Instituto Universitario de Tecnologa ANTONIO JOSE DE SUCRE Extensin Maracay Ctedra Introduccin a la Electrnica

Prof. Maryori Pabn

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del smbolo indica el sentido permitido de la corriente.
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Conductores. Son sustancias que poseen muchos electrones libres. El movimiento errtico de dichos electrones puede encauzarse en una direccin aplicando una fuerza y conseguir un flujo electrnico. Aislantes. Tambin llamados dielctricos, son sustancias, cuya estructura atmica retiene fuertemente a los electrones y el movimiento de stos slo se produce dentro de los lmites del tomo. Semiconductores. Estas sustancias tienen propiedades intermedias entre la de los conductores y la de los aislantes. La cantidad de electrones libres depende de determinado factor (calor, luminosidad, etc.).
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Hueco: Un hueco de electrn es la ausencia de un electrn en la banda de valencia.

Portador: se llama asi a una partcula libre portadora de una carga elctrica Portador Mayoritario: representan los ms abundantes. En los semiconductores tipo N son los electrones, y en los semiconductores tipo P son los huecos

Portador Minoritario: representan los portadores de carga menos abundantes . En semiconductores tipo N son los huecos y en los semiconductores tipo P son los electrones.
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Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador minoritario y el electrn cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en electrn de valencia. Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa. Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la regin cerca de la unin se vaca de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexin".

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Los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta llegar al equilibrio.
El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale: 0.3 V para diodos de Ge. 0.7 V para diodos de Si.

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Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unin p-n tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos".

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Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarizacin Directa".

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Polarizacin Directa
La fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Crendose iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo. Los electrones libres abandonan el terminal negativo de la fuente y fluyen hacia el extremo derecho del cristal El sentido de la corriente siempre ser contrario al del electrn. El electrn se desplaza a travs de la zona n como electrn libre.
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Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin se denomina "Polarizacin Inversa".

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Polarizacin Inversa
El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres. As los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y la z.c.e. se ensancha.

La zona de deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la izquierda, se crea as una la "Corriente Inversa de Saturacin"(IS) que depende de la temperatura. Hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna.
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Relacin entre corriente y tensin:

Donde,

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Si el diodo se encuentra directamente polarizado: V > 0 y I > 0 la corriente circula de nodo a ctodo. Por debajo de la tensin umbral (V) la corriente es muy pequea, prcticamente despreciable. Para valores superiores a V, la corriente comienza a crecer de manera exponencial:

No obstante, para valores muy grandes de V llega un momento en que la barrera de potencial en la unin es casi nula, por lo que la caracterstica es prcticamente una lnea recta. A partir de dicho momento, la ecuacin deja de ser vlida y la corriente vendr determinada por la ley de Ohm (I = V / RD), donde la resistencia ser la debida al material y los contactos hmicos.
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Si el diodo se encuentra inversamente polarizado: V < 0 y I < 0 la corriente circula de ctodo a nodo. Dado que la tensin V es negativa, el valor de la exponencial tiende a cero, por lo tanto I=-Is
Si se alcanza un cierto valor de tensin inversa aplicada denominado tensin de ruptura (VBR), la ecuacin deja de tener validez, de forma que la corriente inversa aumenta, producindose la ruptura de la unin.
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Cuando el diodo est directamente polarizado, circula por l una corriente elctrica constante dependiente de la tensin aplicada, mientras que cuando el diodo est inversamente polarizado, circula por l la corriente inversa de saturacin prcticamente despreciable e independiente de la tensin aplicada.

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Tensin Umbral (V ).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

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Corriente mxima (Imax ):Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse. Corriente inversa de saturacin (Is ): Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo, esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ): Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.
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Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares

electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

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 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos

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