Del tubo al transistor Pocos inventos aislados han tenido un efecto mayor como el del transistor que, desde

1948, empez a transformar no slo la radio y la televisin sino muchos otros equipos que dependan, para su funcionamiento, del control de los electrones. Muchos contribuyeron para su creacin. Entre ellos cabe mencionar por su importancia al fsico angloamericano William Shockley. Unos aos antes, Shockley y sus compaeros en los Estados Unidos descubrieron que si los cristales del raro metal germanio contenan diminutas cantidades de determinadas impurezas, actuaran como los cristales de los primeros aparatos de radio: operaran como rectificadores, y pasaran sobrevoltajes de corriente en una sola direccin. Sin embargo, haran el trabajo con mucha ms eficacia. En 1948, Shockley descubri cmo combinar dos clases ligeramente diferentes de cristales de tal modo que no slo funcionaran juntas como un rectificador sino que tambin amplificaran una corriente. El invento -que Los doctores William Shockley (sentado), John pronto se llam tranistor porque transfera corriente Bardeen (a la izquierda) y Walter H. Brattain, a travs de un resistor- hara todo cuanto hiciera un en los Laboratorios de Telfonos Bell, en 1948. Estn con el aparato utilizado en las tubo de radio. Es ms, contaba con inmensas investigaciones que condujeron a la invencin ventajas, ya que era ms pequeo, ms ligero y del transistor. ms resistente que un tubo. Adems, se pondra en marcha sin necesidad del perodo preparatorio de calentamiento, tan necesario para los tubos. El uso de los transistores -cuyo desarrollo se aceler una dcada despus con la necesidad de miniaturizar el equipo para los satlites- se extendi rpidamente en las industrias de radio, y televisin. Tambin se extendi en otras partes de la industria de la electrnica que haban estado evolucionando paralelamente. Un ejemplo espectacular del modo en que los diferentes tcnicos en la industria han utilizado el conocimiento fresco del electrn, adquirido a medida que el hombre descubra ms acerca del espectro electromagntico, es la computadora electrnica contempornea. Su importancia yace bsicamente en un hecho: en que al llevar a cabo los clculos emplea no la mano humana, como en el baco; no un mecanismo fsico, como en una computadora mecnica, sino una corriente elctrica que hace que la informacin se enve de lugar en lugar en una diminuta fraccin de segundo. Fue en la dcada de 1930 cuando los investigadores norteamericanos sealaron por primera vez las similitudes entre los estados de encendido y apagado de un circuito elctrico y las alternativas gemelas bsicas de la lgica. El siguiente paso fue la combinacin de una notacin de dos smbolos, y las operaciones de la lgica matemtica. Esto permiti que las ms complicadas sumas y los ms complicados clculos pudieran llevarse a cabo a velocidades que antes se habran credo inimaginables. Una de las desventajas de las nuevas computadoras electrnicas, que empezaron a fabricarse poco despus de que la segunda Guerra Mundial acabara, era su tamao. La mquina norteamericana ENIAC pesaba 3 toneladas, y utilizaba 130 kW, en gran parte debido a que estaba cargada con miles de tubos. Estos tubos, precisamente, fueron eliminados en las computadoras posteriores y reemplazados por transistores, los dispositivos que, tanto como cualquier otro artculo aislado, transformaron los prospectos para las nuevas mquinas electrnicas que en dos dcadas se convirtieron en un artculo cotidiano de la vida de los negocios y comercial.

TRANSISTOR BJT
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos soprepasar para no destruir el dispositivo. El parametro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalacion de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP. Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: 1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. 2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. 3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan practicamente nulas (y en especial Ic). 3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El transistor sin polarizar

En principio es similar a dos diodos Antes y despus de la difusin

El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura:

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja, mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia. En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo npn, aunque tambin podra ser un pnp.

En principio es similar a dos diodos

Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso).

Antes y despus de la difusin

Vamos a hacer un estudio del transistor npn, primeramente cuando est sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusin" (como un gas en una botella), donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las uniones entre las zonas n y p se creen iones positivos y negativos.

Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la unin E-B (WE) y otra en la unin C-B.

