Вы находитесь на странице: 1из 26

Лекция 1.

Фотовольтаическое
преобразование энергии
Станислав Герасименко
Лаборатория солнечной энергетики
Факультет энергетики, вычислительной и электротехники
Аризонский государственный универститет, США
Содержание
1. Место солнечного элемента в фотовольтаической системе
2. Принцип действия солнечного элемента
3. Параметры ВАХ солнечного элемента
4. Ключевые понятия, необходимые для работы
5. Материалы для фотовольтаики
6. Структура материалов
7. Дисперсия электронов
8. Дисперсия фононов
9. Зонная диаграмма, примесные полупроводники
10. Плотность состояний, вероятность заполнения и концентрация носителей
11. Рекомбинация и транспорт носителей
12. Генерация носителей
13. Интерфейс между металлом и полупроводником
14. Решение полной системы уравнений

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Фотовольтаическая система

Для изображения использована идея Stephen Bremner, University of New South Wales

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Принцип действия солнечного элемента
• Мощность солнечного излучения F(λ)

Вт/м2
• Мощность солнечного элемента
Вт/см2
• Коэффициент полезного действия

J,
мА/см2

max --
мощность n-тип
V
p-тип
V, В
+
J
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Основные параметры ВАХ
J,
-- мА/см2

• Напряжение n-тип
VOC VOC
холостого хода p-тип
+ V, В
J,
-- мА/см2

• Ток короткого n-тип


замыкания JSC
JSC p-тип
+ V, В

• Коэффициент
заполнения

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Основные этапы работы СЭ
• Генерация свободных носителей
• Спектральная плотность излучения
• Оптические свойства материала

• Транспорт носителей ко внешним


контактам
• Концентрация сгенерированных
носителей
• Электрические свойства материала

• Выходная мощность пропорциональна току носителей и


напряжению в цепи
• Ток определяется количеством носителей, прошедших через цепь
• Напряжение определяется энергией этих носителей

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Ключевые понятия
• Генерация и транспорт носителей определяется свойствами
материалов и конструкцией солнечного элемента
• Ключевые понятия
• Коэффициет поглощения
• Зонная структура
• Дрейф и диффузия
• Рекомбинация
• Транспорт через интерфейс
• Сопротивление
• Оптическая концентрация

• Физика твердого тела + транспорт

Изображение является собственностью Christiana Honsberg и Stuart Bowden

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Материалы для фотовольтаики
• Большинство СЭ состоят из твердых материалов
• Некоторые dye-sensitized имеют жидкие электролиты

• Большинство неорганические
• OPVC использует органические молекулы и полимеры

• Монокристаллические, поликристаллические и аморфные


• Полупроводники, металлы и диэлектрики

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Структура материалов
• Кристаллическая структура
• Фононный спектр
• Электронный спектр, зонная диаграмма

• Собственные и примесные полупроводники

• Виды дефектов и дефектные уровни в запрещенной зоне

• Виды рекомбинации

• Взаимодействие с излучением

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Кристаллическая структура
• В кристаллических материалах атомы находятся на своих
местах в узлах кристаллической решекти.
• Положение атомов в решетке определяет физические
свойства материала
• Примитивная ячейка – минимальный элемент решетки
повторением которого можно воссоздать всю решетку
• Существует 14 видов примитивных ячеек (ячеек Браве)
• Для описания кристаллических плоскостей и направлений
используются индексы Миллера
• Важные типы решеток: алмазная (Si, Ge), цинковой обманки
(GaAs, CdTe)
• Используйте Crystal Viewer для визуализации решеток
https://nanohub.org/resources/crystal_viewer

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Моно и поликристаллические материалы
• Поликристаллические материалы состоят из
монокристаллов (зерен) разного размера и
произвольной ориентации
• Границы зерен оказывают воздействие
на физические свойства и транспорт:
• Болтающиеся связи
• Место концентрации примесей
• Скопление свободных зарядов, потенциальные барьеры
• Каналы для диффузии при легировании
• В зависимости от размера зерна можно условно разделить на
нанокристаллический (< 100nm), микрокристаллический
(< 1000 um), мультикристаллический (> 1mm)
Изображение является собственностью Christiana Honsberg и Stuart Bowden

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Аморфные материалы
• Отсутствие дальнего порядка, но ITO
наличие ближнего порядка
(p)a-Si:H
• Множество дефектов
• Свойства и структура сильно зависят
от условий осаждения или синтеза
(i)a-Si:H

Si (111)

Источник изображения: Michael Emokpae, http://phillpot.mse.ufl.edu/research_files/Silicon.html


