POLARIZAO DO FET

1. INTRODUO
Para o transistor de efeito de campo, a relao entre os parmetros de entrada e sada no-
linear devido ao termo quadrtico na equao de Shockley. A relao no-linear entre I
D
e V
GS

pode complicar o raciocnio matemtico necessrio anlise cc de configuraes com FET.
Um mtodo grfico pode limitar bastante a preciso, mas o mtodo mais rpido para a
maioria dos amplificadores a FET.
As relaes gerais que podem ser aplicadas anlise cc dos amplificadores a FET so:
A I
G
0 (1)
e
I
D
= I
S
(2)
Para o JFET e o MOSFET tipo depleo, a equao de Shockley relaciona as variveis de
entrada e sada:
2
1
|
|

\
|
=
P
GS
DSS D
V
V
I I (3)
Para os MOSFET tipo intensificao, a seguinte equao aplicvel:
I
D
= k(V
GS
V
T
)
2
(4)

2. CONFIGURAO COM POLARIZAO FIXA
O mais simples dos arranjos de polarizao para o JFET de canal n mostrado na Figura 1.
Esse arranjo chamado de configurao com polarizao fixa.
A configurao da Figura 1 inclui os valores ca V
i
e V
0
mais os capacitores de acoplamento
(C
1
e C
2
). Lembramos que os capacitores de acoplamento so circuitos abertos para a anlise
cc e baixas impedncias (consideradas curtos-circuitos) para a anlise ca. O resistor R
G
est
presente para assegurar que V
i
aparea na entrada do amplificador FET na anlise ca. Para a
anlise cc:
A I
G
0
e
V
RG
= I
G
R
G
= (0 A)R
G
= 0 V

Figura 1. Configurao com polarizao fixa.
A queda de zero volt atravs de R
G
permite a substituio de R
G
por um curto-circuito
equivalente, que mostrado na Figura 2.
O fato de o terminal negativo da bateria estar conectado diretamente ao potencial positivo de
V
GS
revela que a polaridade de V
GS
oposta de V
GG.
A aplicao da lei de Kirchhoff para
tenses na malha indicada na Figura 2 no sentido horrio resultar em:
-V
GG
V
GS
= 0
e
V
GS
= - V
GG
(5)
Como V
GG
uma fonte cc constante, a tenso V
GS
fixa, da a notao configurao com
polarizao fixa.

Figura 2. Circuito para a anlise cc.
O valor resultante de corrente de dreno I
D
agora controlado pela equao de Shockley:
2
1
|
|

\
|
=
P
GS
DSS D
V
V
I I
Para uma anlise grfica, lembramos que a escolha de V
GS
= V
P
/2 resulta em uma corrente de
dreno de I
DSS
/4 quando o grfico da equao traado.

Figura 3. Grfico da equao de Shockley.
Na figura 4 a reta vertical representa V
GS
= - V
GG
; logo, o valor de I
D
deve ser determinado
sobre essa reta. O ponto de interseo das duas curvas a soluo para a configurao e
geralmente chamado de ponto de operao, ou ponto quiescente (ponto Q).
importante observar que, uma vez montado o circuito da Figura 1, os valores cc de I
D
e V
GS
,
que podem ser medidos como mostra a Figura 5, so os valores quiescentes definidos pela
Figura 4.

Figura 4. Soluo para a configurao com polarizao fixa.
A tenso dreno-fonte do circuito de sada pode ser determinada aplicando-se a lei de Kirchhoff
para tenses:
+ V
DS
+ I
D
R
D
V
DD
= 0
e V
DS
= V
DD
I
D
R
D
(6)

Figura 5. Medindo os valores quiescentes de I
D
e V
GS
.
Lembre-se de que os ndices de uma nica letra indicam uma tenso medida em relao
GND. Para a configurao da Figura 2:
V
S
= 0 v (7)
Utilizando um ndice duplo:
V
DS
= V
D
- V
S

ou
V
D
= V
DS
+ V
S
= V
DS
= 0 V
e
V
D
= V
DS
(8)
Alm disso:
V
GS
= V
G
- V
S

ou
V
G
= V
GS
+ V
S
= V
GS
= 0 V
e
V
G
= V
GS
(9)

