Conductividad elctrica: Modelo de Drude* Modelo del gas de electrones*

Rafael Ramn Rey Gonzlez

rrreyg@unal.edu.co

* Basado en un gran nmero de presentaciones y archivos encontrados en internet.

Conductividad elctrica: Modelo de Drude

Captulo 1: Solid state Physics. Neil Ashcroft & N. David Mermin

Elementos metlicos

Conductividad en materiales
En todos los materiales la conduccin de carga se realiza mediante "portadores de carga".
En los metales, los portadores son electrones En lquidos suele haber transporte de carga por iones de ambos signos En algunos slidos tambin se produce transporte de carga por iones. Este proceso es generalmente de tipo intersticial como ocurre con iones Na+ y K+ en SiO2 y de oxgeno en ZrO2.

Conductividad elctrica

Modelo de Drude
Interpretacin clsica del fenmeno de transporte de carga en un slido

Drude desarroll su modelo en 1900 de la conductividad elctrica y trmica aplicando la teora cintica de los gases

Hiptesis del modelo de Drude

Los electrones se pueden mover casi libremente entre los tomos de la red. No sienten el campo generado por los iones. la interaccin e-e es despreciable (gas ideal de electrones o aproximacin de electrn independiente). Los electrones colisionan con los iones y defectos de la red La poblacin de electrones est descrita por la estadstica de Maxwell-Boltzmann. Los electrones estn confinados en el metal.

Conductividad elctrica
El flujo de carga elctrica en un material es el producto de:
n nmero de portadores de carga por unidad de volumen (densidad) q carga elctrica de cada uno movilidad de los portadores de carga

j = nq
densidad electrnica? velocidad de los portadores?

Densidad de electrones n
Z nmero de electrones de valencia m densidad A masa atmica
Nmero de Avogadro (tomos/mol) * (m/A)* nmero de electrones que aporta cada tomo

Densidades de electrnes libres

Velocidad de los electrones

La velocidad de los electrones est determinada por la teora de gases ideales, entonces su valor medio est determinado por la equiparticin de la energa

1 2 3 mv = k BT 2 2
y obedece a la distribucin
3 r E (v ) k BT

m r dn = f MB (v ) = N 2k T dv B

e
2

Camino libre medio: distancia media recorrida entre colisiones. Tiempo de relajacin: Tiempo promedio entre colisiones velocidad media de los electrones Valores estimados

Valores con una alta dependencia de la temperatura

Movimiento en ausencia de campo elctrico

Ver simulacin

El movimiento es al azar lo que determina que no hay un desplazamiento efectivo en alguna direccin. La velocidad media de los electrones es nula, <v >= 0.

Movimiento en presencia de campo elctrico

En este caso hay un desplazamiento efectivo en la direccin opuesta al campo elctrico, experimentado por cada electrn. La velocidad media de los electrones en este caso es la velocidad de arrastre, generando un trasporte efectivo de carga El efecto global por las colisiones con la red es similar al roce viscoso

d 2x v eE + = 2 dt m

Ley de Ohm
A V

r r E = j

La inversa de la resistividad es la conductividad elctrica y tambin es caracterstica del material:

Se define movilidad como el cociente de la velocidad de deriva con el campo aplicado

Aciertos del modelo de Drude

Es consistente con la Ley de Ohm Explica, en forma cualitativa, el fenmeno de la resistencia elctrica Predice buenos valores para la conductividad

Fallas del modelo de Drude

Ejercicio
Estimar la conductividad tpica de un metal a 295 K suponiendo un camino libre medio de alrededor de 1 nm y un nmero de electrones de valencia de alrededor de 1029 m-3 Respuesta:

1 3 2 mvD = k BT 2 2

vD = 1.16 X 10 m s
5
15

v=

= 8.62 X 10
2

ne 7 1 1 = ne = = 2.42 X 10 m m

Efecto Hall clsico (1879)

Objetivo: detectar posibles efectos de magnetoresistencia

= (H )
hilo metlico

r E

jx = 0 E

r H

r E

Resultado del experimento: nulo

= 0 = 1 / 0 !

