ET N 17 Cornelio Saavedra Distrito Escolar XIII Regin V

Especialidad Electrnica Laboratorio 4 Ao

PRACTICAS UNIFICADAS

Trabajo Prctico N - Transistor Bipolar

1) Introduccin Terica a) Generalidades El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales (emisor, base y colector), que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. En la figura siguiente, se encuentran los smbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor.

A continuacin, se definen corrientes y tensiones en el transistor.

b) Efecto Transistor El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que est conectado. (Transfer Resistor).

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Como puede observarse en la figura anterior, para este transistor, se tiene una juntura (base-emisor) polarizada en directa, y una juntura (colector-base) polarizada en inversa. Debido a esto, el emisor inyectar huecos al material N de la base; la mayor parte de stos la atraviesan debido a que es muy delgada), tambin atraviesan la juntura colector base y finalmente llegan al colector que est polarizado en forma inversa. Una pequea porcin de estos huecos se recombinan en la base, la que entrega al emisor una cantidad igual de electrones. La corriente que llega al colector depende casi exclusivamente de la corriente de emisor, son de sta manera prcticamente iguales; siendo la constante que las iguala o HFB. Otra corriente que llega al colector, (aunque muy pequea) es la corriente de saturacin inversa de la juntura colector-base, cuando el emisor est abierto y se denomina ICBO, equivalente a la IS del diodo. Con la suma de estas dos corrientes, podemos lograr la corriente de colector, en esta forma de polarizar al transistor (base comn). (1) Si aplicamos Kirchhoff: Operando matemticamente: (2)

Agrupando:

Finalmente:

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Tenemos entonces: (3) Las ecuaciones (1) y (3), muestran el funcionamiento del transistor en dos configuraciones distintas. El primer caso, se denomina base comn ya que el parmetro de entrada es la IE y el de salida es la IC, siendo entonces la base del transistor el terminal comn a las dos mallas. La segunda muestra el funcionamiento del transistor en la disposicin emisor comn, ya que en este sentido el parmetro de entrada es la corriente de base, y el de salida es la corriente de colector. Es importante comparar con : se denomina ganancia esttica de corriente en base comn y es un parmetro que varia con la construccin del transistor, oscilando su valor entre 0,90 y 0,99. : se denomina ganancia esttica del corriente en emisor comn, si =0,99, tendremos entonces

c) Datos de un transistor Los transistores se disean con caractersticas especficas para responder a ciertas necesidades de aplicacin. El fabricante proporciona hojas de especificaciones para estas caractersticas. Los datos se presentan en forma de tabla y en forma grfica. Es importante entender estas tablas y grficas. A continuacin se presenta la grfica de las curvas de salida del transistor 2N3904, propuesto para esta prctica.

KEC - SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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2) Objetivos de la Experiencia Familiarizar al alumno con los datos de los manuales de transistores. Determinar y graficar la familia de curvas caractersticas del colector o curvas de salida (IC en funcin de VCE para la configuracin Emisor Comn). Estudiar el principio de funcionamiento del transistor, analizando las curvas caractersticas obtenidas.

3) Elementos a utilizar 2 Fuentes variables de corriente continua 3 Multmetros digitales 1 Transistor 2N3904 1 Resistencia de 470 x W 1 Potencimetro de 2,5 K 1 Interruptor 4) Desarrollo de la experiencia

4.1. Arme el circuito de la figura anterior. Establezca VBB en 1.4 V y VCC en 0 V; S1 est abierto. Determine R1 para que VE sea de 0 V. Los ampermetros IB e IC deben estar en la escala mayor de mA, a fin de proteger los medidores. La amplitud se elige despus de conectar la alimentacin. Revise las conexiones del circuito antes de conectar la alimentacin. 4.2. Cierre S1 Ajuste R1 de manera que IB1 sea de 10 A. Ajuste de nuevo R1, cuando sea necesario en los pasos 4.3 y 4.4, para mantener IB1 = 10 A. La lectura del voltmetro deber ser 0 (VCE = 0). Lea el valor de lC y antelo en la tabla.
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4.3. Poco a poco ajuste VCC por cada valor de VCE que incluye la tabla. Observe el valor de lC para cada valor de VCE y antelo en la tabla. 4.4. Ajuste VCC para que VCE = 0 V. Establezca R1 para que IB2 = 20 A y mantenga lB en este valor durante los pasos 4.5 y 4.6. 4.5. Lea el valor de lC y antelo en la tabla. 4.6. Ajuste los valores de VCC por cada valor de VCE que registra la tabla. Observe y anote el valor de lC para cada valor de VCE. Monitoree lB y reajuste R1, si es necesario, para mantener IB2 = 20 A. 4.7. Repita los pasos del 4.4 hasta el 4.6 para todos los valores de lB de la tabla. 4.8. Abra S1. Con los datos de la tabla, grafique las curvas caractersticas del colector para la configuracin en emisor comn del 2N3904; utilice papel milimtrico o un software graficador, teniendo en cuenta que VCE es el eje horizontal e lC, el eje vertical. IC VCE [V] 10

IB 0 IB1 IB2 IB3 IB4 IB5 2,5 5 7,5

12,5

15

17,5

20

5) Cuestionario 1) Qu observa al comparar las curvas caractersticas de lC en funcin de VCE obtenidas de forma experimental con las que publica el fabricante para el 2N3904? Explique alguna discrepancia. 2) En el circuito utilizado para la prctica, qu efecto producir la inversin de la polaridad de VBB? 3) Con las curvas caractersticas promedio del colector y los datos de la tabla, calcule el valor de entre lB = 20 A y 40 A, si VCE = 20 V. Muestre todos los clculos. 6) Conclusiones ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________
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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION.
B

