Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Фотовольтаическое
преобразование энергии
Станислав Герасименко
Лаборатория солнечной энергетики
Факультет энергетики, вычислительной и электротехники
Аризонский государственный универститет, США
Содержание
1. Место солнечного элемента в фотовольтаической системе
2. Принцип действия солнечного элемента
3. Параметры ВАХ солнечного элемента
4. Ключевые понятия, необходимые для работы
5. Материалы для фотовольтаики
6. Структура материалов
7. Дисперсия электронов
8. Дисперсия фононов
9. Зонная диаграмма, примесные полупроводники
10. Плотность состояний, вероятность заполнения и концентрация носителей
11. Рекомбинация и транспорт носителей
12. Генерация носителей
13. Интерфейс между металлом и полупроводником
14. Решение полной системы уравнений
Для изображения использована идея Stephen Bremner, University of New South Wales
Вт/м2
• Мощность солнечного элемента
Вт/см2
• Коэффициент полезного действия
J,
мА/см2
max --
мощность n-тип
V
p-тип
V, В
+
J
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Основные параметры ВАХ
J,
-- мА/см2
• Напряжение n-тип
VOC VOC
холостого хода p-тип
+ V, В
J,
-- мА/см2
• Коэффициент
заполнения
• Большинство неорганические
• OPVC использует органические молекулы и полимеры
• Виды рекомбинации
• Взаимодействие с излучением
Si (111)
X Г L X Г L
• Электроны и дырки, n = p = ni
• Прямозонны и непрямозонные полупроводники
Источник: Ioffe Institute http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/
Χ φ
EC
Eg
EF
← расстояние → EV
EF
EV
• Уровень Ферми – уровень с вероятностью заполнения 0.5
• Показывает количество и среднюю энергию носителей
EV EV
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Концентрация носителей и легирование
EV
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Транспорт носителей
• Изменение положения и момента импульса частицы со временем описывается
кинетическим уравнением Больцмана, которое в RTA приближении записывается
• В результате получается
• Термионная эмиссия
• Туннелирование
Плотность тока = q(концентрация носитлей х вероятность
туннелирования х скорость носителей)
Вероятность туннелирования рассчитывается с помощью
Уравнения шредингера для треугольного потенциального барьера
Изображение является собственностью Clarence Tracy, Arizona State University