Ejercicios Resueltos de Dispositivos Electrnicos I Examen de Diciembre de 2000 - Ejercicio 41 Enunciado

Determinar VDS en el circuito de la gura. Datos: RG1 = 220k, RG2 = 120k, RS = 22k, VDC = 15V , y el transistor T1 tiene las siguientes caractersticas: |IDss | = 27mA, |VP | = 6V .

RG1 VDC T1 RG2 RS

Figura 1: Circuito del enunciado

Solucin
Para evitar confusiones se proceder, primeramente, a indicar los sentidos de todas las tensiones y corrientes en el circuito como se ve en la gura 2. Una vez establecidos los sentidos de las mismas, los valores que obtendremos sern todos negativos.

RG1

ID

VDC VGS RG2

T1

VDS

RS

Figura 2: Circuito con sentido de tensiones y corrientes Como por el terminal de puerta de transistor P-JFET la corriente que circula en despreciable (del orden de nA), las resistencias RG1 y RG2 forman un divisor resistivo. La caida de tensin en la resistencia R G2 es: VRG2 = VDC 120k RG2 = 15 = 5, 29412V RG1 + RG2 120k + 220k

A continuacin se supone que el P-JFET est en saturacin, se calculan las variables del circuito y se valida o no esta suposicin. La corriente de drenador es: |VGS | 2 |VGS | 2 ID = IDSS 1 = 27mA 1 (1) |VP | 6V
1 Resuelto

por el Prof. Andrs A. Nogueiras Melndez, aaugusto@dte.uvigo.es, 2001

De la malla formada por RG2 , RS y el transistor: VGS = VRG2 VRS = VRG2 ID RS = 5, 29412V ID 22k Uniendo las ecuaciones 1 y 2 : |VGS | VGS + 5, 29412V = 27mA 1 22k 6V
2

(2)

En este tipo de circuitos, al ser la tensin entre puerta y fuente positiva, es posible operar y despejar para obtener :
2 588, 70588 199VGS + 16, 5VGS = 0

(3)

Resolviendo la ecuacin de segundo grado 3, se obtienen dos posibles soluciones : VGS1 = 6, 85820V y VGS2 = 5, 20241V. La primera solucin lleva el transistor al estado de corte, ya que es mayor que VP , por lo que la solucin primera es la nica coherente con la suposicin de que el transistor est en zona de saturacin. Luego, aplicando VGS2 en la ecuacin 1 y operando: ID = 27mA 1 Cerrando la malla con VDC , T1 y RS se obtiene: VDS = VDC ID RS = 15 + 477, 11236A22k = 4, 50353V Finalmente, si el transistor est en saturacin debe cumplirse: |VDS | > ||VGS | |VP || |4, 50353V| > ||5, 20| |6|| por lo tanto la suposicin del transistor en saturacin es vlida y los resultados numricos tambin. 5, 20241V 6V
2

= 477, 11236A

Comprobaciones
Si la suposicin del estado del transistor es de corte, implicara que las corrientes por T1 son todas cero. Esto es imposible, ya que la tensin en RS tambin sera cero voltios y aparecera una tensin entre puerta y surtidor de signo contrario a la de VRG2 , lo que supone violar la condicin |VDS | > ||VGS | |VP ||. Se podra suponer tambien que el transistor est en zona ohmica. Esto implica que su resistencia equivalente es de : ReqT 1 = Y la corriente sera ID = VDC 15V = = 675A RS + ReqT1 22k + 222, 22222 |VP | 6V = = 222, 22222 |IDss | 27mA

que implica una caida de tensin en RS de : VRS = RS ID = 22k 675A = 14, 85V que a su vez, implica un tensin entre puerta y fuente de : VGS = VRG2 VRS = 5, 29412V + 14, 85V = 9, 55588V que indica que el transistor tiene que estar en zona de corte, y no en zona ohmica, luego la suposicin es incoherente.