El efecto Hall clsico

El experimento de Hall (E. H. Hall (1879))
Explicacin del resultado nulo:

r er r e r FL = v H = vHu y c c

r H
r r Fy = eE y u y
++++++++++r ++ ++++++++++ + Fy

Ey

________________________

r FL

Ex

En una situacin estacionaria

r r FL + Fy = 0

jx = 0 Ex

( H ) = 0

El efecto Hall clsico

El experimento de Hall (E. H. Hall (1879))
Voltaje y coeficiente Hall

r H

++++++++++r ++ ++++++++++ + Fy

Ey

________________________

r FL

Ex

como la fuerza total transversal es cero:

r r FL + Fy = 0

e eE y = vH c
Coeficiente Hall

H Ey = jx nec
Ey

Voltaje transversal o Hall

VH
Acceso a la carga y concentracin de portadores !!!

1 = RH = H = jx H nec

Efecto Hall: Experimentos

1 RH = H HJ x nec Ey
RH independiente de H para campos grandes (c >>1)

eH c = mc

Modelo del gas de electrones

Captulo 1: Solid state Physics. Neil Ashcroft & N. David Mermin Captulo 6: Solid-State Physics. An introduction to Principles of Materials Science. Harald Ibach & Hans Lth Captulo 6: Introduction to Solid State Physics. Charles Kittel

Modelo de Sommerfield
Es la versin cuntica del gas de electrones libres que incorpora el principio de exclusin de Pauli, dando lugar al gas de electrones degenerado tal y como se realiz en el tomo. La funcin de distribucin clsica de Maxwell Boltzmann del modelo de Drude se reemplaza por la distribucin de Fermi-Dirac en el modelo cuntico que introduce la energa de Fermi como la escala nueva de energa que domina las propiedades electronicas incluso a temperatura ambiente ya que es mucho mas pequea que la temperatura de Fermi. Esto hace que el camino libre medio de los electrones del gas cuntico sea dos rdenes de magnitud ms grande que el parmetro de red, en contra de las predicciones del modelo de Drude. A pesar de ello, este modelo todava segua sin explicar dos observaciones importantes. Por un lado, la existencia de aislantes y por otro el signo positivo del coefficiente Hall observado en muchos metales.

Condiciones de frontera: Paredes rigidas

Condiciones peridicas

Las soluciones de la ecuacin de onda son:

El momento lineal es:

Los posibles valores de k son:

donde ni (i=x,y,z) es entero

Cada vector de onda, punto, ocupa un volumen en el espacio k dado por

Si hay N electrones entonces a T=0K

Se debe cumplir que:

La energa total del sistema en el estado fundamental es

Encontrar la densidad de estados para un gas de electrones bidimensional y unidimensional

Densidad de estados
Para un cristal con dimensiones macroscpicas el espacio k se llena densamente, esto es:

Como

V 2mE N= 2 2 3 h

la densidad de estados es (3D):

dN V 2m 1 2 D( E ) = E 2 2 dE 2 h

Capacidad calorfica calor especfico

Para T=0K

ET =

EF

E D ( E )dE
3 = nK B T F 5

En el caso de un sistema 3D, obtenemos:

ET

3 = nE 5

La presin es:

3 E F 3 2 dE = n P EF = n 5 V 5 3V dV

2E P= 3V

Cmo podemos crear un gas de electrones 2D?.

Nanoestructuras
200 Hilo cuntico 200

Pozo cuntico

(a)

(b)
Punto cuntico

200

(c)

Representacin esquemtica de las principales nanoestructuras desarrolladas usando materiales semiconductores

Presentacin Semiconductores de Lilia Meza

Puntos cunticos
Micrografa electrnica de barrido de un arreglo de puntos cunticos en una estructura de InSb.

Modelo de un arreglo de puntos cunticos

C. Espejo Trabajo final

Heterouniones semiconductoras crecidas por MBE

Gas de electrones bidimensional

Silicon MOSFET

(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

n 1013cm2
Heterouniones semiconductoras

n 1011 cm 2

Superficie de Helio lquido

n 109 cm 2

MOSFET: Diagrama de bandas

SiO2

5000 A

Silicon MOSFET

(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

n 1011 1013 cm 2
conduction band energy gap

oooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooo

valence band

p-Si F

Al

situacin de equilibrio

(Consultar: Solid State Physics, H Ibach & H. Luth, Springer)

MOSFET: Variacin de n mediante un potencial de gate

SiO2

2D electron gas (inversion layer)

gate

conduction band energy gap valence band

eVG p-Si

Al