Transistor
En 1947, John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley inventaron el transistor, recibiendo el Premio Nobel de Fsica por ello en 1956. Los microamplificadores, conocidos tambin como transistores, realizan todas las funciones de los tubos al vaco en el campo de la electrotermia y comunicaciones. Tan solo necesitan una fraccin de la corriente y espacio de las viejas vlvulas. Pueden fabricarse en diversos slidos semiconductores. Operan siguiendo la corriente a travs de hoyos en los cristales. Constituyen, adems, un dispositivo de gran importancia para la fabricacin de aparatos de radio y telfono. El transitor en un dispositivo electrnico de estado slido. La idea naci al intentar controlar la conduccin de un diodo de unin P-N (semiconductor). Se encontr que cuando sobre un semiconductor se ponan dos puntas metlicas y a una se le aplicaba una cierta tensin, la corriente en la otra vena influenciada por la de la primera; a la primera punta se la denomina emisor; al semiconductor , base y a la otra punta, colector. Posteriormente se encontr que igual fenmeno ocurra si se unan dos semiconductores polarizados en sentido inverso a otro de distinto tipo; as se construyen los transistores de unin, que son los ms empleados. Segun la estructura de sus uniones, los transitores pueden se pnp o npn; sustituyen con ventajas a los triodos de vaco y vlvulas termoionicas multielectrdicas, al menos en lo que a bajas potencias se refiere. Los transitores pueden emplearse tanto en la tecnologa analgica como en la digital; sta debe a los transitores el impresionate auge alcanzado en el ltimo decenio.

Para poder entender un poco mejor el efecto del transistor, necesitamos entender como un transistor puede trabajar como un insulador y un conductor. Es la habilidad del transistor de cambiar entre estos dos estados que lo deja cambiar o amplificar. Insulacin: Esta animacin muesta al transitor en su efecto de cambio cuando el transistor esta hecho para alterar su estado de inicio de conductividad (encendido, la corriente al mximo) a su condicion final de insulacion (apagado y sin flujo de corriente). La animacin comienza con la corriente fluyendo desde el emisor (punto E) al colector (punto C). Cuando un voltaje negativo se le aplica a la base (punto B), los electrones en la regin base son empujados (dos cargas que se repelen, en este caso dos negativas) creando la insulacin. La corriente que flua desde el punto E al punto C se detiene. Conductividad: Esta animacion muestra muestra el efecto del transistor cuando pasa de su estado de insulacin (apagado y sin flujo de corriente) a su estado final de conductividad (prendido, la corriente al maximo). La animacion comienza con el transistor trabajando como un insulador. Para que pueda tener conductividad, voltaje positivo tiene que ser aplicado a la base (punto B). Como las cargas positivas se atraen (en este caso, positivo y negativo), los electrones se halados fuera de los limites y deja que siga el flujo de corriente como

(Pulse actualizar para ver la animacin)

(Pulse actualizar para ver la animacin)

lo muestra la figura. El transistor se cambio de insulador a conductor.

CAPTULO 4 TRANSISTORES LECCIN 1 CLASES

TRANSISTORES
La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia de transferencia, es un elemento que se comporta como una resistencia variable que depende de una seal elctrica de control, entonces al cambiar el valor de la seal de control cambia la cantidad de corriente que pasa por el transistor. Hay dos clases principales de transistores: Bipolares (BJT) y de efecto de campo (FET). En los transistores BJT la seal de control es una corriente y en los FET es un voltaje. Clases de transistores: BIPOLAR a. NPN
b. PNP FET Canal N Corriente Canal P MOSFET Enriquecimiento Canal N (Enhancement) Canal P Empobrecimiento Canal N (Depletion) Canal P FET VMOS, MOS doble compuerta, Especiales etc

TRANSISTOR

FET

TRANSISTORES BIPOLARES

Estn constituidos por tres capas de semiconductor que se llaman emisor (E), base (B) y colector (C), en el transistor NPN la base es semiconductor P, el emisor y el colector de semiconductor N, en el transistor PNP es lo contrario.