2N3904
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

Low Leakage Current : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) @VCE=30V, VEB=3V. Excellent DC Current Gain Linearity. Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. Low Collector Output Capacitance : Cob=4pF(Max.) @VCB=5V. Complementary to 2N3906.
L M
1 2 3 F
H

FEATURES

N K D G E

DIM A B C D E F G H J K L M N

MILLIMETERS 4.70 MAX 4.80 MAX 3.70 MAX 0.45 1.00 1.27 0.85 0.45 _ 14.00 + 0.50 0.55 MAX 2.30 0.45 MAX 1.00

1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range Ta=25 Tc=25

)
SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg RATING 60 40 6 200 50 625 1.5 150 -55 150 UNIT V V V mA mA mW W

TO-92

2002. 9. 12

Revision No : 1

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2N3904
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC Collector Cut-off Current Base Cut-off Current Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage * Emitter-Base Breakdown Voltage SYMBOL ICEX IBL V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO hFE(1) hFE(2) DC Current Gain * hFE(3) hFE(4) hFE(5) Collector-Emitter Saturation Voltage * VCE(sat)1 VCE(sat)2 VBE(sat)1 VBE(sat)2 fT Cob Cib hie hre hfe hoe NF VCE=5V, IC=0.1mA Rg=1k f=10Hz 15.7kHz
Vout V in 275

TEST CONDITION VCE=30V, VEB=3V VCE=30V, VEB=3V IC=10 A, IE=0 IC=1mA, IB=0 IE=10 A, IC=0 VCE=1V, IC=0.1mA VCE=1V, IC=1mA VCE=1V, IC=10mA VCE=1V, IC=50mA VCE=1V, IC=100mA IC=10mA, IB=1mA IC=50mA, IB=5mA IC=10mA, IB=1mA IC=50mA, IB=5mA VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz VCB=5V, IE=0, f=1MHz VBE=0.5V, IC=0, f=1MHz

MIN. 60 40 6.0 40 70 100 60 30 0.65 300 1.0

TYP. -

MAX. 50 50 300 0.2

UNIT nA nA V V V

V 0.3 0.85 V 0.95 4.0 8.0 10 8.0 400 40 5.0 dB MHz pF pF k x10-4

Base-Emitter Saturation Voltage Transition Frequency Collector Output Capacitance Input Capacitance Input Impedance Voltage Feedback Ratio Small-Signal Current Gain Collector Output Admittance Noise Figure

VCE=10V, IC=1mA, f=1kHz

0.5 100 1.0 , -

Delay Time

td

10k

C Total< 4pF

35

300ns

Rise Time Switching Time

tr

10.9V -0.5V

VCC =3.0V 0 t r ,t f < 1ns, Du=2% Vout

35 nS

V in

275

Storage Time

tstg

10k 1N916 or equiv.

C Total< 4pF

200

Fall Time

tf

20s 10.9V -9.1V

VCC =3.0V 0 t r ,t f < 1ns, Du=2%

50

* Pulse Test : Pulse Width 300 S, Duty Cycle 2%.

2002. 9. 12

Revision No : 1

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2N3904

I C - V CE
COLLECTOR CURRENT I C (mA) 100 80 60 40 20 0
I B =0.1mA COMMON EMITTER Ta=25 C 1
0.9 0.8 0.7 0.6 0.5

h FE - I C
1k DC CURRENT GAIN h FE 500 300
Ta=125 C Ta=25 C COMMON EMITTER VCE =1V

0.4 0.3 0.2

100 50 30

Ta=-55 C

10

0.1

0.3

10

30

100

300

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)

COLLECTOR CURRENT I C (mA)

V BE(sat) - I C
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(sat) (V) 10 BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBE(sat) (V) 5 3
Ta=-55 C COMMON EMITTER I C /I E =10

VCE(sat) - I C
1 0.5 0.3
COMMON EMITTER I C /I B =10

1 0.5 0.3

0.1 0.05 0.03

Ta=125 C Ta=25 C Ta=-55 C

Ta=25 C Ta=125 C

0.1 0.1 0.3 1 3 10 30 100 300 COLLECTOR CURRENT I C (mA)

0.01

0.1

0.3

10

30

100

300

COLLECTOR CURRENT I C (mA)

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)

I C - VBE
COLLECTOR CURRENT I C (mA) 200 160 120
Ta= 125 C Ta= 25 C Ta=5 5 C

VCE - I B
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2
IC =1mA IC =10mA I C =30mA I C =100mA

COMMON EMITTER VCE =1V

80 40 0

0.4

0.8

1.2

1.6

0 0.001

COMMON EMITTER Ta=25 C

0.01

0.1

10

BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)

BASE CURRENT I B (mA)

2002. 9. 12

Revision No : 1

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2N3904

COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)

Cob - VCB , C ib - VEB

50 30 CAPACITANCE Cob (pF) C ib (pF)
f=1MHz Ta=25 C

Pc - Ta
700 600 500 400 300 200 100 0 0 25 50 75 100 125 150 175

10 5 3
C ib C ob

1 0.5 0.1 0.3 1 3 10 30

REVERSE VOLTAGE V CB (V) V EB (V)

AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)

2002. 9. 12

Revision No : 1

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