(t)

vbe r||R3 gmvbe= =ib vo(t) RE||R1 ||R2

Donde gm = IC/Vt = 95,5 m-1, r = /gm 1 k c) Llamando RX = r||R3 0,91 k, RY = RE||R1||R2 1,67 k

v i = v be + v o

v be = ii R X v i = ii (R X + (1 + g m R X )RY ) Ri = R X + (1 + g m R X )RY 148 k v o = (1 + g m R X )RY ii


O bien, dado que r || R3 r, se tendr que ii ib. Por tanto:

v i = ib r + v o

v i = ib (r + (1 + )RY ) Ri r + (1 + )RY 170 k v o (1 + )RY ib

Actualizado Octubre 03

CAB 12 14. a) Los transistores JFET son de deplexin; vase adems que VGS2 = 0: si conduce, como afirma el enunciado, la tensin umbral ha de ser negativa VT = -1 V. La ecuacin de la corriente de drenador para Q2, que tiene puerta y fuente cortocircuitados, es, en saturacin e ignorando el efecto Early, :

I D 2 = k (VGS 2 VT ) = kVT = 1 mA
2 2

Como Q1 est tambin saturado, su corriente es:

I D1 = k (VGS 1 VT )

Puesto que el nudo de salida est abierto, se tiene


2 2

I D 2 = k (VGS 2 VT ) = k (VGS 1 VT ) = I D1 VGS 1 = VGS 2 = 0

Y como el nivel de continua en la puerta de Q1 es cero: 0 = VGS1 = VG1-VS1 = 0-VO VO = 0 Ntese que no se ha utilizado el valor de las tensiones de alimentacin: sera preciso conocerlas para calcular el valor de VDS y verificarla saturacin de los transistores y la coherencia de los resultados. Sin embargo, el enunciado asegura la saturacin y no se pide la comprobacin. b) Los dos transistores son iguales y estn polarizados con la misma corriente de drenador, y por tanto los parmetros de su circuito equivalente de pequea seal son iguales: gm = 2k(VGS-VT) = 2 m-1; ro VA/ID = 50 k. El circuito equivalente de la fuente es: Y se pide Req = vx/ix: i
x

+
ro
SG

gmvgs

Req =

vx

vx = ix

vx

g m v gs +

vx ro

= (v gs = 0) = ro 50 k

c) El circuito equivalente de pequea seal, con la fuente de corriente reducida a su resistencia equivalente, :
G1 S1 S2

vo

v gs1 = v g1 vs1 = vi vo

vi

gmvgs1

ro

Req

vo = g m v gs1 ro Req = g m ro Req (vi vo ) vo =

g m ro Req 1 + g m ro Req

= 0,98

D1D2 G2

d) La resistencia de salida es la relacin entre la tensin aplicada a la salida y la corriente que entra por ella con las fuentes de seal anuladas:
G1

ix gmvgs1 ro Req

S1 S2

+
vx

v gs1 = v g1 vs1 = v x ix = g m v gs1 + vx v v = g m v x + x Ro = x = 1 g m ro Req = 490 ro Req ro Req ix

D1D2 G2

15. La polarizacin es la misma en las dos etapas. Con los transistores en activa directa:

IB =

VCC VBE = 10 A; I C = I B = 2 mA;VCE = VCC I C RC = 7 V > VCE,sat RB


RG ib1 RB r ic1 vce1 RC RB ib2 r ic2 vo vce2 RC RL

En pequea seal, con r = Vt/IB = 2,5 k:

vg

ib1

ib2

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CAB 13

ib1 =

r RB R G + r RB r

vg

ib 2 RC RL ib1 r RC RB RC RL r RC vo v v = o ce1 = = 40 40,8 = 1632,6 r RB r R G + r v g vce1 vg ib 2 r ib1r (R G + r RB )