Para que un transistor bipolar funcione se debe "polarizar" que consiste en colocar fuentes de voltaje y resistencia que coloquen el diodo base emisor en directo (|VBE|=0.7) y que el diodo base colector est en inverso. Hay varias formas de polarizar un transistor, los ms usados son fija, divisor de voltaje, realimentacin por colector, realimentacin por emisor, seguidor emisor, etc., estos circuitos se indican en la Tabla No. 1. El comportamiento fundamental del transistor es que genera una corriente en el colector que es proporcional a la corriente que entra (NPN) o sale (PNP) por la base, la constante de proporcionalidad se llama la ganancia de corriente y se indica por o hFE.
= IC / IB

Conceptualmente se dice que el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por corriente, es decir, una fuente de corriente que no es de valor fijo, vara produciendo ms o menos corriente en la medida que hay ms o menos corriente en la base. Como en el transistor no se acumula carga toda la corriente que entra a l debe salir, entonces: IE = IC + IB = ( +1) IB Si >> 1 IE IC

Tabla 1: Anlisis DC Bipolares Configuracin

de Polarizacin de Transistores

IB = (VCC - 0.7)/RB IE IC = * IB VCE = VCC - IC*RC VRC = IC*RC

VE = 0 VB = 0.7v VC = VCE

Mtodo aproximado (RE >10R2) VB = (R2*VCC)/(R1 +R2) VE=VB-0.7 IE IC = VE/RE IB = IC/ VRC = IC * RC VCE = VCC - IC (RC+ RE) VC = VE + VCE

Mtodo exacto (RE<=10R2) VTH = (R2*VCC)/(R1 +R2) RTH= (R1*R2)/(R1 +R2) IB = (VTH - 0.7)/(RTH + (b+1)RE) IE IC = *IB VE = IE*RE VCE = VCC - IC(RC+ RE) VC = VE + VCE VB = VB + 0.7v

IB = VCC - 0.7 RB+(+1) RB VB = VE +0.7v IE IC = * IB VC = VCE +VE VE = RE - IE VCE = Vcc - IC*(RC + RE)

IB = (VCC - 0.7)/( RB+(+1) RE) IE IC = * IB VE = RE * IE VB = VE + 0.7v VC = Vcc

IE (IC = VEE - 0.7)/ RE VE = VEE - IE * RE IB = IC/ VC = -Vcc + IC * RC VB = 0

IB = (VCC - 0.7)/(RB+b Rc) VCE = VC IE IC = * IB VB = 0.7V VC = Vcc - IC * Rc

CAPITULO 4 TRANSISTORES LECCIN 2 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

ANLISIS Y DISEO EN DC
Se llama etapa a transistor al conjunto del transistor, resistencias y fuentes que lo polarizan. El anlisis consiste en determinar los voltajes y corrientes en el transistor teniendo como datos el y los valores de resistencia. El diseo es calcular las resistencias para obtener unos voltajes deseados en el transistor. El proceso de anlisis es primero calcular la corriente de base usando las Leyes de Ohm y Kirchhoff, luego se calcula IC e IE y con estos datos los voltajes de colector (Vc) y emisor (VE).
Ejemplo:

Cuales son los voltajes y corrientes en el siguiente circuito de polarizacin fija: RB= 200K RC = 1K Se analiza la malla de entrada LVK = Vcc - VRB - VBE = 0 VRB = Vcc - VBE VRB = 10v -0.7v = 9.3v IB = IRB = (9.3v / 200K) = 46.5 A Se calculan corrientes de colector y emisor: IC = * IB = 100*46.5 A= 4.65 mA IE IC = 4.65 mA

Se analiza la malla de salida: VCC - VRC - VCE = 0 VRC = IC * Rc = 4.65mA * 1K= 4.65v VCE = Vcc - VRC = 10v - 4.65v = 5.35v Como consecuencia el diodo BC queda en inverso: VBC = VB - Vc = 0.7v - 5.35v = -4.65v

APLICACIONES DEL TRANSISTOR

Una vez polarizado en DC un transistor se le agregan voltajes a travs de fuertes variables y otros elementos de circuito y el transistor entrega energa a otros circuitos, en algunos casos se adicionan al circuito condensadores, bobinas, transformadores que hacen que los transistores tengan miles de aplicaciones, las ms usuales son amplificadores, filtros activos, osciladores, atenuadores, moduladores, operaciones lgicas, etc. Las aplicaciones ms tiles que usen ms de un transistor se han convertido en circuitos integrados, donde se tiene ms facilidad y seguridad en la polarizacin y hay mayor versatilidad en las aplicaciones. Segn el estado de funcionamiento de los transistores se tienen dos grandes familias de integrados que son: lineales y digitales.

POTENCIA DEL TRANSISTOR

Los voltajes y corrientes presentes en un transistor hacen que haya una disipacin de potencia que se convierte en calor que eleva la temperatura del dispositivo, en general se considera la potencia del transistor como :
PT = VCE * IC

Esta tiene un valor lmite indicado por los fabricante para cada referencia en los manuales de especificaciones. Los datos de potencia lmite dependen que se pueda mantener los transistores a bajas temperaturas, esto se logra ensamblando disparadores de aletas a los transistores, los disipadores se especifican por su resistencia trmica = (T / P) (c/w) que depende de su forma, nmero de aletas, tamao y color. Los

transistores traen encapsulados especiales para unirlos a los disipadores, por ejemplo los encapsulados T0-22 y T0-3.

CAPTULO 4 TRANSISTORES LECCIN 3 AMPLIFICADORES COMO TRANSISTOR

TRANSISTORES COMO AMPLIFICADORES

El amplificador es un circuito que recibe una seal elctrica y entrega una seal de mayor amplitud, pueden ser amplificadores de voltaje o de corriente. La estructura es la siguiente: Los circuitos de acoplamiento son:

DIRECTO

POR CONDENSADOR

POR TRANSFORMADOR

El ms usado es el acople por condensador, y lo que se busca es que el condensador se comporte como corto circuito a la frecuencia de trabajo esto significa en la prctica hacer:
Xc < (1/10)(ZOA + ZiB )

Donde:
ZOA = Impedancia de salida del circuito A ZiB = Impedancia de entrada del circuito B

Para establecer una teora sobre el comportamiento de un transistor amplificado con seal AC, se han realizado mediciones a cada transistor y se han establecido unas curvas estndares que se llaman las caractersticas de entrada y salida de transistor, a continuacin hay un ejemplo de las curvas para la llamada configuracin de emisor comn. Las curvas caractersticas han llevado a un modelo matemtico del circuito de un transistor.

Los modelos indicados son para el modelo por re (resistencia dinmica de emisor), existe tambin el modelo por parmetros hbridos. Al modelo se analiza cuando esta conectado a las resistencias de polarizacin, los condensadores se consideran corto circuito y las fuentes DC se hacen cero por aplicacin del principio de superposicin. El modelo de resistencia dinmica de emisor nos planteo que el diodo BE se comporta una resistencia re, que no es de valor fijo sino depende de la corriente que est pasando por del diodo, en general se aproxima re por la siguiente relacin: re = 26mv / IE IE es la corriente de emisor calculada en la polarizacin DC del transistor.

CARACTERSTICAS DE UN AMPLIFICADOR
Todos los amplificadores electrnicos tienen cuatro caractersticas principales; que relacionan las variables presentes en los terminales del amplificador:

Vi, ii : Voltaje y corriente de entrada Vo,io : Voltaje y corriente de salida Las caractersticas son: Zi = Vi / ii :Impedancia de entrada, es una medida de cmo el amplificador carga el circuito que le entrega energa.
o

o Zo = Vo / io |vi=0 : Impedancia de salida es una medida de que tan bueno es el amplificador como fuente de energa frente al circuito al cual entrega energa. o Av = Vo /Vi :Ganancia de voltaje sin carga, es una medida de cuanto amplifica el voltaje Vi generando un voltaje Vo. o Ai = io /ii :Ganancia de corriente sin carga, es una medida de la amplificacin de la corriente.

Cuando se conocen estos valores se establece un circuito equivalente en el que el amplificador se comporta como una resistencia en los terminales de entrada y un circuito Thevenin o Norton a la salida.

Las frmulas para calcular las caractersticas de los transistores como amplificadores para cada tipo de polarizacin se indican en la Tabla No. 2. La polarizacin ms comnmente usada es la de divisor de voltaje, la mayora son usadas para amplificar voltaje excepto el seguidor emisor que no amplifica voltaje sino corriente (Av 1), sta es usada en lo que se llama etapas de salida donde se deben entregar altas corrientes a una carga sin que las amplitudes de voltaje se reduzcan apreciablemente por el consumidor, por ejemplo en sonido entregar la seal a los particulares, en el campo industrial se usan para variar la velocidad de motores DC de baja potencia. Para manejo de mayores potencias en el caso de querer trabajar un motor DC con inversin de giro se usan dos transistores uno PNP y uno NPN formando lo que se llama par complementario, ambos trabajan como seguidor emisor pero uno trabaja en el semiciclo positivo de seal y el otro en el semiciclo negativo.

EFECTO DE CARGA
Cuando a un amplificador se conecta un circuito que acte como carga (ZL) se produce una disminucin o "cada" del voltaje de salida, el voltaje con carga (VOL) es: VOL = (ZLVO) / (ZL + ZO) = AVVi( ZL/ (ZL+ ZO))

Tabla No. 2

Niveles relativos para los parmetros importantes de los amplificadores de emisor comn, base comn y colector comn.
Configuracin Zi Zo Ay Ai

Medio (1 k) = RB || re = re (RB 10re)

Medio (2 k) = RC || rO = RC (ro 10RC)

Alto (200) = - (RC || rO)/re = - RC/re (ro 10RC)

Alto (200)

Alto (100) = - ( RB rO)/(rO + RC)( RB + re) = (ro 10RC) (RB 10re)

Alto (50)

Medio (1 k)

Medio (2 k)

= R || R2 || = RC || rO = RC r
e

= - (RC || rO)/re = - RC/re (ro 10RC)

= ( (R1 || R2)rO)/(rO + RC)( R1 || R2+ re) = ( (R1 || R2))/R1 || R2+ re (ro =10RC)

(ro 10RC)

Alto (100 k)

Medio (2 k)

Bajo (-5) Alto (50)

= RB || Zb

= RC

= - Rc/(re + = RB/(RB + Zb) RE)

Zb (re + (cualquier = - RC/RE nivel de rO) RE) (RE>> re) RB || RE RE>> re

Alto (100 k) = RB || Zb Bajo (20 k) Bajo ( 1) Alto ( - 50)

= RE || re RE/(RE + re) 1

= - RB/(RB + Zb)

Zb (re + = re RE) RB || RE RE>> re

Bajo (20 k) Medio (2 k)

(RE>> re)

Alto (200) Bajo (-1)

= RE || re = re (RE>> re)
Medio (1 k)

= RC

= RC/re

-1

Medio (2 k)

Alto (200)

Alto ( 50)

= re/(1/ + = RC || RF RC/RE) (ro 10RC)

= - RC/re

= RF/(RF + RC) = RF

(ro 10RC) (ro 10RC RC RF>> RC)

CAPTULO 4 TRANSISTORES LECCIN 4 CORTES Y SATURACIN

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Se indic que para hacer funcionar un transistor su diodo base emisor este en directo (VBE = 0.7v) y su diodo BC este en inverso, a esta condicin se llama transistor en la zona activa, existen otras dos zonas: corte y saturacin. La zona de corte se produce cuando VBE < 0.7 o negativo en ese caso no hay corrientes en el transistor (IB = 0 , IC = 0), en un transistor que tenga solo resistencia en su colector se produce Vc = Vcc. La zona de saturacin se produce cuando se hace crecer la corriente de base a un valor tan alto que el transistor intentara conducir tambin una corriente de colector muy grande, pero el circuito introduce un lmite, si la Tc crece se puede llegar a
VRC = Ic Rc Vcc

en ese caso VCE 0 y la Ic no puede crecer ms. Podemos asimilar un transistor como una palanca y su circuito de polarizacin a los resortes sobre las que hay fuerzas y deformaciones, las fuerzas son el smil de corriente ylos desplazamientos el smil del voltaje.

CAPTULO 4 TRANSISTORES LECCIN 5 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc) si se hace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un interruptor abierto y en saturacin es un interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base mnima: IBSAT min = Icsat / RBMax = Von/IBsat min Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe usar una RB por lo menos 4 veces menor que RBmax. Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado Voff que haga que el circuito entre en corte.

La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados lgicos, all se mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en otro campo se aplican para activar y desactivar rels, en este caso como la carga es inductiva (bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la "patada inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se debe hacer una proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.

CAPTULO 4 TRANSISTORES LECCIN 6 TRANSISTORES FET Y MOSFET

TRANSISTOR FET
FET (Field

Efect Transistor): transistor de efecto del campo. Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales

D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta). Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGS haremos que ID disminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS. En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de Schotkley: ID = IDSS (1 - (VGS/VP)) IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de polarizacin de FET y MOSFET se encuentran en la Tabla No. 3 donde el punto de trabajo se da por el corte de la parbola de la ecuacin de Schotkley y la recta de carga del circuito. Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su caracterstica ms importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0. En la Tabla No. 4 se especifican las frmulas de Zi, Zo y Av para cada uno de los circuitos amplificadores.

TABLA No. 3 Configuraciones polarizacin de FET TIPO CONFIGURACIN ECUACIONES PERTINENTES SOLUCIN GRFICA

JFET Con polarizacin fija

VGSQ = - VGG

VDS = VDD - IDRS

JFET Con autopolarizacin

VGSQ = - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

JFET Con polarizacin mediante divisor de voltaje

VG = R2 VDD/(R1 + R2)

VGS = VG - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

VGSQ = Vss - IDRS Compuerta comn JFET

VDS =VDD+Vss-ID(RD+ RS)

JFET (VGSQ = 0 V)

VGSQ = 0 V

IDQ = Iss
VGSQ = -IDRS

JFET (RD = 0 )

VD = VDD VS = IDRS VDS =VDD - IDRS

MOSFET De tipo decremental (todas las configuraciones arriba de los casos positivos donde = + voltaje) polarizacin Fija

VGSQ = + VGG

VDS = VDD - IDRS

MOSFET de tipo decremental polarizacin mediante divisor de voltaje

VG = R2 VDD/(R1 + R2)

VGS = VG - ISRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

MOSFET de tipo incremental configuracin por retroalimentacin

VGSQ = VDS

VDS = VDD - IDRS

MOSFET de tipo incremental Polarizacin mediante divisor de voltaje

VG = R2 VDD/(R1 + R2)

VGS = VG - IDRS

TABLA No. 4: Zp Zo Av para las diferentes configuraciones FET CONFIGURACIN Zp Alta (10 M) Zo Media (2 K) Av = Vo/Vi Media (-10)

= RG

=RD || rd RD (rd 10RD)

= -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

Alta (10 M)

Media (2 K)

Media (-10)

= RG

=RD || rd RD (rd 10RD)

= -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

Alta (10 M)

Media (2 )

Media (-2)

= RG

= - gmRs/(1 + = RD/(1 + gmRs + gmRs + (RD+Rs)/rd) (RD+Rs)/rd) - gmRs/(1 + RD/(1 + gmRs) gmRs) (rd (rd 10(RD+Rs)) 10(RD+Rs))
Media (2 K) Media (-10)

Alta (10 M)

= R1 || R2

=RD || rd RD (rd 10RD)

= -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

Alta (10 M)

Baja (100 Baja (<1) k)

= RG

= gm(rd || RS)/ = rd || RS || (1 + gm(rd || 1/gm RS)) RS || 1/gm gmRS/(1 + gmRS) (rd 10RS) (rd 10RS)

Baja (1 k)

Media (2 K)

Media (+10)

= RD || rd RS || 1/gm (rd 10RD) RD

= (gmRD + (RD/rd))/(1+ (RD/rd))

(rd 10RD) gmRD (rd 10RD)

Media (1 k)

Media (2 K)

Media (-10)

= - gm (RF || rd = (RF + rd || RD)/(1+gm(rd || = RF || rd || || RD) RD RD)) RF/(1+gmRD) RD (RF rd 10RD)

Media (1 M) Media (2 K)

- gmRD (RF rd 10RD)

Media (-10)

= R1 || R2

=RD || rd RD (rd 10RD)

