Diodo avalancha Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseado especialmente para trabajar en inversa.

En estos diodos, poco dopados, cuando la tensin en polarizacin inversa alcanza el valor de la tensin de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conduccin por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo elctrico incrementando su energa cintica, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; stos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberndolos tambin, producindose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensin. La aplicacin tpica de estos diodos es la proteccin de circuitos electrnicos contra sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que mientras la tensin se mantenga por debajo de la tensin de ruptura slo ser atravesado por la corriente inversa de saturacin, muy pequea, por lo que la interferencia con el resto del circuito ser mnima; a efectos prcticos, es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensin del circuito por encima del valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra evitando daos en los componentes del circuito. Fotodiodo Smbolo del fotodiodo. Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad Principio de operacin Un foto diodo es una unin P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo,excita un electrn dndole movimento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga

fotogenerados el ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo. Composicin Fotodiodo. El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor. Material Longitud de onda (nm) Silicio 1901100 Germanio 8001700 Indio galio arsnico (In Ga As?) 8002600 sulfuro de plomo <1000 3500 Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno lquido. Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia. Un diodo Gunn es un generador de microondas y no un rectificador como el comn de los diodos. Esta conformado por un semiconductor que genera el llamado efecto Gunn. Usualmente se usan placas de [[arseniuro de galio (Ga As) a las cuales al aplicar una tensin elctrica (mayor a los 3,3 voltios/cm.) que presenta resistencia negativa. Combinado con circuitos resonantes es utilizado para generar oscilaciones de muy alta frecuencia en el rango comprendido entre los 5 y 140GHz. Los diodos Gunn son parte esencial de la mayora de los hornos microondas modernos. Efecto Gunn El efecto fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores. Gunn observ esta caracterstica en el Arseniuro de Galio (Ga As) y el Fsforo de Indio (InP) El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de tensin y corriente y no es afectado por campos magnticos. Cuando se aplica una pequea tensin continua a travs de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (Ga As), sta presenta caractersticas de resistencia negativa. Todo esto bajo la condicin de que la tensin en la plaquita sea mayor a los 3.3 voltios / cm. Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito sintonizado (generalmente una cavidad resonante), se producirn oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador. Este efecto slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los

electrones necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica la tensin continua. Resistencia negativa El Arseniuro de Galio (Ga As) es uno de los pocos materiales semiconductores que en una muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energa vaca ms alta que la ms elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente. Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica una tensin a la plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio (Ga As), los electrones, que el material tiene en exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si se aumenta la tensin, la velocidad de la corriente aumenta. Comportamiento tpico y el grfico tensin-corriente es similar al que dicta la ley de Ohm. Funcionamiento de resistencia negativa: Si a plaquita anterior se le sigue aumentando la tensin, se les comunica a los electrones una mayor energa, pero en lugar de moverse ms rpido, los electrones saltan a una banda de energa ms elevada, que normalmente esta vaca, disminuyen su velocidad y por ende la corriente. De esta manera una elevacin de la tensin en este elemento causa una disminucin de la corriente. Eventualmente, la tensin en la plaquita se hace suficiente para extraer electrones de la banda de mayor energa y menor movilidad, por lo que la corriente aumentar de nuevo con la tensin. La caracterstica tensin contra corriente se parece mucho a la del diodo Tunnel. La aplicacin ms comn es la del oscilador Jun Diodo lser El diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina diodos lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD. Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse cayendo el electrn al hueco y emitiendo un fotn con la energa correspondiente a la banda prohibida (vase semiconductor). Esta emisin espontnea se produce en todos los diodos, pero slo es visible en los diodos LED que tienen una disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una energa de la banda prohibida coincidente con el espectro visible; en el resto de diodos, la energa se disipa en forma de radiacin infrarroja. En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de milisegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada (vase lser), es decir, al producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que el primer fotn. En los diodos lser, el cristal semiconductor tiene la forma de una lmina delgada logrndose as una unin p-n de grandes dimensiones, con las caras

