Laboratorio 1

Amplificador Multietapas

INDICE
OBJETIVOS ........................................................................................................................................ 2 FUNDAMENTO TERICO ............................................................................................................... 2 Tipos de acoplamiento .................................................................................................................... 2 Acoplamiento directo ...................................................................................................................... 3 Acoplamiento capacitivo ................................................................................................................. 3 Acoplamiento por transformador ................................................................................................... 3 Conexiones ...................................................................................................................................... 4 Conexin en Cascada ...................................................................................................................... 4 Conexin Cascode ........................................................................................................................... 4 Conexin Darlington........................................................................................................................ 5 Par retroalimentado ........................................................................................................................ 5 APLICACIONES ................................................................................................................................ 6 MATERIALES ...................................................................................................................................... 6 CIRCUITO A IMPLEMENTAR .......................................................................................................... 7 Explicacin del circuito .................................................................................................................... 7 Polarizacin DC................................................................................................................................ 9 Simulaciones.................................................................................................................................... 9 CUESTIONARIO .............................................................................................................................. 12

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OBJETIVOS
Disear, simular, implementar y analizar la ganancia y respuesta en frecuencia de un amplificador lineal. Observar experimentalmente la amplificacin gradual de un amplificador multietapa, etapa por etapa, para de esta manera poder descubrir sus posibles aplicaciones. Observar experimentalmente el efecto de la frecuencia de operacin en el desempeo de un amplificador.

FUNDAMENTO TERICO
Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que tienen mltiples transistores (BJT o FET) y adems pueden ser conectadas entre s para mejorar sus respuestas tanto en ganancia, Zin, Zout o ancho de banda. Las aplicaciones pueden ser tanto de DC como de AC. En el caso de los amplificadores que utilizan un solo transistor, estos circuitos tienen una ganancia, Zin, Zout y capacidades de manejo de potencia limitados, y no pueden ser utilizados para llenar cualquier necesidad de amplificacin. Afortunadamente, las limitaciones de amplificacin en una sola etapa se pueden vencer mediante la utilizacin de amplificacin en varias etapas. Los amplificadores multietapa presentan un conjunto de conexiones de transistores que, aunque no son los convencionales de emisor comn, colector comn o base comn, son muy importantes ya que se utilizan ampliamente en circuitos tanto discretos como integrados. La puesta en prctica de estos circuitos requiere de tcnicas de diseo y de anlisis que van ms all de los principios de diseo de una sola etapa. Las tcnicas de diseo multietapas estn orientadas principalmente hacia circuitos integrados. En un entorno de circuito integrado, los parmetros de los dispositivos que dependen de variaciones en el proceso de fabricacin se pueden controlar nicamente dentro de un rango especfico de valores. Sin embargo, todos los dispositivos de un circuito integrado tienen procesos de fabricacin virtualmente idnticos. En consecuencia, dispositivos con parmetros bastante parecidos, si no exactamente predecibles, s estn fcilmente disponibles. Tipos de acoplamiento El acoplamiento establece la forma en la cual se conectan las distintas etapas amplificadoras, dependiendo de la naturaleza de la aplicacin y las caractersticas de respuesta que se desean.

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Existen distintos tipos de acoplamiento: acoplamiento directo, capacitivo y por transformador. Acoplamiento directo Consiste bsicamente en interconectar directamente cada etapa mediante un cable. Se permite la amplificacin tanto de la componente de seal como de la componente continua del circuito. Se dice que los circuitos de CD se acoplan directamente. Presenta buena respuesta a baja frecuencia. Tpicamente se utilizan para interconectar etapas de emisor comn con otras de seguidor de emisor. Cuando los circuitos se acoplan de esta manera se habla de circuitos en CD y AC.

Acoplamiento capacitivo Permite desacoplar los efectos de polarizacin entre las etapas. Permite dar una mayor libertad al diseo pues la polarizacin de una etapa es independiente de las otras. Se usa cuando slo se desea amplificar seal. La presencia de un capacitor anula las componentes de DC permitiendo slo la amplificacin de seales AC. Con este tipo de acople, la respuesta en baja frecuencia del amplificador se ve afectada seriamente. Cuando los circuitos se acoplan de esta manera se habla de circuitos en AC.

Acoplamiento por transformador Muy popular en el dominio de las radiofrecuencias. El transformador como carga permite aislar seales y adems, seleccionando la razn de vueltas en el transformador, se pueden lograr

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incrementos de tensin o de corriente. Los transformadores permiten aislar elctricamente las etapas.

