Unin P-N

Curso: Fsica Electrnica Pertenece: Meza Grados, Manuel

UNION P-N
A. Diodo de Unin PN Polarizado
Se entiende como polarizacin de una unin p-n a la aplicacin externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa, como veremos a continuacin.

a. Unin p-n polarizada directamente

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve en las Figuras, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

Unin p-n polarizada en directa

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Representacin circuital del diodo polarizado en directa y conexin real En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos: Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin. El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. La barrera de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin, tal y como se muestra en la figura siguiente.

Reduccin de la barrera de potencial en la unin p-n polarizada en directa Dado que ha de cumplirse que V= Vp-VJ+Vn, se tiene que VJ= Vp+Vn-V. Puesto que Vp+Vn=Vo, entonces se verifica que VJ=Vo-V. Como decamos antes, al polarizar la unin p-n en directa disminuye la barrera de potencial y el valor de esa reduccin es la tensin V de la batera. Sin embargo, en la prctica, el diodo siempre trabaja con barrera de potencial VJ en la unin, incluso con polarizacin directa. Si se aplicara suficiente polarizacin directa para que se anulara la barrera de potencial, circulara una corriente excesiva por la unin y podra destruirse sta por sobrecalentamiento. La reduccin del campo elctrico de la unin reduce el efecto de arrastre1.

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Curso: Fsica Electrnica Pertenece: Meza Grados, Manuel Al ser la zona de transicin ms estrecha, aumenta el gradiente de las distintas concentraciones de portadores en ella y consecuentemente, aumenta el efecto de difusin2. No se alcanza el equilibrio, producindose una circulacin neta de carga por el circuito. De esta forma, la corriente en la unin es por difusin y fuera de ella por arrastre. Los portadores que atraviesan la unin se difunden alejndose de ella hasta que se recombinan con los portadores mayoritarios que son aportados por las corrientes de arrastre. As, los electrones libres del lado n que atraviesan la unin se difunden en el lado p, donde son minoritarios, y se recombinan con huecos que aporta el arrastre, convirtindose en electrones de valencia en el lado p. Del mismo modo, los electrones de valencia del lado n que atraviesan la unin hacia el lado p, o lo que es lo mismo, los huecos del lado p que atraviesan la unin, se difunden en el lado n, donde son minoritarios, y se recombinan con electrones libres que aporta el arrastre. En definitiva, la corriente que atraviesa la unin es debida al movimiento de electrones y huecos inyectados a cada lado de la unin donde son minoritarios. Los huecos que circulan de izquierda a derecha constituyen una corriente en el mismo sentido que los electrones que se mueven de derecha a izquierda, y, por lo tanto, la corriente resultante que atraviesa la unin es la suma de las corrientes de los huecos y de los electrones minoritarios, que puede llegar a ser importante. En una unin asimtrica, que corresponde a una unin con un lado ms dopado que el otro, la corriente ser fundamentalmente debido al tipo de portador ms abundante. b. Unin p-n polarizada inversamente Una unin p-n est polarizada inversamente cuando a la regin p se le aplica un potencial menor que al de la regin n. Para ello, tal y como se muestra en las figuras, se conecta el polo negativo de la batera a la zona p y el polo positivo a la zona n.

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Unin p-n polarizada en inversa

Representacin circuital del diodo polarizado en inversa y conexin real Con la unin p-n polarizada en inversa se observa lo siguiente: Los portadores mayoritarios (huecos de la zona p y electrones de la zona n) de ambas regiones tienden a separase de la unin, empujados por el campo elctrico a que da lugar la polarizacin, aumentando la anchura de la zona de transicin.

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Curso: Fsica Electrnica Pertenece: Meza Grados, Manuel El campo elctrico en la unin aumenta reforzado por el de la polarizacin, ambos ahora del mismo sentido, y la barrera de potencial pasa a ser VJ= Vo+V.

Aumento de la barrera de potencial en la unin p-n polarizada en inversa. Dado que ha de cumplirse que -V=Vp-VJ+Vn, se tiene que VJ= Vp+Vn+V. Puesto que Vp+Vn= Vo, entonces se tiene que VJ=Vo+V, siendo V el potencial de la pila.

La polaridad de la unin es tal que tiende a llevar los huecos de la zona p y los electrones de la zona n a alejarse de la unin. Slo los portadores minoritarios generados trmicamente en ambas regiones son empujados hacia la unin. As, nicamente los pocos electrones de p, al pasar al lado n, formarn con los mayoritarios de esta regin una corriente de arrastre, y de similar manera, los pocos huecos de n, al pasar a p, formarn otra dbil corriente de arrastre que se sumar a la anterior. Esta pequea corriente es la corriente inversa de saturacin del diodo y su valor, que se designa por Io, y que se encuentra limitado por el nmero de portadores minoritarios, es independiente de la tensin inversa aplicada. Esta corriente inversa aumentar con el incremento de la temperatura. A temperatura ambiente, los diodos de silicio de pequea seal tienen valores de Io del orden de 10-14 A. Se puede controlar el valor de Io mediante el nivel de dopado del diodo. Para un diodo fuertemente dopado (ambos lados), las concentraciones de minoritarios son bajas y la Io pequea. Tambin Io depende del rea de la

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Curso: Fsica Electrnica Pertenece: Meza Grados, Manuel unin, por lo que podemos decir, en general, que los diodos de seal tienen una Io pequea y los diodos de potencia una Io elevada3. Adems, dado que las concentraciones de minoritarios dependen de la generacin trmica, la corriente Io es dependiente en alto grado de la temperatura. En el silicio se ha observado que la corriente inversa de saturacin crece aproximadamente un 7% por C. De este comportamiento podemos deducir que la corriente inversa de saturacin se duplica de forma aproximada cada 10 C de aumento de temperatura. Si Io= Io1 para T =T1, cuando la temperatura es T, Io viene dado por:

La corriente inversa real de un diodo es mayor que I o debido a corrientes superficiales causadas por irregularidades en los bordes del semiconductor y a corrientes de fuga o de prdidas del encapsulado.

B. La ley de Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih,

Unin P-N
Curso: Fsica Electrnica Pertenece: Meza Grados, Manuel corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

C. Conmutacin del diodo

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Curso: Fsica Electrnica Pertenece: Meza Grados, Manuel Se puede ver la carga capacitiva que se va cargando a travs de un transistor de la serie. Las corrientes de carga mximas para la carga se dibujan de una fuente capacitiva que carga se mantenga constantemente. La descarga rpida de la carga capacitiva est a travs de un diodo del semiconductor y de una cascada de los transistores que actan como elementos de la conmutacin. Los diodos a travs de la ensambladura del emisor de base de estos diodos de la conmutacin proporcionan la proteccin contra dao transitorio as como la reduccin del tiempo requerido a la conduccin del atajo de los transistores. Una impulsin simple del transistor TTL (+5v) funciona el interruptor.

Ms que de velocidad se suele hablar de tiempos de conmutacin. Si se le aplica a un diodo un cambio de polaridad de la tensin, supuesto instantneo, el diodo tarda un tiempo en reaccionar y pasar de no conducir a conducir, o al revs segn la polaridad del cambio. Es diferente si el paso es de no conduccin a conduccin o al revs. En el primer caso se le llama tiempo de retraso y en el segundo de recuperacin y es un poco ms largo que el primero.

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La resistencia dinmica de un diodo es la resistencia equivalente en conduccin. El diodo en sentido directo tiene una curva de respuesta TensinCorriente que no es una recta (como tienen las resistencias) pues no empiezan a conducir hasta que la tensin supera los 0,6 - 0,7 Voltios y luego sube rpidamente segn una curva exponencial. Para simplificar las cosas se supone que se comporta como una resistencia (una recta ) tangente a dicha curva.