Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
EES.
Luis A Ramírez P
17.811.609
Nº 29
Bandas de energía en los
sólidos
Modelo de KRONIG-PENNEY
En física del estado solido, el
modelo de Kronig-Penney,
formulado por los físicos Ralph
Kroning y William George Penney,
describe los estados de energía de
un electrón perteneciente a un
cristal. Para esto supone que la
estructura cristalina configura un
potencial periódico, de cambios
Siguiendo el modelo de Kronig-Penney , el
siguiente gráfico representaría la función
potencial de un átomo aislado.
x
-b 0 a
a+b
L=a+b
En el modelo unidimensional de
Kronig-Penney el
potencial presenta discontinuidades
abruptas que, si
Determinación de las funciones de
bloch
La solución del sistema requiere
resolver la ecuación de Schrodinger
sujeta a las condiciones en las
regiones I (V(x) = 0) y II (V(x) = Vo),
resultando:
Región I: Región II:
Luego Los coeficientes A, B, C y D
se obtienen de las condiciones de
continuidad para la función de onda
y su primera derivada, las que
y además:
Aplicando estas condiciones resulta un
sistema de cuatro
ecuaciones cuya solución seria:
La partícula libre:
En el siguiente diagrama de E vs. K se
observan las
bandas de energía permitidas y prohibidas
Donde:
EC : Energía de la banda de
conducción.
EV : Energía de la banda de valencia.
Conducción Eléctrica en los
Sólidos
Modelo de enlace
La siguiente figura, es la
representación bidimensional
del enlace covalente en un
semiconductor para K=0.
El Ge y Si forman enlaces
covalentes, cuando están
en el cero absoluto forman
todos los enlaces. El Si
comparte los electrones
de valencia con sus
niveles mas bajos.
En la siguiente figura se muestra la
ruptura de un enlace covalente:
El Semiconductor Intrínseco
Es un semiconductor ideal, su red
cristalina esta formada solo por
átomos de un mismo tipo (Si o Ge),
no presenta defectos en su
estructura, y sus enlaces covalentes
están completos.
Semiconductor Extrínseco
Es un semiconductor que se le
añaden a su red cristalina cierta
cantidad de impuraza para doparlo o
contaminarlo y modificar su
concentración de portadores. Las
impurezas modifican el nivel de
energía de Fermi, aumentado la
probabilidad de que los portadores
sean excitados a niveles de energía
menores que las necesarias en la
concentración intrínseca. Existen 2
tipos de semiconductores
1. Semiconductores tipo N: la
impureza es pentavalente es decir
5 electrones de valencia donan
electrones al material ya que 4
electrones forman enlaces
covalentes y el otro electrón queda
disponible.
2) Semiconductores tipo P: La
impureza inyectada es trivalente, es
decir 3 electrones de valencia crea
deficiencia en el material ya que
solo tres electrones forman enlaces
covalentes dejando un enlace roto
(hueco) por cada átomo
contaminante.
Para 0° K el semiconductor se
comporta como un aislante, es decir,
los electrones de valencia ocupan
completamente la banda de valencia.
En los semiconductores intrínsecos la
concentración de electrones n = ni y
la concentración de huecos p = pi, y
ni = pi; el producto de las
concentraciones es:
la resistividad ρxx.
La resistividad en función de la
concentración de impurezas para el
silicio a 300 K seria:
Procesos de Recombinación
La recombinación se da a través de 2
procesos físicos, recombinación directa y
recombinación indirecta.
Recombinación Directa: En la
recombinación directa un electrón de la
banda de conducción y un hueco de la
banda de valencia se combinan sin la
participación de ningún estado
intermedio, es decir, se da una transición
vertical entre un electrón cercano a la
parte superior de la banda de valencia y
un hueco cercano a la parte inferior de la
banda de conducción, este proceso emite
A continuación se muestra la
recombinación directa: