Вы находитесь на странице: 1из 27

8A8 I

DICDL SLMIkCNDUk1Ck
Mater|a| Sem|konduktor
Konduktor : konduktivitas , resistivitas <<<
solator : konduktivitas <<< , resistivitas
8emikonduktor : antara konduktor dg isolator
8eslsLlvlLas : p = R
A

=
u .
2

= O . cm atau O . m
k res|stans| da|am ohm
Nilai - nilai resistivitas { p _
en|s 8ahan kes|st|v|ty
konduktor 1embaga 10
6
nm
Sem|konduktor S|||kon S0 x 10
3
nm
erman|um S0 nm
Iso|ator M|ka 10
12
nm

Alasan pemakaian Ge dan 8i
Proses pembuatan memungkinkan level
kemurnian sangat tingi {1 : 10 billion_ = {1 : 10
10
_
Proses doping
Karakteristiknya bisa diubah dengan memberi
cahaya atau panas {untuk pengembangan device
sensitive cahaya/panas_



2
Bahan ntrinsik :
Bahan semikonduktor yang sudah dimurnikan
untuk mengurangi pengotor sampai dengan level
yang sangat rendah.
Elektron bebas adalah satu-satunya penyebab alami
arus disebut pembawa intrinsik.
Pembawa intrinsik : 2,5 . 10
13
carrier bebas/cm
3
: Ge
: 1,5 . 10
10
carrier bebas/cm
3
: 8i
Ge adalah konduktor yang lebih baik.
Kenaikan temperatur pada semikonduktor dapat
menghasilkan peningkatan yang besar dalam ]umlah e
-

bebas pada bahan tersebut {e
-
valensi menyerap cukup
energi untuk memecah ikatan kovalen_
8i & Ge menun]ukkan pengurangan resistansi dengan
naiknya temperatur {koefisien temperatur negatif_.
Pada logam koefisien temperaturnya positif.
BAHAN EK8TRN8K TPE p & n
Karakteristik semikonduktor dapat diubah dengan
menambah atom-atom pengotor kedalam
semikonduktor yang relatif murni, misal 1 : 10 ]uta.
Bahan semikonduktor yang sudah dikenai proses
doping disebut bahan ekstrinsik.
Materi Tipe n :
Material ekstrinsik tipe-n diperoleh dengan
pemberian atom impurities dengan 5 elektron
valensi {pentavalent_, seperti antimony, arsenic, dan

3
phosphorus pada kristal murni silikon atau
germanium. mpuriti terdifusi dengan 5 elektron
valensi disebut atom donor.
Materi tipe p:
Material tipe-p dibentuk dengan memberikan doping
pada kristal silikon ataupun germanium murni
dengan atom impurities yang mempunyai 3 elektron
valensi {trivalent_. Elemen yang paling umum
digunakan adalah boron, gallium, dan indium.
Jumlah elektron tak cukup untuk melengkapi ikatan
kovalen, kekosongan ini disebut hole/lubang yang
gampang menerima e
-
bebas. mpuriti dengan 3
elektron valensi disebut atom acceptor.
Mayoritas dan Minoritas carrier
Pada material tipe-n, e
-
disebut mayoritas carrier dan
hole/lubang disebut minoritas carrier karena ]umlah
e
-
]auh lebih banyak dari ]umlah hole/lubang.
Untuk semikonduktor tipe-p, ]umlah hole ]auh lebih
banyak dari ]umlah e
-
sehingga hole adalah
mayoritas carrier dan e
-
adalah minoritas carrier.
Penggabungan bahan tipe p dan n tunggal akan
menghasilkan elemen semikonduktor yang sangat
penting pada sistem elektronik.
a)8ahan t|pe n
Mayor|tas e


M|nor|tas ho|e
Ion donor

b) 8ahan t|pe p
Mayor|tas ho|e
M|nor|tas e


Ion abseptor

+ +
+ + +
+
- -
- -
-
-
-
-
+ +
+ -
-
-
-
- - -
-
-
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+

4

+ +
+ +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
- -
- -
-
-
+ +
- - -
- - -
- - -
- - -
-
-
- -
-
-
+ +
+
+
+
+
+
P N
8 8
8 = aliran minority
VD
Deplesi
+
+
-
-
mayorita8 = 0
OE 8EMKONUKTOR
Pada saat kedua material digabung e
-
dan hole
pada ]unction/persambungan akan berkombinasi
menghasilkan kekurangan carrier pada daerah dekat
]unction, daerah ini disebut deplesi karena kosong dari
carrier.
Karena diode adalah 2 terminal, maka ada 3
kemungkinan tegangan yang diberikan :
Tanpa bias, V

= 0
Bias ma]u, V

0 {V
F
_
Bias balik, V

< 0 {V
R
_

No b|as V
D
0




engan tidak adanya tegangan bias aliran muatan
pada satu arah untuk diode adalah nol.

keverse b|as V
D
0





+ +
+ + +
+
+ +
+ +
+ +
+ +
- -
- -
-
-
- + +
- -
- -
- -
- -
-
-
- -
-
-
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
P N
D = 0 mA
D = 0 mA
V = 0 V D
(No bia8
Junction
+ -
+ -
+ -
P
N

3
L v
u
+
u

S
arus saLurasl ballk
1
k
1
C
+ 273
0
C
k 11600 / q dengan q 1 uLk Ce q 2 uLk Sl
dlbawah pada luLuL kurva q 1 uLk level leblh Llnggl
aerah deplesi melebar
Barrier untuk mayoritas carrier bertambah
sehingga alirannya men]adi nol
Arus yang ada pada kondisi V
R
disebut arus saturasi
balik, disimbolkan dengan
8
.
rward blas v
u
0






Persamaan umum diode semikonduktor untuk V
R
dan
V
F
:

H

= H

{
v
D
1
k
/
-)







+ + +
+ + +
+
+
+
+
- - -
- - -
-
- -
+ + +
-
-
-
-
-
- -
- - -
-
-
+ + +
+
+
+ +
+ +
+ +
P N
D D
8
VD
Deplesi
+
+
-
-
mayorita8 ; = - 8 D mayor

6
vz Legangan zener
ari gambar karakteristik diode komersial {real_,
pada bias ma]u digeser kekanan sedikit, ini karena
R body" internal dan R kontak" eksternal dari
diode. 8ekarang saat metode produksi sudah makin
baik/ma]u, perbedaan ini akan semakin kecil.

Daerah 2ener



Jika tegangan V
R
dinaikkan
kecepatannya, minoritas
carrier yang bertanggung
]awab terhadap
8
]uga
meningkat. Kecepatan ini
setara dengan energi kinetik

=
1
2

2
cukup untuk
melepaskan carrier tambahan
untuk tumbukan dengan atom
stabil lainnya.
Proses ionisasi ini akan menghasilkan e
-
valensi
dengan energi yang cukup untuk lepas dari atom induk.
Carrier tambahan ini dapat membantu proses ionisasi
ke titik dimana arus avalanche/ban]ir dihasilkan dan
daerah breakdown avalanche ditentukan.
V
Z
dapat diturunkan dengan menaikkan level doping
pada materi n & p. Pada V
Z
sangat rendah, misal -5 V
mekanisme lain disebut zener breakdown akan
berlaku. ni karena adanya medan listrik yang kuat
pada ]unction yang dapat menggangu daya ikat atom

7

S
( Sl ) 10 A
( Ce ) 1 A
dan menghasilkan carrier, perubahan yang mendadak
pada karakteristik pada level ini disebut daerah zener
{diode zener_.
V
R
max yang bisa diberikan sebelum memasuki
daerah zener disebut PV {Peak nverse Voltage_ = PRV
{Peak Reverse Voltage_.
8i dan Ge
iode 8i punya PV , rating , rating temperatur
dibanding Ge.
PV
8i
1000 V
T
8i
200
0
C
PV
Ge
400 V
T
Ge
100
0
C
Kerugian 8i :
V
F
0,7 V Ge 0,3 V { disebut offset, threshold
atau firing potensial V
T
_
V
T
= 0,7 V { 8i _ = 0,3 V { Ge _







Efek Temperatur

8
ari hasil eksperimen didapatkan bahwa :
8
sekitar
2x setiap kenaikan temperatur 10
0
C.
Nilai
8
typical untuk 8i ]auh lebih rendah dari Ge
untuk level power dan arus yang sama, sehingga 8i
lebih penting untuk dikembangkan dan dimanfaatkan
{sehingga ekuivalen open circuit lebih dekat ke 8i pada
V
R
_
Level Resistansi
Tergantung tegangan / sinyal yang diberikan, ada 3
]enis :
R statis / dc
R dinamis / ac
R ac rata-rata

R statis / dc
Pemakaian tegangan dc akan menghasilkan
"operating point" pada kurva karakteristik yang tak
berubah terhadap waktu.


8 lnl pallng besar pada v
8
dan Lerkecll pada baglan kenalkan verLlcal
R dinamis / ac
Jika input sin diberikan, operating point" akan
bergerak naik turun yang mencirikan perubahan
spesifik pada arus dan tegangan.

9
r
8
01 unLuk devlce hlgh pwer
2 unLuk general purpse dlde lw pwer
pL L plnL
dlaplL leh garls lurus anLar baLasbaLas
perasl



J

=
A

AH




dl[aga perubahan pada tegangan dan arus sekecil
mungkin dan pada ]arak yang sama untuk kedua sisi
dari titik O.
isamping secara grafis r
d
bisa dicari dengan diff
calculus : turunan fungsi pada suatu titik = kemiringan
dari tangent garis yang ditarik pada titik tersebut.
J

=

H


[lka reslsLan bdy" dan cnLacL" dlmasukkan
J

=

H


8 ac raLaraLa
!lka slnyal lnpuL cukup besar yang menghasllkan ayunan yang besar
J

=
Av
d
AI
d




"
/
V/

10
+ v
u

pL L plnL
10


+ v
u

kndlsl dlmana
8 rangkalan r
av

D
VD
Rav = 0
V = 0,7 T
+ v
u

kndlsl dlmana
8 rangkalan r
av

L rangkalan v
1

Rangkaian Ekivalen iode
Rangkaian ekivalen sepotong linier {piecewise
linear_






r
av
biasanya ditentukan dari operating point tertentu
pada spec sheet. Misal untuk diode 8i ]ika
F
= 10 mA
pd V

= 0,8 V.

J

=
A

AH



Rangkaian ekivalen disederhanakan








Rangkaian ekivalen ideal





D
VD
Rav
0,8 0,7
VT
D
VD
0

11



Lembar 8pesifikasi iode
Lembar data yang harus dimasukkan untuk
pemakaian diode secara layak/baik :
1. V
F
{pada t
0
dan i tertentu_
2.
F
max {pada t
0
t++_
3.
R
{pada V dan t
0
t++_
4. PV, PRV, V
{BR_
{pada t
0
t++_
5. Power disipasi max pada t
0
t++
6. Capasitansi level
7. t
rr

8. range temperatur operasional
ata tambahan :
range peak, level noise, switching time, level R
terminal, peak repetitif value
P

max = V


P disipasi 0,7 V .

{untuk model yang


disederhanakan_
efinisi dari grafik :
1. average rectified current
2. peak repetitive forward current
3. peak forward surge current
1rans|s| D|fus|


I

nc


12
(pF
Volt
0
VR
VF
T
D
dg v
8
d C
1

ln[eksl muaLan ke dalam daerah dlluar
deplesl l C
u

8 penLlng pada apllkasl f
penLlng unLuk saklar f Llnggl
L
rr
ns 1 s unLuk kebanyakan dlde kmerslal
f rendah X
C
bisa diabaikan = OC. Pada f tinggi X
C
cukup
kecil.
Pada V
R
ada C
T
{transisi/deplesi_
Pada V
F
ada C

{difusi/storage_
Grafik C

dan C
T
terhadap tegangan pada diode 8i :





Reverse Recovery Time
Pada V
F
ada banyak e
-
tipe-n masuk ke tipe-p dan
sebaliknya konduksi e
-
pada tipe-p dan hole pada
tipe-n adalah pembawa minoritas. Jika kita beri V
R

idealnya diode akan mati / nonkonduksi, tapi realnya
akan ter]adi sbb:






1est D|ode
1. igital isplay Meter {M_ dengan fs cek diode
2. Bagian ohmmeter dari multimeter
ON to OFF at t = t1
Re8pon /iinginkan
t
t1
R
F
T8 Tt
trr
D

13
z
,
u



-

'u
knduksl
a) berlawanan arah panah
b) searah arah panah
v
Z
v
Z
8
Z
, -
a) lengkap
b) aprkslmasl
r
Z
8 dlnamls
v
Z
Leg zener nmlnal nllal raLaraLa
l
Z1
arus LesL dldef dg x pwer
Z
Z1
lmpedansl dlnamlk pada l
Z1

Z
Zk
lmpedan knee max Ler[adl pd l
Zk
arus knee
l
ZM
arus max
3. Curve Tracer

iode Zener



Lkasl LlLlk zener dapaL dlknLrl dengan mengubahubah level dplng
uplng lmpurlLy v
Z

8angkalan eklvalen zener





karakLerlsLlk LesL zener




r/=T
VR
T

14

keflslen LemperaLur menyaLakan perubahan v
Z
LesL L
0

=
A
{
1
-

)
%



LLD (L|ght Lm|tt|ng D|ode)


iode yang memancarkan cahaya ketika diberi
tegangan/energi. Bahan : GaP, GaAsP
Jumlah photon dari energi cahaya yang dipancarkan
cukup untuk menciptakan sumber cahaya yang bisa
dilihat. Proses mengeluarkan cahaya dengan memberi
sumber energi elektris yang disebut
electroluminescence.
V
F
untuk LE : 2,2 V - 3 V dengan rating arus
berbeda-beda. Umumnya LE beroperasi pada level
tegangan 1,7 V - 3,3 V. LE
komersial berwarna merah, hi]au,
kuning, oranye. Respon waktu
dalam nanosekon dan memberi
rasio kontras yang baik untuk
visibility. Power typical 10-150
mW dengan life time 100.000+hours.


13






16
+

v
8
+

L

v
u
+
l
u
8A8 II
ALIkASI DICDL
Ana||s|s ar|s 8eban




Pvk
L + v
u
+ v
8
0
L v
u
+ l
u
8 adl persamaan
garls beban
H

= -

= -


erpLngan dengan sumbusumbu
sb verLlkal L v
u
+ l
u
8
0 + l
u
8
l
u

v
u
0 v
sb hrlznLal
v
u
L l
u
0
C plnL / qulescenL plnL
v
uC
l
uC
quanLlLas yang dlLenLukan [arlngan dc
Aproks|mas| D|ode
Aprkslmasl



C plnL
l
u
karakLerlsLlk
v
u

v
uC
l
uC

L/8
L
=
=
= 0 A D
= 0 A D
0,7 V
0,7
0,7 V
D
D
+
+
- -
VD
D
VD
Si

17
=
=
= 0 A D
= 0 A D
0 V
0 V
D
D
+
+
- -
VD
D
VD
Si






L v
1
8 r
av
Ce v
1
03 v

Aprkslmasl










L v
1

8 r
av


Menentukan "State" D|ode
ulde Cn / knduksl [lka arah arus searah dengan arah panah slmbl
dlde
dengan v
u
07 v (uLk Sl) v
u
03 v (uLk Ce)
dan L v
1
l
u
0
1egangan dan arus yang dlhasllkan
v
u
v
1

v
8
L v
1
l
u
l
8
v
8
/8
ulde C / nnknduksl [lka arah arus berlawanan dengan arah panah
slmbl dlde ff sLaLe" pen clrculL l
u
0
1egangan pada 8

18
v
8
l
8
8 l
u
8 0 8 0
v
8
0 v
u
L
Oc blso pooyo teqooqoo poJo tetmlooltetmlooloyo topl otos
selolo ool
2 c pooyo Jtop teqooqoo ool poJo tetmlooloyo topl otos 0

nLasl sumber

10 V
+ 10 V
= 10 V





konf|guras| ara|e| Ser|
ara|e|


1u[uan unLuk menalkkan
raLlng arus







AND ] Ck ate
slLlf lglc C8 CaLe

V
- V
= - V
R

D1
Si
D2 V0
+
-
1








slLlf lglc Anu CaLe












Input S|nuso|da| enyearah x e|ombang
Sumber / lnpuL berubah Lerhadap wakLu sln / pulsa
penyearah Z gelmbang ldeal


v
0

seka
rang
punya neL pslLlf pada 1
perlde dengan nllal raLaraLa
v
dc
0318 v
m
|
1/2 gel
v
m
/
!lka pemakalan dlde Sl Lak ldeal aprkslmasl
v
dc
0318 ( v
m
v
1
)
Vi = m 8in wt V
T
Vm
T
+
+ +
-
- -
Vi Vo
R
V V m T -
Off8et krn VT




IV or kV



lv raLlng |
1/2 gel







enyearah e|ombang enuh
knflgurasl [embaLan
enyearah [embaLan gelmbang penuh



karena dlde ldeal v
vl
ada 0 1/2 u
2
u
3
Cn v0 vl
ada 1/2 1 u
1
u
4
Cn v0 vl

!lka dlde Lak ldeal
Vo
Vi
+
+
+
+
-
-
-
-
VT
VT

V . R

0 =
= 0 V
+
+
+
-
-
-
Vm
R
PV
= 0
Vm
T
larlLas v
pada 8 sama
vdc 2 0318 vm
vdc 0636 vm |
full wave brldge

Vo
D1
D2
D3 D4
Vi
+
-
Vm
T/2
T
vl + v
1
+ v + v
1
0
v vl 2 v
1

v max vm 2 v
1





unLuk vm 2 v
1
men[adl
v
dc
0636 ( vm 2 v
1
)
lv vm |
full wave brldge




1rafo 1





IV





LILk
MemLng / cllp baglan darl slnyal lnpuL Lanpa mendlsLrsl baglan slnyal
slsanya
Ada 2
Serl dlde serl dengan beban
aralel dlde paralel dengan beban


Vm
+
+
+
+
-
-
-
-
PV
Vm
T
Vi
Vo
-
+
R
D1
D2
Vi
Vi
+
_
+
_
-
1 : 2
Vm
D1 ON
D2 ON
T
larlLas v pada 8 sama
Vm
PV -
-
-
-
-
+
+
+
Vm
lv vm + vm
2 vm
vdc 0636 vm
0636 ( vm v
1
)


