@ CY FT-V03.doc janvier 99 V1.

1 1 / 1 FT / L'essentiel sur le transistor MOS en commutation

L'essentiel sur le transistor MOS en commutation
Fiche technique
I. Technologie MOS
La technologie MOS (Metal Oxide Semiconductor) tire son nom de la constitution des lments : une
lectrode mtallique est place sur un oxyde mtallique lisolant du substrat semi-conducteur.
II. Constitution des transistors MOS
On distingue deux types de transistors MOS suivant que lon se base sur un substrat de type P ou N. On
y diffuse deux rgions trs fortement dopes de nature contraire au substrat qui forment le drain et la source.
Entre les deux on effectue une oxydation du silicium pour constituer un isolant sur lequel on place une grille
mtallique. La Figure 1 illustre le rsultat pour un transistor MOS canal P (associ son symbole) et la
Figure 2 pour un transistor canal N. On note que la flche rappelle la diode canalsubstrat.
Drain
Substrat
Source Grille
P+
N
P+
P
N+ N+
Drain
Substrat
Source Grille
Drain Grille
Source
Substrat
Drain Grille
Source
Substrat
Figure 1 : MOS canal P (PMOS). Figure 2 : MOS canal N (NMOS).
III. Fonctionnement tout ou rien des transistors MOS
Les deux transistors ont des fonctionnements totalement symtriques. Les explications seront
dveloppes pour le canal N.
Le substrat est plac au potentiel le plus faible du montage de manire bloquer les jonctions substrat-
drain/source. La grille forme un condensateur avec le substrat. Elle est place un potentiel positif qui
attire des charges ngatives pour constituer un canal entre le drain et la source. La modulation de la tension
v
GS
(grille-source) agit sur les charges constituant le canal en modifiant sa rsistivit : la rsistance du
canal est contrle par la tension de grille. Dans lautre cas, on ouvre compltement le canal procurant une
rsistance quivalente faible (quelques k) : le transistor est quivalent un interrupteur ferm. Si la
tension v
GS
est nulle, le canal est totalement ferm (pas de charges), la rsistance est trs grande (quelques
G) ce qui rend le transistor quivalent un interrupteur ouvert. Lapplication du transistor MOS en
numrique est ainsi toute trace.
Il en rsulte le comportement logique suivant : v
GS
= 0 canal ferm interrupteur ouvert.
v
GS
0 canal ouvert interrupteur ferm.
Le fonctionnement du transistor PMOS est v
GS
= 0 canal ouvert interrupteur ferm.
v
GS
0 canal ferm interrupteur ouvert.
IV. Les avantages et inconvnients des transistors MOS
Plus lente que la technologie bipolaire, on peut dire que la technologie MOS est favorise par un faible
encombrement sur substrat favorisant une intgration dense, une trs faible consommation dnergie car les
transistors sont commands en tension sans courant statique, une large immunit au bruit et une sortance
leve. Autre avantage, celui de ne ncessiter que lintgration de transistors, qui peuvent tre employs en
tant que rsistances. Ceci permet luniformisation de la fabrication pour rpondre favorablement la
complexit des composants numriques.