Conexiones Las configuraciones clsicas son el par Darlington (alta impedancia de entrada e incremento de la ganancia de corriente), el par diferencial (Relacin de rechazo en modo comn elevada), el amplificador Cascode (alta impedancia de salida) y la conexin en Cascada. Todas estas etapas amplificadoras pueden ser integradas y encapsuladas en un chip semiconductor llamado Circuito Integrado (CI). En el CI las polarizacin de las etapas se hace usando fuentes de corriente, debido a la mayor facilidad de construccin (a travs de transistores). Conexin en Cascada Entre las posibles conexiones mutietapas en grandes amplificadores, la conexin en cascada es la ms simple. En una conexin en cascada la tensin y la corriente de salida de una etapa son pasados directamente a la entrada de la siguiente etapa. La ganancia total del amplificador es el producto de las ganancias de cada etapa.

Conexin Cascode Una conexin cascode cuenta con un transistor por encima de (en serie con) otro. La figura muestra una configuracin cascode con una etapa de EC alimentando a una etapa de BC. Este arreglo est diseado para proporcionar una alta impedancia de entrada con una baja ganancia de

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voltaje para asegurar que la capacitancia Miller de entrada sea mnima con la etapa de BC proporcionando una operacin adecuada a alta frecuencia.

Conexin Darlington Una conexin muy popular de 2 transistores de unin bipolar para operar como un transistor con superbeta es la conexin Darlington. Corresponde a 2 etapas seguidor emisor. La principal caracterstica de la conexin Darlington es que el transistor compuesto acta como una unidad simple con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de corriente de los transistores individuales. La conexin Darlington de transistores proporciona un transistor que cuenta con una ganancia de corriente muy elevada, por lo general de unos miles.

Par retroalimentado

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APLICACIONES
Algunas de las aplicaciones de los amplificadores multietapa se encuentran en: Etapas intermedias de un amplificador de audio. Amplificadores operacionales (etapa diferencial). Espejos de corriente. Amplificadores sintonizados. Par de retroalimentacin. Tecnologa CMOS (compuertas lgicas).

MATERIALES
Los dispositivos a emplear en este laboratorio son: 4 Transistores 2N222A. Resistencias: R1= 10K, R2= 100K, R3= 68K, R4= 2.2K, R5= 3.9K, R6= 3.3K, R7= 0.1K, R8= 2.2K, R9= 68K, R10= 22K, R11= 3.9K, R12= 1.5K, R13= 3.3K, R14= 0.1K, R15= 0.68K, RL= 10K Condensadores: Electrolticos: C1= 0.22F C2= 47F C3= 0.15F C4= 0.22F C5= 47F Cermicos: C6 = 1.8F C7 = 1.2F 1 protoboard. 1 generador de seales. 1 fuente DC regulable. 1 multmetro. 1 osciloscopio. Cables de conexin.

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CIRCUITO A IMPLEMENTAR

Explicacin del circuito El circuito de estudio funciona de la siguiente manera: En este circuito amplificador se pueden observar claramente 2 etapas. La primera etapa se encuentra compuesta por los transistores Q1 y Q2, quienes se encuentran conectadas mediante un acoplo directo. La segunda etapa se encuentra compuesta por los transistores Q3 y Q4, quienes tambin se encuentran conectadas mediante un acoplo directo. Ambas etapas se encuentran unidas a travs de un acople capacitivo (condensador electroltico C3 de 0.15F) con lo que ambas etapas se encuentran conectadas en conexin en cascada. Los transistores se encuentran trabajando en configuracin Nada-Comn, pero se puede analizar a travs de una configuracin Emisor-Comn. Por ello, toda seal ingresar a cualquiera de los transistores a travs de su base y saldr amplificada por su colector. En la etapa 1 la seal de entrada ingresa a travs de la base de Q1, quien la amplifica. Dicha seal amplificada sale por el colector de Q1. Esta seal ingresa por la base de Q2 para que sea nuevamente amplificada, ahora gracias a este transistor. La seal amplificada final de la etapa 1 sale por el colector de Q2. En la etapa 2 la seal de entrada viene a ser la seal final amplificada proveniente de la etapa 1. La seal de entrada ingresa a travs de la base de Q3, quien la amplifica. Dicha seal amplificada sale por el colector de Q3. Esta seal ingresa por la base de Q4 para que sea nuevamente amplificada, ahora gracias a este transistor. La seal amplificada final de la etapa 2 sale por el colector de Q4. Esta seal final alimenta a una carga (resistencia RL = 10K). El circuito elegido para la polarizacin de los transistores es el tipo H. Esta configuracin es muy usada ya que brinda notables ventajas en el diseo y clculo de los valores de IC y VCE Pgina 7

