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Optos Notas para su utilizacin en aplicaciones de conmutacin

Autor: Fernando Cofman

Optos
Notas para su utilizacin en aplicaciones de conmutacin
Los opto-acopladores u opto-aisladores son dispositivos integrados que combinan en un mismo encapsulado un foto diodo (LED emisor) con un dispositivo de control sensible a la luz (foto-transistor, foto-TRIAC, etc.). El objetivo con esto es aislar fsicamente la entrada de la salida, ya que no existe conexin elctrica entre ellas. Estos dispositivos son de especial inters en las aplicaciones que requieren tensiones, corrientes o potencias muy dispares entre la lgica digital y los elementos a controlar.

Los opto-acopladores excitan al componente de salida (habitualmente un TBJ) con la luz emitida por el LED en la entrada, de manera que conectando los componentes externos en forma adecuada, se obtiene el mismo resultado q si se utilizara un transistor comn (con la ue ventaja que ya se mencion de aislacin elctrica entre etapas). Sin embargo, es necesario redefinir la ganancia de corriente para estos dispositivos, ya que no ser el terminal de B el que suministre la corriente de entrada. Se define un parmetro de acoplamiento ptico (que por comodidad tambin se representar con , cuyo valor vara entre 10% y 20% es decir 0,1 y 0,2) que relaciona la corriente en el diodo con la de C en la salida: I C = .I D Debido al bajo valor de , suele ser necesario agregar otro TBJ en la salida capaz de manejar la carga. Considrese el siguiente ejemplo para ilustrar la situacin: Se desea controlar un motor de CC con la salida de una compuerta Compuerta NAND (74S00) VOH 2,7 V VOL 0,5 IOH -1 mA IOL 20 Motor de CC VL 24 IL 1

V A

Para seleccionar los componentes que deben utilizarse deben evaluarse las condiciones extremas de funcionamiento. Se tiene que mnimo > 50, IC mxima > 1 A, VCE mxima > 24 V y se sabe que RC es equivalente a 24 , VCC2 = 24 V y VCC1 = 5 V (se utilizar la
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Autor: Fernando Cofman

alimentacin de la compuerta para el LED no es necesario que sea as aunque resulta consecuente con el concepto de aislacin de circuitos). Los componentes externos que han sido elegidos son: Opto-acoplador (4N25) TBJ Darlington-NPN TIP122 250 PD mxima 2 W PD mxima mW (150+150) VBE on 2,5 VCE mxima 30 VCE mxima 100 V V VCE saturac. 0,5 VCE saturac. 2 IC mxima 150 mA IC mxima 5 A VD mximo 1,5 V 1000 mnimo ID mnima 5 mA 20 % mnimo TOTAL = 4N25 . TIP122 = 200
Nota: E transistor de salida es del tipo Darlington, lo que significa que consiste de 2 transistores en l cascada. Es por eso que y VBE on son bastante mayores.

El circuito resultante queda dado por:

Ntese que en este circuito no se utiliza el terminal B del transistor de salida del opto y que la conexin con la compuerta sugiere que el LED encender cuando el estado lgico sea 0. Esto ltimo es as dado que un LED requiere un mnimo de 5 mA (aproximadamente) y la compuerta no puede proveer semejante corriente en 1. Para el estado 1, no circular corriente por el LED por lo que no se excitar el transistor y de esta forma no circular corriente por la carga. Cuando la compuerta se encuentra en el estado 0, el circuito de entrada deber satisfacer las condiciones de funcionamiento, que se pueden describir por: VCC 1 = I D .RD + VD + VOL I D min < I D < I OL R D min = VCC 1 (V D + V OL ) = 150 I OL
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Autor: Fernando Cofman

R D max =

V CC1 (V D + VOL ) = 600 I D min

En saturacin, se busca que la corriente en la carga sea IL = 1 A, por lo que se puede hallar otra condicin sobre ID: ID = IL = 5mA T

Dado que coincide con la corriente mnima requerida por el diodo, no constituye una nueva limitacin. Sin embargo, si esta ltima corriente calculada fuera mayor que ID mnima, debera utilizarse este valor para calcular RD mxima, ya que de otra forma, el transistor no saturara (cabe recordar que de no saturar el transistor, estara disipndose potencia innecesariamente y la tensin entre bornes de la carga as como la corriente que circula por la misma seran menores a las deseadas). Ahora, eligiendo RD = 470 se tiene: ID = VCC 1 (V D + VOL ) = 6,4mA RD I C1 = 4 N 25 .I D = 1, 28mA I L = TIP122 . I C1 = 1,28 A

Debe notarse que el clculo indica que IL > 1 A. Esto no es as en la realidad, ya que considerando que RC = 24 , debera resultar VL > 24 V, que de hecho no es posible. La explicacin de este fenmeno es que una vez saturado el transistor, deja de tener validez la expresin de la ganancia de corriente; la conclusin entonces resulta que el transistor efectivamente se ha saturado. La potencia disipada por el integrado resulta: PD = VCEsat .I C + VD .I D = 0,5V .1,28 A + 1,5V .6, 4mA PD = 0,64mW + 9,6mW = 10,24 mW y la disipada por el transistor externo, ser aproximadamente: V V CEsat 24V 2V = 2V . PD = VCEsat .I C = VCEsat . CC 2 RC 24 PD = 1,83W Dado que esta ltima potencia se acerca bastante al lmite del dispositivo, probablemente sea necesario utilizar un disipador.

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