Composants passifs semi-conducteurs

Rsum
Parmi les applications de base de llectronique, lassemblage de deux semi-conducteurs de types diffrents permet de crer la diode jonction PN. Mais en observant les proprits de ce composant, passif, on remarque que plusieurs phnomnes peuvent tre mis profit pour constituer des diodes disposant de fonctions particulires. Linventaire commence par la diode jonction au travers de sa constitution, son symbole et sa caractristique statique tension-courant qui met en vidence deux types de fonctionnement : passante en direct (tension de polarisation positive) et bloque en inverse (polarisation ngative). Des lments de physique des semi-conducteurs rappellent que cette caractristique est fortement influence par la temprature. Pour mettre aisment profit ce composant, la caractristique est progressivement simplifie pour atteindre son modle parfait. Une note rapide voque le comportement dynamique pour terminer sur les applications essentielles de cet lment. Parmi les diodes spciales, on retiendra les diodes contrlant leffet davalanche en inverse : Cest la diode Zener. Comme pour la diode jonction, son symbole et sa caractristique tension-courant sont dcrits. Vient ensuite la diode rapide ou Schottky, la mise profit de la variation de la capacit inverse par la tension de polarisation de la diode varicap et lutilisation dun effet quantique, la diode tunnel. Une rapide description de la diode lectroluminescente termine les diodes et la variation de la rsistivit des semi-conducteurs avec la temprature clture ce document.

Sommaire
I. Introduction......................................................................................................... 2 II. Diode jonction PN ........................................................................................... 2
II.1. Constitution Symbole ..................................................................................................2 II.2. Caractristique statique tensioncourant ........................................................................2 II.3. Influence de la temprature ...........................................................................................3 II.4. Caractristiques statiques idalises...............................................................................3 II.5. Notes sur le comportement dynamique ..........................................................................3 II.6. Applications des diodes jonction PN ............................................................................3 III.1. Contrle de lavalanche en inverse : Diode Zener .........................................................4 III.2. Cration dune jonction rapide : Diode Schottky............................................................4 III.3. Contrle de la capacit inverse : Diode varicap .............................................................4 III.4. Effet quantique : Diode tunnel ......................................................................................5 III.5. optolectronique : Diodes lectroluminescentes (DEL) ...................................................6

III. Diodes spciales................................................................................................ 4

IV. Autres composants ............................................................................................ 6 V. Bibliographie ..................................................................................................... 6

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I. Introduction
De par leurs proprits lectriques, les semi-conducteurs peuvent tre assembls pour constituer des composants qui entrent dans la ralisation des fonctions lectroniques. De manire gnrale, on dit quils sont passifs si lnergie quils absorbent est positive. Sils en dlivrent, on dit quils sont actifs. Dans cette classification, ce document aborde les composants passifs semi-conducteurs.

II. Diode jonction PN

II.1. Constitution Symbole
Une diode jonction est un composant constitu dune jonction PN (Figure 1) rendue accessible par deux contacts lectriques (obtenus par mtallisation). Son symbole et les notations sont reprsentes la Figure 2 (pour le retenir, noter que le sens du courant est celui du triangle).
Anode
P N

Mtallisations

Cathode iD uD

Figure 1 : Constitution d'une diode jonction.

Figure 2 : Symbole de la diode.

II.2. Caractristique statique tensioncourant

Le fonctionnement est traduit par le lien entre la tension et le courant : la caractristique tension courant. Elle est releve dans les quatre quadrants en polarisant la diode en suivant le schma de la Figure 3. Le rsultat est dcrit la Figure 4. Attention : ce relev est obligatoirement attach aux notations des sens des tension et courant.
iD E variable uD R D

Figure 3 : Polarisation de la diode.

Fonctionnement en direct

Fonctionnement en inverse

iD

Courant direct maximal demploi (IFM)

Conductance dynamique : iD/uD

Tension davalanche, VA de 100 1 000V

1V

uD

Tension de seuil VD0 Courant inverse : qq A. Phnomne davalanche irrversible : destruction de la jonction Tension inverse maximale (VRM)

Figure 4 : Caractristique tensioncourant d'une diode. Lobservation de cette caractristique permet de distinguer deux rgimes de fonctionnement : Dans le sens direct (iD et uD positifs), la diode est passante ; la tension uD est faible (1V) et le courant crot trs rapidement avec la tension ; Dans le sens inverse (iD et uD ngatifs), la diode est bloque ; le courant est faible quelque soit la tension (courant de saturation).

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II.3. Influence de la temprature

La loi dvolution du courant dans la diode est :
ud

id = I s (e

UT

1) avec UT = kT q
iD T

Le courant de saturation IS traduit lexistence des porteurs minoritaires et crot avec la temprature. La consquence est que le courant direct crot plus vite : Pour une diode au silicium, il double environ tous les 10 C. La tension directe (donc de seuil) diminue : Pour une diode au silicium, elle dcrot linairement de 2 mV par C. En inverse, le courant augmente avec T. La modification rsultante de la caractristique apparat la Figure 5.
T

uD

Figure 5 : Influence de T.

II.4. Caractristiques statiques idalises

Lusage du modle complet est rarement ncessaire. On simplifie la caractristique par tapes successives comme lindique le Tableau 1. Le premier modle montre la conduction au-del de la tension de seuil VD0 (source de tension associe) et linarise le fonctionnement en conduction par une rsistance en srie rD. Puis, peu peu, chacun des lments est limin. On obtient finalement le modle deux segments de la diode.
iD
Pente 1/rD

iD

iD

1V VD0

uD

1V

uD

1V

uD

VD0

En direct : uD = VD0 + rDiD

A iD VD0 rD K

En direct : uD = VD0, iD.

A iD K VD0

En direct : uD = 0, iD.
A K

En inverse : iD = Is.
A ID<0 Is K

En inverse : iD = 0, uD.
A K

En inverse : iD = 0, uD.
A K

Tableau 1: Les modles les plus simples de la diode.

II.5. Notes sur le comportement dynamique

Ltude prcdente met laccent sur le fonctionnement statique, cest dire lorsque les grandeurs tension et courant sont tablies. Quand ces grandeurs voluent dans le temps, la diode peut passer d'un tat l'autre (par exemple de ltat bloqu, en inverse, ltat passant, en direct). Cest le fonctionnement en commutation. Lors de la mise en conduction, le courant stablit dans le circuit en apportant des charges qui sont stockes au niveau de la jonction. Ceci procure une faible chute de tension en conduction. Mais en contrepartie, leur vacuation ralentit la commutation lors de la phase de blocage. Ceci est caractris par le temps de recouvrement trr.

II.6. Applications des diodes jonction PN

La premire fonction de la diode est le redressement pour rendre une tension unidirectionnelle en lectronique petits signaux , comme en lectronique de puissance dans les convertisseurs dnergie.
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III. Diodes spciales

A ct du principe redresseur des proprits secondaires sont mises profit pour donner lieu dautres types de diodes.

III.1. Contrle de lavalanche en inverse : Diode Zener

Lorsque la diode est fortement polarise en inverse, le champ lectrique donne aux porteurs minoritaires une acclration suffisante pour en arracher dautres aux atomes du semi-conducteur par une succession de chocs ionisants. Le processus semballe et conduit un phnomne davalanche. Celle-ci est destructive pour la plupart des diodes. Mais leffet Zener permet le contrle des porteurs pour limiter le courant et assurer la rversibilit du processus. La tension inverse est constante (tension Zener) pour un courant variable (Figure 6).
iD

Dz

VZ

uD

Figure 6 : Caractristique de la diode Zener.

Figure 7 : Symbole de la diode Zener.

Les diodes Zener semploient essentiellement dans les rfrences de tension. On en trouve de 2,4 jusqu 270 V.

III.2. Cration dune jonction rapide : Diode Schottky

Plutt que de raliser la jonction avec des semi-conducteurs de types diffrents, on substitue une couche mtallique au semi-conducteur P ou N. La caractristique de la diode obtenue est similaire celle dune diode de redressement, mais avec une tension directe plus faible (diminution de la tension de seuil, 0,3 V). Lavantage essentiel provient de labsence de charges stockes durant la conduction. Le temps de recouvrement est diminu (trr < 500 ns) : la diode est plus rapide.

Figure 8 : caractristiques compares.

Figure 9 : Symbole de la diode Schottky.

Ces diodes semploient dans les redresseurs rapides petits signaux et dans les composants logiques rapides.

III.3. Contrle de la capacit inverse : Diode varicap

Quand la jonction de la diode est polarise en inverse, la barrire de potentiel est renforce. La zone de charge despace apparat comme un isolant entre les deux parties semi-conductrices : La jonction se comporte comme un condensateur dont la capacit est fonction de la tension inverse.
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Lexpression qui value la capacit de transition CT de la jonction en fonction de la tension vr est donne par la relation :
CT = C0 (1+vr /VD0)

avec VD0 la tension de seuil, C0 la capacit de la jonction non polarise et un coefficient qui rend compte de la transition de la jonction ( partir de 0,33). Le graphe de la Figure 10 montre lvolution graphique de cette capacit.

CT
C0

D D
vr = vD

Figure 10 : Evolution de la capacit de transition.

Figure 11 : Symboles de la diode varicap.

Ce type de diode est employ en haute frquence dans les circuits oscillants accords qui prennent place dans les oscillateurs commands en tension pour la radio.

III.4. Effet quantique : Diode tunnel

L'effet tunnel est une consquence de la mcanique quantique. Son principe repose sur la probabilit non nulle pour un lectron en mouvement de franchir une barrire de potentiel dnergie suprieure son nergie cintique. Cet effet est obtenu avec une jonction cre avec des semi-conducteurs fortement dops. La consquence sapparente un effet davalanche en direct. Le courant qui augmente rapidement puis dcrot et reprend sa croissance exponentielle (comme pour une diode classique). Il en rsulte la caractristique reprsente la Figure 12. La portion o le courant dcrot en fonction de la tension est la partie utile (entre la tension de pic Vp et la tension de valle Vv). On y observe une conductance ngative, linarise autour du point de repos (Vr, Ir). Lutilisation de la zone autour de ce point ncessite une polarisation particulire qui permet de travailler en variations.
iD

D
Ip Ir Iv Vp Vr Vv

uD

Figure 12 : Caractristique de la diode tunnel.

Figure 13 : Symbole de la diode tunnel.

Cette rsistance (ou conductance) dynamique est mise profit dans les oscillateurs hautefrquence pour compenser la rsistance dun circuit LC due aux imperfections des lments.

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III.5. Optolectronique : Diodes lectroluminescentes (DEL)

On utilise souvent labrviation LED (Light Emitting Diode) pour cet lment. Polarises en direct, ces diodes ont la proprit dmettre un rayonnement visible (ou proche de cette bande) dont la couleur dpend du matriau semiconducteur utilis (infra rouge pour larsniure de gallium GaAs, rouge, verte ou jaune pour le phosphure de gallium GaP et bleue pour le nitrure de gallium GaN. Figure 14 : LED ou DEL Si la caractristique tension-courant reste identique, on observe une tension de seuil plus leve (jusqu 2 V). Elles ne supportent pas les tensions inverses trs leves (jusqu 5 V), ni les courants directs dpassant 20 mA.

IV. Autres composants

A titre dinformation, la variation de la rsistivit avec la temprature ou un rayonnement lectromagntique permet de mettre au point des capteurs de toutes sortes : pour la temprature, la lumire (visible ou non) ou un autre rayonnement.

V. Bibliographie
[1] Boite R. et Neirynck J. Thorie des rseaux de Kirchhoff. Trait dlectricit, dlectronique et dlectrotechnique. Dunod. 1983. [2] Philippe Leturcq et Grard Rey. Physique des composants actifs semiconducteurs. Dunod. 1978. ISBN 2-04-010385-6. [3] J.-D. Chatelain. Dispositifs semi-conducteurs. Trait 3E. Dunod. 1979. [4] J.-D. Chatelain et R. Dessoulavy. Electronique tome 1. Trait 3E. Dunod. 1979.

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