TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES I

PROFESOR: Dr: SALVADOR ALCANTARA INIESTA

TEMA: TECNOLOGIA PLANAR

PRESENTA:

ING. IGNACIO ESTEVEZ ESPINOZA

ABRIL DE 2011

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INTRODUCCIN En este tema estudiaremos como se hace un Circuito Integrado (C.I). La tecnologa usada en la fabricacin de un Chip se llama tecnologa planar esta permite una gran productividad. Veremos los principales procesos de la tecnologa planar y como esta se aplica para la construccin de un circuito CMOS, circuito fundamental de la electrnica digital. Fabricacin de semiconductores de silicio (tecnologa planar) La fabricacin de un microcircuito comienza con una oblea de silicio ultrapura de 10 a 30 centmetros de dimetro. El silicio puro es casi un aislante, pero determinadas impurezas, llamadas impurificadores, aadidas en cantidades de 10 a 100 partes por milln, convierten al silicio en conductor de electricidad. Un circuito integrado puede constar de millones de transistores, diodos, resistencias y condensadores etc. Hechos de silicio con impurezas, todos ellos conectados mediante el patrn de conductores adecuado para crear lgica del ordenador, su memoria u otro tipo de circuito. Sobre una oblea de silicio pueden hacerse centenares de microcircuitos. Los pasos para la realizacin del proceso de fabricacin son seis que se aplican de manera universal a todos los dispositivos semiconductores de silicio estos son: oxidacin, litografa, grabado, impurificacin, deposicin qumica de vapor y metalizacin. Estos pasos van seguidos de las operaciones de montaje, prueba, marcado, embalado y expedicin. 1. Oxidacin Proceso que consiste en la oxidacin de la superficie exterior de la oblea de Si para hacer crecer una capa delgada (de alrededor de una micra) de dixido de silicio (SiO2). Esta capa protege en primer lugar la superficie de impurezas y sirve adems de mscara en el proceso de difusin que se hace ms adelante. La finalidad de hacer crecer una capa protectora y qumicamente estable de SiO2 sobre Si, Convierte a las obleas de silicio en el sustrato de semiconductores de uso ms comn. La oxidacin tambin llamada oxidacin trmica tiene lugar en un horno de difusin a altas temperaturas. La capa protectora de SiO2 se forma en atmsferas que contienen oxgeno (O2) conocida como oxidacin seca u oxgeno combinado con vapor de agua (H2O) conocida como oxidacin hmeda. La temperatura del horno puede vara desde 800 a 1.300 C. Oxidacin seca Antes de ser sometidas a oxidacin, las obleas de silicio se limpian con un detergente diluido en agua y se enjuagan con xileno, alcohol isoproplico u otros disolventes. Posteriormente las obleas limpias se introducen en horno de difusin con temperaturas controladas y un flujo del oxgeno seco controlado dentro del horno para garantizar que exista un exceso de oxgeno que facilite el crecimiento del SiO2 sobre la superficie de la oblea de silicio.
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La reaccin qumica que se lleva a cabo en el proceso es: Si + O2 SiO2 Se introduce gas de oxgeno puro Si(s) + O2(g) SiO2(s) + 2H2 (g) Oxidacin hmeda Cuando el agente oxidante es agua, se utilizan cuatro mtodos para introducir vapor de aguapirofrico, alta presin, borboteador e instantneo. Se introduce vapor de agua en el horno Si(s) +2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g) Es mucho ms rpida y se utiliza para crear xidos gruesos

La oxidacin pirofrica consiste en la introduccin y combustin de una mezcla gaseosa hidrgeno / oxgeno. La oxidacin a alta presin (HiPox) recibe el nombre tcnico de sistema de pirosntesis del agua y genera vapor de agua mediante la reaccin de hidrgeno y oxgeno ultrapuros. En la oxidacin el borboteador, se deposita agua desionizada en un recipiente llamado borboteador, donde se mantiene a una temperatura constante por debajo de su punto de ebullicin de 100 C con ayuda de una envuelta calefactora. En la oxidacin instantnea, se procede al goteo continuo de agua desionizada en la superficie caliente del fondo de un recipiente de cuarzo, donde el agua se evapora en seguida al chocar con la superficie caliente.

Capa de xido de silicio sobre la oblea de silicio

Espesores de oxidacin (100) silicio

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Espesores de oxidacin (111) silicio

Medicin de los espesores de oxidacin mediante el tiempo

2. Litografa La litografa, conocida tambin como fotolitografa o enmascaramiento, es un mtodo de formar patrones exactos sobre la oblea oxidada. El microcircuito electrnico se construye capa por capa, y cada una de stas recibe un patrn de una mscara especificada en el diseo del circuito.

