Tema 2: Estructura cristalina y sus defectos

Celda unitaria ndices de Miller Planos compactos y apilamiento de planos Defectos: de punto, lnea y superficie

Ciencia e ingeniera de materiales

La materia
Conjunto de los estados de equilibrio que pueden ser adoptados por un cuerpo variando sus propiedades de forma continua.
Orden de corto alcance Sin orden

Estados de agregacin: gaseoso, lquido y slido. Gaseoso carece de estabilidad de volumen y de estabilidad de forma. Lquido tienen estabilidad de volumen pero no estabilidad de forma. Slido presenta estabilidad de forma y estabilidad de volumen.

Gases

Lquidos

Orden de corto alcance: Vidrio amorfos tema 2

Slidos

Metal

Orden de largo alcance: cristalinos

Cristales
Cuerpos en que los iones o molculas adoptan posiciones de equilibrio fijas y ordenadas regularmente en el espacio. Si se considera la lnea determinada por los centros de dos molculas o iones consecutivos, se encuentran a lo largo de ella otras molculas o iones idnticos, separados por iguales intervalos. Los puntos que definen las posiciones de esas partculas materiales constituyen as una red tridimensional caracterstica de la estructura cristalina del cuerpo de que se trate. El estudio de las estructuras cristalinas de los slidos (con dimensiones y caractersticas especficas) se sistematiza refirindolas a las redes espaciales posibles. El concepto de red espacial es puramente geomtrico. Se llama red espacial a una distribucin tridimensional de puntos, ordenados de tal forma que cada punto de la red tiene alrededores idnticos.
tema 2 4

Redes espaciales: redes de Bravais

Los tomos en un slido estn empaquetados existiendo un cierto grado de orden: de corto alcance de largo cristalinos) alcance (slidos

La geometra de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de tomos sin dejar huecos, caracterstica que hace que slo existan 14 tipos de redes posibles (redes de Bravais).

tema 2

Redes de Bravais
Cada red est caracterizada por una celda unitaria, que, a su vez viene definida por una serie de parmetros a, b, c y , , parmetros de red

tema 2

Sistemas cristalinos
SISTEMA CRISTALINO
CBICO a=b=c = = = 90 Simple HEXAGONAL a=bc = = 90 = 120 Centrada en el Cuerpo Centrada en las Caras

REDES DE BRAVAIS

MONOCLNICO abc = = 90 Simple Centrada en las Bases

ORTORRMBICO abc = = = 90 tema 2

Simple

Centrada en las Bases

Centrada en el Cuerpo

7 Centrada en las Caras

Sistemas cristalinos
SISTEMA CRISTALINO
ROMBODRICO a=b=c = = 90

REDES DE BRAVAIS

TETRAGONAL a=bc = = = 90 Simple Centrada

TRICLNICO abc 90

tema 2

Celdillas unidad de las principales estructuras cristalinas metlicas

Comencemos por estudiar las principales estructuras cristalinas de los metales. El 90% de ellos al solidificar cristalizan en:

Cbica centrada en el cuerpo (BCC)

tema 2

Cbica centrada en las caras (FCC)

Hexagonal compacta (HCP)

9

Celdillas unidad de las principales estructuras cristalinas metlicas

Red cbica centrada en el cuerpo (BCC) Un tomo en cada vrtice del cubo y otro en el centro del mismo. El tomo central es tangente a todos los dems.

tema 2

10

Celdillas unidad de las principales estructuras cristalinas metlicas

Red cbica centrada en las caras (FCC) Un tomo en cada vrtice del cubo y un tomo en el centro de cada cara. Los tomos de las esquinas son tangentes a los de los centros de las caras, pero no entre s.

tema 2

11

Celdillas unidad de las principales estructuras cristalinas metlicas

Red hexagonal compacta (HCP) Un tomo en cada vrtice del prisma hexagonal, otro en el centro de las bases y tres ms en un plano intermedio. En realidad surge como superposicin de las tres celdas unitarias de la figura.

tema 2

12

Caractersticas de red o celda

Nmero de coordinacin es el nmero de vecinos ms cercanos. Indica el grado de empaquetamiento de la celda. Nmero de tomos por celda unidad es la suma del nmero de tomos por posicin dividido por el nmero de celdas que comparte cada tomo. Direcciones compactas son las direcciones de la celda a lo largo de las cuales los tomos estn en contacto densidad lineal Se utilizan para calcular el radio atmico en relacin con el parmetro de red (tamao aparente del tomo en relacin con la celda unidad) Planos compactos son los planos de la celda en los cuales los tomos estn en contacto densidad planar Planos y direcciones compactas estn relacionadas con los mecanismos de deformacin de los materiales.
13

tema 2

Caractersticas de red o celda

Fraccin volumtrica de empaquetamiento (FVE) indica la fraccin de espacio de la estructura cristalina que est ocupada por tomos:

(FVE) = vol. de los tomos / vol. de la celda unitaria

La fraccin volumtrica est relacionada con la densidad. Los metales que tengan una fraccin volumtrica mayor su densidad tambin lo ser siempre que se tenga en cuenta la masa del material. A igual masa ser ms denso el que tenga mayor FVE. La densidad se puede determinar conociendo la estructura cristalina del metal y su masa atmica:

= masa de los tomos por celda unitaria / volumen de la celda unidad

tema 2 14

Ejercicios
Calcular el nmero de tomos por celda unidad en cada una de las principales estructuras cristalinas metlicas.

1 + 8 x 1/8 = 2
tema 2

6 x 1/2 + 8 x 1/8 = 4 3 + 2 x 1/2 + 12 x 1/6 = 6

15

Ejercicios
Calcular el nmero de coordinacin en cada una de las principales estructuras cristalinas metlicas.

tema 2

El tomo central est rodeado por 8 tomos

El tomo 5 est rodeado por 12 tomos

El tomo (rojo) est rodeado por 12 tomos (azules) 16

Ejercicios
Calcular el parmetro de red y el volumen en funcin del radio atmico en las siguientes estructuras cristalinas:

tema 2

17

Ejercicios
Calcular el parmetro de red y el volumen en funcin del radio atmico en las siguientes estructuras cristalinas:

a 0 = 2r
3 V = a0 = 8r 3
tema 2

4r = 3a 0 a 0 =
43 3 V = r 3 3

4r 3

4r = 2a0 a0 = 2
V = 2 2r

2r
18

= 16 2r 3

Ejercicios
Calcular la densidad del Fe BCC:

=
Para el Fe:

peso de tomos por celda = volumen de la celda Vceldilla

Pat NA

55,85g / mol x 2 4 R 6.02 10 23 at / mol 3

3

= 7.88 g / cm3

con RFe= 2.866 x 10-8 cm Pat= 55,85 g.mol-1

tema 2

19

Ejercicios
Calcular el factor de empaquetamiento y la densidad de las celdas unidad BCC y FCC:
FEA = (n tomos)(vol.tomos) vol.celda

4 2 R 3 = 0.68 3 FEA = 3 4 R 3
68% del volumen del cubo
tema 2

4 3 4 R 3 = 0.74 FEA = 3 2 2R

74% del volumen del cubo

20

Celdillas unidad de las principales estructuras cristalinas metlicas

tema 2

21

Indices de Miller
Ciertos planos y direcciones de la celda unidad son de particular importancia a la hora de explicar las propiedades de los materiales. Posicin cristalogrfica: terna coordenadas x, y, z. Plano cristalogrfico: tres puntos cualesquiera de la red, no alineados. Otra terna cualquiera de puntos con igual disposicin relativa determinar otro plano paralelo al anterior, se tratar de un plano equivalente. La cualidad definitoria de un plano cristalogrfico es su orientacin con respecto al sistema de referencia (vector normal). Direccin cristalogrfica: Dos puntos cualesquiera de la red. Otra paralela definida por dos puntos homlogos tendr el mismo significado que otra. La cualidad caracterstica de las direcciones cristalogrficas es su orientacin. Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los ndices de Miller, para planos (hkl), para direcciones [hkl].
22

tema 2

Notacin de las posiciones cristalogrficas

tema 2

23

Notacin de los planos cristalogrficos

Ejem1: Consideremos una celda elemental cbica. Paso 1: Considerar un plano cualquiera de la serie y medir las longitudes de los segmentos que sus intersecciones con los ejes determinan sobre ellos, a partir del origen, empleando como mdulo para cada medida la longitud de la arista correspondiente. En este caso la interseccin con el eje x tiene lugar en x=a y la superficie es paralela a los ejes y, z (consideramos que los corta en ). Los cortes son a, , . Paso 2: Calcular los recprocos de esas longitudes. Son 1/a, 0, 0. Paso 3: Buscar los tres menores nmeros enteros que estn en la misma relacin que esos recprocos. Encerrados entre parntesis constituyen los ndices de la serie correspondiente. Por tanto el plano del dibujo es el (100) del cristal cbico.
tema 2 24

Notacin de los planos cristalogrficos

Ejem2: La superficie (110) 1) cortes: a, a, ; 2) recprocos: 1/a,1/a, 0; 3) ndices de Miller: (110)

Ejem3: La superficie (111) 1) cortes: a, a, a ; 2) recprocos: 1/a,1/a,1/a; 3) ndices de Miller: (111)

tema 2 25

Notacin de los planos cristalogrficos

Los ndices de Miller encerrados entre parntesis designan solamente a una serie de planos paralelos. Ejem: (100) = (100) + (200) + (300) + (1 00) + Encerrados entre llaves representan todas las series de planos que son cristalogrficamente equivalentes (permutando h, k y l con todos los ndices positivos y con uno, dos o los tres ndices negativos). El smbolo { } representa el conjunto de las tres series: Ejem: {100} = (100) + (010) + (001) {110} = (110) + (101) + (011) + (11 0) + (10 1) + (011)

Los ndices negativos se nombran en la direccin -x, -y, -z.

26

tema 2

Notacin de los planos cristalogrficos

tema 2

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Notacin de los planos cristalogrficos

tema 2

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Notacin de las direcciones cristalogrficas

Paso1: determinar dos posiciones que estn en esa direccin. Ejem1: 0,0,0 y 1,1,1 Ejem2: 0,0,0 y -2,-1,-3 Paso 2: Se restan las coordenadas de las posiciones final e inicial. Ejem1: 1-0,1-0,1-0 1,1,1 Ejem2: -2-0,-1-0,-3-0 -2,-1,-3 Paso 3: Se reducen a mnimos enteros si fuera necesario y se encierran entre parntesis. Ejem1: [111] Ejem2: [2 1 3 ]

tema 2

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Notacin de las direcciones cristalogrficas

Ejem3: 0,0,0 y 0,1,0, restando 0,1,0 luego la direccin ser [010] Ejem4: 0,0,0 y 1,1,1, restando 1,1,1, luego la direccin ser [111].
Ejem3

Los tres ndices de una direccin genrica se suelen llamar u, v, w. El smbolo de esa direccin es, por tanto, [UVW]. Anlogamente a lo que hacamos al representar los planos, todas las direcciones equivalentes, se representan encerrando los ndices entre ngulos <uvw> Ejem: familia <110> diagonales caras c [110] [101] [011] y todas las permutaciones con signo negativo
tema 2

Ejem4

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Notacin de las direcciones cristalogrficas

Familia de diagonales de cara: <110> [110] [101] [011] [11 0] [1 01] [01 1] Familia de diagonales de cubo: <111> Familia de aristas de cubo: <100>

[1 2 2]

tema 2

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Notacin de las direcciones cristalogrficas

tema 2

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ndices de Miller/ Miller-Bravais en el sistema hexagonal

Para que planos del prisma similares tengan ndices que correspondan a la misma familia en sistemas cristalinos con celdilla unidad hexagonal se adopta una notacin con cuatro ndices (Miller-Bravais):

x, y, y forman 120o

i= -(h+k)

(010) (0 1 1 0) (1 1 0) (1 1 0 0)
tema 2

(100) (10 1 0)

33

ndices de Miller en el sistema hexagonal

De forma similar para direcciones: u= n/3 (2u-v) v=n/3 (2v-u) t= - (u+v) w=nw

Indices de Miller

Indices de Miller-Bravais

[uvw] [uvtw]

Como se ve el tercer ndice es superfluo.

tema 2

34

 Ejem1: Plano A Cortes: , , , 1 Recprocos: 0, 0, 0, 1 Plano A es el (0001) Ejem2: Plano B Cortes: 1, 1, -1/2, 1 Recprocos: 1, 1, -2, 1 Plano B es el (11 2 1 ) Ejem3: Plano R Cortes: -1, , 1, 1/2 Recprocos: -1, 0, 1, 2 Plano R es el ( 1 , 0, 1 , 2 )

ndices de Miller en el sistema hexagonal

a3

tema 2

a2

35

Planos y direcciones compactas

Ya hemos dicho que los planos y direcciones compactas, en los que los tomos se tocan, estn relacionados con los fenmenos de deformacin. Ahora ya podemos nombrarlos: Estructura Cbica simple BCC FCC HCP Direcciones <100> <111> <110> <112 0> Planos ninguno ninguno {111} {0001}

Notar que la FCC tiene cuatro conjuntos de planos compactos no paralelos 111, 111 , 11 1 ,111 planos compactos que se intersectan importante para explicar el comportamiento de los metales.
tema 2 36

Densidad lineal
BCC FCC

Ciencia de materiales, P.L.Mangonon tema 2 37

Densidad planar
BCC FCC

Ciencia de materiales, P.L.Mangonon tema 2 38

Planos compactos

tema 2

39

Planos compactos
Secuencias de apilamiento:

apilamiento a a

apilamiento a b

tema 2

apilamiento a b c

apilamiento a b a

40

Planos compactos: FCC

En los FCC los planos compactos son los 111:

tema 2

41

Secuencia de llenado de planos compactos en la red FCC

tema 2

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Secuencia de llenado de planos compactos en la red HCP

tema 2

43

Secuencia de llenado de planos compactos en la red HCP

En los HCP los planos compactos son los 0001 y 0002, planos basales:

tema 2

44

Diferencias entre el empaquetamiento FCC y HC

tema 2

45

Transformaciones alotrpicas o polimrficas

Los materiales que pueden tener ms de una estructura cristalina se llaman alotrpicos o polimrficos (alotropa en elementos puros). Metales como Fe y Ti tienen diferentes estructuras cristalinas. Estas diferencias les hacen susceptibles de tratamientos trmicos. Estas transformaciones pueden estar acompaadas por cambios de volumen durante el calentamiento o enfriamiento. Se debe controlar adecuadamente para que los materiales no se agrieten y rompan.

BCC(Fe) 912C

FCC(Fe) 1349C

BCC(Fe)

tema 2

Temperatura

46

Imperfecciones en las redes cristalinas: puntuales

Posicin vacante

Posicin intersticial

Imperfecciones puntuales la alteracin del orden o regularidad de la red se encuentra muy localizada y afecta tan solo a un reducido nmero de tomos muy prximos. Posicin sustitucional (impurezas)
tema 2 47

Imperfecciones en las redes cristalinas: lineales y superficiales

Cuando la imperfeccin se extiende sobre una porcin microscpica del cristal tenemos un defecto de red: Imperfecciones lineales: si la perturbacin se manifiesta en una longitud muy grande comparada con su dimensin transversal, que es solo de unas pocas distancias atmicas. Imperfecciones superficiales: si la extensin del defecto en dos dimensiones es muy grande comparada con la que tiene en la tercera, solo de algunas distancias interatmicas.
Superficiales Lineales