= -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

Para buscar por palabras claves presione las teclas Ctrl+F Estos smbolos se pueden representar con o sin crculo Canal N flecha entrando / Canal P flecha saliendo * Smbolo recomendado

Transistor NPN

Transistor PNP

Transistor NPN con colector unido a la cubierta

Transistor NPN tunel

UJT- n Uniunin

UJT- p Uniunin

Fototransistor NPN

Multiemisor NPN

Transistor de avalancha NPN

Transistor Schottky NPN

Transistor JFET canal N *

Transistor JFET canal N

Transistor JFET canal P *

Transistor JFET canal P

PUT Uniunin Programable

Darlington NPN

Darlington NPN *

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Transistores de potencia
El transistor de potencia
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. Existen tres tipos de transistores de potencia:

bipolar. unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). IGBT. MOS Bipolar

Parmetros Impedancia de entrada Ganancia en corriente Resistencia ON (saturacin) Resistencia OFF (corte) Voltaje aplicable Mxima temperatura de operacin Frecuencia de trabajo Coste

Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios) Alta (107) Media / alta Alta Alto (1000 V) Alta (200C) Media (10-100) Baja Alta Alto (1200 V) Media (150C)

Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz) Alto Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:

Trabaja con tensin. Tiempos de conmutacin bajos.

Disipacin mucho mayor (como los bipolares).

Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:

Pequeas fugas. Alta potencia. Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento. Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor. Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima elevada). Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.

Principios bsicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas. Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los otros dos terminales. En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID. En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor.

Tiempos de conmutacin

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son

despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero de veces que se produce el paso de un estado a otro. Podremos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos. Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su valor final. Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final. Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final. Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final. Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que el tiempo de encendido (ton). Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima a la cual puede conmutar el transistor:

Otros parmetros importantes

Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. ICAV, corriente media por el colector). Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM). Con este valor se determina la mxima disipacin de potencia del dispositivo. VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en circuito abierto. VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto. Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET). Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin RDSon en el FET. Este valor, junto con el de corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin en saturacin. Relacin corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia esttica de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).

Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser :

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor - base y a una polarizacin inversa de la unin colector base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin. Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor - base y a una polarizacin directa de la unin colector base. Esta regin es usada raramente. Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0). Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).

Avalancha secundaria. Curvas SOA.

Si se sobrepasa la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO), o la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unin colector - base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo, denominado avalancha primaria. Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular).La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura). El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica anterior). El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas lmites en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.

Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto. Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con polarizacin inversa de la unin base - emisor se produce la focalizacin de la corriente en el centro de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de IC y VCE durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.

Efecto producido por carga inductiva. Protecciones.

Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms desfavorables dentro de la zona activa.

En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor en corte y saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin por la recta que va desde A hasta C, y de saturacin a corte desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a saturacin recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte lo hace por el tramo CDA. Puede verse que este

ltimo paso lo hace despus de una profunda incursin en la zona activa que podra fcilmente sobrepasar el lmite de avalancha secundaria, con valor VCE muy superior al valor de la fuente (Vcc). Para proteger al transistor y evitar su degradacin se utilizan en la prctica varios circuitos, que se muestran a continuacin :

a) Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser superior a la tensin de la fuente Vcc). b) Diodo en antiparalelo con la carga RL. c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber). Las dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a corte, proporcionando a travs de los diodos un camino para la circulacin de la intensidad inductiva de la carga. En la tercera proteccin, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una tensin Vcc. Diseando adecuadamente la red RC se consigue que la tensin en el transistor durante la conmutacin sea inferior a la de la fuente, alejndose su funcionamiento de los lmites por disipacin y por avalancha secundaria. Cuando el transistor pasa a saturacin el condensador se descarga a travs de RS.

