UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA - UNAD FACULTAD DE CIENCIAS BSICAS E INGENIERA TECNOLOGIA EN SISTEMAS

FISICA ELECTRONICA - 100414 INFORME DE SIMULACION #2

JOSE ALBEIS PALACIOS QUINTO COD. 1.078.856.610

TUTOR JACKSON URRUTIA CHALA

MAYO DE 2012

OBJETIVOS Conocer la teora bsica de los aisladores, conductores y semiconductores. Analizar los diferentes tipos de diodos y su empleo en la electrnica. Estudiar la evolucin y el funcionamiento del transistor, la forma en que operan en los diferentes equipos electrnicos que los utilizan. Estudiar mediante la simulacin de circuitos electrnicos las diferentes variantes que nos permiten realizar en el momento de elaborar un circuito.

DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD FASE 1 Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores. Por favor consulte otras fuentes adicionales al Mdulo del curso de Fsica Electrnica. 1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo. Teora De Bandas Definicin: Los electrones pueden ocupar un nmero discreto de niveles de energa, pueden tener solamente aquellas energas que caen dentro de las bandas permitidas. La banda donde se mueven normalmente los electrones de valencia se conoce como banda de valencia, y los electrones que se mueven libremente y conducen la corriente se mueven en la banda de conduccin. Conductores: Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda de conduccin. No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina. Un ejemplo son todos los metales. Aislantes: En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y facilidad. La magnitud de la banda prohibida es muy grande (6 eV), de forma que todos los electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal es nula. Un ejemplo es el diamante, lana de roca, lana de vidrio, poliestireno expandido, porexpan, agramiza, etc. Semiconductores: En el caso de los semiconductores estas dos bandas se encuentran separadas por una brecha muy estrecha y esta pequea separacin hace que sea relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no les hace imposible el movimiento. La magnitud de la banda prohibida es pequea ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida. El germanio y el silicio son semiconductores. Tipos De Semiconductores Primero que nada tenemos que definir claramente lo que es un semiconductor el cual no

es ms que un material ya sea slido o liquido con una resistividad intermedia entre la de un conductor y la de un aislador. Gracias a los semiconductores la tecnologa del estado slido a sido remplazada por completo a los tubos al vaci, estos materiales estn formados por electrones externos de un tomo, y los cuales son conocidos como electrones de valencia. Existen dos tipos de semiconductores los de tipo N y los de tipo P y la unin de estos dos formando as un tercero llamado unin PN. Semiconductor Tipo N: Este tipo de semiconductor trata de emparejar los materiales con respecto a sus cargas y lo realiza con enlace de impurezas a ambos materiales. Por lo tanto, la impureza puede donar cargas con carga negativa al cristal, lo cual nos explica el nombre de tipo N (por negativo). El material semiconductor de tipo N comercial se fabrica aadiendo a un cristal de silicio pequeas cantidades controladas de una impureza seleccionada. A estas impurezas tambin se les llama contaminantes, claro as se le llaman a las impurezas que se agregan intencionalmente. Los contaminantes de tipo N ms comunes son el fsforo, arsnico y antimonio. A estos semiconductores se les conoce tambin como donadores, y como este nombre lo indica estos semiconductores pasas cargas a el material que le hace falta para as poder emparejar este material, y es por eso que se les conoce mayormente como donadores. Semiconductor Tipo P: El semiconductor tipo P se produce tambin comercialmente por el proceso de contaminacin, en este caso el contaminante tiene una carga menos que el semiconductor tipo N, entre los ms comunes podemos encontrar el aluminio, boro, galio y el indio. Conocidos como aceptores el cual contiene espacios y necesita que sean llenados para emparejar el material. Semiconductor Unin Pn: Al combinar los materiales de tipo P y N se obtienen datos y cosas muy curiosas pero lo mas importante y relevante es la formacin del tipo unin PN. Una unin se compone de tres regiones semiconductoras, la regin tipo P, una regin de agotamiento y la regin tipo N. La regin de agotamiento se forma al unir estos dos materiales y aqu es donde los tomos que le sobran al tipo N pasan a llenar los espacios que deja el tipo P as complementndose uno con otro. Lo ms importante de la unin es su capacidad para pasar corriente en una sola direccin.

2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro? Semiconductor P. Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de compuesto, normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptador. El propsito del dopaje

tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los huecos. Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve expuesto y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural. Semiconductor Tipo N. Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de compuesto, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donanador ya que cede uno de sus electrones al semiconductor. El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en el material. Para ayudar a entender como se produce el dopaje tipo N considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que dar, son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el fotodiodo. Diodo de conmutacin. Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el estado conduccin y el estado de bloqueo y a la inversa. Diodo semiconductor. Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona n, rica

en electrones. Diodo de seal. Diodo semiconductor empleado para la deteccin o tratamiento de una seal elctrica de baja potencia. Diodo de unin. Diodo formado por la unin de un material semiconductor tipo n y otro semiconductor tipo p. Diodo Gunn. Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no contiene una unin sino una sucesin de tres capas tipo n ms o menos dopadas. En presencia de campos elctricos elevados, el diodo Gunn es escenario de oscilaciones a muy alta frecuencia. Diodo Schottky. Diodo formado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina el almacenamiento de carga y el tiempo de recuperacin. Un diodo Schottky puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300Mhz. Diodo Schokley. Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutacin rpida. Adems, la tensin directa de este diodo es ms baja que en la de un diodo semiconductor de dos regiones. 4. Cuales son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor PNP y uno NPN. Determinacin del tipo de transistor: Si la punta que tenemos conectada a la base es la roja (recordemos, negativo de la batera), y con los otros dos terminales nos da resistencia alta, el transistor es del tipo NPN; si por el contrario, con esta punta conectada a la base, nos da resistencia baja con los otras patillas del transistor, el transistor es del tipo PNP. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Caractersticas Este efecto resulta en una "amplificacin de tensin", que es una de las caractersticas ms importante de los transistores y el motivo por el cual son de uso casi imprescindible en los montajes electrnicos. Esta amplificacin de tensin se calcula como la relacin

entre el voltaje en la resistencia de carga y la tensin aplicada entre las junturas baseemisor. Los transistores, segn sea la tecnologa de fabricacin, se clasifican en grandes grupos con diferentes caractersticas: Bipolares, Fet, Mosfes, Uni unin. El estudio y anlisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las "curvas caractersticas" del mismo, con las cuales se puede caracterizar completamente el comportamiento o funcionamiento elctrico del transistor, siendo sta expresada en relaciones grficas de las corrientes Ib, Ic e Ie, en funcin de las tensiones externas y para las distintas configuraciones: Emisor Comn (EC), Base Comn (BC) y Colector Comn (CC). Tambin es importante conocer los valores mx., mn. y tpico de las caractersticas ms importantes, para poder emplear, en los clculos, el valor que resultare ms desfavorable a fin de asegurarnos que el funcionamiento de cualquier unidad de la muestra estar dentro de lo estipulado. Diferencias La diferencia principal es que los pnp su base es negativa o sea solo puedes aplicarle a su base tensin negativa y lo npn su base es positiva solo le puede aplicar tensin positiva para que opere. 5. Cual es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnolgico? Semiconductores: Presente, Pasado y Futuro. Hoy en da una gran cantidad de aparatos con aplicaciones en investigacin, ciruga o posicionamiento llevan dentro un semiconductor. Igual que los LEDs, esas bombillitas que ya tenemos en todos lados que consumen poco e iluminan mucho y que se encuentran desde en los semforos de la calle hasta en los ratones pticos de sobremesa. Los semiconductores no slo estaban por doquier, sino que eran parte de aparatos muy diversos con aplicaciones muy distintas. Adems, ya no slo conducen la electricidad, sino que tambin pueden recoger y emitir luz. Ahora bien, el mundo sigue avanzando imparable en su desarrollo tecnolgico, pero su objetivo primordial ya no es la miniaturizacin de las cosas, no, porque la palabra "miniaturizacin", irnicamente, se le ha quedado grande. El James Bond del futuro no llevar una cmara de alta definicin en su alfiler de corbata, adems llevar una impresora lser y un compartimento para guardar el ticket del parking. Ahora el futuro est en la nanotecnologa. El gran problema y la gran ventaja de la nanotecnologa no es que todo sea ms pequeo y difcil de manejar, tampoco la gran disipacin que se puede producir si se intenta pasar mucha corriente por una regin tan pequea, ni la gran friccin que sufren los materiales por el importante valor de la relacin superficie - volumen, sino que la Fsica subyacente es la Fsica Cuntica, un modelo que puede ser complicado de manejar con sistemas sencillos y que, cuando se aplica a cosas complejas, como se pretende con la nanotecnologa, da lugar a fenmenos completamente inesperados o difcilmente

controlables, aunque, siempre, muy interesantes. Ivan K. Schuller; (investigador de San Diego nacido en Rumana) "Cuando se empuja a la Ciencia para buscar cosas aplicadas uno se encuentra aquello que espera encontrar, pero cuando se empuja a la Ciencia para apretar los lmites de la Fsica uno se encuentra lo inesperado, que es mucho ms interesante desde el punto de vista prctico." As pues, la investigacin nanotecnolgica est sufriendo un autntico auge y una gran infinidad de proyectos de Fsica del Estado Slido han sido rebautizados slo para ponerles el prefijo "nano" en el nombre. Ya se han conseguido nano lseres (2001) y nano diodos superconductores (2003), sin embargo, todava falta mucho para que la realidad supere a la ficcin y que podamos ser capaces de construir los tan citados nanos robots. Lo que s es seguro es que los semiconductores jugarn un papel muy importante en todo esto. Se dice mucho que los superconductores sern el futuro, pero lo cierto es que por el momento es imposible fabricarlos a temperatura ambiente. Por lo que los semiconductores siguen siendo un "arma de futuro". De esto se han dado cuenta las grandes empresas y ya IBM e Intel estn trabajando en la escala del nanmetro. Por el momento estn en el lmite de los 90 nm, pero su intencin es llegar hasta los 15 nm. Mirando en perspectiva, los semiconductores han recorrido un largo camino, en lo que a sus aplicaciones se refiere. Ahora hay un nuevo horizonte, el horizonte nanotecnolgico. No s a donde nos llevar, pero seguro que es muy, muy lejos. FASE 2 Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes circuitos y analice los resultados obtenidos. 1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.

Principio de operacin de un diodo El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones) Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a travs del material P mas all de los lmites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N. En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras

diferentes:

Polarizacin directa Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.

Polarizacin inversa En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto. 2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido. a) Rectificador de Media Onda

Guia

Proceso de rectificacin La corriente y voltaje que las compaas distribuyen a nuestras casas, comercios u otros es corriente alterna. Para que los artefactos electrnicos que all tenemos puedan funcionar adecuadamente, la corriente alterna debe de convertirse en corriente continua. Para realizar esta operacin se utilizan diodos semiconductores que conforman circuitos rectificadores. Inicialmente se reduce el voltaje de la red (110 / 220 voltios AC u otro) a uno ms bajo como 12 o 15 Voltios AC con ayuda de un transformador. A la salida del transformador se pone el circuito rectificador. La tensin en el secundario del transformador es alterna, y tendr un semiciclo positivo y uno negativo b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz 3. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido.

Guia

Nota: Tenga en cuenta que la seal del Generador de Funciones es una onda seno, de 2 mV de amplitud y 60 Hz (ver figura anterior).

CONCLUSIONES

Un conductor es un material a travs del cual se transfiere fcilmente la carga. Un aislante es un material que se resiste al flujo de carga. Un semiconductor es un material intermedio en su capacidad para transportar carga. Un semiconductor tipo N contiene impurezas donadoras y electrones libres. Un semiconductor tipo P esta formado por tomos aceptores y por huecos faltantes de Electrones. Los tipos de aislantes son dos: Elctricos y Trmicos.

BIBLIOGRAFIA Tllez Acua, Freddy Reynaldo. Mdulo De Fsica Electrnica 2006, UNAD. http://www.info-ab.uclm.es/labelec/Solar/Componentes/Diodo_I/aplicacionesdiodorec.htm http://www.garciacuervo.com/picmania.garciacuervo.net/recursos/RedPicTutorials/Electr onica%20Basica/Transistores%201.pdf http://www.wikiciencia.org/electronica/teoria/introduccion/index.php http://lc.fie.umich.mx/~ifranco/mis_materias/materia1/apuntes/capitulo_4/Tipos_de_diodo s.pdf http://www.mitecnologico.com/Main/SemiconductorPYSemiconductorN http://html.rincondelvago.com/conductores-semiconductores-y-aislantes_1.html