Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Transistor bipolar
Nesta seo...
Conceito Estrutura bsica Tipos de transistores Terminais do transistor Simbologia Aspecto real dos transistores Teste de transistores Defeitos comuns nos transistores Tenses nos terminais do transistor Junes do transistor e polaridade das tenses nos terminais Polarizao simultnea das junes Princpio de funcionamento do transistor bipolar Ganho de corrente do transistor Configuraes de ligao do transistor Curvas caractersticas de um transistor
4
SENAI-RJ 103
104 SENAI-RJ
Conceito
O transistor bipolar um componente constitudo por materiais semicondutores, capaz de atuar como controlador da corrente, o que possibilita o seu uso como amplificador de sinais ou como interruptor eletrnico. Em qualquer uma das duas funes, o transistor encontra ampla aplicao: amplificador de sinais equipamentos de som e imagem e controles industriais; interruptor eletrnico controles industriais e computadores eletrnicos. O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento eletrnica, devido sua versatilidade de aplicao, constituindo-se em elemento chave de grande parte dos equipamentos eletrnicos.
Estrutura bsica
A estrutura bsica do transistor se compe de duas pastilhas de material semicondutor, de mesmo tipo, entre as quais colocada uma terceira pastilha, bastante mais fina, de material semicondutor com tipo diferente de dopagem, formando uma configurao semelhante a um sanduche. (Fig. 1)
Mesma dopagem
Fig. 1
SENAI-RJ 105
Tipos de transistores
A configurao de estrutura em forma de sanduche permite que se obtenham dois tipos distintos de transistores: um, com pastilhas externas de material N e pastilha central de material P. (Fig. 2) Este tipo de transistor denominado de transistor bipolar NPN.
N P N
Fig. 2
outro, com pastilhas externas de material P e pastilha central de material N, denominado de transistor bipolar PNP. (Fig. 3)
P N P
Fig. 3
Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funes, diferindo apenas na forma como as fontes de alimentao so ligadas ao circuito eletrnico.
106 SENAI-RJ
Terminais do transistor
Cada uma das pastilhas formadoras do transistor conectada a um terminal que permite a interligao da estrutura do componente aos circuitos eletrnicos. (Fig.4)
Fig. 4
Os terminais recebem uma designao que permite identificar cada uma das pastilhas: a pastilha central denominada de base, representada pela letra B; uma das pastilhas externas denominada de coletor, representada pela letra C; a outra pastilha externa denominada de emissor, representada pela letra E. A figura 5 apresenta os dois tipos de transistores com a identificao dos terminais.
P E
P C
N E
N C
B Fig. 5
Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material semicondutor, no possvel trocar as ligaes de um terminal com o outro nos circuitos eletrnicos porque existe diferena de volume de material semicondutor e de intensidade de dopagem entre as pastilhas.
SENAI-RJ 107
Simbologia
A figura 6 apresenta o smbolo dos transistores NPN e PNP, indicando a designao dos terminais.
NPN C B B PNP C
Fig. 6
Observe que a diferena entre os smbolos dos dois transistores apenas o sentido da seta no terminal emissor. Alguns transistores, fabricados para aplicaes especficas, so dotados de blindagem. Essa blindagem consiste em um invlucro metlico ao redor das pastilhas semicondutoras, que tem por finalidade evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por campos eltricos ou magnticos do ambiente. Esses transistores apresentam um quarto terminal, ligado blindagem para que esta possa ser ligada ao terra do circuito eletrnico. O smbolo desses transistores mostra a existncia do quarto terminal.(Fig. 7)
C B Blindagem
Fig. 7
108 SENAI-RJ
Fig. 8
A figura 9, abaixo, parte de um folheto tcnico de um transistor, mostrando a posio dos seus terminais.
Vista inferior
Vista frontal
Vista lateral
Teste de transistores
Existem equipamentos destinados especificamente aos mais diversos testes nos transistores. Entretanto, pode-se realizar um teste nos transistores usando um multmetro, o que permite detectar os seus defeitos mais comuns. Da mesma forma que em um diodo, o teste de transistores com multmetro no definitivo. Um diodo pode no apresentar defeito no teste com multmetro e mesmo assim apresentar mau funcionamento quando operando com tenses elevadas. O teste com o multmetro detecta apenas os defeitos mais comuns nos transistores e diodos como: curto em uma juno PN; abertura de uma juno PN.
Baixa resistncia
Alta resistncia
Fig. 10
110 SENAI-RJ
Ateno Uma juno PN em curto ou aberta pode ser detectada usando-se um multmetro.
C C
Fig. 11
Da mesma forma, entre a base e emissor forma-se outra juno PN, que para fins de teste tambm pode ser tratada como diodo. (Fig. 12)
P B N P E E B B
N B P N E E
Fig. 12
SENAI-RJ 111
Dessa forma verifica-se que o transistor, para fins de teste com o multmetro, pode ser tratado como dois diodos ligados em oposio. (Fig. 13)
c c
B NPN
E c PNP B
c B
E Fig. 13
A partir dessa concluso, pode-se afirmar que testar um transistor verificar se existe curto-circuito ou abertura entre cada par de terminais (BC, BE, CE).
preto
Com potencial positivo aplicado base (anodos dos diodos), o instrumento deve indicar que existe continuidade entre basecoletor e baseemissor. Pode-se afirmar, ento, que no existe juno aberta (BC ou BE). Se houver uma juno aberta (BC ou BE) o instrumento indicar resistncia altssima (infinita) quando esta juno estiver sendo testada. Confira agora o teste de curto-circuito nas junes, apresentado na figura 15.
NPN C
Fig. 15
Observa-se que agora a polaridade aplicada aos diodos tal que deve fazer com que estes se bloqueiem, indicando alta resistncia. Se isto ocorrer, ser possvel afirmar que no existe curto entre basecoletor e baseemissor. Se houver uma juno em curto, o instrumento indicar baixa resistncia. Deve-se ainda proceder a teste entre coletor e emissor do transistor NPN, que deve apresentar alta resistncia nas duas medies, como mostram as figuras 16 e 17.
Fig. 16
SENAI-RJ 113
Fig. 17
Ateno Todos os testes devem ser feitos na escala R X 10 e com o transistor desligado de qualquer circuito.
Teste de abertura
PNP
Fig. 18
114 SENAI-RJ
Teste de curto-circuito
PNP
Fig. 19
Teste de coletor-emissor
Importante Os testes devem ser realizados utilizando as escalas de resistncia R X 10 partes metlicas das pontas de prova, pois isso pode provocar erro nos testes. ou
SENAI-RJ 115
Curto em juno
Se, ao realizar o teste em uma das junes, foi verificada conduo nos dois sentidos, a juno est em curto e o transistor est danificado. A figura 21 ilustra a existncia de um curto na juno basecoletor do transistor.
Vermelho C B Vermelho B Preto C
Preto
E Conduo Fig. 21
E Conduo
Bloqueio C Preto B
Bloqueio Vermelho B
Vermelho
Preto
SENAI-RJ 117
uma juno PN entre o cristal de base e o cristal do coletor, chamada de juno basecoletor. (Fig. 24)
C Juno CB P B N P E B N P N E C
Fig. 24
Ao se unirem as trs pastilhas semicondutoras de um transistor, ocorre um processo de difuso dos portadores. Como em um diodo, esse processo de difuso d origem a uma barreira de potencial em cada juno. No transistor, portanto, existem duas barreiras de potencial que se formam com a juno dos cristais: a barreira de potencial na juno baseemissor. a barreira de potencial na juno basecoletor. As figuras 25 e 26 mostram as barreiras de potencial nos dois tipos de transistor.
N P N
P N P
Fig. 25
Fig. 26
Juno baseemissor
Na condio de funcionamento, denominada de funcionamento na regio ativa, a juno baseemissor polarizada diretamente. A conduo da juno baseemissor provocada pela aplicao de tenso externa entre base e emissor, com polaridade correta (tenso positiva no material P e negativa no material N).
118 SENAI-RJ
As figuras 27 e 28 mostram a polaridade das tenses de base e de emissor em cada tipo de transistor.
C NPN B N P N E Fig. 27
C PNP B P N P E Fig. 28
Juno base-coletor
Na regio de funcionamento ativo, a juno basecoletor polarizada inversamente. O bloqueio da funo basecoletor provocado pela aplicao de tenso externa entre base coletor, com polaridade adequada (tenso positiva no material N e negativa no material P). As figuras 29 e 30 mostram a polaridade das tenses de coletor em relao base em cada tipo de transistor.
NPN C N B P N E
PNP C P B N P E Fig. 30
Fig. 29
SENAI-RJ 119
PNP C P B N P E Fig. 32
Pode-se, ainda, obter a polarizao correta das junes com outra configurao de ligao das baterias. A figura 33 mostra a forma alternativa de polarizao, tomando o transistor NPN como exemplo.
120 SENAI-RJ
B1
B2
Fig. 33
Analisando a figura observa-se que: a bateria B1 polariza a juno baseemissor do transistor diretamente. a bateria B2 aplica uma tenso positiva ao coletor, maior que a tenso positiva da base. Se o coletor mais positivo que a base, ento esta mais negativa que aquele, de forma que a juno basecoletor fica polarizada inversamente. (Fig. 34)
Fig. 34
Ateno Transistor regio ativa a juno baseemissor deve ser polarizada diretamente. a juno basecoletor deve ser polarizada inversamente.
SENAI-RJ 121
A alimentao simultnea das duas junes, atravs das baterias externas, d origem a trs tenses entre os terminais do transistor. Observe:
C B
V BE
Fig. 35
VCB C B
Fig. 36
C B VCE
Fig. 37
122 SENAI-RJ
Dispondo as trs tenses em uma mesma figura, observa-se que as tenses VBE + VCB, somadas, so iguais a VCE. (Fig. 38)
V CB
VCE V BE
Para o transistor NPN a regra tambm vlida, invertendo-se apenas a polaridade das baterias de polarizao. (Fig. 39)
V CB
VCE V BE
Fig. 39
SENAI-RJ 123
O movimento dos portadores livres d origem a trs correntes que circulam nos trs terminais do transistor. (Fig. 40)
I
I I
Fig. 40
A corrente do terminal emissor denominada de corrente emissor (representada pela notao IE); a do terminal base, de corrente de base (IB) e a do terminal coletor, de corrente de coletor (IC). Por conveno, toda corrente que entra no transistor positiva; a corrente que sai negativa. As figuras 41 e 42 mostram os dois tipos de transistor com suas correntes.
C IB B
IC IB
IC
E IE
IE
Fig. 41
Fig. 42
O princpio bsico de funcionamento, que explica a origem das correntes no transistor, o mesmo para os transistores NPN e PNP. Por esta razo usa-se estudar o princpio de funcionamento apenas de um tipo. O comportamento do tipo no analisado semelhante, diferindo apenas na polaridade das baterias e no sentido das correntes.
Corrente de base
A corrente de base provocada pela tenso aplicada entre a base e o emissor do transistor (VBE). Tomando-se como exemplo o transistor PNP, para analisar o efeito causado pela tenso VBE tem-se: o potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em direo base (Fig. 43)
124 SENAI-RJ
P B N Barreira de potencial P
V BE
Fig. 43
Se a tenso VBE tiver um valor adequado (0,6 V para o silcio e 0,3 V para o germnio), as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de potencial formada na juno baseemissor, recombinando-se com os eltrons livres da base. Esta recombinao d origem corrente de base. (Fig. 44)
Fig. 44
SENAI-RJ 125
Devido pequena espessura da base e tambm ao seu pequeno grau de dopagem, a recombinao acontece em pequena escala (poucos portadores que provm do emissor podem se recombinar). Isto faz com que a corrente de base seja pequena, com valores que se situam na faixa de microampres ou miliampres. Como o emissor fortemente dopado, um grande nmero de lacunas se desloca em direo base, repelido pela tenso positiva do emissor e atrado pela tenso negativa da base. A base, entretanto, no tem eltrons livres suficientes para recombinar com a maior parte destas lacunas que provm do emissor. Assim, um grande nmero de lacunas atinge a base em grande velocidade e no se recombina, por falta de eltrons livres disponveis. (Fig. 45)
B N IB
Fig. 45
Ateno A corrente de base provocada pela aplicao de um potencial VBE ao transistor. Essa corrente muito pequena porque se deve recombinao de portadores na base.
126 SENAI-RJ
Corrente de coletor
As lacunas provenientes do emissor que no se recombinam caracterizam-se por serem portadores minoritrios na base do transistor que de material N. A barreira de potencial da juno coletorbase favorece o deslocamento das lacunas para o coletor, onde existe um alto potencial negativo. As lacunas que atingem o coletor, passando atravs da juno basecoletor do origem corrente de coletor. (Fig. 46)
Grande IC (Devido ao grande nmero de lacunas no recombinadas na base.)
Fig. 46
A corrente de coletor tem valores muito maiores que a corrente de base, porque a grande maioria das lacunas que partem do emissor no se recombinam, sendo absorvidas pelo coletor.
IC
>>
IB
SENAI-RJ 127
Em geral, do total de lacunas que entra no emissor de um transistor PNP, apenas 5% ou menos correspondem corrente de base. Os restantes 95% (ou mais) correspondem corrente de coletor. (Fig. 47)
IC 95%
IC P IB 5% N IE P 100%
Fig. 47
Corrente de emissor
Analisando um transistor PNP e suas correntes, verifica-se que: a corrente de emissor entra no transistor. as correntes de base e coletor saem do transistor. (Fig. 48)
IC IB
IE
Fig. 48
A corrente de base formada por portadores que vm do emissor e se recombinam na base. A corrente de coletor formada por portadores que vm do emissor e no se recombinam, dirigindo-se ao coletor.
128 SENAI-RJ
Conclui-se, portanto, que tanto a corrente de base como a corrente de coletor provm do emissor, de forma que se pode afirmar IC + IB = IE. (Fig. 49)
C IC
B IB
IE
Fig. 49
SENAI-RJ 129
O estreitamento da barreira de potencial entre base e emissor permite que um maior nmero de portadores do emissor atinja a base. Esta maior quantidade de portadores absorvida pelo coletor, uma vez que a base no tem capacidade para recombin-los. Verifica-se ento um aumento na corrente de coletor. Concluso:
IB aumenta
IC aumenta
IB diminui
IC diminui
Isto significa que a corrente de base de um transistor atua como corrente de controle e a corrente de coletor, como corrente controlada.
IB controla IC
hFE ou BDC =
IC IB
130 SENAI-RJ
Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor do transistor (BDC), possvel determinar a corrente de coletor a partir da corrente de base: IC IB
BDC =
IC = BDC IB
importante salientar que o fato de o transistor permitir um ganho de corrente entre base e coletor no significa que sejam geradas ou criadas correntes no seu interior. Todas as correntes que circulam em um transistor so provenientes da fonte de alimentao, cabendo ao transistor apenas controlar a quantidade de corrente fornecida por estas fontes.
Ateno Os transistores no geram corrente, atuando apenas como controladores das quantidades de corrente fornecidas pelas fontes de alimentao.
IB Corrente de controle
IC Corrente controlada
Fig. 51
Como o transistor no dispe de quatro terminais (dois de entrada e dois de sada) sua ligao aos circuitos eletrnicos feita de forma que um dos terminais seja comum ao circuito de entrada e de sada simultaneamente.
SENAI-RJ 131
IC IB Sada Entrada
Fig. 52
Observao As baterias de polarizao no foram colocadas para dar maior clareza figura.
IE
IC
Entrada Sada
Fig. 53
132 SENAI-RJ
Entrada Sada
IB
IE
Fig. 54
O comportamento do transistor tambm expresso atravs de curvas caractersticas, que so grficos obtidos atravs de medidas eltricas no transistor em vrios circuitos, sob condies de tenso e corrente controladas. As curvas caractersticas do transistor assumem grande importncia no projeto de circuitos, porque expressam o comportamento do componente em ampla faixa de condies de funcionamento, levando em considerao a forma como o transistor est ligado.
Fig. 56
Com base nestes valores e ainda outros no eltricos, tais como a temperatura, pode ser levantada uma srie de curvas caractersticas que expressam o comportamento do transistor nas mais diversas condies.
134 SENAI-RJ