El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta, donde vemos que con esta red, el paso de saturacin (punto

A) a corte (punto B) se produce de forma ms directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc. Para el clculo de CS podemos suponer, despreciando las prdidas, que la energa almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la intensidad de colector se anule. Por tanto :

de donde :

Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar descargado totalmente en el siguiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de RS y CS ha de ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en saturacin el transistor :

Clculo de potencias disipadas en conmutacin con carga resistiva

La grfica superior muestra las seales idealizadas de los tiempos de conmutacin (ton y toff) para el caso de una carga resistiva. Supongamos el momento origen en el comienzo del tiempo de subida (tr) de la corriente de colector. En estas condiciones (0 t tr) tendremos :

donde IC ms vale :

Tambin tenemos que la tensin colector - emisor viene dada como :

Sustituyendo, tendremos que :

Nosotros asumiremos que la VCE en saturacin es despreciable en comparacin con Vcc. As, la potencia instantnea por el transistor durante este intervalo viene dada por :

La energa, Wr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida est dada por la integral de la potencia durante el intervalo del tiempo de cada, con el resultado:

De forma similar, la energa (Wf) disipada en el transistor durante el tiempo de cada, viene dado como:

La potencia media resultante depender de la frecuencia con que se efecte la conmutacin:

Un ltimo paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no cometeramos un error apreciable si finalmente dejamos la potencia media, tras sustituir, como:

Clculo de potencias disipadas en conmutacin con carga inductiva

Arriba podemos ver la grfica de la iC(t), VCE(t) y p(t) para carga inductiva. La energa perdida durante en ton viene dada por la ecuacin:

Durante el tiempo de conduccin (t5) la energa perdida es despreciable, puesto que VCE es de un valor nfimo durante este tramo. Durante el toff, la energa de prdidas en el transistor vendr dada por la ecuacin:

La potencia media de prdidas durante la conmutacin ser por tanto:

Si lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de prdidas a lo largo del periodo (conmutacin + conduccin). La energa de prdidas en conduccin viene como:

Ataque y proteccin del transistor de potencia

Como hemos visto anteriormente, los tiempos de conmutacin limitan el funcionamiento del transistor, por lo que nos interesara reducir su efecto en la medida de lo posible.

Los tiempos de conmutacin pueden ser reducidos mediante una modificacin en la seal de base, tal y como se muestra en la figura anterior. Puede verse como el semiciclo positivo est formado por un tramo de mayor amplitud que ayude al transistor a pasar a saturacin (y por tanto reduce el ton) y uno de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este modo la potencia disipada no ser excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentar). El otro semiciclo comienza con un valor negativo que disminuye el toff, y una vez que el transistor est en corte, se hace cero para evitar prdidas de potencia. En consecuencia, si queremos que un transistor que acta en conmutacin lo haga lo ms rpidamente posible y con menores prdidas, lo ideal sera atacar la base del dispositivo con una seal como el de la figura anterior. Para esto se puede emplear el circuito de la figura siguiente.

En estas condiciones, la intensidad de base aplicada tendr la forma indicada a continuacin:

Durante el semiperiodo t1, la tensin de entrada (Ve) se mantiene a un valor Ve

(mx). En estas condiciones la VBE es de unos 0.7 v y el condensador C se carga a una tensin VC de valor:

debido a que las resistencias R1 y R2 actan como un divisor de tensin. La cte. de tiempo con que se cargar el condensador ser aproximadamente de:

Con el condensador ya cargado a VC, la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale:

En el instante en que la tensin de entrada pasa a valer -Ve(min), tenemos el condensador cargado a VC, y la VBE=0.7 v. Ambos valores se suman a la tensin de entrada, lo que produce el pico negativo de intensidad IB (mn):

A partir de ese instante el condensador se descarga a travs de R2 con una constante de tiempo de valor R2C. Para que todo lo anterior sea realmente efectivo, debe cumplirse que:

con esto nos aseguramos que el condensador est cargado cuando apliquemos la seal negativa. As, obtendremos finalmente una frecuencia mxima de funcionamiento :

Un circuito ms serio es el de Control Antisaturacin:

El tiempo de saturacin (tS)ser proporcional a la intensidad de base, y mediante una suave saturacin lograremos reducir tS :

Inicialmente tenemos que:

En estas condiciones conduce D2, con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor:

Si imponemos como condicin que la tensin de codo del diodo D1 se mayor que la del diodo D2, obtendremos que IC sea mayor que IL:

En lo que respecta a la proteccin por red snubber, ya se ha visto anteriormente.

J. Domingo Aguilar Pea: jaguilar@ujaen.es Miguel ngel Montejo Rez: radastan@swin.net