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EAP Ingeniera Electrnica-UNMSM

Dispositivos Electrnicos

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS Facultad de Ingeniera Elctrica, Electrnica y Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres: Suica Huillca Juan Paucar Gallegos Yesenia Diaz Machuca Daniel Saavedra Tarazona Edinson Curso:

N de Matrcula: 11190022 11190105 10190017 11190018 Tema:

LABORATORIO DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN. CARACTERSTICAS BSICAS.

Informe: Final Nmero: 06 de Julio 07 Grupo: Nmero: 07 Horario: viernes 4:00-6:00pm

Fechas: Realizacin: Entrega:

Nota:

13 de Julio

Profesor:

Ing. Luis Paretto Quispe

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN. CARACTERSTICAS BSICAS


I. OBJETIVOS 1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN. 2. Comprobar las caractersticas del funcionamiento de un transistor bipolar NPN.

II.

CUESTIONARIO PREVIO 1. De los manuales obtenemos las especificaciones del funcionamiento del transistor bipolar 2N3904. 2. Determinar el punto de operacin del circuito del experimento.

III.

MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

1. Un Multmetro. 2. Un miliampermetro. 3. Un micro ampermetro. 4. Un voltmetro de c.c. 5. Un transistor BF494B 6. Un osciloscopio. 7. Resistores: Re = 330 , Rc = 1K, R1 = 56K, R2 = 22K 8. Condensadores: Cb = 0.1F, Cc = 0.1F, Ce = 3.3F 9. Una fuente de c.c. variable. 10. Cables conectores ( 3 coaxiales ORC ) 11. Un potencimetro de 1M 12. Una placa de zcalo de 3 terminales. 13. Dos placas con zcalo de 2 terminales.

IV.

MARCO TERICO Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.

Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Funcionamiento

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar. En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisorbase y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se des balancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se

re combinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

Control de tensin, carga y corriente La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. El Alfa y Beta del transistor Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Tipos de Transistor de Unin Bipolar NPN El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. Regiones operativas del transistor Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal. Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los TBJ son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic= Ie= 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic= Ie= 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic= Ie= Imxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib).

V.

PROCEDIMIENTO:

1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro. Llenar la tabla 2. Armar el siguiente circuito:

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener el (Usar P1=0 ). b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), y entre emisor-tierra (Ve) . c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2. d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los dato en la tabla 3 (Por ajuste de P1). e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K y 1M.Observar lo que sucede con las corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce .Llenar la tabla 5. 3. Ajustar el generador de seales a 50mv.pp , 1KHz, onda senoidal .Observar la salida Vo con el osciloscopio .anotar en la tabla 4

Desarrollo:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener el (Usar P1= 0) En el anlisis con corriente continua, los condensadores se comportan como circuito abierto. Se tiene el siguiente circuito:

Aplicando Thevenin

Por dato ya que el transistor 2N3904 est hecho de silicio su VBE = 0.6 V

Se tiene =IC/IB RBB = 22k (56k)/(22 + 56)k RBB = 15.794k VBB = 22kx12/(22+56)k VBB = 3.384 V 200(IB) = IC

Ahora -3.384 + 15.794k (IB) + VBE + 220(IC) = 0 15.794k (IB) + 0.6 + 220(200IB) = 3.384 IB= (3.384 0.6)/(15.794k + 220x200) IB= 46.56A 9.312mA = IC

Entonces VE = 220(9.312mA) VE = 2.019 V

-12 + 1k(IC) + VCE + 220(IC) = 0 VCE = 12 9.312x10-3x(1000+220) VCE = 0.639V Hallando Icmax( VCE = 0) Icmax = 12/(1000 + 220) Icmax = 9.836mA

b) Medir los voltajes entre colector emisor (VCE), entre base emisor (VBE) y entre emisor tierra (VE).

VE = 0.010 V VBE = 0.6 V VCE = 0.639 V

c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2 Valores(R1 = 56K) Tericos Medidos Ic(mA) 9.312 6.6 IB(A) 46.56 47 200 140.4 VCE(V) 0.639 3.42 VBE (V) 0.6 0.712 VE(V) 2.049 1.448

d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a) y (b) y anotar los datos en la tabla 3 (por ajuste de P1)

Aplicando Thevenin

RBB = 68k (22k)/ (68 + 22) k RBB = 16.622k VBB = 22k (12)/ (22 + 68)k VBB = 2.933 V Ahora Se tiene -2.933 + 16.622k(IB) + VBE + 220(IC) = 0 16.622k(IB) + 220(200IB) = 2.933 0.6 IB = (2.933 0.6)/(16.622x1000 + 220x200) IB = 38.48A 200IB = IC 7.696mA = IC

Entonces -12 + 1k(IC) + VCE + 220(Ic) = 0 VCE = 12 7.696mA(1000 + 220) VCE = 2.611 V Icmax= 12/(1000 + 220) Icmax= 9.836 mA VE = 220(7.696mA) VE = 1.69 V

Valores(R1=68K) IC (mA) Tericos 7.696 Medidos 5.4

IB (A) 38.48 37

200 149

VCE (V) 2.611 4.96

VBE (V) 0.6 0.705

VE (V) 1.69 1.187

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K, 250K, 500K Y 1 M. Observar lo que sucede con las corrientes IC, IB y con el voltaje VCE.