dislocaciones
tema 2

superficies lmites de grano, defectos de apilamiento 48 maclas

Vacantes
Vacante: ausencia de un tomo de su posicin de equilibrio en la estructura de un cristal nico defecto puntual en metales puros La difusin en estado slido entre dos materiales que se mantienen en contacto a alta T, es un hecho difcil de explicar, dada la limitada capacidad de movimiento de los tomos en los cristales. Las vacantes se postularon con el fin
de justificar el mecanismo de la difusin en estado slido. Salto de tomos contiguos a la vacante dejando a su vez tras de s otra vacante. Para que un tomo pueda verificar ese desplazamiento, debe vencer la atraccin de los tomos contiguos, lo que supone la realizacin de cierto trabajo contra el sistema barrera de energa (energa de activacin). La energa necesaria la toma el tomo de su propia energa cintica agitacin trmica. A mayor temperatura ms probable ser que sus tomos puedan saltar. La velocidad de movimiento de las vacantes es funcin creciente de la temperatura.

tema 2

49

Termodinmica de vacantes
El nmero de vacantes depende de la temperatura. A temperatura ambiente hay pocas vacantes pero su nmero aumenta de forma exponencial con la temperatura:
W nv = e kT no + nv

Fraccin de tomos o molculas con energas mayores que W

no nmero de puntos de la red del cristal ocupados por tomos nv nmero de vacantes (el numero total de puntos ser no + nv) W es la energa de activacin para formar una vacante (energa vibracional)

Ahora: nv <<<< no, puede prescindirse de nv en el denominador Multiplicamos y dividimos el exponente del segundo miembro por el nmero de Avogadro y llamamos a WNA = Qf = calor de activacin (energa vibracional necesaria para formar un mol de vacantes)
tema 2

Qf nv = e- RT no

50

Termodinmica de vacantes: ejemplo Cu

Qf 121.42 kJ/mol y R = 8.37J/K mol a 0 K n vacantes = 0 T = 300 K Tamb T = 1350 K, 6 por debajo Tf nv = e-33 = 4,55 x 10-15 no
nv = e-7,40 = 6,1 x 10-4 10-3 no
Qf nv = e- RT no

A 1350 K 1 vacante cada 1000 tomos. Distancia media entre vacantes es tan solo de unos 10 tomos. A Tamb separacin media entre vacantes 100.000 tomos.
tema 2 51

Imperfecciones en las redes cristalinas: puntuales

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

Distorsin producida por una vacancia o por un tomo de impureza.

tomos intersticiales
Implica una distorsin de la red grande para alojar uno de estos tomos intersticiales requiere la aportacin de una gran cantidad de energa (depende del tamao del tomo intersticial y del tamao del intersticio). Ejemplo: Cu Q mol vacantes es 1 eV, sin embargo para colocar un mol de tomos intersticiales 4 eV poco frecuente. No se forman en metales en servicio ms comunes pero s en los que estn sujetos a radiacin.
53

Posicin intersticial

tema 2

DISCREPANCIA ENTRE LA TENSIN TANGENCIAL CRITICA CALCULADA Y LA REAL

Dos planos de un cristal sobre el que no se ejercen fuerzas exteriores sus tomos se encuentran en equilibrio bajo la accin exclusiva de las fuerzas de enlace u=0 (desplazamiento) Imaginemos que se le aplica una tensin que producir un deslizamiento del plano superior sobre el inferior: - Si se deja de aplicar , el tomo verde retorna a la posicin de equilibrio que tena en u=0 la deformacin es elstica. - Si crece y los tomos llegan a u = b los efectos se equilibran y en cuanto el tomo verde sobrepasa esa posicin se rompe ese equilibrio y el tomo verde sigue su movimiento hasta u=b an cuando = 0 adoptando una posicin similar a u=0 se ha producido la deformacin plstica. La deformacin se produce cuando es capaz de tema 2 llevar el tomo verde a la posicin u = b
54

DISCREPANCIA ENTRE LA TENSIN TANGENCIAL CRITICA CALCULADA Y LA REAL

Existe una relacin entre la tensin aplicada y la deformacin que se produce

Para el Al:

terica necesaria para causar deformacin permanente ser 1,5 x

1011 dyn/cm2 Monocristales recocidos de Al pueden deformarse en forma permanente con tensiones del orden de 1,5 x 106 dyn/cm2. La relacin entre la tensin tangencial critica calculada y la real es del orden de 105. Si se consideran otros metales se comprueba que el orden de esa relacin oscila entre 103 y 105.
tema 2 55

