MATRIA: qualquer coisa que ocupa espao e tem massa slido, lquido ou gasoso.

o. MOLCULA: a menor partcula de uma substncia que retm todas as propriedades dessa substncia. TOMO: a menor partcula de um elemento (uma substncia fundamental que consiste em tomos de um nico tipo). Oxignio e hidrognio so elementos; gua no um elemento.

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Um tomo neutro contm o mesmo nmero de prtons e eltrons. Todas as formas de energia, incluindo energia calorfica e eltrica, estimulam o movimento de eltrons. A absoro de energia suficiente, tal como calor ou luz, pode fazer com que os eltrons da rbita mais externa escapem, tornando-os em eltrons livres que podem vaguear at serem atraidos por um tomo carregado positivamente. Um tomo que perde eltron definido como on positivo e o que ganha on negativo. LACUNA: a vaga deixada por um eltron na rbita mais externa quando esse se move para outro tomo. A lacuna se comporta como uma carga positiva. RBITA DE VALNCIA a rbita mais externa de um tomo.

ELETRICIDADE o fluxo de eltrons livres numa dada direo.

Semicondutor uma substncia que nem conduz nem resiste muito bem circulao de corrente. Literalmente, semicondutor quer dizer meio-condutor. =10-6 .cm =1012 .cm =50 .cm (Ge) =50*103 .cm (Si) Semicondutor

Condutor Cobre Isolante Mica

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Semicondutores Elementais contm apenas um nico tipo de tomo Silcio (Si) e Germnio. A maioria dos dispositivos eletrnicos contruida a partir do Silicio. Semicondutores Intermetlicos ou Compostos contm mais de um elemento LED, detetores de infravermelho. DOPAGEM a adio de impurezas ao material semicondutor puro afetando dramaticamente as propriedades eletrnicas e ticas do semicondutor. MATERIAL INTRNSICO: Material semicondutor com alto grau de pureza. MATERIAL EXTRNSICO: Material semicondutor que tem estado sujeito ao processo de dopagem. Materiais Semicondutores possuem tomos que so organizados em monocristais. Um cristal uma combinao qumica que pode crescer a propores indefinidas.

O arranjo organizado dos tomos referido como um reticulado. Materiais semicondutores tais como silcio, germnio e carbono formam cristais macromoleculares. Para esses materiais, o reticulado tem uma aparncia semelhante do diamante. LIGAES COVALENTES Os tomos do reticulado ligam-se uns aos outros compartilhando os eltrons da rbita de valncia. Cada par de eltrons de valncia compartilhados cria uma ligao covalente. No caso do Silcio, cada atmo tende a ligarse a outros 4 para completar os 8 eltrons da ltima camada, estabilizando o tomo.

Ligaes Covalentes para os tomos de Silcio

Nveis de Energia no tomo So discretos (no existem raios intermedirios) e aumentam conforme a distncia do eltron ao ncleo (raio orbital).
Energia

2o Nvel 1o Nvel Limite do Ncleo

Se 1 eltron recebe energia (luz, calor, radiao) esta transformada em trabalho e movimenta-o para mais longe do ncleo, ficando portanto com maior energia potencial. O processo inverso tambm pode ocorrer, liberando energia. BANDAS DE ENERGIA Representam os nveis de energia mais provveis para os eltrons de um cristal. Cada eltron sofre influncias das cargas vizinhas dentro do cristal, tendo rbitas ligeiramente diferentes, configurando a banda de energia.

Exemplo: Silcio
Energia Banda de Conduo Banda de Valncia 2a. Banda 1a. Banda

Bandas preenchidas: todas as rbitas disponveis esto ocupadas por eltrons. A banda de Conduo est vazia a Oo K ACIMA DO ZERO ABSOLUTO: A energia trmica quebra algumas ligaes covalentes e alguns eltrons vo a banda de conduo. Na Banda de conduo os eltrons esto fracamente presos ao tomo por possuirem rbitas muito grandes.

A corrente obtida em um cristal de silcio puro, a 25 oC muito pequena para ser utilizvel e por isso o material dito semicondutor.

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CORRENTE DE LACUNAS: Ao deslocar um eltron para a banda de conduo, fica na banda de valncia uma ausncia de carga negativa, chamada lacuna, representando uma carga positiva. Esta lacuna atrai outro eltron, criando nova lacuna, e assim por diante. Este movimento de cargas positivas, fictcio, que ocorre na banda de valncia chamado de corrente de lacunas. Para cada eltron na banda de conduo, existe uma lacuna correspondente na banda de valncia de algum tomo do mesmo cristal; esta reciprocidade chamada de par eltron-lacuna.

RECOMBINAO: Ocorre quando a rbita de conduo de um tomo intercepta a rbita de valncia de outro, ocasionando a volta do eltron para a banda de valncia e o desaparecimento de uma lacuna. Pela constante incidncia de energia trmica, o processo dinmico em um semicondutor, e o espao entre a criao e a recombinao de um par eltron-lacuna chamado de tempo de vida.

MATERIAL SEMICONDUTOR TIPO N (n de negativo) Criado a partir da adio de elementos de impureza que tem cinco eltrons de valncia (pentavalente) como o antimnio, o arsnico e o fsforo tambm chamados de doadores. Adiciona-se eltrons livres na banda de conduo. Os eltrons so denominados de portadores majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios.

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MATERIAL SEMICONDUTOR TIPO P (p de positivo) formado dopando-se o semicondutor puro com tomos de impureza apresentando 3 eltrons de valncia (trivalentes) como o Boro, Glio e ndio denominados aceitadores. As lacunas so denominadas de portadores majoritrios e os eltrons de portadores minoritrios.