EXEMPLO 1
Determine os seguintes parmetros para o circuito da Figura 6.
a) V
GSQ

b) I
DQ

c) V
DS

d) V
D

e) V
G

f) V
S


Figura 6. Exemplo 1.
Soluo
Mtodo matemtico:
a) V
GSQ
= - V
GG
= - 2
b)
2
2
8
2
1 10 1 |

\
|

=
|
|

\
|
=
V
V
mA
V
V
I I
P
GS
DSS DQ

= 10 mA(1 0,25)
2
= 10 mA(0,75)
2
= 10 mA(0,5625)
= 5,625 mA
c) V
DS
= V
DD
I
D
R
D
= 16 V 5,625 mA)(2 k)
= 16 V 11,25 V = 4,75 V
d) V
D
= V
DS
= 4,75 V
e) V
G
= V
GS
= - 2 V
f) V
S
= 0 V
Mtodo Grfico
A curva resultante da equao de Shockley e a reta vertical em V
GS
= - 2 V so fornecidas na
Figura 7. No conseguimos obter uma preciso alm da segunda casa decimal sem aumentar
significativamente o tamanho da figura, mas uma soluo de 5,6 mA do grfico da Figura 7
um valor bastante aceitvel. Portanto, para:
a) V
GSQ
= - V
GG
= -2V
b) I
DQ
= 5,6 mA
c) V
DS
= V
DD
I
D
R
D
= 16 V (5,6 mA)(2k)
= 16 V 11,2 V = 4,8 V
d) V
D
= V
DS
= 4,8 V
e) V
G
= V
GS
= - 2 V
f) V
S
= 0 V
Os resultados confirmam claramente que os mtodos grfico e matemtico geral resultados
bem prximos.

Figura 7. Soluo grfica para o circuito da Figura 6.

3. CONFIGURAO COM AUTOPOLARIZAO
A configurao com autopolarizao elimina a necessidade de duas fontes cc. A tenso de
controle porta-fonte agora determinada pela tenso atravs do resistor R
S
colocada no
terminal da fonte da configurao, como mostrado na Figura 8.



Figura 8. Configurao de JFET com auto polarizao.
J que I
G
= 0 A, o resultado o circuito da Figura 9 para a importante anlise cc.

Figura 9. Anlise cc da configurao com autopolarizao.
A corrente atravs de R
S
a corrente de fonte I
S
, mas I
S
= I
D
e
V
RS
= I
D
R
S

Para a malha indicada na Figura 9, temos:
-V
GS
V
RS
= 0
e
V
GS
= - V
RS

ou
V
GS
= - I
D
R
S
(10)
Observe, nesse caso, que V
GS
funo corrente de sada I
D
, e no mais de amplitude constante.
A equao (10) definida pela configurao do circuito e a equao de Shockley relaciona os
parmetros de entrada e sada do dispositivo.
A soluo matemtica pode ser obtida simplesmente por meio da substituio da Equao (10)
de Shockley:
2
1
|
|

\
|
=
P
GS
DSS D
V
V
I I

2
1
|
|

\
|
=
P
S D
DSS
V
R I
I
ou
2
1
|
|

\
|
+ =
P
S D
DSS D
V
R I
I I
Desenvolvendo-se a equao anterior e reorganizando-se os termos, pode-se obter uma
equao com o seguinte formato:
0
3 2
2
1
= + + K I K I K
D D

Aqui apresentado soluo algbrica para o ponto de polarizao de circuito de auto
polarizao do FET.
A
AC B B
I
D
2
4
2

=
Onde
2
s
R A =
(
(

+ =
DSS
p
s p
I
V
R V B
2
| | 2
2
p
V C =
) ( | | | |
s D D DD DS
R R I V V + = , V
DS
positivo para FET canal N e negativo para um FET canal P
S D GS
R I V = | | , V
GS
negativo para FET canal N e positivo para FET canal P
J o mtodo grfico requer que o primeiro se levante a curva de transferncia do dispositivo,
como a que aparece na Figura 10. Como a Equao (10) define uma linha reta no mesmo
grfico, identificamos dois pontos nele que estejam na linha e simplesmente traamos uma reta
entre eles. A condio mais bvia a ser aplicada I
D
= 0 A, j que ela resulta em V
GS
= I
D
R
S
=
(0 A)R
S
= 0 V. Para a Equao (10), portanto um ponto da reta definido por I
D
= 0 A e V
GS
=
0 V, como mostrado na Figura 10.

Figura 10. Definio de um ponto na reta de autopolarizao.
O segundo ponto para a Equao (10) requer que seja selecionado um valor de V
GS
ou I
D
e que
o correspondente valor da outra quantidade seja determinado pela Equao (10). Os nveis
resultantes de I
D
e V
GS
definiro outro ponto da reta e permitiro o seu traado. Suponhamos,
por exemplo, que I
D
seja igual metade do nvel de saturao. Ou seja:
2
DSS
D
I
I =
ento
2
S DSS
S D GS
R I
R I V = =
O resultado o segundo ponto na reta traada da Figura 11. A linha reta definida pela Equao
(10) traada e o ponto quiescente obtido na interseo da reta com a curva caracterstica do
dispositivo.
O valor de V
DS
pode ser determinado aplicando-se a lei de Kirchhoff para tenses ao circuito
de sada com o seguinte resultado:
V
RS
+ V
DS
+ V
RD
V
DD
= 0
e
V
DS
= V
DD
V
RS
V
RD
= V
DD
I
S
R
S
- I
D
R
D
mas como
I
D
= I
S
temos:
V
DS
= V
DD
I
D
(R
S
+ R
D
) (11)
Alm disso:
V
S
= I
D
R
S
(12)
V
G
= 0 V (13)
e
V
D
= V
DS
+ V
S
= V
DD
V
RD
(14)





Figura 11. Esboo da reta de autopolarizao.
4. POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO
A polarizao por divisor de tenso aplicada tambm aos amplificadores com FET, como
demonstrado pela Figura 21. A anlise cc bastante diferente, I
G
= 0A para os amplificadores
que utilizam TBJN, o valor de I
B
pode afetar os valores de corrente e tenso nos circuitos de
entrada e sada. Lembramos que I
G
o elo entre os circuitos de entrada e sada na configurao
com divisor de tenso para o BJ e V
GS
cumpre esse mesmo papel para a configurao com
FET.
O circuito da Figura 21 redesenhado para a anlise cc, como mostrado na Fiugra 22. a fonte
V
DD
foi separada em duas fontes equivalentes para permitir a distino entre a regio de
entrada e de sada do circuito. Uma vez que I
G
= 0

A, a lei de Kirchhoff para correntes permite
afirmar que I
R1
= I
R2,
e o circuito em srie equivalente que aparece esquerda da figura podem
ser utilizados para determinar o valor de V
G.
A tenso V
G
igual tenso atravs de R
2
pode ser
determinada utilizando-se a regra do divisor de tenso, conforme mostrado a seguir:

Figura 21. Configurao da polarizao por divisor de tenso.

Figura 22. Circuito redesenhado da Figura 21 para anlise cc.
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para tenses no sentido horrio na malha indicada na Figura
22, obtm-se:
V
G
V
GS
V
RS
= 0
e
V
GS
= V
G
- V
RS

Substituindo-se V
RS
= I
S
R
S
= I
D
R
S
, temos:
V
GS
= V
G
I
D
R
S
(16)
O resultado uma equao que inclui as mesmas duas variveis da equao de Shockley: V
GS

e I
D
. As quantidades V
G
e R
S
so fixas pela configurao do circuito. A equao (16) ainda a
equao de uma reta, mas a origem no est mais contida nela. Como so necessrios dois
pontos para se definir uma reta, utilizaremos o fato de que em qualquer ponto no eixo
horizontal da Figura 23, a corrente I
D
= 0 mA. Se selecionarmos ento I
D
= 0 mA, estaremos,
em essncia, em algum ponto do eixo horizontal. A posio exata pode ser determinada
simplesmente substituindo I
D
= 0 mA na Equao (16) e encontrando o valor resultante
I
GS,
como a seguir:
V
GS
= V
G
- I
D
R
S
= V
G
(0 mA)R
S

e

V
GS
= V
G
|I
D
=
0mA
(17)

Figura 23. Esboo da equao do circuito para a configurao com divisor de tenso.
Para o outro ponto, vamos considerar o fato de que, em qualquer ponto do eixo vertical, V
GS
=
0 V e solucionar para o valor resultante de I
D
:
V
GS
= V
G
- I
D
R
S
0 V = V
G
-I
D
R
S
e
V VGS
S
G
D
R
V
I
0
|
=
= (18)
O resultado demonstra que, sempre que traarmos o grfico da Equao (16) com V
GS
= 0 V, o
valor de I
D
ser determinado pela Equao (18). Essa interseo tambm aparece na Figura 23.
Os dois pontos definidos anteriormente permitem o traado de uma linha reta para representar
a Equao (16). A interseo da linha reta com a curva de transferncia na regio esquerda
do eixo vertical define o ponto de operao e os valores correspondentes de I
D
e V
GS.
Como a interseo no eixo vertical determinada por I
D
= V
G
/R
S,
e V
G
fixo devido ao
circuito de entrada, valores crescentes de R
S
reduzem o valor de I
D
na interseo, como
mostrado na Figura 24. Essa figura deixa claro que:
Valores crescente de R
S
resultam em valores decrescentes de I
D
e valores mais negativos de
V
GS
.
Uma vez que sejam determinados os valores de I
D0
e V
GS0,
a anlise restante poder ser feita da
maneira comum. Ou seja:
V
DS
= V
DD
I
D
(R
D
+ R
S
) (19)
V
D
= V
DD
I
D
R
D
(20)
V
S
= I
D
R
S
(21)
2 1
2 1
R R
V
I I
DD
R R
+
= = (22)

Figura 24. Efeito de R
S
no ponto Q resultante.

Soluo Algbrica
A seguir ser apresentada a soluo algbrica geral para o ponto de polarizao de circuitos
usando um FET com polarizao por divisor de tenso

A
AC B B
I
D
2
4
2

=
Onde
2
s
R A =
(
(

+ + =
DSS
p
s G p
I
V
R V V B
2
| | | | 2
( )
2
| | | |
G P
V V C + =
| | | |
2 1
2
DD G
V
R R
R
V
+
=
) ( | | | |
s D D DD DS
R R I V V + = , V
DS
positivo para FET canal N e negativo para um FET canal P
S D G GS
R I V V = | | | | , V
GS
negativo para FET canal N e positivo para FET canal P
EXEMPLO 5.
Determine os seguintes parmetros para o circuito da Figura 25.
a) I
DQ
e V
GSQ

b) V
D

c) V
S

d) V
DS

e) V
DG



Figura 25. Exemplo 5.
Soluo
a) Para a curva de transferncia, se I
D
= I
DSS
/4 = 8 mA/4 = 2 mA, ento VGS = V
P
/2 = -4V/2 =
- 2V. A curva resultante que representa a equao de Shockley aparece na Figura 26. A
equao do circuito definida por:
2 1
2
R R
V R
V
DD
G
+
=

+

=
M M
V k
27 , 0 1 , 2
) 16 )( 270 (

= 1,82 V
e
V
GS
= V
G
- I
D
R
S

= 1,82 V I
D
(1,5 k)
Quando I
D
= 0 mA:
V
GS
= + 1,82 V
Quando V
GS
= 0 V:
mA
k
V
I
D
21 , 1
5 , 1
82 , 1
=

=
A reta de polarizao resultante mostrada na Figura 26 com os seguintes valores quiescentes:
I
DQ
= 2,4 Ma
e
V
GSQ
= - 1,8 V


Figura 26. Determinao do ponto Q para o circuito da Figura 25.
b) V
D
= V
DD
- I
D
R
D

= 16 V (2,4 Ma)(2,4 k)
= 10,24 V
c) V
S
= I
D
R
S
= (2,4 Ma)(1,5 k)
= 3,6 V
d) V
DS
= V
DD
I
D
(R
D
+ R
S
)
= 16 V (2,4 mA)(2,4 k + 1,5 k)
= 6,64 V
ou
V
DS
= V
D
V
S
= 10,24 V 3,6 V
= 6,64 V
e) Embora raramente pedida, a tenso V
DG
pode ser determinada de maneira muito fcil,
utilizando:
V
DG
= V
D
V
G
= 10,24 V 1,82 V
= 8,42 V