Formacin de dislocaciones
Durante la solidificacin de un metal se crean del orden de 106 cm/cm3 lneas de dislocacin. Un trabajo posterior sobre el metal (como el laminado en fro, por ejemplo), puede aumentar el nmero de dislocaciones a 1012 cm/cm3. Dislocacin de borde o cua: Plano a la tensin

Dislocacin helicoidal: Plano || a la tensin

tema 2 56

Dislocacin de borde y helicoidal

Plano de deslizamiento

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

tema 2

57

DISLOCACIONES
Dislocacin mixta

A mixed dislocation. The screw dislocation at the front face of the crystal gradually changes to an edge dislocation at the side of the crystal. (Askeland)
tema 2 58

Deformacin en la dislocacin: campo de tensiones

Debajo del semiplano de dislocacin, los tomos estn mas separados entre si que la constante reticular "a" (A, en la Fig. b.), b.), por lo tanto, esa zona esta sometida a esfuerzos de traccin. Lo contrario ocurre por arriba del semiplano,(B), donde habr esfuerzos de compresin.

Deformacin en la dislocacin: campo de tensiones

Zona del cristal sometida a esfuerzos de cizalla en una dislocacin de tornillo.

Deslizamiento de dislocaciones

El movimiento de un gusano se asemeja al movimiento de una dislocacin.

Deslizamiento de dislocaciones

tema 2

62

Interacciones elsticas entre dislocaciones

Debajo de la lnea de la dislocacin tensiones de traccin, Arriba de la lnea de la dislocacin tensiones de compresin. Dos dislocaciones del mismo sentido, situadas en el mismo plano de dislocacin, se repelen, y con distinto sentido se atraen, sumndose las zonas de traccin y de compresin. Dos dislocaciones en planos distintos se repelen cuando el ngulo que forma su unin con la horizontal es menor que 45 y se atraen si el ngulo es mayor.

Fallas de apilamiento
Se refieren al desorden en el apilamiento de capas de tomos en la estructura FCC, que presentan aplilamiento de HCP.

tema 2

64

Dislocaciones y fallas de apilamiento

Dislocaciones y fallas de apilamiento en un substrato de silicio a travs del TEM.

tema 2

http://www.semitracks.com/index.php/reference-material/failure-and-yield65 analysis/materials-characterization/tem/transmission-electron-microscopy-figure-2

Superficies libres
Formacin de una superficie eliminamos una capa de tomos del slido El nmero de coordinacin de los tomos de una superficie es menor que el de los del interior del slido :
tomos con posiciones de equilibrio diferentes, tomos con mayor energa.

tema 2

66

Cristal con una sola orientacin de la celda unitaria monocristal. La mayora de los materiales son policristalinos estn compuestos de un gran nmero de monocristales con diferentes orientaciones granos Fronteras entre granos, con estructuras superficiales de energa mayor lmites de grano Son posibles varios grados de desacoplamiento cristalogrfico entre granos vecinos: Cuando la diferencia de orientacin es pequea del orden de unos pocos grados, se denomina lmite de grano de ngulo pequeo dislocaciones de borde.
Figure 4.16 (a) The atoms near the boundaries of the three grains do not have an equilibrium spacing or arrangement. (b) Grains and grain boundaries in a stainless steel sample. 67 (Askeland)

Limites de grano

tema 2

Planos de Maclado
Fronteras de maclaje Desplazamiento atmico

La maclas son bandas en el cristal, substancialmente perfectas, solo que orientadas en otra direccin. Los planos de maclado actan de ejes de simetra entre las zonas macladas y las zonas sin maclar del cristal. Pueden ser: -mecnicas BCC y HCP -de recocido FCC

Diagrama esquemtico de un proceso de maclaje en una red FCC

Planos de Maclado

Annealing twins in the recrystallised regions of a austenitic stainless steels colddeformed by rolling and then annealed. (http://www.msm.cam.ac.uk/phase-trans/abstracts/annealing.twin.html)

Planos de Maclado