FET Perbedaan FET dg BJT - terkontrol tegangan - unipolar (channel n dan p) - ID vs VGS - Impedansi input sangat tinggi - lebih

stabil thd temperature - Ukuran lebih kecil Tipe FET - JFET - MOSFET Kontruksi JFET x x x x x Terkontrol arus Biploar (npn pnp) IC vs IB gain tegangan lebih tinggi

a. tipe deplesi (pengosongan) : saluran n, saluran p b tipe enhancement (peningkatan) : saluran n, saluran p

Untuk channel n kondisi saat VGS = 0 dan VDS > 0 ID akan maksimal dan disebut dg IDSS Deplesi pd bagian bawah seperti tanpa bias/ deplesinya lebih sempit . Elektron ditarik ke drain menghasilkan arus konvensional ID Aliran muatan relative bebas hanya dibatasi tahanan channel antara D dan S (hampir linear). Kondisi ini terjadi sampai kondisi putus terjepit atau pinch off tercapai. ( VP). Saat pinch off kedua daaerah deplesi sudah bersentuhan sehingga walaupun VDS dinaikkan ID akan hampir tetap.(saturasi)

saat VGS < 0 dan VDS > 0

ID = 0, VDS = kecil ID = 0 mA saat VGS = VP dengan VP adalah negative untuk channel n dan poitif untuk channel p. Pada data sheet VP disebut dengan VGS(off). Daerah disebelah kanan pinch off adalah daerah penguatan linear disebut daerah arus konstan, saturasi atau liniar. R terkontrol tegangan Daerah ohmic disebut juga daerah resistansi terkontrol tegangan. Untuk VDS < VP R antara D dan S adalah fungsi dari VGS. Jika VGS makin negative slope kurva akan makin horizontal sehingga R makin naik. Hub R dg VGS
rd = ro (1 VGS / VP )
2

Dengan r0 = rd saat VGS = 0 Pada level VDS yang tinggi kurva naik vertical yang menunjukkan breakdown terjadi dan arus melalui channel dibatasi oleh rangkaian eksternal. Simbol JFET Channen n channel p

Makin besar VR (makin negative) daerah deplesi makin melebar sehingga kondisi pinch off tercapai pada VD yang lebih rendah . Gate channel adalah persambungan pn yang dibias balik sehingga arus gate kecil sekali. Ingat IDSS = ID VDS = - VP , VGS = 0 VP = VGS Arus maksimal didifinisikan sbg IDSS dan terjadi saat VGS = 0 dan VDS > VP

Untuk VGS < VP (lebih negative) ID = 0 A. Untuk level VGS antara 0 dan VP maka ID antara IDSS dan 0 A. Karaktristik transfer ( transfer ==== hub input dan output) Pada BJT ==== IC = f(IB) = IB Hub antara ID dan VGS pada JFET didifinisikan oleh persamaan Shockley
I D = I DSS VGS 1 Vp
2

Dengan IDSS dan VP adl konstan sedangkan ID (output) tergantung pada VGS (input) Mencari kurva atau karakteristik transfer

Karakteristik transfer dicari dg persamaan Schokley yaitu dengan memasukkan harga VGS dan menghitung atau mencari ID. Misalkan untuk 4 titik berikut: VGS ID 0 IDSS 0,3 VP IDSS/2 0,5 VP IDSS/4 VP 0 Relasi penting: JFET ID = IS, IG = 0
I D = I DSS VGS 1 Vp
2

BJT IC = IB IE VBE 0,7 V

IB <<<

MOSFET TIPE PENGOSONGAN (DEPLESI) Pengosongan dan peningkatan menggambarkan mode operasi dasarnya.. Tipe pengosongan punya karakteristik mirip dengan JFET antara cutoff dan saturasi. Tapi ada daerah dengan polaritas berlawanan untuk VGS (VGS > 0). Kontruksi dasar Mosfet pengosongan channel n

Pada tegangan input VGS = 0 sudah ada channel untuk mengalirnya arus antara drain dan source (JFET dan MOSFET pengosongan bersifat normally ON).Subtrat (SS tipe p) kadang dihubungkan secara eksternal dg source (S). SiO2 (daerah dengan garis miring ) adalah Silikon dioksida yang mengatur medan listrik berlawanan saat diberi medan listrik eksternal, dia juga berfungsi sebagai dielektrik. Antara G dan channel tak ada koneksi elektris (impedansi input sangat tinggi). Tegangan negative pada Gate akan menarik lebih banyak hole (tipe p dari subtract) sehingga rekombinasi pada channel makin cepat yang mengurangi jumlah electron bebas (tipe n) sehingga menurunkan arus drain ID.

Karakteristik drain dan transfer MOSFET pengosongan

Untuk VGS > 0 tegangan gate positif akan menarik elektron dari subtrat tipe p dan meningkatkan jumlah elektron bebas/carrier (menaikkan ID) sehingga disebut daerah peningkatan (enhancement) daerah di kanan sumbu VGS = 0. MOSFET PENGOSONGAN SALURAN P Kontruksi dasar, karakteristik transfer dan karakteristik drain adlah seperti gambar di bawah

Untuk saluran p kita tinggal membalik polaritas dan arah arus. Persamaan Shockley tetap berlaku dengan memperhatikan tanda VGS dan VP.Dua symbol diberikan untuk MOSFET pengosongan untuk menyatakan subtract dishort atau tidak.

MOSFET tipe Peningkatan Kontruksi untuk saluran n, karakteristik transfer, karakteristik drain

VT = 2 V, k = 0,278 x 10-3 A/V2

Kontruksi dasarnya mirip mosfet tipe pengosongan, hanya tak ada saluran antara drain dan sumber saat VGS < VT (normally OFF) Cara operasi: Saat VGS = 0 walaupun dg VDS > 0, ID = 0 Dg VGS > 0, VDS > 0 Gerbang yang positif akan menolak hole pada tepi SiO2 shg ada deplesi yg miskin hole tapi kaya electron yang mengumpul dekat SiO2 . Jika VGS dinaikkan lagi konsentrasi electron dekat SiO2 akan naik dan menghasikan daerah tipe n yang menghubungkan drain dgn sumber ( saluran tipe n antara D dg S).Tegangan VGS ini disebut teg threshold VT.

Kedua MOSFET tipe pengosongan dan tipe peningkatan punya daerah peningkatan. Jika VGS dinaikkan di atas VT akan makin banyak electron bebas yang teriduksi pada saluran dan akan meluas sehingga ID makin naik. Jika VGS konstan dan VDS dinaikan pada titik tertentu ID akan saturasi dan tidak bisa naik lagi seperti pada JFET dan MOSFET tipe pengosongan.

Simbol:

Garis putus-putus antara D dan S menunjukkan saluran tidak ada saat kondisi terminal tanpa bias (MOSFET Peningkatan bersifat Normally Off ) Sesuai dengan hukum teg Kirchoff VDS = VDG + VGS = VGS VGD = VGS VT VGS naik VDSsat naik , untuk VGS < VT ID= 0 A. Pada VGS > VT VGS dihubungkan dg persaan nonlinear: ID = k(VGS VT)2 k adalah konstanta yg mrpk fungsi dari kontruksi divais. k = ID(on) /( VGS(on) - VT)2 dg ID(on) = 10 mA dan VGS(on) = 8 V didapat k = 0,278 x 10-3 A/V2 MOSFET peningkatan saluran p

Pada saluran p arah arus dan polaritas tegangan berlawanan dg saluran n

Ringkasan FET