t3 potencial elctrico. Condensadores potencial elctrico.

Condensadores trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico trabajo y potencial elctrico potencial debido a carga puntual potencial debido a carga puntual potencial debido a carga puntual potencial debido a carga puntual potencial debido a carga puntual potencial debido a carga puntual potencial de sistema de varias cargas potencial de sistema de varias cargas potencial de sistema de varias cargas potencial de sistema de varias cargas potencial de un dipolo elctrico potencial de un dipolo elctrico potencial de un dipolo elctrico potencial de un dipolo elctrico potencial de un dipolo elctrico potencial de un dipolo elctrico potencial de un dipolo elctrico energa potencial electroesttica energa potencial electroesttica

Electroestatica <= parte del electromagnetismo trabajo, potencial elctrico <= relacionado con energa electroesttica F ejercida por E sobre q <= F= qE F,E: vectores ; F es conservativa W_p(x,y,z) <= energa potencial electroesttica asociada a F conservativa F gravitatoria: tambin es conservativa permite trabajar con energa potencial electrostatica en lugar de con su fuerza cuando q experimenta desplazamiento dl dentro de E, la variacin de energa po cuando carga q_0 se coloca dentro E se acelera en direccin E<= energa cintic Lneas E apuntan en direccin disminuye potencial electroesttico desplazamiento q de 'a' a 'b' => variacin energa potencial electroesttica grad(W variacin de potencial elctrico potencial dV: variacin de potencial por unidad diferencia de potencial entre dos puntos: variacin(V) = V_b- V_a = variacin(W diferencia de potencial entre dos puntos es el valor con signo negativo del traba potencial elctico : Voltio (V) 1 V= 1 J / 1 C potencial en un punto. Requiere de potencial de referencia potencial cero diferencia de potencial en el potencial cero y un punto Pa es Va : tensin de a cada carga de 1C que circule en sentido positivo al negativo de una pila de 9v co dimensiones potencial elctrico son las mismas que las del E*d d:distancia E <= 1 N / C = 1 V / m protn se deja dentro de E uniforme => tomar su direccin. SEGUIR MVTO. U para un desplazamiento de un protn x cm la variacin de potencial elctrico es: variacin de energa potencial del protn causada por el desplazamiento: variac principio conservacin energa: energa potencial peridida es igual a energa cin v_partcula = sqrt(2W_c / m) a=F/m t_recorrer_distancia t= v / a al tratar partculas elementales en movimiento <= valores energa muy pequeos eV= q*V <= energa sea q fija y en origen coordenadas . E radial y de valor => E = kq / r^2 * r' r': vec carga q_0 situada a distancia 'r' experimenta dl = r' dr variacin potencial elctrico por unidad de carga : dV = -E . dl = - kq / r * r' . (dr convenio: potencial (v) = 0 a distancia infinita de q que crea E (r=infinito) lo cual h q_0 situada a distancia 'r' de 'q' (que est fijada en el origen) es acelerada por E energa potencial electroesttica: trabajo que debe realizar una F de valor q_0 E n cargas puntuales fijas. principio superposicin del E : potencial en punto P debido a sistema formado po sistema de n cargas: distribucin de carga finita <= al no haber cargas en el infi a distancia suficientemente grande de distribucin de carga finita <= se comporta dipolo elctrico: sistema formado por dos cargas q iguales y de signo contrario. momento dipolar 'p': vector paralelo al eje del dipolo, con sentido de la carg V= k(-q) / x + kq / (x-a) = kq a /x (x-a) para un punto P muy alejado del dipolo (x >>a ) => V = kqa / x = kq / x par dipolo elctrico y puntos alejados de l => potencial elctrico disminuye con el cu dipolo dentro de E externo uniforme : sobre cada una de las dos cargas que form muchos materiales poseen molculas=> se comportan como dipolos debido a s para traer tercera carga desde el infinito hasta un punto prximo a los dos anterio energa potencial electroesttica de un sistema de cargas puntuales

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erga electroesttica a ; F es conservativa asociada a F conservativa F= dW_p /dx i + dW_p /dy + dW_p /dz = grad(W_p)

ica en lugar de con su fuerza e E, la variacin de energa potencial dW_p = -q E . dl E,dl: vectores . : proceducto escalar El trabajo realizado por fuerza electro n direccin E<= energa cintica aumenta en cantidad que disminuye su energa potencial. al electroesttico potencial electroesttica grad(W)=W_b- W_a = int(a,b)(dW) = -q int(b,a) (E.dl) E,dl :vectors '.' :producto escalar acin de potencial por unidad de carga dV=dW / q = -E.dl <= E, dl : vectors . : producto escalar n(V) = V_b- V_a = variacin(W) / q = - int(a,b) (E.dl) E, dl: vectores . : producto escalar lor con signo negativo del trabajo por ud. de cargar realizado por un E cuando una carga positiva unidad se desplaza de a a b.

eferencia potencial cero unto Pa es Va : tensin de a al negativo de una pila de 9v con una bombilla perder una energa de 9J = 1C * 9V ue las del E*d d:distancia a direccin. SEGUIR MVTO. UNIFORMEMENTE ACELERADO acin de potencial elctrico es: variacin(V)= - Ed = -xE-2 * E por el desplazamiento: variacin(U) = q * variacin(V) = 1.6E-19 *(variacin(V)) peridida es igual a energa cintica ganada. Si protn parte del reposo, su energa cintica, W_c, despus de correr x cm es : W_c = 1

valores energa muy pequeos al ser sus cargas tambin muy pequeas

valor => E = kq / r^2 * r' r': vector unitario

dV = -E . dl = - kq / r * r' . (dr) r' = - kq / r dr Integrando desde origen hasta r, donde se encuentra q_0 => V=kq / r + V_0 V_0: c que crea E (r=infinito) lo cual hace que V_0 = 0. Potencial elctrico a distancia r de q es : V= kq /r n el origen) es acelerada por E creado por q. => trabajo realizado por E cuando q_0 se mueve desde r a infinito es : W = int (r,infinito) ( e realizar una F de valor q_0 E aplicada a carga positiva q_0 para traerla desde el infinito hasta distancia r de la carga puntual q que cre

P debido a sistema formado por las n cargas fijas es igual a suma del potencial en dicho punto debido a cada una de las n cargas por s <= al no haber cargas en el infitnito podemos considerar el potencial all = 0 de carga finita <= se comporta como carga puntual y el potencial elctrico puede calcularse de forma aproximada. q iguales y de signo contrario. Distancia que las separa : fija 'a' dipolo, con sentido de la carga negativa a la positiva : p =aq <= mdulo del momento dipolar |p| = |aq| <= intrepreto es as: d

> V = kqa / x = kq / x para x >>a al elctrico disminuye con el cuadrado de la distancia, a diferencia de lo ocurrido con una carga puntual en la que el potencial disminuy una de las dos cargas que forman el dipolo aparacer F=qE y sern iguales y de sentido contrario. La F resultante = 0 pero producen u ortan como dipolos debido a su geometra y distribucin de cargas ej. agua <= existencia momento tao sobre el dipolo elctrico que punto prximo a los dos anteriores <= trabajo contra el campo elctrico por las otras dos cargas. cargas puntuales

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abajo realizado por fuerza electrostatica hace disminuir la energa potencial electroesttica de la carga

dad se desplaza de a a b.

pus de correr x cm es : W_c = 1 / 2 * m *v^2

ra q_0 => V=kq / r + V_0

V_0: constante integracin

r a infinito es : W = int (r,infinito) (q_0 E . dl ) = q_0 *int(r, infinito)( kq/r dr ) = k qq_0 / r ncia r de la carga puntual q que crea E.

o a cada una de las n cargas por separado V = sum (i=1, n ) (kq_i / r_i) r_i: distancia entre carga q_i y punto P donde se calcula poten

a aproximada.

p| = |aq| <= intrepreto es as: duda

ual en la que el potencial disminuye con la distancia a F resultante = 0 pero producen un par sobre el dipolo haciendo girar este hacindo que se oriente con E tao= p x E o tao sobre el dipolo elctrico que se encuentra dentro E hace que las molculas se orienten en direccin del E. <= POLARIZACIN d

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i y punto P donde se calcula potencial V

con E tao= p x E cin del E. <= POLARIZACIN del medio natural

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t4 magnetita Iman iman Iman tierra balanza de torsin (polos magnticos) Orested Orested Orested Ampere Faraday-Henry Maxwell Orested Orested Orested Orested Orested Demostraciones orested Demostraciones orested campo magntico campo magntico campo magntico fuerza magntca VxB Consencuencias campo magntico Consencuencias campo magntico Consencuencias campo magntico Consencuencias campo magntico Consencuencias campo magntico Consencuencias campo magntico Consencuencias campo magntico Tesla T Testa T B terrestre (Valor medio) B iman industrial Gauss 1T 1G manifestacin del campo manifestacin del campo +q movindose dentro B uniforme perpendicular al plano +q movindose dentro B uniforme perpendicular al plano +q movindose dentro B uniforme perpendicular al plano +q movindose dentro B uniforme perpendicular al plano +q movindose dentro B uniforme perpendicular al plano +q movindose dentro B uniforme perpendicular al plano +q movindose dentro B uniforme (no perpendicular) +q movindose dentro B uniforme (no perpendicular) +q movindose dentro B uniforme (no perpendicular) +q movindose dentro B uniforme (no perpendicular) Pgina 5

atrae al hierro tiene polos donde fuerza es mxima al romperse vuelven a aparecer polos polos prximos a polo norte y sur fuerza vara proporcionalmente al cuadrado de la distancia que brjula se desva al paso de corriente en conductor prximo corrientes atraen limaduras de hierro conductores paralelos circulando corriente en mismo sentido s base magnetismo no es el polo es la circulacin de corriente mover iman proximidad circuito o variando corriente circuito ce campo magntico variable produce campo magntico

conductor rectilneo paralelo a aguja imanada. Al hacer circula Condu ctor rectilneo paralelo a aguja imanada. Al hacer circul dos conductores rectilneos paralelos circulando dos corrientes atraccin y repulsin debida a movimiento de cargas elctricas Fuerza por unidad de longitud entre 2 conductores rectilneos. movimiento cargas elctricas(corriente) crea campo magntico Campo magntico (ejemplo conductor) acta sobre cargas en

si al penetran carga electrica en mvto en regin sufre fuerza qu induccin magntica densidad de flujo magntico F= QvxB producto vectorial fuerza magntica proporpicional a Q fuerza sobre carga negativa igual pero de sentido contraria a s fuerza proporcional al mdulo de la velocidad V fuerza perpendicular al campo magntico B y la velocidad V fuerza proporciona a sen (teta) , teta es angulo B,V. Si V para cada carga se mueve con velocidad V en interior campo magn fuerza magntica siempre perpendicular al desplazamiento Carga de 1C que se mueve con velocildad de un m/s perpendi unidad muy grande. 50 mT 5 mili centesimas pocos teslas sistema cgs de unidades E4G E-4T sobre partcula cargada que se mueve en su interior sobre un conductor por el que circula corriente elctrica

partcula describe trayectoria circular fuerza magntica es la que proporciona fuerza centrpetra para QvB = m V^2 / r r=mv /qB T = 2*pi/ W = 2pi / (v/r) T = periodo del ciclotrn: valor de T radio depende de velocidad de la partcula periodo no depende ni del radio de la rbita, ni de la velocidad V y B no perpendicular : forma angula teta V = Vparalela + V perpendicular componente perpendicular : movimiento circular componente paralela: movimiento de avance en direccin del c

t4 +q movindose dentro B uniforme (no perpendicular) +q movindose dentro B uniforme (no perpendicular) +q movindose dentro B uniforme (no perpendicular) +q movindose dentro B uniforme +q movindose dentro B no uniforme +q movindose dentro B no uniforme +q movindose dentro B no uniforme lneas de B lneas de B lneas de B Diferencias lneas E y lenas B Diferencias lneas E y lenas B Diferencias lneas E y lenas B Diferencias lneas E y lenas B Diferencias lneas E y lenas B Diferencias lneas E y lenas B F sobre conductor rectilneo SEGMENTO F sobre conductor rectilneo SEGMENTO F sobre conductor rectilneo SEGMENTO F sobre conductor rectilneo PLANO F sobre conductor rectilneo PLANO F sobre conductor rectilneo SEGMENTO F sobre conductor cualquiera F sobre conductores cerrados F sobre conductor plano F sobre conductor plano (semicirular de radio R) F sobre conductor plano (semicirular de radio R) F sobre conductor plano (semicirular de radio R) conclusiones sobre conductor cualquiera conclusiones sobre conductor cualquiera conclusiones sobre conductor cualquiera conclusiones sobre conductor cualquiera F sobre espira F sobre espira F sobre espira F sobre espira F sobre espira F sobre espira F sobre espira (bobina de N vueltas) F sobre espira (bobina de N vueltas) F sobre espira (bobina de N vueltas) F sobre espira (bobina de N vueltas) F sobre espira (bobina de N vueltas) F sobre espira (bobina de N vueltas) F sobre espira (bobina de N vueltas) F sobre imn F sobre imn F sobre imn Pgina 6 resulta movimiento helicoidal : r=mv /qB sen (teta) paso: avance lineal durante el tiempo que da 1 revolucin paso= p = T * v cos (teta) = 2pi m v / qB *cos(teta)

aplicacin en fsica nuclear: ciclotrn (acelerar protones y ncl estudio complejo fusin nuclear. Se consigue confinar haces densos de partcul cinturones Van-Allen: partculas cargadas quedan atrapadas p

lneas de campo lneas de fuerza la direccin del campo viene dada por la direccin de las lnea magnitud del campo : dada por densidad de lneas de campo Fe que acta sobre carga +q tiene direccin E Fm acta sobre carga mvil es perpendicular a B. Lneas B no tienen misma direccin que Fm sobre carga m en E lneas comienzan en +q y finalizan en -q en B no existen polos magnticos aislados. Lneas B son lnea lneas B no se cortan entre s, son ms densas en prximidad

conductor en interior B por el que circula I. B ejerce fuerza sob segmento rectilneo de conductor.v: velocidad desplazamiento I: intensidad circulante i=nqvA F= ilxB l: tiene direccin y sen dF = i dlxB i dl : elemento de corriente F sobre conductor longitudinal F sobre cconductor plano con forma cualquiera espiras suma de F de elementos de corriente I: intensidad circulante F con Bperendicular=Suma y F con Bpa F= INT(0,pi) (iBsen(teta).Rd(teta) = 2RiB identico resultado el de F sobre conductor rectilneo de L=2R s Fm total de B sobre conductor plano y forma cualquiera en cuanto ms prximos extremos menor Fm, independiente de L conductor en interior B por el que circula I. B ejerce fuerza sob conductor cerrado espira Fm resultante es nula

circula I, est en interior B uniforme paralelo al plano espira. F lados con elemento corriente colineales a B <= fuerza nula ; l fuerzas iguales y opuestas forman entre s un par que hace gir existe momento tao <= es el mismo para cualquier punto de la momento del par tiende a girar n en direccin B hasta que amb Si B forma ngulo teta con n se obtiene que f sigue siendo nu tao= NIABsen(teta) <= momento momento dipolar magntico mu= NIAn n:vector SI unidad dipolar magntica A*m^2 tao= mu x B una espira por la que circula corriente en interior de B, acta d longitud ciruclar= 2*pi*R => rea ciruclar = pi*R*R sentido momento <= el que hace que el vector n sea colineal momento justifica comportamiento de la brjula brjula: tiene a orientarse con B externo , de forma que su polo barra imanada dentro B. Su dimensin longitudinal forma ngu barra imanada se comporta como expira de corriente: debido a

t4 F sobre imn F sobre imn F sobre imn F sobre imn Fuentes del B B creado por q puntual en movimiento B creado por q puntual en movimiento B creado por q puntual en movimiento B creado por q puntual en movimiento B creado por q puntual en movimiento B creado por q puntual en movimiento B creado por q puntual en movimiento B creado por q puntual en movimiento B creado por corriente elctrica (Biot y Savart)

intensidad de polo q_m: fuerza ejercida sobre el polo por intensidad de polo positiva: polo norte ; intensidad de polo momento magntico mu a partir de la intensidad de polo mu = tao / B <= simplicacin hallar q_m= mu / l origen del B carga que se mueve con velcolidad v produce B en punto P de 1. direccin B perpendicular a plano que contiene v y r (dire 2. B nulo en direccin movimiento de carga. Dems puntos de 3. mdulo B, proporcional a carga 'q' y a 'v', e inversamente pr muy importante r' : es un vector unitario dos cargas mviles ejercen F una sobre otra <= F = combinaci Dos fuerzas distintas : no son iguales, ni opuestas => F_12= q sistema formado por dos cargas en movimiento y F que ejerec

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e al cuadrado de la distancia que separa orriente en conductor prximo

ndo corriente en mismo sentido se atraen o es la circulacin de corriente o o variando corriente circuito cercano produce campo elctrico duce campo magntico

aguja imanada. Al hacer circular corriente, aguja giraba y se orientaba perpendicular a conductor a aguja imanada. Al hacer circular corriente sentido contrario, aguja giraba 180 aralelos circulando dos corrientes elctricas. Si corrientes mismo sentido atraccin, si opuesto repulsin. movimiento de cargas elctricas. entre 2 conductores rectilneos. Proporcional a intensidades de corrientes e inversamente proporcional a distancia entre conductores corriente) crea campo magntico onductor) acta sobre cargas en movimiento (otro conductor) mediante fuerza atraccin o repulsin perpendicular a direccin de su mo

en mvto en regin sufre fuerza que vara direccin mvto. Con valor proporcional a su velocidad y su carga

gual pero de sentido contraria a sobre carga positiva de la velocidad V o magntico B y la velocidad V a) , teta es angulo B,V. Si V paralela a B sen (0) = 0 => fuerza es nula ocidad V en interior campo magntico estacionario. Solo vara direccin vector velocidad no su mdulo pendicular al desplazamiento on velocildad de un m/s perpendicular a B de un 1 T experimenta una fuerza de un newton

e mueve en su interior circula corriente elctrica

oporciona fuerza centrpetra para ese movimiento circular T = 2*pi/ W = 2pi / (v/r) T = 2pi /v *mv/qB = 2pi m / qB

io de la rbita, ni de la velocidad de la partcula

movimiento circular ento de avance en direccin del campo Pgina 8

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al : r=mv /qB sen (teta) tiempo que da 1 revolucin 2pi m v / qB *cos(teta)

clotrn (acelerar protones y ncleos deuterio) <= obtener energa cintica y bombardear con ella ncleos otros tomos y estudiar estru

onfinar haces densos de partculas cargadas <= plasma. Haciendo que se muevan en trayectorias helicoidales as cargadas quedan atrapadas por campo magntico terrestre describiendo trayectorias espirales a lo largo lneas de campo entre PN

dada por la direccin de las lneas de campo or densidad de lneas de campo iene direccin E s perpendicular a B. ireccin que Fm sobre carga mvil y finalizan en -q icos aislados. Lneas B son lneas cerradas, sin principio , ni fin son ms densas en prximidad a polos

que circula I. B ejerce fuerza sobre cada carga, la fuerta resultante ser la suma de fuerzas ctor.v: velocidad desplazamiento n : num. A: seccin l: longitud, I: intensidad circulante Cargas conductor. F= (qVxB)n A l A F= ilxB l: tiene direccin y sentido mismos que qV, los mismos que la corriente I

forma cualquiera

Bperendicular=Suma y F con Bparalello=> f=0

re conductor rectilneo de L=2R siendo en puntos A, B y circulando i tor plano y forma cualquiera en interior y circulando i. Puede calcularse por otro rectilneo entre sus extremos por el que circu os menor Fm, independiente de L de conductor y A que ocupe que circula I. B ejerce fuerza sobre cada carga, la fuerta resultante ser la suma de fuerzas m resultante es nula

forme paralelo al plano espira. Ftotal= suma Fejercidas_sobre_cada_ladoconductor colineales a B <= fuerza nula ; lados con elemento corriente perpendicular a B <= Iba ; Ftotal=nula man entre s un par que hace girar el plano de la espira hasta situarlo perpendicularmente a B mismo para cualquier punto de la espira ; tao = 2Fb/2 = IabB = IAB A:rea espira; orientacin espira vector n perpendicular a superf r n en direccin B hasta que ambos coincidan se obtiene que f sigue siendo nula y el momento es tao=IABsen(teta)

mu= NIAn n:vector *m^2 tao= mu x B orriente en interior de B, acta del modo que un dipolo elctrico dentro de E rea ciruclar = pi*R*R ace que el vector n sea colineal con B ento de la brjula B externo , de forma que su polo norte a punte a la direccin de B mensin longitudinal forma ngulo teta con B <= existir F en extremo correspondiente a polo norte del imn en direccin B; y existir omo expira de corriente: debido a momento magntico de espiras microscpicas de corriente producidas por mvto. tomos en barra im Pgina 9

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erza ejercida sobre el polo por un B F=q_mB F,B: vectores olo norte ; intensidad de polo negativa : polo sur partir de la intensidad de polo => mu = q_m*l mu,l : vectores hallar q_m= mu / l

l: vector longitud DE POLO SUR A NORTE

olidad v produce B en punto P del espacio B= mu_0 /(4*pi) * (q/r^2) v X r' r': vector unitario r: desde carga a puntp P mu_0 plano que contiene v y r (direccin vXr) ento de carga. Dems puntos del espacio proporcional a ngulo (teta) formado por v,r. arga 'q' y a 'v', e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia 'r' entre la carga y el punto del campo. ctor unitario una sobre otra <= F = combinacin de B creado por carga mvto y F que acta sobre carga que se mueve en B iguales, ni opuestas => F_12= q_2 v_2 X B_1 = q_2 v_2 X (mu_0 * q1 * v_1 x r'_12 ) / (4*pi*r_12^2) F_21= q_1 v_1 X B_2 = q_1 v_ as en movimiento y F que ejerecen sobre ellas: Cada carga se acelera en el sentido de la fuerza que acta sobre ella y el momento lin

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nal a distancia entre conductores

erpendicular a direccin de su movimiento.

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leos otros tomos y estudiar estructura

o largo lneas de campo entre PN y PS magnticos

ductor. F= (qVxB)n A l

re sus extremos por el que circula misma corriente

a vector n perpendicular a superficie espira y sentido dado por regla mano derecha

del imn en direccin B; y existir F de sentido contrario en polo sur. das por mvto. tomos en barra imanada Pgina 12

Estas 2 F son igulaes y opuestas no producen movimiento tra

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OLO SUR A NORTE

r: desde carga a puntp P

mu_0: permeabilidad del vaco

mu_0 = 4*pi*E-7 Tm / A = 4*pi*E-7 N / A^2

ecuacin anloga a coulum

F_21= q_1 v_1 X B_2 = q_1 v_1 X (mu_0 * q2 * v_2 x r'_21 ) / (4*pi*r_21 ^2) acta sobre ella y el momento lineal no se conserva como se esperaba. El B tiene asociada energa al igual que el E la suya. Por ello

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uestas no producen movimiento translacin pero dan lugar a momento que hace girar imn hasta alinearse con B.

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A^2

ecuacin anloga a coulumb. 3 considreciones:

a al igual que el E la suya. Por ello B's y E's asociados tienen asociados momentos que al considerarse junto a momentos de las carga

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earse con B.

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se junto a momentos de las cargas hacen que el momento lineal de todo el sistema se conserve.

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t6 seales discontnuas seales de signo constante seales de signo alternante seales deterministas seales aleatorias seales peridicas seales peridicas seales peridicas seales peridicas seales peridicas seales peridicas seales peridicas seales alternas seales alternas seales alternas seales alternas seales alternas seales alternas seales alternas seales alternas seales alternas Th. Fourier

seales conmutadas no cambian polaridad cambian polaridad describirse con expresin matemtica describirse con estadstica g(t+T) = g(t) T= 1/f longitud de onda: relaciona su periodo con velocidad transmis velocidad propagacin: c= 3E8 longitud de onda: distancia recorrida por unidad de tiempo igu longitud de onda: [metros] si conductor tiene longitud < longitud onda => valor seal en todos si conductor tiene longitud > longitud onda => en conductor aparac periodicas. Valor instantneo y signo vara siendo su valor me pulsacin w= 2pi / T = 2 pi f valor de pico amplitud magnitud pico a pico valor eficaz: media cuadrtia de la onda vef = sqrt( f int(t0, t0+T) (g^2(t) dt)) Clculo vef . Seal constante f=1 Clculo vef. Seal seno => sin(wt) vef= A / sqrt(2) valor eficaz de onda depende de su forma de onda. VALOR ME sea peridica o discontnua representada como armnico armnico: suma de una seal constante y una serie infinita de se Dada,

Th. Fourier Th. Fourier Th. Fourier Th. Fourier Th. Fourier seales varian su valor sin cambiar polaridad seales varian su valor sin cambiar polaridad sistemas generacin y distribucin energa elctrica Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales

g(t) = G0 + SUM(1,inf) (An cos(n w1 t) + (Bn sen (n w1 t)) G0: me Cada seal armnica presenta frecuencia mltiplo de una frec Componente de la seal sinuidal : componente fundamental permite descomponer seal peridica en : seales alternas superp seales digitales. En sistemas digitales. Seal de reloj : sincronizar sistema fundamentalmente alternas. Existiendo armnico amplitud sue

intesidad de corriente : i(t) = |dq(t)| / dt Amperio: una variacin de carga de un culombio por segundo. Ampermetro: mide intensidad de corriente elctrica q= i int( t0 + 4, t0 ) (dt) tensin: cada tensin tensin elctrica entre puntos (Va Vb) = tensin Uab > 0 => A a mayor potencial que B tensin Uab < 0 => B a mayor potencial que A Valor tensin = Valor d.d.p diferencia de potencial pero cambiand d.d.p <= usado en electromagnetismo unidad tensin (V) . Medir tensin: voltmetro Potenciales : Va=1, Vb=2=> Uab= -1 Uba=1 tierra masa: tensin como d.d.p requiere punto referencia Tierra: referencia global: potencial es cero. masa del circuito referencial local , terminal comn: potencial ce Chasis : conecta circuito interiormente a la masa chasis se conecta a tierra del edificio Impedancia: Z= u(t) / i(t) Z= R i (t) / i(t) = R hmetro: mide Z Potenciales : Va=1, Vb=2=> Uab= -1 Uba=1 Pgina 20

t6 Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales principios de circuitos lineales principios de circuitos lineales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales Magnitudes fundamentales

potecia elctrica : variacin de energa , W, en elemento por u P = positivo => consumo de energa cada de potencial P=n [W]: vatio unidad de potenci elctrica vatmetro: mide potencia referencias locales masa del circtuito: puedena estar a potencial conectar terminales de masa referencias locales de varios e conviene medir si existe tensin entre masas a conectar Energa W, se disipa en forma calor en elementos resistivos Energa W, puede almacenarse en condensadores o bobinas Energa W en bobinas: almacenada en el campo magntico, en fo Energa W en : almacenada en campo elctrico, almacenando car bobinas y condensadores conetados a fuente de energa : carga y J (julio) : unidad energa kWh : unidad energa equivale a 3.6E6 J unidad de contadores de Conductor: material que permite movimiento de cargas elctricas a conductor cable de interconexin (cobre rodeado aislante) o pista circuito elctrico: conjunto elementos conectado mediante conduct conexiones mediante conductores: consideraras ideales. Los punt circuitos lineales: compuesto solo por componentes lineales linealidad: comportamiento o respuesta de un circuito es prop superposicin: para conocer respuesta de un circuito ante accin s circuitos no lineales: al menos un componente tiene comportamien elementos pasivos: que disipan energa circuito pasivo: unicamente posee elementos pasivos circuito activo: contiene una o varias fuentes que suministran ener circuito de parmetros concentrados: cuando la distancia no a circuito de parmetros distribuidos:cuando distancia afecta a la pro parametros distribuidos: Frecuencias 50 Hz parecen progarse de elementos bsicos circuitos: fuentes, resistencias, condensadores clasificacin elementos bsicos circuitos: nmero terminales dipol dipolos: dos terminas cuadripolos: cuatro terminales transistor <= elementos activos pasivos : energa como magnitud clasificac Elementos pasivos: condensadores<=almacenan temportalmente Elementos activos nicos: fuentes de energa , bateras pilas < Pila como elemento pasivo: puede almacenar energa en el proce lineales y no lineales:

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su periodo con velocidad transmisin seal

recorrida por unidad de tiempo igual a su perodo <= lamda = c T

ongitud onda => valor seal en todos los puntos practicamente el mismo ongitud onda => en conductor aparacen todos los valores entre su mximo y su mnimo o y signo vara siendo su valor medio nulo

t sin(wt) vef= A / sqrt(2) e de su forma de onda. VALOR MEDIO NO NULO. g(t) = M + A sen (wt) vef = sqrt(M2+A^2/2) representada como armnico constante y una serie infinita de seales sinusoidales . de frecuencias mltiplo de una frecuencia

s(n w1 t) + (Bn sen (n w1 t)) G0: media componente continua An, Bn : amplitudes armnicos g(t): seal nta frecuencia mltiplo de una frecuencia w1 = 2pi f frecuencia fundamental uidal : componente fundamental eridica en : seales alternas superpuestas a seal contnua constante

e reloj : sincronizar sistema Existiendo armnico amplitud suele ser 10 % de de la seal fundamental.

ga de un culombio por segundo. de corriente elctrica

n elctrica entre puntos (Va Vb) = Uab flecha A a B potencial que B potencial que A ferencia de potencial pero cambiando el signo. Signo tensin != signo d.d.p

sin: voltmetro Uab= -1 Uba=1 d.p requiere punto referencia encial es cero. ocal , terminal comn: potencial cero ormente a la masa

R i (t) / i(t) = R

Uab= -1 Uba=1 Pgina 22

t6 de energa , W, en elemento por unidad de tiempo P = dW(t) / dt = d / dt [ q(t)u(t)] = i(t) u(t) energa cada de potencial P=negativo=> cede energa

circtuito: puedena estar a potencial no nulo respecto a la tierra a referencias locales de varios equipos con potenciales distintos <= puede provocar desperfectos n entre masas a conectar a calor en elementos resistivos se en condensadores o bobinas enada en el campo magntico, en forma de flujo n campo elctrico, almacenando carga elctrica etados a fuente de energa : carga y descarga continuamente pas e a 3.6E6 J unidad de contadores de energa ite movimiento de cargas elctricas a travs de l xin (cobre rodeado aislante) o pistas circuito impreso(pistas rectangulares pegadas a placa mentos conectado mediante conductores ores: consideraras ideales. Los puntos de un circuito que estn en un mismo conductor estn al mismo potencial solo por componentes lineales o respuesta de un circuito es proporcional al estmulo o alimentacin que se aplique espuesta de un circuito ante accin simultnea de varios estmulos individuales, es posible analizarlo con cada uno y superponiendo re un componente tiene comportamiento no lineal

osee elementos pasivos varias fuentes que suministran energa entrados: cuando la distancia no afecta a la propagacin de las seales idos:cuando distancia afecta a la propagacin de seales uencias 50 Hz parecen progarse de forma instantnea, mientras que las de mayor frecuencia no y sugiere deben analizarse de forma d uentes, resistencias, condensadores, bobinas, bobinas acopladas y transformadores os circuitos: nmero terminales dipolos, cuadripolos; energa generada o disipada activos , pasivos; linealidad su respuesta lineales polos: cuatro terminales transistor <= conectando un terminal de forma comn para entrada salida energa como magnitud clasificacin: Activo <= genera potencia Pasivo <= no suministran energa disipan, almacenan tem adores<=almacenan temportalmente inductancias<=almacenan temporalmente transformadores<=transfieren modificando caracter entes de energa , bateras pilas <= suministra energa manteniendo tensin contnua entre terminales puede almacenar energa en el proceso de carga . Fuentes de energa pueden tener uso activo o pasivo

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con cada uno y superponiendo resultados individuales

ugiere deben analizarse de forma distinta. Ej. Uab (10E-2m , t1 , f=50Hz) = 1,999999.. Uab(10E-2, t1, f=2GHz) = -1

; linealidad su respuesta lineales, no lineales; adecuacin de medidas a resultados obtenidos ideales, reales

nerga disipan, almacenan temporalmente, transportan o controlan =transfieren modificando caractersticas de V e I conductores<=transportan interruptores <= controlan

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, f=2GHz) = -1

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Pulascin = 2pi f <= rad/s w: velocidad angular periodo T = 360 grados <= 2pi radianes alfa:angulo para instante t simbolos de fuentes <= valor etiquetado: debe indicar el valor eficaz valor con expresin matemtica de su onda : valo seales allernas: representacin con vectores giratorios representacin simblica : Fsen(wt + phi) => Fe^(j (wt+phi) ) e^j(alfa) = cos alfa + j sen alfa <= frmula euler Fasor <= vector, derivado de un vector giratorio con velocidad de giro w( rad/s) , cuyo mdulo es igual al valor eficaz de la uso del valor eficaz <= potencia disipada en resistencia como producto de fasores tensin e intensidad ( donde sus mdu desfases entre fasores se mantienen de forma independiente del tiempo <= interesa instante en que uno de los fasores p F: vector fasor => puede representarse en forma exponencial compleja Fe^(j phi) , forma cartesiana (x + jy ) o form forma cartesiana: para suma de fasores forma polar: multiplicar o dividir fasores F = Fe^(j phi) : forma exponencial compleja F = Re{F} + j Im{ F} forma cartesiana F = F caja ( phi) forma polar F = sqrt ( Re{F} + j Im{ F} ) Phi = arctan ( Im{F} / Re {F}) operar con fasores igual que operar con nmeros complejos derivadas e integrales (representacin fasorial) : f(t) = F sen (wt+ phi) => derivar respecto t = > F w sen (wt + phi + pi/2) derivada de magnitud sinusoidal equivale a => multiplicarla por su pulscacin y a adelantarla 90 wF caja (phi + 90 ) integracin equivale a => dividirla entre su pulsacin y a retrasarla 90 => F/w caja (phi 90) Z , U , I : vectores => Z = U / I => Ue^(j(wt+phi_u) / Ie^(j(wt+phi_i) = Ze^j(wt+phi_u - wt-phi_i) = Ze^j(phi_u-phi_i) = Z c impedancia no es fasor en sentido estricto <= es magnitud compleja no representable por vectores giratorios al no variar Impedancia no puede medirse directamente con el ohmetro => debe calcularse a partir de medidas auxiliares => |Z| = co Z': vector => Z' = Z cos teta + j Z sen teta = R + jX R: resistencia X: reactancia Y': vector admitancia Y'=1/Z' = Ycos teta + jY sen teta = G+jB G: conductancia B: suceptancia S Siemens: unidad admitancia = Ohmio^-1 = mho Resistencia u(t) = R i(t) U'= R I' => U caja(teta) = RI caja(teta) Z'_r = R= R caja(0) elemento con comportamiento puramente resistivo => su impedancia es resistiva carece de reactancia (parte reactiva) => inducancia bobinas autoinductancia bobina ideal => almacena y cede energa mediante B creado por intensidad de inductancia: u(t) = L di(t)/dt L:coeficiente autoinduccin inductancia [Henrio] i_bobina (t) = I_0 sen(wt) => u_bobina (t) Capacidad : condensadores : almacenan y ceden energa meidante E creado por tensin entre terminales Im {F'] = I' Re Resistencia <= no introduce ningn desfase entre U entre bornes y Icirculante por R U e I en fase con R bobina <= I retrasada 90 respecto a U entre bornes Condensador <= I adelantada 90 respecto a U carcter inductivo => Z' = R +jX si parte imaginaria es positiva carcter capacitivo => Z' = R +jX si parte imaginaria es negativa Carcter => an siendo inductivo o capacitivo constar de parte resistiva potencia absorbida: p(t) = u(t) i(t) <= potencia instantnea potencia absorbida: w = int (t1,t2) p(t) dt P=UI cos (phi) Q=UI sen(phi) valor medio de la potencia instantnea es P <= es la potencia media que absorve el dipolo POTENCIA ACTIVA => da lu cos (phi) : factor potencia <= cuanto mayor sea cos(phi) , es decir cuanto menor sea phi => mayor ser la potencia activa potencia fluctuante: parte variante de la potencia instantnea: Pcos(2wt) + Qsen(2wt) <= tiene frecuencia doble a la de la potencia absorbida por R: phi_u phi_i = 0 => Q =0 => potencia instantnea absorbida p(t) = UI [1 cos (2wt)] => P: potencia absorbida por L: phi_u phi_i = 90 => P=0 , Q =UI => potencia instantnea absorbida p(t)= UI sen (2wt) => P. potencia absorbida por C: desfase -90 P= 0 Q=-UI p(t) = -UI sen(2wt) energa absorbida dedicada a producir E alterno potencia compleja => UI : potencia aparente S S': potencia compleja => S'= U'I'*= P + jQ = UI (cos phi + j sen p potencia compleja : representable por tringulo de potencias P<= real Q <= complejo phu <= ngulo de P a Q potencia aparente S : [VA] voltiamperio U, I : valores eficaces S=UI potencia consumida por R: P_R=IR , no consume potencia reactiva Q_R= 0 Pgina 28

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potencia consumida L: P_l=0 Q_L= IwL SOLO CONSUMEN POTENCIA REACTIVA potencia generada por C: P_c= 0 Q_c= -UwC => IX_c = Q_c => (V/X_c) Xc = -Uwc L y C almacenan y generan energa en ciclo para a continuacin descargarla sobre el resto del circuito energa reactiva (+): consumida (-) : generada f.d.p y correccin : si es !=!= 1 hay que especificar si es inductivo I retrasada respecto tensin consumo energa o cap cos (phi) = P/S = R/Z factor potencia : informa cunto se aleja una carga del comportamiento que tiene una resistencia (factor potencia igual a potencia reactiva: potencia oscilante => utiliza parte de la capacidad de transporte de energa del sistema elctrico . Con cos (phi) << 0.9 => para una misma P que absorba usr. La I a circular entre generador y receptor es mucho mayor incre correccin factor potencia = mayora receptores comportamiento inductivo => conectar condensador paralelo. CARGA => factor potencia unidad: el condensador C sometido a U debe suministrar potencia reactiva que absorbe carga inductiva = para que cos(phi)=1 => C: capacidad condensador C= Q_L / Uw = P tg(phi) / Uw => U generada por la fuente est en compensar factor potencia: la intensidad a suministrar por la fuente se reduce a su valor mnimo para una misma potenci 1 ley kirchoff : SUM I'_k = 0 para cada nudo 2 ley kirchoff ley OHM : U' = Z'I' Millman: U' , Z' , U'_xy : sern vector Boucherot <= para regimen estacionario sinuoidal :=> suma P absorbidas es nula y suma Q absorbidas es nula circuito RL serie: corriente I la misma en todos los elementos; R en fase , L en desfase de 90 => U'_R= R I' U'_L= U' = sqrt(U_L^2 + U_R^2) => U DE R en RL NO TIENE POR QUE COINCIDIR CON LA DE LA FUENTE U_F frecuencia normalizada europea 50 Hz circuito RC serie: U'_C = - jX_C I' X_C= 1/ wC I adelanta a U en el condensador Z'= R jX_C = Z caja (-phi) I = 10 U_R= 120 => I * R = 120 => R= 120 / 10= 12 ohm => I^2 *R= 1200 W Xc= 1/wC => I^2*Xc = 900 => Xc = 900 / 100 = 9 ohm => Xc = 9 = 1/wC => C= 1 / 1800= 5.55 E-4 f = 100 / pi => w=200 rad/seg cos (phi) = 0.8 capacitivo => -0.8 C? UC? S? Uf? => phi= 143 UI cos(phi) =P => P = U *10 * 0.8 => U = 1200 / (10*0.8) = 150 V UI sin(phi) = Q => 150 * 10 * sin ( 0.8) = 900 VAr (capacitivo) S' = P + j Q = 1200 W - 900 VAr = 1500 caja( -36.87) VA U=120 / 0.8 = 150 V <= viendo diagrama fasorial S'= U'I'* = U I caja(phi) = 1500 caja(phi) circuito RLC serie : Z'= R + j(X_L X_C) = Z caja(phi)