5. MOSFET TIPO DEPLEO
A diferena principal entre MOSFET e FET o fato de que o MOSFET tipo depleo
apresenta pontos de operao com valores positivos de V
GS
e valores de I
S
maiores que I
DSS.
Para todas as configuraes discutidas at agora, a anlise a mesma se um JFET for
substitudo por um MOSFET tipo depleo, inclusive as equaes e solues algbricas.
A nica parte da anlise que no foi definida como traar o grfico da equao do Shockley
para valores positivos de V
GS
. Para a regio de valores positivos de V
GS
. Para a regio de
valores positivos de V
GS
e valores de I
D
maiores do que I
DSS,
at que ponto a curva de
transferncia se estende? Para muitas situaes, essa regio ser razoavelmente bem definida
pelos parmetros do MOSFET e pela reta de polarizao resultante do circuito. Alguns
exemplos revelaro o impacto da mudana no dispositivo sobre a anlise resultante.
EXEMPLO 7.
Para o MOSFET tipo depleo de canal n da Figura 30, determine:
a) I
DQ
e V
GSQ

b) V
DS





Figura 30. Exemplo 7.
Soluo
a) Para a curva de transferncia, um ponto no grfico definido por I
D
= I
DSS
/4 = 6 mA/4 =
1,5 mA e V
GS
= V
P
/2 = - 3 V/2 = 1,5 V. Considerando o valor de V
P
e o fato de a equao
de Shockley definir uma curva que cresce mais rapidamente medida que V
GS
se torna
mais positivo, um ponto no grfico ser definido em V
GS
= + 1 V. A substituio na
equao resultar em:
2
1
|
|

\
|
=
P
G
DSS D
V
V
I I
= 6 mA
2
3
1
1
|

\
|

v
v
= 6 mA
2
3
1
1
|

\
|
+ = 6 Ma (1,778)
= 10,67 mA
A curva de transferncia resultante aparece na Figura 31. Procedendo da maneira descrita no
JFET, temos:
Equao (15):
V
M M
V M
V
G
5 , 1
110 10
) 18 ( 10
=
+

=
Equao (16)
V
GS
= V
G
I
D
R
S
= 1,5 V I
D
(750 )
Estabelecer I
D
= 0 mA resulta em:
V
GS
= V
G
= 1,5 V
Estabelecer V
GS
= 0 V produz:
mA
V
R
V
I
S
G
D
2
750
5 , 1
=

= =
Os pontos no grfico e a reta de polarizao resultante aparecem na Figura 31. O ponto de
operao resultante :
I
DQ
= 3,1 Ma
V
GSQ
= - 0,8 V

Figura 31. Exemplo 7.
b) Equao (19)
V
DS
= V
DD
I
D
(R
D
+ R
S
)
= 18 V (3,1 mA)(1,8 k + 750 )
10,1 V

6. MOSFET TIPO INTENSIFICAO
A curva caracterstica de transferncia do MOSFET tipo intensificao bem diferente
daquela obtida para o JFET e o MOSFET tipo depleo, resultando em uma soluo grfica
bem diferente daquela apresentada at agora. Para o MOSFET tipo intensificao de canal n, a
corrente de dreno zero para valores de tenso porta-fonte menores do que o valor de limiar
V
GS(TB)
, como mostrado na Figura 36. Para valores de V
GS
maiores que V
GS(TB)
, a corrente de
dreno definida por:
I
D
= k(V
GS
V
GS(TB)
)
2
(25)

Figura 36. Curva caracterstica de transferncia de um MOSFET tipo intensificao de canal
n.
As folhas de dados geralmente fornecem a tenso de limiar e um valor de corrente de dreno
(I
D(ligado)
) para um valor de V
GS(ligado)
, so definidos dois pontos imediatamente, com mostrado
na Figura 36. Para completar a curva, a constante k da Equao (25) deve ser determinada a
partir dos valores obtidos das folhas de dados substitudos na Equao (25) e resolvidos para k,
conforme indicado a seguir:
I
D
= k(V
GS
V
GS(TB)
)
2

I
D(ligado)
= k(V
GS(ligado)
- V
GS(TB)
)
2

e
( )
( )
2
) (
) (
Tb GS ligado GS
ligado D
V V
I
k

= (26)
Uma vez que k esteja definido, podem-se determinar outros valores de I
D
para valores
selecionados de V
GS.
Geralmente um ponto entre V
GS(Tb)
, e V
GS(ligado)
e outro um pouco maior do
que V
GS(ligado)
oferecem um nmero suficiente de pontos para traar a Equao (25) (observe
I
D1
e I
D2
na Figura 36).