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A JUNO P-N (Diodo)

Sobre um mesmo cristal intrnsico podem ser adicionadas impurezas tipo-p e tipo-n em regies bem definidas; O material dopado tipo-p junto com o material dopado tipo-n recebe o nome de juno P-N e a base de todos os dispositivos semicondutores em eletrnica. DIFUSO A dopagem cria portadores de carga em excesso que variam suas posies e concentraes dentro do material semicondutor. Os portadores de cargas movem-se das regies de alta concentrao de portadores para regies de baixa concentrao de portadores. Esse movimento denominado difuso.

R 0
p n

1.2

Lado n: O tomo de impureza doa eltron ao lado p, tornando-se um positivo (on doador) Lado p: O tomo de impureza recebe eltron do lado n, tornando-se um negativo (on aceitador)

um on um on

CAMADA DE DEPLEO: Cada vez que um eltron difunde-se atravs da juno, gera um par de ons; estes so fixos pelas ligaes covalentes. Quanto maior o nmero de ons, menos eltrons livres e lacunas; a regio est deplecionada (depleo=falta, exausto)

Ion negativo DERIVA (Drift) Corrente (Fluxo de eltrons) originada pela aplicao de campo eltrico; corrente forada.

BARREIRA DE POTNCIAL a diferena de potencial existente atravs da camada de depleo quando atinge-se o equilbrio de difuso. Ex: Se um eltron difunde-se do lado-n ao lado-p, ele encontrar uma barreira de ons negativos que o repeliro; se tiver energia suficiente ultrapassar os ons e recombinarse- com uma lacuna formando outro on negativo; este processo encontrar um equilbrio, onde os eltrons no mais conseguiro difundir-se. Os ons positivos e negativos formam uma barreira (no deixam os eltrons difundir) com potencial (devido s suas cargas). Para o Silcio, este potencial de aprox. 0.7 V. POLARIZAO DIRETA

A ligao de uma fonte de tenso conforme esquematizado acima conhecida como polarizao direta da juno p-n, porque permitir o fluxo de uma corrente de valor utilizvel. Observar: Polaridade da Fonte (+P e N) e contatos ohmicos. Movimento da Corrente Eletrnica: a) Eltron entra na regio n como um eltron livre b) Atravessa a juno e recombina-se com uma lacuna (geralmente prximo juno) c) Caminha pela regio p como eltron de valncia (de lacuna em lacuna) d) Encontra o terminal positivo da fonte OBS: Caminho Banda de Conduo-Banda de Valncia libera energia em forma de luz e calor, existindo por isso os LEDs POLARIZAO REVERSA

O que ocorre: a) Eltrons da regio n so atrados pelo terminal positivo da fonte, deixando ons positivos. b) Lacunas da regio p so atradas pelo terminal negativo da fonte, deixando ons negativos. c) O processo significa um alargamento da camada de depleo at que seu potencial seja igual tenso da fonte. CORRENTE REVERSA (IR) uma pequena corrente, na maioria das vezes desprezvel, que aparece no diodo com polarizao reversa. Tem 2 componentes: 1) Corrente de portadores minoritrios (IS) causada pela energia trmica que cria continuamente pares eltron-lacuna em abos os lados da juno. 2) Corrente de Fuga (IFS) causada por impurezas na superfcie do cristal que criam caminhos ohmicos para corrente.

TENSO DE RUPTURA (VBR) (tenso zener) uma tenso reversa que, aplicada ao diodo, ocasionar uma intensidade de corrente reversa que danificar o componente por excesso de potncia. A velocidade de um eltron livre gerado termicamente maior quanto maior a polarizao reversa, pois isto significa maior campo eltrico e maior energia; se colidir com um eltron de valncia, este desalojado e tambm recebe grande energia do campo eltrico; o processo repetitivo torna-se uma avalanche e uma intensidade de corrente surge, danificando o diodo por excesso de potncia. SIMBOLO DO DIODO

ANODO

CATODO

Sentido da corrente convencional

p n

Diodo Retificador um diodo construido para conduzir corrente em polarizao direta e no reversa. Possui em geral alta tenso de ruptura (>50 V). Pode ser imaginado idealmente, como uma resistncia de baixo valor direto e alto valor reverso. O diodo retificador classificado, em alguns casos, como de pequenos sinais, por suportar baixa potncia de trabalho.

CURVA CARACTERSTICA DO DIODO

RUPTURA POR AVALANCHE Todos os diodos tm limites quanto quantidade de corrente que podem conduzir. Quanto maior a tenso aplicada sobre o diodo, maior a corrente que circular atravs dele. Em algum ponto, todos os portadores de carga estaro transportando toda a carga que podem. A aplicao de mais tenso forar os eltrons da banda de valncia do cristal, resultando na sua destruio. Este fenmeno conhecido como ruptura por avalanche.

RESISTNCIA DO DIODO Mesmo quando conduzindo, os diodos oferecem alguma resistncia circulao de corrente, a qual pode variar de 0.1 a 2 . O efeito da resistncia de corpo pode ser observado na curva caracterstica acima do joelho do diodo. Quanto maior a resistncia de corpo de um diodo, mais horizontal a curva ser. A CAPACITNCIA NOS DIODOS Um capacitor existe quando dois condutores so separados por um dieltrico. O Material tipo-p e o material tipo-n so condutores e a regio de barreira um dieltrico, uma vez que ela impede a circulao de corrente