Para calcular el margen dinmico se examina cunto ha de valer vo para que ningn transistor se corte ni se sature: El primer transistor no se corta:

iC1 = I C + ic1 = I C

vce1 v 0 vce1 I C r RC RB vo o I C r RC RB = 40,8 2 0,714 = 58,3 V vce1 r RC RB

Donde se ha aprovechado el valor de vo/vce1 que se dedujo al calcular la ganancia. Notar que la desigualdad cambia de sentido al multiplicar ambos lados por vo/vce1 que es negativo. El primer transistor no se satura:

vCE1 = VCE + vce1 VCE ,sat vce1 VCE + VCE ,sat vo


El segundo transistor no se corta:

vo ( VCE + VCE ,sat ) = 40,8 7 = 285,6 V vce1

iC 2 = I C + ic 2 = I C

vo 0 vo I C RC RL = 2 0,5 = 1 V RC RL

El segundo transistor no se satura:

vCE 2 = VCE + vce 2 VCE ,sat vce 2 = vo VCE + VCE ,sat = 7 V


Luego el margen dinmico est limitado por el corte del segundo transistor y vale 1 Vp. Como la segunda etapa tiene mucha ganancia variaciones de tensin muy grandes a la salida corresponden a variaciones de tensin mucho ms pequeas a la salida de la primera etapa, as que es lgico que el margen dinmico no venga limitado, ni mucho menos, por sta. 16. a)
+VCC IX 8R IC/ TN IX-IC/ RE (1+1/ )IC RC I C

La corriente de emisor de los transistores es la misma; si estn ambos en activa directa y dada la igualdad de las s y la ausencia del efecto Early, las corrientes de colector son iguales, IC (por cierto, este razonamiento es vlido tanto en continua como en alterna) La cada de tensin a lo largo del divisor resistivo:

2VCC = R(10 I X I C ) 10 RI X I X 2VCC / 10 R = 1 mA

Donde se ha despreciado la corriente de base frente a 10IX, lo que puede validarse a posteriori. Observando la diferencia de tensin entre las bases de los dos transistores:

R IC/

RI X = 2VBE ( ON ) + (1 + 1 )RE I C I C

RI X 2VBE ( ON ) RE

= 2 mA

TP IX R

IC/ = 0,02 mA << 1 mA = IX, lo que justifica la aproximacin anterior. Y para verificar el funcionamiento en modo activo directo:

VCEN = VCC I C RC (VCC 8 RI X VBE ( ON ) ) = 9,9 V VECP = VCC + RI X + VEB ( ON ) ( VCC ) = 3,1 V

-VCC b) En pequea seal el circuito equivalente es el siguiente, donde rN = rP r = kT/e /IC = 1,25 k.
TP B

ibP rP R/2 ibP

RE ibN

ibN
E

TN C

vi

rN
B

RC

vo

c) TP trabaja en colector comn, y TN en base comn d) En los nodos de emisor: (+1)ibN = -(+1)ibP ibN = -ibP

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CAB 14

Av =
e)

vo RC RC ibN 500 k = = = = 9,5 vi ibP (rP + ( + 1)R E ) rN ibN ( + 1)R E + 2r 52,5 k


=

Ri =

vi vi + ibP R2

vi vi ibN R2
=

vi vi v + o R 2 RC

A 1 + v R 2 RC

1 1 1 + R 2 ( + 1)RE + 2r

R (( + 1)RE + 2r ) R = 1,2 k 2 2

f) El corte de los dos transistores sera simultneo por la igualdad de las corrientes de colector:

iCN = iCP = I C + ic = I C
vCEN = VCEN + vcen VCE ,sat vcen

vo 0 vo I C RC = 10 V RC

La no-saturacin de TN impone:

VCEN + VCE ,sat VCEN = 9,9 V r r vo r = icn RC + icn = vo 1 R 1 C RC

Y la de TP:

r + (1 + 1 )RE R vo E vecp = ibn r + iep RE = icn ( r + (1 + 1 )RE ) = vo RC RC R R vo E VECP + VEC ,sat vo C (VECP VEC ,sat ) 31 V RE RC
Luego el margen dinmico, limitado por la saturacin de TN, es 9,9 Vp 17.
ID VCC R IB

v ECP = VECP + vecp VEC ,sat

a) En continua:

IB =

VCC V BE r kT e kT e = = R R RI B VCC VBE

b) En alterna:

Id Vg

R Ib r C

Z=

Vg Id

I b r + R(I b + I b jCr ) r + R(1 + jCr ) = I b + I b + I b jCr + 1 + jCr

Ib

r << R 1 + jCr 1 + j 0 >> 1 R + jCr = R + j 0


Y tomando el mdulo Z = R

2 + ( 0 )

1 + ( 0 )

2 2

c) En la regin de inters /0 es despreciable frente a y 1 frente a /0:

Z R

0 log( Z R ) log( 0 ) log , que en los ejes pedidos es una recta:


log( Z R )

Z =R

Z =R

0 = 1

0 = + 1

log( 0 )

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