Z= sqrt(R +(X_L X_C) )

phi= arctan(X_L- X_C

/R)

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t9 w=100 rad/seg Uf: 500V = U_c

; Ul , Ur ; S

C =200 E-6; L = 0.1 S = UI => 500*10 = 5000 => S = 5000 caja(-53,13) cos phi = 0.6 S'= P + jQ => Q= -4000 => P = sqrt( S^2 - Q^2) = 3000 P = S cos phi Q =S sin phi Uc= I Xc = I 1/wC => 500 = I / (100*200E-6) => I = 10 A Z'= R + jX => Z = sqrt(R^2 + (Xl-Xc)^2 ) Xl: 10 Xc: 50 IXl= 10*10 = 100 v => Q = 1000 IXc= 50*10= 500 V => Q= 5000 I^2*R= 3000 =>R= 3000 / 100 = 30 Ur= IR= 300 Ul=IXl = 100 Uf: 500 phi= Xl - Xc / R => phi = -40 / 1

phi = P / S U_R= sqrt(500^2 (500-100)^2 ) = 300 V circuito RLC SERIE: Zmin= R => cuando Xl =Xc => permite calcular frecuencia para un condensador y bonia => Xl = Xc = Asociaciones paralelo de elementos pasivos: tensin comn a todos los elementos => cumplir 1 ley kirchhoft =>> I' + s circuito RL paralelo : I' = I'_R + I'_L = U'/R + U'/ jwl = U' R+jwl / jwRl = U'Y' Z' = jwRL / R + jwL = w^2L^2R / R^2 +w^ circuito RC paralelo: I'= I'_R + I'_C = U' / R + jwCU' = U'(1/R + jwC) = U'Y' Z= R / 1 + jwRC = R (1-jwRC ) / (1+w^2(R I fasorial a i(t) intensidad instantnea : i(t) = 10 sqrt(2) sen( wt + 36,87 pi / 180 ) A

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isipada =>>>>>>>>>>> SI NO SE USA VALOR EFICAZ => valor calculado sera el doble del valor medido gen de fases

udiar y de la intensidad de corriente que circula por l, siendo su ngulo de fase phi desfase entre tensin e intensidad

phi(u) phi(i) => 0 - - 90 = 90 => U adelante a I 90 d/dt u_c(t) = CwU0sen(wt+pi/2) => Z= j (-1/wC) = 1/wC caja(-90) => U retrasada 90 respecto I

ia instantnea absorvida por circuito

L absorve energa durante ciclo => Q : potencia reactiva [Var] => L consume potencia reactiva y su medida con un instrumento esp rante el siguiente ciclo. Presenta desfase de 180 respecto a la potencia instantnea consumida en L , por lo que condensador gene

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dores y cargas al no ser ideales las prdidas en ellas aumentan con el cuadrado de la intensidad circulante <= interesa que I sea m SUM U'_j = 0

e = U'_R + U'_L

<= forman tringulo rectngulo

. Relacin entre terminales fuente y corriente que suministra es la Z => U'_fuen

s(phi) ser capacitivo

. ngulo adelanto de I entre 0 y 90 => P = U I cos (phi) = R I

Q = -U I sen (phi) = - X_C I <= el signo es

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/ (2pi (sqrt(LC) ) <=== circuito en resonancia <=== f es frecuencia de resonancia ======>>>> USADO en el diseo de filtros

or potencia aumenta al hacerlo L P=UIcos(phi) = RI^2_R = U^2 / R Q = UI sen phi = w LI^2_L = U^2 / wL aumenta al disminuir C P=UI cos phi = RI_R = U / R Q=-UI sen phi = - w CU = - I_C / wC <= signo negativo => entonces g

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ensin e intensidad

u medida con un instrumento especial denominado varmetro, es posible deducirla a partir de medidas de potencia activa n L , por lo que condensador genera o cede potencia reactiva.

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irculante <= interesa que I sea mnima => compensacin del factor de potencia conviene realizarlo lo ms cerca posible a la carga

que suministra es la Z => U'_fuente = (R + jX_L) I' => Z'=R+jX_L = Z caja(phi) phi = arctan (X_L / R)

, Z tendr fase positiva, es de

en (phi) = - X_C I <= el signo es menos pues los generadores generan potencia reactiva

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DO en el diseo de filtros

_L = U^2 / wL C <= signo negativo => entonces genera o cede energa

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as de potencia activa

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ms cerca posible a la carga

R)

, Z tendr fase positiva, es decir , la tensin aplicada al circuito R-L adelanta a la corriente una cantidad phi . Impendancia depe

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antidad phi . Impendancia depende de la frecuencia => Z = sqrt(R + (wL)) => cos (phi) = U_R / U

P=UI cos(phi) = RI Q= UI sen

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P=UI cos(phi) = RI Q= UI sen (phi) = X_L I

U = sqrt(U_L^2 + U_R^2)

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t10 semiconductores puros: semiconductores impuros: controlar grado conduccin semiconductor semiconductores semiconductores propiedades conduccin elctrica en metales propiedades conduccin elctrica en metales propiedades conduccin elctrica en metales propiedades conduccin elctrica en metales propiedades conduccin elctrica en metales propiedades conduccin elctrica en metales Conduccin intrnseca en semiconductores Conduccin intrnseca en semiconductores Conduccin intrnseca en semiconductores Conduccin intrnseca en semiconductores Conduccin intrnseca en semiconductores Conduccin intrnseca en semiconductores Conduccin intrnseca en semiconductores Conduccin intrnseca en semiconductores Conduccin intrnseca en semiconductores

grado conduccin muy pequeo grado conduccin incrementa notablemente permite fabricar transistores , unin pn y semiconductores sometid carctersticas entre aislantes y conductores permiten modificar electricamente su conductividad sus carctersticas facilitan comprensin conduccin en semicond metales poseen electrones libres que pueden transportar carga el relacin macroscpica (ley Ohm) tensin aplicada en dos puntos d constante de proporcionalidad R = R0[1+t0[T-T0]] relacin microscpica (ley Ohm) campo elctrico en un punto si metal uniforme => conductividad sigma es la misma en to conduccin en semiconductores qumicamente puros cristales semiconductores: uitilizan enlaces covalentes pero sus ca Si ) silicio: ej. semiconductor que forma enlace covalente. Se supo

Semiconductores <= formados por cristales de un nico elemento Produccin semiconductores: GIII : B, Al, Ga, In, Tl ; GV: N , P, As GI,II : conductividad metales E7 (ohmnios*metro)^-1 a 20 C * (ran GIII,IV,V : conductividad semiconductores: E7 (ohmnios*metro)^-1 Metal <= plata tiene conductividad 50000 veces mayor que Si, Ge Banda de valencia y conduccin , ms separada en aislantes (5eV

Conduccin intrnseca en semiconductores teora de bandas semiconductores: bandas de valencia y de condu Conduccin intrnseca en semiconductores conductividad en semiconductores aumenta con temperatura pues Conduccin intrnseca en semiconductores Metales con temperatura disminuyen conductividad Conduccin intrnseca en semiconductores proceso de liberacin de electrones: GENERACIN ionizaci Conduccin intrnseca en semiconductores proceso de vuelta de un electrn libre al espacio que dej un Conduccin intrnseca en semiconductores formacin de portadores en silicio: GENERACIN un electrn ab Conduccin intrnseca en semiconductores semiconductor al perder electrn => tomo que lo cede deja d Conduccin intrnseca en semiconductores promocin de un electrn a la banda de conduccin => da lugar a Conduccin intrnseca en semiconductores mecanismo de conduccin: E en el seno de un semiconductor => Conduccin intrnseca en semiconductores EN SEMICONDUCTORES debido a generacin ionizacin depender de la concentracin de portadores en el seno del mate Conductividad en semiconductores intrsecos Conductividad en semiconductores intrsecos n: concentracin electrones p: concentracin protones Qf: carga Conductividad en semiconductores intrsecos Qf/V = delta = qe n + qp p = qe (n+p) errata: faltara valor absoluto ; Conductividad en semiconductores + qp p= qe (n + p) <= DUDA: no queda claro si est Qf / V = qe n intrsecos Conductividad en semiconductores intrsecos I= d / dt * Qf = d/dt * qe (n+p) V Conductividad en semiconductores intrsecos v= velocidad desplazamiento cargas. S: seccin uniforme semicon Conductividad en semiconductores intrsecos mu= movilidad de las cargas mu= v / E => v = mu *E Conductividad en semiconductores intrsecos electrones y huecos presentan distintas movilidades mun y mup Conductividad en semiconductores intrsecos para semiconductor => I = S qe ( n mun + p mup ) E J= E qe ( Conductividad en semiconductores intrsecos Sigma = qe (n mun + p mup) <= conductividad semiconductor Conductividad en semiconductores intrsecos concentracin intrnseca: p = n = ni Conductividad en semiconductores intrsecos concentracin intrnseca: representa el nmero de tomos que libe Conductividad en semiconductores intrsecos LEY ACCIN MASAS: el producto de np es una constante np Conductividad en semiconductores intrsecos Movilidad electrones mucho mayor que la de protones => movilida Conductividad en semiconductores intrsecos Ancho banda prohibida Conductividad extrnseca en semiconductores dopado: introducir tomos de impurezas en su red cristalina Dopado GIII (B, Al, Ga, In, Tl) Conductividad extrnseca en semiconductores Conductividad extrnseca en semiconductores Dopado GV (N, P,As, Sb, Bi) Conductividad extrnseca en semiconductores semiconductor dopado: concrentacin portadores incrementa de Conductividad extrnseca en semiconductores dopado uniforme o no uniforme: depender caractersticas elctric Conductividad extrnseca en semiconductores ACEPTORES GIII trivalentes 3 electrones banda valencia = Conductividad extrnseca en semiconductores DONADORES GV pentavalentes 5 electrones banda valen Pgina 46

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Conductividad extrnseca en semiconductores semiconductor extrnseco: material semiconductor impurificado Conductividad extrnseca en semiconductores portadores mayoritarios: portadores debidos a impurezas introduci Conductividad extrnseca en semiconductores portadores minoritarios: portadores debidos a generacin intrnsec Conductividad extrnseca en semiconductores generacin portadores: mecanismo intrnseco (depende material y Conductividad extrnseca en semiconductores portadores mayoritarios: determinan comportamiento seminconduc Conductividad extrnseca en semiconductores portadores mayoritarios: determinan comportamiento seminconduc Conductividad extrnseca en semiconductores esquema ionizacin de tomo adicionado: Niii tomos aceptadores esquema ionizacin de tomo adicionado: Nv tomos aceptadores Conductividad extrnseca en semiconductores Conductividad extrnseca en semiconductores N_l^+: concectracin portadores positivos N_l^-: concectracin p Conductividad extrnseca en semiconductores el nmero de portadores intrnsecos es despreciable frente al obte en equilibrio elctrico y sin campos externos <= existir neutralidad Conductividad extrnseca en semiconductores si se agrupan los portadores en huecos , p=p'+p_iii , y en elec Conductividad extrnseca en semiconductores Conductividad extrnseca en semiconductores conductor extrnseco tambin debe cumplir ley de accin de masa Conductividad extrnseca en semiconductores En semiconductor dopado con N_iii impurezas aceptadoras ( con N semiconductor de tipo N, con N_v, impurezas donadores , las con Conductividad extrnseca en semiconductores CONDUCTIVIDAD EN SEMICOnductores EXTRNsecos Sigma = qe (n mun + p mup) <= conductividad semiconductor extr CONDUCTIVIDAD EN SEMICOnductores EXTRNsecos TIPO P (n mun + p mup) <= n = n_i^2 / Niii ; p = Niii ; => S Sigma = qe mecanismos de transporte de carga en semiconductores hay dos mecanismos: campos elctricos en d corriente total en semicundor : J_E corriente desplazamiento + J mecanismos de transporte de carga mecanismos de transporte de carga sigma_n, sigma_p: conductividades del semiconductor J_E = s mecanismos de transporte de carga corriente difusin: debida a diferencias concenctracin portadores constitutidos por unin 2 materiales semiconductores material1 = diodos unin PN diodos unin PN nodo => entra en contacto con semiconductor tipo P , Ktodo => UNION PN en equilibrio electroesttico: unen dos fragmentos de semiconductor Tipo P y Tipo N en aus UNION PN en equilibrio electroesttico: corriente difusin portadores: huecos de zona P van a N y vicevers UNION PN en equilibrio electroesttico: equilibrio PN : en zona de contacto la carga libre se recombina dej UNION PN POLARIZADA unin PN polarizada: cuando se aplica E externo (conexin a fuen UNION PN POLARIZADA directamente diodo polarizado directamente: nodo a mayor potencial que ctod UNION PN POLARIZADA inversamente el E tiende a vaciar unin portadores mayoritarios <= conduccin n UNION PN curva i/u diodo <= mayor intensidad saturacin ( Uy), intensidad ne Diodo polarizacin directa E impulsa a portadores mayoritarios hacia unin y si E es superio para conduccin => necesario polarizacin directa y E > barrera po Diodo polarizacin directa Diodo polarizacin directa tensin umbral: tensin mnima para conduccin Diodo polarizacin directa se asemeja a ecuacin Schockley: i_d= I_s(e ^(u_ud / V_t) -1) I_s I_s: corriente saturacin se debe a portadores minoritarios que se Diodo polarizacin directa V_t = KT / q_e K: constante de Boltzman V_t a temperatura Diodo polarizacin directa Modelos equivalentes diodos elegir circuito equivalente en funcin de si el diodo conduce o de s Modelos equivalentes diodos U_d < Uy => diodo bloqueado <= equivalente a circuito abierto U_d > Uy=> diodo conduce <= sustituir por circuito equivalente (va Modelos equivalentes diodos Modelos equivalentes diodos primero comprobar si est en bloqueo => si conduciendo => usar m Modelos equivalentes diodos si tensin muy grande (muy superior a umbral) => se supone cada Modelos equivalentes diodos si tensiones del mismo orden magnitud que tensin umbral y inten Regin de ruptura inversa diodo no tiene capacidad conduccin infinita. Regin de ruptura inversa intensidad aumenta drsticamente Regin de ruptura inversa mecanismos incremento intensidad: inestabilidad trminca, efec avalancha: cuando tensin aplicada impolsa los minoritarios con e Regin de ruptura inversa valores lmite funcionamiento diodos lmites para no destruir diodo. En diodo PN normal : valores lmite funcionamiento diodos tensin inversa mxima; intensidad conduccin mxima en contin diodo en conmutacin diodo alternando entre bloqueo y conduccin <= debe vaciar y relle diodo en conmutacin Cuando diodo pasa de conduccin a bloqueo (transitorio de corte) diodo en conmutacin Cuando diodo pasa de bloqueo a conduccin (transitorio de cierre diodo en conmutacin Fenmenos retardan conmutacin siendo el tiempo de conmutaci Diodos Zener trabaja en inversa cerca de zona de ruptura sin alcanzarla deben Diodos Zener resistencia interna muy pequea <= adecuado para fijar tensin de Pgina 47

t10 Diodos Zener Diodo PN normal Diodos Zener Diodos Zener Diodo Zener en inversa Otros diodos diodos led diodos led diodos Schottky diodos Schottky Clulas fotovoltaicas celulas solares <= diodo Clulas fotovoltaicas celulas solares <= diodo Clulas fotovoltaicas celulas solares<= diodo Clulas fotovoltaicas celulas solares<= diodo Clulas fotovoltaicas celulas solares<= diodo Fotodiodos Fotodiodos PN Fotodiodos PIN <= diodo PIN ms utilizado

la tensin U_z nunca puede generar energa. Solo se puede consi diodo rectificador cuidar no superar lmites de trabajo: intensidad mxima en condu otros datos de fabricante: coeficiente temperatura en zona trabajo habr Uz y Rz, la Rz se debe tener en cuenta pues se opone al pa semiconductor base usado : silicio, germanio, etc.. aplicacin del emisores de luz: aprovechan recombinacin de portadores => gen funcionan con polarizacin directa: Uumbral : 1 y 5 V depende c NO CONSTITUIDOS POR PN DE SEMICONDUCTORES ==>>>> usados fundamentalmente en RECTIFICADORES RPIDOS, y en diodos UNIN PN, fundamentalmente de SI (silicio) , Se(selenio) fabricadas con gran superficie para recibir la mayor radiacin solar si se polariza inversamente => intensidad es muy reducida PER no necesita ser polarizado, pues en vaco y bajo una irradiacin ad adems de la tensin tendr otros parmetros caractersticos com dispositivos semiconductores que PERMITEN CONTROLAR INTE

dos regiones P y N, muy extrechas, con DOPADOS MUY INTENS

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nta notablemente s , unin pn y semiconductores sometidos a campo tes y conductores icamente su conductividad comprensin conduccin en semiconductores libres que pueden transportar carga elctrica entre puntos del material conductor. Solo electrones son portadores de carga Ohm) tensin aplicada en dos puntos de un metal y intensidad de corriente a que da lugar. U =RI dad R = R0[1+t0[T-T0]] y Ohm) campo elctrico en un punto y densidad provocada J= sigma*E ; J, E: son vectores ductividad sigma es la misma en todo el volumen del material. Si no puede variar segn punto, resultando conductividad no tores qumicamente puros uitilizan enlaces covalentes pero sus carctersticas elctricas son ms parecidas a las de los aislantes or que forma enlace covalente. Se supone temperatura baja para que todos tomos conserven todos los electrones. Carga + y se com

dos por cristales de un nico elemento ej. Si) Ge) o Semiconductores <= formados por varios elementos combinados GaAs) arseniu es: GIII : B, Al, Ga, In, Tl ; GV: N , P, As, Sb, Bi ; GiV : C , Si, Ge, Sn, Pb s E7 (ohmnios*metro)^-1 a 20 C * (rango de valores entre 63 y 1,1) miconductores: E7 (ohmnios*metro)^-1 a 20 C * (rango de valores entre 37.6 y 1,1E-3) ctividad 50000 veces mayor que Si, Ge. ccin , ms separada en aislantes (5eV) , en semiconductor (1ev) , en metal junto.

uctores: bandas de valencia y de conduccin energeticamente muy prximas<= a temperatura ambiente hay tomos con energa aban uctores aumenta con temperatura pues al crecer temperatura crece la energa de los tomos del semiconductor permitiendo liberar ma isminuyen conductividad electrones: GENERACIN ionizacin electrn libre al espacio que dej un electrn en la banda valencia : RECOMBINACIN n silicio: GENERACIN un electrn abandona capa valencia y queda +4-3=+1 electrn => tomo que lo cede deja de ser neutro dejando un hueco que puede ser cubierto por otro electrn de la banda de c a la banda de conduccin => da lugar a un par de portadores electrn y resto tomo que ahora es positivo : E en el seno de un semiconductor => electrones libres se mueven en sentido opuesto al E, pero pueden neutralizar a otro tomo con debido a generacin ionizacin - recombinacin : mecanismo de conduccin: se establece corriente elctrica bidireccio cin de portadores en el seno del material. s p: concentracin protones Qf: carga libre V: volumen Qf / V : carga libre por unidad de volumen + p) <= DUDA: no queda claro si estn respetando el signo negativo de -qe

to cargas. S: seccin uniforme semiconductor y l: longitud I = d/dt (S l qe(n+p) ) = S dl/dt qe(n+p) = S v qe(n+p) as mu= v / E => v = mu *E ntan distintas movilidades mun y mup S qe ( n mun + p mup ) E J= E qe (n mun + p mup) <= J, E: vectores up) <= conductividad semiconductor intrnseco

epresenta el nmero de tomos que liberan un electrn y que , aumenta con temperatura del material. roducto de np es una constante np = ni^2(T,Wbp) aprox T^3 e ^-[Wbp/kT] o mayor que la de protones => movilidad protones Si Ge GaAs 1/21

de impurezas en su red cristalina

ncrentacin portadores incrementa de forma selectiva, dependiendo impureza introducida orme: depender caractersticas elctricas deseemos lentes 3 electrones banda valencia => adicionado a semiconductor acepta un cuarto electrn. Dar lugar a un hueco en el to avalentes 5 electrones banda valencia => adicionado a semiconductor cede un electrn quedando con cuarto . Dar lugar a e Pgina 49

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material semiconductor impurificado ortadores debidos a impurezas introducidas su cantidad mucho mayor que por intrnseco rtadores debidos a generacin intrnseca canismo intrnseco (depende material y temperatura), mecacismo extrnseco (depende concentracin impurezas a temperatura ambie eterminan comportamiento seminconductor dopado GIII => mayor nmero portadores positivos <= SEMICONDUCTOR TIPO P eterminan comportamiento seminconductor dopado GV => mayor nmero portadores negativos <= SEMICONDUCTOR TIPO N mo adicionado: Niii tomos aceptadores se ionizan en N^- III tomos fijos con carga (-) piii huecos (+) mo adicionado: Nv tomos aceptadores se ionizan en N^+VI tomos fijos con carga (+) nv electrones (-) dores positivos N_l^-: concectracin portadores negativos portadores de naturaleza intrnseca : n', p' . Densidad portadores de sem trnsecos es despreciable frente al obtenido por dopado . En ausencia campos externos los portadores de distinto signo tendern a re campos externos <= existir neutralidad elctrica => carga global en semiconductor ser nula=> carga total positiva debe ser igual a la ca ores en huecos , p=p'+p_iii , y en electrones , n =n ' +n_v => p + N_v^+ = n + N_iii^- ECUACIN DE EQUILIBRIO ELCTRICO n debe cumplir ley de accin de masas n_i^2(T,W_bp) = n.p = n_i^2 = n.p con N_iii impurezas aceptadoras ( con Nv=0) , presenta cantidad de portadores mayoritarios que debe cumplir p = n + N_iiii => p^2on N_v, impurezas donadores , las concentraciones de electrones y huecos dadas por n= N_v p= n_i^2 / N_v p) <= conductividad semiconductor extrnseco p) <= n = n_i^2 / Niii ; p = Niii ; => Sigma = qe(n_i^2/Niii mun + Niii mup) os mecanismos: campos elctricos en direccin del movimiento de carga <= corriente ley Ohm DIFUSIN: debida a diferencias de co or : J_E corriente desplazamiento + J_D: corriente difusin ctividades del semiconductor J_E = sigma E = (sigma_n +`sigma_p) E ; E, J_E : vectores diferencias concenctracin portadores . J_D = qe ( D_n (dn/dx) + D_p(dp/dx) D_n, D_p: coeficientes difusin electrones y huecos D ateriales semiconductores material1 = N material2=P . Conduce en un sentido y en el otro de forma no apreciable o con semiconductor tipo P , Ktodo => entra en contacto con semiconductor tipo N . Zona P supone prdida potencial cuando se pol emiconductor Tipo P y Tipo N en ausencia campos externos => 1er momento corriente difusin de portadores es: huecos de zona P van a N y viceversa.=> Al atravesar unin => recombinacin => ZONA VACA sin portadores mayoritarios => ion contacto la carga libre se recombina dejando carga fija sin que se neutralice localmente => aparece barrera de E do se aplica E externo (conexin a fuente, ej.) => comportamiento depende orientaciones E externos y barrera de potencial: Si tienen m nte: nodo a mayor potencial que ctodo <= cuando tensin directa en diodo u_d es mayor que cero . Caso contrario polarizado indirec ortadores mayoritarios <= conduccin no posible diodo bloqueado => en unin quedan portadores minoritarios generados por energa tensidad saturacin ( Uy), intensidad negativa ruptura inversa (Uz) yoritarios hacia unin y si E es superior a barrera potencial => desaparece barrera y produce constante recombinacin que da lugar a ario polarizacin directa y E > barrera potencial. Barrera potencial aprox. De unas dcimas de V 0.6 V SI Diodo conduce si Uy aprox nima para conduccin hockley: i_d= I_s(e ^(u_ud / V_t) -1) I_s: corriente satuacin inversa V_t: tensin equivalente de la temperatura debe a portadores minoritarios que se forman en la unin ante de Boltzman V_t a temperatura ambiente: 25.86E-3 V V aprox. 26 mV (a 300K) <= suele usarse en clculos con circuitos tra n funcin de si el diodo conduce o de si est bloqueado ado <= equivalente a circuito abierto e <= sustituir por circuito equivalente (varias opciones) en bloqueo => si conduciendo => usar modelo equivalente y superior a umbral) => se supone cada en U_d despreciable y se sustituye U_d por 0V. en magnitud que tensin umbral y intensidades son pequeas => diodo sustituir por fuente tensin de valor U_y <= polaridad fuente de onduccin infinita.

tensidad: inestabilidad trminca, efecto zener y multiplicacin por avalancha aplicada impolsa los minoritarios con energa suficiente comp para arrancar nuevos electrones de la banda de valencia de tomos con do. En diodo PN normal : ntensidad conduccin mxima en continua ; intensidad de conduccin directa mxima en picos repetitivos ; intensidad de condu queo y conduccin <= debe vaciar y rellenar la zona de transicin . duccin a bloqueo (transitorio de corte) es necesario vaciar dicha zona y establecer tensin inversa <= unin se comporta como conde queo a conduccin (transitorio de cierre) es preciso rellenar portadores la zona transicin utacin siendo el tiempo de conmutacin importante zona de ruptura sin alcanzarla deben aadirse elementos adecuados. quea <= adecuado para fijar tensin de trabajo muy estable USADO PARA REGULADOR TENSIN Pgina 50

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e generar energa. Solo se puede considerar que es absovida

e trabajo: intensidad mxima en conduccin zener y mxima potencia permisible oeficiente temperatura en zona trabajo y resistencia diferencial para lmites de dicha zona be tener en cuenta pues se opone al paso de corriente => Potencia consumida por ZENER= (Uz + i_d *Rz) id : silicio, germanio, etc.. aplicacin del diodo: rectificadores toda gama de potencias, con encapsulado individual o de puente diod an recombinacin de portadores => generacin de energa en forma de calor y de fotones En Si (silicio) , Germanio=> emis directa: Uumbral : 1 y 5 V depende color didos rojos: 2V diodos azul o blanco: 2-4 V Intensidad de trabajo : 4 PN DE SEMICONDUCTORES ==>>>>> sino POR UNION METAL-SEMICONDUCTOR : corriente controlada por la difusin de p en RECTIFICADORES RPIDOS, y en forma integrada en TTL o como proteccin contra inversiones de tensin . Uumbral (diodo Sc entalmente de SI (silicio) , Se(selenio) , AsGa (Arseniuro de Galio) . cie para recibir la mayor radiacin solar posible => intensidad es muy reducida PERO CUANDO RECIBE LUZ SOLAR CON ENERGA IGUAL O SUPERIOR A LA BANDA PROHU pues en vaco y bajo una irradiacin adecuada presenta una tensin U_0 que aumenta de forma logartmica con la intensidad luminos otros parmetros caractersticos como son: intensidad de cortocircuito y mxima potencia que puede suministrar es que PERMITEN CONTROLAR INTENSIDAD DE CORRIENTE QUE LOS ATRAVIESAN mediante la intensidad de luz que incide en

xtrechas, con DOPADOS MUY INTENSOS separadas por una zona N de dbil dopado y ms ancha que las anteriores <<<<<<<<<<<

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on portadores de carga

to, resultando conductividad no uniforme, siendo mayor en puntos donde concentracin portadores ms elevada

los electrones. Carga + y se compensa con carga que est formando el enlace

entos combinados GaAs) arseniuro de Galio

ente hay tomos con energa abandonar banda de valencia y pasar a conduccin. miconductor permitiendo liberar mayor nmero electrones

r otro electrn de la banda de conduccin.

eden neutralizar a otro tomo con carga positiva. ce corriente elctrica bidireccional en una direccin movimiento de electrones en sentido opuesto movimiento de espacio

= S v qe(n+p)

. Dar lugar a un hueco en el tomo del cristal dando con cuarto . Dar lugar a electrn aadido en semiconductor Pgina 52

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n impurezas a temperatura ambiente se disocian dando lugar a tantos portadores como tomos adicionados. EMICONDUCTOR TIPO P EMICONDUCTOR TIPO N

', p' . Densidad portadores de semiconductor extrnseco es : N_l^+ N_l^-= (p'+piii) `+(n'+nv) = (p' + Niii) + (n'+ v) res de distinto signo tendern a recombinarse no siendo aplicable directamente la expresin anterior otal positiva debe ser igual a la carga total negativa carga total incluye a carga fija : p' + piii + N_v^+ = n' + n_v + N_iii^N DE EQUILIBRIO ELCTRICO p = N_iii , n = n_i^2 / N_iii

e cumplir p = n + N_iiii => p^2- p. N_iii n_i^2 = 0 =>

Al estar las impurezas ionizadas a temperatu

USIN: debida a diferencias de concentracin en el semiconductor => J = J_E + J_D

J, J_E, J_D: vectores

s difusin electrones y huecos D_n = mu_n KT /q_e D_p= mu_p KT /qe a no apreciable e prdida potencial cuando se polariza corriente positiva entrando por nodo

K:constante Boltzman

T: temperatura absoluta semi

sin portadores mayoritarios => iones fijos=> da lugar a campo local barrera de potencial y la zona vaca zona de transin.

y barrera de potencial: Si tienen mismo sentido=> zona transicin crece; si sentidos opuestos => zona transicin decrece . Caso contrario polarizado indirectamente minoritarios generados por energa trmica pero valor corriente de estos despreciable microamperios o menor

nte recombinacin que da lugar a que pueda circular corriente a travs del diodo. V SI Diodo conduce si Uy aprox 0.6 V tensin umbral

a temperatura

sarse en clculos con circuitos transistores

e valor U_y <= polaridad fuente debe ser la misma que la tensin aplicada (polarizacin directa)

banda de valencia de tomos con los que chocan, dando a multiplicacin en cadena que incrementa la intensidad ; intensidad de conduccin directa mxima en pico nico ; potencia mxima disipable

petitivos

<= unin se comporta como condensador no lineal y que retarda la conmutacin

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ado individual o de puente diodos de seal y de uso general diodos de conmutacin aveces apareados con ctodo comn En Si (silicio) , Germanio=> emisin de luz insignifcante en Pga(fosfuro de galio), PasGA(fosfuro-arseniuro de galio) : porcenta Intensidad de trabajo : 4 y 15 mA e controlada por la difusin de portadores minoritarios en las dos regiones del diodo =>>>> MAYOR VELOCIDAD RESPUESTA s de tensin . Uumbral (diodo Schottky de Silicio) = 0.3 a 0.6 V

SUPERIOR A LA BANDA PROHUBIDA =>>>>>>>> unin PN se originan pares de portadores minoritarios =>>>> DAN LUGAR a I de c artmica con la intensidad luminosa ede suministrar e la intensidad de luz que incide en los mismos =>> MECANISMO SIMILAR A CLULAS SOLARES <<<<<===== GENERACIN PAR

a que las anteriores <<<<<<<<<<<========== ESTA ZONA INTERMEDIA zona N debil dopado el material es casi extrnseco <<<<

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adores ms elevada

puesto movimiento de espacios vacos huecos

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ii) + (n'+ v)

^+ = n' + n_v + N_iii^-

impurezas ionizadas a temperatura ambiente (N_iii^-= N_iii) . Como portadores mayoritarios son huecos = > es semiconductor tipo P

an

T: temperatura absoluta semiconductor

vaca zona de transin.

ona transicin decrece

la intensidad

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ces apareados con ctodo comn diodos de alta frecuencia diodos estabilizadores de tensin , tener furo-arseniuro de galio) : porcentaje energa se libera en forma luminosa es importante

diodos espec

AYOR VELOCIDAD RESPUESTA <=== capacidades equivalentes de la unin muy bajas , as el tiempo conmutacin es muy ba

tarios =>>>> DAN LUGAR a I de corriente importante

<<<<<===== GENERACIN PARES ELECTRN -HUECO al incidir la luz en el semiconductor

l material es casi extrnseco <<<<================ entonces la generacin de portadores se produce al incidir los fotones en los

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ecos = > es semiconductor tipo P

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n , tener

diodos especiales

tiempo conmutacin es muy bajo

duce al incidir los fotones en los tomos del material =>>>> DICHOS PARES son atraidos hacia las zonas P y N

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zonas P y N

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t11 BJT FET transistores transistores transistores transistores transistores transistores transistores transistores transistores transistores transistores estructura interna bipolares estructura interna bipolares estructura interna bipolares estructura interna bipolares estructura interna bipolares estructura interna bipolares estructura interna MOSFET

bipolar junction transistor Field-effect transitor tres terminales <<<=== constituidos con materiales semiconductores <<<<<==== resistencia transistor trasnfer resistor ======<<<<<< transferencia de resistencia de unos terminales a Grupos : 1 transistores bipolares BJT 2 transistores efecto campo (FET) 2.1 efecto cam bipolares: en estos el transporte de carga involucra a electrones y huecos unipolares: e FET: funcionan de forma electroesttica controlando caractersticas de conduccin mediante bipolares: funcionan utilizando mecanismos de difusin y de recombinacin ====>>>> contr FET controlados mediante tensin aplicada al terminal de control ; bipolar. Controlada media bipolares: se comportan como fuentes de intensidad controladas por otra intensidad FET: FET (MOSFET, JFET) =>>>> MOSFET (acumulacin, deplexin) ===>>>>> ACUMULACION BJT ( PNP, NPN) LOS MS UTILIZADOS : MOSFET DE CANAL N , BJT NPN <<<<<<<<<<========= AL S NPN: Zona P en medio acumula carga positiva en centro y negativa en las Zonas N PNP: i formados por tres fragmentos semiconductores <<<<=== base: zona intermedia menos a Base NPN : semiconductor tipo P Base PNP : semiconductor tipo N Emisor: CON DOPADO MS INTENSO tres terminales <<<=== nombre de los terminales el mismo que el de la zona con la que linda flecha transistor BJT <<<<=== da idea de que la unin base-emisor se comporta como un di

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nductores <<<<<==== resistencia al paso de corriente a travs de uno de sus terminales puede controlarse actuando sobre otro de los e resistencia de unos terminales a otros ecto campo (FET) 2.1 efecto campo puerta aislada MOSFET ( metal-oxide semiconductor field-effect transistor) 2.2 transistores de u trones y huecos unipolares: efecto campo solo hay un tipo de portadores electrones o huecos tersticas de conduccin mediante la tensin aplicada al terminal de control e recombinacin ====>>>> controlan su conductividad mediante la intensidad que circula por el terminal de control control ; bipolar. Controlada mediante intensidad que circula por el terminal de control oladas por otra intensidad FET: se comportan como fuentes de intensidad controladas por tensin lexin) ===>>>>> ACUMULACION(Canal N, Canal P) <<<< ====>>>>> DEPLEXIN( Canal N, Canal P) <<<<<==== <<<===== JFE

PN <<<<<<<<<<========= AL SER LA MOVILIDAD DE LOS ELECTRONES MAYOR (entre 2 y 3 veces que la movilidad de los huec y negativa en las Zonas N PNP: inverso <<<<==== separando uniones PN <<<==== hay dos uniones PN base: zona intermedia menos ancha 0.5 micro m <<=== 5 % del recorrido mximo de los portadores

que el de la zona con la que lindan e-emisor se comporta como un diodo normal (indica sentido P->N de la unin) mi truco : a izquierdas es negativo

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rolarse actuando sobre otro de los terminales

ect transistor) 2.2 transistores de unin de efecto campo JFET (junction field-effect transistor)

3 MESFET, IGBT (no los trataremos

minal de control

al P) <<<<<==== <<<===== JFET (Canal N, Canal P)

veces que la movilidad de los huecos) <<<<<<<<======== permite su UTILIZACIN CON MAYORES FRECUENCIAS DE TRABAJO

ierdas es negativo

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MESFET, IGBT (no los trataremos)

S FRECUENCIAS DE TRABAJO

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t12 transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) transmisin informacin (en el vaco) RADIACIONES MICROONDAS ONDAS DE RADIO V= luz caractersticas de la onda calcular longitud de onda y velocidad propagacin ondas electromagnticas ondas electromagnticas ondas electromagnticas ondas electromagnticas ondas electromagnticas formas transmisin de la informacin transmisin por conduccin transmisin por conduccin transmisin por conduccin transmisin por conduccin transmisin por conduccin transmisin por conduccin transmisin por conduccin transmisin por conduccin transmisin por radiacin transmisin por radiacin transmisin por radiacin

fundamentos fsicos transmisin de seales entre sistemas elec a travs de lnea de transmisin ; a travs inalmbrica telgrafo cooke y morse <= informacin codificada de forma b telfono beell <= transmite sonid <= medio: linea transmisin Medio: aire <= seales electromagnticas inalambricas fibra<= telfgrafo ptico sistema de seales pticas Chapp <= med Inalmbricas Maxwell: parte terica Hertz: primeras experienc telegrafa sin hilos (radiada) MARCONI Radio : 1 transmisin no telegrfica seal radio modulada por Transmisin <= transporta contenido o seal elctrica ; principales formas transmisin : conduccin <= lnea fsica y ra lnea de transmisin: caso especial de conductor IMPEDANCIA transmisin radiada inalmbrica : sin necesidad de conductor lnea de transmisin <= tiene impedancia espectro electromagntico <= frecuencias y longitudes de onda ELF extremely low frecuency <3 Khz <= usada en red elctric VLF very low frecuency 3-30kHz <= usada por ultrasonidos la LF low frecuency 30-300kHz lambda: 1 10 km MF medium frecuency 0,3-3Mhz lamda: -100m 1km HF hig frecuency 3-30MHz lambda: 10- 100 m VHF veri high frecuency 30-300MHz<= usada por TV, FM lam UHF: ultra high frecuency 300 3000MHz <= TV; LAN, GSM , SHF: super high frencuency 3-30 GHz 10-100 mm <= radar la EHF extremely high frecuency 30-300 Ghz <= radar lamda: 1 IR 0.3-400 Thz <= infrrarojo lamda: 750nm 1mm V 400-750Thz <= luz visible lamda: 400nm 750 nm UV 750THz - 30 PHz <= ultravioleta lamda: 10 nm 400 nm X >30 Phz <= rayos X lamda: < 10nm gamma >100EHz <= rayos gamma lamda: <3pm Landa < 1mm : es decir, IR,V, UV, X, gamma 1m <= landa <= 300mm <= UHF tv,lan,gsm,gps ,radar, ir no 1mm <= onda radio <= x* 10 km decenas de km <= zona en q onda electromagntica que puede transmitirse por el vaco ; c : lamda= v / f ; v: velocidad propagacin en el medio ; lamda v = 1 /sqrt(epsilon mu) = c / sqrt(epsilo_r mu_r) => lamda = v/f Comparar sentido vibracin con direccin progragacin de onda ecuacin onda transversal: y_p (x,t) = A sen (2pi / lama * x + w ondas electromagnticas no necesitan de un medio material pa vibraciones oscilaciones de ondas electromagnticas =>> se d si onda se propaga en direccin z ===>>>>>>>>>>> E' y B' son Transmitir informacin =>>> como seales electromagnticas corrientes elctricas para transmitir informacin <<<<=====cua ley Amper => permite demostrar existencia de ondas electrom lmites de aplicacin teora circuitos <= cuando existan E o B de seales conducidas =>>> se propagan entre emisor y receptor CIRCUITOS EN QUE SUS DIMENSIONES NO AFECTAN A LA CIRCUITOS EN QUE SUS DIMENSIONES AFECTAN A LA SE parmetros concentrados si =>>>> lmax = 1/6 vT_r lmax: l cuando lneas no son demasiado grandes <<<<=== aproximar c corrientes desplazamiento importante <<<<=== emite ondas ele emisin radiacin electromagntica (intencionada o no intencion emisin no intencionada : cuando parte de un circuito puede co

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t12 transmisin ptica transmisin ptica transmisin ptica conceptos bsicos de lneas de transmisin parmetros concentrados parmetros concentrados parmetros concentrados parmetros distribuidos parmetros distribuidos reflexiones en lneas de transmisin reflexiones en lneas de transmisin reflexiones en lneas de transmisin reflexiones en lneas de transmisin reflexiones en lneas de transmisin reflexiones en lneas de transmisin reflexiones en lneas de transmisin reflexiones en lneas de transmisin reflexiones en lneas de transmisin reflexiones en lneas de transmisin conceptos bsicos de transmisin ptica conceptos bsicos de transmisin ptica ptica geomtrica ptica geomtrica ptica geomtrica ptica geomtrica reflexin refraccin ley de Snell ndice de refraccin absoluto de un medio homogneo ndice de refraccin absoluto de un medio homogneo ndice de refraccin absoluto de un medio homogneo Transmisin mediante fibra ptica Transmisin mediante fibra ptica Transmisin mediante fibra ptica Transmisin mediante fibra ptica Transmisin mediante fibra ptica Transmisin mediante fibra ptica Transmisin mediante fibra ptica Transmisin mediante fibra ptica Transmisin mediante fibra ptica

seales visibles o no <== constituidas por ondas electromagnt seales pticas propagarse a travs de medio transparente air dos enfoques para su estudio: PTICA GEOMTRICA : supon Anlisis alternativo a Maxwell =>> dividir anlisis general en cas teora de circuitos <=== ej. caso de parmetros concentrados. Z_s= LR serie Y_p= G C paralelo modelo Pi<<<<<<<=== cu para lneas cortas<==== suele despreciarse la rama paralelo y cuando longitud de la lnea es mayor que la longitud de onda de lnea de transmisin sin prdidas: G=R=0 velocidad de las se ondas viajeras: es la superposicin en cada caso de una onda q La existencia o no de onda reflejada depende de la continuidad impendancia caracterstica: constante en la lnea, a condici en puntos donde hay cambio impedancia en recorrido de la Z2=Z1 => ro = 0 : no hay discontinuidada de la impedancia == Z2 > Z1 => ro > 0 : se produce incremento de impedancia en la Z2 < Z! => ro < 0 : se produce decremento de la impedancia en conectar lnea a elemento con impedancia diferente =>>>>> AD velocidad propagacin lnea => v= 1 / sqrt( epsilon mu ) = 1 / sq Lmax : da la longitud mxima para la cual se puede aplicar par Transmisin con fibra ptica =>>> lamda = 800 a 1600 nm <<= estudio aproximado ===>>> ptica geomtrica (conceptos a tr ptica geomtrica: estudia fenmenos pticos sin hacer referen formulacin geomtrica. Tres principios: 1 propagacin de la lu rayo incidente llega a superficie de separacin entre dos medio los dos medios: caractersticas fsicas diferentes pueden estar e cuando rayo incidente incide sobre superficie separacin de los cuando rayo luz incidente atraviesa superficie de separacin en n = c / v <<<<<===== MAGNITUD ADIMENSIONAL SIEMPR su valor depende de la longitud de onda de la luz empleada , de NO TODA LA ENERGA INCIDENTE SE REFLEJA, SINO QUE reflexin: transmitir informacin salvando cambios de direccin luz propagada a travs de fibra ==>>>>> REFLEXIN TOTAL e rayo en interior fibra1 (n1) recubierta por envolvente (n2) =>>> Reflexin =>>>>>>>> NO EXISTA REFRACCIN <<<=== teta teta_ilim= ngulo lmite: todo rayo que incide con un ngulo ma si teta_i < teta_ilim =>>>> refraccin <<<=== ESCAPA ENERG si teta_i = teta_ilim =>>>> refraccin se produce por la superfici siempre que se produce refraccin se produce reflexin si teta_i > teta_ilim =>>>> no se produce refraccin<<<=== ene

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de seales entre sistemas electrnicos ; a travs inalmbrica ormacin codificada de forma binaria <= medio: linea conductora a larga distancia d <= medio: linea transmisin agnticas inalambricas fibra<= seales lumnicas ales pticas Chapp <= medio: km en pocos minutos rica Hertz: primeras experiencias

fica seal radio modulada por seal seala analgica de msica nido o seal elctrica ; conduccin <= lnea fsica y radiacin<= ej. la luz transmitida por medio fibra ptica ial de conductor IMPEDANCIA CONSTANTE en su longitud y es igual A IMPEDANCIA ENTRADA Y IMPENDANCIA SALIDA : sin necesidad de conductor . AIRE PRESENTA CIERTA IMPEDANCIA AL PASO DE ONDAS A TRAVS DE L <= constituye una l

ecuencias y longitudes de onda ; tienen denominaciones normalizadas por UIT 3 Khz <= usada en red elctrica (50-60Hz) ; usada en sonido (20 Hz 20kHz) lambda: >100km z <= usada por ultrasonidos lamda: 10-100 km ambda: 1 10 km hz lamda: -100m 1km mbda: 10- 100 m 0MHz<= usada por TV, FM lambda: 1 10m 3000MHz <= TV; LAN, GSM , GPS lamda: 0,1 -1 m 30 GHz 10-100 mm <= radar lamda: 10 100 mm 30-300 Ghz <= radar lamda: 1 10 mm mda: 750nm 1mm da: 400nm 750 nm oleta lamda: 10 nm 400 nm

ma lamda: <3pm

F tv,lan,gsm,gps ,radar, ir no todo decenas de km <= zona en que se tansmiten datos DE FORMA CONDUCIDA O INALMBRICA . EHFradarSHFradar, UHFt e transmitirse por el vaco ; c : su velocidad propagacin c=1 / sqrt(epsilon_0 mu_0 ) = 2.998E8 m/s agacin en el medio ; lamda y velocidad propagacin dependen de la naturaleza del medio permitividad y permeabilidad relatvia v= epsilo_r mu_r) => lamda = v/f mu_r en material no ferromagntico: vale 1 direccin progragacin de onda <<<====== ondas transversales ej.cuerda vibrante: vibracin perpendicular a propagacin e la onda x,t) = A sen (2pi / lama * x + wt) <== pero existe ecuacin de ondas: carcterstica para cualquier onda que se propaga por un medio esitan de un medio material para propagarse =>>> no necesitan la existencia de partculas vibrando para poder transmitirse a diferenc das electromagnticas =>> se debe a los cambios de los campos elctricos y magntico ===>>> con ecuaciones Maxwell se puede ob z ===>>>>>>>>>>> E' y B' son perpendiculares a esa direccin y lo son tambin entre s. E' y B' describen forma senoidal mo seales electromagnticas naturaleza transmisin=>>> seal lumnica, corriente elctrica, etc.. itir informacin <<<<=====cualquier E,B en circuito solo est presente dentro de los componentes elctricos del mismo =>>> efecto d r existencia de ondas electromagnticas que se propagan por el vaco a la velocidad de la luz tos <= cuando existan E o B de importancia fuera de los componentes =>>>>> habr que estudiar con cuidado si es posible o no el an pagan entre emisor y receptor a travs de un par de conductores habitualmente cobre SEPARADOS POR DIELCTRICO funcin de ENSIONES NO AFECTAN A LA SEAL <==== CIRUCITOS DE PARMETROS CONCENTRADOS ENSIONES AFECTAN A LA SEAL <==== CIRUCITOS DE PARMETROS DISTRIBUIDOS <<<<<===== estudiados mediante ecua >>> lmax = 1/6 vT_r lmax: longitud mxima de los conductores v: velocidad propagacin seal en ese medio T : tiempo su o grandes <<<<=== aproximar comportamiento mediante modelo LC o mediante modelo pi =====>> Pero efecto de la longitud de ond tante <<<<=== emite ondas electromagnticas con mayor o menor eficiencia que pueden propagarse alrededor del circuito e incluso ica (intencionada o no intencionada) <==== intencionada => antenas : elementos en que predominan las corrientes de desplazamiento o parte de un circuito puede comportarse como antena emitiendo =====>>>> su energa puede causar interferencias en otros sistema Pgina 70

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uidas por ondas electromagnticas con longitudes de onda entre las del infrarrojo y las de la radiacin ultravioleta <<<<==== en la prc vs de medio transparente aire, fibra ptica, etc y en lnea recta sin obstculos <<<<====== FIBRA PTICA SUPERA INCONVEN PTICA GEOMTRICA : suponer que la propagacin se produce en lnea recta mediante rayos o haces de luz ; PTICA ELECTROM > dividir anlisis general en casos particulares regiones de trabajo de parmetros concentrados. Cuando las dimensiones del cirucito son inferiores a lmax=1/6 v T_r =====>>>> suponer circuito con elo modelo Pi<<<<<<<=== cuadripolo con dos ramas paralelo iguales de valor Y_p /2 a cada lado de una rama serie Z_s . Mo espreciarse la rama paralelo y slo se tiene en cuenta la resistencia y la inductancia serie de la lnea <<<==== aproximacin suele exte ayor que la longitud de onda de las seales transmitidas ==>>> se utilizan modelos basados de la conexin de segmentos diferenciale s: G=R=0 velocidad de las seales por la lnea de transmisin v=1 / sqrt(LC) n en cada caso de una onda que avanza desde la fuente hacia la carga, denominada onda incidente o conducida (u+ e i+) , y de otra ada depende de la continuidad de las caractersticas ( de la impedancia) de la lnea de transmisin desde la fuente hasta la carga. onstante en la lnea, a condicin de que no vare su geometra <<<=== para lnea sin prdidas: Z_0 = sqrt(L/C) y para ondas v mpedancia en recorrido de las seales (<<<=== por discontinuidad) se producen reflexiones de la onda que se propaga ===== ntinuidada de la impedancia ====>>>> NO HAY REFLEXIONES <<<<<<<============== IDEAL !!!A BUSCAR!!! ===>>>>> si se ne ncremento de impedancia en la discontinuidad =>>>>>>> HAY REFLEXIONES del mismo signo que la seal incidente <<<<<<====== ecremento de la impedancia en el sentido de avance de la seal =>>>>>> COEFICIENTE DE REFLEXIN NEGATIVO ======> onda mpedancia diferente =>>>>> ADAPTADORES DE IMPEDANCIA (<<<=== son fragmento de lnea de transmisin en que su impedancia v= 1 / sqrt( epsilon mu ) = 1 / sqrt( epsilon epsilon_r mu mu_r ) = c / sqrt (epsilon_r mu_r) <<<<==== lmax = 1/6 vT_r T_r: tie ra la cual se puede aplicar parmetros concentrados si lmax < longitud de la lnea transmisin =>>> habr que emplear parmetros dis > lamda = 800 a 1600 nm <<==== zona infrarrojos . luz visible <<<===== lamda = 400 a 800 nm ca geomtrica (conceptos a tratar ) . estudio detallado => Maxwell menos pticos sin hacer referencia a la naturaleza de la luz, ==>>>> aborda estudiode las trayectorias de los rayos de luz a travs de ncipios: 1 propagacin de la luz es rectilnea . 2 rayos que forman un haz de luz son independientes entre s 3 trayectoria que de separacin entre dos medios homogneos ==>>>>>>> se divide en dos rayos <<<=== rayo reflejado vuelve al primer medio y ray sicas diferentes pueden estar en el mismo estado o no <<=== arie-agua efectos refraccin y reflexin re superficie separacin de los dos medios =>>> 1 rayos incidentes y reflejado , junto con la normal a la superficie, se encuentran en sa superficie de separacin entre dos medios homogneos ====>>>> 1 rayos incidente y refractado , junto con la normal a la superfic UD ADIMENSIONAL SIEMPRE MAYOR QUE 1 <<<<<=========== PUES SI n = 0 =>>>>>> entonces matemticamente la ley de S de onda de la luz empleada , de la temperatura del medio, y si este es un gas tambin depende de la presin ====>>>>>> para medir NTE SE REFLEJA, SINO QUE PARTE SE REFRACTA. Si E : energa de un rayo incidente que lo hace con ngulo teta_i, respecto l salvando cambios de direccin y obstculos intermedios (ej <<<=== endoscopia: basado en este fenmeno iluminar con fibra interior p ==>>>>> REFLEXIN TOTAL en SUPERFICIE TRANSMISORA <<<<===== ENERGIA LUMINOSA CONFINADA EN LA PROPIA FIBR ierta por envolvente (n2) =>>> rayo reflejado y rayo refractado <<<<==== CUANTO MAYOR TETA_i ===>>>>>> MAYOR TETA_R = A REFRACCIN <<<=== teta_R > 90 =========><>>> caso lmite de rayo incidente teta_lim ==>>> teta_R=90 <<<=== APLICAR o que incide con un ngulo mayor que l no sufe refraccin =>>>>> SI ngulo teta_in > teta_ilim =>>>>> REFLEXIN TOTAL <<<<== cin <<<=== ESCAPA ENERGA LUMINOSA DE LA FIBRA PARTE DE LA ENERGA SE REFLEJA <<<==== en cada reflexin el ra cin se produce por la superficie del ncleo de la fibra n se produce reflexin produce refraccin<<<=== energa del haz se propaga a lo largo de la fibra transmisora

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Y IMPENDANCIA SALIDA RAVS DE L <= constituye una lnea de transmisin

. EHFradarSHFradar, UHFtv,lan,gsm,gps, VHFfm,tv,

vidad y permeabilidad relatvia v= 1 / sqrt(epsilon mu) = c / sqrt(epsilon_r mu_r)

ndicular a propagacin e la onda y ondas longitudinales ej. sonido: programacin en misma direccin de la onda da que se propaga por un medio => expresin ecuacin de ondaS: dy/dx = 1/v d/dt ==>>>> consntante proporcionalidad entre las s para poder transmitirse a diferencia de las cuerdas <<<=== se pens en el ter como sustancia intermedia que hara llegar luz del ecuaciones Maxwell se puede obtener ecuaciones de onda elctricas y magnticas scriben forma senoidal

ctricos del mismo =>>> efecto de cualquier E solo es importante dentro de los condensadores

y efecto de B en bobinas y transform

n cuidado si es posible o no el anlisis del circuito basado en kirchhoff S POR DIELCTRICO funcin de aislador entre dichos conductores =>>> un conductor de ida otro conductor de retorno <<<== c

===== estudiados mediante ecuaciones de MAXWELL pero en muchos casos es posible aplicar simplificaciones l en ese medio T : tiempo subida seal (<<<<<=== para seal digital , el tiempo que tarda en pasar desde el 10% al 90% de su m Pero efecto de la longitud de onda a las dimensiones del circuito puede dar lugar a reflexiones a tener en cuenta se alrededor del circuito e incluso recorrer grandes distancias <<<<<====== transmisin por radiacion: producida mediante corrientes n las corrientes de desplazamiento y emiten la mayor parte de la energa que reciben del sistema al que estn conectadas sar interferencias en otros sistemas elctricos cercanos<<<<<===== evitar este efecto: LNEAS DE TRANSMISIN para transmitir por Pgina 72

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n ultravioleta <<<<==== en la prctica el margen utilizado excluye la radiacin ultravioleta ====>>> longitudes de onda habituales en fi RA PTICA SUPERA INCONVENIENTE DE TRANSMISIN EN LNEA RECTA======>>>> MEDIANTE REFLEXIONES pueden gira es de luz ; PTICA ELECTROMGNTICA: ecuaciones Maxwell <== permite explicar fenmenos no justificables con ptica geomtr

=====>>>> suponer circuito con R, L ,Gconductancia de prdidas en el dielctrico y C debida a existencia de dos conductores prx e una rama serie Z_s . ModeloL <=== se unen dos ramas paralelo en una sola <>============== ambos casos Zserie form <<<==== aproximacin suele extenderse a lneas de tamao algo mayor lneas medias <<<====== Se aaden conductancia de prd nexin de segmentos diferenciales de lnea, de tamao variacion (X)...

e o conducida (u+ e i+) , y de otra que regresa hacia la fuente onda reflejada (u- e i-). esde la fuente hasta la carga. Z_0 = sqrt(L/C) y para ondas viajeras Z_0 = u+ / i + = - u - / ie la onda que se propaga =====>>>>>> para su estudio >>>>>> COEFICIENTE DE REFLEXIN ro <<<<=== evala el valor !!!A BUSCAR!!! ===>>>>> si se necesita desconectar la carga =>>>> conviene cerrar la lnea con una resistencia de carga del mismo la seal incidente <<<<<<======== Si en algn punto de la lnea la onda reflejada se ecuentra con otra que avanza desde el origen = EXIN NEGATIVO ======> onda reflejada de signo opuesto a la onda incidente ransmisin en que su impedancia va variando lentamente desde uno de los valores de impedancia hasta el otro) = lmax = 1/6 vT_r T_r: tiempo de subida habr que emplear parmetros distribuidos

as de los rayos de luz a travs de los medios de propagacin y de los sistemas pticos es entre s 3 trayectoria que sigue un rayo de luz entre dos puntos cualesquiera es tal que el tiempo empleado en recorrerla es do vuelve al primer medio y rayo refractado atraviesa superficie y se propaga por medio2 <<<<<==== teta_i : ngulo del rayo in

al a la superficie, se encuentran en un mismo plano ; 2 ngulos de incidencia teta_i y de reflexin teta_r, respecto de la normal a la s o , junto con la normal a la superficie, se encuentran en un mismo plano 2 senos de los ngulos de incidencia teta_i y de refraccin onces matemticamente la ley de Snell no cumplira su ecuacin presin ====>>>>>> para medir ndice de refraccin absoluto de un material <<<<<==== medir ngulos de incidencia y refraccin cua hace con ngulo teta_i, respecto la normal ===>>> hay una cantidad de energa E_r= alfa E : que se refleja con un ngulo teta_i, y otr meno iluminar con fibra interior paciente) CONFINADA EN LA PROPIA FIBRA Al menos hasta llegar a extremo <<<=== en extremo : receptor adecuado la transformar en sea i ===>>>>>> MAYOR TETA_R =====================> EN FIBRA PTICA n1 > n2 ===>>>>> sen teta_i / sen teta_R = n2 / n1 >> teta_R=90 <<<=== APLICAR SNELL=>>> n2/n1 = sen teta_ilim / sen 90 = sen teta_ilim <<<<<= teta_ilim = arcsen n2/n1 <<<== >>> REFLEXIN TOTAL <<<<=== cuanto ms paralelos al eje de la fibra sean los haces incidentes A <<<==== en cada reflexin el rayo se debilita<<<<<<==== se supone la fibra mantiene una lnea sin curvas y por tanto incide con el m

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n de la onda tante proporcionalidad entre las segundas derivadas es el cuadrado de la velocidad de propagacin v de la onda ermedia que hara llegar luz del sol hasta nosotros <<<==== tena error que fue corregido con la teora de la relatividad

efecto de B en bobinas y transformadores =>>>> Aplicacin de Fraday a cualquier circuito de este tipo da lugar a la ley kirchoft de tens

ro conductor de retorno <<<== corrientes fundamentalmente de conduccin efecto corrientes de desplazamiento <<<=== suele ser d

asar desde el 10% al 90% de su mximo valor)

on: producida mediante corrientes de desplazamiento ==>>> conductor de ida suele ser el aire, conductor de retorno suele ser la su ue estn conectadas TRANSMISIN para transmitir por conduccin cualquier seal que no se desea radiar (ej. cable coaxial o cable trenzado no apantallado Pgina 74

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ongitudes de onda habituales en fibra ptica: lamda = 850 , 1300 1550 nm <<<<==== regin infrarojo ANTE REFLEXIONES pueden girar seales describiendo curvas no justificables con ptica geomtrica

xistencia de dos conductores prximos entre s ======= ambos casos Zserie formada por combinacin LR , admitancia paralelo es una combinacin GC Se aaden conductancia de prdidas, y sobre todo, la capacidad paralelo que puede englobar el efecto incipiente de las corrientes de

ro <<<<=== evala el valor relativo de la componente reflejada con respecto de la componente conducida que avanza hac na resistencia de carga del mismo valor que la impedancia caracterstica de la lnea =>>> para evitar reflesiones. otra que avanza desde el origen =>>>>>> SUPERPOSICIN DE ONDAS ===>>>>> INCREMENTO DE LA AMPLITUD DE ONDA RE

asta el otro)

empo empleado en recorrerla es mnimo o mximo respecto al tiempo necesario parar recorrer otras trayectorias entre esos dos punto <<<==== teta_i : ngulo del rayo incidente respecto la normal teta_r : ngulo rayo reflejado respecto a la normal teta_R: ngulo rayo

eta_r, respecto de la normal a la superficie son iguales teta_i = teta_r e incidencia teta_i y de refraccin teta_R, respecto a la normal de la superficie, cumplen la relacin LEY DE SNELL =>>>>>>> sen te

ulos de incidencia y refraccin cuando un haz de luz de una longitud de onda determinada pasa por el vaco a la sustancia que se dese e refleja con un ngulo teta_i, y otra cantidad E_R = (1-alfa) que se refracta con ngulo teta_R , ambos respecto de la normal.

adecuado la transformar en seal elctrica ========>>>>>> REFLEXIN TOTAL <<<<==== envolver fibra transmisora con recubri >> sen teta_i / sen teta_R = n2 / n1 < 1=>>>>>>>>> teta_i < teta_R ngulo incidencia debe ser menor que el ngulo refractado <= teta_ilim = arcsen n2/n1 <<<===== sin^(-1) ( n2/n1)

n curvas y por tanto incide con el mismo ngulo

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ora de la relatividad

po da lugar a la ley kirchoft de tensiones de rama =>> aplicacin de la continuidad conservacin de carga a circuito cerrado da lugar a

esplazamiento <<<=== suele ser despreciable <<<<===== ambos conductores, junto con emisor y receptor deben formar lazo cerrad

nductor de retorno suele ser la superficie terrestre

al o cable trenzado no apantallado) Pgina 76

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ecto incipiente de las corrientes de desplazamiento

ente conducida que avanza hacia la carga <<<<<==== ro = u-/u+ = Z2-Z1 / Z2+Z1 DE LA AMPLITUD DE ONDA RESULTANTE

Z2: impedancia de la regin hacia donde a

trayectorias entre esos dos puntos (Principio de Fermat) a la normal teta_R: ngulo rayo refractado respecto a la normal . Normal: normal a la superficie que separa los dos medios

LEY DE SNELL =>>>>>>> sen teta_i / sen teta_R = n2 / n1 n1,n2: ndice de refraccin absoluto de los medios 1 y 2

el vaco a la sustancia que se desea valorar os respecto de la normal.

olver fibra transmisora con recubrimiento adecuado para que la refraccin sea nula <<<<======= fibra transmisora + recubrimiento = f nor que el ngulo refractado

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arga a circuito cerrado da lugar a kirchoft de intensidad

eceptor deben formar lazo cerrado.

<<<<<<<<<==== circuitos con frecuencia inferiora MHz suelen cumplir estas condiciones SIE

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ncia de la regin hacia donde avanza la onda

Z1: impedancia de la zona donde procede la seal

>>>>>>>>>>

ue separa los dos medios

los medios 1 y 2

ra transmisora + recubrimiento = fibra ptica

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n cumplir estas condiciones SIEMPRE QUE SEAN CIRCUITOS DE DIMENSIONES BASTANTE MENORES QUE LONGITUD DE O

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procede la seal

>>>>>>>>>>>>> tres posibilidades de inters: Z2=Z1=> ro=0

Z2>Z1 =>> ro >0 Z2<Z1 =>> ro < 0

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ENORES QUE LONGITUD DE ONDA de las seales presentes en l.

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ro >0 Z2<Z1 =>> ro < 0

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