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DISEO DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES. PRACTICA No.

LUIS CARLOS BARON CESAR RUIZ SERGIO MARTINEZ

UNIVERSIDAD DE SUCRE FACULTAD DE INGENIERIA TECNOLOGIA EN ELECTRONICA SINCELEJO SUCRE 2010

DISEO DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES. PRACTICA No.8

LUIS CARLOS BARON CESAR RUIZ SERGIO MARTINEZ

Informa de laboratorio presentado a Ing. Alexis Barrios

UNIVERSIDAD DE SUCRE FACULTAD DE INGENIERIA TECNOLOGIA EN ELECTRONICA SINCELEJO SUCRE 2010

OBJETIVOS OBJETIVOS GENERALES. Analizar y disear amplificadores de transistores. Conocer las configuraciones de los circuitos de amplificadores de transistores y sus ventajas y desventajas relativas. Analizar y disear circuitos de polarizacin de transistores. Determinar los parmetros del modelo de seal pequea de transistores. Poner en prctica los temas vistos en clases.

OBJETIVOS ESPECIFICOS. Familiarizarse con los diversos tipos de transistores. Armar un amplificador de CA con un transistor con configuracin en emisorcomn mediante polarizacin de divisor de voltaje. Medir la ganancia de voltaje de un amplificador en emisor comn. Observar el efecto del condensador (capacitor) para derivacin del emisor en la ganancia del amplificador.

MATERIALES COMPONENTES Resistores: Resistencias de 0.56, 1, 8.2 y 18 K a W. Capacitores : Dos capacitores de 25 F a 50 V, 100 F a 50 V Semiconductores: transistores 2N3904

1.3.3 INSTRUMENTOS Software de simulacin proteus 7.6

PROCEDIMIENTO.

1. Armamos el circuito de la figura 1 identificamos el tipo de transistor del circuito, la configuracin de este circuito se llama amplificador de pequea seal por divisor de voltaje. Medimos la corriente del circuito del colector, I C y anote estos valores en la tabla N1.

Medimos la corriente de colector Ic

El voltaje base-emisor VBE.

El voltaje de emisor VE

El voltaje de colector-emisor VCE

IC, mA 7.51

Voltaje, V VBE VCE 0.37 7.19 Tabla 1-1

VE 1.21

2. Conectamos un generador de seales con una salida mnima de 1000 Hz en las terminales de entrada del amplificador. Variamos el generador hasta que aparezca la mxima onda senoidal sin distorsin, antes de entrar en la zona de corte o saturacin del transistor.

Medimos la amplitud pico a pico de esta onda de salida y de la onda de entrada y el resultado fue de: - 3.47Vpp Medimos IC,, VBE, VCE , los resultados se muestran en la tabla N2

IC, mA 7.43

Voltaje, V VBE VCE 0.05 7.9

VE 1.21

Onda Entrada VPP 1.61

Salida VPP 3.51

Reduzca la seal de entrada hasta el mnimo valor que permite obtener una salida sin distorsin en el osciloscopio.

Medimos la amplitud pico a pico de esta onda de salida y de la onda de entrada.

Medimos IC, VBE, VCE los resultados se muestra en la tabla N3