exteriores perfectamente paralelas. Los fotones emitidos en la direccin adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras estimulando a su vez la emisin de ms fotones, hasta que el diodo comienza a emitir luz lser, que al ser coherente debido a las reflexiones posee una gran pureza espectral. Diodo LED Un LED, siglas en ingls de Light-Emitting Diode (diodo emisor de luz) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz monocromtica, es decir, de una sola longitud de onda, cuando se polariza en directa y es atravesado por la corriente elctrica. El color, (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construccin del diodo, pudiendo variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro de luz visible, hasta el infrarrojo, recibiendo stos ltimos la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode). El funcionamiento fsico consiste en que, un electrn pasa de la banda de conduccin a la de valencia, perdiendo energa. Esta energa se manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo [1]. Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED; el voltaje de operacin va desde 1,5 hasta 2,2 voltios aproximadamente, y la gama de intensidades que debe circular por l va desde 10 hasta 20 mA en los diodos de color rojo, y de 20 a 40 mA para los otros LEDs. A (p) C K (n) Representacin simblica del diodo LED El primer LED que emita en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick Holonyak en 1962. Diodo PIN Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una capa n de alta resistividad (). El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como: conmutador de RF resistencia variable protector de sobretensiones fotodetector Fotodiodo PIN El fotodiodo PIN es uno de los fotodetectores ms comunes, debido a que la capa intrnseca se puede modificar para optimizar su

eficiencia cuntica y margen de frecuencia. Conmutador El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para manejar alta potencia. Diodo Schottky El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como knee, o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente. Funcionamiento A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky est constituido por una unin metalsemiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P semiconductor N utilizada por los diodos normales. As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor portador mayoritario. Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles) jugaran un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida. Caractersticas La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,6 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido. La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.

Diodo Shockley Smbolo del diodo Shockley. El 4 en el interior del crculo hace referencia a las 4 capas. Grfica V-I del diodo Shockley Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). Vrb es la tensin inversa de avalancha. Diodo tnel Smbolo del Diodo tnel El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin. Diodo Varicap smbolo del diodo varicap

El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN varie en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V. La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (Oscilador controlado por tensin). En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente. Diodo Zener Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. Smbolo esquemtico El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente smbolo: en cambio el diodo normal no presenta esa curva en las puntas Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de tensin de ruptura. En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo, generalmente de una dcima de voltio. Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante, cuando estn polarizados inversamente, en un amplio rango de intensidades y temperaturas, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin tal y como el mostrado en la figura. Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en la carga (RL) permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la tensin de entrada VS. Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cul puede ser su valor mximo y mnimo, despus elegiremos una resistencia R que se adecue a nuestros clculos.

DIODOS ZENER.- Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e independiente de la corriente que las atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura (tensin de zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW. Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que tenga que disipar. Donde: Rmin es el valor mnimo de la resistencia limitadora. Rmax es el valor mximo de la resistencia limitadora. Vsmax es el valor mximo de la tensin de entrada. Vsmin es el valor mnimo de la tensin de entrada. Vz es la tensin Zener. I Lmin? es la mnima intensidad que puede circular por la carga, en ocasiones, si la carga es desconectable, I Lmin suele tomar el valor 0. I Lmax? es la mxima intensidad que soporta la carga. Izmax es la mxima intensidad que soporta el diodo Zener. Izmin es la mnima intensidad que necesita el diodo zener para mantenerse dentro de su zona zener o conduccin en inversa. La resistencia que elijamos, debe estar comprendida entre los dos resultados que hemos obtenido. DIODOS RECTIFICADORES.- Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando as a los diodos termoinicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentacin como en televisin, aparatos de rayos X y microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones altsimas. En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseo de una placa de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por encima de este valor el encapsulado es metlico y en potencias ms elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION.- La desactivacin de un rel provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido inverso que pone en peligro el elemento electrnico utilizado para su activacin. Un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es ms lenta, as que la frecuencia a la que puede ser activado el rel es ms baja. Se le llama comnmente diodo volante. DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION DE UN DIODO LED EN ALTERNA.- El diodo LED cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensin cae sobre la resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensin se encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.