Para P1 = 100K Aplicando Thevenin

RBB = 22k(100 + 56)k/(22 + 100 + 56)k RBB = 19.281k VBB = 22k(12)/(100 + 56 + 22)k VBB = 1.483 V Entonces -1.483 + 19.281k(IB) + VBE + 220IC = 0 19.281k(IB) + 220(200IB) = 1.483 0.6 IB = (1.483 0.6)/(19.28x1000 + 220x200) IB = 14.56A.. -12 + RC(Ic) + VCE + 220IC = 0 VCE = 12 (2.912)mA(1000 + 220) VCE = 8.45 V 200IB = IC IC = 2.912mA

Para P1 = 250K Aplicando Thevenin

RBB = (22k)(56 + 250)k/(22 + 56 + 250)k RBB = 20.524k VBB = 22k(12)/(250 + 56 + 22)k VBB = 0.804 V Entonces -0.804 + 20.524k(IB) + VBE + 220IC = 0 IB = 3.162A.. -12 + 1k(Ic) + VCE + 220Ic = 0 VCE = 11.23 V 200IB = IC 0.632mA = Ic

Para P1 = 500K

Aplicando Thevenin

RBB = (22k)(500 + 56)k/(22 + 500 + 56)k RBB = 21.162k VBB = 0.456 V El transistor no conduce porque la tensin en la base es menor que 0.6V.

Para P1 = 1M Aplicando Thevenin

RBB = (22k)(1M + 56K)/(22K + 56K +1M) RBB = 21.551K VBB = 22K(12)/(1M + 56K + 22K) VBB = 0.244 V El transistor no conduce porque la tensin en la base es menor que 0.6V.

P1 Tericos Ic ( mA ) IB (A) VCE ( v ) Medidos Ic ( mA ) IB (A) VCE ( v )

100K 2.912 14.56 8.45 3.6 24.9 7.38

250K 0.632 3.162 11.23 0.625 4.4 11.22

500K 0 0 12 0 0 12

1M 0 0 12 0 0 12

3. Ajustar el generador de seales a 840mv.pp, 1KHz, onda senoidal .Observar la salida Vo con el osciloscopio .anotar en la tabla 4.

Los grficos muestran el valor rms de los voltajes. Tabla 3 (Q2) VI. Cuestionario Vi (mV.pp) 840 Vo (V.pp) 9.00 Av -10.71 Vo (sin Ce) 3.8 Av (sin Ce) -4.52

3. En qu regiones de trabajo se encuentran los puntos de las tablas 2 y 3? Para ambos casos, la tabla 2 y 3, los puntos de trabajo se ubican en la zona activa, debido a ello funcionan como amplificadores. Esto se puede comprobar tambin si analizamos lo valores. Si estuviera en la zona de corte, la corriente de colector sera muy pequea y el voltaje Vce sera igual al valor de la fuente Vcc. Si estuviera en la zona de saturacin el voltaje Vce sera cero.

4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 150K? Explicar lo ocurrido e indicar sus valores tericos. Si cambiamos el valor de R1 el punto de trabajo se desplazara como cuando se vara el valor de P1. Si tomamos el valor R1=150K para la tabla 2, los valores tericos son:

Valores(R1 = 150K) Ic(mA) IB(A) VCE(V) VBE (V) VE(V) Tericos 2.96 14.798 200 8.389 0.6 0.651 Vemos q el valor de las corrientes de colector y de base dependen del valor de R1, si cambia su valor, el valor de las corrientes tambin lo har.

5. Indicar las diferencias ms importantes entre el circuito de este experimento con respecto al anterior. La mayor diferencia radica en el tipo de transistor. En el anterior experimento el transistor usado fue uno de tipo PNP, por ello el colector era polarizado negativamente. Para este caso el transistor era de tipo NPN y el colector se polarizo positivamente. Otra diferencia es que el transistor PNP del experimento anterior tena una ganancia de 300, mientras que el transistor NPN tiene una ganancia alrededor de 150. A pesar de que el resto del circuito era el mismo para ambos experimentos, los puntos de trabajo son distintos debido a la gran diferencia que ay entre las ganancias.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Internamente est formado por un cristal que contiene una regin P entre dos N (transistor NPN) O una regin N entre dos regiones P, (transistor PNP ) La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la polaridad de sus electrodos Existen 3 zonas en las que un transistor puede operar, las cuales son: Corte, saturacin y activa. BIBLIOGRAFIA

VII.

Gua de laboratorio Fundamentos de circuitos elctricos Sadiku