Slmple serl cllpper (dlde ldeal)
pslLlf

negaLlf









8lased serl cllpper (dlde ldeal)
pslLlf negaLlf

t
Vo
Vm-V
Off
-V


Slmple paralel cllpper (dlde ldeal)
pslLlf negaLlf


8lased paralel cllpper (dlde ldeal)
Vm
-Vm
-Vm
Off
On
Vi
Vo
- -
+
+
Vi
Vo
- -
+
+
Vm
Off
Vi
Vo
- -
+
+
V
R
-(Vm+V
V
Vi
Vo
- -
+
+
V
R
Vi
Vo
- -
+
+
R
-Vm
Vi
Vo
- -
+
+
R
Vm


pslLlf negaLlf




LAMLkS
8angkalan yang mencekam slnyal ke level dc yang berbeda 8angkalan harus
punya 8 C dlde aLau sumber dc bebas MagnlLud 8 C harus cukup besar
sehlngga 8C cukup besar unLuk men[amln v
C
Lldak ksng selama dlde C







unLuk clamper
LLal ayunan slnyal uLpuL LLal ayunan slnyal lnpuL
anggap perLama kall dlde Cn / dl v


D|ode 2ener
8egulaLr zener dasar
Vi
Vo
- -
+
+
V
R
Vi
Vo
- -
+
+
V
R
On
-Vm
V Vm
V
Vi
Vo
- -
+
+
V
R
Vi
Vo
- -
+
+
V
R
-Vm
-V
Vm
V
V
T
-V
V
T
-2V
D off
D on
Vi
Vo
- -
+
+







Ada 3 kndlsl
1 vl 8 LeLap
LenLukan sLaLe dlde zener
=
L
=

L
.
H


ganLl zener dengan eklvalennya
v
L
v
Z
l
8
l
Z
+ l
L

l
Z
l
8
l
L
dengan H
L
=
v
L

L
H

=
v
R


v
i-v
L


wer dlslpasl
Z
v
Z
l
Z

2 vl LeLap 8
L
varlabel

L
n =
.

-
z

H
L
o =

L
=

L
n

sekall dlde Cn Legangan pada 8 dlperLahankan LeLap pada

= -
H


H
z
= H

- H
L

H
L
n = H

-H
z

L
o =

z
H
L
n

3 8
L
LeLap vl varlabel
Vi
R
RL V
L
+
-
v v
Z
Cn
v v
Z
C
vl max dlbaLasl l
ZM
l
ZM
l
8
l
L
l
8
max l
ZM
+ l
L

vl max v
8
max + v
Z

vl max l
8
max 8 + v
Z



mln Lurn n vlLage vl vl mln

L
=
z
=

L
.

n =
{
L

L



enga|| 1egangan

ulpakal unLuk menalkkan Legangan puncak 2 3 4 dsL sebagal pengganLl
Lraf

engall Legangan Z gelmbang











ada Z slklus pslLlf u1 Cn u2 C menglsl C1 s/d
vm
u1 ldeal adalah SC sehlngga Legangan C1 vm dengan plarlLas

ada Z slklus negaLlf u1 C u2 Cn menglsl C2 s/d vm
Pvk pada lp luar vm + v
C2
vm 0
v
C2
2 vm

2 Vm
-
-
-
-
+
+
2
D2
D1
1
Vm
Vm
-
Vm


ada Z slklus pslLlf berlkuL u2 C C2 dlscharge ke beban !lka Lak ada beban
maka kedua C LeLap bermuaLan C1 ke vm dan C2 ke 2 vm
!lka ada beban v
C2
drp selama Z slklus pslLlf dan dllsl ke 2 vm selama Z
slklus negaLlf [adl uLpuLnya seperLl slnyal Z gelmbang LerfllLer C
uengan lv maslngmaslng dlde 2 vm

engganda Legangan gelmbang penuh














vlLage 1rlpler Cuadrupler

2 vm
dubler
3 vm
1rlpler
4 vm
Cuadrupl
er

8aLlng
2 Vm
-
-
-
+
+
+
D2
D1
Vm
Vm
2 Vm
2 Vm
2 Vm
4 Vm
2 Vm
-
-
-
-
2
3
4
D2
D3
D4
D1
1
Vm


Lraf adalah vm (makslmum) dan maslngmaslng dlde dl raLe pada lv 2 vm
[lka beban kecll dan capaslLr punya bcran kecll Legangan dc yang sangaL Llnggl
blsa dlhasllkan