Los proyectistas de circuitos digitalizan el sistema de circuitos bsico de cada capa. Esta tcnica se conoce como diseo asistido por ordenador (CAD). El dibujo final, o mscara, de cada capa de circuitos es creada por un ploter, o generador de patrones, controlado por ordenador. Estos dibujos obtenidos con el ploter se reducen despus al tamao real del circuito, una mscara maestra practicada sobre vidrio con relieve en

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cromo, y luego se reproducen en una placa de trabajo que sirve para la impresin por contacto o proyeccin sobre la oblea.

Limpieza La necesidad de que la superficie exterior de la oblea se encuentre libre de partculas y contaminacin exige una limpieza frecuente. Los mtodos de limpieza principales son: Lavado con agua desionizada y detergente. Disolvente: alcohol isoproplico (IPA), acetona, etanol, terpenos. cido: fluorhdrico (HF), sulfrico (H2SO4) y perxido de hidrgeno (H2O2), clorhdrico (HCl), ntrico (HNO3) y mezclas. Custico: hidrxido de amonio (NH4O H).

Aplicacin de protector Las obleas se recubren con un material protector de polmero basado en disolvente y luego se hacen girar a gran velocidad en una centrifugadora, que distribuye el protector en una capa delgada y uniforme. Los materiales protectores se clasifican en negativos o positivos, segn su solubilidad en el revelador disminuya (negativos) o aumente (positivos) con la exposicin a la radiacin. Secado y precocido Las obleas se transportan desde la centrifugadora a un horno con temperatura controlada y atmsfera de nitrgeno. Una temperatura moderada (de 70 a 90 C) provoca el endurecimiento. Para garantizar la adherencia de la capa de protector a la oblea, se aplica a sta una imprimacin de hexametildisilizano (HMDS). Las longitudes de onda predominantes de luz UV que ahora se utilizan en foto enmascaramiento son de 365 nm o ms, pero los espectros de lmparas UV tambin contienen una energa significativa en la regin de longitudes de onda que puede afectar a la salud, que es la regin actnica por debajo de 315 nm.

Revelado Durante el paso de revelado, las superficies del protector no polimerizadas son disueltas y eliminadas.

Cocido Las obleas se llevan a otro horno de temperatura controlada con atmsfera de nitrgeno. La mayor temperatura del horno (de 120 a 135 C) origina el curado de la fotoproteccin y su polimerizacin completa sobre la superficie de la oblea
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Arranque de la fotoproteccin La oblea revelada se somete despus a un grabado selectivo mediante sustancias qumicas hmedas o secas. Los restos de fotoprotector tienen que eliminarse de la oblea antes de continuar el proceso.

Proceso de litografa

3. Grabado El grabado elimina las capas de dixido de silicio (SiO2). Las dos categoras principales de grabado son el grabado qumico hmedo y el seco. El grabado hmedo consiste en el empleo de soluciones que contienen los mordientes (por lo comn una mezcla de cidos). El grabado seco consiste en el empleo de gases reactivos en condiciones de vaco en una cmara de alta energa, que tambin elimina las capas deseadas no cubiertas por el protector.

Proceso de fotograbado eliminando resina expuesta a luz uv

4. Impurificacin La formacin de una unin elctrica entre regiones p y n de una oblea individual de silicio cristalino es el elemento esencial para el funcionamiento de todos los
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dispositivos semiconductores. Constituyen la base de los efectos de diodo y transistor en todos los semiconductores. En un circuito integrado, es preciso introducir un nmero controlado de impurezas elementales o adulterantes en determinadas regiones grabadas del sustrato de silicio, u oblea. La mayora de los monitores de aire de higiene industrial en el sector de semiconductores se utilizan para la deteccin de fugas de gases inflamables y txicos. Pero algunas instalaciones emplean tambin sistemas de vigilancia continua para: analizar las emisiones por conductos de salida (chimenea); cuantificar concentraciones de sustancias qumicas voltiles en el aire ambiente; identificar y cuantificar olores en la reas de fabricacin. Las tecnologas ms utilizadas en el sector de semiconductores para este tipo de vigilancia son la deteccin colorimtrica de gases (p. ej., el detector continuo de gases MDA), los sensores electroqumicos (p. ej., monitores sensydyne) y la transformada de Fourier en el infrarrojo (p. ej., ACM de Telos)

Difusin Difusin es un trmino empleado para describir el movimiento de las impurezas. La difusin es el mtodo ms extendido para la formacin de uniones. Esta tcnica consiste en someter una oblea a una atmsfera caldeada en el horno de difusin. El horno contiene las impurezas deseadas en forma de vapor y da lugar a la creacin de regiones con actividad elctrica dopada, p o n. Las impurezas utilizadas con ms frecuencia son el boro para el tipo p; y el fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb) para el tipo n.

Proceso de difusin

Implantacin inica La implantacin inica es el mtodo ms moderno de introducir elementos de impurezas a la temperatura ambiente en obleas de silicio para la formacin de uniones. tomos de impureza ionizados (es decir, tomos a los que se han arrancado uno o ms de sus electrones) son acelerados mediante el paso por una diferencia de potencial de decenas de miles de voltios hasta adquirir una energa elevada. Al final de sus recorridos, chocan contra la oblea y se embuten a distintas profundidades, que dependen de su masa y su energa.

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Proceso de implantacin inica

5. Depsito de vapores de sustancias qumicas. El depsito de vapores de sustancias qumicas (C V D) consiste en la formacin de capas adicionales de material sobre la superficie de la oblea de silicio. Las unidades de C V D trabajan en general como un sistema cerrado En los procesos actuales se suelen emplear dos categoras amplias de deposicin la C V D epitaxial y el tipo ms general de C V D no epitaxial. Depsito epitaxial de vapores de sustancias qumicas El crecimiento epitaxial es la deposicin perfectamente controlada de una sola pelcula delgada de material que posee la misma estructura cristalina que el sustrato existente en la capa de la oblea. Se utilizan tres tcnicas principales para hacer crecer capas epitaxiales: de fase de vapor, de fase lquida y de haz molecular. La epitaxia de fase lquida y la de haz molecular se usan sobre todo en el procesamiento de dispositivos III-V (p. ej., GaAs). La secuencia de depsito que se sigue en un proceso epitaxial normal comprende: Limpieza del sustrato Carga de las obleas; Calentamiento grabado con cloruro de hidrgeno (HCl) Depsito Enfriamiento Descarga

En casi todos los equipos de C V D se encuentran los componentes siguientes: Cmara de reaccin; Seccin de control de gases; Control de tiempo y secuencia; Fuente de calor para sustratos; Manipulacin del efluente.

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En esencia, el proceso de C V D (deposito qumico en fase vapor) comprende el suministro de cantidades controladas de los gases fuente de silicio o nitruro, junto con gases portadores, como nitrgeno y /o hidrgeno, e impurezas gaseosas si se desea, para su reaccin qumica en la cmara del reactor. Se aplica calor para suministrar la energa necesaria para la reaccin qumica, y adems se controlan las temperaturas superficiales del reactor y de las obleas. Una vez terminada la reaccin, el gas fuente que no reaccion ms el gas portador se extraen por el sistema de manipulacin de efluentes y se liberan en la atmsfera.

Proceso de depsito por tcnica CVD de vapores qumicos

6. Metalizacin Una vez fabricados los dispositivos en el sustrato de silicio, tienen que conectarse para ejecutar funciones de circuito. Este proceso se denomina metalizacin, y es un medio de alambrar o interconectar las capas superiores de los circuitos integrados mediante el depsito de patrones complejos de materiales conductores, que encaminan la energa elctrica en el interior de los circuitos. El amplio proceso de metalizacin se diferencia en funcin del tamao y el espesor de las capas de metales y otros materiales que se depositan. Estos son: Pelcula delgadapelcula de espesor aproximado de una micra o menos; Pelcula gruesapelcula de espesor aproximado de 10 micras o ms; Plaqueadopelculas de espesor variable desde delgada hasta gruesa, pero en general pelculas gruesas. Los metales ms corrientes empleados para la metalizacin de semiconductores de silicio son: aluminio, nquel, cromo o una aleacin llamada cromonquel, oro, germanio, cobre, plata, titanio, wolframio, platino y tntalo. Tambin pueden evaporarse o depositarse pelculas delgadas o gruesas sobre diversos sustratos de cermica o vidrio. Algunos ejemplos de estos sustratos son: almina (96 % Al203), berilia (99 % BeO), vidrio de borosilicato, pirocermica y cuarzo (SiO2).

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Pelcula delgada La metalizacin de pelcula delgada se aplica a menudo mediante la tcnica de depsito o evaporacin en alto vaco o con vaco parcial. Los tipos principales de evaporacin en alto vaco son: con haz de electrones instantnea resistiva, pulverizacin.

Para realizar cualquier tipo de metalizacin, el sistema suele constar de los componentes bsicos siguientes: una cmara que puede evacuarse para conseguir un vaco suficiente para el depsito. una bomba (o bombas) de vaco para reducir los gases ambientales en la cmara. Instrumentacin para la vigilancia del nivel de vaco y de otros parmetros. un mtodo de depositar o evaporar las capas del material metalizador.

Pelcula gruesa La estructura y la dimensin de la mayora de las pelculas gruesas no son compatibles con la metalizacin de circuitos integrados de silicio, sobre todo por limitaciones de tamao. Las pelculas gruesas se usan en su mayora para la metalizacin de estructuras electrnicas hbridas, como en la fabricacin de LCD.

Los materiales que se suelen utilizar en pelcula gruesa son paladio, plata, dixido de titanio y vidrio, oro-platino y vidrio, oro-vidrio y plata-vidrio.

Proceso de evaporacin

Plaqueado Para formar pelculas metlicas sobre sustratos semiconductores se utilizan dos tipos bsicos de tcnicas de plaqueado: galvanotecnia y plaqueado qumico.

En la galvanotecnia
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Este mtodo de plaqueado se usa para formar pelculas conductoras de oro o cobre. En el plaqueado qumico, se aplican la reduccin y la oxidacin simultneas del metal, puede emplearse con sustratos de tipo aislante. Nquel, cobre y oro son los metales ms corrientes que se depositan de esta manera.

Clasificacin y prueba de obleas Una vez terminada la fabricacin de obleas, cada una de ellas es sometida a un proceso de clasificacin en el que se comprueba el funcionamiento elctrico de la circuitera integrada de cada pastilla mediante sondas controladas por ordenador. Una oblea individual puede contener desde cien hasta muchos centenares de dados o pastillas independientes que han de ser comprobadas. Para identificar y clasificar las pastillas que no cumplen las especificaciones elctricas deseadas se emplean los colores rojo y azul.

Separacin de pastillas

El trazado con lser es una tcnica de separacin de pastillas relativamente reciente. Un mtodo de separacin de pastillas muy extendido es el aserrado en hmedo cortar sustratos a lo largo de la calle con una sierra circular de diamante de gran velocidad. El aserrado del sustrato de silicio puede ser de corte parcial (trazado) o completo (dados). El aserrado genera una lechada hmeda con el material arrancado de la calle.

Encapsulado El objetivo esencial del encapsulado es acomodar un circuito integrado en una montura que cumpla los requisitos elctricos, trmicos, qumicos y fsicos asociados a la aplicacin del circuito integrado. Las monturas ms extendidas son la de conductores radiales, la montura plana y la doble en lnea (DIP). Las monturas de conductores radiales se fabrican casi todas de Kovar, que es una aleacin de hierro, nquel y cobalto, con sellos de vidrio duro y conductores de Kovar. Las monturas planas tienen un marco de conductores metlicos, por lo general de una aleacin de aluminio combinada con componentes cermicos, de vidrio y metlicos. Las monturas dobles en lnea son las ms corrientes y a menudo utilizan cermica o plsticos moldeados. Las monturas de plstico moldeado para semiconductores se producen sobre todo por dos procesos diferentesmoldeo por transferencia y moldeo por inyeccin. El moldeo por transferencia es el mtodo de encapsulado en plstico predominante.
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El moldeo por inyeccin emplea un compuesto termoplstico o termoendurecible. La resina se solidifica en seguida, se abre el molde y la montura encapsulada sale expulsada. En el moldeo por inyeccin se utiliza una extensa variedad de compuestos de plstico. Las resinas epoxdicas y a base de sulfuro de polifenileno (PPS) son las ltimas sustancias que se han incorporado al encapsulado de semiconductores. Prueba de fugas y envejecimiento La prueba de fugas es un procedimiento desarrollado para comprobar la capacidad real de sellado o hermeticidad del dispositivo encapsulado. Hay dos formas corrientes de realizarla: la deteccin de fugas con helio y la deteccin de fugas con trazador radiactivo. Los controles de estos sistemas suelen ser: Aislamiento en habitaciones con el acceso restringido al personal necesario nicamente; Carteles de aviso de radiacin en las puertas de entrada a las habitaciones donde haya Kr 85; Monitores para la vigilancia permanente de la radiacin con alarmas y parada/aislamiento automticos; Sistema de ventilacin de salida propio y habitacin con presin negativa; Vigilancia de exposiciones con dosimetra personal (p. ej., pelcula dosimtrica de radiacin); Mantenimiento peridico de alarmas y cierres; Inspecciones peridicas en busca de fugas de material radiactivo; Formacin en seguridad de los operadores y tcnicos; garantizar que las exposiciones a la radiacin se mantengan tan bajas como sea razonablemente posible (ALARA). El envejecimiento es una operacin de esfuerzos trmicos y elctricos para determinar la fiabilidad del dispositivo final encapsulado. Prueba final Se realiza una prueba elctrica final. Un ordenador se encarga de ejecutar y evaluar la prueba de numerosos parmetros importantes para el funcionamiento del dispositivo. Expedicin La expedicin es la ltima operacin en la que intervienen los fabricantes de casi todos dispositivos semiconductores de silicio.

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Los fabricantes que a su vez son proveedores venden sus productos a otros fabricantes de productos finales, mientras que los fabricantes que producen para s mismos utilizan los dispositivos en sus propios productos finales.

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OBJETIVOS 1. realizar los procedimientos de la tecnologa planar para fabricar un dispositivo fotosensible a la luz 2. medir los espesores de xido de silicio sobre la oblea de silicio 3. hacer difusin con ZnO para aumentar la respuesta de voltaje cuando se le haga incidir luz 4. medir los voltajes a circuito abierto de nuestro dispositivo y ver la respuesta en voltaje cuando se le hace incidir luz y cuando esta sin luz

OBJETIVOS PARTICULARES 1. aprender los procedimientos de la tecnologa planar para la fabricacin de dispositivos semiconductores as como conocer los diferentes mtodos de metalizacin

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PARTE EXPERIMENTAL Para nuestro experimento Utilizando los pasos de la tecnologa planar se llev acabo como primer paso el corte de la oblea y posteriormente la limpieza de la oblea de silicio. Y posteriormente el proceso de oxidacin.

Para el corte de la oblea de silicio se realiza en cuatro partes, y se lleva a cabo el proceso de tecnologa planar solo en una de las cuatro partes de la oblea en nuestro caso se tom una oblea de Si tipo n.

Marcas para sealar la orientacin del cristal

Corte de oblea de silicio tipo n en cuatro partes

limpieza de oblea de silicio.

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Procedimiento de Limpieza 1. La limpieza de la oblea de silicio se realiza mediante tratamiento qumico conocido como piraa: esta solucin con una composicin 1:3 de perxido de hidrogeno (H2O2) y cido sulfrico (H2SO4). 30 ml de H2SO4 y 10 ml de H2O2. Y Sumergir la oblea por un tiempo de 10 minutos. Como siguiente paso se realiz. a) Enjuagar 2 veces en agua des-ionizada (H2O2) por un tiempo de 1 minuto cada uno y en ultra sonido. b) Introducir en cido fluorhdrico (HF) al 10% por espacio de 40 segundos. c) Enjuagar 3 veces en agua des-ionizada (H2O) por un tiempo de 2 minutos cada uno y en ultra sonido. 2. RCA-I: Eliminacin de residuos o contaminantes orgnicos. Se realiz con la siguiente solucin qumica: Agua des-ionizada (H2O) -------------------------60 ml. Perxido de hidrogeno (H2O2) ----------------- 12 ml. Hidrxido de amonio (NH4OH) ---------------- 12 ml. Se introduce la oblea en la solucin a 180oC por 10 minutos. Como siguiente paso se realiz. d) Enjuagar 2 veces en agua des-ionizada (H2O) por un tiempo de 1 minuto cada uno en ultra sonido. e) Introducir en cido fluorhdrico (HF) al 10 por ciento por 40 segundos. f) Enjuagar 3 veces en agua des ionizada (H2O) por 2 minutos cada uno en ultra sonido. 3. RCA-II: Eliminacin de xido nativo en la superficie. Se realiza con la siguiente solucin qumica: Agua des-ionizada (H2O) Perxido de hidrogeno (H2O2) Hidrxido de amonio (NH4OH) 60 ml. 12 ml. 12 ml.

Se introduce la oblea en la solucin a 180oC por 10 minutos. Finalmente enjuagar 3 veces en alcohol por un tiempo de 2 minutos cada uno y en ultra sonido.
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Enjuague en ultrasonido de oblea en las soluciones mencionadas en cada uno de los pasos anteriores

Una vez concluido este procedimiento la oblea esta lista para realizar la oxidacin. OXIDACION Como se mencion anterior mente existen dos tipos de oxidacin: oxidacin hmeda y oxidacin seca. La oxidacin hmeda se realiza a travs de vapor de agua a una temperatura de 900 C a 1000 C. El crecimiento es ms rpido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidacin. Se suele utilizar para la creacin de xido de Campo. Las capas de xido pueden ser usadas como aislante (por ejemplo xido de puerta de un MOS), para separar dos dispositivos entre s (xido de campo), como mscara en otros procesos (implantacin, difusin.etc), para separar dos capas de materiales conductores, etc. El proceso de oxidacin realizado en el laboratorio fue el de oxidacin hmeda. Este proceso consiste en colocar las obleas de Si en un tubo de cuarzo. Este tubo de cuarzo es situado dentro de un horno de apertura cilndrica calentado por resistencia, La temperatura de trabajo es entre los 900 y 1100 C, y es controlada por un controlador de temperatura en configuracin PID. Las capas dielctricas son importantes para desempear un determinado papel en la fabricacin de dispositivos semiconductores debido a su carcter aislante: Aislamiento entre capas metlicas (transistor MOS), Proteger la superficie de un dispositivo.

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Proceso de oxidacin hmeda con horno a 900 C

Horno para el proceso de oxidacin.

De las grficas de oxidacin se tom un tiempo de tres horas con una temperatura de 900oC para obtener un oxido de una micra de espesor. Pero como el horno no estaba calibrado (o caracterizado) se realiz la medicin de la temperatura interna del horno para obtener la temperatura deseada. El inconveniente obtenido fue que al parecer el oxgeno no era oxigeno sino aire y lo esperado tuvo una gran diferencia ya que el espesor de l oxido que obtuvimos fue de aproximadamente 0.085 micras que se midieron por medio de elipsometra. La elipsometra espectroscpica es una tcnica de anlisis ptica que se basa en el cambio del estado de polarizacin de la luz que se incide sobre un material. Dicho anlisis es no destructivo y es til para la determinacin de espesores de pelculas delgadas, y constantes pticas de materiales (ndices de refraccin). El anlisis en elipsometria se llev acabo en cuatro diferentes puntos de la oblea para verificar que el grosor del xido era uniforme en todo el cuarto de oblea este espesor fue en todos los puntos aproximadamente igual de 0.085 micras.

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De acuerdo con la tabla de colores que nos indica el espesor de xido para nuestra oblea con elipsometria de 0.085 puede acercarse a la tabla de colores color caf de 0.07 micras

Tabla de espesor de xido con respecto al tiempo y temperatura

Litografa y Grabado. Como ya se mencion anterior mente este proceso conocido tambin como fotolitografa o enmascaramiento, es un mtodo que tiene como finalidad la formacin de patrones sobre la oblea de silicio oxidada, recordando que la construccin de un microcircuito es por medio de capas, es decir se coloca una mascarilla para la primera capa y otra con un patrn diferente para la segunda capa, este tipo de patrones se desarrollan mediante software especializados en nuestro caso se utiliz AutoCAD esta tcnica es conocida como diseo asistido por computadora la mascarilla es impresa en acetato estos patrones son reducidos al tamao real del circuito, luego son grabadas en la oblea de silicio

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Foto-resina SiO2 Substrato tipo n de Si

Proceso de litografa.

Procedimiento a) la aplicacin de foto-resina positiva que puede ser removida con disolventes cuando esta entra en contacto con luz uv. para lograr la uniformidad de fotoresina sobre la oblea de silicio esta capa es puesta con una bomba centrifuga que hace vaco a la oblea para sostenerla y no se caiga al girar y que la fotoresina quede uniformemente sobre la oblea esta se hace girar por espacio aproximado de 15 segundos.

Centrifuga con vaco para aplicar foto-resina a las obleas de silicio

La alineacin de mascarilla y la exposicin a la luz uv: con ayuda de un microscopio para una mejor alineacin de la mascarilla en la oblea son situadas de manera ms precisa, esto es con ayuda de puntos de alineacin que son colocados al realizar el diseo, estos puntos ayudan de manera fcil la alineacin. La radiacin ultravioleta es sensible a la foto-resina por lo cual la luz que uv que incide sobre ella puede quitarse
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fcilmente con la ayuda de un disolvente. La luz incide sobre esta oblea por un tiempo de 4 minutos luz ultravioleta cambia la estructura de la fotorresistencia: las molculas de una fotorresistencia negativa se unen entre si (polimerizan) en las regiones expuestas a la luz. Por el contrario, en el caso de fotorresistencias positivas, los enlaces entre las molculas se rompen al iluminarse, permaneciendo polimerizadas el resto. Las partes no iluminadas de las fotorresistencias no se ven afectadas. Una vez convenientemente alineada la mscara se ilumina con luz ultravioleta

Radiacin ultravioleta.

b) Secado y pre cocido: una vez teniendo las obleas con nuestro grabado es necesario que la pelcula de material protector se seque y se adhiera a la oblea de manera uniforme por ello es llevada de la centrifuga hacia un horno con una temperatura controlada, una temperatura entre 70 a 90 C provoca el endurecimiento de la foto-rresina y la evaporacin de los restos de disolventes, el horno es colocado a 120 grados durante 10 minutos.

Control de temperatura.

Horno de recocido de obleas

Con el objetivo de eliminar las superficies del protector no polimerizadas se lleva a cabo el proceso de revelado mediante una solucin qumica de hidrxido de sodio
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(NaOH) durante un tiempo de 3 segundos. Una vez aplicado el revelador suele aplicarse un lavado con disolvente (acetato de n-butilo, alcohol isoproplico, acetona, etc) con el objetivo de eliminar cualquier material residual, el protector que permanece tras el revelado tiene la funcin de proteger las capas individuales durante el proceso posterior. Nuevamente hay que colocar la oblea en el horno con el objetivo de recocer la pelcula revelada en el substrato. Esta vez el horno es colocado a una temperatura de 80 C durante 20 minutos. Preparacin de la solucin buffer que eliminara el SiO2 no protegido por la foto resina. La solucin consiste en: 15 gramos de HN4F (fluoruro de amonio). 25 ml de agua. 7 ml de HF (cido fluorhdrico).

Posterior mente se realiza una limpieza a las obleas ya impresas para obtener el revelado

Impurificacin Entre las regiones p y n de una oblea de silicio cristalino, se forma una unin elctrica, esta es el elemento esencial para el funcionamiento de los dispositivos semiconductores, este tipo de uniones funcionan como un interruptor, permitiendo el paso de la corriente solo de un lado. Con el objetivo de colocar impurezas en cantidades controladas se utilizan tcnicas como difusin o implantacin inica. Como ya se mencion anteriormente. Para nuestro caso se utiliz el sistema de roci qumico, el control del proceso depende del tiempo de exposicin, la concentracin molar, la temperatura y el flujo, con la formula siguiente se calcula la cantidad de soluto necesaria.

Masa molar = 0.1 M de acetato de Zn Volumen = 100 ml PM = 219.5 grs/mol

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Esto se realiza con la finalidad de crear una capa de xido de zinc, la cual puede usarse como capa tipo N, esta sirve para tener un efecto fotovoltaico, como se mostrara en los resultados de la caracterizacin.

Sistema de calefaccin

Salida de flujo ZnO

Oblea

Sistema de roci qumico

En este sistema es colocada la solucin spray pirolisis dentro de un vaso para ser calentada mediante el sistema de calefaccin, la temperatura provoca que se genere un vapor el cual es transportado por la manguera hasta la salida el flujo donde llegara hacia la oblea para lograr la difusin este se llev por un tiempo de 30 segundos. Este sistema se encuentra bajo una campana extractora de gases, como medio de seguridad para el personal de trabajo.

Creacin de capas delgadas (Deposicin y crecimiento epitaxial). Aunque en esta prctica no se llev a cabo este paso por falta de tiempo es importante mencionarlo ya que es parte del proceso de tecnologa planar. Es posible depositar diferentes tipos de material como xidos, poli-silicio, metal y semiconductor con estructura cristalina (en este caso el proceso se llama epitaxia). Existen dos tipos de deposicin segn se produzca en el proceso una reaccin qumica o fsica 1) Chemical vapour deposition (CVD) Atmospheric pressure CVD Low-pressure CVD Plasma-enhanced CVD

2) Physical vapour deposition (PVD) Evaporation technology Sputtering

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Molecular Beam Epitaxy (MBE).

Las tcnicas de CVD se suelen usar para depositar aislante y poli-silicio, la tcnica de CVD y MBE para depositar semiconductores cristalinos (Epitaxia), las tcnicas Fsicas de evaporacin y Sputtering para metalizaciones

Colocacin de los contactos metlicos (Metalizacin). Una vez que son fabricados los dispositivos en el sustrato de silicio, tienen que conectarse para ejecutar funciones de circuito. Este proceso se denomina metalizacin, y es un medio de alambrar o interconectar las capas superiores de los circuitos integrados mediante el depsito de patrones complejos de materiales conductores, que encaminan la energa elctrica en el interior de los circuitos. En la metalizacin Los metales ms empleados para la metalizacin de semiconductores de silicio son: aluminio, nquel, cromo o una aleacin llamada cromonquel, oro, germanio, cobre, plata, titanio, wolframio, platino y tntalo. Se explicara el mtodo de evaporacin fsica en fase vapor. Lo que ocurre en este proceso es que se hace pasar una corriente a travs de la resistencia de tungsteno, lo cual provoca que se evapore el metal y se deposite en todas direcciones de manera lineal, en este mtodo se desperdicia mucho material ya que tambin se deposita en la cmara de alto vaco, el metal es condensado en la superficie de la oblea al enfriarse.

Sistema de evaporacin fsica en fase vapor

Contactos de Al en las obleas

Como se mencion anteriormente la prctica solo llego hasta el punto de difusin, a continuacin se presentaran los resultados de la caracterizacin del efecto fotovoltaico de la oblea cubierta con xido de zinc.
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Desarrollo experimental medicin de voltaje a circuito abienrto Caracterizacin. El xido de zinc tiene la propiedad de responder a la luz, por ello se llev a cabo el estudio de este fenmeno. Material a utilizar: 1 osciloscopio. 1 lmpara. 1 sistema de vaco. 1 puntas de osciloscopio. Procedimiento: Antes de hacer las mediciones de voltaje Quitar el xido nativo Enjuagar con agua Colocar en la superficie con vaco para que haya un buen contacto Medicin de efecto fotovoltaico a circuito abierto Colocar las puntas de osciloscopio, de manera que el caimn negro sea colocado en la masa del sistema de vaco y la parte roja se colocara en la oblea donde exista difusin Encender la fuente de luz y realizar la medicin en las diferentes ventanas de la oblea donde se encuentra el ZnO

En la figura se muestra el sistema conectado, con la fuente de luz apagada.

Sistema de caracterizacin sin luz

Al colocar el otro extremo de la punta sobre la oblea se aprecia que la seal de voltaje obtenida no es cero, ya que existe una fuente de luz que proviene del exterior a travs de la ventana del laboratorio. La figura 15 muestra la forma como quedo grabada la oblea con la difusin de xido de zinc
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1 2 4 3

Oblea de silicio con los cuatro puntos de medicin de voltaje

Resultados.
Se realizaron las mediciones con el osciloscopio calibrado a 50 milivolt por cuadro. En los cuatro puntos donde se encuentran las ventanas con ZnO sin luz y con luz con un alampara de 40w a una distancia de 12.5 cm de la oblea al foco de la lmpara las mediciones se muestran en la siguiente tabla

1 2 3 4

Sin luz 54 mV 46 mV 34 mV 34 mV

Con luz 158 mV 164 mV 108 mV 110 mV

Tabla de resultados en medicin de voltaje

Imgenes mostradas del osciloscopio y su modificacin de voltaje con respecto a la luz incidente en las obleas

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Conclusiones
Se llevaron a cabo los procedimientos de la tecnologa planar para la fabricacin de un dispositivo fotosensible a la luz. El presente trabajo demuestra que la capa de xido de zinc tiene un efecto fotovoltaico, esto es de gran ventaja ya que controlando el crecimiento de la capa y caracterizando la respuesta por tamaos podemos realizar la construccin de sensores fotovoltaicos, con las caractersticas deseadas. Se puede apreciar que la respuesta de la zona con el menor espesor de ZnO tiene mejor respuesta que en las zonas donde el xido es ms grueso. Cabe mencionar que esta es la respuesta con fuente de tungsteno, esto provoca que la radiacin se encuentre en una longitud de onda cercana al infrarrojo. El xido de silicio tiene respuesta en la longitud de onda del infrarrojo y el xido de zinc una mejor respuesta a la luz blanca, en esta prctica no se llev a cabo con una fuente de luz blanca. Las zonas centrales de la oblea es donde existe una mejor uniformidad en el espesor de la capa de xido de zinc, es por ello que tenemos una mejor respuesta. La respuesta obtenida no es correcta ya que existe una fuente de luz externa que provoca que la respuesta vista en el osciloscopio sea errnea, la correcta medicin deber hacerse en un lugar aislado y con total oscuridad. Los resultados obtenidos demuestran que la capa de xido de zinc es muy delgada, y que la difusin no fue uniforme en la oblea, ya que como se aprecia los valores de voltaje obtenidos son distintos, aunque debemos tomar en cuenta que la distancia de la fuente de luz hacia la oblea fue de 12.5 cm, y que la emisin es isotrpica, por lo tanto la cantidad de luz en una zona no es la misma, provocando la respuesta que se obtuvo para cada rea de xido. Las obleas muestran una mejor conduccin cuando se expone a la luz que cuando esta sin luz. La razn de esto puede ser que la luz aumenta la energa de los electrones y provoca que estos se muevan en los enlaces pi () de unas molculas a otras cuando se les aplica una fuente de excitacin (luz)

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