Configurao de Polarizao com Realimentao
Na Figura 37 mostrada uma configurao de polarizao bastante utilizada para o MOSFET
tipo intensificao. O resistor R
G
oferece um alto valor de tenso porta do MOSFET,
ligando-o. Uma vez que I
G
= 0 mA e V
RG
= 0 V, o circuito cc equivalente tem a forma
mostrada na Figura 38.
Agora existe uma conexo direta entre dreno e porta, o que resulta em:
V
D
= V
G

E V
DS
= V
GS
(27)

Figura 37. Configurao de polarizao com realimentao.


Figura 38. Equivalente cc do circuito da Figura 37.

Para o circuito de sada:
V
DS
= V
DD
- I
D
R
D

que, com a utilizao da Equao (27), torna-se:
V
GS
= V
DD
- I
D
R
D
(28)
O resultado uma equao que relaciona as mesmas duas variveis, com na Equao (25),
permitindo o traado de ambas no mesmo conjunto de eixos.
Como a Equao (28) representa uma linha reta, pode-se empregar o mesmo procedimento
descrito anteriormente para determinar os dois pontos que definem o traado no grfico.
Substituindo I
D
= 0 mA na Equao (28), obtemos:
V
GS
= V
DD
|
ID = 0 mA
(29)
Substituindo V
GS
= 0 V na Equao (28), obtemos:
V VGS
D
DD
D
R
V
I
0
|
=
= (30)
Os grficos definidos pelas Equaes (25) e (28) aparecem na Figura 39 com o ponto de
operao resultante.



Figura 39. Determinao do ponto Q para o circuito da Figura 37.

Equaes
Soluo algbrica geral para o ponto de polarizao dos circuitos NMOS e PMOS com
polarizao por realimentao


A
AC B B
I
D
2
4
2

=
Onde
2
D
R A =
(

+ =

1
|) | | (| 2
D T DD
R V V B
( )
2
| | | |
T DD
V V C =
) | | | | | |
D D DD GS DS
R I V V V = = , positivo para NMOS e negativo para PMOS

EXEMPLO 11
Determine I
DD
e V
DSQ
para o MOSFET tipo intensificao da Figura 40.

Figura 40. Exemplo 11.
Soluo
Grfico da curva de transferncia:
Dois pontos so definidos imediatamente, como mostrado na Figura 41. Resolvendo para k:
Equao (26):
2
) (
) (
) (
Tb GS
ligado GS
ligado D
V V
I
k

=

2
3
2
/
25
10 6
) 3 8 (
6
V A
V V
mA

=
= 0,24 X 10
-3
A/V
2
Para V
GS
= 6 V (entre 3 V e 8 V):
I
D
= 0,24 X 10
-3
(6 V 3 V)
2
= 0,24 x 10
-3
(9)
= 2,16 mA
como mostrado na Figura 41. Para V
GS
= 10 V (um pouco maior do que V
GS(Tb)
:
I
D
= 0,24 X 10
-3
(10 V 3 V)
2
= 0,24 x 10
-3
(49)
= 11,76 mA
como tambm mostrado na Figura 41. Os quatro pontos so suficientes para traar toda a
curva na faixa de interesse, conforme indicado nessa mesma figura.

Figura 41. Grfico da curva de transferncia para o MOSFET da Figura 40.
Para a reta de polarizao do circuito:
V
GS
= V
DD
- I
D
R
D
= 12 V - I
D
(2 k)
Equao (29):
V
GS
= V
DD
= 12 V|
ID = 0 mA
Equao (30)
V
V
D
DD
D
GS
mA
k
V
R
V
I
0
| 6
2
12
=
=

= =
A reta de polarizao resultante aparece na Figura 42.


Figura 42. Determinao do ponto Q para o circuito da Figura 40.
No ponto de operao:
I
DQ
= 2,75 mA
e
V
GSQ
= 6,4 V
com
V
DSQ
= V
GSQ
= 6,4 V

Configurao de Polarizao com Divisor de Tenso
Na Figura 43 mostrada outra configurao de polarizao muito utilizada, para o MOSFET
tipo intensificao. O fato de que I
G
= 0 mA resulta na equao a seguir para V
GG,
que nada
mais do que a aplicao da regra do divisor de tenso.
2 1
2
R R
V R
V
DD
G
+
= (31)
A aplicao da lei de Kirchhoff para tenses ao longo da malha indicada na Figura 43 resulta
em:
+ V
G
- V
GS
V
RS
= 0
e
V
GS
= V
G
V
RS

ou
V
GS
= V
G
- I
D
R
S
(32)
Para a seo de sada:
V
RS
+ V
DS
+ V
RD
V
DD
= 0
e
V
DS
= V
DD
V
RS
V
RD
ou
V
DS
= V
DD
I
D(
R
S
+ R
D
) (33)

Figura 43. Configurao com polarizao por divisor de tenso para um MOSFET de
intensificao de canal n.
Como a curva caracterstica representa um grfico de I
D
versus V
GS
e a Equao (32) relaciona
as mesmas duas variveis, as duas curvas podem ser traadas no mesmo grfico e a soluo
pode ser determinada na interseo. Uma vez que I
DQ
e V
GSQ
sejam conhecidos, todos os
demais parmetros do circuito, com V
DS
, V
D
e V
S
podem ser determinados.
Equaes
Soluo algbrica geral para o ponto de polarizao dos circuitos NMOS e PMOS com
polarizao por divisor de tenso
A
AC B B
I
D
2
4
2

=
| | | |
2 1
2
DD G
V
R R
R
V
+
=
Onde
2
s
R A =
(

+ =

1
|) | | (| 2
S T G
R V V B
( )
2
| | | |
T G
V V C =
) ( | | | |
s D D DD DS
R R I V V + = , V
DS
positivo para FET NMOS e negativo para um FET
PMOS
S D G GS
R I V V = | | | | , V
GS
positivo para FET NMOS e negativo para um FET PMOS
EXEMPLO 12
Determine I
DQ
, V
GSQ
e V
DS
para o circuito da Figura 44.


Figura 44. Exemplo 12.
Soluo
Circuito
Equao (31):
V
M M
V M
R R
V R
V
DD
G
18
18 22
) 40 )( 18 (
2 1
2
=
+

=
+
=
Equao (32)
V
GS
= V
G
I
D
R
S
= 18 V - I
D
(0,82 k)
Quando I
D
= 0 mA:
V
GS
= 18 V (0 mA)(0,82 k) = 18 V
como mostra a Figura 45. Quando V
GS
= 0 V:
V
GS
= 18 V - I
D
(0,82 k)
0 = 18 V - I
D
(0,82 k)
mA
k
V
I
D
95 , 21
82 , 0
18
=

=
como mostra a Figura 45. Quando V
GS
= 0 V:

Figura 45. Determinao o ponto Q para o circuito do Exemplo 12.
Dispositivo:
V
GS(Tb)
= 5 V, I
D(ligado)
= 3 mA com V
G(ligado)
= 10 V
Equao (26)
2
) ( ) (
) (
(
Tb GS ligado GS
ligado D
V V
I
k

=

2 3
2
/ 10 12 , 0
) 5 10 (
3
V A X
V V
mA

=

=
I
D
= k(V
GS
- V
GS(Tb)
)
2

= 0,12 X 10
-3 (
V
GS
5)
2

que traado no mesmo grfico (Figura 45). Da Figura 45:
mA I
DQ
7 , 6
GSQ
V = 12,5 V
Equao (33):
V
DS
= V
DD
- I
D
(R
S
+ R
D
)
= 40 V (6,7 mA)(0,82 k + 30 k)
= 40 V 25,6 V
= 14,4 V

7. TABELA RESUMO
Agora que j foram introduzidas as configuraes mais utilizadas para os diversos dispositivos
FETs, na Tabela 1 so revistos os principais resultados e as semelhanas existentes entre as
abordagens para as vrias configuraes. Alm disso, mostrado que, de maneira geral, a
anlise das configuraes cc para os FETs no to compelxa. Uma vez que esteja
estabelecida a curva caracterstica de transferncia, pode-se desenhar a reta de autopolarizao
do circuito e determinar o ponto Q na interseo. Para o restante da anlise, so aplicadas
simplesmente as leis bsicas de anlise de circuitos.

Tabela 1. Configuraes de polarizao para o FET