TEM микрограмма: Ujjwal Das, University of Delaware, Institute of Energy Conversion

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Электроны
• Валентные электроны находятся на внешней оболочке атома
Являются агентами химических связей между атомами
Учавствуют в проводимости
• Энергия электронов в твердом теле квантуется вследствие
дифракции волновых функций
• Энергия электрона связана с волновым вектором, k, т.е. с модой
колебаний волновой функции
• Разрешенные значения волнового FCC
вектора электрона, k , составляют
обратную решетку, минимальная
ячейка которой называется 1-ой
зоной Бриллюэна

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Фононы
• Атомы в решетке совершают тепловые колебания
• Квант колебаний решетки называется фонон
• Свойства фононов важны, так как фононы учавствуют в
генерации, рекомбинации и рассеивании носителей
• Волновой вектор фонона также принимает только определенные
значения, которые исчерпываются 1-ой зоной Бриллюэна

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Дисперсия фононов и электронов
• Полный Гамильтониан системы

По всем электронам По всем ядрам Электрон-ядро

• Адиабатическое приближение (Born-Oppenheimer):


движение ядер можно отделить от движения электронов
• Под ядром понимается сами ядра и электроны на нижних
электронных оболочках, а электроны – это валентные электроны

Фононный спектр Электронный спектр


Epn(k) E(k)
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Дисперсия фононов и электронов
Фононный спектр Электронный спектр
кремния Полуэмпирические методы: EPM, TB, kp

Источник: Ioffe Institute http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Энергетический спектр Si и GaAs
Si GaAs

X Г L X Г L
• Электроны и дырки, n = p = ni
• Прямозонны и непрямозонные полупроводники
Источник: Ioffe Institute http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Зонная диаграмма
Si вакуум

Χ φ

EC
Eg
EF

← расстояние → EV

Источник: Ioffe Institute http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Плотность состояний и вероятность заполнения

• Плотность состояний (DOE) различна для различных энергий


в валентной зоне
• Вблизи точки Г в 3D
в зоне проводимости

• Вероятность заполнения определяется распределением Ферми


EC

EF

EV
• Уровень Ферми – уровень с вероятностью заполнения 0.5
• Показывает количество и среднюю энергию носителей

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Концентрация носителей и легирование

• Концентрация носителей пропорциональная плотности состояний


и вероятности их заполнения

• Примеси поставляют свободные носители (электроны в зону


проводимости и дырки в валентную зону)
• При этом уровень Ферми смещается
Примесь n-типа, донор Примесь p-типа, акцептор
P, As для Si B, Al для Si
EC EC
примесные
EF уровни EF

EV EV
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Концентрация носителей и легирование

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Рекомбинация
• Через определенное время, время жизни, свободные электроны
возвращаются в валентную зону (рекомбинируют с дыркой)
• Энергия электрона сбрасывается тремя основными способами
• С излучением фотона (излучательная рекомбинация) EC
фотон
EV
• Через уровни в запрещенной зоне (SRH рекомбинация) EC
фононы
EV

• Путем передачи энергии другому носителю


(Оже рекомбинация) EC

EV
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Транспорт носителей
• Изменение положения и момента импульса частицы со временем описывается
кинетическим уравнением Больцмана, которое в RTA приближении записывается

• По определению плотность тока носителей

• В результате получается

• В связке с уравнениями неразрывности и уравнением Пуассона получается


полная система, описывающая транспорт свободных носителей

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Генерация носителей
• Излучение с энергией превышающей ширину
EC
запрещенной зоны поглощается фотон
• Поток излучения при поглощении зависит от
длины волны и толщины материала EV

• Частота генерации - разность Si, AM1.5G


потоков фотонов в малом
интервале

Изображение является собственностью Christiana Honsberg и Stuart Bowden

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Интерфейс между металлом и полупроводником

• Термионная эмиссия
• Туннелирование
Плотность тока = q(концентрация носитлей х вероятность
туннелирования х скорость носителей)
Вероятность туннелирования рассчитывается с помощью
Уравнения шредингера для треугольного потенциального барьера
Изображение является собственностью Clarence Tracy, Arizona State University

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко


Решение системы уравнений
• Численные методы
• Собственный «решатель»
• Sentaurus, Silvaco
• PC1D, AMPS-1D, AFORS-HET
• Аналитические методы
• Использование приближений
• Ограниченная применимость
• Решения уравниней – распределение концентраций
носителей и потенциалов в устройстве при
неравновесных условиях => ВАХ и КПД

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко