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Proteo e seletividade
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A utilizao de bancos de capacitores em sistemas eltricos industriais tem crescido ultimamente devido ao fato de se constituir uma forma simples, prtica e econmica de corrigir o fator de potncia. Entretanto, a sua aplicao necessita de certos cuidados, pois podem ocorrer alguns efeitos colaterais. Alguns cuidados e ateno devem ser tomados, entre outros, quando se chaveia um banco. Um disjuntor pode interromper vrios kAs de corrente indutiva, mas suportar uma corrente capacitiva de apenas algumas centenas de ampres. Normas e guias Existem vrias normas e guias para a proteo de capacitores, entre as quais podem ser citadas: IEEE Std C37.99-2002 Guide for protection of shunt capacitors banks IEEE Std 18-2002 Shunt Power Capacitors
IEC 831-1 1988 Shunt Power Capacitors of the self healing type for a.c. systems having a rated voltage up to and including 660 V ABNT NBR 5282 JUN 1998 Capacitores de potncia em derivao para sistemas de tenso acima de 1000 V Especificao
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De sobrecorrente para falta na barra e/ou circuito do banco; De sobrecorrente para faltas nas unidades do banco; De sobretenso permanentes nas unidades restantes devido falha de unidades individuais; De sobretenso na barra do banco de capacitores; De surto de tenso do sistema; Descarga de corrente de unidades paralelas; De corrente inrush devido ao chaveamento; De arcos sobre a estrutura do capacitor;
Corrente inrush
Na energizao de um banco de capacitores, ocorre um transitrio eletromagntico que se traduz pelo aumento dos valores de corrente e de frequncia. Os valores atingidos nesse transitrio e sua durao dependem do instante em que est passando a tenso, da capacitncia, da indutncia do circuito, da carga inicial do capacitor no instante da energizao e dos amortecimentos promovidos pelas resistncias do circuito. Observaes importantes sobre a corrente inrush de banco de capacitores: Quando o banco de capacitores est descarregado, sua impedncia praticamente nula e assim os valores de corrente podem atingir valores expressivos. Quando existe um banco nico na barra, a corrente inrush deste banco menor que a corrente de curto-circuito no ponto de instalao do banco de capacitores. Quando um capacitor chaveado, estando um outro j energizado na mesma barra (conhecido como chaveamento back to back), as correntes de energizao tendem a ser ainda maiores, considerando que a contribuio de corrente do banco j conectado na barra limitada apenas pela indutncia dos capacitores e dos barramentos. Quando um banco chaveado back to back, a corrente inrush poder exceder o valor da corrente de curto-circuito no ponto onde est o banco de capacitores. Normalmente a corrente inrush mxima suportada por um banco de capacitores de 100xIn. Deve-se consultar sempre o fabricante e tambm verificar qual a norma de fabricao do capacitor para certificar este valor. A forma de onda no senoidal e aparece uma onda de alta frequncia sobreposta senide da onda de tenso. A durao do transitrio normalmente varia da ordem de uma frao de ciclo a alguns ciclos da frequncia do sistema. A Figura 2 apresenta o grfico de uma simulao feita do chaveamento de um banco de 30 MVAr em 69 kV, atravs de um programa de transitrios eletromagnticos.
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Do circuito da Figura 4 pode-se dizer que, a partir do fechamento da chave, uma corrente i(t) ir circular e, pela Lei de Kirchoff, das tenses pode-se tirar: Equao 1 Como se pode observar, a soluo no domnio do tempo acaba ficando um pouco complexa e o que se faz passar para o domnio da frequncia atravs das transformadas de Laplace que transforma as equaes diferenciais em equaes algbricas como segue: Equao 2
Figura 2 Chaveamento de capacitor de 30 MVAr em 69 kV single na barra. Corrente = 4074,5 Ap e frequncia = 528,8 Hz.
A Figura 3 apresenta o grfico de uma simulao feita, por meio de um programa de transitrios eletromagnticos, do chaveamento de um segundo banco de capacitores de 30 MVAr em 69 kV, estando j energizado na mesma barra um banco de 30 MVAr. Aplicando-se a antitransformada de Laplace, fica: Equao 3
Chamando-se de:
Equao 4 Equao 5
Equao 6
Como pode ser observado nas simulaes, o valor da corrente inicialmente muito alto, porm o valor cai abruptamente e em torno de 100 ms praticamente j atingiu o valor de regime.
Equao 7 Equao 8
Equao 9
Equao 10
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A tabela a seguir apresenta a indutncia tpica dos bancos Equao 12 e dos barramentos.
Tabela 1 InduTncIa TpIca de barramenTos e bancos
Tenso [kV] < 15.5 38 48.3 72.5 121.0 145.0 169.0 242.0
Indutncia da barra [mH/m] 0,7021 0,7808 0,8399 0,8399 0,8563 0,8563 0,8793 0,935
Equao 14
Em que: kVFF = Tenso entre fases do banco em kV; Leq = Indutncia equivalente entre os bancos em micro-henries [H]; I1, I2 = Corrente nominal dos bancos j energizado (banco 1) e do banco chaveado (2) em [A]. A frequncia de chaveamento deste banco mltiplo dada pela Equao 15. Equao 15
Os valores de corrente de chaveamento, frequncia e os respectivos tempos de durao do inrush podem ser utilizados no programa ATP (Alternative Transient Program). As frequncias
Figura 5 Circuito equivalente do chaveamento de um banco mltiplo na barra.
de chaveamento de banco so da ordem de kHz e a durao do transitrio de chaveamento de alguns semiciclos da frequncia de chaveamento.
A Figura 5(a) mostra o banco sendo chaveado. A Figura 5(b) mostra a associao equivalente da indutncia e a Figura 5(c) o equivalente final. Analisando ainda a Figura 5(c), vemos que corresponde Figura 4. Logo, a Equao 8 pode ser aplicada, a qual, na condio de valor mximo, corresponde ao seno igual a 1, cujo resultado aplicado Equao 13.
Equao 13
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Operar at 180% de In (incluindo a fundamental e as harmnicas); Operar no mximo a 115% kVAr nominal para a fundamental; Operar permanentemente com 135% dos kVAr nominais (desde que no exceda a 110% Vn). Nota: Deve-se sempre consultar o fabricante para verificar as condies de suportabilidade do respectivo banco.
Para proteo de um capacitor ou banco, deve-se prever a limitao da: Sobretenso em 10%; Sobrecorrente de 130% a 135% (Conforme norma de fabricao). Ajustes recomendados: Pick up sobrecorrente: 1,2 x In Temporizao da unidade temporizada: acima do ponto (0.1 s; Inrush) Instantneo: > 1,1 x Inrush
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Tenso remanescente nas unidades restantes do grupo e corrente de desequilbrio no neutro de bancos dupla-estrela
(a) Tenso no restante do grupo
A Equao 17 apresenta o clculo da sobretenso das unidades restantes de um grupo.
Equao 26
Equao 17 Equao 28
Equao 18
Equao 34
Para se determinar a corrente de falta no grupo curto-circuitado, utiliza-se a Equao 35. Equao 19 Em que: IN = Corrente nominal do capacitor. Equao 35
Equao 20
Equao 21
(e) Nmero mnimo de unidades por grupo para uma sobrenteso de 10%
Na equao seguinte, determinado o nmero mnimo de unidades por grupo para uma sobretenso de 10%.
Equao 22
Equao 23
Equao 24
Equao 39
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Exemplo 1
Dado um banco de capacitores de 3600 kVAr, instalado em 13.8 kV, em um local em que o nvel de curto-circuito de 8519 A. A caracterstica do banco apresentada a seguir. Pede-se para ajustar as protees do banco. Conexo: dupla estrela no aterrada kVAr de 1 unidade = 200 Nmero de grupos srie por fase (S) = 1 Nmero de unidades em paralelo por grupo (P) = 3 kVn 1 unidade = 7,967 TC de fase = 400-5 A TC do neutro da dupla estrela = 15-5 A
A durao 0.1 s. Assim, a temporizao do rel deve ficar acima deste tempo, ou seja, 0.15 s. Escolhendo uma caracterstica muito inversa, fica:
A unidade instantnea tem que ser ajustada 10% acima do valor da corrente inrush:
Soluo
.... O clculo a seguir mostra a sobretenso nas unidades restantes. Do grupo, quando so retiradas unidades e a corrente de .... desequilbrio no neutro, sabe-se que a sobretenso das unidades restantes do grupo e a corrente de desequelbrio no neutro da dupla estrela so dadas por:
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10% de sobretenso. Neste caso, com uma unidade retirada, d-se o alarme e, com duas, d-se o trip. Ajuste da unidade de alarme
Com uma unidade retirada (F=1), para P=3 e S=1, fica: .... Ajuste da unidade de trip .... Com duas unidades retiradas (F=2), para P=3 e S=1, fica: Nota: O valor de 0.9 utilizado para garantir que, mesmo com .... .... A tabela a seguir resume o exposto:
N de Tenso nas Tenso nas Tenso nas Corrente no unidades unidades unidades restantes unidades restantes neutro da dupla retiradas restantes (pu) (kVsistema) (pu - kVBanco) estrela (A) 0 1,000 7,967 1,000 0,00 1 1,059 8,436 1,059 13,29 2 1,125 8,963 1,125 28,24 3 1,200 9,561 1,200 45,18 *CLUDIO MARDEGAN engenheiro eletricista formado pela Escola Federal de Engenharia de Itajub (atualmente Unifei). Trabalhou como engenheiro de estudos e desenvolveu softwares de curto-circuito, load flow e seletividade na plataforma do AutoCad. Alm disso, tem experincia na rea de projetos, engenharia de campo, montagem, manuteno, comissionamento e start up. Em 1995 fundou a empresa EngePower Engenharia e Comrcio Ltda, especializada em engenharia eltrica, benchmark e em estudos eltricos no Brasil, na qual atualmente scio diretor. O material apresentado nestes fascculos colecionveis uma sntese de parte de um livro que est para ser publicado pelo autor, resultado de 30 anos de trabalho. CONTINUA NA PRXIMA EDIO Confira todos os artigos deste fascculo em www.osetoreletrico.com.br Dvidas, sugestes e comentrios podem ser encaminhados para o e-mail redacao@atitudeeditorial.com.br