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del punto de operacin del transistor. Eligiendo valores adecuados de las resistencias del circuito de polarizacin, se puede conseguir que IC y por consiguiente VCE no dependan del valor de del transistor, hecho que es muy ventajoso. El motivo porqu es ventajoso tener valores independientes de se explicar ms adelante en el desarrollo del cuestionario. Los condensadores C1, C3 y C4 sirven de acople. El condensador C1 sirve de acople entre la seal de entrada y el transistor Q1. Su funcin es la de permitir el ingreso de esta seal slo en el anlisis en AC y que de esa manera no interfiera en la polarizacin en DC del transistor mencionado. El condensador C3 sirve de acople entre las etapas 1 y 2 del amplificador multietapa, como se menciono antes. Su propsito es el mismo que el del condensador C1, hacer que la seal que se dirige hacia el transistor Q3 slo trabaje en el anlisis en AC pero que no interfiera en la polarizacin en DC de ste. El condensador C4 sirve de acople entre la seal de salida del amplificador multietapa y la carga RL. Debe conectarse este condensador para que dicha carga no interfiera en la polarizacin del transistor Q4. Gracias a estos condensadores las polarizaciones de cada etapa son independientes. Los condensadores utilizados para esta funcin son electrolticos, ya que que en DC trabajan como circuitos abiertos y en AC trabajan como cortocircuitos. Los condensadores C2 y C5 tienen un propsito especfico. Se llaman condensadores de desvo. Se encuentran conectados a R8 y R15 respectivamente con el propsito de mejorar la estabilidad del sistema y adems disminuir el valor de la resistencia de emisor en el anlisis en AC. Como se dijo antes, es bueno tener un circuito de polarizacin tipo H, pero si trabajara una resistencia de emisor en el anlisis en AC se perdera ganancia. Es por ello que para cumplir con ambos criterios se colocan dos resistencias en serie y a una de ellas se le coloca en paralelo un condensador, para que trabaje en la polarizacin en DC y deje de funcionar en el anlisis en AC. Estos condensadores tambin deben ser electrolticos. Los condensadores C6 y C7 tienen, a su vez, otro propsito especfico. Se conectan entre la base y el colector de los transistores Q1 y Q3 con el propsito de compensacin cuando se trabaja en alta frecuencia (capacitancia de Miller). Estos condensadores son cermicos.

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Laboratorio 1 Polarizacin DC

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Simulaciones
Las simulaciones que se presentan fueron hechas en Multisim 11.0.

Grfica de la seal de entrada:

Grfica comparativa de las seales a la entrada y salida de la primera etapa del circuito amplificador multietapa: 07/04/2011 Pgina 9

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Grfica comparativa de las seales a la entrada y salida de la segunda etapa del circuito amplificador multietapa:

Grfica comparativa de las 3 seales antes mostradas:

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Grfica comparativa de las seales a la entrada y salida del circuito amplificador (amplificacin final):

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CUESTIONARIO
1. Detallar las condiciones para que un BJT y/o FET puede operar en baja frecuencia. Dada una cierta configuracin de transistores, se pueden calcular las frecuencias de corte inferior (fL) y superior (fH). Una vez conocidos estos valores, solo hay que ajustar la frecuencia de la seal que se va a amplificar a un valor menor a la frecuencia fL. Cuando el transistor se encuentra trabajando en baja frecuencia se considerar el modelo de parmetros hbridos para su funcionamiento, pero cuando trabaja en alta frecuencia hay que considerar un nuevo modelo en el que juegan un papel importante las capacitancias parsitas del transistor.

2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, escriba la ecuacin, tal que y considerando que los BJT son de silicio. Sabemos que:

Dada la condicin que:

Luego:

De Q2 sabemos que:

Derivando respecto a

[ En la malla que pasa por la base y el emisor de Q2 tenemos que:

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Derivando respecto a

y despejando se tendr:

Donde S y S representan los factores de estabilidad de respectivamente.

respecto a los parmetros

Finalmente, reemplazando (1) y (2) en (*) tendremos el ndice de variacin de T:

con respecto a

3. Fundamente las razones por los que se disea la ganancia y otros parmetros de un amplificador independiente del, etc. del BJT por ejemplo. La razn por la cual se disean estos circuitos con este criterio radica en el hecho que se busca que los valores de polarizacin de DC del transistor (IC, VCE) se mantengan prcticamente inalterables en los valores que uno haya escogido, para que de esta manera haya una buena amplificacin de la seal AC (sin recortes o distorsiones). Se sabe que algunos parmetros del transistor, tales como hfe () y hie, dependen de la temperatura; por lo que si dejamos que las variables IC y VCE dependan de estos parmetros lo que suceder es que el punto de operacin del transistor se mueva sobre la recta de carga, con lo que nuestros valores de IC y VCE variarn y probablemente hayan problemas con la amplificacin de la seal. Es por ello que se emplea el tipo de circuito llamado tipo H para la polarizacin de los transistores, ya que este tipo de circuito permite que con valores adecuados de las resistencias se obtengan valores de IC y VCE casi independientes de . Adems, este circuito tiene un poco sensibilidad al efecto de la temperatura. 4. Disee el circuito amplificador ARGOS1.CIR bajo las siguientes premisas

Fuente de operacin DC 12V. Elementos activos 2N2222A o similares Seal de prueba 1Khz 10 mV con resistencia interna de 10K Corrientes ICQ mayor igual a 1 mA Frecuencia de Corte fi=100 Hz y fs= 5Khz Ganancia de frecuencias medias 350 (Aprox.)

Datos utilizados para la construccin del amplificador

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Sea ganancia total 896, nos excedemos del valor de 350 por que le valor de la fuente continua es muy cercano al valor pico - pico de nuestra seal de salida, optamos por: G12=32 G34=28 Adoptamos hfe=150 para todos los transistores dado que este es su valor sugerido por el manual ECG Adoptamos SI = 11 y fa=0.8 entonces Rb/R5=10 adems Zin = Rb//(hie+R5 hfe) fa = Zin/(Zin+Ri) como Ri=10kW Rb 40kW pero como sabemos que Rb<Zin entonces sea Rb=39.5kW para este valor tendremos R5=3.6kW . asumimos Icq1=1.1mA V3=3.44 V V2=4.085 V5=2.8V dado que V2=4.085V y Rb=39.5 R2 110kW y R3 62KW asumimos Vce1=6.5V V1=10V R4=(V+ -V1)/Icq1 2kW como V5=2.8v adoptamos Icq2=1.11mA R7+R8=2.8/1.11=2.51kW dado que G1=fa=0.8 G2=G12/G1=32 /0.8=40 adems R5<<hfe2 R7 R7 0.11kW dado que G2=32 =R6/R7

R6 3.6kW adems R8=2.51-R7 2.4KW

tenemos entonces el circuito equivalente para la primera etapa Vin'=400mV y Ri'=3.6kW 07/04/2011 Pgina 14

Laboratorio 1 nuevamente sabemos fa=0.8 fa = Zin/(Zin+Ri) Zin 15.12kW Rb tomamos Icq3=1.4mA y V8=2.1 V R12 1.5kW Como R12<<hfe2 R14 R14 0.091kW V7=2.8 v y V10=1.47v en consecuencia al valor de V8=2.1v dado que G3=0.8 G34/G3=G4=36=R13/R14 Como V7=2.8 v y Rb=15.12kW R9 62kW y R10 20kW Sea Vceq3=4.3v V6=6.4v R11=( V+-V6)/Icq3 3.9kW Dado que V10=1.47V y (R14+R15)=V10/Icq4 asumimos Icq4=2mA Tendremos entonces que R14+R15 0.735kW R15=0.65kW

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Para que l ultimo transistor se mantenga operando elegimos Vce4=4V Por tanto V9 5.47V R13 3.3kW

5. Comprobar que las junturas Base-Emisor trabajan en rgimen lineal

Los voltajes entre base-emisor son prximos a 0.6 V trabajando en zona de amplificacin

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JUNTURA BASE - EMISOR DE Q1

JUNTURA BASE - EMISOR DE Q2

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JUNTURA BASE - EMISOR DE Q3

JUNTURA BASE - EMISOR DE Q4

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6. Presente los diagramas de bode obtenidos de la simulacin. V13/V12

V3/V12

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Laboratorio 1

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V14/V3

V4/V12

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Laboratorio 1 V8/V4

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V9/V8

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Laboratorio 1 V16/V8

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V16/V12

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