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Eletrnica
SEMICONDUTORES
1 - Estrutura Atmica 2 - Nveis De Energia 3 - Tipos De Materiais 4 - Semicondutor Intrnseco 5 - Semicondutor Extrnseco
5.1 - Semicondutor Tipo N 5.2 - Semicondutor Tipo P
6 - diodo
6.1-A Juno PN 6.2-Smbolo do diodo 6.3-A Juno PN Inversamente Polarizada 6.4-A Juno PN Diretamente Polarizada
1-Estrutura do tomo
Partculas que constituem um tomo: Proto (carga positiva) Eletro (carga negativa) Neutro (partcula neutra do ponto de vista eltrico) A carga de um tomo neutra. A carga dos protes e neutres contrabalana a dos eletres. Para descrever o tomo utiliza-se um modelo simplificado: tomo = ncleo + eletres distribudos por rbitas Ncleo constitudo por protes e neutres Os eletres movem-se volta do ncleo em rbitas
+14
1-Estrutura Atmica
A rbita exterior designada por rbita de valncia e a que assume maior importncia no mbito dos fenmenos qumicos e fsicos Os eletres que se encontram nesta rbita so designados por eletres de valncia Ex: O tomo de silcio (nmero atmico 14)
14 eletres e 14 protes
+14
A rbita de valncia possui 4 eletres (Grupo IV) 4 eletres de valncia <=> silcio tetravalente
A cada rbita est associado um nvel de energia Para um eletro se deslocar para uma rbita mais exterior necessrio fornecer energia. Quando um eletro se desloca para uma rbita mais interna libertada energia. A energia pode ser transferida (fornecida ou libertada) sob a forma de calor, luz ou uma outra radiao.
3
2-Nveis de Energia
Os tomos encontram-se na natureza no isolados mas associados. Formam estruturas cristalinas. Esta associao surge devido a uma partilha entre tomos vizinhos dos eletres de valncia.
+4 +4 +4 +4
+4
+4
+4
+4
Estrutura Cristalina
O que diferencia os cristais na natureza a sua distribuio dos nveis de energia (ex: condutores ou isoladores)
4
3-Tipos de Materiais
Matria (classificao do ponto de vista eltrico):
Condutores Semicondutores Isoladores
Os eletres que orbitam em torno dos tomos de uma substncia podem ser agrupados em funo da energia que possuem. Existem trs Bandas de Energia (para os eletres): Banda de Conduo Banda Proibida Banda de Valncia eletres semi livres partilhados por mais do que um tomo eletres de valncia que adquiriram energia suficiente para circular livremente pela estrutura
Os eletres no podem estar na Banda Proibida Quando se fornece energia aos eletres eles podero saltar (se a energia for suficiente) para a Banda de Conduo 5
3-Tipos de Materiais
Condutor
Banda de Conduo Sobreposio da Banda de Conduo e da Banda de Valncia Banda de Valncia
No existe Banda Proibida Banda de Conduo e de Valncia esto sobrepostas Os eletres esto livres para se movimentarem na estrutura quando surgir um campo eltrico.
Isolador
Banda de Conduo Banda Proibida Banda de Valncia
Banda Proibida muito grande e de elevada energia (6eV) A energia fornecida quase sempre insuficiente para que os eletres saltem para a Banda de Conduo
6
3-Tipos de Materiais
Semicondutor
Banda de Conduo Banda Proibida Banda de Valncia
Banda Proibida relativamente pequena e de baixa energia (1eV) Se os eletres adquirirem energia suficiente para passarem banda de conduo o material fica com as propriedades de um condutor. A baixas temperaturas comportam-se como isoladores Ex de semicondutores:
4-Semicondutor Intrnseco
Semicondutor Intrnseco s tem um tipo de tomos
4-Semicondutor Intrnseco
+4 +4 +4 +4
+4
+4
+4
+4
Baixas temperaturas
(seco de um semicondutor)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Os eletres movem-se livremente na estrutura cristalina. O movimento aleatrio e a corrente mdia nula. 9
4-Semicondutor Intrnseco
Quando se aplica uma ddp ou campo eltrico aos extremos de um semicondutor os eletres passam a ter um movimento orientado. deslocam-se no sentido contrrio ao do campo eltrico ( + - ) Este movimento mdio define uma corrente. Quando se solta um eletro o tomo fica instvel e atrai outro eletro o que faz com que haja tambm um movimento de lacunas Surge assim uma corrente originada por dois fenmenos. O movimento de: Eletres livres Lacunas
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4-Semicondutor Intrnseco
O movimento de lacunas contrrio ao movimento de eletres Nos semicondutores intrnsecos o nmero de eletres livres e/ou
de lacunas o mesmo e muito reduzido
5-Semicondutor Extrnseco
5.1-Semicondutor tipo n
Dopagem com tomos do Grupo V (5 eletres na rbita de valncia)
Antimnio (Sb) Fsforo (P) Arsnico (As)
Quando se ligam a tomos do Grupo IV (Si) o quinto eletro fica livre Estes eletres livres constituem portadores maioritrios no semicondutor tipo n
+4 +4 +4 +4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+5
+4
+4
+4
+4
+4
5.2-Semicondutor tipo p
Dopagem com tomos do Grupo III (3 eletres na rbita de valncia)
Boro (B) Glio (Ga) ndio (In)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+4
+4
+4
Impureza
14
6-diodo
DIODO
15
6.1-A juno pn
regio tipo p
ies aceitadores (-) lacunas
regio de depleo
regio tipo n
ies dadores (+) eletres
Os eletres fluem inicialmente para o lado P da juno. Perto da juno os portadores (eletres livres e lacunas) recombinam-se formando uma regio de depleo onde apenas existem ies.
16
6.1-A juno pn
6.2-Smbolo do Dodo
ctodo
nodo
17
A polaridade da fonte
de tenso favorece o aumento da zona de depleo.
Diminui o fluxo de portadores maioritrios atravs da juno Barreira de potencial aumenta Se a tenso inversa for muito elevada os pares eletro lacuna
adquirem tal energia que no seu deslocamento destroem o semicondutor 18
A polaridade da fonte
favorece a diminuio da zona de depleo.
Exemplo interativo
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
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Exemplos de diodos
21
Bibliografia
Albert Paul Malvino, Princpios de Eletrnica pgina 32 a 53 Antnio J. G. Padilla, Eletrnica Analgica pgina 313 a 320 Jacob Millman, Arvin Grabel, Microelectronics pgina 21 a 42 e 46 a 50
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Eletrnica
DIODOS SEMICONDUTORES
1 -Dodo 2-Diodo de Zener 3-LEDs (Dodos Emissores De Luz) 4-Foto diodos 5-Circuitos Limitadores
5.1-Limitador Superior 5.2-Limitador Inferior 5.3-Limitador a Dois Nveis 5.4-Limitadores com diodos Zener 6-Circuitos Retificadores 6.1-Rectificador De Meia Onda 6.2-Rectificador De Onda Completa 6.3-Filtragem (Por Condensador) 6.4-Cuidados a ter
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Smbolo do diodo
nodo ctodo
(grfico V / I)
VD
Na anlise de circuitos com diodos usam-se modelos equivalentes, onde se toma em considerao:
Tenso de limiar V Resistncia direta do diodo ron Resistncia inversa do diodo roff
25
VD
Esta aproximao aplica-se somente quando se faz uma anlise pouco rigorosa do comportamento dos circuitos Se o diodo est ON tem como modelo equivalente um curto circuito Se est OFF o modelo equivalente um circuito aberto
26
Se o diodo est ON tem como modelo equivalente uma fonte de tenso de valor V Se est OFF o modelo equivalente um circuito aberto
V
27
Se o diodo est ON tem como modelo equivalente uma fonte de tenso de valor V em srie com uma resistncia ron Se est OFF o modelo equivalente um circuito aberto
ron
28
diodo Zener
Os diodos Zener so diodos desenhados para operar quer
diretamente quer inversamente polarizados.
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Smbolo Caracterstica V / I
I
Vz V VD
Parmetros
V (tenso de limiar) 0.7V para o Si VZ (tenso de zener) 3.3V, 3.9V, 6.2V, 9.1V, 16V, (depende do componente em causa)
31
R Vi
VD
32
Se a corrente IZ se mantiver dentro de certos limites a tenso Vo ser praticamente constante e igual a VZ Se a tenso Vi variar de modo que a corrente IZ esteja dentro dos limites (I1, I2) Vo mantm-se constante e igual a VZ
Vz I V I1 I2
33
Como a corrente que circula pelo Zener neste ponto IZT, a tenso sobre ele tambm mudar, embora ligeiramente (caracterstica quase linear):
V = rz I
rZ a resistncia dinmica (ou incremental) do diodo no ponto de operao Q. Quanto menor o valor de rZ, mais constante ser a tenso de zener com as variaes da sua corrente , e portanto mais o seu funcionamento se aproxima do 34 ideal.
35
Vz
O zener equivalente a uma fonte de tenso de valor VZ. Esta aproximao no considera a resistncia dinmica do diodo. 2 APROXIMAO rz= tem um valor VZ = valor especfico de cada zener
Vtotal Vz rz
O zener equivalente a uma fonte de tenso de valor VZ. em srie com a resistncia dinmica do diodo. Vtotal = VZ + rZ I Z
36
3- LEDs
LED (Ligth Emitting Diode) diodos Emissores de Luz
No diodo led a energia libertada quando se quebra uma ligao covalente no cristal, no toda dissipada sob a forma de calor. Parte da energia libertada aparece sob a forma de radiao, sendo para o efeito dopado de uma forma especial. Existem determinados materiais em que esta libertao de energia efetuada sob a forma de luz (fosforeto de glio (GaP), arsenofosforeto de glio (GaAsP)). O processo de produo de luz por aplicao de uma fonte de energia eltrica designa-se por eletroluminescncia. O LED fabricado com base neste processo (apenas emite luz quando diretamente polarizado)
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3- LEDs
O diodo led emite luz quando polarizado diretamente. Existem LED's de vrias
cores
vermelho verde amarelo assim como na zona dos infravermelhos (luz no visvel ao olho humano)
3- LEDs
Os leds tm diversas aplicaes no campo da eletrnica, nomeadamente:
Na substituio de pequenas lmpadas piloto de incandescncia e de gs. Sistemas eletrnicos de pequena potncia (como indicadores de luz), fabrico de mostradores luminosos (por ex. displays de sete segmentos, usados nos mostradores das mquinas calculadoras) Aparelhos de medida. Recetores de rdio etc.
4- Foto diodo
Vg
Intensidade luminosa
40
B A 548
S ilc io D o d o d e b a ix a p o t n c ia N d e s r ie
Nomenclatura Americana
baseia-se somente numa referncia, constituda por um dgito seguido de
uma letra e um nmero de srie. Exemplo: 1N4007 (juno de silcio da srie 4000)
41
42
5- Circuitos Limitadores
So circuitos que restringem o sinal de entrada. Usados para: proteo de circuitos sinalizao de determinados nveis Os limitadores podem atuar: Superiormente Limitador Superior Inferiormente Limitador Inferior Superiormente e inferiormente Limitador a dois nveis
43
Se Vs<VR diodo ON
V0=Vs
VR
VR
m=1
Vi
Curva de Transferncia
A curva, caracterstica ou funo de transferncia relaciona a tenso de sada com a de entrada. Esta caracterstica pode ser usada para obter o sinal de sada 44 se se conhecer o de entrada.
Vo
V0=Vs V0=VR
Vs
R VR
Vo
m=1
VR
VR
Vi
Curva de Transferncia
45
VR2>VR1
R D2 D1 Vo VR2 VR1
Vs
D2
D1 Vo
Vs VR2 VR1
Se Vs>VR2 D1 OFF, D2 ON
V0=VR2 (a sada toma o valor de VR2)
R Vs
D2
D1 Vo
VR2
VR1
46
VR2
m=1
47
R vi(t)
Vz
Vo
Vz -Vg t
vo(t)
48
vo(t)
A B C
rz Vz vo(t)
D On vi(t)
ron Vg vo(t)
A B C
vo = vi
vo =
V < vi < VZ
rZ R vi + VZ R + rZ R + rZ
ron R vi V R + ron R + ron
vi VZ
vo VZ
vo =
vo V
vi V
49
R
Vz
D1 vo(t)
Vz
vi(t) D2
Vi
50
6- Circuitos Retificadores
Retificar obter uma tenso com um s sentido e de valor mdio no nulo Converter tenses alternadas em tenses contnuas Quando se pretende ter um valor mdio mais alto e uma ondulao menor
coloca-se na sada do retificador um filtro (um condensador)
vi(t) ac
vi(t) VMax 0 2 3 4 = wt
vo(t) RECTIFICADOR dc
vo(t) VMax 0 2 3 4 = wt
Retificadores de:
meia onda onda completa
transformador com ponto mdio ponte de diodos
51
~220v
vi(t)
RL vD(t) i(t)
O diodo conduz nas alternncias positivas do sinal. A corrente na resistncia circula sempre no mesmo sentido. A tenso V0 sempre positiva.
vi(t) V Max 0 i(t) IMax 0
52
I DC
1 = 2
1 2
1 i d = 2
I
0
M ax
s in
d
( 1) ]
I DC =
P o rta n to
[ I M ax c o s
I M ax
]0
I M ax [1 2
I DC =
V a lo r m d io d a te n s o e m R L
VDC = I DC
RL =
I M ax
RL =
V M ax
53
D2
v2(t) V M ax 2 3 4 = wt 0 2 3 4 = wt
i(t) I M ax 0
= wt
54
I DC =
2 I Max
2 I Max
VDC = I DC RL =
RL =
VDC =
2 VMax
A retificao de onda completa mais eficiente que a de meia onda j que o valor mdio do sinal retificado o dobro.
55
V = 0 R on = 0 R off =
v i( t) V M ax
= w t
I DC =
Valor mdio da tenso
2 I Max
2 I Max RL
v o (t) V M ax
VDC = I DC RL =
0 2 3 4 = w t
VDC =
2 VMax
57
A tenso de sada produzida pelos circuitos retificadores discutidos anteriormente tem uma natureza pulsada o que a torna inadequada como tenso de alimentao contnua para circuitos eletrnicos. Uma forma simples de reduzir a variao da tenso ligar um condensador em paralelo com a resistncia de carga. Assim reduzimos substancialmente as variaes nas tenses de sada.
58
~220v
vi(t)
D C
RL
vo(t)
v i(t) V M ax
= w t
Coloca-se um condensador em paralelo com a carga O condensador: carrega durante o perodo de conduo do dodo descarrega para a carga quando o dodo no conduz
vi(t)
v o (t) V M ax
0 t0 t1 i(t ) IM ax
2
t2
= w t
0 t0 t 1
2
t2
= w t
59
vi(t) V M ax
= wt
vo(t) V M ax
VR
T1T2
= wt
60
Expressar VR em funo da corrente de carga e da capacidade Considerando que T2 o tempo que o condensador est a fornecer corrente carga o condensador descarrega com uma corrente constante IDC Aproximando as curvas a rectas o total de carga perdida ser
Q = I DC T2
Variao da tenso no condensador
V =
Q C
V =
I DC T2 C
(**)
61
1 T2 = = 2 2f
f a frequncia da tenso alternada (transformador) Substituindo em (**)
V = V R =
Substituindo em (*)
I DC 2fC
VDC = VMax
I DC 4 f C
A tenso de ripple varia directamente com a corrente na carga e inversamente com a capacidade do condensador e / ou a frequncia no transformador
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I DC
en to
V DC = RL
V DC f R
V D C = V M ax
p o rtan to
V DC =
(4 (4
f
f RL
RL C
C) + 1)
V M ax
63
64
Eletrnica
Bibliografia
Albert Paul Malvino, Princpios de Eletrnica pgina 64 a 81, 92 a 129 e 146 a 168 Antnio J. G. Padilla, Eletrnica Analgica pgina 73 a 86 e 97 a 101 Jacob Millman, Arvin Grabel, Microelectronics pgina 50 a 76
65